CN103979951A - 用Y2BaCuO5为基体材料制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法 - Google Patents
用Y2BaCuO5为基体材料制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种用Y2BaCuO5为基体材料制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法,由配制Y2BaCuO5前驱粉、配制液相源粉、压制前驱块、装配前驱块、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。通过使用BaO和CuO初始粉取代BaCuO2前驱粉,使得整个熔渗生长过程仅需Y2BaCuO5一种前驱粉,简化了实验环节,缩短了实验周期,提高了制备效率。采用了Y2BaCuO5前驱粉压制支撑块,在钇钡铜氧块材的慢冷生长过程中,即能稳定地支撑其上的两个坯块,阻止液相的流失,又能避免因支撑块吸收部分液相而改变液相源块的初始配比,从而保证了块材的完整生长和超导性能。本发明可用于制备钇钡铜氧超导块材,也可用于制备Gd、Sm、Nd等其他系列的高温超导块材。
Description
技术领域
本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域,具体涉及到一种用Y2BaCuO5为基体材料制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法。
背景技术
单畴钇钡铜氧(Y-Ba-Cu-O)高温超导块材具有较强的磁通钉扎能力,能在强外场下维持较高的临界电流密度,具有很高的实用价值,在超导强磁体、超导磁悬浮、储能飞轮以及超导电机、发电机等方面具有良好的应用前景。在该类材料的制备研究进程中,发展起来的主流工艺主要有两种,一种是传统的顶部籽晶熔融织构生长工艺(TSMTG),另一种是最近几年逐步受到重视的顶部籽晶熔渗生长工艺(TSIG)。
随着研究的深入,TSIG方法的优越性得到了越来越多的实验证实,例如它可以有效解决TSMTG工艺中存在的样品收缩、变形,内部存在气孔及宏观裂纹等问题,还能在样品内部捕获更多的小粒径Y2BaCuO5粒子,从而改善了样品的力学性能并获得了更优越的磁通钉扎能力。此外,TSIG工艺中使用了高熔点的Y2BaCuO5固相压制前驱坯体,在高温热处理过程中能很好的保持样品形状,因此该工艺还可用来制备其他形状或结构的超导样品,如超导圆环,多孔结构或泡沫结构的超导材料等,以满足人们的不同需要。然而,TSIG工艺需要用到更多种类的前驱粉体。而前驱粉都是由初始粉体(如Y2O3、CuO等)通过固相反应法(即反复的高温煅烧和研磨)制得,每种粉体均需耗时约5~7天。因此,所需前驱粉种类的增加使得TSIG方法的制备周期相比TSMTG工艺更长,效率更低,工艺流程更繁复。为了解决这个问题,本课题组于2009年先后申请了用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法(200910024034.3)、单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法(200910024036.2)两项专利,通过改变液相源的成分发明了仅需两种前驱粉即可完成的TSIG方法,降低了工艺制备难度,提高了效率。但在此基础上,仍然有必要进一步改进工艺,发明仅需一种前驱粉即可完成的高效率制备方法。此外,目前TSIG方法中所用的液相支撑块均是由稀土氧化物压制,如Y2O3或Yb2O3,它们在高温热处理过程中会吸收液相源坯块中的BaCuO2成分而转变成Y2BaCuO5或Yb2BaCuO5相,这一方面造成了液相的浪费,另一方面也会改变液相源坯块的初始配比,从而对样品块的生长和性能带来不利的影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种步骤简单、效率高且能保证样品初始配比不受影响的、用Y2BaCuO5为基体材料制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法。
解决上述技术问题所采用的技术方案由下述步骤组成:
(1)配制Y2BaCuO5前驱粉:
将Y2O3与BaO、CuO初始粉按摩尔比为1:1:1的比例混合均匀,用固相反应法制成Y2BaCuO5前驱粉;
(2)配制液相源粉:
将BaO、CuO初始粉按摩尔比为3:5的比例混合均匀,制成名义组分为Ba3Cu5O8的混合粉;再将Ba3Cu5O8混合粉与Y2BaCuO5前驱粉按质量比为1:0.1~0.2混合均匀,作为液相源粉;
(3)压制前驱块:
取Y2BaCuO5前驱粉放入圆柱型模具1中,压制成Y2BaCuO5固相块;取液相源粉放入圆柱型模具2中,压制成液相源块;其中所用Y2BaCuO5前驱粉与液相源粉的质量比为1:1.25~1.75,圆柱型模具2的直径为比圆柱型模具1大4~14 mm;再取Y2BaCuO5前驱粉放入圆柱型模具2中,压制成厚约2 mm的薄片,作为支撑块;
(4)装配前驱块:
将Y2BaCuO5固相块、液相源块自上而下依次同轴放置在支撑块正上方,将一块钕钡铜氧籽晶置于Y2BaCuO5固相块的上表面中心位置,完成前驱块的装配;
(5)熔渗生长单畴钇钡铜氧块材:
将装配好的前驱块放在Al2O3垫片上,中间隔以3~5个等高的MgO单晶粒,然后整体放入井式炉中,以每小时80~120℃的升温速率升温至1040~1050℃,保温0.5~2小时;以每小时60℃的降温速率降温至1000~1010℃,再以每小时0.1~0.5℃的降温速率慢冷至980~990℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴钇钡铜氧块材;
(6)渗氧处理:
将单畴钇钡铜氧块材放入石英管式炉中,在流通氧气气氛中,450~400℃的温区中慢冷200小时,得到单畴钇钡铜氧超导块材。
在本发明的配制液相源粉步骤(2)中,Ba3Cu5O8混合粉与Y2BaCuO5前驱粉的最佳质量比为1:0.15;在压制前驱块步骤(3)中,所用Y2BaCuO5前驱粉与液相源粉的最佳质量比为1:1.5,圆柱型模具2的最佳直径为比圆柱型模具1大10 mm;在熔渗生长单畴钇钡铜氧块材步骤(5)中,最佳以每小时100℃的升温速率升温至1045℃,保温1小时;最佳以每小时60℃的降温速率降温至1005℃,再以每小时0.25℃的降温速率慢冷至985℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴钇钡铜氧块材。
本发明采用顶部籽晶熔渗生长方法,通过使用BaO和CuO初始粉取代BaCuO2前驱粉,使得整个熔渗生长过程仅需Y2BaCuO5一种前驱粉,简化了实验环节,缩短了实验周期,提高了制备效率。采用了具有高熔点的Y2BaCuO5粉体配制液相源粉,提高了液相源块在热处理过程中的支撑能力,有效避免样品出现倾斜或倒塌的情况,提高了熔渗生长工艺的稳定性和可重复性。采用了Y2BaCuO5前驱粉压制支撑块,在钇钡铜氧块材的慢冷生长过程中,即能稳定地支撑其上的两个坯块,阻止液相的流失,又能避免因支撑块吸收部分液相而改变液相源块的初始配比,从而保证了块材的完整生长和超导性能。本发明可用于制备钇钡铜氧超导块材,也可用于制备Gd、Sm、Nd等其他系列的高温超导块材。
附图说明:
图1是实施例1的装配前驱块的示意图;其中1为Y2BaCuO5固相块,2为液相源块,3为支撑块,4为钕钡铜氧籽晶;
图2是实施例1制备的单畴钇钡铜氧超导块材的表面形貌图;
图3是实施例1制备的单畴钇钡铜氧超导块材的临界电流密度曲线。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步详细说明,但本发明不限于这些实施例。其中所用到的Y2O3、BaO、CuO原来均有市售。
实施例1
(1)配制Y2BaCuO5前驱粉:
取73.8453g Y2O3、50.1414g BaO、26.0133g CuO初始粉混合均匀,即Y2O3与BaO、CuO初始粉的摩尔比为1:1:1,用固相反应法制成Y2BaCuO5前驱粉;
(2)配制液相源粉:
取80.4435g BaO、69.5565g CuO初始粉混合均匀,即BaO与CuO初始粉的摩尔比为3:5,制成名义组分为Ba3Cu5O8的混合粉;再取100g Ba3Cu5O8混合粉与15g Y2BaCuO5前驱粉混合均匀,即Ba3Cu5O8混合粉与Y2BaCuO5前驱粉的质量比为1:0.15,作为液相源粉;
(3)压制前驱块:
取12g Y2BaCuO5前驱粉放入圆柱型模具1(直径20 mm)中,压制成Y2BaCuO5固相块;取18g 液相源粉放入圆柱型模具2(直径30 mm)中,压制成液相源块;即所用Y2BaCuO5前驱粉与液相源粉的质量比为1:1.5,圆柱型模具2的直径为比圆柱型模具1大10 mm;再取3.5g Y2BaCuO5前驱粉放入圆柱型模具2(直径30 mm)中,压制成厚约2 mm的薄片,作为支撑块;
(4)装配前驱块:
如图1所示,在图1中,将Y2BaCuO5固相块1、液相源块2自上而下依次同轴放置在支撑块3正上方,将一块钕钡铜氧籽晶4置于Y2BaCuO5固相块1的上表面中心位置,完成前驱块的装配;
(5)熔渗生长单畴钇钡铜氧块材:
将装配好的前驱块放在Al2O3垫片上,中间隔以4个等高的MgO单晶粒,然后整体放入井式炉中,以每小时100℃的升温速率升温至1045℃,保温1小时;以每小时60℃的降温速率降温至1005℃,再以每小时0.25℃的降温速率慢冷至985℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴钇钡铜氧块材;
(6)渗氧处理:
将单畴钇钡铜氧块材放入石英管式炉中,在流通氧气气氛中,450~400℃的温区中慢冷200小时,得到单畴钇钡铜氧超导块材。
所制备的单畴钇钡铜氧超导块材,用照相机拍摄表面形貌,照片如图2所示。由图2可见,样品表面光滑,四径清楚,且无自发成核现象,说明样品成功生长为单畴的超导块材。
应用低速金刚石切割机(SYJ-150型,沈阳科晶自动化设备有限公司生产)在所制备的单畴钇钡铜氧超导块材上切取一尺寸为2 mm×2 mm×1 mm的小样品,再利用低温磁性测试装置(MPMS-XL-7,美国Quantum Design公司生产)在77K温度下测试其磁滞回线。用测得的磁滞回线推算其临界电流密度(Jc),结果如图3所示。由图3可见,样品的零场Jc为5.76×104 A/cm2,不可逆场约为4.7T。
实施例2
在配制液相源粉步骤(2)中,制备Ba3Cu5O8混合粉所用的原料以及制备方法与实施例1相同,再取100g Ba3Cu5O8混合粉与10g Y2BaCuO5前驱粉混合均匀,即Ba3Cu5O8混合粉与Y2BaCuO5前驱粉的质量比为1:0.1,作为液相源粉。
在压制前驱块步骤(3)中,取6g Y2BaCuO5前驱粉放入圆柱型模具1(直径16 mm)中,压制成Y2BaCuO5固相块;取7.5g 液相源粉放入圆柱型模具2(直径20 mm)中,压制成液相源块;即所用Y2BaCuO5前驱粉与液相源粉的质量比为1:1.25,圆柱型模具2的直径为比圆柱型模具1大4 mm;再取2g Y2BaCuO5前驱粉放入圆柱型模具2(直径20 mm)中,压制成厚约2 mm的薄片,作为支撑块。
在熔渗生长单畴钇钡铜氧块材步骤(5)中,将装配好的前驱块放在Al2O3垫片上,中间隔以3个等高的MgO单晶粒,然后整体放入井式炉中,以每小时120℃的升温速率升温至1050℃,保温0.5小时;以每小时60℃的降温速率降温至1010℃,再以每小时0.5℃的降温速率慢冷至980℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴钇钡铜氧块材。
其他步骤与实施例1相同。制备得到单畴钇钡铜氧超导块材。
实施例3
在配制液相源粉步骤(2)中,制备Ba3Cu5O8混合粉所用的原料以及制备方法与实施例1相同,再取100g Ba3Cu5O8混合粉与20g Y2BaCuO5前驱粉混合均匀,即Ba3Cu5O8混合粉与Y2BaCuO5前驱粉的质量比为1:0.2,作为液相源粉。
在压制前驱块步骤(3)中,取6g Y2BaCuO5前驱粉放入圆柱型模具1(直径16 mm)中,压制成Y2BaCuO5固相块;取10.5g 液相源粉放入圆柱型模具2(直径30 mm)中,压制成液相源块;即所用Y2BaCuO5前驱粉与液相源粉的质量比为1:1.75,圆柱型模具2的直径为比圆柱型模具1大14 mm;再取3.5g Y2BaCuO5前驱粉放入圆柱型模具2(直径30 mm)中,压制成厚约2 mm的薄片,作为支撑块。
在熔渗生长单畴钇钡铜氧块材步骤(5)中,将装配好的前驱块放在Al2O3垫片上,中间隔以5个等高的MgO单晶粒,然后整体放入井式炉中,以每小时80℃的升温速率升温至1040℃,保温2小时;以每小时60℃的降温速率降温至1000℃,再以每小时0.1℃的降温速率慢冷至990℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴钇钡铜氧块材。
其他步骤与实施例1相同。制备得到单畴钇钡铜氧超导块材。
实施例4
单畴钇钡铜氧超导块材的实际使用情况。
本发明制备的单畴钇钡铜氧超导块材可用于超导电机/发电机,超导限流器,磁悬浮轴承,储能飞轮,超导磁悬浮列车模型等设备或演示仪器的制作。
Claims (2)
1.一种用Y2BaCuO5为基体材料制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法,其特征在于它由下述步骤组成:
(1)配制Y2BaCuO5前驱粉:
将Y2O3与BaO、CuO初始粉按摩尔比为1:1:1的比例混合均匀,用固相反应法制成Y2BaCuO5前驱粉;
(2)配制液相源粉:
将BaO、CuO初始粉按摩尔比为3:5的比例混合均匀,制成名义组分为Ba3Cu5O8的混合粉;再将Ba3Cu5O8混合粉与Y2BaCuO5前驱粉按质量比为1:0.1~0.2混合均匀,作为液相源粉;
(3)压制前驱块:
取Y2BaCuO5前驱粉放入圆柱型模具1中,压制成Y2BaCuO5固相块;取液相源粉放入圆柱型模具2中,压制成液相源块;其中所用Y2BaCuO5前驱粉与液相源粉的质量比为1:1.25~1.75,圆柱型模具2的直径为比圆柱型模具1大4~14 mm;再取Y2BaCuO5前驱粉放入圆柱型模具2中,压制成厚约2 mm的薄片,作为支撑块;
(4)装配前驱块:
将Y2BaCuO5固相块、液相源块自上而下依次同轴放置在支撑块正上方,将一块钕钡铜氧籽晶置于Y2BaCuO5固相块的上表面中心位置,完成前驱块的装配;
(5)熔渗生长单畴钇钡铜氧块材:
将装配好的前驱块放在Al2O3垫片上,中间隔以3~5个等高的MgO单晶粒,然后整体放入井式炉中,以每小时80~120℃的升温速率升温至1040~1050℃,保温0.5~2小时;以每小时60℃的降温速率降温至1000~1010℃,再以每小时0.1~0.5℃的降温速率慢冷至980~990℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴钇钡铜氧块材;
(6)渗氧处理:
将单畴钇钡铜氧块材放入石英管式炉中,在流通氧气气氛中,450~400℃的温区中慢冷200小时,得到单畴钇钡铜氧超导块材。
2.权利要求1所述的用Y2BaCuO5为基体材料制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法,其特征在于:在配制液相源粉步骤(2)中,将Ba3Cu5O8混合粉与Y2BaCuO5前驱粉按质量比为1:0.15混合均匀,作为液相源粉;在压制前驱块步骤(3)中,所用Y2BaCuO5前驱粉与液相源粉的质量比为1:1.5,圆柱型模具2的直径为比圆柱型模具1大10 mm;在熔渗生长单畴钇钡铜氧块材步骤(5)中,将装配好的前驱块放在Al2O3垫片上,中间隔以4个等高的MgO单晶粒,然后整体放入井式炉中,以每小时100℃的升温速率升温至1045℃,保温1小时;以每小时60℃的降温速率降温至1005℃,再以每小时0.25℃的降温速率慢冷至985℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴钇钡铜氧块材。
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