KR20130006203A - 유기전계발광 표시장치 - Google Patents

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KR20130006203A
KR20130006203A KR1020110068099A KR20110068099A KR20130006203A KR 20130006203 A KR20130006203 A KR 20130006203A KR 1020110068099 A KR1020110068099 A KR 1020110068099A KR 20110068099 A KR20110068099 A KR 20110068099A KR 20130006203 A KR20130006203 A KR 20130006203A
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Abstract

실시예에 따르면, 유기전계발광 표시장치는, 다수의 발광 영역과 비발광 영역을 포함하는 제1 기판과, 비발광 영역에 형성된 다수의 박막 트래지스터와, 발광 영역과 비발광 영역을 포함하고 제1 기판에 대향하는 제2 기판과, 제1 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판의 비발광 영역에 형성된 광전지를 포함한다. 광전지는 적어도 박막 트랜지스터에 대응하여 형성된다.

Description

유기전계발광 표시장치{Organic electroluminescence display device}
실시예는 자발 발광하는 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.
정보를 표시하기 위한 표시 장치가 다양하게 개발되고 있다.
표시 장치는 유기전계발광 표시장치, 액정표시장치, 플라즈마 디스플레에 패널, 전기영동 표시장치, 전계발광 표시장치 등을 포함한다.
이러한 표시장치는 대형 패널로 갈수록 패널을 구동하기 위한 고 소비 전력이 요구되고 있다.
따라서, 이러한 고 소비 전력을 보충하여 주기 위한 아이디어들이 제안되고 있다.
일 예로, 액정표시장치에 태양 전지를 채택하여 태양 전지로 충전한 전원을 액정표시장치의 구동에 사용하는 발명이 한국공개특허공보 10-2008-0061228에 개시되고 있다.
한편, 유기전계발광 표시장치는 자발 발광, 넓은 시야각, 고 해상도, 용이한 제조 공정, 빠른 응답 속도, 저전압 구동 등의 장점을 가진다.
이러한 장점으로 인해, 유기전계발광 표시장치는 차세대 표시장치로서 각광 받고 있다.
하지만, 유기전계발광 표시장치에서 태양 전지를 채택하기 위한 연구는 미진하다.
실시예는 태양전지와 같은 광전지를 갖는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.
실시예는 광전지의 전원의 사용으로 인해 소비 전력을 줄일 수 있는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.
실시예는 최적화된 광전지의 배치를 구현한 유기전계발광 표시장치를 제공한다.
실시예는 뱅크를 광전지로 대체할 수 있는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.
실시예는 블랙매트릭스를 광전지로 대체할 수 있는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.
실시예에 따르면, 유기전계발광 표시장치는, 다수의 발광 영역과 비발광 영역을 포함하는 제1 기판; 상기 비발광 영역에 형성된 다수의 박막 트래지스터; 상기 발광 영역과 비발광 영역을 포함하고 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판; 및 상기 제1 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판의 상기 비발광 영역에 형성된 광전지를 포함하고, 상기 광전지는 적어도 상기 박막 트랜지스터에 대응하여 형성된다.
실시예에 따르면, 광전지가 채용되어, 자연광이나 인조광을 집광 및 충전시켜 유기전계발광 소자을 구동하기 위한 소비 전력을 줄일 수 있다.
실시예에 따르면, 광전지가 뱅크 절연막의 위치에 형성되므로, 유기전계발광 소자에서 생성되어 손실되는 광이 광전지에 의해 전기로 변환되어 다시 유기전계발광 소자의 구동에 사용되므로, 광 손실을 보상하여 줄 수 있다.
실시예에 따르면, 매트릭스 구조를 갖는 광전지가 상부 기판인 제2 기판에 형성되므로, 매트릭스 구조를 갖는 광전지에 의해 각 유기전계발광 소자에서 생성된 광은 각 유기전계발광 소자에 대응하는 제2 기판을 통해서만 외부로 발광되므로, 각 화소 영역의 광이 보다 명확하게 구분될 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 3은 제2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 4는 제3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 5는 제4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 6은 도 1의 광전지를 도시한 단면도이다.
발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 광이 발광되는 다수의 발광 영역(4)과 광이 발광되지 않는 비발광 영역(2)으로 정의될 수 있다. 다시 말해, 상기 발광 영역(4)을 제외한 영역은 모두 비발광 영역(2)으로 정의될 수 있다.
상기 발광 영역(4)은 이후에 형성될 유기전계발광 소자(6)가 형성되기 위한 영역으로서, 상기 유기전계발광 소자(6)에 대응하도록 정의될 수 있다. 상기 발광 영역(4)은 매트릭스 형태로 정의될 수 있다. 즉, 상기 발광 영역(4)은 가로 방향(제1 방향)으로 일렬로 정의되고 세로 방향(제2 방향)으로 일렬로 정의될 수 있다.
상기 비발광 영역(2)은 유기전계발광 소자(6)가 형성되지 않는 영역, 즉 하부 기판(제1 기판)(11)에서 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막 트랜지스터(미도시)가 형성되기 위한 영역으로서, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터에 대응하도록 정의될 수 있다.
상기 비발광 영역(2)은 컬러필터층(미도시)이 형성된 상부 기판(제2 기판)에서 블랙 매트릭스가 형성되기 위한 영역으로서, 상기 블랙 매트릭스에 대응하도록 정의될 수 있다.
실시예에서 상기 비발광 영역(2)에는 광전지(8)가 형성될 수 있다.
상기 광전지(8)는 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 하나의 기판 상에 형성될 수 있다.
상기 광전지(8)는 상기 제1 기판의 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터에 대응하도록 형성될 수 있다.
상기 광전지(8)는 상기 컬러필터층이 형성된 상기 제2 기판에서 컬러필터층의 컬러필터 사이에 대응하도록 형성될 수 있다. 컬러필터 사이에는 통상 블랙 매트릭스가 형성되는데, 실시예에서는 블랙 매트릭스가 광전지로 대체될 수 있다.
상기 광전지(8)는 상기 제1 기판의 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터에 대응하는 상기 컬러필터층이 형성되지 않은 제2 기판의 영역에 형성될 수 있다.
상기 광전지(8)는 매트릭스 구조를 가질 수 있다.
도시되지 않았지만, 상기 광전지(8)는 다수의 광전지 패턴을 포함할 수도 있다. 각 광전지(8) 패턴은 공간적으로 서로 이격되어 있지만, 전기적으로 서로 연결될 수 있다.
상기 광전지 패턴 또한 앞서 설명한 광전지(8)가 형성되는 모든 영역에 형성될 수 있다.
도 6에 도시한 바와 같이, 상기 광전지(8)는 제3 전극(51), 광 변환층(53) 및 제4 전극(55)을 포함할 수 있다.
상기 제3 전극(51)은 투명 도전 물질이나 불투명 금속 물질로 형성될 수 있다. 상기 투명 도전 물질로는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx 및 RuOx/ITO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층을 포함할 수 있지만, 이에 한정하지 않는다.
상기 불투명 금속 물질로는 Al, Cu, Ag, Mo, Ti, Pt, Cr, Ni, Au 및 W로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 이들의 합금이 사용될 수 있다.
상기 광 변환층(53)은 광을 전기로 변환하는 기능을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 광 변환층(53)으로는 결정형 실리콘, 비결정형 실리콘, 유기 화합물 및 반도체 화합물 중 하나가 사용될 수 있다.
상기 반도체 화합물로는 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 및 AlGaInP로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나가 사용될 수 있다.
상기 광 변환층(53)은 p-i-n 접합 구조 또는 p-n 접합 구조를 가질 수 있다. p층과 n층은 각각 p형 도펀트와 n형 도펀트가 도핑되지만, i층은 어떠한 도펀트도 도핑되지 않을 수 있다.
상기 제3 전극(51)은 투명 도전 물질이나 불투명 금속 물질로 형성될 수 있다. 상기 투명 도전 물질로는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx 및 RuOx/ITO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층이 사용될 수 있지만, 이에 한정하지 않는다.
상기 불투명 금속 물질로는 Al, Cu, Ag, Mo, Ti, Pt, Cr, Ni, Au 및 W로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 이들의 합금이 사용될 수 있지만, 이에 한정하지 않는다.
상기 광전지(8)는 외부로부터 태양과 같은 자연광이나 조명과 같은 인조광에 의해 상기 광 변환층(53)에서 전자와 정공이 생성될 수 있다. 상기 생성된 전자와 정공은 p-i-n 접합이나 p-n 접합에 의한 내부 전계에 따라 확산될 수 있다. 즉, 상기 전자는 n층으로 확산되어 제4 전극(55)으로 모이고, 상기 정공은 p층으로 확산되어 제3 전극(51)으로 모여질 수 있다. 이에 따라, 제3 전극(51)과 제4 전극(55) 사이에는 기전력(전압)이 생성될 수 있다. 제3 전극(51)과 제4 전극(55) 사이에 축전지(미도시)를 연결함으로써, 제3 전극(51)과 제4 전극(55) 사이의 기전력이 상기 축전지에 충전될 수 있다.
상기 광전지(8)에서 상기 제3 전극(51) 및 상기 제4 전극(55) 중 적어도 하나의 전극은 불투명 금속 물질로 형성되므로, 상기 광전지(8)는 광을 차단시킬 수 있다.
상기 유기전계발광 소자(6)는 적색 광을 생성하는 적색 유기전계발광 소자, 녹색 광을 생성하는 녹색 유기전계발광 소자 및 청색 광을 생성하는 청색 유기전계발광 소자를 포함할 수 있다.
적색 유기전계발광 소자가 형성되는 영역이 적색 발광 영역으로 정의되고, 녹색 유기전계발광 소자가 형성되는 영역이 녹색 발광 영역으로 정의되며, 청색 유기전계발광 소자가 형성되는 영역이 청색 발광 영역으로 정의될 수 있다.
이상의 실시예에서는 발광 영역(4)의 사이즈가 동일한 것으로 설명되고 있지만, 발광 영역(4)의 사이즈는 상이할 수 있다.
예컨대, 색 재현율은 녹색이 가장 우수하고, 다음으로 적색 그 다음으로 청색의 순서이다.
따라서, 최적의 색 재현율을 반영한 색좌표를 완성하기 위해서는 녹색 발광 영역의 사이즈가 가장 작고, 다음으로 녹색 발광 영역 그 다음으로 청색 발광 영역의 순서로 사이즈가 커질 수 있다.
이러한 경우, 각 발광 영역(4) 사이의 비발광 영역(2)의 폭이 상이해질 수 있다.
실시예는 상기 각 발광 영역(4)의 사이즈가 상이한 것에 관계없이, 상기 비발광 영역(2)에 광전지(8)가 형성될 수 있다.
유기전계발광 표시장치는 제조 공정 등의 한계로 인해, 발광 영역(4)의 개구율이 비교적 작다. 다시 말해, 유기전계발광 표시장치에서는 비발광 영역(2)의 사이즈가 상대적으로 크다.
따라서, 이러한 비발광 영역(2) 모두에 광전지(8)를 형성함으로써, 최대한 광 전원을 확보할 수 있다.
도 2는 제1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(10A)는 제1 기판(11)과, 상기 제1 기판(11)에 대향하는 제2 기판(39)과, 상기 제1 및 제2 기판(39)을 합착시키기 위한 실 패턴(38)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 기판(39)은 유리, 플라스틱, 금속 포일(foil) 등으로 형성될 수 있다.
상기 제2 기판(39)은 어떠한 소자나 장치도 형성되지 않은 배어(bare) 기판일 수 있다.
상기 제2 기판(39)은 상기 제1 기판(11)과 합착되어 상기 제1 기판(11)에 형성된 다수의 소자나 장치를 보호하는 역할을 할 수 있다.
상기 실 패턴(38)은 상기 제1 및 제2 기판(39)의 에지 영역을 따라 형성될 수 있다. 상기 실 패턴(38)은 광에 의해 경화될 수 있는 고분자 물질로 형성될 수 있다.
상기 실 패턴(38)이 고분자 물질로 형성됨에 따라, 장시간이 지난 후에 수분이나 가스와 같은 오염원이 제1 및 제2 기판(39) 사이의 공간으로 침투될 수 있다. 이러한 오염원은 유기전계발광 소자(6)의 발광 특성을 저하시키고 유기전계발광 소자(6)의 수명을 단축시킬 수 있다.
이러한 오염원을 방지하기 위해, 도시되지 않았지만 상기 제2 기판(39)의 내부 면에 흡습제가 형성될 수 있다. 상기 흡습제는 상기 제1 및 제2 기판(11, 39) 사이의 공간으로 침투된 오염원을 흡수하는 기능을 할 수 있다.
상기 제1 기판(11)은 박막 트랜지스터(27), 상기 제1 박막 트랜지스터(27)에 전기적으로 연결된 유기전계발광 소자(6) 및 상기 유기전계발광 소자(6)를 구분하기 위해 상기 유기전계발광 소자(6) 사이에 뱅크 절연막(37)을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판(11)에는 적색 광, 녹색 광 및 청색 광을 각각 발광하는 다수의 발광 영역과 상기 발광 영역을 제외한 비발광 영역이 정의될 수 있다.
상기 발광 영역에는 상기 유기전계발광 소자(6)가 형성될 수 있다.
상기 유기전계발광 소자(6)는 대응하는 박막 트랜지스터(27)에 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 발광 영역의 개수만큼 유기전계발광 소자(6)와 박막 트랜지스터(27)가 형성될 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(27)와 상기 뱅크 절연막(37)은 상기 비발광 영역에 형성될 수 있다.
상기 제1 기판(11)에서 상기 박막 트랜지스터(27) 또는 뱅크 절연막(37)에 대응하여 광전지(12)가 형성될 수 있다.
상기 광전지(12)는 상기 박막 트랜지스터(27)의 아래에 형성될 수 있다.
제1 실시예의 박막 트랜지스터(27)는 상기 유기전계발광 소자(6)의 구동하기 위한 구동 박막 트랜지스터(27)일 수 있다.
유기전계발광 표시장치(10A)에는 구동 박막 트랜지스터(27) 외에 각 발광 영역을 선택하기 위한 다수의 스위칭 박막 트랜지스터(27)와 그 외의 다른 기능 예컨대 누설 전류를 차단하기 위한 박막 트랜지스터(27)가 더 포함될 수 있다.
도시되지 않았지만, 스토리지 캐패시터가 형성될 수 수 있다. 일예로, 상기 스토리지 캐패시터는 도시되지 않은 전원 공급 라인으로부터 연장된 하부 스토리지 전극과, 상기 박막 트랜지스터(27)의 게이트 전극(19)으로부터 연장된 상부 스토리지 전극과, 상기 하부 스토리지 전극과 상기 상부 스토리지 전극 사이에 개재된 적어도 하나 이상의 절연막, 예컨대 제1 및 제2 절연막(17, 21)으로 형성될 수 있다.
상기 제1 기판(11) 상에 도 1에 도시된 형상, 즉 매트릭스 형상을 갖는 광전지(12)가 형성될 수 있다.
상기 광전지(12)는 이후에 형성될 게이트 라인(미도시), 데이터 라인(미도시) 및 박막 트랜지스터(27)에 대응하도록 상기 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막 트랜지스터(27)의 아래에 형성될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이 광전지(12)가 매트릭스 형태로 비발광 영역에 형성될 수 있다.
제1 실시예는 도 1의 광전지(12) 형상에 한정하지 않는다.
즉 제1 실시예의 광전지(12)는 발광 영역과 비발광 영역에 관계없이 상기 제1 기판(11)의 전 영역에 형성될 수 있다. 광전지(12)는 제3 전극(51)과 제4 전극(55) 중 적어도 하나의 전극이 불투명 금속 물질로 형성되므로, 광전지(12)의 일측, 예컨대 상면으로 입사된 광이 광전지(12)의 타측, 예컨대 하면으로 투과될 수 없다.
따라서, 상기 유기전계발광 표시장치(10A)가 광이 제2 기판(39)을 통해 외부로 발광되는 상부 발광 방식인 경우, 상기 광전지(12)가 상기 발광 영역 및 비발광 영역에 관계없이 상기 제1 기판(11)의 전 영역에 형성될 수 있다.
만일 상기 유기전계발광 표시장치(10A)가 광이 제1 기판(11)을 통해 외부로 발광되는 하부 발광 방식인 경우, 상기 광전지(12)는 비발광 영역에만 매트릭스 형상으로 형성될 수 있다.
상기 광전지(12)는 상기 제1 기판(11)으로부터 직접 형성될 수 있다.
예컨대, 상기 광전지(12)가 반도체 화합물로 형성되는 경우, 상기 제1 기판(11) 상에 n층과 p층이 순차적으로 성장될 수 있다.
상기 n층과 상기 p층은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy) 및 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 중 어느 하나를 이용하여 성장하여 형성될 수 있지만, 이에 한정하지 않는다.
이후, 상기 비발광 영역에 광전지(12)가 형성되도록, 상기 p층과 n층이 식각되어 매트릭스 형상을 갖는 광 변환층(53)으로 형성될 수 있다.
상기 p층에 제3 전극(51)이 형성되고 상기 n층에 제4 전극(55)이 형성됨으로써, 상기 비발광 영역에 광전지(12)가 형성될 수 있다.
상기 광전지(12)는 상기 제1 기판(11)에 라미네이팅 공정으로 부착될 수 있다.
미리 매트릭스 형상으로 패턴된 광전지(12)가 형성될 수 있다. 상기 광전지(12)는 제3 기판 상에서 형성되고 상기 제3 기판이 제거되고 접착제를 이용하여 상기 제1 기판(11) 상에 부착될 수 있다. 상기 접착제는 광에 의해 경화될 수 있는 고분자 물질로 형성될 수 있다.
상기 접착제는 상기 실 패턴(38)과 동일한 고분자 물질일 수 있다.
상기 접착제는 상기 광전지(12)와 상기 제1 기판(11) 사이의 접착력을 극대화하기 위해 멀티층으로 이루어질 수 있다.
상기 광전지(12)는 도 6에 도시한 바와 같이, 제3 전극(51), 광 변환층(53) 및 제4 전극(55)을 포함할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상기 광전지(12)는 제3 및 제4 전극(51, 55)이 전기가 흐르는 금속 물질 또는 도전 물질이므로, 이후에 형성될 박막 트랜지스터(27)와 절연시켜줄 필요가 있다.
또한, 광전지(12)는 다층 구조를 가지게 되고 특히 n층은 비교적 두께가 두껍기 때문에 광전지(12)의 단차로 인해 이후의 박막 트랜지스터(27) 형성시 전기적인 단선이 발생될 수 있다.
따라서, 상기 광전지(12)를 완전하게 덮도록 상기 제1 기판(11) 및 상기 광전지(12) 상에 평탄화막(13)이 형성될 수 있다.
상기 평탄화막(13)은 편평한 상면을 가질 수 있다. 따라서, 광전지(12)의 단차로 인한 박막 트랜지스터(27)의 전기적인 단선을 방지할 수 있다.
상기 평탄화막(13)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 평탄화막(13)이 비교적 두껍게 형성되는 경우라면, 두께 형성이 용이한 유기 절연 물질로 평탄화막(13)이 형성될 수 있다.
상기 평탄화막(13) 상에 다수의 박막 트랜지스터(27)가 형성될 수 있다.
즉, 상기 평탄화막(13) 상에 비정질 실리콘(amorphous Si)막을 증착하고, 상기 비정질 실리콘막을 결정화하여 폴리 실리콘막을 형성한다.
상기 결정화 방법에는 엑시머 레이저 어닐링(Eximer Laser Annealing: ELA), 고상 결정화(Solid Phase Crystallization: SPC), 연속측면 결정화(Sequential Lateral Solidification: SLS), 금속유도 결정화(Metal Induced Crystallization: MIC), 금속유도 측면결정화(Metal Induced Lateral Crystallization: MILC) 및 교번자장 결정화(Alternative Magnetic Lateral Crystallization: AMLC) 중 어느 하나가 이용될 수 있지만, 이에 한정하지 않는다.
상기 폴리 실리콘은 패턴된 후 이온 도핑을 통해 활성 영역(15a), 소오스 영역(15b) 및 드레인 영역(15c)으로 이루어지는 다수의 반도체층(15)이 형성될 수 있다. 상기 소오스 영역(15b)과 상기 드레인 영역(15c)은 상기 활성 영역(15a)을 사이에 두고 형성될 수 있다.
상기 반도체층(15)은 이후에 발광 영역에 형성될 유기전계발광 소자(6)만큼 형성될 수 있다.
상기 평탄화막(13)과 상기 반도체층(15) 상에 제1 절연막(17)이 형성되고, 상기 활성 영역(15a)에 대응하는 상기 제1 절연막(17) 상에 다수의 게이트 전극(19)이 형성될 수 있다.
상기 게이트 전극(19)과 함께 게이트 라인도 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(19)은 상기 게이트 라인으로부터 연장 형성될 수 있다.
상기 게이트 전극(19)과 상기 게이트 라인은 금속 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 금속 물질로는 Al, Cu, Ag, Mo, Ti, Pt, Cr, Ni, Au 및 W로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 이들의 합금이 사용될 수 있다.
상기 게이트 전극(19), 상기 게이트 라인 및 상기 제1 절연막(17) 상에 제2 절연막(21)이 형성될 수 있다.
상기 제2 절연막(21)과 상기 제1 절연막(17)이 관통되어 소오스 영역(15b)과 드레인 영역(15c)이 노출된 다수의 제1 및 제2 콘택홀(미도시)이 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 콘택홀을 통해 상기 소오스 영역(15b)과 드레인 영역(15c)에 전기적으로 연결되도록 상기 제2 절연막(21) 상에 다수의 소오스 전극(23) 및 드레인 전극(25)이 형성될 수 있다.
상기 소오스 전극(23)과 상기 드레인 전극(25)과 함께 데이터 라인이 형성될 수 있다. 상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인과 교차하도록 형성될 수 있다.
상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차에 의해 다수의 화소 영역이 정의될 수 있다.
다시 하나의 화소 영역은 유기전계발광 소자(6)가 형성되는 발광 영역과 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터(27)가 형성되는 비발광 영역을 포함할 수 있다.
따라서, 상기 반도체층(15), 상기 게이트 전극(19), 상기 소오스 전극(23) 및 상기 드레인 전극(25)으로 이루어진 다수의 박막 트랜지스터(27)가 형성될 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(27)와 상기 제2 절연막(21) 상에 제3 절연막(29)이 형성될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 절연막(17, 21, 29)은 투명한 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 상기 제1 및 제2 절연막(17, 21)은 무기 절연 물질로 형성되고, 제3 절연막(29)은 유기 절연 물질로 형성될 수 있지만, 이에 한정하지 않는다.
상기 제3 절연막(29) 상에 다수의 유기전계발광 소자(6)가 형성될 수 있다. 상기 유기전계발광 소자(6)는 발광 영역에 형성될 수 있다.
상기 유기전계발광 소자(6)는 상기 박막 트랜지스터(27)의 드레인 전극(25)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 유기전계발광 소자(6)는 제1 전극(31), 유기 발광층(33) 및 제2 전극(35)을 포함할 수 있다.
상기 제3 절연막(29)에는 상기 제3 절연막(29)이 관통되어 상기 드레인 전극(25)이 노출된 다수의 드레인 콘택홀(제3 콘택홀)(미도시)이 형성될 수 있다.
상기 제3 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(25)에 전기적으로 연결되도록 상기 제3 절연막(29) 상에 상기 제1 전극(31)이 형성될 수 있다.
제1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(10A)가 상부 발광 방식인 경우, 상기 제1 전극(31)은 광을 반사시킬 수 있는 반사 기능을 갖는 반사 물질로 형성되고, 상기 제2 전극(35)은 광을 투과시킬 수 있는 투명 도전 물질로 형성될 있다.
제1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(10A)가 하부 발광 방식인 경우, 상기 제1 전극(31)은 투명 도전 물질로 형성되고, 상기 제2 전극(35)은 광을 반사시킬 수 있는 반사 기능을 갖는 반사 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 반사 물질로는 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 Hf로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 이들의 합금이 사용될 수 있지만, 이에 한정하지 않는다.
예컨대, 상기 투명 도전 물질로는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx 및 RuOx/ITO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층이 사용될 수 있지만, 이에 한정하지 않는다.
상기 제1 전극(31) 상에 유기 발광층(33)이 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(31)이 양(+)의 전압이 인가되는 아노드 전극인 경우, 상기 제1 전극(31)에 접하여 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 및 전자 주입층의 순서로 상기 유기 발광층(33)이 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(31)이 음(-)의 전압이 인가되는 캐소드 전극인 경우, 위와 반대로 유기 발광층(33)이 형성될 수 있다.
상기 유기 발광층(33), 구체적으로 상기 전자 주입층 상에 제2 전극(35)이 형성될 수 있다.
상기 유기전계발광 소자(6)들 사이의 비발광 영역에 있는 상기 제3 절연막(29) 상에 뱅크 절연막(37)이 형성될 수 있다.
상기 뱅크 절연막(37)은 상기 유기전계발광 소자(6)를 구분하며, 인접한 상기 유기전계발광 소자의 광들이 서로 혼합되지 않도록 할 수 있다.
상기 뱅크 절연막(37)은 상기 광전지(12)와 동일한 형상, 즉 매트릭스 형상을 가질 수 있다.
상기 뱅크 절연막(37)은 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터(27)에 대응하도록 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터(27) 상에 형성될 수 있다.
상기 뱅크 절연막(37)은 상기 제3 절연막(29)뿐만 아니라 상기 제3 콘택홀에 형성된 제1 전극(31) 상에 형성될 수 있다.
상기 제2 전극(35)은 상기 뱅크 절연막(37) 사이의 상기 유기 발광층(33) 상에 형성되는 것으로 설명되고 있지만, 이에 한정하지 않는다.
상기 제2 전극(35)은 상기 유기 발광층(33) 뿐만 아니라 상기 뱅크 절연막(37) 상에 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극(31, 35) 중 하나의 전극은 각 발광 영역마다 형성되고 다른 하나의 전극은 모든 발광 영역에 공통으로 형성될 수 있다.
상기 제2 전극(35)이 모든 발광 영역에 공통으로 형성되는 경우, 각 발광 영역에 형성된 제2 전극(35)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
도시되지 않았지만, 상기 유기전계발광 소자(6)에서, 유기 발광층(33)이 제1 전극(31)을 완전히 덥도록 발광 영역에 형성되고, 상기 제2 전극(35)이 모든 발광 영역에 있는 제3 절연막(29)과 상기 유기 발광층(33) 상에 형성되며, 상기 비발광 영역에 있는 상기 제2 전극(35) 상에 뱅크 절연막(37)이 형성될 수 있다. 이러한 경우, 상기 제2 전극(35)은 유기 발광층(33)으로 인해 상기 제1 전극(31)과 절연될 뿐만 아니라 모든 발광 영역에 공통으로 형성될 수 있다.
도 3은 제2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
제2 실시예는 광전지(43)를 제외하고는 제1 실시예와 유사하다. 따라서, 제2 실시예에서 제1 실시예와 동일한 기능을 갖는 구성 요소에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
도 3을 참조하면, 제2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(10B)는 제1 기판(11)과, 상기 제1 기판(11)에 대향하는 제2 기판(39)과, 상기 제1 및 제2 기판(11, 39)을 합착시키기 위한 실 패턴(38)을 포함할 수 있다.
제1 실시예와 달리, 제2 실시예에서는 박막 트랜지스터(27)가 제1 기판(11)에 직접 형성될 수 있다. 즉, 제1 실시예에서는 제1 기판(11) 상에 광전지(12)가 형성되고, 그 위에 평탄화막(13)이 형성된 후, 상기 평탄화막(13) 상에 박막 트랜지스터(27)가 형성될 수 있다.
이와 달리, 제2 실시예에서는 제1 기판(11) 상에 활성 영역(15a), 소오스 영역(15b) 및 드레인 영역(15c)으로 이루어지는 다수의 반도체층(15)이 형성될 수 있다.
상기 반도체층(15)과 상기 제2 기판(39) 상에 제1 절연막(17)이 형성되고, 상기 활성 영역(15a)에 대응하는 상기 제2 절연막(21) 상에 게이트 전극(19)이 형성될 수 있다.
상기 게이트 전극(19)과 상기 제1 절연막(17) 상에 제2 절연막(21)이 형성되고, 상기 소오스 영역(15b)과 드레인 영역(15c)이 노출된 제1 및 제2 콘택홀이 제1 및 제2 절연막(17, 21) 상에 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 콘택홀을 통해 상기 소오스 영역(15b)과 드레인 영역(15c)에 전기적으로 연결된 소오스 전극(23) 및 드레인 전극(25)이 상기 제2 절연막(21) 상에 형성될 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(27)와 상기 제2 절연막(21) 상에 제3 절연막(29)이 형성될 수 있다.
상기 제3 절연막(29) 상에 다수의 유기전계발광 소자(6)가 발광 영역에 형성될 수 있다. 상기 유기전계발광 소자(6)는 상기 드레인 전극(25)에 전기적으로 형성될 수 있다.
상기 유기전계발광 소자(6)는 제1 전극(31), 유기 발광층(33) 및 제2 전극(35)을 포함할 수 있다.
이를 위해, 상기 제3 절연막(29)에는 상기 드레인 전극(25)이 노출된 제3 콘택홀이 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(31)은 상기 제3 절연막(29) 상에 형성되고 상기 제3 콘택홀을 통해 상기 제1 전극(31)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 유기 발광층(33)은 상기 제1 전극(31) 상에 형성되고, 상기 제2 전극(35)은 상기 유기 발광층(33) 상에 형성될 수 있다.
제2 실시예에서는 각 발광 영역에 형성된 유기전계발광 소자(6) 사이의 비발광 영역에 광전지(43)가 형성될 수 있다.
상기 광전지(43)는 상기 비발광 영역의 상기 제3 절연막(29) 상에 형성될 수 있다.
상기 광전지(43)가 상기 유기전계발광 소자(6)와 접촉되는 경우, 광전지(43)와 유기전계발광 소자(6) 사이에 전기적인 쇼트가 발생될 수 있다.
이를 방지하기 위해, 상기 유기전계발광 소자(6)들 사이의 비발광 영역의 상기 제3 절연막(29) 상에 제4 절연막(41)이 형성되고, 상기 제4 절연막(41) 상에 광전지(43)가 형성될 수 있다.
상기 제4 절연막(41)과 상기 광전지(43)는 매트릭스 구조를 가질 수 있다.
상기 제4 절연막(41)과 상기 광전지(43)는 동일한 공정에 의해 일괄 형성될 수 있다.
매트릭스 구조를 형성하기 위해 상기 광전지(43)를 패턴할 때 상기 광전지(43) 아래의 상기 제4 절연막(41)도 패턴할 수 있다.
이에 따라, 상기 제4 절연막(41)의 상면과 상기 광전지(43)의 하면은 동일한 면적을 가질 수 있다.
상기 제4 절연막(41)에 의해 상기 광전지(43)와 상기 유기전계발과 소자가 이격되도록 하기 위해, 상기 제4 절연막(41)의 상면은 상기 유기전계발광 소자(6)의 상면, 구체적으로 상기 제2 전극(35)의 상면보다 적어도 높게 형성될 수 있다.
제1 내지 제4 절연막(41)은 투명한 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 형성될 수 있다.
상기 유기전계발광 소자(6)의 유기 발광층(33)의 측면과 상기 제2 전극(35)의 측면은 상기 제4 절연막(41)의 측면에 접하도록 형성될 수 있다.
상기 제4 절연막(41)과 상기 유기전계발광 소자(6)는 동일 면상에 형성될 수 있다.
상기 유기전계발광 소자(6), 상기 제4 절연막(41) 및 상기 광전지(43)의 형성 순서를 설명한다.
유기전계발광 소자(6)의 제1 전극(31)이 제3 절연막(29) 상에 형성되고, 제4 절연막(41)과 그 위의 광전지(43)가 패턴에 의해 비발광 영역에 일괄 형성된 후, 제4 절연막(41) 사이의 발광 영역에 유기 발광층(33) 및 제2 전극(35)이 형성될 수 있다. 따라서 상기 제1 전극(31), 유기 발광층(33) 및 제2 전극(35)으로 이루어진 유기전계발광 소자(6)가 형성될 수 있다.
제2 실시예에 따르면, 비발광 영역에 형성된 제4 절연막(41)과 광전지(43)가 제1 실시예의 뱅크 절연막(37)을 대체할 수 있다.
따라서, 제2 실시예의 광전지(43)는 외부 광을 이용하여 전기를 모으는 기능과 함께 제1 실시예의 뱅크 절연막의 기능도 수행할 수 있다.
상기 유기전계발광 소자(6)에서 생성되어 전방으로 진행하지 않고 광전지(43) 방향으로 진행하는 광은 손실 광이라 할 수 있다.
하지만, 제2 실시예에 의하면, 상기 광전지(43)에 의해 이러한 손실 광이 전기로 변환되어 다시 유기전계발광 소자(6)의 구동에 사용되므로, 광 손실을 보상하여 줄 수 있다.
도 4는 제3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
제3 실시예는 광전지(45)를 제외하고는 제1 실시예와 유사하다. 따라서, 제3 실시예에서 제1 실시예와 동일한 기능을 갖는 구성 요소에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
도 4를 참조하면, 제3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(10C)는 제1 기판(11)과, 상기 제1 기판(11)에 대향하는 제2 기판(39)과, 상기 제1 및 제2 기판(11, 39)을 합착시키기 위한 실 패턴(38)을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판(11) 상에는 다수의 발광 영역에 유기전계발광 소자(6)가 형성되고 비발광 영역에 박막 트랜지스터(27)가 형성될 수 있다.
제1 실시예와 달리, 제3 실시예에서는 광전지(45)가 제2 기판(39) 상에 형성될 수 있다.
상기 유기전계발광 표시장치(10C)가 상부 발광 방식인 경우, 유기전계발광 소자(6)에서 생성된 광은 제2 기판(39)을 통해 외부로 발광되므로, 상기 광전지(45)는 매트릭스 구조를 갖는 비발광 영역에 형성될 수 있다. 다시 말해 상기 광전지(45)는 상기 제1 기판(11)에 형성된 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막 트랜지스터(27)에 대응하는 제2 기판(39)의 영역에 형성될 수 있다. 상기 광전지(45)가 상기 비발광 영역에 대응되도록 형성되므로, 상기 광전지(45) 또한 매트릭스 구조를 가질 수 있다.
상기 광전지(45)가 매트릭스 구조로 형성되고 광전지(45)를 통해 광이 투과되지 않게 되므로, 상기 광전지(45)는 인접하는 화소 영역 간의 광의 간섭을 방지하기 위한 블랙 매트릭스의 기능을 수행할 수 있다.
따라서, 매트릭스 구조를 갖는 광전지(45)에 의해 각 유기전계발광 소자(6)에서 생성된 광은 각 유기전계발광 소자(6)에 대응하는 제2 기판(39)을 통해서만 외부로 발광되므로, 각 화소 영역의 광이 보다 명확하게 구분될 수 있다.
상기 유기전계발광 표시장치(10C)가 하부 발광 방식인 경우, 유기전계발광 소자(6)에서 생성된 광은 제2 기판(39)을 통해 외부로 발광되지 않고 제1 기판(11)을 통해 외부로 발광되므로, 상기 광전지(45)는 발광 영역과 비발광 영역에 관계없이 상기 제2 기판(39)의 모든 영역에 형성될 수 있다.
도 5는 제4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
제4 실시예는 광전지(45)와 컬러필터층(47)을 제외하고는 제1 실시예와 유사하다. 따라서, 제4 실시예에서 제1 실시예와 동일한 기능을 갖는 구성 요소에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
도 5를 참조하면, 제4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(10D)는 제1 기판(11)과, 상기 제1 기판(11)에 대향하는 제2 기판(39)과, 상기 제1 및 제2 기판(11, 39)을 합착시키기 위한 실 패턴(38)을 포함할 수 있다.
제1 기판(11) 상에 형성된 박막 트랜지스터(27)와 유기전계발광 소자(6)는 제1 실시예와 동일하므로, 제1 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다.
제4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(10D)는 제1 실시예와 달리 제2 기판(39) 상에 컬러필터층(47)에 형성될 수 있다.
상기 컬러필터층(47)은 상기 제1 기판(11)의 발광 영역에 형성된 유기전계발광 소자(6)에 대응하는 제2 기판(39)의 영역에 형성될 수 있다. 다시 말해, 상기 컬러필터층(47)은 상기 제2 기판(39)의 발광 영역에 형성될 수 있다.
상기 컬러필터층(47)은 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터를 포함할 수 있다.
적색 컬러필터는 적색 유기전계발광 소자(6)에 대응되고, 녹색 컬러필터는 녹색 유기전계발광 소자(6)에 대응되며, 청색 컬러필터는 청색 유기전게발광 소자에 대응될 수 있다.
상기 컬러필터층(47)은 태양과 같은 자연광이나 조명과 같은 인조광을 흡수하여 그 자연광이나 인조광의 반사로 인한 표시 영상의 콘트라스트 저하를 방지할 수 있다.
상기 적색 유기전계발광 소자(6)에서 생성된 광은 상기 적색 컬러필터를 통해 외부로 발광되고, 상기 녹색 유기전계발광 소자(6)에서 생성된 광은 상기 녹색 컬러필터를 통해 외부로 발광되며, 상기 청색 유기전계발광 소자(6)에서 생성된 광은 상기 청색 컬러필터를 통해 외부로 발광될 수 있다.
유기전계발광 소자(6)에서 생성된 광은 제2 기판(39)을 통해 외부로 발광되므로, 상기 광전지(45)는 매트릭스 구조를 갖는 비발광 영역에 형성될 수 있다. 다시 말해 상기 광전지(45)는 상기 제1 기판(11)에 형성된 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막 트랜지스터(27)에 대응하는 제2 기판(39)의 영역에 형성될 수 있다. 상기 광전지(45)가 상기 비발광 영역에 대응되도록 형성되므로, 상기 광전지(45) 또한 매트릭스 구조를 가질 수 있다.
상기 적색 컬러필터, 상기 녹색 컬러필터 및 상기 청색 컬러필터로 이루어지는 상기 컬러필터층(47)을 제외한 영역, 즉 비발광 영역의 제2 기판(39) 상에는 광전지(45)가 형성될 수 있다.
다시 말해, 상기 광전지(45)는 매트릭스 구조를 갖는 비발광 영역의 상기 제2 기판(39) 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 광전지(45) 또한 매트릭스 구조를 가질 수 있다.
상기 광전지(45)가 매트릭스 구조로 형성되고 광전지(45)를 통해 광이 투과되지 않게 되므로, 상기 광전지(45)는 인접하는 화소 영역 간의 광의 간섭을 방지하기 위한 블랙 매트릭스의 기능을 수행할 수 있다.
따라서, 매트릭스 구조를 갖는 광전지(45)에 의해 각 유기전계발광 소자(6)에서 생성된 광은 각 유기전계발광 소자(6)에 대응하는 제2 기판(39)을 통해서만 외부로 발광되므로, 각 화소 영역의 광이 보다 명확하게 구분될 수 있다.
제4 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(10D)는 유기전계발광 소자(6)에서 생성된 광이 상부 기판, 즉 제2 기판(39)을 통해 외부로 발광되는 상부 발광 방식일 수 있다.
2: 비발광 영역 4: 발광 영역
6: 유기전계발광 소자 8, 12, 43, 45: 광전지
11: 제1 기판 13: 평탄화막
15: 반도체층 15a: 활성 영역
15b: 소오스 영역 15c: 드레인 영역
17: 제1 절연막 19: 게이트 전극
21: 제2 절연막 23: 소오스 전극
25: 드레인 전극 27: 박막 트랜지스터
29: 제3 절연막 31: 제1 전극
33: 유기 발광층 35: 제2 전극
37: 뱅크 절연막 38: 실 패턴
39: 제2 기판 41: 제4 절연막
47: 컬러필터층 51: 제3 전극
53: 광 변환층 55: 제4 전극

Claims (18)

  1. 다수의 발광 영역과 비발광 영역을 포함하는 제1 기판;
    상기 비발광 영역에 형성된 다수의 박막 트래지스터;
    상기 발광 영역과 비발광 영역을 포함하고 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판; 및
    상기 제1 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판의 상기 비발광 영역에 형성된 광전지를 포함하고,
    상기 광전지는 적어도 상기 박막 트랜지스터에 대응하여 형성되는 유기전계발광 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터에 연결된 게이트 라인; 및
    상기 박막 트랜지스터에 연결되고 상기 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인을 더 포함하는 유기전계발광 표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광전지는 상기 박막 트랜지스터, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인에 대응하여 형성되는 유기전계발광 표시장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 광전지는 상기 박막 트랜지스터, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인 아래의 상기 제1 기판의 비발광 영역에 형성되는 유기전계발광 표시장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 기판과 상기 광전지 상에 형성된 평탄화막을 더 포함하는 유기전계발광 표시장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 평탄화막은 편평한 상면을 갖는 유기전계발광 표시장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 상기 평탄화막 상에 형성되는 유기전계발광 표시장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 광전지는 상기 박막 트랜지스터, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인 아래의 상기 제1 기판의 전 영역에 형성되는 유기전계발광 표시장치.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 광전지는 상기 박막 트랜지스터, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인 상에 형성되는 유기전계발광 표시장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 광전지 사이의 상기 발광 영역 상에 다수의 유기전계발광 소자; 및
    상기 광전지 아래의 절연막을 더 포함하는 유기전계발광 표시장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 절연막과 상기 유기전계발광 소자는 동일 면 상에 형성되는 유기전계발광 표시장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 광전지와 상기 유기전계발광 소자는 상기 절연막에 의해 이격되는 유기전계발광 표시장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 절연막의 상면은 상기 유기전계발광 소자의 상면보다 적어도 높게 형성되는 유기전계발광 표시장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 절연막의 상면과 상기 광전지의 하면은 동일한 면적을 갖는 유기전계발광 표시장치.
  15. 제3항에 있어서,
    상기 광전지는 상기 박막 트랜지스터, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인에 대응하는 상기 제2 기판의 비발광 영역에 형성되는 유기전계발광 표시장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 광전지와 동일 면상에 형성되고 상기 제2 기판의 상기 발광 영역에 형성된 컬러필터층을 더 포함하는 유기전계발광 표시장치.
  17. 제3항에 있어서,
    상기 광전지는 상기 제2 기판의 전 영역에 형성되는 유기전계발광 표시장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 광전지는 결정형 실리콘, 비결정형 실리콘, 유기 화하물 및 반도체 화합물 중 어느 하나를 포함하는 유기전계발광 표시장치.
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