CN103980528B - 一种电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法 - Google Patents

一种电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103980528B
CN103980528B CN201410232298.9A CN201410232298A CN103980528B CN 103980528 B CN103980528 B CN 103980528B CN 201410232298 A CN201410232298 A CN 201410232298A CN 103980528 B CN103980528 B CN 103980528B
Authority
CN
China
Prior art keywords
polyamic acid
deposition
electro
prepares
kapton
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410232298.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103980528A (zh
Inventor
李垚
刘俊凯
赵九蓬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin Institute of Technology
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN201410232298.9A priority Critical patent/CN103980528B/zh
Publication of CN103980528A publication Critical patent/CN103980528A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103980528B publication Critical patent/CN103980528B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本发明公开了一种电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法。本发明的方法主要包括以下步骤:模板制备;聚酰胺酸乳液制备;电沉积聚酰胺薄膜;去除模板,表面涂覆聚酰胺酸溶液并加热固化得到致密的聚酰胺薄膜,梯度升温亚胺化制备聚酰亚胺薄膜。本发明的方法整个工艺过程安全,无需昂贵设备,且操作流程简单,制备的聚酰亚胺薄膜表面平整致密,具有超低介电常数,气孔三维有序排布,且孔径尺寸可控,具有良好的力学性能,在电工、电子信息、军事、航空航天等方面具有广阔的应用前景。

Description

一种电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法
技术领域
本发明属于有机薄膜制备技术领域,具体是涉及一种电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法。
背景技术
微电子技术发展迅速,尤其是大规模集成电路技术,器件密度和连线密度增加,导致信号传输延迟和串扰,限制了器件性能的提升,并且对器件材料的耐热性能提出更高的要求。为降低信号传输延迟和串扰和介电损耗,提升器件性能,要求导电层间绝缘材料具有低的介电常数和较高的耐热性能。
聚酰亚胺独特的分子结构,使其具有一系列优异性能,比如良好的耐热性能、较高力学性能和优异电性能,其耐热温度可超过400℃,介电常数为3-4,具有广泛应用于微电子行业的巨大潜力。
虽然聚酰亚胺的具有较低介电常数,但面对飞速发展的微电子技术,已不能满足当今微电子行业的需求,因此,近年来超低介电常数聚酰亚胺研究引起广泛重视。
降低聚酰亚胺介电常数的方法主要有:(1)降低聚酰亚胺分子中极化基团的作用,通常是引入氟原子或原子基团,但含氟聚酰亚胺的价格昂贵,难以大规模应用;(2)在分子中引入大的侧基,提高聚酰亚胺分子的自由体积,此方法对自由体积的提高程度有限,难以大幅度降低聚酰亚胺的介电常数;(3)制备内部多孔的聚酰亚胺材料,空气为已知的自然界介电常数最低的物质,空气的引入可以大幅度降低聚酰亚胺的介电常数,是目前降低聚酰亚胺介电常数最有效的方法,且成本较低,易于大规模生产。
已有的制备多孔聚酰亚胺薄膜的方法主要有以下几种:(1)模板法,专利CN1760241。(2)热分解法,专利US5776990(3)超临界二氧化碳法,专利US6372808。上述方法均存在一些问题,如原料成本高,气孔孔径尺寸、形状和孔隙率难以调控,薄膜的力学性能显著降低。超临界二氧化碳法方法复杂,原料成本高。
为进一步降低聚酰亚胺薄膜介电常数,同时使聚酰亚胺薄膜具有较高的力学性能。本发明提出一种在模板上电沉积聚酰胺酸,制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法,所获得的薄膜具有超低介电常数,孔径尺寸及孔隙率易于控制,同时保持良好力学性能。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述技术问题,本发明提供了一种电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法。
一种电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法,其特征在于,包括下述步骤:
(1)制备模板
将微球分散到分散剂中,配制微球均匀分散的分散液;将洁净的基板放入培养瓶,瓶中注入适量的分散液,将培养瓶放入温度为30-60℃的培养箱中,待溶剂挥发制得电沉积用模板;
(2)制备聚酰胺酸乳液
(2.1)将聚酰亚胺的前驱体聚酰胺酸溶于适当的有机极性溶剂中,或将二酐与二胺单体按比例加入极性有机溶剂中在15-50℃下加热搅拌10-25小时,得到聚酰胺酸溶液,溶液中聚酰胺酸的质量分数为12%;
(2.2)取步骤(2.1)制得的聚酰胺酸溶液,降温至0-10℃,加入适量缚酸剂,搅拌器搅拌0.5-3h,然后加热到20-40℃,升温速率为1-5℃/min,最后加入适量的乳化剂和极性有机溶剂,继续搅拌1-10h,得到电沉积用聚酰胺酸乳液,电沉积用乳液中缚酸剂与羧基的摩尔比为0.25-1.5:1,乳化剂与极性有机溶剂的体积比为2-4:1,聚酰胺酸的质量分数为1-7%;
(3)电沉积聚酰胺酸薄膜
以步骤(1)制得的电沉积用模板作为工作电极,对电极与工作电极相对放置,距离为5-15cm,使用电泳仪或电化学工作站用电沉积法沉积步骤(2)所制得的电沉积用聚酰胺酸乳液,得到聚酰胺酸薄膜,沉积电压为1-200V,沉积时间为1-20min;
(4)去除模板
将步骤(3)所得的沉积有聚酰胺酸薄膜的基板放入真空干燥箱中,在25-40℃下脱除气泡;在1-5℃/min速率下升温,在50-150℃加热1-5h固化,得到聚酰胺薄膜;将聚酰胺薄膜从基板上取下,然后浸入适当刻蚀剂将微球溶解,得到多孔聚酰胺薄膜;
(5)制备表面致密聚酰亚胺薄膜
(5.1)将聚酰胺酸溶液涂覆在多孔聚酰胺薄膜表面,然后加热使薄膜固化,得到表面平整致密的聚酰胺薄膜;所述的聚酰胺酸溶液中聚酰胺酸的质量分数为1-5%,且固化温度与步骤(4)相同;
(5.2)采用梯度升温亚胺化的方法,将步骤(5.1)所得的聚酰胺薄膜在惰性气体环境下进行热处理,使聚酰胺亚胺化,得到表面平整且内部多孔的聚酰亚胺薄膜。
优选的,步骤(1)中所述的微球为二氧化硅或聚苯乙烯微球,微球粒径为5-2000nm。
优选的,步骤(1)中所述的基板为ITO玻璃、金属板或硅片。
优选的,步骤(2)中所述的有机极性溶剂为二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜或它们的混合物。
优选的,步骤(2)中所述的缚酸剂为三乙胺或三丙胺,所述的乳化剂为甲醇或苯甲醇。
优选的,步骤(4)中所述的刻蚀剂为氢氟酸、氢氟酸氨水溶液或四氢呋喃;氢氟酸及氢氟酸氨的质量分数为5-40%。
优选的,步骤(5)中所述的涂膜方法为旋涂或刮膜,旋涂时转速为1000-5000rpm,刮膜时的速度为10-50cm/min。
优选的,步骤(5)中所述的热处理温度与时间为:100℃下1h,200℃下1h,300℃下2-5h。
本发明的有益效果为:
1.整个工艺过程安全,无需昂贵设备,且操作流程简单。
2.产物组成易于控制,孔径尺寸易于调控。
3.薄膜具有良好的力学性能。
4.薄膜表面平整致密,具有低介电常数。
具体实施方式
下面结合具体实施方式和实施例对本发明做进一步详细说明。
本发明的一种低介电聚醚酰亚胺薄膜的制备方法,包括下述步骤:
(1)制备模板
将微球分散到分散剂中,配制微球的均匀分散液。将洁净的基板放入培养瓶,瓶中注入适量的分散液,将培养瓶放入培养箱,待溶剂挥发制得电沉积用模板。所选微球为二氧化硅或聚苯乙烯微球,微球粒径为5-2000nm。所选基板为ITO玻璃、金属板(如铜片、铝板)、硅片。培养箱中可选温度范围为30-60℃。
(2)制备聚酰胺酸乳液
(2.1)将聚酰亚胺的前驱体聚酰胺酸溶于适当的有机极性溶剂中,或将二酐与二胺单体按比例加入有机极性溶剂中在15—50℃下加热搅拌10-25小时,得到聚酰胺酸溶液。所选极性溶剂为二甲基甲酰胺、N—甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜或它们的混合液。溶液中聚酰胺酸的质量分数为12%。
(2.2)取步骤(2.1)制得的聚酰胺酸溶液,降温至温度1,加入适量缚酸剂,搅拌器搅拌,时间为0.5-3h,然后加热到温度2,最后加入适量的乳化剂和极性有机溶剂,继续搅拌,搅拌时间为1-10h,得到电沉积用聚酰胺酸乳液。温度1范围为0-10℃,温度2范围为20-40℃,升温速率为1-5℃/min。缚酸剂选自三乙胺或三丙胺,所用乳化剂为甲醇、苯甲醇,极性有机溶剂为二甲基甲酰胺,N-甲基吡咯烷酮或二甲基乙酰胺、二甲基亚砜或它们的混合液。电沉积用乳液中缚酸剂与羧基的摩尔比为0.25-1.5:1,乳化剂与极性有机溶剂的体积比为2-4:1,聚酰胺酸的质量分数为1-7%。
(3)电沉积聚酰胺酸薄膜
用电沉积法沉积步骤(2)所制得电沉积用聚酰胺酸乳液,得到聚酰胺酸薄膜薄膜。对电极与工作电极(即步骤(1)制得的电沉积用模板)相对放置,距离为5-15cm,所用设备为电泳仪或电化学工作站,沉积电压为1-200V,沉积时间为1-20min。
(4)去除模板
将步骤(3)所得的沉积有聚酰胺酸薄膜的基板放入真空干燥箱中,在较低温度25-40℃下脱除气泡。在1-5℃/min速率下升温,在50-150℃加热1-5h使树脂固化,得到聚酰胺薄膜。将聚酰胺薄膜从基板上取下,然后浸入适当刻蚀溶剂,将微球溶解,得到多孔聚酰胺薄膜。所选刻蚀剂为氢氟酸、氢氟酸氨水溶液或四氢呋喃。氢氟酸及氢氟酸氨的质量分数为5-40%。
(5)制备表面致密聚酰亚胺薄膜
(5.1)将聚酰胺酸溶液涂覆在多孔聚酰胺薄膜表面,然后加热使薄膜固化,得到表面平整致密的的聚酰胺薄膜。此处所用聚酰胺酸与步骤(3)中聚酰胺酸分子式相同,聚酰胺酸的质量分数为1-5%,且固化温度与步骤(4)相同。所选涂膜方法为旋涂或刮膜,旋涂时转速为1000-5000rpm,刮膜时的速度为10-50cm/min。
(5.2)采用梯度升温亚胺化的方法,将步骤(5.1)所得的薄膜在氩气或氮气等惰性气体环境下进行热处理,使聚酰胺树脂亚胺化,得到表面平整且内部多孔的聚酰亚胺薄膜。热处理温度与时间为:100℃下1h,200℃下1h,300℃下2-5h。
实施例一:
1. 制备模板
将SiO2微球分散到溶剂中,配制微球的均匀分散液。将洁净的玻璃片放入培养瓶,瓶中注入适量的分散液,将培养瓶放入培养箱,待溶剂挥发制得模板。所选微球为二氧化硅或聚苯乙烯,微球粒径为200nm。培养箱中温度为30℃。
2. 制备聚酰胺酸乳液
2.1将二酐与二胺单体按比例加入二甲基甲酰胺中,在25℃下加热搅拌板10小时,得到聚酰胺酸溶液。制膜液中聚酰胺酸的质量分数为15%。
2.2取步骤2.1制得的聚酰胺酸溶液,降温至1℃,加入适量三乙胺,搅拌器搅拌1h,然后加热到温度25℃,升温速率为1℃/min。最后加入适量的甲醇和二甲基甲酰胺,继续搅拌10h,得到电沉积用聚酰胺酸乳液,其中缚酸剂与羧基的摩尔比为0.5:1,乳化剂与极性有机溶剂的体积比为2:1,聚酰胺酸的质量分数为2%。
3. 电沉积聚酰胺酸薄膜
用电沉积法沉积步骤2所制得电沉积用聚酰胺酸乳液,得到聚酰胺酸薄膜。对电极与工作电极(即步骤1制得的电沉积用模板)相对放置,距离为5cm,所用设备为电泳仪,沉积电压为50V,沉积时间为50min。
4. 去除模板
将步骤3所得的沉积有聚酰胺酸的基板放入真空干燥箱中,在25℃下使溶剂挥发,在5℃/min速率下升温,在50℃加热3h使树脂固化,得到聚酰胺薄膜。将聚酰胺薄膜从两层玻璃片中取出,然后浸入质量分数为40%氢氟酸中,将二氧化硅微球溶解,得到三维有序多孔聚酰胺薄膜。
5. 制备表面致密聚酰亚胺薄膜
5.1用旋转涂膜机将聚酰胺酸溶液涂覆在多孔聚酰胺薄膜表面,旋涂时转速为1000rpm。然后加热使薄膜固化,得到表面平整致密的的聚酰胺薄膜。此处所用聚酰胺酸与步骤3中聚酰胺酸分子式相同,聚酰胺酸的质量分数为2%,加热固化过程与步骤4固化过程相同。
5.2采用梯度升温亚胺化的方法,将步骤5.1所得的薄膜在氩气环境下进行热处理,使聚酰胺树脂亚胺化,得到表面平整且内部多孔的聚酰亚胺薄膜。热处理温度与时间为:100℃下1h,200℃下1h,300℃下2h。
实施例二:
1. 制备模板
将SiO2微球分散到溶剂中,配制微球的均匀分散液。将洁净的玻璃片放入培养瓶,瓶中注入适量的分散液,将培养瓶放入培养箱,待溶剂挥发制得模板。所选微球为二氧化硅或聚苯乙烯,微球粒径为1000nm。培养箱温度为60℃。
2. 制备聚酰胺酸乳液
2.1将聚酰亚胺的前驱体聚酰胺酸溶于适量二甲基乙酰胺中,在50℃下加热搅拌板3小时,得到聚酰胺酸溶液。溶液中聚酰胺酸的质量分数为12%。
2.2取步骤2.1制得的聚酰胺酸溶液,降温至5℃,加入适量三丙胺,搅拌3h,然后加热到温度40℃,升温速率为5℃/min。最后加入适量的甲醇和二甲基乙酰胺,继续搅拌2h,得到电沉积用聚酰胺酸乳液,其中三丙胺与羧基的摩尔比为1.5:1,乳化剂与极性有机溶剂的体积比为4:1,聚酰胺酸的质量分数为6%。
3. 电沉积聚酰胺酸薄膜
用电沉积法沉积步骤2所制得电沉积用聚酰胺酸乳液,得到聚酰胺酸薄膜。对电极与工作电极(即步骤1制得的电沉积用模板)相对放置,距离为10cm,所用设备为电泳仪,沉积电压为150V,沉积时间为15min。
4. 去除模板
将步骤3所得的沉积有聚酰胺酸的基板放入真空干燥箱中,在较低温度40℃下使溶剂挥发。在5℃/min速率下升温,在80℃加热1h使树脂固化,得到聚酰胺薄膜。将聚酰胺薄膜从模板上去下,然后浸入质量分数为10%氢氟酸中,将二氧化硅微球溶解,得到三维有序多孔聚酰胺薄膜。
5. 制备表面致密聚酰亚胺薄膜
5.1用刮膜法将聚酰胺酸溶液涂覆在步骤4所得的多孔聚酰胺薄膜表面,然后进行加热固化。得到表面平整致密的的聚酰胺薄膜。此处所用聚酰胺酸与步骤3中聚酰胺酸分子式相同,聚酰胺酸的质量分数为5%,刮膜速度为10cm/S,加热固化过程与步骤4固化过程相同。
5.2采用梯度升温亚胺化的方法,将步骤5.1所得的薄膜在氩气环境下进行热处理,使聚酰胺树脂亚胺化,得到表面平整且内部多孔的聚酰亚胺薄膜。热处理温度与时间为:100℃下1h,200℃下1h,300℃下5h。

Claims (8)

1.一种电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法,其特征在于,包括下述步骤:
(1)制备模板
将微球分散到分散剂中,配制微球均匀分散的分散液;将洁净的基板放入培养瓶,瓶中注入适量的分散液,将培养瓶放入温度为30-60℃的培养箱中,待溶剂挥发制得电沉积用模板;
(2)制备聚酰胺酸乳液
(2.1)将聚酰亚胺的前驱体聚酰胺酸溶于适当的极性有机溶剂中,或将二酐与二胺单体按比例加入极性有机溶剂中在15-50℃下加热搅拌10-25小时,得到聚酰胺酸溶液,溶液中聚酰胺酸的质量分数为12%;
(2.2)取步骤(2.1)制得的聚酰胺酸溶液,降温至0-10℃,加入适量缚酸剂,搅拌器搅拌0.5-3h,然后加热到20-40℃,升温速率为1-5℃/min,最后加入适量的乳化剂和极性有机溶剂,继续搅拌1-10h,得到电沉积用聚酰胺酸乳液,电沉积用乳液中缚酸剂与羧基的摩尔比为0.25-1.5:1,乳化剂与极性有机溶剂的体积比为2-4:1,聚酰胺酸的质量分数为1-7%;
(3)电沉积聚酰胺酸薄膜
以步骤(1)制得的电沉积用模板作为工作电极,对电极与工作电极相对放置,距离为5-15cm,使用电泳仪或电化学工作站用电沉积法沉积步骤(2)所制得的电沉积用聚酰胺酸乳液,得到聚酰胺酸薄膜,沉积电压为1-200V,沉积时间为1-20min;
(4)去除模板
将步骤(3)所得的沉积有聚酰胺酸薄膜的基板放入真空干燥箱中,在25-40℃下脱除气泡;在1-5℃/min速率下升温,在50-150℃加热1-5h固化,得到聚酰胺薄膜;将聚酰胺薄膜从基板上取下,然后浸入适当刻蚀剂将微球溶解,得到多孔聚酰胺薄膜;
(5)制备表面致密聚酰亚胺薄膜
(5.1)将聚酰胺酸溶液涂覆在多孔聚酰胺薄膜表面,然后加热使薄膜固化,得到表面平整致密的聚酰胺薄膜;所述的聚酰胺酸溶液中聚酰胺酸的质量分数为1-5%,且固化温度与步骤(4)相同;
(5.2)采用梯度升温亚胺化的方法,将步骤(5.1)所得的聚酰胺薄膜在惰性气体环境下进行热处理,使聚酰胺亚胺化,得到表面平整且内部多孔的聚酰亚胺薄膜。
2.根据权利要求1所述的电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法,其特征在于:步骤(1)中所述的微球为二氧化硅或聚苯乙烯微球,微球粒径为5-2000nm。
3.根据权利要求1所述的电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法,其特征在于:步骤(1)中所述的基板为ITO玻璃、金属板或硅片。
4.根据权利要求1所述的电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法,其特征在于:步骤(2)中所述的有机极性溶剂为二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜或它们的混合物。
5.根据权利要求1所述的电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法,其特征在于:步骤(2)中所述的缚酸剂为三乙胺或三丙胺,所述的乳化剂为甲醇或苯甲醇。
6.根据权利要求1所述的电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法,其特征在于:步骤(4)中所述的刻蚀剂为氢氟酸、氢氟酸氨水溶液或四氢呋喃;氢氟酸及氢氟酸氨的质量分数为5-40%。
7.根据权利要求1所述的电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法,其特征在于:步骤(5)中所述的涂膜方法为旋涂或刮膜,旋涂时转速为1000-5000rpm,刮膜时的速度为10-50cm/min。
8.根据权利要求1所述的电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法,其特征在于:步骤(5)中所述的热处理温度与时间为:100℃下1h,200℃下1h,300℃下2-5h。
CN201410232298.9A 2014-05-29 2014-05-29 一种电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法 Active CN103980528B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410232298.9A CN103980528B (zh) 2014-05-29 2014-05-29 一种电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410232298.9A CN103980528B (zh) 2014-05-29 2014-05-29 一种电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103980528A CN103980528A (zh) 2014-08-13
CN103980528B true CN103980528B (zh) 2016-08-17

Family

ID=51272711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410232298.9A Active CN103980528B (zh) 2014-05-29 2014-05-29 一种电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103980528B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107849724A (zh) * 2014-10-29 2018-03-27 林科闯 多孔材料及系统及其制造方法
CN104878433B (zh) * 2015-05-08 2018-03-27 天津大学 一种离子导电聚合物膜的制备方法
WO2017002666A1 (ja) * 2015-07-02 2017-01-05 三菱マテリアル株式会社 水分散型絶縁皮膜形成用電着液
JP6677872B2 (ja) * 2015-07-02 2020-04-08 三菱マテリアル株式会社 水分散型絶縁皮膜形成用電着液
CN105297099B (zh) * 2015-11-05 2017-07-18 上海应用技术学院 一种电解有机物在铜基体表面构建仿生超疏水薄膜的方法
CN108597894B (zh) * 2018-05-26 2019-12-10 中国工程物理研究院材料研究所 一种硼掺杂多孔碳材料的制备方法
CN108976457B (zh) * 2018-07-25 2019-07-02 深圳市弘海电子材料技术有限公司 以聚酰亚胺薄膜为绝缘层的fpc电磁屏蔽膜及其制备方法
WO2021092842A1 (zh) * 2019-11-14 2021-05-20 马诗歌瑞生物科技江苏有限公司 一种电沉积法制备三维有序生物薄膜的方法
CN115386132B (zh) * 2022-08-12 2023-06-20 华南理工大学 以静电纺丝高分子有机多孔薄膜为成孔牺牲模板的低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1911985A (zh) * 2006-08-21 2007-02-14 浙江大学 一种超低介电常数聚酰亚胺膜及其制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1911985A (zh) * 2006-08-21 2007-02-14 浙江大学 一种超低介电常数聚酰亚胺膜及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Preparation, characterization, and properties of polyamic acid nano-emulsion;Fuchuan Ding et al.;《polymers advanced technologies》;20110227;第22卷;第2633页右栏倒数第3行至第2634页左栏第8行,第2634页实验部分 *
模板技术制备有序大孔含硅聚酰亚胺薄膜;汪静;《化学学报》;20040615;第62卷(第11期);第1020页第1.1和1.2节 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN103980528A (zh) 2014-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103980528B (zh) 一种电沉积聚酰胺酸制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法
CN103981560B (zh) 一种电沉积聚酰胺酸制备三维有序多孔聚酰亚胺薄膜的方法
CN107108926B (zh) 利用具有气孔的粒子的聚酰亚胺膜的制备方法及低介电常数的聚酰亚胺膜
JP6849173B2 (ja) ポリイミド前駆体溶液及びそれを用いて製造されたポリイミドフィルム
CN106750435B (zh) 一种低介电常数有序多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法
CN108659533B (zh) 一种高耐热超低膨胀聚酰亚胺薄膜及其制备方法与应用
CN103965503B (zh) 一种聚酰亚胺薄膜的制备方法
CN103980523B (zh) 一种电沉积聚酰亚胺制备三维有序多孔聚酰亚胺薄膜的方法
CN102786688A (zh) 耐电晕聚酰亚胺薄膜的制备方法
CN105778130A (zh) 一种高强度高耐热聚酰亚胺微孔薄膜及其制备方法
CN103980529B (zh) 一种电沉积聚酰亚胺制备低介电聚酰亚胺薄膜的方法
CN109762276A (zh) 一种高介电常数全有机复合疏水材料及其制备方法
JP5873529B2 (ja) シロキサン二酸無水物、重合体、液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子
CN104927082A (zh) 一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜
CN106084261A (zh) 一种聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜及其制备方法
JP2014118519A (ja) ポリイミド樹脂溶液
CN108164699A (zh) 一种聚合物薄膜电介质及其制备方法与用途
CN113683800B (zh) 一种低吸水率聚酰亚胺薄膜的制备方法
CN103980522B (zh) 一种多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法
CN103981559B (zh) 一种低介电聚醚酰亚胺薄膜的制备方法
CN108727587B (zh) 一种含咪唑基芳香环结构的耐热聚酰亚胺及其制备方法
CN112646179A (zh) 一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法
CN108586742B (zh) 可用作柔性oled基板的耐高温聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用
CN104292488B (zh) 一种表面高导电聚酰亚胺复合薄膜的制备方法
CN114479458B (zh) 一种全有机低介电聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant