CN103999196A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 195
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 41
- 230000003319 supportive effect Effects 0.000 claims description 36
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 claims description 26
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010059866 Drug resistance Diseases 0.000 description 1
- 229920000544 Gore-Tex Polymers 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
基板处理装置(1)具有处理槽(3)、盖部(5)、升降部。用于贮存处理液的处理槽具有上部开口(30)。盖部具有卷绕有片状连续构件(50)的两端部的一对辊(51、52)，连续构件的处于一对辊之间的部位即中间部(501)，在上部开口的附近与上部开口的开口面平行地配置，通过使辊旋转，使中间部沿着开口面移动。在连续构件上形成有作为开口的通过口(502)。升降部使基板(9)在处理槽内的处理位置和处理槽外的退避位置之间进行升降。在要使基板在处理位置和退避位置之间进行升降时，通过口配置在上部开口的正上方。另外，要在处理槽内对基板进行处理时，通过口配置在从上部开口的正上方偏离的位置，从而通过连续构件堵塞上部开口。能够通过省空间的盖部来使基板处理装置小型化。
Description
技术领域
本发明涉及用于处理基板的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
以往，使用利用纯水、药液等处理液对基板进行处理的基板处理装置，例如在日本特开2001-135710号公报的基板处理装置中，相互平行地排列的直立状态的多个基板配置在处理槽内，通过处理液对多个基板统一进行处理。
此外，在日本特开2000-150609号公报中公开了基板搬入搬出装置，基板搬入搬出装置具有：载置部，其载置有用于容置基板的容器；移载部，其从容器移载基板。载置部具有多个载置单元，各载置单元能够自由装卸地安装在移载部上。在修理维护载置单元时，从移载部卸下该载置单元，移载部中的安装有载置单元的区域被辊式薄板遮挡。
但是，在基板处理装置中在处理槽内对基板进行处理时，为了防止处理液飞散和处理液环境气体扩散，优选堵塞处理槽的上部开口。例如考虑采用如下机构(所谓具有双开门状结构的机构)来在进行处理时堵塞上部开口，即，设置有分别配置在上部开口的左半部分以及右半部分的一组门，分别将设置在上部开口的左右两端的铰链作为轴来向相反方向旋转，从而对上部开口进行开闭。但是在这样的机构中，需要随着上部开口开闭而使门通过的空间，从而实际上使基板处理装置变大。
发明内容
本发明涉及基板处理装置，其目的在于使基板处理装置小型化。
本发明的基板处理装置，具有：处理槽，通过处理液对基板进行处理，并且具有上部开口；盖部，具有卷绕有连续的呈片状或者波纹状的连续构件的两端部的一对辊，在所述连续构件上形成有作为开口的通过口，所述连续构件的处于所述一对辊之间的部位即中间部在所述上部开口的附近与所述上部开口的开口面平行地配置，通过使所述一对辊旋转，使所述中间部沿着所述开口面移动；支撑部，至少在所述处理槽内支撑呈直立状态的基板；升降部，使所述基板在所述处理槽内的处理位置和所述处理槽外的退避位置之间进行升降；控制部，在要使所述基板在所述处理位置和所述退避位置之间进行升降时，使所述通过口配置在所述上部开口的正上方，使所述基板通过所述通过口以及所述上部开口，在所述处理槽内要对所述基板进行处理时，使所述通过口配置在从所述上部开口的正上方偏离的位置上，从而通过所述连续构件堵塞所述上部开口。根据本发明，能够使基板处理装置小型化。
在本发明的一个优选的方式中，所述支撑部具有：爪部，其从下方支撑相互平行地排列且呈直立状态的多个基板，并且在与所述多个基板的主面相垂直的前后方向上长，支撑主体，其固定所述爪部的端部，并且从所述爪部的固定位置向上方延伸；设置在所述处理槽的外部的所述升降部使所述支撑主体进行升降；在所述处理槽内对基板进行处理时，所述中间部沿着所述前后方向移动，所述通过口的边缘接近所述支撑主体，从而通过所述连续构件大体上堵塞所述上部开口。
在上述方式中，优选地，所述支撑主体为在上下方向长且与所述前后方向相垂直的板状构件，在所述处理槽内对基板进行处理时，所述通过口的与所述前后方向相垂直的直线状边缘接近所述板状构件的一主面，从而所述上部开口的被所述板状构件隔开的所述一主面侧的部分被堵塞；所述基板处理装置还具有遮挡部，该遮挡部堵塞所述上部开口的所述板状构件的另一主面侧的部分。由此，能够更可靠地抑制处理液飞散以及处理液环境气体扩散。
在上述方式中，所述基板处理装置还可以具有另一个盖部，该另一个盖部具有与所述盖部相同的结构，该另一个盖部的连续构件的处于一对辊之间的中间部在所述盖部的所述中间部的上方附近沿着所述上部开口的所述开口面移动。此时，所述支撑主体为在上下方向上长且与所述前后方向相垂直的板状构件，在所述处理槽内对基板进行处理时，使所述盖部的所述通过口的与所述前后方向相垂直的直线状边缘接近所述板状构件的一主面，从而所述上部开口的被所述板状构件隔开的所述一主面侧的部分被堵塞，使所述另一个盖部的连续构件的通过口的与所述前后方向相垂直的直线状边缘接近所述板状构件的另一主面，从而所述上部开口的被所述板状构件隔开的所述另一主面侧的部分被堵塞。由此，能够更可靠地抑制处理液飞散以及处理液环境气体扩散。
本发明还涉及在基板处理装置中进行的基板处理方法。
参照附加的附图，通过下面对本发明进行的详细说明，明确上述目的以及其它目的、特征、方式以及优点。
附图说明
图1是示出基板处理装置的结构的图。
图2是示出基板处理装置的局部立体图。
图3是示出基板处理装置的功能结构的框图。
图4是示出处理基板的动作的流程的图。
图5是用于说明基板处理装置的动作的图。
图6是用于说明基板处理装置的动作的图。
图7是示出比较例的基板处理装置的图。
图8是示出基板处理装置的其它例的图。
图9是示出基板处理装置的其它例的图。
图10是示出基板处理装置的其它例的图。
图11是示出基板处理装置的其它例的图。
图12是示出基板处理装置的其它例的图。
图13是用于说明基板处理装置的动作的图。
具体实施方式
图1是示出基板处理装置1的内部结构的图，图2是示出基板处理装置1的局部外观的立体图。基板处理装置1是所谓的批量式装置，通过纯水或者氢氟酸(HF)等药液即处理液，对多个圆板状硅基板9(下面，仅称为“基板9”)统一进行处理。在图1以及图2中，将相互垂直的两个水平方向作为X方向以及Y方向，将与X方向以及Y方向相垂直的铅垂方向(重力方向)作为Z方向。
基板处理装置1具有：处理槽3，其在内部容置有多个基板9，贮存有规定的处理液，并且具有上部开口30；支撑部4，其用于支撑相互平行地排列且呈直立状态的多个基板9；升降部2，其使多个基板9进行升降。如图1所示，在处理槽3内设置有用于喷出处理液的多个处理液喷嘴31和安装在处理槽3的排出口上的排出阀32，将基板9浸渍于处理液中来进行清洗、蚀刻等各种处理。处理液喷嘴31经由供给管与处理液供给部33相连接，排出阀32经由排出管与排液处理部34相连接。能够通过处理液供给部33选择性地向处理液喷嘴31供给多种处理液。在处理槽3的上部的周围设置有用于接收从处理槽3溢出的处理液的辅助槽35，形成在辅助槽35上的排出口也经由排出管与排液处理部34相连接。
支撑部4具有：多个爪部41，其在与多个基板9的主面相垂直的方向(图1中的Y方向，下面，称为“前后方向”)上长；作为板状构件的支撑主体42，其固定有多个爪部41的端部，并且从爪部41的固定位置向上方延伸。升降部2设置在处理槽3的外部，使支撑主体42沿着图1的上下方向(Z方向)进行升降。在支撑部4中，通过多个爪部41从下方支撑相互平行地排列且呈直立状态的多个基板9(即，沿着前后方向排列的多个基板9)，通过升降部2，使多个基板9在处理槽3内的处理位置(图1中所示的位置)和处理槽3外的(处理槽3上方的)退避位置之间移动。
基板处理装置1还具有用于使处理槽3的上部开口30开闭的盖部5。如图2所示，盖部5具有卷绕有连续的片状连续构件50的两端部的一对辊51、52，一对辊51、52以在前后方向(Y方向)上夹持处理槽3以及辅助槽35的方式配置。连续构件50由氟树脂(例如，特氟隆(注册商标))形成，具有耐热性和耐药性。连续构件50的处于一对辊51、52之间的部位即中间部501，以在上部开口30的附近与上部开口30的开口面(即，将形成上部开口30的处理槽3的上端几乎都包括的面)平行的方式配置。中间部501的大小为，除了后述通过口502的部位之外，覆盖整个处理槽3以及辅助槽35。
另外，各辊51、52与后述图3所示的马达53、54(例如，步进马达或伺服马达)相连接。彼此同步驱动的马达53、54使辊51、52一起向相同的旋转方向旋转，从而使中间部501沿着上部开口30的开口面在前后方向上移动。此时，马达53、54以总是对连续构件50作用有一定张力(tension)的方式进行控制。另外，在连续构件50上形成有沿着X方向以及Y方向的矩形开口502，在俯视时，开口502的外缘(即，4个直线状边缘)包围支撑主体42、多个爪部41以及多个基板9的周围。如后述那样，通过开口502向处理槽3内搬入或者从处理槽3搬出被爪部41支撑的多个基板9，因此，下面，将开口502称为“通过口502”。
图3是示出基板处理装置1的功能结构的框图。基板处理装置1还具有用于控制各结构构件的控制部10。在图3中，仅示出了上述升降部2以及盖部5(的马达53、54)，但是实际上控制部10还与处理液供给部33等相连接。
图4是示出基板处理装置1对基板9进行处理的动作流程的图。另外，图5是用于说明基板处理装置1的动作的图。在图5中，简单示出了在与辊51、52的长度方向相垂直的面上的基板处理装置1的截面，用虚线表示连续构件50的通过口502(在后述图6至图13中也同样)。
当基板处理装置1对基板9进行处理时，首先，驱动马达53、54，从而如图5所示那样，使连续构件50的通过口502配置在上部开口30的正上方(步骤S11)。另外，如图5中的双点划线所示那样，在配置于处理槽3的上方的爪部41上载置有呈直立状态的多个基板9，通过升降部2使支撑部4下降，从而使多个基板9通过通过口502以及上部开口30配置在处理位置(图5中的实线所示的位置)(步骤S12)。此时，在俯视时通过口502和上部开口30重叠而成的开口的外缘(即，两者的开口重叠的区域的外缘)，具有将爪部41、支撑主体42以及多个基板9的周围包围的大小，因此不会妨碍多个基板9移动。
接着，通过驱动马达53、54，如图6所示那样，使通过口502配置于偏离上部开口30的正上方的位置上。详细地说，使连续构件50的中间部501向特定方向移动，该特定方向指，从配置在沿着前后方向延伸的爪部41的自由端侧(+Y侧)的一个辊51(下面，还称为“前辊51”)朝向配置在爪部41的固定端侧(-Y侧)的另一个辊52(下面，还称为“后辊52”)的方向。并且，通过口502的与前后方向垂直的直线状边缘503(前辊51侧的边缘)，接近支撑主体42的设置有爪部41的主面421(下面，称为“前表面421”)。由此，上部开口30的被支撑主体42隔开的前表面421侧的部分被连续构件50覆盖，从而上部开口30大体被堵塞(步骤S13)。然后，在处理槽3内，通过处理液对基板9进行规定的处理(步骤S14)。此时，上部开口30大体上被连续构件50堵塞，因此抑制处理液飞散和处理液环境气体扩散。
当通过处理液进行的处理结束时，图6所示的连续构件50的中间部501向从后辊52朝向前辊51的方向移动，如图5所示那样，使连续构件50的通过口502配置在上部开口30的正上方，从而上部开口30打开(步骤S15)。然后，通过升降部2使支撑部4上升，从而使多个基板9通过上部开口30以及通过口502配置在退避位置(在图5中用双点划线表示的位置)(步骤S16)。这样，从处理槽3内搬出多个基板9，结束通过基板处理装置1进行的处理。此外，位于退避位置的多个基板9，从爪部41被交至外部的搬运机构，根据需要被搬运到下一处理装置。
图7是示出比较例的基板处理装置的图。在比较例的基板处理装置中，设置有分别配置在图7中的上部开口92的左半部分以及右半部分的一组门91，分别将设置在上部开口92的左右两端上的铰链911作为轴来向相反方向旋转，从而使上部开口92开闭。在这样的比较例的基板处理装置中，随着上部开口92的开闭，需要用于使作为堵塞构件的门91移动的特别空间。因此，要使基板在处理槽的上方向图7中的横向移动，则需要使基板上升至大体上直立的门91(用双点划线表示的门91)的上方，因此使基板处理装置在高度方向上变大。尤其，在大型的基板用基板处理装置中，堵塞构件也变得更大，因此使装置的高度进一步变大。
相对于此，在图2的基板处理装置1中，连续构件50的处于卷绕有连续构件50的两端部的一对辊51、52之间的部位，在处理槽3的上部开口30的附近与上部开口30的开口面平行地配置。并且，在使基板9在处理位置和退避位置之间进行升降时，通过使辊51、52旋转，来使形成在连续构件50上的通过口502配置在上部开口30的正上方。另外，在处理槽3内对基板9进行处理时，通过使辊51、52旋转，来使通过口502配置在偏离上部开口30的正上方的位置上，从而通过连续构件50堵塞上部开口30。由此，能够不必设置在对上部开口30进行开闭动作时使堵塞构件移动用的特别空间，来使处理槽3的上部开口30开闭(即，能够实现省空间的盖部5)。另外，在使基板9在处理槽3的上方进行水平移动的情况下，也只要使基板9上升至中间部501的稍稍上方位置即可(即，能够将退避位置设定在处理槽3附近)，因此能够使用于处理大型基板9(例如，直径为450mm的基板9)的基板处理装置1小型化(尤其，在高度方向上小型化)。
另外，支撑部4具有在上下方向上长且与前后方向相垂直的作为板状构件的支撑主体42，在处理槽3内对基板9进行处理时，通过口502的直线状边缘503接近支撑主体42的前表面421(也可以抵接)。由此，能够通过连续构件50牢固地堵塞上部开口30的被支撑主体42隔开的前表面421侧的部分。
在图5的基板处理装置1中，将一对辊51、52设置在辅助槽35的+Y侧以及-Y侧，但是也可以如图8所示，将前辊51配置在辅助槽35的+Y侧部位的下方，将后辊52配置在辅助槽35的-Y侧部位的下方。此时，将比前辊51细的辅助辊511配置在辅助槽35的+Y侧，使中间部501的+Y侧部位经由辅助辊511连续到前辊51上。同样地，将比后辊52细的辅助辊521配置在辅助槽35的-Y侧，使中间部501的-Y侧部位经由辅助辊521连续到后辊52。
另外，也可以在图8中用双点划线表示那样，使后辊52配置在辅助槽35的-Y侧部位的上方(前辊51也同样)。此时，也将比后辊52细的辅助辊521配置在辅助槽35的-Y侧，使中间部501的-Y侧部位经由辅助辊521连续到后辊52。如上所述，在基板处理装置1中，能够在根据设计而空出的空间内配置辊51、52来有效利用空间。
图9是示出基板处理装置的其它例的图。在图9的基板处理装置1a中，在辅助槽35的前后方向(Y方向)上的两个外侧分别设置有两个液滴除去部61，并且设置有用于容置处理槽3的槽11。其它结构与图1的基板处理装置1相同，标记相同附图标记。
一个液滴除去部61设置在辅助槽35的+Y侧部位和前辊51之间，另一个液滴除去部61设置在辅助槽35的-Y侧部位和后辊52之间。各液滴除去部61例如为由橡胶或塑料形成的刮片，在X方向上的连续构件50的整个宽度上，与中间部501的处理槽3侧的面500相抵接。
在图9的基板处理装置1a中，即使处理槽3内的处理液的液滴附着于上部开口30的上方的中间部501的面500的区域的情况下，也在卷绕于前辊51以及后辊52之前，通过液滴除去部61除去面500上的液滴。由此，能够防止因处理液的液滴的影响而使盖部5劣化的情况。此外，在图9的基板处理装置1a中，被液滴除去部61除去的液体被槽11接收，并从设置在槽11的底部的排出口排出。
图10是示出基板处理装置的另外的其它例的图。在图10的基板处理装置1b中，在支撑主体42的与前表面421一侧相反的一侧的主面422(下面，称为“后表面422”)上，设置有朝向-Y侧突出的板状遮挡部62。其它结构与图1的基板处理装置1相同，标注相同附图标记。
遮挡部62具有与上部开口30的开口面平行的面。该面的大小如下，即，在X方向上的连续构件50的整个宽度范围内，覆盖整个辅助槽35的-Y侧部位。另外，在基板9配置在处理位置上的状态下，遮挡部62位于接近处理槽3的-Y侧的上端的位置。在图10的基板处理装置1b中，在处理槽3内对基板9进行处理时，通过口502的与前后方向相垂直的直线状边缘503接近支撑主体42的前表面421，从而通过连续构件50堵塞上部开口30的被支撑主体42隔开的前表面421侧的部分。另外，上部开口30的支撑主体42的另一主面422(即，后表面422)侧的部分被遮挡部62堵塞。由此，在图10的基板处理装置1b中，大体上堵塞整个上部开口30，能够更可靠地抑制处理液飞散以及处理液环境气体扩散。另外，能够通过省空间的盖部5来使基板处理装置1b小型化。
在图10的基板处理装置1b中，将遮挡部62设置在支撑主体42上，但是例如也可以如图11所示的基板处理装置1c那样，在用于容置处理槽3的槽11上设置遮挡部62a。在图11的基板处理装置1c中，通过省略图示的转动机构，使遮挡部62a以与X方向平行的轴621为中心进行转动。具体地说，在通过升降部2使支撑部4进行升降时，如在图11中用双点划线表示那样，遮挡部62a成为直立姿势，从而防止支撑部4的升降动作被遮挡部62a妨碍。
另外，在爪部41配置在处理液中的状态(即，在基板9配置在处理位置的状态)下，遮挡部62a进行转动，来成为在图11中用实线表示的水平姿势。此时，遮挡部62a的前端(与轴621一侧相反的一侧的端部)与支撑主体42的后表面422相抵接或者相接近。因此，上部开口30的支撑主体42的后表面422侧的部分被遮挡部62a堵塞，从而能够更可靠地抑制处理液飞散以及处理液环境气体扩散。此外，遮挡部62a，不必一定以轴621为中心进行转动，例如也可以通过使遮挡部62a沿着水平方向移动，来堵塞上部开口30的支撑主体42的后表面422侧的部分。
图12是示出基板处理装置的其它例的图。在图12的基板处理装置1d中，设置有具有与盖部5相同的结构的另一个盖部5a(下面，称为“辅助盖部5a”)。其它结构与图1相同，标注相同附图标记。
辅助盖部5a的一对辊51a、52a在前后方向(Y方向)上配置在盖部5的一对辊51、52的外侧，连续构件50a的处于一对辊51a、52a之间的中间部501a位于盖部5的中间部501的上方附近。在辅助盖部5a中，各辊51a、52a也与马达(图示省略)相连接，通过马达的驱动，使中间部501a沿着上部开口30的开口面移动。另外，在连续构件50a上形成有形状与连续构件50的通过口502相同的通过口502a。
在基板处理装置1d中，在使基板9在处理位置和退避位置之间进行升降时，如图12所示那样，使盖部5的通过口502配置在上部开口30的正上方，并且辅助盖部5a的通过口502a也配置在上部开口30的正上方。并且，支撑部4与多个基板9一起通过通过口502、502a以及上部开口30。此时，在俯视时，通过口502、通过口502a以及上部开口30重叠而形成的开口的外缘，具有将爪部41、支撑主体42以及多个基板9的周围包围的大小，因此不会妨碍多个基板9移动。在图12的基板处理装置1d中，在上下方向上，盖部5的整个通过口502、辅助盖部5a的整个通过口502a以及整个上部开口30相重叠。
另外，在处理槽3内对基板9进行处理时，盖部5的连续构件50的中间部501向-Y方向移动，如图13所示，通过口502的与前后方向相垂直的直线状边缘503(即，中间部501的移动方向上的后侧边缘)接近支撑主体42的前表面421。由此，上部开口30的被支撑主体42隔开的前表面421侧的部分被连续构件50堵塞。另外，辅助盖部5a的连续构件50a的中间部501a向+Y方向移动，通过口502a的与前后方向相垂直的直线状边缘503a(即，中间部501a的移动方向上的后侧边缘)接近支撑主体42的后表面422。由此，上部开口30的被支撑主体42隔开的后表面422侧的部分被连续构件50a堵塞。结果，在基板处理装置1d中，大体上堵塞整个上部开口30，从而能够更可靠地抑制处理液飞散以及处理液环境气体扩散。另外，能够通过省空间的盖部5、5a来使基板处理装置1d小型化。
上面，对于本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，能够进行各种变形。
在盖部5中，也可以使一对辊51、52配置在处理槽3的X方向(与基板9的主面平行的水平方向，且与多个基板9排列的前后方向相垂直的方向)上的两个外侧，使连续构件50的中间部501在沿着上部开口30的开口面的X方向上移动(辅助盖部5a也相同，下面相同)。
在上述实施方式中，在一对辊51、52上连接有马达，但是例如也可以在一个辊上设置借助盘簧的动力来在该辊上卷绕连续构件50的机构，在另一个辊上设置马达。此时，仅控制该另一个辊的马达的驱动，就能够打开以及堵塞上部开口30。
在基板处理装置中，也可以设置用于使一对辊51、52在上下方向上移动的机构，在处理槽3内对基板9进行处理时，使一对辊51、52下降来使中间部501接近处理液的液面，从而牢固地堵塞处理槽3的上部开口30。
连续构件50，除了氟树脂之外，还可以由尼龙等树脂形成。另外，片状连续构件50也可以是布，此时，能够利用戈尔斯特(Gore-Tex：注册商标)等防水性材料。而且，若能够将两端部卷绕在一对辊51、52上，则连续构件50也可以是连续的波纹状构件。
支撑部4的支撑主体42也可以是除了板状之外的形状(例如，条状)。其中，为了牢固地堵塞上部开口30，优选支撑主体42是与前后方向垂直的板状构件，在处理槽3内对基板9进行处理时，通过口502的与前后方向相垂直的直线状边缘接近板状构件的一个主面。
可以通过设计基板处理装置1、1a～1d，在支撑部4中将多个爪部41安装在处理槽3上，并省略支撑主体42。此时，例如设置升降部，该升降部具有能够变更X方向上的间隔的一对支撑构件。在升降部中，通过一对支撑构件支撑基板9，并且使基板9在处理槽3内的处理位置和处理槽3外的退避位置之间进行升降。当通过该升降部将多个基板9移载至安装在处理槽3内的多个爪部41上时，只有升降部从处理槽3退避。然后，通过盖部5堵塞上部开口30。如上所述，支撑部只要是至少在处理槽3内支撑呈直立状态的基板9的结构即可，另外，升降部也可以是与支撑部分离的结构。
另外，作为处理槽3，并不限定于贮存处理液来对基板9进行浸渍处理的结构，例如也可以是将处理液呈喷射状供给至基板9的结构。即，处理槽3只要是通过处理液对基板9进行处理的结构即可。另外，也可以是如下循环式系统，即，不通过排液处理部34将处理液废弃，而是过滤之后再次用于基板处理。在基板处理装置1中处理的基板9并不限定于硅基板，也可以是玻璃基板等其它种类的基板。
上述实施方式以及各变形例的结构，能够在不相互矛盾的情况下进行适当组合。
详细叙述并说明了发明，但是上述说明为例示而不是限定。因此，在不脱离本发明的范围的情况下，能够进行多个变形和形成多个方式。
附图标记的说明
1、1a～1d：基板处理装置
2：升降部
3：处理槽
4：支撑部
5：盖部
5a：辅助盖部
9：基板
10：控制部
30：上部开口
41：爪部
42：支撑主体
50、50a：连续构件
51、52、51a、52a：辊
61：液滴除去部
62、62a：遮挡部
421：前表面
422：后表面
500：面
501、501a：中间部
502、502a：通过口
503、503a：边缘
Claims (9)
1.一种基板处理装置，其特征在于，
具有：
处理槽，通过处理液对基板进行处理，并且具有上部开口；
盖部，具有卷绕有连续的呈片状或者波纹状的连续构件的两端部的一对辊，在所述连续构件上形成有作为开口的通过口，所述连续构件的位于所述一对辊之间的部位即中间部在所述上部开口的附近与所述上部开口的开口面平行地配置，通过使所述一对辊旋转，使所述中间部沿着所述开口面移动；
支撑部，至少在所述处理槽内支撑呈直立状态的基板；
升降部，使所述基板在所述处理槽内的处理位置和所述处理槽外的退避位置之间进行升降；
控制部，在要使所述基板在所述处理位置和所述退避位置之间进行升降时，使所述通过口配置在所述上部开口的正上方，使所述基板通过所述通过口以及所述上部开口，在所述处理槽内要对所述基板进行处理时，使所述通过口配置在从所述上部开口的正上方偏离的位置上，从而通过所述连续构件堵塞所述上部开口。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述支撑部具有：
爪部，其从下方支撑相互平行地排列且呈直立状态的多个基板，并且在与所述多个基板的主面相垂直的前后方向上长，
支撑主体，其固定所述爪部的端部，并且从所述爪部的固定位置向上方延伸；
设置在所述处理槽的外部的所述升降部使所述支撑主体进行升降，
在所述处理槽内要对基板进行处理时，所述中间部沿着所述前后方向移动，所述通过口的边缘接近所述支撑主体，从而通过所述连续构件大体堵塞所述上部开口。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述支撑主体为在上下方向长且与所述前后方向相垂直的板状构件，在所述处理槽内要对基板进行处理时，所述通过口的与所述前后方向相垂直的直线状边缘接近所述板状构件的一主面，从而所述上部开口的被所述板状构件隔开的所述一主面侧的部分被堵塞，
所述基板处理装置还具有遮挡部，该遮挡部堵塞所述上部开口的所述板状构件的另一主面侧的部分。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具有另一个盖部，该另一个盖部具有与所述盖部相同的结构，该另一个盖部的连续构件的处于一对辊之间的中间部在所述盖部的所述中间部的上方附近沿着所述上部开口的所述开口面移动，
所述支撑主体为在上下方向上长且与所述前后方向相垂直的板状构件，在所述处理槽内要对基板进行处理时，使所述盖部的所述通过口的与所述前后方向相垂直的直线状边缘接近所述板状构件的一主面，从而所述上部开口的被所述板状构件隔开的所述一主面侧的部分被堵塞，
使所述另一个盖部的连续构件的通过口的与所述前后方向相垂直的直线状边缘接近所述板状构件的另一主面，从而所述上部开口的被所述板状构件隔开的所述另一主面侧的部分被堵塞。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有液滴除去部，该液滴除去部与所述中间部的所述处理槽侧的面相抵接，用于除去附着于所述面上的液滴。
6.一种基板处理方法，在基板处理装置中进行，其特征在于，
所述基板处理装置具有：
处理槽，通过处理液对基板进行处理，并且具有上部开口，
盖部，具有卷绕有连续的连续构件的两端部的一对辊，该连续构件呈片状或者波纹状，所述连续构件的处于所述一对辊之间的部位即中间部，在所述上部开口的附近与所述上部开口的开口面平行地配置，通过使所述一对辊旋转，使所述中间部沿着所述开口面移动，
支撑部，至少在所述处理槽内支撑呈直立状态的基板，
升降部，使所述基板在所述处理槽内的处理位置和所述处理槽外的退避位置之间进行升降；
在所述连续构件上形成有作为开口的通过口，
所述基板处理方法包括：
工序a)，将所述通过口配置在所述上部开口的正上方，
工序b)，使所述基板通过所述通过口以及所述上部开口，将所述退避位置的所述基板配置在所述处理位置上，
工序c)，将所述通过口配置在从所述上部开口的正上方偏离的位置上，通过所述连续构件堵塞所述上部开口，
工序d)，在所述处理槽内对所述基板进行处理，
工序e)，将所述通过口配置在所述上部开口的正上方，
工序f)，使所述基板通过所述通过口以及所述上部开口，将所述处理位置的所述基板配置在所述退避位置上。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，
所述支撑部具有：
爪部，其从下方支撑相互平行地排列且呈直立状态的多个基板，并且在与所述多个基板的主面相垂直的前后方向上长，
支撑主体，其固定所述爪部的端部，并且从所述爪部的固定位置向上方延伸；
设置在所述处理槽的外部的所述升降部使所述支撑主体进行升降，
在所述工序c)中，所述中间部沿着所述前后方向移动，所述通过口的边缘接近所述支撑主体，从而通过所述连续构件大体堵塞所述上部开口。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，
所述支撑主体为在上下方向长且与所述前后方向相垂直的板状构件，
在所述工序c)中，所述通过口的与所述前后方向相垂直的直线状边缘接近所述板状构件的一主面，从而所述上部开口的被所述板状构件隔开的所述一主面侧的部分被堵塞，通过遮挡部堵塞所述上部开口的所述板状构件的另一主面侧的部分。
9.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理装置还具有另一个盖部，该另一个盖部具有与所述盖部相同的结构，该另一个盖部的连续构件的处于一对辊之间的中间部在所述盖部的所述中间部的上方附近沿着所述上部开口的所述开口面移动，
所述支撑主体为在上下方向长且与所述前后方向相垂直的板状构件，
在所述工序c)中，使所述盖部的所述通过口的与所述前后方向相垂直的直线状边缘接近所述板状构件的一主面，从而所述上部开口的被所述板状构件隔开的所述一主面侧的部分被堵塞，使所述另一个盖部的连续构件的通过口的与所述前后方向相垂直的直线状边缘接近所述板状构件的另一主面，从而所述上部开口的被所述板状构件隔开的所述另一主面侧的部分被堵塞。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011286427A JP5746611B2 (ja) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | 基板処理装置 |
| JP2011-286427 | 2011-12-27 | ||
| PCT/JP2012/082102 WO2013099594A1 (ja) | 2011-12-27 | 2012-12-11 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103999196A true CN103999196A (zh) | 2014-08-20 |
| CN103999196B CN103999196B (zh) | 2016-10-05 |
Family
ID=48697086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201280063629.XA Expired - Fee Related CN103999196B (zh) | 2011-12-27 | 2012-12-11 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5746611B2 (zh) |
| KR (1) | KR101919183B1 (zh) |
| CN (1) | CN103999196B (zh) |
| TW (1) | TWI543287B (zh) |
| WO (1) | WO2013099594A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110854040A (zh) * | 2019-10-25 | 2020-02-28 | 长江存储科技有限责任公司 | 待清洗工件的装夹系统及装夹方法 |
| CN112371591A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-02-19 | 华海清科(北京)科技有限公司 | 晶圆清洗装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7002400B2 (ja) * | 2018-04-27 | 2022-01-20 | 株式会社ディスコ | 洗浄装置 |
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| US20010003299A1 (en) * | 1999-12-03 | 2001-06-14 | Tokyo Electron Limited A Japanese Corporation | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
| JP2001176833A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| CN1406148A (zh) * | 2000-02-29 | 2003-03-26 | 高级技术材料公司 | 在半导体制造设备中用于持留化学品及减少污染的空气控制系统和方法 |
| CN1462063A (zh) * | 2002-05-28 | 2003-12-17 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
| CN1542907A (zh) * | 2003-02-26 | 2004-11-03 | �ձ�������ʽ���� | 基板处理装置 |
| JP2010069690A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Star Cluster:Kk | 超音波洗浄・バリ取り方法及び超音波洗浄・バリ取り装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4634266B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-02-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
-
2011
- 2011-12-27 JP JP2011286427A patent/JP5746611B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-12-11 CN CN201280063629.XA patent/CN103999196B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-11 WO PCT/JP2012/082102 patent/WO2013099594A1/ja active Application Filing
- 2012-12-11 KR KR1020147018428A patent/KR101919183B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-25 TW TW101149703A patent/TWI543287B/zh not_active IP Right Cessation
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| JP2010069690A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Star Cluster:Kk | 超音波洗浄・バリ取り方法及び超音波洗浄・バリ取り装置 |
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| CN112371591A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-02-19 | 华海清科(北京)科技有限公司 | 晶圆清洗装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103999196B (zh) | 2016-10-05 |
| TW201336008A (zh) | 2013-09-01 |
| JP5746611B2 (ja) | 2015-07-08 |
| TWI543287B (zh) | 2016-07-21 |
| JP2013135183A (ja) | 2013-07-08 |
| KR101919183B1 (ko) | 2018-11-15 |
| KR20140119010A (ko) | 2014-10-08 |
| WO2013099594A1 (ja) | 2013-07-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
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|
| COR | Change of bibliographic data |
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|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20161005 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |