CN103941452A - 阵列基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及显示装置，涉及液晶显示技术领域，解决了现有半反透型液晶显示器中背光源的部分能量被浪费的问题。本发明实施例中，阵列基板包括具有反射外界光的反射区和透射背光源发出光的透射区的基板，还包括设置在基板上的光电转换器件，该光电转换器件用于将背光源射入反射区的光能转换为电能；显示装置包括上述的阵列基板。本发明实施例特别适用于如智能手表之类的高端智能移动终端设备上。

Description

阵列基板及显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及阵列基板及显示装置。

背景技术

液晶显示器按照其采光方式大致分为透射型，反射型与半反透型三种。

其中，透射式显示利用透射出背光源发射的光进行显示，但在强光源情况下，如室外使用时，背光源的强度受外在光的干扰，从而出现面板过亮，显示内容不清晰情况。反射式显示利用反射回外界光来进行显示，因其不需要背光，与透射式显示相比其功耗小；但在暗光环境，如室内、夜晚使用时，会出现光强度不足的情况，影响到显示效果。半反透型显示则综合了前述两种类型的优点，即每个像素被划分为反射区和透射区，其中，透射区采用透射背光源发射的光进行显示，反射区则采用反射外界光进行显示，所以不管在强光或暗光环境下，都可以有良好的显示效果。

在半反透型液晶显示器中，背光源所发出的光是均匀地投射到整个显示区域中，而反射区中用于对外界光进行反射的反射层是不透光的，因此，背光源投射到反射区的光并没有发挥任何显示作用而被浪费掉，所以半反透型液晶显示器变相地浪费了一部分背光源电能，当显示屏幕尺寸越大时，此部分的能量浪费情况就越严重。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及显示装置，解决了现有半反透型液晶显示器中背光源的部分能量被浪费的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括：具有反射外界光的反射区和透射背光源发出光的透射区的基板，还包括设置在所述基板上的光电转换器件，所述光电转换器件用于将背光源射入反射区的光能转换为电能。

优选地，所述光电转换器件位于所述反射区。

更优选地，所述光电转换器件在所述基板上的水平投影与所述反射区在所述基板上的水平投影重合。

进一步地，像素驱动电路设置于所述反射区内。

可选地，所述光电转换器件与所述像素驱动电路沿垂直于所述基板表面方向上下排布。

进一步地，所述阵列基板还包括位于反射区的垫高层，所述垫高层包括所述光电转换器件与所述像素驱动电路的各个膜层，所述垫高层沿垂直于所述基板表面方向的厚度等于所述阵列基板成盒后的液晶盒厚的一半。

进一步地，所述光电转换器件位于所述像素驱动电路的上方。

优选地，所述光电转换器件与所述像素驱动电路之间形成有平坦层，用于消除所述像素驱动电路各膜层形成的段差。

其中，所述光电转换器件上方依次形成有绝缘层及反射层。

优选地，所述光电转换器件包括远离所述像素驱动电路的上电极及靠近所述像素驱动电路的下电极，所述上电极由反射型导电材料制成，用于反射所述外界光及背光源发出的光；所述下电极由透明导电材料制成。

可选地，所述光电转换器件还包括位于所述上电极与所述下电极之间的功能层，所述功能层具有指定厚度，用于消除所述像素驱动电路各膜层形成的段差。

进一步地，所述光电转换器件位于所述像素驱动电路的下方。

其中，所述像素驱动电路上方依次形成有平坦层及反射层，所述平坦层用于消除所述像素驱动电路各膜层形成的段差。

优选地，所述光电转换器件包括远离所述像素驱动电路的下电极及靠近所述像素驱动电路的上电极，所述下电极由反射型导电材料制成。

可选地，所述光电转换器件与所述像素驱动电路沿平行于所述基板表面方向左右排布。

可选地，所述阵列基板还包括位于反射区的垫高层，所述垫高层包括所述光电转换器件的各个膜层，所述垫高层沿垂直于所述基板表面方向的厚度等于所述阵列基板成盒后的液晶盒厚的一半。

其中，在所述光电转换器件与所述像素驱动电路上方依次形成有平坦层及反射层，所述平坦层用于消除所述像素驱动电路各膜层形成的段差。

进一步地，所述阵列基板还包括遮光层，用于遮挡射入像素驱动电路中薄膜晶体管沟道区的光线。

进一步地，所述阵列基板还包括第一储能器件，用于存储所述光电转换器件转换的电能。

优选地，所述第一储能器件位于所述反射区。

更优选地，所述光电转换器件位于所述反射区，沿垂直于所述基板并远离所述基板的方向上，所述第一储能器件位于所述光电转换器件上方。

进一步地，其特征在于，所述第一储能器件包括远离所述光电转换器件的存储上电极、靠近所述光电转换器件的存储下电极及设于所述存储上电极和所述存储下电极之间的介电层，所述第一储能器件与所述光电转换器件共用所述第一储能器件的存储下电极。

可选地，所述第一储能器件的上电极由反射型导电材料制成，用于反射所述外界光及背光源发出的光。

一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本发明实施例提供的阵列基板及显示装置，由于阵列基板中设置了光电转换器件，且光电转换器件用于将接收到的背光源的光能转换为电能以供背光源使用，因此，能将这部分光能再回收利用，从而达到避免背光源部分能量被浪费的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为包含本发明实施例提供的第一种阵列基板的半反透型显示面板的剖视图；

图2为包含本发明实施例提供的第二种阵列基板的半反透型显示面板的剖视图；

图3为包含本发明实施例提供的第三种阵列基板的半反透型显示面板的剖视图；

图4为包含本发明实施例提供的第四种阵列基板的半反透型显示面板的剖视图；

图5为包含本发明实施例提供的第五种阵列基板的半反透型显示面板的剖视图；

图6为包含本发明实施例提供的第六种阵列基板的半反透型显示面板的剖视图；

图7为本发明实施例提供的半反透型显示面板的像素区中透射区/反射区/遮光区的平面示意图；

图8为现有半反透型显示面板的像素区中透射区/反射区/遮光区的平面示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种阵列基板，如图1所示，该阵列基板包括具有反射外界光的反射区R和透射背光源L发出光的透射区T的基板2，以及设置在基板2上的光电转换器件P，光电转换器件P用于将接收到的背光源L的光能转换为电能。该电能可以提供给背光源L使用。

本发明实施例提供的阵列基板中，由于光电转换器件P用于将接收到的背光源L的光能转换为电能以供背光源L使用，因此，能将这部分光能再回收利用，从而达到避免背光源L部分能量被浪费的目的。

图1中示出了光电转换器件P位于反射区R内，且光电转换器件P在基板2上的水平投影与反射区R在基板上的水平投影重合的一种情况，这样设置使得光电转换器件P能吸收整个反射区中的背光，对这部分不能起显示作用的光线的能量充分地加以回收利用。当然，本发明提出的光电转换器件P的尺寸和设置位置并不限于图1所示，光电转换器件P也可以位于反射区R外，这时，如果要达到光电转换器件P将射入反射区R的背光进行转换的目的，就需要设置额外的组件将这部分背光透射到光电转换器件P的受光面上。另外，也可以将图1所示的光电转换器件P的横向尺寸增大，使其一部分延伸至透射区T内，虽然尺寸增大能带来所接收光能的增加，但由于延伸至透射区T的部分会遮挡穿过透射区T的背光，从而会使得透射区T开口率下降。还有一种情况，也可以将图1所示的光电转换器件P的横向尺寸减小，使其完全位于反射区R内，这样虽然不会发生透射区T开口率下降的问题，但是由于光电转换器件P受光面积减少，使得其不能充分利用射入反射区R的背光。

上述的实施方式均能达到避免背光源L部分能量被浪费的目的，但图1所示的为优选实施方式，不仅能充分利用射入反射区R的背光，且能防止透射区T开口率的下降。

光电转换器件P可以为常见的薄膜型半导体太阳能电池结构，也可以为有机染料型太阳能电池结构。图1示出的光电转换器件P为薄膜型半导体太阳能电池结构，包括：位于下电极6上的N型硅层9，位于N型硅层9上的I型硅层10，位于I型硅层10上的P型硅层11，以及位于P型硅层11上的上电极12。其中，P、I、N型硅层可以称之为功能层，用来将光能转换成电子的运动，它们的次序不限，从上至下可以为N型硅层/I型硅层/P型硅层，也可以为P型硅层/I型硅层/N型硅层。本领域技术人员可以根据实际需要选择其它结构的光电转换器件。如图1所示，由形成在基板2上的多个相互平行的膜层构成的光电转换器件P，形成了平行于基板2的受光面，从而能有效地吸收背光源L射出的背光。

图1中还示出了基板1及形成在基板1上的膜层1a，基板1和膜层1a构成了对盒基板，在基板2的透射区T形成有膜层2a，基板2及形成在基板2上的膜层2a、光电转换器件P等构成了阵列基板，且在阵列基板和对盒基板之间填充有液晶层O。

阵列基板上设置有像素驱动电路，其中包括薄膜晶体管4、栅线（图1中未示出）及数据线（图1中未示出），用于控制施加在每个像素电极上电压信号。图1所示的半反透型液晶显示器中，阵列基板与对盒基板成盒后，两个基板之间填充了液晶层O，从而形成了液晶盒，透射区T的液晶盒厚（即液晶层O的厚度）d是反射区R液晶盒厚（即液晶层O的厚度）d/2的一倍，目的是使穿过透射区T的光与反射区R反射的光的相位相同。现有技术中，像素驱动电路通常设置于透射区，通过在反射区的基板填充绝缘材料形成垫高层，来使反射区的液晶盒厚减小至透射区液晶盒厚的一半，也就是说保证反射区液晶层的厚度减小至透射区液晶层厚度的一半。

现有技术中，设置在透射区的像素驱动电路中的数据线在工作中通电会产生寄生电容，该寄生电容使数据线上方的液晶分子偏转受到影响，从而导致漏光，为了解决该问题，现有技术会在对盒基板上对应像素驱动电路的位置设置图8所示的黑矩阵17，将漏光部分的光线遮挡住，从而避免显示不良的发生。但设置黑矩阵17会使像素的开口率减少。图8还示出了未被黑矩阵覆盖的透射区15及反射区16。

本发明实施例提供的阵列基板中，如图7所示，像素驱动电路设置于反射区R内，由于反射区R内设置了垫高层，使得数据线与液晶层O之间可以间隔较厚的绝缘层，从而可以减小寄生电容对液晶分子的影响，进而避免漏光现象的发生，因为不存在漏光现象，所以就不需要在对盒基板上对应像素驱动电路的位置设置黑矩阵，从而提高了像素区的开口率。另外，将像素驱动电路设置于反射区R，可以将现有技术中黑矩阵所遮挡的光通过上述实施方式中提供的光电转换器件P转换为电能供背光源使用，达到节能效果。而且通过将像素驱动电路和光电转换器件P都设置在反射区R内，可以充分利用阵列基板上的空闲区域，在不增加阵列基板结构尺寸的前提下，提高了能源利用率。

当像素驱动电路及光电转换器件P均设置与反射区R内时，光电转换器件P可以与像素驱动电路沿垂直于基板表面方向上下排布，如图1所示（仅示出了像素驱动电路中的薄膜晶体管4）；光电转换器件P也可以与像素驱动电路沿平行于基板表面方向左右排布，如图2所示（仅示出了像素驱动电路中的薄膜晶体管4）。

当光电转换器件P与像素驱动电路沿垂直于基板表面方向上下排布时，可以产生两种排布方式，第一种排布方式如图1所示：光电转换器件P位于像素驱动电路的上方；另一种排布方式如图3所示：光电转换器件P位于像素驱动电路的下方。当光电转换器件P位于像素驱动电路下方时，像素驱动电路各膜层不会对背光源射入反射区R的光线遮挡，从而使光电转换器件P能更多地吸收反射区的背光，进而得到更多的光生电能。当光电转换器件P位于像素驱动电路上方时，由于像素驱动电路与液晶层O之间间隔较多的膜层，使得数据线上寄生电容对液晶分子的影响被大大削弱。

由于光电转换材料，PN结构，受光面积，厚度等直接影响到光电转换效率，所以可以根据预设厚度，受光面积与所需的光电转换效率对光电转换材料、结构进行调节，在满足液晶盒厚的条件下，以达到最大的光电转换效率，实现最有效的节能效果。

如上述实施例所述，阵列基板还包括位于反射区的垫高层，当光电转换器件P与像素驱动电路沿垂直于基板表面方向上下排布时（如图1和图3所示），该垫高层包括光电转换器件P与像素驱动电路的各个膜层，当然，当反射区R的基板2上还设置有其它膜层时，该垫高层也包括这些膜层。为了使反射区R反射的光与透射区T透射的光的相位相同，垫高层沿垂直于基板2表面方向的厚度须等于阵列基板成盒后的液晶盒厚d的一半。也就是说，当光电转换器件P与像素驱动电路沿垂直于基板表面方向上下排布时，光电转换器件P的各个膜层、像素驱动电路的各个膜层及其它膜层叠加在一起构成了垫高层，当垫高层沿垂直于基板2表面方向的厚度等于d/2时，可以保证反射区R反射的光与透射区T透射的光的相位相同。

当光电转换器件P与像素驱动电路沿平行于基板2表面方向左右排布时（如图2所示），垫高层包括光电转换器件P的各个膜层，也可能包括像素驱动电路中未与光电转换器件P共用的膜层，以及设置在反射区R基板2上的其它膜层，由这些膜层构成的垫高层沿垂直于基板2表面方向的厚度须等于阵列基板成盒后的液晶盒厚d的一半，以保证反射区R反射的光与透射区T透射的光的相位相同。

为了实现反射区R反射外界光线的功能，当光电转换器件P在像素驱动电路上方时，在光电转换器件P上方依次形成有图1所示的绝缘层5及反射层3；当光电转换器件P在像素驱动电路下方时，像素驱动电路上方依次形成有图3所示的平坦层13及反射层3。

通常光电转换器件包括上下两个电极，其上产生的电能通过电极输送至与电极连接的电路，图1中，光电转换器件P位于像素驱动电路的上方，其中所示的光电转换器件P包括远离像素驱动电路的上电极12及靠近像素驱动电路的下电极6，当上电极12由反射型导电材料制成时，就形成了图4所示的反射型电极14，用于反射外界光及背光源L发出的光，从而可以省掉制备图3中反射层3的步骤，节约了材料和工艺成本，此时，下电极6须由透明导电材料制成，从而使背光能射入光电转换器件P的上电极12和下电极6之间的功能层。

图3中，光电转换器件P位于像素驱动电路的下方，其中所示的光电转换器件P包括远离像素驱动电路的下电极6及靠近像素驱动电路的上电极12，下电极6由透明导电材料制成，从而使背光能射入光电转换器件P的上电极12和下电极6之间的功能层。上电极12所使用的材料在此不做限制。

图1中，光电转换器件P位于像素驱动电路的上方，其中，像素驱动电路中薄膜晶体管的每个膜层具有不同的图案，不同图案的各个膜层交叠在一起，使得顶层的膜层表面凸凹不平，形成了段差，为了使液晶盒厚均匀，光电转换器件P与像素驱动电路之间可以形成平坦层13，该平坦层13由绝缘材料制成，用于消除像素驱动电路各膜层形成的段差。也可以通过设置光电转换器件P的上电极12与下电极6之间功能层的厚度为指定厚度，从而消除像素驱动电路各膜层形成的段差。

图3中，光电转换器件P位于像素驱动电路的下方，像素驱动电路上方依次形成有平坦层13及反射层3，该平坦层13用于消除像素驱动电路各膜层形成的段差。

当光电转换器件P与像素驱动电路如图2所示沿平行于基板表面方向排布时，在光电转换器件P与像素驱动电路上方依次形成有平坦层13及反射层3。反射层3可实现反射区R反射外界光的功能，而平坦层13用于消除像素驱动电路各膜层形成的段差。

在上述实施例提供的阵列基板中，由于像素驱动电路设置在反射区R，背光源发出的光线经过反射区R，并且在反射区R的各膜层间被反射和散射，这些反射和散射的光线照射到像素驱动电路中薄膜晶体管的沟道区后，会使薄膜晶体管产生光生漏电流，从而引起显示不良现象。为了防止光生漏电流的产生，阵列基板上还可以设置遮光层（图中未示出），用于遮挡射入像素驱动电路中薄膜晶体管沟道区的光线。遮光层具体的设置位置需要根据薄膜晶体管沟道区的受光位置来确定。

例如，图1中示出的薄膜晶体管为底栅型晶体管，沟道区上方仅覆盖有透明的绝缘层，光线容易从上方射入沟道区，为了防止光线进入沟道区，可以在沟道区的上方设置遮光层。当薄膜晶体管为顶栅型晶体管时，沟道区下方容易受到光线的影响，因此，为了防止光线进入沟道区，可以在沟道区的下方设置遮光层。当然，不同形式的薄膜晶体管，其沟道区的受光位置不同，因此设置的遮光层的位置也不同，只要遮光层的设置位置能达到防止光线进入沟道区的目的即可。

在上述实施例提供的阵列基板中，还可以包括图5所示的第一储能器件C，用于存储光电转换器件P转换的电能。通过设置储能器件，可以将光电转换器件转换的电能存储起来，以在背光源的供电设备不能提供电能时，向背光源提供持续稳定的电能。储能器件可以设置在阵列基板上，也可以如下面的实施例所述，设置在对盒基板上。为了在文字描述上区别设置在不同位置的储能器件，此处将设置在阵列基板上的储能器件称为“第一储能器件”，下面将设置在对盒基板上的储能器件称为“第二储能器件”。

第一储能器件C优选位于反射区R，因为将第一储能器件C设置在透射区T时，第一储能器件C会遮挡穿过透射区T的背光，从而会使得透射区T开口率下降。

另外，当光电转换器件P与第一储能器件C均位于反射区内时，沿垂直于基板2并远离基板2的方向上，第一储能器件C优选位于光电转换器件P的上方，以防止第一储能器件C遮挡将进入光电转换器件P的背光，从而使光电转换器件P能充分利用背光源L射入反射区R的光线。当然，第一储能器件C与光电转换器件P也可以沿平行于基板2的方向排布，虽然这种情况下，第一储能器件C也不会遮挡将进入光电转换器件P的背光，但由于第一储能器件C与光电转换器件P尺寸较小，储能和光电转换的能力相对于图5所示的排布方式减小了，因此不属于优选的实施方式。

图5示出了第一储能器件C位于光电转换器件P上方的情况，该第一储能器件C为电容。当然，储能器件也可以选用本领域技术人员所知的其它能储存电能的器件。

图5中，第一储能器件C包括远离光电转换器件P的存储上电极19、靠近光电转换器件P的存储下电极8及设于两个电极之间的介电层7，第一储能器件C与光电转换器件P优选共用存储下电极8。这样不仅可以省掉一个形成电极的步骤，也可以省掉将第一储能器件C的一个电极与光电转换器件P的一个电极电连接的步骤。

因此，当第一储能器件C位于光电转换器件P的上方时，光电转换器件P通过共用第一储能器件C存储下电极8，只需要形成该存储下电极8，就可以实现将第一储能器件C与光电转换器件P的电连接。

同理，当第一储能器件位于光电转换器件的下方时，光电转换器件通过共用第一储能器件上的上电极，只需要形成该上电极，也可以实现将第一储能器件与光电转换器件的电连接。

另外，当第一储能器件位于光电转换器件的上方时，第一储能器件的背离光电转换器件的电极（即存储上电极19）优选由反射型导电材料制成。这样，可以省掉在第一储能器件上方的反射区R内形成反射层3的步骤，从而可以节约材料和工艺成本。

如图5所示，当第一储能器件C位于光电转换器件P的上方时，为了使反射区R具备反射外界光的功能，需要在第一储能器件C上方的反射区R内形成绝缘层5和反射层3。如果将第一储能器件C的存储上电极19用反射型导电材料制作，就形成了图6所示的反射型电极14，这样，就可以省掉在第一储能器件C上方的反射区内形成反射层的步骤，节约了材料和工艺成本。

本发明实施例还提供了一种显示面板，包括对盒基板及上述实施例描述的阵列基板。

本发明实施例提供的显示面板中，由于采用了上述实施例描述的阵列基板，其中的光电转换器件用于将接收到的背光源的光能转换为电能以供背光源使用，因此，能将这部分光能再回收利用，从而达到避免背光源部分能量被浪费的目的，进而提高了显示面板的能效。

上述实施例提供的显示面板中，还可以包括设置于对盒基板上的第二储能器件，用于存储阵列基板上光电转换器件转换的电能。当然形成的第二储能器件需要通过导线与位于阵列基板上的光电转换器件电连接。另外，设置在对盒基板上的第二储能器件，会遮挡一部分由反射区R反射回来的外界光，为了避免显示不良，就需要在设置第二储能器件的位置增设遮光层，这样就会使像素的开口率下降，因此，储能器件优选设置在阵列基板的反射区内。

本发明实施例又提供了一种显示装置，其中包括上述实施例描述的阵列基板。由于显示装置采用了上述实施例描述的阵列基板，因此，能避免背光源部分能量被浪费，提高液晶显示器的能效。

本发明实施例特别适用于如智能手表之类的高端智能移动终端设备上。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (24)

1.一种阵列基板，包括具有反射外界光的反射区和透射背光源发出光的透射区的基板，其特征在于，还包括设置在所述基板上的光电转换器件，所述光电转换器件用于将背光源射入反射区的光能转换为电能。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换器件位于所述反射区。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换器件在所述基板上的水平投影与所述反射区在所述基板上的水平投影重合。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，像素驱动电路设置于所述反射区内。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换器件与所述像素驱动电路沿垂直于所述基板表面方向上下排布。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于反射区的垫高层，所述垫高层包括所述光电转换器件与所述像素驱动电路的各个膜层，所述垫高层沿垂直于所述基板表面方向的厚度等于所述阵列基板成盒后的液晶盒厚的一半。

7.根据权利要求5述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换器件位于所述像素驱动电路的上方。

8.根据权利要求7述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换器件与所述像素驱动电路之间形成有平坦层，用于消除所述像素驱动电路各膜层形成的段差。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换器件上方依次形成有绝缘层及反射层。

10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换器件包括远离所述像素驱动电路的上电极及靠近所述像素驱动电路的下电极，所述上电极由反射型导电材料制成，用于反射所述外界光及背光源发出的光；所述下电极由透明导电材料制成。

11.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换器件还包括位于所述上电极与所述下电极之间的功能层，所述功能层具有指定厚度，用于消除所述像素驱动电路各膜层形成的段差。

12.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换器件位于所述像素驱动电路的下方。

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述像素驱动电路上方依次形成有平坦层及反射层，所述平坦层用于消除所述像素驱动电路各膜层形成的段差。

14.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换器件包括远离所述像素驱动电路的下电极及靠近所述像素驱动电路的上电极，所述下电极由透明导电材料制成。

15.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换器件与所述像素驱动电路沿平行于所述基板表面方向左右排布。

16.根据权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于反射区的垫高层，所述垫高层包括所述光电转换器件的各个膜层，所述垫高层沿垂直于所述基板表面方向的厚度等于所述阵列基板成盒后的液晶盒厚的一半。

17.根据权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，在所述光电转换器件与所述像素驱动电路上方依次形成有平坦层及反射层，所述平坦层用于消除所述像素驱动电路各膜层形成的段差。

18.根据权利要求1-17任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括遮光层，用于遮挡射入像素驱动电路中薄膜晶体管沟道区的光线。

19.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括第一储能器件，用于存储所述光电转换器件转换的电能。

20.根据权利要求19所述的阵列基板，其特征在于，所述第一储能器件位于所述反射区。

21.根据权利要求20所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换器件位于所述反射区，沿垂直于所述基板并远离所述基板的方向上，所述第一储能器件位于所述光电转换器件上方。

22.根据权利要求21所述的阵列基板，其特征在于，所述第一储能器件包括远离所述光电转换器件的存储上电极、靠近所述光电转换器件的存储下电极及设于所述存储上电极和所述存储下电极之间的介电层，所述第一储能器件与所述光电转换器件共用所述第一储能器件的存储下电极。

23.根据权利要求22所述的阵列基板，其特征在于，所述第一储能器件的上电极由反射型导电材料制成，用于反射所述外界光及背光源发出的光。

24.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至23任一项所述的阵列基板。