CN103955082A - 一种液晶面板及其制作方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种液晶面板及其制作方法和显示装置,其中液晶面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶,阵列基板或彩膜基板的非像素区域对应的位置设置有太阳能电池,用于维持阵列基板和彩膜基板之间的盒厚。本发明通过在现有液晶面板的基础上用太阳能电池阵列代替原本设置在阵列基板和彩膜基板之间的隔垫物,太阳能电池不仅能起到支撑的作用,同时还能起到相邻像素之间的遮挡作用,既能提高像素开口率,消除像素单元之间的串光问题,扩大可视角度,并且用子像素彩色膜层代替原本间隔设置在相邻的子像素彩色膜层之间的黑矩阵,省去黑矩阵的制作,工艺简单,还能降低产品成本。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,特别涉及一种液晶面板及其制作方法和显示装置。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)因具有轻薄、功耗小、主动显示和数字化等优点,已经成为显示器行业的主力。在现有的液晶面板结构中,如果没有黑矩阵,液晶层发出的光会泄露到相邻的像素区间,影响图像对比度;同时外界光线直接或者通过反射与散射间接照射到TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)器件沟道区的a-Si(非晶硅)层上,会引起TFT器件开关特性劣化,又产生串扰,降低图像质量。
针对相邻像素单元之间漏光串扰等问题,现有液晶面板一般是在彩膜基板的各子像素彩色膜层之间设置黑矩阵,黑矩阵对应的区域设置有TFT、扫描线等结构,需要黑矩阵对其进行遮挡,如图1中现有液晶面板的结构示意图所示,包括阵列基板100和彩膜基板200。图1中彩膜基板200包括衬底基板2、子像素彩色膜层16和黑矩阵17,子像素彩色膜层16和黑矩阵17同层设置,子像素彩色膜层16和黑矩阵17的下方还设置有公共电极层3和取向层4。通常彩膜基板200上的黑矩阵17对应阵列基板100中TFT结构、数据线和扫描线所在区域设置,对其进行覆盖和遮挡,其中薄膜晶体管(TFT)包括漏电极12、栅电极13、半导体有源层14以及源电极及引线15,在阵列基板100包括第一衬底基板2A、存储电容底电极11、栅绝缘层10、像素电极9以及保护层8。通过设置黑矩阵可以减少漏光,提高图像对比度。
由于黑矩阵的作用只是为了遮光,因此可以在原本黑矩阵的位置用同体积同形状的太阳能电池替换。通常为了达到满意的显示亮度,需要提高背光光源功率,但是浪费了大量电能,由于液晶显示器需要靠外部电源供电,限制了显示器的使用范围,因此更需要能够主动发电的显示设备。
虽然使用太阳能电池代替黑矩阵,能够实现遮光的效果,还可以在一定程度上提高能源的利用率,但是该方法得到的像素开口率已接近极限,无法进一步得到提高。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是如何提高液晶面板的像素开口率,扩大可视角度。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明提供了一种液晶面板,包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶,所述阵列基板或彩膜基板的非像素区域对应的位置设置有太阳能电池,用于维持阵列基板和彩膜基板之间的盒厚。
进一步地,所述太阳能电池为具有弹性的薄膜结构,设置在阵列基板的第一取向层和彩膜基板的第二取向层之间。
进一步地,所述第一取向层与太阳能电池之间还依次设置有第一金属屏蔽层和第一透明绝缘层,所述第二取向层与太阳能电池之间还依次设置有第二透明绝缘层和第二金属屏蔽层;
其中所述第一透明绝缘层、所述第一金属屏蔽层、所述第二透明绝缘层和所述第二金属屏蔽层的位置与所述太阳能电池的位置相对应。
进一步地,所述太阳能电池以阵列形式分布,且太阳能电池的位置与阵列基板中扫描线和/或数据线的位置对应。
进一步地,太阳能电池的宽度为扫描线和/或数据线的宽度的3~5倍。
进一步地,所述彩膜基板包括衬底基板,所述衬底基板与所述第二取向层之间还依次设置有多个子像素彩色膜层和公共电极层,各子像素彩色膜层均为同层设置,且各相邻子像素彩色膜层的边缘接触,所述太阳能电池临近相邻子像素彩膜层之间的边缘区域设置。
进一步地,所述太阳能电池外表面覆盖有黑色的吸光层。
为解决上述技术问题,本发明还提供了一种显示装置,包括以上所述的液晶面板,还包括蓄电装置,与液晶面板中的太阳能电池连接,以存储太阳能电池产生的电能。
进一步地,所述太阳能电池与第一透明绝缘层和第二透明绝缘层之间还设置有正负电极引线,所述正负电极引线分别与所述蓄电装置的正负极连接。
为解决上述技术问题,本发明还提供了一种液晶面板的制作方法,包括:
提供彩膜基板和阵列基板;
在彩膜基板或阵列基板上非像素区域对应的位置形成太阳能电池,用于维持彩膜基板或阵列基板之间的盒厚;
将所述阵列基板和彩膜基板对盒后在二者之间设置液晶。
进一步地,所述在彩膜基板或阵列基板上非像素区域对应的位置形成太阳能电池,具体包括:
通过薄膜制作工艺在彩膜基板或阵列基板的非像素区域对应的位置形成具有弹性的薄膜结构的太阳能电池,且所述太阳能电池以阵列形式分布。
进一步地,所提供所述阵列基板具体包括:
提供第一衬底基板;
在所述第一衬底基板上包括形成扫描线和/或数据线的图形;
在形成所述扫描线和/或数据线图形的第一衬底基板上形成保护层和第一取向层。
进一步地,在阵列基板上非像素区域对应的位置形成太阳能电池,具体包括:
在形成所述第一取向层的第一衬底基板上依次形成第一金属屏蔽层、第一透明绝缘层、太阳能电池、第二透明绝缘层以及第二金属屏蔽层;
其中所述第一透明绝缘层、所述第一金属屏蔽层、所述第二透明绝缘层、所述第二金属屏蔽层以及所述太阳能电池的位置均与所述扫描线和/或数据线的位置相对应。
进一步地,提供所述彩膜基板具体包括:
提供第二衬底基板;
在第二衬底基板上形成包括多个子像素彩色膜层的图形,其中各子像素彩色膜层均为同层形成,且各相邻子像素彩色膜层的边缘接触;
在形成有子像素彩色膜层图形的第二衬底基板上形成公共电极层和第二取向层。
进一步地,在彩膜基板上非像素区域对应的位置形成太阳能电池,具体包括:
在形成公共电极层和第二取向层的第二衬底基板上依次形成第二金属屏蔽层、第二透明绝缘层、太阳能电池、第一透明绝缘层以及第一金属屏蔽层;
其中所述第一透明绝缘层、所述第一金属屏蔽层、所述第二透明绝缘层和所述第二金属屏蔽层的位置与所述太阳能电池的位置相对应,且所述太阳能电池形成在临近相邻子像素彩膜层之间的边缘区域。
进一步地,所述太阳能电池的宽度为扫描线和/或数据线的宽度 的3~5倍。
进一步地,所述在彩膜基板或阵列基板上非像素区域对应的位置形成太阳能电池的步骤,还包括:
在所述太阳能电池外表面形成黑色的吸光层。
进一步地,还包括:
在所述太阳能电池与所述第一透明绝缘层和所述第二透明绝缘层之间还分别形成正负电极引线,用于通过正负电极引线分别与蓄电装置的正负极连接,将太阳能电池产生的电能存储到蓄电装置中。
(三)有益效果
本发明实施例提供的一种液晶面板及其制作方法,通过在现有液晶面板的基础上用太阳能电池阵列代替原本设置在阵列基板和彩膜基板之间的隔垫物,太阳能电池不仅能起到支撑的作用,同时还能起到相邻像素之间的遮挡作用,既能提高像素开口率,消除像素单元之间的串光问题,扩大可视角度,并且用子像素彩色膜层代替原本间隔设置在相邻的子像素彩色膜层之间的黑矩阵,省去黑矩阵的制作,工艺简单,还能降低产品成本。同时本发明还提供了一种包括上述液晶面板的显示装置。
附图说明
图1是现有技术中液晶面板的结构示意图;
图2是现有技术中光线透过偏振片后的示意图;
图3是本发明实施例一中提供的一种液晶面板的结构示意图;
图4是现有液晶面板像素单元的平面结构示意图;
图5是本实施例一中提供的液晶面板的像素单元的平面结构示意图;
图6是本发明实施例二中太阳能电池设置位置的示意图;
图7是本实施例二提供的显示装置中光线透过偏振片后的示意图;
图8是本实施例三提供的一种液晶面板的制作方法的步骤流程图。
图中编号代表的含义如下:
1A,第一偏振片;1B,第二偏振片;2A,第一衬底基板;2B,第二衬底基板;3,公共电极层;4A,第一取向层;4B,第二取向层;5,封框胶;6,液晶层;7,隔垫物;8,保护层;9,像素电极;10,栅绝缘层;11,存储电容底电极;12,漏电极;13,栅电极;14,半导体有源层;15,源电极及引线;16,子像素彩色膜层;17,黑矩阵;18,太阳能电池;19A,第一透明绝缘层;19B,第二透明绝缘层;20A,第一金属屏蔽层;20B,第二金属屏蔽层;21,正负电极引线;22,蓄电装置,100,阵列基板;200,彩膜基板。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
相对于像素单元而言,黑矩阵所占面积尺寸过大,导致现有结构中的像素开口率只维持在55%左右,液晶显示面板的分辨率水平和可视角度也均受到限制。根据上述,阵列基板100的外侧设置有第一偏振片1A,彩膜基板的外侧设置有第二偏振片1B,背光源发射的光线透过第一偏振片1A后光线透过的示意图如图2所示,其中实线代表透过TFT的光,虚线代表被吸收或漫反射没有射出TFT的光。可以看到,液晶层中的部分光线被柱状隔垫物吸收,还有一部分光透过柱状隔垫物之间的空隙最后打到黑矩阵上。由于黑矩阵是不透光的,所以打在黑矩阵上的光线无法进行正常显示,同时还会有一小部分光会入射到相邻像素单元中,发生光线串扰的问题,也会降低图像质量。
在液晶面板中阵列基板和彩膜基板之间除了填充液晶之外,还需要隔垫物进行支撑,一般采用柱状隔垫物(Pillar-Spacer,PS),选用弹性和恢复性较好的有机材料。
实施例一
本发明实施例一中提供了一种液晶面板,结构示意图如图3所示,包括阵列基板100和彩膜基板200,阵列基板100和彩膜基板200之间设置有液晶6,阵列基板100或彩膜基板200的非像素区域对应的位置设置有太阳能电池18,用于维持阵列基板100和彩膜基板200之间的盒厚。其中本实施例中的非像素区域为不影响正常显示的区域,例如阵列基板上TFT对应的区域、数据线和扫描线对应的区域,或者是彩膜基板上不同子像素衔接处对应的区域。
通过在现有液晶面板的基础上,利用太阳能电池阵列代替原本设置在阵列基板和彩膜基板之间的隔垫物,此时太阳能电池不仅能起到支撑的作用,同时还能起到相邻像素之间的遮挡作用,既能提高像素开口率,消除像素单元之间的串光问题,扩大可视角度,省去黑矩阵的制作,工艺简单,还能降低产品成本。
优选地,本实施例中的太阳能电池18为具有弹性的薄膜结构,设置在阵列基板100的第一取向层4A和彩膜基板200的第二取向层4B之间。具体的,本实施例中太阳能电池18的内部结构可采用共混膜体系、双层膜体系或层压膜体系等。液晶层的厚度由太阳能电池18保证,太阳能电池18可采用具有弹性有机半导体材料制成,既能柱状隔垫物的支撑作用,还具有良好的恢复性,使得太阳能电池与柱状隔垫物之间具有共通的物理特性,即利用太阳能电池代替柱状隔垫物后可以实现柱状隔垫物的功能。
太阳能电池是一种薄膜结构,可通过溅射等薄膜制造工艺得到的。有机半导体材料的种类广泛,保证太阳能电池18的物理特性符合液晶显示装置中隔垫物的支撑作用和可恢复性的要求即可。
进一步地,第一取向层4A与太阳能电池18之间还依次设置有第一金属屏蔽层20A和第一透明绝缘层19A,第二取向层4B与太阳能电池18之间还依次设置有第二透明绝缘层19B和第二金属屏蔽层20B, 其中第一透明绝缘层19A、第一金属屏蔽层20A、第二透明绝缘层19B和第二金属屏蔽层20B的位置与太阳能电池18的位置相对应。
进一步地,太阳能电池18以阵列形式分布,且太阳能电池的位置与阵列基板100中扫描线和/或数据线(图中未示出)的位置对应。太阳能电池阵列分布的形式与TFT电极引线的走线一致,可以完全覆盖阵列基板上TFT、所有TFT电极引线以及扫描线和数据线,通过合理布置太阳能电池的分布,还可以达到高开口率、低漏光和节能的目的。
进一步地,太阳能电池18的宽度为扫描线和/或数据线的宽度的3~5倍,可以降低像素边缘处的横向电场对液晶的干扰,同时还能保证较高的开口率,实用性较强。
进一步地,彩膜基板200包括衬底基板(此处的衬底基板是指制作彩膜基板时使用的第二衬底基板2B),第二衬底基板2B与第二取向层4B之间还依次设置有多个子像素彩色膜层16和公共电极层3,各子像素彩色膜层16均为同层设置,且各相邻子像素彩色膜层16的边缘接触,太阳能电池18临近相邻子像素彩膜层16之间的边缘区域设置,即设置在红色像素彩膜层与绿色像素彩膜层衔接的位置,或红色像素彩膜层与蓝色像素彩膜层衔接的位置,在两种相邻的不同颜色的子像素彩色膜层之间不再有黑矩阵,也没有缝隙。
进一步地,太阳能电池18外表面覆盖有黑色的吸光层,可以充分吸收像素边缘处的杂散光,提高图像的对比度。同时太阳能电池18外表面为黑色时光电转换效率也是非常高的。
需要说明的是,太阳能电池18可以制作在阵列基板100上,还可以制作在彩膜基板100上,再将形成有太阳能电池的阵列基板或者形成有太阳能电池的彩膜基板进行对盒后在其中设置液晶,得到具有太阳能电池的液晶面板。
为了尽量避免太阳能电池18产生的电流对像素电极9和公共电极层3的电压造成干扰,在太阳能电池18与第一取向层4A之间, 设置第一金属屏蔽层20A,太阳能电池18和第二取向层4B之间设置第二金属屏蔽层20B,第一金属屏蔽层20A以及第二金属屏蔽层20B的位置还与太阳能电池18的位置相对应。
图4为现有液晶面板像素单元的平面结构示意图,虚线框内表示的是TFT-LCD结构中的一个像素单元,在子像素彩色膜层16(即像素区域)以外的区域均设置黑矩阵17。像素开口率定义为子像素彩色膜层16的面积与像素单元总面积之比。一般的液晶结构中为保证图像对比度,黑矩阵17无法再缩小,因此像素开口率一般在55%左右。图5为本实施例提供的液晶面板的像素单元的平面结构示意图,虚线框表示的是TFT-LCD结构中的一个像素单元。同一种颜色的子像素彩色膜层16占据整个像素单元所在的区域(包括像素区域和非像素区域),即没有黑矩阵。太阳能电池18设置位置的示意图如图6所示,由于将液晶分隔在了不同的固定区间内,在一定程度上可以缓解重力造成的Mura不良的产生。另外,由于子像素彩色膜层一般只有三色(红绿蓝)彩膜,省去了制作黑矩阵的制作流程和安装工序,降低了产品的制作成本。由于彩膜的滤波特性,只有符合彩膜中心透过波长的光才能通过彩膜。相邻的子像素彩色膜层之间省略黑矩阵,但是由于在原本黑矩阵的位置有太阳能电池,因此并没有降低液晶面板的图像品质。
图4中包括像素电极9、漏电极12、栅线及栅电极13、有源半导体层14、源电极及引线15和子像素彩色膜层16,图5中包括漏电极12、栅电极13、有源半导体层14、源电极及引线15和子像素彩色膜层16,通过对比图4和图5可见,图4中的子像素彩色膜层16未能覆盖薄膜晶体管,但是图5中的子像素彩色膜层16可以覆盖子像素单元对应的薄膜晶体管。假设子像素单元的宽度为60um,TFT各个电极引线宽度为5um,有机太阳能电池的铺设宽度定为15um,则像素开口率至少可以达到45/60=75%以上。采用本实施例可以有效 降低背光源亮度,节约了大量能源。太阳能电池的宽度为扫描线和/或数据线的宽度的3~5倍,在有效降低太阳能电池电流与TFT-LCD信号之间的相互干扰的同时,又保证了较高的像素开口率,使得产品具有较强的实用性。像素开口率得到提高,同时也扩大了液晶显示器的可视角度,改善了TFT-LCD的显示效果,具有较强的市场竞争力。
需要说明的是,对于太阳能电池宽度的选择并不唯一固定,只要能够满足不漏光的效果即可,根据经验,一般只要满足宽度为扫描线和/或数据线的宽度的3~5倍就能达到不漏光的效果,宽度不需要过大,过大反而会增加制作成本。同时太阳能电池还能延长产品的续航时间,并且太阳能属于绿色能源。
综上所述,本实施例中提供的液晶面板,利用太阳能电池代替隔垫物,既能起到支撑作用,维持阵列基板和彩膜基板之间的盒厚,又能提高像素开口率,消除像素单元之间的串光问题,扩大可视角度。由于太阳能电池阵列非像素区域,不影响开口率,同时可充分利用内部背光光线和外部环境光线,延长显示时间,能有效降低背光源亮度,节约了大量能源。用子像素彩色膜层代替原本间隔设置在相邻子像素彩色膜层之间的黑矩阵,像素区域只有三种颜色(RGB)的子像素彩色膜层,省去了黑矩阵的制作流程和安装工序,降低了产品的成本。由于彩膜的滤波特性,只有符合彩膜中心透过波长的光才能通过彩膜。相邻的子像素彩色膜层之间省略黑矩阵,但是在原来黑矩阵的位置有太阳能电池,因此并没有降低液晶面板的图像品质。太阳能电池的引入,充分利用太阳能,延长了产品的续航时间,符合绿色能源的潮流。
实施例二
本发明实施例二还提供了一种显示装置,除了包括上述液晶面板之外,还包括蓄电装置22(参见图6),与液晶面板中的太阳能电池18连接,以存储太阳能电池18产生的电能。
优选地,本实施例中蓄电装置22与太阳能电池18连接具体包括:太阳能电池18与第一透明绝缘层19A和第二透明绝缘层19B之间还设置有正负电极引线21,正负电极引线21分别与蓄电装置22的正负极连接。为避免第一金属屏蔽层20A或第二金属屏蔽层20B与太阳能电池18的正负电极引线21短接,在太阳能电池18与第一金属屏蔽层20A、第二金属屏蔽层20B之间分别设置有第一透明绝缘层19A以及第二透明绝缘层19B。太阳能电池18的上下表面(下表面是指太阳能电池18与第一透明绝缘层19A接触的面,上表面是指太阳能电池18与第二透明绝缘层19B接触的面)设置有正负电极引线21,用于将太阳能电池18产生的电流送入到外部的蓄电装置22中,正负电极引线21的位置。
如图6所示。由于太阳能电池18与薄膜晶体管(TFT)在不同的高度,因此正负电极引线21与液晶显示区的带载封装(Tape CarrierPackage,简称TCP)不会接触。正负电极引线21接触不到显示装置用于显示的电极,正负电极引线21还用金属屏蔽层屏蔽,不会影响到显示装置的正常显示,在输出端还进行绝缘处理,也不会与TFT的源极信号线和栅极信号线短路。
本实施例提供的显示装置中光线透过偏振片后的示意图如图7所示,显示装置阵列基板的外侧和彩膜基板的外侧分别设置有第一偏振片1A和第二偏振片1B,背光源发出的光通过第一偏振片1A之后成为偏振光,经过第一衬底基板2A后穿过透明的像素电极9,偏振光通过液晶层6时的透过率受到液晶层两端电极(像素电极9和公共电极3)之间的电场控制,通过液晶层电场的调节,可以改变像素单元的亮度,不同亮度的光再经过子像素彩色膜层16进行滤光,不同亮度的三色光的有序组合便可以形成人眼所见的图像。
由于有机太阳能电池的表面为黑色,因此打到太阳能电池表面的光的大部分被吸收,并且不会发生像素单元之间的光线互相串扰的问 题。另外,太阳能电池仅仅是吸收入射到其表面的光线,其他光线并不会收到影响。因为在这种TFT结构中,不会产生光线弯折的现象。所以大部分光线直接穿透TFT而射出。对比图7和图2可以看出,本实施例液晶面板的透光率要大于现有液晶面板的透过率。因为相比黑矩阵的面积,有机太阳能电池所占的面积小很多。
综上所述,本实施例提供的液显示装置将上述安装有太阳能电池代替隔垫物的液晶面板,并通过正负电极引线与蓄电装置的正负极连接,将太阳能电池产生的电能存储到蓄电装置中。另外,该显示装置还具有上述实施例一液晶面板的有益效果,此处不再赘述。
实施例三
本发明实施例三还提供了一种液晶面板的制作方法,步骤流程如图8所示,具体包括以下步骤:
步骤S1、提供彩膜基板200和阵列基板100。
步骤S2、在彩膜基板200或阵列基板100上非像素区域对应的位置形成太阳能电池18,用于维持彩膜基板200或阵列基板100之间的盒厚。
步骤S3、将阵列基板100和彩膜基板200对盒后在二者之间设置液晶6。
优选地,在彩膜基板200或阵列基板100上非像素区域对应的位置形成太阳能电池18,具体包括:
通过薄膜制作工艺在彩膜基板200或阵列基板100的非像素区域对应的位置形成具有弹性的薄膜结构的太阳能电池18,且太阳能电池18以阵列形式分布。太阳能电池阵列分布的形式与TFT电极引线的走线一致,可以完全覆盖阵列基板上TFT、所有TFT电极引线以及扫描线和数据线,通过合理布置太阳能电池的分布,还可以达到高开口率、低漏光和节能的目的。
需要说明的是,本实施例中太阳能电池可以在阵列基板100上制 作,也可以在彩膜基板200上制作,如果是在阵列基板100上制作则步骤S1中提供阵列基板100的步骤具体包括:
步骤S11、提供第一衬底基板2A。
步骤S12、在第一衬底基板2A上包括形成扫描线和/或数据线的图形。
步骤S13、在形成扫描线和/或数据线图形的第一衬底基板2A上形成保护层8和第一取向层4A。
之后,在阵列基板100上非像素区域对应的位置形成太阳能电池18,具体包括:
步骤S14,在形成第一取向层4A的第一衬底基板2A上依次形成第一金属屏蔽层20A、第一透明绝缘层19A、太阳能电池18、第二透明绝缘层19B以及第二金属屏蔽层20B,其中第一透明绝缘层19A、第一金属屏蔽层20A、第二透明绝缘层19B、第二金属屏蔽层20B以及太阳能电池18的位置均与扫描线和/或数据线的位置相对应。
如果是在阵列基板100上制作则步骤S1中提供彩膜基板200的步骤具体包括:
步骤S11’、提供第二衬底基板2B。
步骤S12’、在第二衬底基板2B上形成包括多个子像素彩色膜层16的图形,其中各子像素彩色膜层16均为同层形成,且各相邻子像素彩色膜层16的边缘接触。
步骤S13’、在形成有子像素彩色膜层16图形的第二衬底基板4B上形成公共电极层3和第二取向层4B。
之后,在彩膜基板200上非像素区域对应的位置形成太阳能电池18,具体包括:
步骤S14’、在形成公共电极层3和第二取向层4B的第二衬底基板2B上依次形成第二金属屏蔽层20B、第二透明绝缘层19B、太阳能电池18、第一透明绝缘层19A以及第一金属屏蔽层20A,其中第一透明 绝缘层19A、第一金属屏蔽层20A、第二透明绝缘层19B和第二金属屏蔽层20B的位置与太阳能电池18的位置相对应,且太阳能电池18形成在临近相邻子像素彩膜层16之间的边缘区域。
由于太阳能电池18是一种有机半导体材料制成的薄膜结构,制作时可通过溅射等薄膜制造工艺得到。
优选地,制作太阳能电池18时,太阳能电池18的宽度为扫描线和/或数据线的宽度的3~5倍,可以降低像素边缘处的横向电场对液晶的干扰,同时还能保证较高的开口率,实用性较强。
进一步地,在彩膜基板200或阵列基板200上非像素区域对应的位置形成太阳能电池18的步骤,还包括:
在太阳能电池18外表面形成黑色的吸光层。
进一步地,还包括:
在太阳能电池18与第一透明绝缘层19A和第二透明绝缘层19B之间还分别形成正负电极引线21,用于通过正负电极引线21分别与蓄电装置22的正负极连接,将太阳能电池18产生的电能存储到蓄电装置22中。
利用本实施例提供的液晶面板的制作方法得到的液晶面板具有同上述实施例一相同的技术效果,此处不再赘述。
以上实施方式仅用于说明本发明,而并非对本发明的限制,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型,因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴,本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
Claims (18)
1.一种液晶面板,包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶,其特征在于,所述阵列基板或彩膜基板的非像素区域对应的位置设置有太阳能电池,用于维持阵列基板和彩膜基板之间的盒厚。
2.如权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述太阳能电池为具有弹性的薄膜结构,设置在阵列基板的第一取向层和彩膜基板的第二取向层之间。
3.如权利要求2所述的液晶面板,其特征在于,所述第一取向层与太阳能电池之间还依次设置有第一金属屏蔽层和第一透明绝缘层,所述第二取向层与太阳能电池之间还依次设置有第二透明绝缘层和第二金属屏蔽层;
其中所述第一透明绝缘层、所述第一金属屏蔽层、所述第二透明绝缘层和所述第二金属屏蔽层的位置与所述太阳能电池的位置相对应。
4.如权利要求3所述的液晶面板,其特征在于,所述太阳能电池以阵列形式分布,且太阳能电池的位置与阵列基板中扫描线和/或数据线的位置对应。
5.如权利要求4所述的液晶面板,其特征在于,所述太阳能电池的宽度为扫描线和/或数据线的宽度的3~5倍。
6.如权利要求4所述的液晶面板,其特征在于,所述彩膜基板包括衬底基板,所述衬底基板与所述第二取向层之间还依次设置有多个子像素彩色膜层和公共电极层,各子像素彩色膜层均为同层设置,且各相邻子像素彩色膜层的边缘接触,所述太阳能电池临近相邻子像素彩膜层之间的边缘区域设置。
7.如权利要求1-6中任一项所述的液晶面板,其特征在于,所述太阳能电池外表面覆盖有黑色的吸光层。
8.一种显示装置,包括权利要求1-7中任一项所述的液晶面板,其特征在于,还包括蓄电装置,与液晶面板中的太阳能电池连接,以存储太阳能电池产生的电能。
9.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述太阳能电池与第一透明绝缘层和第二透明绝缘层之间还设置有正负电极引线,所述正负电极引线分别与所述蓄电装置的正负极连接。
10.一种权利要求1-7中任一项所述液晶面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供彩膜基板和阵列基板;
在彩膜基板或阵列基板上非像素区域对应的位置形成太阳能电池,用于维持彩膜基板或阵列基板之间的盒厚;
将所述阵列基板和彩膜基板对盒后在二者之间设置液晶。
11.如权利要求10所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,所述在彩膜基板或阵列基板上非像素区域对应的位置形成太阳能电池,具体包括:
通过薄膜制作工艺在彩膜基板或阵列基板的非像素区域对应的位置形成具有弹性的薄膜结构的太阳能电池,且所述太阳能电池以阵列形式分布。
12.如权利要求11所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,提供所述阵列基板具体包括:
提供第一衬底基板;
在所述第一衬底基板上包括形成扫描线和/或数据线的图形;
在形成所述扫描线和/或数据线图形的第一衬底基板上形成保护层和第一取向层。
13.如权利要求12所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,在阵列基板上非像素区域对应的位置形成太阳能电池,具体包括:
在形成所述第一取向层的第一衬底基板上依次形成第一金属屏蔽层、第一透明绝缘层、太阳能电池、第二透明绝缘层以及第二金属屏蔽层;
其中所述第一透明绝缘层、所述第一金属屏蔽层、所述第二透明绝缘层、所述第二金属屏蔽层以及所述太阳能电池的位置均与所述扫描线和/或数据线的位置相对应。
14.如权利要求11所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,提供所述彩膜基板具体包括:
提供第二衬底基板;
在第二衬底基板上形成包括多个子像素彩色膜层的图形,其中各子像素彩色膜层均为同层形成,且各相邻子像素彩色膜层的边缘接触;
在形成有子像素彩色膜层图形的第二衬底基板上形成公共电极层和第二取向层。
15.如权利要求14所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,在彩膜基板上非像素区域对应的位置形成太阳能电池,具体包括:
在形成公共电极层和第二取向层的第二衬底基板上依次形成第二金属屏蔽层、第二透明绝缘层、太阳能电池、第一透明绝缘层以及第一金属屏蔽层;
其中所述第一透明绝缘层、所述第一金属屏蔽层、所述第二透明绝缘层和所述第二金属屏蔽层的位置与所述太阳能电池的位置相对应,且所述太阳能电池形成在临近相邻子像素彩膜层之间的边缘区域。
16.如权利要求12或13所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,所述太阳能电池的宽度为扫描线和/或数据线的宽度的3~5倍。
17.如权利要求10所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,所述在彩膜基板或阵列基板上非像素区域对应的位置形成太阳能电池的步骤,还包括:
在所述太阳能电池外表面形成黑色的吸光层。
18.如权利要求13或15所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,还包括:
在所述太阳能电池与所述第一透明绝缘层和所述第二透明绝缘层之间还分别形成正负电极引线,用于通过正负电极引线分别与蓄电装置的正负极连接,将太阳能电池产生的电能存储到蓄电装置中。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105467638A (zh) * | 2016-01-08 | 2016-04-06 | 豪威半导体(上海)有限责任公司 | 一种lcos结构及制造方法 |
CN106950733A (zh) * | 2017-05-02 | 2017-07-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩膜基板及其制作方法 |
CN108037605A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-05-15 | 信利光电股份有限公司 | 一种液晶显示模组 |
CN108181747A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-19 | 信利光电股份有限公司 | 一种液晶显示模组 |
CN110161743A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板及其制备方法、液晶显示面板及液晶显示装置 |
CN115951529A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-11 | Tcl华星光电技术有限公司 | 玻璃器件、调光玻璃及显示装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015125182A (ja) | 2013-12-25 | 2015-07-06 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
DE112018003019T5 (de) * | 2017-06-14 | 2020-03-12 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung |
CN107632454B (zh) * | 2017-11-10 | 2020-07-28 | 北京京东方显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置、显示面板的制作方法及驱动方法 |
CN108227287B (zh) * | 2018-01-26 | 2019-12-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、虚拟现实显示设备及其控制方法 |
US20220059624A1 (en) * | 2020-08-21 | 2022-02-24 | Garmin Switzerland Gmbh | Integrated energy-collecting display module |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN200959057Y (zh) * | 2006-07-18 | 2007-10-10 | 胜华科技股份有限公司 | 具有背光回收特性的液晶显示模块 |
JP4251622B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2009-04-08 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
CN101840100A (zh) * | 2009-03-18 | 2010-09-22 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示装置及其彩膜基板的制造方法 |
CN101900898A (zh) * | 2010-07-08 | 2010-12-01 | 友达光电股份有限公司 | 光电池整合液晶显示器及光电池整合平面显示器 |
CN101995691A (zh) * | 2009-08-20 | 2011-03-30 | 上海天马微电子有限公司 | 液晶显示装置 |
WO2013047362A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101520584B (zh) * | 2009-03-30 | 2012-06-27 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示面板、液晶显示装置及其制造方法 |
DE102011117129A1 (de) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Anzeigeeinrichtung |
CN103529581A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
2014
- 2014-03-07 CN CN201410083489.3A patent/CN103955082A/zh active Pending
- 2014-09-22 US US14/492,792 patent/US9798171B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4251622B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2009-04-08 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
CN200959057Y (zh) * | 2006-07-18 | 2007-10-10 | 胜华科技股份有限公司 | 具有背光回收特性的液晶显示模块 |
CN101840100A (zh) * | 2009-03-18 | 2010-09-22 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示装置及其彩膜基板的制造方法 |
CN101995691A (zh) * | 2009-08-20 | 2011-03-30 | 上海天马微电子有限公司 | 液晶显示装置 |
CN101900898A (zh) * | 2010-07-08 | 2010-12-01 | 友达光电股份有限公司 | 光电池整合液晶显示器及光电池整合平面显示器 |
WO2013047362A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105467638A (zh) * | 2016-01-08 | 2016-04-06 | 豪威半导体(上海)有限责任公司 | 一种lcos结构及制造方法 |
CN106950733A (zh) * | 2017-05-02 | 2017-07-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩膜基板及其制作方法 |
CN108037605A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-05-15 | 信利光电股份有限公司 | 一种液晶显示模组 |
CN108181747A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-19 | 信利光电股份有限公司 | 一种液晶显示模组 |
CN110161743A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板及其制备方法、液晶显示面板及液晶显示装置 |
CN115951529A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-11 | Tcl华星光电技术有限公司 | 玻璃器件、调光玻璃及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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