CN103972370A - 半导体光学装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 106
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 32
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 3
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004021 metal welding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明提供能够尽量大地确保盖的内部空间并且进行精度良好地定位的半导体光学装置。半导体光学装置具备：芯柱，搭载半导体光学元件；半导体光学元件，安装于所述芯柱；树脂制的盖；以及设在所述板部而与所述盖一体化的透镜。盖具备筒状躯干部、板部及缘部，通过所述缘部粘结于所述芯柱而覆盖所述半导体光学元件。所述筒状躯干部具有：第1部分；以及多个第2部分，沿所述筒状躯干部的周方向间隔开而设置，比所述第1部分更突出于所述内表面侧。芯柱在俯视时与多个所述第2部分重叠位置具备与所述盖的表面抵接的凸部。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光学装置。
背景技术
一直以来，已知例如如日本特开平7－218773号公报所公开的，具备对于应安装透镜的安装部件（该公报中为管）将透镜一体模制成形的构成的半导体光学装置。一直以来，采取对透镜的周围实施金属化处理并对于金属制的安装部件进行钎焊固定等的生产方法。相对于此，依据上述公报所涉及的透镜一体化模制成形技术，可谋求部件件数缩减、接合部位缩减以及量产性提高。
然而，在CAN封装中应安装透镜的安装部件，是被称作盖（cap）的筒状的部件。通过将透镜一体成形于树脂制的盖，存在与上述公报相同的优点。但是，在该情况下以往将金属制盖熔接固定于芯柱（stem）的情况，由于是树脂制的盖所以无法熔接。因此，使用粘结剂来粘结树脂制的盖与芯柱。
在采取CAN封装方式的半导体光学装置中，在盖的内侧设有半导体光学元件。作为半导体光学元件，有半导体激光二极管或者光电二极管。该半导体光学元件的光轴与透镜的对位精度，是决定半导体光学装置的性能的重要事项。该对位包括与光轴平行的方向（Z方向）及与光轴垂直的面上的方向（XY平面方向）两者。必须使与透镜一体化的盖对于芯柱精度良好地对位并固定。
关于这方面，在上述日本特开平7－218773号公报和日本特开2003－035855号公报中，公开了对于与透镜一体化的安装部件（盖）或芯柱设置阶梯差或凹部的技术。使用这些阶梯差或凹部能够精度良好地进行两部件间的定位。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平7－218773号公报；
专利文献2：日本特开2003－035855号公报；
专利文献3：日本特开2010－183002号公报；
专利文献4：日本特开平3－030581号公报。
发明内容
发明要解决的课题
CAN封装将包括光学元件和电部件的各种部件（包括半导体光学元件）高密度地安装于芯柱，在这之上盖上盖来进行密封。由于盖上盖的制约，所以在芯柱上表面能够配置部件的空间存在限制。这一点，在如上述现有技术为进行芯柱与盖的两部件间的定位而设置阶梯差或凹部时，芯柱上的与之相应的区域被用于阶梯差或凹部。其结果是，存在在芯柱上能够进行部件配置的空间减少的问题。
本发明为了解决上述那样的课题而作出，目的在于提供能够尽量大地确保盖的内部空间并且精度良好地进行定位的半导体光学装置。
为解决课题的方案
本发明的半导体光学装置，其特征在于，具备：
芯柱；
半导体光学元件，安装于所述芯柱；
树脂制的盖，具备具有一端及另一端以及将所述一端与另一端连结的外表面及内表面的筒状躯干部、设在所述一端侧的板部、以及设在所述另一端侧的缘部，通过将所述缘部与所述芯柱粘结而覆盖所述半导体光学元件；以及
透镜，设在所述板部并与所述盖一体化，
所述筒状躯干部具有：
第1部分；以及
多个第2部分，沿所述筒状躯干部的周方向间隔开而设置，相比所述第1部分更突出至所述内表面侧，
所述盖和所述芯柱之中的一个部件，在俯视时与多个所述第2部分重叠的位置，具备与所述盖和所述芯柱之中的另一个部件的表面抵接的凸部。
发明的效果
依据本发明，由于应与高度方向定位用的凸部抵接的第2部分局部地设在筒状躯干部，所以能够尽量大地确保盖的内部空间并且在高度方向精度良好地进行定位。
附图说明
图1是本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置的立体图；
图2是本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置具有的盖的立体图；
图3是本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置具有的盖的仰视图；
图4是示出本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置的内部构成的立体图；
图5是本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置具有的芯柱的俯视图；
图6是本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置的侧截面图，是沿图1的A－A’线的截面图；
图7是将由图6的虚线X包围的部位放大的放大截面图；
图8是用于说明作为本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置具有的作用效果的、利用凸部进行高度方向定位的情况的图；
图9是示出本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置的变形例的图，是用于说明盖及芯柱的变形例的图；
图10是示出本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置的变形例的图，是用于说明盖及芯柱的变形例的图；
图11是示出本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置的变形例的图，是用于说明盖及芯柱的变形例的图；
图12是示出本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置的变形例的图，是用于说明盖及芯柱的变形例的图；
图13是示出本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置的变形例的图，是用于说明盖及芯柱的变形例的图；
图14是示出图11涉及的变形例中的利用粘结剂进行粘结的情况的图；
图15示出本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置中的利用粘结剂进行粘结的情况；
图16是示出本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置的变形例的图；
图17是用于说明本发明的实施方式2涉及的半导体光学装置的构成的图；
图18是本发明的实施方式2涉及的半导体光学装置具有的盖的仰视图；
图19实施本发明的实施方式2涉及的半导体光学装置的变形例的图；
图20是示出本发明的实施方式2涉及的半导体光学装置的变形例的图；
图21是示出本发明的实施方式3涉及的半导体光学装置的构成的图；
图22是示出本发明的实施方式3涉及的半导体光学装置的构成的截面图，是示出设有狭缝构造的阶梯差部附近的截面的图；
图23是示出本发明的实施方式3涉及的半导体光学装置的变形例的图；
图24是示出本发明的实施方式3涉及的半导体光学装置的变形例的图；
图25是示出相对本发明的实施方式的比较例的图。
具体实施方式
实施方式1．
实施方式1的装置的构成
图1是本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置20的立体图。在本实施方式中，在半导体光学装置20采用CAN封装构造。图1中，半导体光学装置20，由作为在芯柱32盖上的盖状体的盖28构成。芯柱32与盖28利用粘结剂而固接。盖28所覆盖的内部被气密密封。密封气体是空气、干燥气体或氮等。
盖的构成
图2是本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置20具有的盖28的立体图。盖28是树脂制。盖28具备筒状躯干部28a。筒状躯干部28a具有一端及另一端以及将一端与另一端连结的外表面及内表面28d。盖28具有设在筒状躯干部28a的一端侧的板部28b。盖28具备设在筒状躯干部28a的另一端侧的缘部28c。通过经由粘结剂140将缘部28c与芯柱32粘结，覆盖半导体光学元件100。粘结剂140遍及缘部28c的全周而涂敷。
透镜27设在板部28b而与盖28一体化。透镜27利用一体模制成形与盖28一体成形。
盖28具备3个凹部29。以下，方便起见，将3个凹部29分别区别为凹部29a、29b、29c。
图3是本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置20具有的盖28的仰视图。图3（a）将盖28底面侧的各构成与标号一同示出。如图3（b）所示，筒状躯干部28a具备3个第1部分P1和3个第2部分P2。多个第2部分P2沿筒状躯干部28a的周方向间隔开而设置，是相比第1部分更突出至内表面28d侧的部分。第1部分P1具有内径r1。第2部分P2具有内径r2。内径r2比内径r1小。另外，关于盖28，第1部分P1是壁薄、第2部分P2是壁厚的部分。不限于实施方式1，对于其变形例及实施方式2、3，该第1部分P1及第2部分P2也是同样的构成。
（芯柱的构成）
图4是示出本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置20的内部构成的立体图。图4中，在芯柱32固接有作为棒状端子的引线销36。这里示出的半导体光学装置20作为一个例子是引线销36为4根的情况，但也存在配设更多根数的引线销36的情况。
芯柱32为金属制、例如直径为3～10mm程度的铁制的圆板，插入引线销36的贯通孔40与引线销36的个数对应，穿孔有4个。引线销36利用玻璃制的密封材料44固接于芯柱32。另外利用该密封材料，贯通孔40与引线销36的间隙得到密封。在作为芯柱32的第1主面的上表面32a之上用焊料固接金属块14，在该金属块14之上进而用焊料固接副支架（submount）13，在该副支架13利用焊料固接有半导体光学元件100。半导体光学元件100是半导体激光元件。此外，也可以将半导体光学装置20设为作为半导体光学元件使用光电二极管的受光装置。
该半导体光学元件100通过作为信号线的金线15在芯柱32的上表面32a侧与引线销36连接。
盖28覆盖处于芯柱32的上表面32a侧的引线销36的突出部、金线15金属块14、副支架13及半导体光学元件100等的构成部分。盖28与芯柱32的表面用粘结剂140粘结，盖28内部的空间被气密密封。盖28的顶部一体化有透镜27，激光经由该透镜27出射。
在实施方式1中，使搭载半导体光学元件100的基座为副支架13和金属块14的层叠构造。副支架13及金属块14构成“由热传导性材料形成的基座”。该基座被用于半导体光学元件100的散热。就是说基座具有散热功能。半导体光学元件100使接合处朝下而连接在副支架13上。副支架13是为了进行半导体光学元件100与金属块14之间的热应力的缓冲和半导体光学元件100的散热而设置的。副支架13的材料是氮化铝（AlN）。金属块14的材料是铜（Cu）。将副支架13与金属块14固接的焊料是材料为AuSn的低熔点焊料。副支架13的材料也可以是碳化硅（SiC）。
图5是本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置20所具有的芯柱32的俯视图。图5中由虚线图示出盖28重叠的位置。在芯柱32设有3个凸部33。如通过比较图3与图5可知，凸部33设在俯视时与多个第2部分P2重叠的位置。这样，在实施方式1涉及的半导体光学装置20中，芯柱32在俯视时与盖28的多个第2部分P2重叠的位置具备与盖28的表面分别抵接的多个凸部33。
另外，在本实施方式中，如比较图3与图5可知，盖28在凸部33抵接的部位具备凹部29。盖28的凹部29具有至少比凸部33的外形大的开口截面积，与芯柱32的凸部33嵌合。另外，如后所述，凹部29的深度D比凸部33的高度H小。
多个凸部33局部地设在与多个第2部分P2分别重叠的位置。第2部分P2及凸部33在芯柱32上的3个位置各设一组。该3个位置在上表面32a描绘出锐角三角形。由此，能够以3点稳定地支撑盖28。
粘结剂140遍及缘部28c的全周而涂敷，缘部28c整体用粘结剂140固接于芯柱32的上表面32a。就是说，凹部29与凸部33用粘结剂140固接，并且除此以外的部位（第1部分P1），缘部28c与上表面32a也用粘结剂140固接。
依据本实施方式，应与高度方向定位用的凸部33抵接的第2部分P2，局部地设在筒状躯干部28a。这里所说的高度方向，若在图1来讲即Z轴方向，是半导体光学元件100的光轴方向。通过局部的第2部分P2的形成，能够限定为局部设置成为相对小的内径r2的第2部分P2。与此相应，能够以相对大的内径r1形成也可以不与凸部33抵接的第1部分P1。关于上表面32a之中相当于该内径r1的区域，能够在径向取得相对宽广的空间。其结果，能够尽量大地确保盖28的内部空间，并且在高度方向精度良好地进行定位。
图25是示出相对于本发明的实施方式的比较例的图，示出作为比较例的芯柱1232的上表面。芯柱1232具备圆周状的凸部1233。该凸部1233发挥与芯柱32的凸部33相等的功能，与盖28的缘部28c粘结。这样的比较例的情况下，电子部件的安装空间被限定在凸部1233的内侧的区域。将此与实施方式1涉及的芯柱32的上表面、即图5比较，在芯柱32中局部地设置凸部33，而且盖28的第2部分P2被局部地设置。因此，相比比较例，实施方式1涉及的盖28能够尽量大地确保其内部空间。
分别适当地切削凸部33的前端等，能够容易地实现精度良好的定位。就是说，如果透镜27与半导体光学元件100之间的距离过大，则均等地切削3个凸部33，使盖28位于更靠近芯柱32侧即可。另外，制造技术上难以使芯柱32的上表面32a为完全的水平面，可能随位置而在公差范围内存在一定的偏差。为了纠正与此相伴的盖28的倾斜，也能够切削凸部33的前端以使多个凸部33一个个的高度不同。由此，能够修正盖28的倾斜。另外凸部33局部地设置，切削加工也容易。
另外，盖28中凹部29具有开口，开口具有四角形的轮廓。就是说，凹部29的开口具有4个边。由此，通过凸部33镶嵌于凹部29，还能够防止对于平面方向（图1中X-Y平面方向）的盖28与芯柱32的位置偏离。就是说，也能进行平面方向的精度良好的定位。
（侧截面的构成）
图6是本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置20的侧截面图，是沿图1的A-A’线的截面图。以半导体光学元件100的光轴AX与透镜的中心C一致的位置关系将盖固定。这是通过适当切削多个凸部33的前端以使相互高度不同，来实现精度良好的定位。
图7是将图6的由虚线X包围的部位放大的放大截面图。这里为方便起见，例示出凸部33b，但关于其他凸部33（凸部33a、33c）也具备同样的构成。如图7所示，凸部33b具备高度H。另外，凹部29b具备深度D。深度D比高度H小。另外，凸部33具备上端面133b和侧面133a。而且，凹部29b具备底面129a和侧面129b。底面129a的宽度W2比上端面133b的宽度W1大。
图7中仅示出凹部29b及凸部33b的一个方向截面，但与图7纸面垂直方向将凹部29b及凸部33b切断的情况的截面构成也与图7同样。就是说，各个凹部29的缘的轮廓，具备比各个凸部33的外形大一圈的尺寸，凸部33落在凹部29内。
也考虑到在本实施方式中后述的粘结剂140，从而使底面129a的宽度W2与上端面133b的宽度W1的差在某种程度上较大，但不必充分地大也可以，能够在没有过度或不足地嵌合的程度的公差范围内制作即可。
通过以这样的构成来实施利用粘结剂140的粘结固定，从而能够与凸部33的上端面133b（朝向Z轴的面）一起将凸部33的侧面133a（与XY平面垂直的面）粘结。通过这样的粘结能够牢固地固定，能够提高横向负荷耐受性。
图8是用于说明作为本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置20所具有的作用效果的、利用凸部33进行高度方向定位的情况的图。凸部33b和凸部33c具备不同高度H1、H2。在本实施方式中，芯柱32的上表面32a例示出根据位置而存在间隙G的高度的差的情况。在该情况下，在本实施方式中，以缓冲该间隙G的方式，将凸部33b的高度H1定得比凸部33c的高度H2大。另一方面，凹部29b、29c均具备相同深度D。
如上所述，凹部29的深度D比凸部33的高度H小。因此，与使凸部33b的突出变大的量相应地，凹部29b相对地被支撑在从上表面32a起的较高位置。其结果，与上表面32a上存在的间隙G无关，能够抑制盖28的倾斜，调节盖28的姿势。依据利用这样的凹部29及凸部33进行的盖28的高度位置及姿势调节，来适当调节多个凸部33的切削量，从而如图6所示，能够精度良好地调节透镜27与半导体光学元件100的位置关系。
实施方式1的装置的变形例
图9至13是示出本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置20的变形例的图，是用于说明盖28及芯柱32的变形例的图。
图9的变形例中，取代盖28而使用盖228。盖228在第2部分P2的构成（具体而言，凹部229的形状）上与盖28不同，但除此以外为相同。图9（a）是盖228的仰视图，图9（b）是将盖228与芯柱32重叠的情况下的沿图9（a）的B-B’线的截面图。
如图9（a）所示，本变形例中，3个凹部229分别形成为从盖228上的缘部的内侧连续延伸至外侧的一条槽。就是说，凹部229是从内表面228d侧至盖228的外表面一条连续的槽。如图9（b）所示，凸部33嵌入作为该槽的凹部229的内部，并且由粘结剂140将它们固接。凹部229和凸部33用粘结剂140固接，并且除此以外的部位（第1部分P1）也用粘结剂140将缘部28c和上表面32a固接。
图10的变形例中，取代盖28而用盖328。盖328在第2部分P2的构成（具体而言，阶梯差部329的形状）上与盖28不同，但除此以外为相同。
图10（a）是盖328的仰视图，图10（b）是将盖328与芯柱32重叠的情况下的沿图10（a）的C－C’线的截面图。本变形例中，3个阶梯差部329分别形成为从盖328中的缘部328c的内侧突出至外侧的阶梯部。就是说，阶梯差部329是局部突出至内表面328d侧的凸部。
但是，如图10（b）中示出截面形状，缘部328c的底面比阶梯差部329的底面更突出，若以缘部328c表面为基准，则阶梯差部329的表面相对较低凹陷。凸部33的上端面与该阶梯差部329的表面抵接。这样，凸部33嵌入阶梯差部329，并且由粘结剂140将它们固接。阶梯差部329与凸部33用粘结剂140固接，并且关于除此以外的部位（第1部分P1）也是缘部328c与上表面32a用粘结剂140固接。
图11的变形例中，取代盖28使用上述的盖328，并且取代芯柱32使用下述的芯柱432。芯柱432在凸部433的构成上与芯柱32不同，但除此以外相同。
图11（a）是芯柱432的俯视图，图11（b）是将盖328与芯柱432重叠的情况下沿图11（a）的D－D’线的截面图。本变形例涉及的凸部433与凸部33相比较，采取大的芯柱432的径向尺寸。其结果，如图11（b）所示，凸部433的上端面能够遍及盖328的阶梯差部329底面的整体地接触。这样的方式也可。
另外，也能够取代芯柱32上的3个凸部33，变更为1个连续的圆形的凸部。在该情况下，第2部分P2附近的截面形状与图11（b）相同，但金属块14等的各种部件搭载区域变得比芯柱32的周边部更高。这样的构成也可以。与个别地设置3个凸部33的情况相比较，通过仅设置1个凹部，能够成为更单纯的构造，能够不牺牲定位精度地减少制造成本。
图12的变形例中，取代盖28，使用盖528。盖528在第2部分P2的构成上与盖28不同，但除此以外相同。
图12是盖528的仰视图。图12中，第2部分P2并未做得较厚。就是说，盖528的筒状躯干部在第1部分P1与第2部分P2大致相同。取而代之，如图12所示，第2部分P2向盖528的圆筒中心轴侧局部突出3个部位。在缘部528c中的该局部突出的3个部位，分别设有凹部529a、529b、529c。凹部529如图9（b）那样将芯柱32的凸部33接纳至其内部，能够互相抵接。
图13的变形例中，取代盖28使用盖628，并且取代芯柱32使用芯柱632。图13（a）是盖628的仰视图，图13（b）是芯柱632的俯视图。上述的实施方式1中，“第2部分P2、凹部29及凸部33的组”在1个筒状躯干部28a形成3个，在上述的各种变形例中都相同。相对于此，图13的变形例中，“第2部分P2、凹部629及凸部633的组”在1个筒状躯干部28a仅设置2个，该点与上述的实施方式1不同。图13所示的变形例中，第2部分P2在对置的2个部位，具有某种程度上较大的扩展而形成。与此相应，凹部629及凸部633也与实施方式1相比较而相对具有较大的外形（面积）。由此，即使通过2点支撑也能够稳定地支撑、固定盖628，能够与实施方式1同样地使盖628的内部空间较宽。
这里，图14是示出上述图11涉及的变形例中的利用粘结剂140进行的粘结的情况的图。依据图14涉及的构成，粘结剂140集中在附图左侧（盖328的外侧），因此具有抑制粘结剂向附图右侧（盖328的内表面328d侧）流出的效果。图15示出本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置20中的利用粘结剂140进行的粘结的情况。依据图15涉及的构成，粘结剂140集中在凹部29的中心，因此能够抑制粘结剂140向盖28的缘部28c外侧流出。这样，依据凹部29及凸部33以及上述变形例，具有抑制粘结剂140的流动、控制粘结剂的量、位置的效果。
图16是示出本发明的实施方式1涉及的半导体光学装置20的变形例的图。图16取代凹部29及凸部33，使用设有凹部1029及凸部1033的盖1028及芯柱1032。关于除此以外的构成，盖1028及芯柱1032具有与盖28及芯柱32同样的构成。
芯柱1032具备凸部1033。凸部1033具备上端面1033c、具有宽度W4的第1侧面1033a和具有宽度W3（但W3＜W4）的第2侧面1033b。凸部1033越向高度H方向、即上端面1033c侧行进，则外形阶段性地变小。
盖1028具备具有多个阶梯差的凹部1029。凹部1029具备底面1029a、具有宽度W6的第1侧面1029b和具有宽度W5（但W5＞W6）的第2侧面1029c。凹部1029越向深度D方向、即底面1029a侧行进，则外形阶段性地变小。
依据这样的构成，粘结剂集中在透镜被附着面的中心，因此能够抑制向透镜的侧面的粘结剂的流出。另外，还具有由于粘结面积提高造成的粘结力提高的效果。
图16中仅示出凹部1029及凸部1033的一个方向截面，但沿与图16纸面垂直方向将凹部1029及凸部1033切断的情况的截面构成也与图16同样。就是说，各个凹部1029的缘的轮廓具备比各个凸部1033的外形大一圈的尺寸，成为凸部1033落在凹部1029内。
实施方式1中，芯柱32具有凸部33，但本发明不限于此。盖28也可以是多个第2部分P2分别具有凸部。与此相应，在芯柱32具有凸部33的位置，也可以取而代之形成凹部29。另外，关于高精度定位，不仅使多个凸部33高度H不同，取而代之或与此同时，使多个凹部29深度D不同地进行调节也可。
此外，凸部33也可以通过芯柱32的切削来形成，也可以用将作为另外的部件而制作的金属块片熔接于上表面32a等固定而形成凸部33。
本发明中，局部设置第2部分P2的位置，并不限于筒状躯干部28a的周方向的3个部位。局部设置第2部分P2的位置适当地设在筒状躯干部28a的周方向的多个位置（2个、3个、4个或更多的位置）即可，以俯视时与此重叠的方式在芯柱32上的多个位置设置凸部33也可。
此外，凸部33俯视时为矩形形状，但本发明并不限定于此。俯视时为三角形、梯形或五角形以上的多角形也可以。另外，俯视时为圆形、椭圆形也可以。另外，凸部33与凹部29轮廓形状不必相同（相似）也可以，只要是能够嵌入凹部29的凸部即可。
实施方式2．
图17是用于说明本发明的实施方式2涉及的半导体光学装置的构成的图。除了盖28的第2部分P2的构成以外，实施方式2涉及的半导体光学装置具备与实施方式1涉及的半导体光学装置20同样的构成。
图17所示的是实施方式2涉及的半导体光学装置的盖728中的与图6的X部相当的部位的放大截面图。这是与图7或图9至11等所示的部位相当的部位的截面图。或者与图14相当的部位的放大截面图。除了具备贯通孔700的点外，盖728与盖328相同，在3个第2部分P2分别具备阶梯差部329（阶梯差部329a、329b、329c）。
在组装了盖728和图14所示的芯柱432时，贯通孔700的第1口位于凸部433b的侧面。另外，第2口位于阶梯差部329的外侧、即盖728的外周面上。该贯通孔700用作粘结剂140的逃逸孔。通过设置使粘结剂140逃逸的贯通孔700，能够使应该有助于粘结的阶梯差部329b与芯柱432的凸部433b之间的粘结剂140的量尽可能接近固定量。
图18（a）是本发明的实施方式2涉及的半导体光学装置所具有的盖728的仰视图。如图18（a）所示， 3个第2部分P2分别设有一个贯通孔700也可以。此外，第2部分P2分别设有多个贯通孔700也可以。图18（b）是示出将盖728与芯柱432粘结时的情况的图。
图19及图20是示出本发明的实施方式2涉及的半导体光学装置的变形例的图。图19是设有贯通孔702的盖28的仰视图，图20是组装了该盖28和芯柱32的状态下的截面图。该变形例是关于实施方式1的变形例涉及的盖28，在各个第2部分P2与上述的贯通孔700同样地设置贯通孔702的构成。
此外，贯通孔700不设在全部的第2部分P2也可，仅设在3个第2部分P2之中1个或2个第2部分P2也可。
实施方式3．
图21是示出本发明的实施方式3涉及的半导体光学装置的构成的图。图21示出实施方式3涉及的半导体光学装置所具有的盖828的构成。盖828在3个第2部分P2具备阶梯差部329，基本上具备与盖328同样的构成。然而，在阶梯差部329各个表面具备狭缝构造800的点不同。除该点外，实施方式3涉及的半导体光学装置具备与实施方式1涉及的半导体光学装置同样发构成。
狭缝构造800是并排形成的多条狭缝。这样，实施方式3涉及的盖在与缘部828c的芯柱32粘结的面，具备沿盖828所具有的筒状躯干部的周方向间隔开地设置的狭缝构造800。此外，也可以不是间隔开，而是沿该筒状躯干部的周方向设置连续延伸的同心圆状的多个狭缝。
图22是示出本发明的实施方式3涉及的半导体光学装置的构成的截面图，是示出设有狭缝构造800的阶梯差部329附近的截面的图。通过这样设置多条狭缝，从而粘结剂140进入狭缝，能够增大粘结面积。
图23及图24是示出本发明的实施方式3涉及的半导体光学装置的变形例的图。如图23所示，也可以不是在阶梯差部329本身，而是与阶梯差部329附近的盖828的缘部828c底面相对地设置狭缝构造801。或者，如图24所示，设置使狭缝构造800的各个狭缝的朝向旋转的狭缝构造802也可（例如，图24中，为90度旋转）。狭缝构造801、802的截面构造、宽度、条数与狭缝构造800相同即可。
此外，虽未图示，与实施方式1涉及的盖28的凹部29的内部（底面129a或侧面129b）相对地设置狭缝构造也可。
附图标记说明
13副支架，14金属块，15金线，20半导体光学装置，27透镜，28盖，28a筒状躯干部，28b板部，28c缘部，28d内表面，29凹部，32芯柱，32a表面，32a上表面，33凸部，36引线销，40贯通孔，44密封材料，100半导体光学元件，P1第1部分，P2第2部分。
Claims (11)
1.一种半导体光学装置，具备：
芯柱；
半导体光学元件，安装于所述芯柱；
树脂制的盖，具备具有一端及另一端以及将所述一端与另一端连结的外表面及内表面的筒状躯干部、设在所述一端侧的板部、和设在所述另一端侧的缘部，通过所述缘部粘结在所述芯柱来覆盖所述半导体光学元件；以及
透镜，设在所述板部而与所述盖一体化，
所述半导体光学装置的特征在于，所述筒状躯干部具有：
第1部分；以及
多个第2部分，沿所述筒状躯干部的周方向间隔开而设置，比所述第1部分更突出于所述内表面侧，
所述盖和所述芯柱之中的一个部件，在俯视时与多个所述第2部分重叠的位置，具备与所述盖和所述芯柱之中的另一个部件的表面分别抵接的凸部。
2.如权利要求1所述的半导体光学装置，其特征在于，所述另一个部件在所述凸部抵接的部位，具有与所述凸部嵌合的凹部。
3.如权利要求2所述的半导体光学装置，其特征在于，所述凹部的深度比所述凸部的高度小。
4.如权利要求3所述的半导体光学装置，其特征在于，多个所述凸部彼此高度不同，使得所述盖以所述半导体光学元件的光轴与所述透镜的中心一致的位置关系固定。
5.如权利要求1所述的半导体光学装置，其特征在于，多个所述凸部局部地设在与多个所述第2部分分别重叠的位置。
6.如权利要求5所述的半导体光学装置，其特征在于，
所述第2部分及所述凸部在所述芯柱上的3个以上的位置个设一组，
所述3个以上的位置包括描绘出锐角三角形的3个位置。
7.如权利要求2至4的任一项所述的半导体光学装置，其特征在于，
所述凸部越向所述高度方向行进则外形阶段性地变小，
所述凹部越向所述深度方向行进则外形阶段性地变小。
8.如权利要求2所述的半导体光学装置，其特征在于，所述另一个部件具有第1口位于所述凸部进入的所述凹部内面且第2口位于所述凹部的外侧的贯通孔。
9.如权利要求1所述的半导体光学装置，其特征在于，所述另一个部件在所述凸部抵接的部位，具有所述凸部进入的阶梯差部。
10.如权利要求9所述的半导体光学装置，其特征在于，所述另一个部件具有第1口位于所述凸部进入的所述阶梯差部侧面且第2口位于所述阶梯差部的外侧的贯通孔。
11.如权利要求1所述的半导体光学装置，其特征在于，在所述缘部的与所述芯柱粘结的面，具备沿所述筒状躯干部的周方向连续地或间隔开地设置的狭缝。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013016560A JP5998962B2 (ja) | 2013-01-31 | 2013-01-31 | 半導体光装置 |
| JP2013-016560 | 2013-01-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103972370A true CN103972370A (zh) | 2014-08-06 |
| CN103972370B CN103972370B (zh) | 2017-08-08 |
Family
ID=51222752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410041531.5A Active CN103972370B (zh) | 2013-01-31 | 2014-01-28 | 半导体光学装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9196761B2 (zh) |
| JP (1) | JP5998962B2 (zh) |
| KR (1) | KR101611893B1 (zh) |
| CN (1) | CN103972370B (zh) |
| TW (1) | TWI528600B (zh) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140098678A (ko) | 2014-08-08 |
| US20140211472A1 (en) | 2014-07-31 |
| TWI528600B (zh) | 2016-04-01 |
| CN103972370B (zh) | 2017-08-08 |
| JP5998962B2 (ja) | 2016-09-28 |
| KR101611893B1 (ko) | 2016-04-12 |
| TW201431130A (zh) | 2014-08-01 |
| JP2014150098A (ja) | 2014-08-21 |
| US9196761B2 (en) | 2015-11-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |