CN1462063A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

该基板处理装置是具有转动以适当间隔平行排列的多个基板的转子(45)，一边通过上述转子(45)转动基板(W)，一边对基板(W)提供药液并进行处理的基板处理装置，上述转子(45)具有至少1个保持上述平行排列的多个基板(W)的边缘的保持部件(95、96、97、98、99)和至少1个对上述基板(W)的边缘提供并保持按压力的按压部件(100)，上述按压部件(100)在上述转子(45)静止时和转动时的任一情况下，始终对上述基板(W)的边缘提供按压力，保持在上述基板(W)的边缘和上述各保持部件(95、96、97、98、99)之间不产生偏移。从而，防止基板边缘被削掉，延长保持棒的寿命，并且可以进行药液处理。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及对例如半导体晶片或LCD基板用玻璃等基板进行清洗处理等的基板处理装置。
背景技术
例如半导体设备的制造工艺中，使用通过向半导体晶片(以下，称为“晶片”)等喷上药液和纯水等处理液，从晶片上去除颗粒、有机污染物等污染的基板处理装置。作为这样的基板处理装置，公知的有具有转动以适当间隔排列了多个例如26个晶片的状态的晶片组的转子的基板处理装置。转子具有平行配置的多根例如6根保持棒，在各保持棒上形成在纵向以适当间隔分别插入26个晶片的边缘的26个保持槽。利用该6根保持棒，在6处保持晶片的边缘，可以稳定地保持晶片。另外，可以在26个保持槽组中分别保持晶片，以适当间隔平行排列26个晶片。通过利用如上构成的转子转动晶片，喷上药液等，可以从晶片上没有遗漏地去除颗粒等。
但是，现有的基板处理装置中，具有以下问题，在转子的转动加速时或转动减速时，晶片的转动速度不跟随转子的转动速度，产生晶片在保持槽中滑移的现象，晶片的边缘被削掉而产生颗粒。而且，由于因滑移而磨损保持槽，所以需要频繁地更换保持棒。
为了解决上述问题点，考虑了使用利用离心力对晶片边缘提供按压力的挡块，但具有若转子的转速不高，则不能得到充分的按压力的问题。另外，用于这样的挡块的、用来可靠保持晶片的橡胶等弹性部件不兼备对晶片施加药液处理的充分的耐药性和耐热性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防止基板边缘被削掉，延长保持棒的寿命，而且可以进行药液处理的基板处理装置。
本发明的第1特征在于，具有转动以适当间隔平行排列的多个基板的转子、一边通过上述转子转动基板、一边处理基板的基板处理装置，上述转子具有至少1个保持上述平行排列的多个基板的边缘的保持部件和至少1个对上述基板的边缘提供并保持按压力的按压部件，上述按压部件在上述转子静止时和转动时的任一情况下，始终对上述基板的边缘提供按压力，以保持在上述基板的边缘和上述各保持部件之间不产生偏移。这时，转子转动加速时或转动减速时，不会因晶片边缘被削掉而产生颗粒。另外，防止保持槽被磨耗，从而可以延长寿命。
本发明的第2特征在于，上述按压部件具有分别对应上述多个基板配置的多个按压挡块和并列支持上述多个按压挡块的叉杆。在此，与将多个按压挡块和叉杆作为一体加工时相比，可以提高按压挡块的加工精度，降低制造成本。
本发明的第3特征在于，上述按压挡块具有与上述基板的边缘对接的对接部和弹性变形的变形部，通过上述对接部被压向基板边缘并移动，在上述变形部产生挠曲，使上述按压力作用。
本发明的第4特征在于，在上述对接部形成大致V字形的槽，在上述槽插入并保持基板边缘。
本发明的第5特征在于，上述对接部具有使上述基板的边缘和上述各保持部件之间不产生偏移的摩擦系数。
本发明的第6特征在于，构成为可以调整上述挠曲的量。这样，可以调整对晶片的按压力。
本发明的第7特征在于，上述对接部设置在与从上述转子搬入搬出上述基板的位置对置的一侧。在此，搬入晶片时，可以将晶片的边缘顺畅地插入对接部的大致V字形的槽，在搬出晶片时，可以将晶片的边缘从槽顺畅地拔出。
本发明的第8特征在于，上述按压挡块还具有在上述V字形槽将上述基板的边缘引导到上述对接部以前引导上述基板的边缘的引导部。
本发明的第9特征在于，上述按压挡块还具有与上述基板的边缘对接的对接面。
本发明的第10特征在于，上述按压挡块具有至少1个伴随上述转子的转动而由离心力从上述叉杆的周围排出液体的排液孔。
本发明的第11特征在于，具有限制上述按压挡块的转动的制动器。
本发明的第12特征在于，上述按压挡块具有至少1个伴随上述转子的转动而由离心力从上述制动器的周围排出液体的排液孔。
本发明的第13特征在于，上述按压挡块具有至少1个伴随上述转子的转动而由离心力从上述基板的边缘和上述按压挡块之间排出液体的排液孔。
本发明的第14特征在于，使上述多个按压挡块的各侧面接触且并列支持，在该各侧面具有至少1个从上述叉杆的周围排出液体的排出槽。这样，例如在旋转干燥处理时，顺畅地排出附着在按压部件上的液体，可以缩短干燥处理所用的时间。
本发明的第15特征在于，上述按压挡块具有对药液的耐药性。
本发明的第16特征在于，上述按压挡块具有耐热性。
本发明的第17特征在于，上述保持部件设置有多个，该多个保持部件中的至少1个是活动保持部件，以便获得可将上述基板搬入搬出上述转子内的打开状态和可将上述基板保持在上述转子内的关闭状态。
本发明的第18特征在于，上述按压部件设置在隔着上述转子的中心与上述活动保持部件对置的位置。
本发明的第19特征在于，上述按压部件具有在上述多个基板的配置方向延续的叉杆和与该叉杆嵌合配置的按压片，该按压片具有围绕上述叉杆并成为筒状、在上述基板的配置方向延续的主体和，从该主体对应上述多个基板突出形成、同时对于上述主体弹性变形的多个变形部。
本发明的第20特征在于，上述主体具有与上述基板的外缘对接的对接面，上述变形部在其前端具有按压上述基板的外缘的对接部。
附图简述
图1是安装了本实施例的基板处理装置的清洗处理单元和载物部的截面图。
图2是将内侧腔放入外侧腔内部的状态的基板处理装置的截面图。
图3是转子的透视图。
图4是沿着图2中的I-I线剖开的截面图。
图5是沿着图4中的II-II线剖开的截面图。
图6是放大示出由转子支持开闭的保持棒的结构的截面图。
图7A是按压挡块的平面图，图7B是按压挡块的侧视图，图7C是放大示出按压挡块的对接部的正视图。
图8是说明并列支持按压挡块，与晶片对接的状态的透视说明图。
图9是沿着图4中的III-III线的截面图，放大示出由转子支持作为按压部件的保持棒的结构的截面图。
图10是另一实施例的转子的截面图。
图11A是另一实施例的按压挡块的平面图，图11B是该按压挡块的侧视图。
图12A是作为一体成形的按压部件的平面图，图12B是该按压部件的侧视图。
发明的实施例
以下，基于清洗作为基板的一例的晶片的基板处理装置说明本发明的优选实施例。图1示出在清洗处理系统的清洗处理单元1中安装了本实施例的基板处理装置12的状态。
如图1所示，在清洗处理系统中设置有对晶片W实施药液处理和干燥处理的清洗处理单元1和将载体C搬入搬出清洗处理单元1的载物部3。清洗处理单元1和载物部3之间设有垂直设置的分割壁5。
清洗处理单元1具有用于使载体C等待的载体等待部11和设置在载体等待部11上方的本实施例的基板处理装置12和在由载体等待部11等待的载体C和基板处理装置12之间升降移动晶片W的晶片移动机构14。
载物部3具有载置载体C的载物台20和将载体C向水平方向移动并相对于清洗处理单元1搬入搬出的载体传送机构21。在从清洗处理系统的未图示的容器搬入搬出部载置到该载物台20上的载体C内，例如26个等多个晶片W以垂直且相互以适当间隔排列的状态被容纳。
在分割壁5上形成有可由挡板25开关的开口部26。将载体C搬入搬出清洗处理单元1时，打开挡板25，使载体C和载体传送机构21通过开口部26。
在通过开口部26并由载物台20传送到载体等待部11的载体C内垂直容纳有多个晶片W。晶片移动机构14从由载体等待部11等待的载体C的下方将晶片保持部件31插入载体C内，将多个晶片W维持相互垂直且以适当间隔排列的状态并由晶片保持部件31提升，原样上升移动晶片保持部件31，将多个晶片W搬入上方的基板处理装置12内。另一方面，在从基板处理装置12内搬出多个晶片W时，通过晶片保持部件31接收多个晶片W，通过原样下降移动将多个晶片W支撑在垂直且相互以适当间隔排列的状态的晶片保持部件31，将多个晶片W容纳在载体C内，使晶片保持部件31通过载体C内并下降。另外，晶片保持部件31固定在由升降机构33的驱动升降的升降部件34的上端，通过升降部件34在垂直方向升降，进行上升、下降移动。
如图1和图2所示，基板处理装置12具有垂直设置的支持壁42、使转动中心轴RO为水平并固定在支持壁42上的电动机43、电动机43的转动轴44、安装在转动轴44的前端的转子45、围绕转动轴44的圆筒状的外壳46、构成为由外壳46支持、围绕转子45的外侧腔47和向外侧腔47的内侧移动、以围绕转子45的状态进行药液处理的内侧腔48。
电动机43的转动轴44经未图示的轴承贯通外侧腔47的电动机43侧的垂直壁47a，向外侧腔47a内突出。转动轴44的前端部与转子45的后部连接。在垂直壁47a的中央部设置有将转子和转动轴44之间密封的未图示的密封机构。
转子45在晶片以相互平行的姿势、以适当间隔在水平方向排列的状态保持垂直的多个(例如26个)大致圆盘形状的晶片W。由转子45保持的各晶片W的中心位于电动机43和转动轴44的转动中心轴RO上。另外，若通过电动机43经转动轴44转动转子45，则可以一体转动转子45和由转子45保持的多个晶片W。以后说明该转子45的结构。
外侧腔47具有在转子45的外侧以规定间隔设置的圆筒状的外筒47c。另外，外筒47c在搬入晶片W时退避到图1中的右侧，以围绕外壳46的外侧的状态等待。
内侧腔48具有直径比外侧腔47的外筒47c小的圆筒状的内筒48c，内筒48c可以在图1的药液处理位置和图2的退避位置间移动。另外，如图1所示，内筒48c在外侧腔47的外侧的退避位置时，形成由外侧腔47隔开的处理空间S1。如图2所示，内筒48c在外侧腔47的内侧的药液处理位置时，形成由内筒48c和垂直壁47a、47b隔开的处理空间S2。另外，处理空间S1和处理空间S2由密封机构成为封闭空间。在处理空间S2进行后述的药液处理工艺和甩掉处理工艺，在处理空间S1进行漂洗处理工艺和干燥处理工艺。
在处理空间S1的上方以外筒47c的圆筒轴方向为纵向，配置有2个吐出喷嘴61。在各吐出喷嘴61上分别安装有在圆筒轴方向并列的多个吐出口62。在各吐出喷嘴61上连接有供给管道64，从未图示的纯水供给源通过该供给管道64，从各吐出口62向晶片W吐出作为漂洗液的纯水(DIW)。另外，从未图示的IPA供给源通过供给管道64，从各吐出口62向晶片W吐出IPA蒸汽。
在处理空间S2的上方以内筒48c的圆筒轴方向为纵向，配置有2个吐出喷嘴71。在各吐出喷嘴71上分别安装有在圆筒轴方向并列的多个吐出口72。如图2所示，在各吐出喷嘴71上连接有供给管道74，从未图示的药液供给源通过该供给管道74，从各吐出口72向晶片W吐出药液。
在上述外侧腔47的前端侧的垂直壁47b的下部设置有从处理空间S2排出用过的药液等的第1排液口81，在第1排液口81的下方设置有从处理空间S1排出用过的纯水等的第2排液口82。另外，在第1排液口81和第2排液口82上分别连接有第1排液管83和第2排液管84。
在垂直壁47b的上部设置有排出处理空间S2的气体的第1排气口85，在第1排气口85的上方设置有排出处理空间S1的气体的第2排气口86。在该第1排气口85和第2排气口86上分别连接有第1排气管87和第2排气管88。
下面，说明转子45的结构。图3是表示转子45的概要结构的透视图。如图3所示，转子45具有可插入26个晶片W的、以规定间隔配置的一对圆盘91、92。圆盘91配置在外侧腔47的电动机43一侧的垂直壁47a一侧，安装在转动轴44的前端。圆盘92配置在外侧腔47的前端一侧的垂直壁47b一侧。另外，一起工作并保持插入这些圆盘91、92之间的26个晶片W的边缘的6根保持棒95、96、97、98、99在以转动中心轴RO为中心的圆周上，分别以在水平方向相互平行的姿势配置。另外，作为对由该保持棒95～99保持的晶片W的边缘提供按压力的按压部件的保持棒100配置成与保持棒95～99平行。
图4是转子45的图2中的I-I截面图，示出装入和退出晶片W时的转子45的姿势。由保持棒95～100所围的空间成为晶片W的保持空间S3，通过由这些6根保持棒95～100保持晶片W的边缘，将装入到转子45中的晶片W以垂直姿势保持。将晶片W装入和退出转子45时，将保持棒95、96向晶片W的下方移动。如图4所示，从垂直壁47b一侧看到装入和退出晶片时的转子45的状态如下，在夹着与转动中心轴RO正交的垂直线VO对称的、由保持空间S3保持的晶片W的下部右侧、下部左侧分别对接保持棒95、96，在夹着转动中心轴RO对称的、晶片W的中央部右侧、中央部左侧分别对接保持棒97、98，在晶片W的上部左侧对接保持棒99。保持棒100与晶片W的上部右侧对接。
另外，在每个保持棒95、96、97、98、99上分别以等间隔设置26个保持槽95a、96a、97a、98a、99a。使保持棒95、96、97、98、99保持晶片W的边缘时，在保持槽95a、96a、97a、98a、99a中分别插入晶片W的边缘的上部右侧、上部左侧、中央部右侧、中央部左侧、下部右侧、下部左侧。这样，形成了平行且以等间隔保持26个晶片W的结构。
首先，说明保持晶片W的边缘的下部右侧的保持棒95的结构。如图3所示，在圆盘91、92上，在各保持空间S3一侧的面的下部右侧具有相对圆盘91、92可摇动的臂101、102。保持棒95由该臂101、102分别支持两端。
图5是转子45的图4中的II-II截面图，示出保持棒95、97、100的结构。如图5所示，在圆盘91的右侧，在水平方向的中心线的下侧位置贯通有连结孔104，转动连结轴105配置成在连结孔104内可转动。在转动连结轴105的转动轴44侧固定有平衡负荷110的下端(基端)。在转动连结轴105的保持空间S3侧固定有臂101的上端(基端)。另外，在臂101的下端(前端)固定有保持棒95的端部。
另外，在圆盘92的右侧，在水平方向的中心线的下侧位置贯通有连结孔114，转动连结轴115配置成在连结孔114内可转动。在保持空间S3的外侧，在转动连结轴115上固定有平衡负荷120的下端(基端)。在转动连结轴115的保持空间S3侧固定有臂102的上端(基端)。另外，在臂102的下端(前端)固定有保持棒95的另一端部。
若平衡负荷110、120的各前端分别向圆盘91、92的外侧移动，则转动连结轴105、115转动，臂101、102的前端分别向圆盘91、92的内侧移动，保持棒95与晶片W的边缘对接。
另外，在圆盘91、92的保持空间S3的外侧面上分别突出有锁销133、134，防止平衡负荷110、120向外侧做超出必要的移动。从而，使保持棒95不用大于必要的力来按压晶片W的边缘。另外，还作为用来防止平衡负荷向外侧过度打开接触外侧腔47、内侧腔48的内壁的制动器工作。
图6是放大示出保持棒95连接到臂102的部分的图。保持棒95由在纵向以一定间隔设置26个保持槽95a的保持槽部件140和支持保持槽部件140的安装部件142构成。如图6所示，安装部件142的端部固定在臂102的前端。同样，安装部件142的另一端固定在臂101的前端。保持槽部件140在纵向的多处由安装螺钉143安装在安装部件142。
图6中，保持槽95a设置在保持槽部件140的上面，具有大致V字形的截面，在对置的斜面之间插入晶片W的边缘，通过将晶片W两面的边缘角部与各斜面分别对接，保持晶片W的边缘。
在保持槽部件140的侧面形成有从晶片W的中心向放射方向延伸的多个液切槽151。如图11所示，液切槽151形成为通过安装螺钉143的中心和两端，另外，形成在水平方向连接多个液切槽151的液切槽152。在此，可以将贮留在安装螺钉143的周围的液体从液切槽151顺畅地排出。另外，在保持槽部件140和安装部件142的对接面上也形成液切槽151、152，保持槽部件140和安装部件142间贮留的液体从液切槽151顺畅地排出。
图4中，保持晶片W的边缘的下部左侧的保持棒96具有以垂直线VO为中心、与上述保持棒95对称的结构。如图3所示，与圆盘91、92的下部右侧同样，下部左侧也分别配置有相对圆盘91、92可摇动的臂101、102。保持棒96由臂101、102分别支持两端。
保持棒95、96的各平衡负荷110由设置在转动轴44侧的未图示的切换机构，可向圆盘91的外侧和内侧移动。这样，图4中，保持棒95、96构成为以垂直线VO为中心、相互接近、远离。在由作为上述晶片W的搬入搬出机构的晶片移动机构14往转子45装入晶片W时，以及从转子45由晶片移动机构14退出晶片W时，打开该保持棒95、96。开放状态的保持棒95、96之间成为晶片W的装入、退出位置。另外，保持插入到保持空间S3的晶片W时，关闭保持棒95、96，由保持棒95、96分别保持晶片W的下部右侧、下部左侧。另外，可以在关闭了保持棒95、96的状态下转动转子45。
由于保持棒97、98、99具有同一结构，所以作为一例，说明保持棒97的结构。支持图4所示的晶片W的中央部右侧的保持棒97，如图5所示，架设在圆盘91、92间的中央部右侧。在保持棒97外周部，在保持棒97的纵向以一定间隔设置有26个保持晶片W的边缘的保持槽97a。另外，保持槽97a具有大致V字形的截面，在与大致V字形对置的斜面之间插入晶片W的边缘，保持晶片W两面的边缘角部分别与斜面对接。
图4中，分别保持晶片W的边缘的上部左侧、中央部左侧的保持棒98、99与图5所示的保持棒97同样，分别架设在圆盘91、92间的中央部左侧、上部左侧，在外周部，在纵向分别以一定间隔设置26个保持晶片W的边缘的保持槽98a、99a。
下面，说明作为上述按压部件的保持棒100的结构。保持棒100由与26个晶片W分别对应配置、与各晶片W的边缘分别对接并提供按压力的26个按压挡块160和，支持各按压挡块160的叉杆161构成。如图5所示，26个按压挡块160在使按压挡块主体165的两侧面165a、165b之间对接的状态下，在叉杆161的纵向并列配置，叉杆161的两端固定在圆盘91、92上。
如图7所示，在按压挡块160的按压挡块主体165上贯通有与叉杆161嵌合的叉杆嵌合孔166。另外，贯通有插入防止按压挡块160在叉杆161的周围转动的制动器168的制动器插入孔170。
另外，形成有从按压挡块主体165梁状突出的变形部180。在变形部180的前端设置有与晶片W的边缘对接的对接部182。例如，变形部180的中心轴形成为与叉杆161的中心轴正交。变形部180的截面形状形成为例如宽度5mm左右、高度1mm左右的长方形状。另外，图7B中，按压挡块主体165的左下的外周面形成为曲面，形成为与晶片W的边缘面对接的对接面183。
图7B中，在对接部182的下面形成具有向下方开口的大致V字形截面的保持槽184。如图7C所示，在与保持槽184的大致V字形对置的斜面之间插入晶片W的边缘，保持晶片W两面的边缘角部分别与斜面对接。
如图4所示，按压挡块160将对接部182和对接面183朝向保持空间S3配置在转子45上。另外，图4所示的装入、退出晶片W时，将按压挡块160配置在晶片W的上部右侧的状态下，对接部182配置为比按压挡块主体165高地位于晶片W的上端侧。即，对接部182构成为与装入、退出时的晶片W的上端附近对接。在此，保持空间S3的下端成为开闭上述保持棒95、96，使转子45装入和退出晶片时的装入、退出位置，对接部182设置在与转子45的装入、退出位置对置一侧。在此，从转子45的下部搬入晶片W时，由于将晶片W从装入、退出位置朝对接部182上升，所以可以将晶片W的边缘从下方顺畅地插入到保持槽184中。另外，从转子45搬出晶片时，由于将晶片W朝转子45的下部的装入、退出位置下降，所以可以将晶片W的边缘从保持槽184向下方顺畅地拔出。
将晶片W从装入、退出位置上升移动时，在保持槽184中插入晶片W的边缘，对接部182被压向晶片W的边缘，相对于按压挡块主体165移动，在变形部180产生挠曲。另外，由于变形部180的挠曲，产生对接部182将晶片W的边缘向晶片W的中心侧按压的按压力。
另外，由上述按压挡块主体165、变形部180、对接部182构成的按压挡块160一体成形，例如为PEEK(聚醚酮醚)制。在此，可以使按压挡块160兼有对晶片W进行药液处理时要求的充分的耐药性和耐热性。另外，使变形部180弹性变形，可以在保持槽95a、96a、97a、98a、99a处产生按压晶片W所要求的按压力。另外，可以具有对接部180的保持槽184和晶片W的边缘间不产生偏移程度的静摩擦系数。
另外，按压挡块主体165具有从叉杆161的周围排出液体的排液孔190。排液孔190从叉杆嵌合孔166的内周面贯通到按压挡块主体165的外周面。一转动转子45，就可以将叉杆嵌合孔166的内周面和叉杆161之间贮留的液体利用离心力从排液孔190向转子45的外侧排出。
另外，按压挡块主体165具有从制动器168的周围排出液体的排液孔192。排液孔192从制动器插入孔170的内周面贯通到按压挡块主体165的外周面。一转动转子45，就可以将制动器插入孔170的内周面和制动器168之间贮留的液体利用离心力从排液孔192向转子45的外侧排出。
另外，图示例中，制动器插入孔170设置为在叉杆嵌合孔166的内周面开口的截面U字形的槽，排液孔192在制动器插入孔170的里面开口。另外，形成制动器插入孔170和排液孔192从叉杆161的中心向放射方向连通的状态。从而，排液孔192可以将叉杆嵌合孔166内的液体利用离心力排出。
另外，按压挡块主体165具有从晶片W的边缘和按压挡块160之间利用离心力排出液体的排液孔193。图7B中，排液孔193从按压挡块主体165的变形部180的基端侧的外周面贯通到按压挡块160的上面。这样，从按压挡块主体165的外周面、变形部180的外周面和晶片W的边缘所围的空间顺畅地排出液体。一转动转子45，就可以将晶片W的边缘和按压挡块160之间贮留的液体利用离心力从排液孔193向转子45的外侧排出。
另外，排液孔190、192、193也可以设置多个。例如，也可以设置多个朝向以叉杆嵌合孔166为中心的放射方向的多个排液孔190。
另外，在按压挡块主体165的两侧面165a、165b上刻设有从邻接的按压挡块160之间排出液体的1个或多个排出槽194。排出槽194开口为朝向以叉杆嵌合孔166为中心放射的方向，从叉杆嵌合孔166的周边连到按压挡块主体165的外缘。图示例子中，形成为8个排出槽194相互在以叉杆嵌合孔166为中心的放射方向上延伸。另外，按压挡块160的侧面165a、165b的排出槽194以对称的形式设置。即，邻接多个按压挡块160并由叉杆161支持时，如图8所示，按压挡块160的侧面165b和邻接的按压挡块160’的侧面165b’对接，侧面165a、165b’的各排出槽194相邻连通，形成排液路径197。排液路径197从叉杆161向按压挡块主体165的外周侧贯通，可以排出叉杆161周围贮留的液体。
如图9所示，在圆盘91的上部右侧设置有贯插叉杆161的贯通孔201。在成为保持空间S3的外侧的圆盘91的外面侧配置有从圆盘91的外面侧堵塞贯通孔201的固定部件204，在成为保持空间S3侧的圆盘91的内面侧配置有从圆盘91的内面侧堵塞贯通孔201的固定部件205。另外，在固定部件205和按压挡块160之间配置有固定部件207。叉杆161通过这些固定部件207、205、204的内部并向固定部件204的外面侧突出。另外，在固定部件204的外面侧突出的叉杆161的前端拧有盖形螺母210。另外，制动器168的前端与固定部件207的内侧面接触。另外，如图5所示，在圆盘92上也设置有与圆盘91同样的、贯通孔201、固定部件204、固定部件205、固定部件207、盖形螺母210。
若分别拧紧设置在圆盘91、92的盖形螺母210，则制动器168的前端固定在固定部件207的内侧面，并且，由于侧面165a、165b相互按压，所以即使在各变形部180产生挠曲，也形成各按压挡块主体165相对叉杆161不活动的状态。另一方面，若分别松开盖形螺母210，则可以将制动器168的前端位置相对固定部件207的内侧面进行改变，可以调整各变形部180的中心轴的垂直方向的倾角。
提高晶片W的转动加速度和转动减速度来处理时，将各变形部180的中心轴的倾角向挠曲量增大的方向变化，加强从对接部182向晶片W的边缘作用的按压力。这样，由于晶片W的边缘受到各保持槽184、95a、96a、97a、98a、99a、对接面183较强的按压，所以可以将各保持槽184、95a、96a、97a、98a、99a、对接面183和晶片W的边缘间的最大静摩擦力分别设定为更大的值。从而，在晶片W的边缘和各保持槽184、95a、96a、97a、98a、99a、对接面183之间不产生偏移，可以将晶片W与转子45一体转动。像这样，通过根据晶片W处理中的最大转动加速度或转动减速度，设定各变形部180的中心轴的倾角，可以经常进行在晶片W的边缘和各保持槽184、95a、96a、97a、98a、99a、对接面183之间不产生偏移的处理。
另外，在各制动器插入孔170和制动器168之间形成有微小的缝隙，可以个别微调各变形部180的中心轴的倾角。这样，例如即使各变形部180的形状和各保持槽184、95a、96a、97a、98a、99a、对接面183的位置、形状等有偏差，也可以通过个别微调从各对接部182向各晶片W的边缘作用的按压力，将对各晶片W的最大静摩擦力设定为规定值。
下面，说明采用如上构成的基板处理装置12的实施例的处理方法。首先，在载物台20上载置容纳有26个晶片W的载体C，由载体传送机构21，将该载体C从开口部26搬入清洗处理单元1。另外，使载体等待部11等待载体C，关闭挡板25并密封开口部26。
之后，在基板处理装置12成为将外侧腔47的外筒47c和内侧腔48的内筒48c退避到围绕外壳46的位置的状态。另外，由未图示的驱动汽缸将保持棒95、96移动到开放位置，成为开放保持空间S3的状态。
接着，上升移动晶片移动机构14的晶片保持部件31，由晶片保持部件31将26个晶片W从载体C内提升，将26个晶片W从保持棒95、96之间装入转子45的保持空间S3内。在此，晶片W的边缘从下方顺畅地插入位于保持空间S3的上端附近的对接部182的保持槽184内，对接部182由晶片W的边缘上端按压上升，成为在变形部180产生了弯曲变形的状态。
之后，通过由未图示的切换机构将保持棒95、96移动至闭锁位置，关闭保持空间S3，成为在保持槽184、95a、96a、97a、98a、99a中插入晶片W的边缘的状态之后，下降退避晶片保持部件31。这样，形成将保持空间S3内的26个晶片W以适当间隔排列的、通过保持棒95、96、97、98、99、100保持的状态。此时在由保持棒100保持的晶片W的上端附近作用有将晶片W向下方按压的力。由该按压力，将晶片W的边缘按压在各保持槽96a、97a、98a、99a、100a中，可靠保持晶片W，以便晶片W的边缘和各保持棒95～100之间不产生偏移。
另外，在装入了晶片W的转子45的外侧配置外筒47c和内筒48c，如图2所示，以在外侧腔47的内部放入内侧腔48的状态，形成密闭状态的处理空间S2。
接着，开始转子45的转动，从静止状态加速到规定的转动速度。像这样加速转子45时，由于保持棒100的对接部182对晶片W的边缘提供按压力，所以相对于各保持槽184、95a、96a、97a、98a、99a、以及对接面183，按压晶片W的边缘，抑制滑移。像这样，在保持晶片W的边缘和各保持棒95～100之间不产生偏移的状态下，可以一体转动晶片W和转子45。另一方面，从吐出喷嘴71吐出药液，对转动的各晶片W喷射药液。这样，去除附着在晶片W上的颗粒、有机污染物等污染。
药液处理结束后，将晶片W以比药液处理时更高的速度转动，利用离心力甩掉去除附着在晶片W的药液。在此，附着在保持棒100上的药液和颗粒由离心力，从排液孔190、192、193以及排液路径197顺畅地排出。另外，附着在保持棒95、96上的药液、漂洗液等液体由离心力从液切槽151、152顺畅地排出。从而，可以有效进行甩掉处理。另外，将转子45比药液处理时更高速转动地加速时，由于对接部182对晶片W的边缘提供按压力，所以可以在保持晶片W的边缘和各保持棒95～100之间不产生偏移的状态下进行转动。
在甩掉处理后，将内筒48c从外筒47c的内侧退避到外壳46的外侧，在外侧腔47内形成处理空间S1。接着，从吐出喷嘴61吐出纯水，对各晶片W喷射纯水进行漂洗处理。漂洗处理时，以比甩掉处理时更低的速度转动转子45。将转子45从甩掉处理时的高速转动减速到低速转动时，由于对接部182对晶片W的边缘提供按压力，所以可以在保持晶片W的边缘和各保持棒95～100之间不产生偏移的状态下进行转动。
漂洗处理后，将晶片W以比漂洗处理时更高的速度转动，例如一边以800rpm转动，一边将氮气等非活性气体或挥发性和亲水性高的IPA蒸汽等吹到晶片W上，进行干燥处理。从漂洗处理转移到旋转干燥处理时，将转子45从低速转动加速到高速转动时，由于对接部182对晶片W的边缘提供按压力，所以可以在保持晶片W的边缘和各保持棒95～100之间不产生偏移的状态下转动。干燥处理中，附着在保持棒100上的药液、漂洗液等液体由离心力从排液孔190、192、193以及排液路径147顺畅地排出。另外，附着在保持棒95、96上的药液、漂洗液等液体由离心力从液切槽151、152顺畅地排出。从而，可以有效进行干燥处理。
干燥处理结束之后，停止转子45的转动。此时，也由于对接部182对晶片W的边缘提供按压力，所以可以在保持晶片W的边缘和各保持棒95～100之间不产生偏移的状态下进行减速并停止。另外，将外筒47c退避到围绕内筒48c和外壳46的位置，上升移动晶片保持部件31，支持由转子45保持的晶片W的下方。接着，由未图示的切换机构将保持棒95、96移动到开放位置，将晶片保持部件31传递给晶片W。接着，通过下降移动晶片保持部件31，从保持空间S3退避晶片W。此时，由于与晶片W的边缘上部对接的对接部182将晶片W的边缘从下方插入保持槽184，所以在下降晶片W时，可以将晶片W的边缘从保持槽184顺畅地拔出。
这样，从基板处理装置12搬出的晶片W再次容纳到载体等待部11上的载体C中，从清洗处理单元1搬出。
根据有关的基板处理装置12，对晶片W的边缘提供按压力，防止在转动中晶片W的边缘在各保持槽184、95a、96a、97a、97a、98a、99a内滑移。另外，晶片W在转动加速时、转动减速时，也一直对晶片W的边缘提供按压力，防止滑移。从而，晶片W的边缘不会被削掉。另外，由于能够抑制各保持槽184、95a、96a、97a、97a、98a、99a的磨耗，所以可以延长保持棒95、96、97、98、99、100的寿命。另外，由于可个别调整由叉杆161支持的按压挡块160的倾角，所以可以调整为对晶片W的边缘分别提供最佳的按压力。可以将晶片W的边缘对保持槽184顺畅地插入、拔出。
另外，通过将按压挡块由PEEK制成，产生晶片W不产生偏移的充分的按压力，并且，可使之兼有进行药液处理时基板处理装置对保持棒要求的充分的耐药性和耐热性。
以上，示出了本发明的优选实施例的一例，但本发明不限于此。例如，基板不限于半导体晶片，也可以是此外的LCD基板用玻璃、CD基板、印刷电路板、陶瓷基板等。另外，本发明不限于提供药液清洗基板的基板处理装置和基板处理方法，也可以是采用其它各种处理液等，对基板实施清洗以外的其它处理的基板处理装置和基板处理方法。
如图10所示，按压挡块160配置为对接部182比按压挡块主体165靠右地位于晶片W的右侧。在此，如图11所示，最好设置引导部220。在该引导部220形成有具有大致V字形截面的引导槽222，在引导槽222对置为大致V字形的斜面之间可以插入晶片W的边缘。引导部220比对接部182靠前地形成在前端侧，图10中，比对接部182靠下地配置在下侧。这样，从下侧插入晶片W时，首先使晶片W的边缘对接引导部220，可以将晶片W的边缘顺畅地引导到对接部182的保持槽184内。
也可以不是个别形成多个按压挡块160，如图12A、B所示，可以是成形为在与晶片W的边缘对接的位置设置多个对接部182的一体的按压部件225。按压部件225具有对应晶片W个数的多个从贯通叉杆嵌合孔166的主体227呈梁状突出的变形部180，在各变形部180的前端分别设置有对接部182。另外，并列设置有从晶片W的边缘和按压部件225之间由离心力排出液体的多个排液孔193。在叉杆嵌合孔166的两端分别设置有分别插入制动器230的制动器插入孔231。个别形成多个按压挡块160时，与按压部件225进行相比，可以容易提高加工精度。从而，可以降低保持棒95的制造成本。另外，可以个别调整对各晶片W的边缘作用的按压力。另一方面，在按压部件225的情况下，优点是在叉杆161的周围难以贮留液体，不需要设置排出贮留在叉杆161的周围的液体的排液路径。
本实施例中，说明了保持棒95～100中的1个保持棒100具有作为按压部件的结构的情况，当然，也可以是其它保持棒具有同样作为按压部件的结构，或者是新追加作为按压部件的保持棒的结构。
根据本发明，通过对基板的边缘提供按压力，防止转动中基板的边缘在保持槽内滑移。从而，晶片W的边缘不会被削掉。另外，可以延长保持棒的寿命。另外，可以个别调整为对基板的边缘作用最佳的按压力。可以将基板的边缘对保持槽顺畅地插入、拔出。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，具有转动以适当间隔平行排列的多个基板的转子，一边通过上述转子转动基板，一边处理基板，其特征在于：
上述转子具有至少1个保持上述平行排列的多个基板边缘的保持部件和至少1个对上述基板的边缘提供并保持按压力的按压部件，
上述按压部件在上述转子静止时和转动时的任一情况下，始终对上述基板的边缘提供按压力，保持在上述基板的边缘和上述各保持部件之间不产生偏移。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
上述按压部件具有分别对应上述多个基板配置的多个按压挡块和并列支持上述多个按压挡块的叉杆。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
上述按压挡块具有与上述基板的边缘对接的对接部和弹性变形的变形部，
通过将上述对接部压向基板边缘并移动，在上述变形部产生挠曲，使上述按压力作用。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
在上述对接部形成大致V字形的槽，在上述槽中插入并保持基板边缘。
5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
上述对接部具有使在上述基板的边缘和上述各保持部件之间不产生偏移的摩擦系数。
6.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
构成为可以调整上述挠曲的量。
7.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
上述对接部设置在与将上述基板搬入搬出上述转子的位置对置的一侧。
8.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：
上述按压挡块还具有在上述V形槽将上述基板的边缘引导到上述对接部以前引导上述基板的边缘的引导部。
9.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
上述按压挡块还具有与上述基板的边缘对接的对接面。
10.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
上述按压挡块具有至少1个伴随上述转子的转动而由离心力从上述叉杆的周围排出液体的排液孔。
11.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
具有限制上述按压挡块的转动的制动器。
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于：
上述按压挡块具有至少1个伴随上述转子的转动而由离心力从上述制动器的周围排出液体的排液孔。
13.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
上述按压挡块具有至少1个伴随上述转子的转动而由离心力从上述基板的边缘和上述按压挡块之间排出液体的排液孔。
14.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
使上述多个按压挡块的各侧面接触且并列支持，在该各侧面具有至少1个从上述叉杆的周围排出液体的排出槽。
15.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
上述按压挡块具有对药液的耐药性。
16.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
上述按压挡块具有耐热性。
17.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
上述保持部件设置有多个，该多个保持部件中的至少1个是活动保持部件，以便获得可将上述基板搬入搬出上述转子内的打开状态和可将上述基板保持在上述转子内的关闭状态。
18.如权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于：
上述按压部件设置在隔着上述转子的中心与上述活动保持部件对置的位置。
19.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
上述按压部件具有在上述多个基板的配置方向延续的叉杆和与该叉杆嵌合配置的按压片，
该按压片具有围绕上述叉杆并成为筒状、在上述基板的配置方向延续的主体，和从该主体对应上述多个基板突出形成、同时对于上述主体弹性变形的多个变形部。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于：
上述主体具有与上述基板的边缘对接的对接面，上述变形部在其前端具有按压上述基板的边缘的对接部。
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