CN103969488A - 电流互感器及其电流检测电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提出一种用于磁调制设备的电流互感器,其特征在于,包括:磁芯,所述磁芯包括非晶态合金材料;围绕所述磁芯的绕组,用于输出感应信号;其中,所述非晶态合金材料在1kHz交流下,矫顽力小于4A/m,且其饱和磁感应强度小于1T。

Description

电流互感器及其电流检测电路
技术领域
本发明提出了一种基于磁调制技术的用于感测交直流的电流互感器,以及具有该电流互感器的电流检测电路。
背景技术
电流互感器是一种常见的电流感测设备,其一般包括一个磁芯和缠绕于磁芯之上的绕组。绕组分为一次绕组和二次绕组。通常一次绕组匝数很少,串在需要测量的电流的线路中,因此它经常有线路的全部电流流过。二次绕组匝数比较多,串接在测量电路,以进行检测。
T.Sonoda等人在1992年发表于IEEE的论文“高精度交直流电流感测器”(T.Sonoda,R.Ueda,and K.Koga,“An AC and DC Current sensor of high accuracy,”IEEE Trans.OnIndustryApplications,vol.28,no.5,pp.1087-1094,Sept.-Oct.1992)提出采用零位法来测量被测电流的大小。所谓零位法就是通过一种基于饱和时间的负反馈调节使流过互感器的驱动电流和被测电流达到平衡,从而根据驱动电流大小,获知被测电流大小。在这一方案中,T.Sonada等人采用了三角波的驱动电流,且用两个相同电路分别检测正向磁饱和以及负向磁饱和。磁饱和位置的检测结果被用于调节驱动电流,以使之与被测电流达到平衡。
T.Sonoda等人的方案由于每个三角波的激励周期内只出现正、负各一个反馈信号,该方案只有在检测频率小于激励频率时才能使驱动电流有足够的时间达到稳定状态。由此,由于反馈速度的限制,该方案最高只能检测频率为几百赫兹的电流。
专利EP1610133描述了一种基于电流幅度反馈的磁调制方案。该方案通过在流过互感器线圈的电流达到某个阈值时翻转激励电压(如图1中Vexcite所示),使电流互感器维持振荡。在此方案中,翻转的电流阈值为固定值,流过互感器的电流总是在某一固定范围内振荡。在被测电流的影响下,振荡的线性区域发生上、下浮动,如图1中Vampl所示。Vampl在输出之前需要通过一个低通滤波器,以减小饱和区域对检测结果的影响,同时滤除激励电压的频率成分。当Vampl的中心电压偏移增大时,整个系统的信噪比就会降低,用于滤除激励频率的低通滤波器就需要更为陡峭的频率响应曲线才能将激励造成的噪音抑制在可接受的范围内。当采用了更为陡峭的频率响应的低通滤波器之后,系统的频率检测范围就会降低。
发明内容
本发明的一个目的旨在提供一种电流互感器,其能够具有较宽的检测范围。本发明的另一个目的旨在提供一个检测范围宽且成本低的电流互感器。
为实现上述目的,本发明提出了一种用于磁调制设备的电流互感器,其特征在于,包括:磁芯,所述磁芯包括非晶态合金材料;围绕所述磁芯的绕组,用于输出感应信号;其中,所述非晶态合金材料在1kHz交流下,矫顽力小于4A/m,且其饱和磁感应强度小于1T。优选地,所述非晶态合金材料在1kHz交流下,矫顽力小于2A/m。更为优选地,所述非晶态合金材料在1kHz交流下,矫顽力小于1A/m。尤为优选地,所述非晶态合金材料的饱和磁感应强度小于0.5T。
根据本发明一个实施例,可用作电流互感器磁芯的所述非晶态合金材料包括:67%wt钴、3%wt镍、4%wt铁、2%wt钼、12%wt硼、以及12%wt硅。另一实施例中,可用作电流互感器磁芯的所述非晶态合金材料包括:67%wt钴、3%wt镍、4%wt铁、2%wt钼、12%wt硼、以及12%wt硅。在又一实施例中,可用作电流互感器磁芯的所述非晶态合金材料包括:66%wt钴、4%wt铁、以及30%wt的硅、硼和钼。在又一个实施例中,可用作电流互感器磁芯的所述非晶态合金材料包括:58%wt钴,10%wt镍,5%wt铁,27%wt硼和硅。再一个实施例中,所述非晶态合金材料中的镍大于30%wt,且铁大于30%wt。
在一个优选实施例中,所述磁芯的横截面积的平方根与磁芯磁路长度的比值小于0.02。
根据本发明另一个方面,本发明提出了一种电流检测装置,包括:如以上所述任一种电流互感器;以及一驱动电路,用于向所述电流互感器输出驱动信号;一采样电路,用于检测流过所述电流互感器的电流;一饱和检测电路,用于判断流过所述电流互感器的电流是否达到饱和;一极性控制电路,其响应于所述饱和检测电路检测到饱和,而翻转驱动电路的激励信号的极性。
优选地,所述采样电路包括与所述电流互感器的绕组串联的采样电阻。更为优选地,所述饱和电路通过将所述采样电阻上的压降与一阈值比较,来判断所述电流互感器是否达到饱和。可选地,所述饱和电路通过将采样电阻上的压降的微分值与一阈值比较,来判断所述电流互感器是否达到饱和。
更为优选地,所述驱动电路向所述电流互感器输出的驱动信号基本上为极性可交替翻转的恒压信号。尤为优选地,所述采样电阻上的压降反馈到所述驱动电路,且所述驱动电路补偿所述采样电阻上的电压降。
本发明的又一个方面,本发明还提出用于剩余电流检测的电流检测器。
附图说明
以下附图仅旨在于对本发明做示意性说明和解释,并不限定本发明的范围。其中,
图1示出现有的一种用于激励电流互感器的激励电压Vexcite的波形,以及载有被测电流信息的测量电压Vampl的波形;
图2A和2B分别示例性地示出了超坡莫合金与非晶态合金的磁滞回线;
图3示例性地示出根据本发明一个实施例的电流检测装置的原理图;
图4示例性地示出根据本发明另一个实施例的电流检测装置的原理图;
图5示例性地示出根据本发明又一个实施例的电流检测装置的原理图;
图6示例性地示出根据本发明再一个实施例电流检测装置的原理图;
图7A和7B分别示出了非晶态合金材料和坡莫合金的波形。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图说明本发明的具体实施方式。
在图1所示的波形图中,本发明的发明人发现,激励的电流波型中的线性部分并非位于中心位置,而是存在一定的偏移。这种偏移是由磁芯材料的矫顽力造成的,矫顽力越大偏移越大。而且,这种偏移还占用了电压的动态范围,使得整个系统的电流检测范围受到限制。为此,本发明的发明人提出寻找一种具有较小矫顽力的材料来作为电流互感器的磁芯材料。
图2A和图2B分别示出了非晶态合金和超坡莫合金的磁滞回线,即B-H曲线。由图中可见,与图2B中的超坡莫合金的磁滞回线相比,非晶态合金的B-H更加陡峭,换言之,非晶态合金B-H曲线中的线性区和饱和区界线更为分明。所以,如果选择非晶态合金材料作为电流互感器中的磁芯,则非晶态合金材料能够更易响应于激励,也更易于检测到饱和状态。
图3示例性地示出了根据本发明一个实施例的电流检测装置的原理图。如图所示,电流检测装置2包括:电感1、驱动电路3、采样单路4、饱和电路5,以及极性控制电路6。图3中,电流互感器电感1表示。这里,电感1相当于电流互感器中的绕组,其一端连接到驱动电路3,另一端连接到采样电路4。在图3所示的例子中采样电路4为一个与电感1(也就是和电流互感器)串联的采样电阻,且采样电阻的另一端连接到地(GND)。饱和电路5连接到采样电路4,用于根据采样值确定电流互感器是否达到饱和状态,如果达到则输出饱和指示信号给极性控制电路6。极性控制电路6响应于该饱和指示信号而控制驱动电路3,使其驱动信号的极性翻转。
在图3所示的例子中,驱动电路3优选输出如图1中Vexcite所示稳压驱动信号。所不同的是,驱动信号极性翻转的触发机制不再是固定的阈值,而是电流互感器的饱和工作点。
为了避免检测到的电压信号出现如图1中Vampl所示的大幅偏移,图3中的电感1,也就是电流互感器,选用了矫顽力较小的非晶态合金材料作为磁芯。这里,“非晶态”是指金属分子之间并没有金属键形成使其成为晶体或晶粒。与大多数情况下,非晶态合金材料在低频情况下的矫顽力低于大多数金属材料。为此,在图3中优选采用矫顽力低的非晶态合金,例如矫顽力低于2A/m。铁镍基非晶态合金,例如合金Fe40Ni38Mo4B18的低频矫顽力通常为0.6A/m至1.2A/m。更为优选地,选用矫顽力低于0.5A/m的非晶态合金。钴基非晶态合金,例如Co66Fe4(Mo,Si,B)30和Co58Ni10Fe5(Si,B)27的低频矫顽力通常为0.2A/m至0.4A/m。与之相比,坡莫合金的低频矫顽力在0.8A/m~6A/m相对较大。在磁调制系统中,功耗在相当程度上受到矫顽力的影响。矫顽力越大,系统就需要输出越大的能量来克服矫顽力。通过采用矫顽力低的磁材料,可以有效地降低在被测电流为零时的激励功耗。相应地,降低在村在被测电流时,检测电压Vampl的偏移幅度。这也进一步降低了功耗,使得充分利用检测电压的动态范围。
此外,非晶态合金材料还可以工作在几百千赫兹的频率下。对于其他一般磁性材料,比如坡莫合金,随着工作频率的增长,磁性能快速恶化。实验中一坡莫合金试样的矫顽力从100Hz时的2A/m增加到了2.5kHz时的19A/m。而非晶态合金材料的矫顽力增量普遍较小。因此,采用非晶态合金材料制作磁调制电流互感器,可以拓宽频率范围。附图7A和7B分别示出了非晶态合金材料和坡莫合金的波形。
如图2B所示,非晶态合金材料易达到磁饱和,也就是说其磁饱和强度较低。在本发明中优选磁饱和强度小于1T的非晶态合金材料,以满足在正、负饱和之间快速切换的要求。例如,选用铁镍合金,如Fe40Ni38Mo4B18,其磁饱和强度Bsat大约在0.75T左右。更为优选地,选用磁饱和强度低于0.6T的非晶态合金材料。例如,选用钴基非晶态合金,如Co66Fe4(Mo,Si,B)30或Co58Ni10Fe5(Si,B)27做磁芯,其磁饱和强度Bsat约为0.55T。在大部分磁调制技术中,磁芯反复振荡于正负两个饱和区域之间,而在线性区域,电流总是随着时间接近线性地增加或减少。如果采用容易饱和的上述磁材料,电流互感器将在更短的时间和更小的电流就达到饱和,使得激励电流大小得到减小。另外由于饱和时间的缩短,激励频率随之提高,检测电路将更容易把激励频率从电流信号中滤除。非晶态合金材料的低饱和磁感应强度的特性可以使激励功耗降低,频率范围得到扩大。
综上所述,非晶态合金材料可以具有很低的饱和磁感应强度以及在低频和相对较高的频率下很低的矫顽力。这些特性使得该材料不仅容易进入磁饱和,还很容易被退磁。由于磁调制技术所基于的零位法要求被测电流和激励电流所造成的磁场大小相等,当铁芯材料存在剩磁时,就会产生检测误差。因此当铁芯被暴露在强磁场中之后,必须通过退磁才能消除剩磁所造成的检测误差。非晶态合金材料容易退磁的特性使得它在大部分应用场合可以直接通过激励本身来退磁,而无须对互感器进行任何特殊处理。
此外,非晶态合金材料具有良好的延展性,其能够被制作成横截面积很小的形式。为此,对于某些磁芯横截面受限的应用,采用非晶态合金材料可以制作出横截面积的平方根与磁芯磁路长度的比值很小的磁芯。这样,电流检测范围以及频率范围可以被大幅增加。通过减小所述比值以减小感抗,激励频率和检测频率范围得以被提高,使得通过增加轧数来扩大检测范围成为可能。
以上示例性地列举了铁镍基非晶态合金和鈷基非晶态合金。以下进一步列举可以用在本发明中的非晶态合金。例如,同样是钴基非晶态合金,其可以包括67%wt钴、3%wt镍、4%wt铁、2%wt钼、12%wt硼、以及12%wt硅。另一实施例中,可用作电流互感器磁芯的所述非晶态合金材料包括:67%wt钴、3%wt镍、4%wt铁、2%wt钼、12%wt硼、以及12%wt硅。在又一实施例中,可用作电流互感器磁芯的所述非晶态合金材料包括:66%wt钴、4%wt铁、以及30%wt的硅、硼和钼(硅、硼和钼一共为30%wt)。再一个实施例中,可用作电流互感器磁芯的所述非晶态合金材料包括:58%wt钴,10%wt镍,5%wt铁,27%wt硼和硅。再比如,同样是铁镍基非晶态合金,其可以镍大于30%wt,且铁大于30%wt。
图4-图6分别示出了三种不同的电流检测装置的原理图。其中,与图3相同的附图标记表示相同的单元,这里也不再重复而仅讨论不同之处。在图4所示的电流检测装置2’中,采样电阻两端的电压通过一个差分放大器7处理后再送入饱和电路。这样,饱和电路可以得到采样电阻两端的电压降。这样,即使采样电阻另一端还连接到其他电路,也可以较为准确地检测出磁芯是否达到了饱和。图5的电流检测装置2”相比于图3增加了一路反馈。该反馈从采样电阻上获得采样电阻上端的电压值。由于采样电阻下端接地,该电压值即为采样电阻上的压降。采样电阻上的压降反馈到驱动电路3’,驱动电路可以补偿这一压降,从而保证加在电流互感器上的电压基本上为恒压。图6所示的电流检测装置2”’不仅通过差分放大器7来检测采样电阻上的压降,还将该精确测得的压降反馈到驱动电路3”,从而驱动电路能够及时补充采样电阻上的压降。
应当理解,虽然本说明书是按照各个实施例描述的,但并非每个实施例仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
以上所述仅为本发明示意性的具体实施方式,并非用以限定本发明的范围。任何本领域的技术人员,在不脱离本发明的构思和原则的前提下所作的等同变化、修改与结合,均应属于本发明保护的范围。

Claims (18)

1.一种用于磁调制设备的电流互感器,其特征在于,包括:
磁芯,所述磁芯包括非晶态合金材料;
围绕所述磁芯的绕组,用于输出感测信号;
其中,所述非晶态合金材料在1kHz交流驱动下,矫顽力小于4A/m,且其饱和磁感应强度小于1T。
2.根据权利要求1所述的电流互感器,其特征在于,所述非晶态合金材料在1kHz交流驱动下,矫顽力小于2A/m。
3.根据权利要求2所述的电流互感器,其特征在于,所述非晶态合金材料在1kHz交流驱动下,矫顽力小于1A/m。
4.根据权利要求1所述的电流互感器,其特征在于,所述非晶态合金材料的饱和磁感应强度小于0.6T。
5.根据权利要求1所述的电流互感器,其特征在于,所述非晶态合金材料为钴基非晶态合金。
6.根据权利要求5所述的电流互感器,其特征在于,所述非晶态合金材料包括:67%wt钴、3%wt镍、4%wt铁、2%wt钼、12%wt硼、以及12%wt硅。
7.根据权利要求5所述的电流互感器,其特征在于,所述非晶态合金材料包括:66%wt钴、4%wt铁、以及30%wt的硅、硼和钼。
8.根据权利要求1所述的电流互感器,其特征在于,所述非晶态合金材料为铁镍基非晶态合金。
9.根据权利要求8所述的电流互感器,其特征在于,所述非晶态合金材料包括:58%wt钴,10%wt镍,5%wt铁,27%wt硼和硅。
10.根据权利要求8所述的电流互感器,其特征在于,所述非晶态合金材料中的镍大于30%wt,且铁大于30%wt。
11.根据权利要求1至10中任一所述的电流互感器,其特征在于,所述磁芯的横截面积的平方根与磁芯磁路长度的比值小于0.02。
12.一种电流检测装置,包括:
如权利要求1-11中任一所述的电流互感器(1);
一驱动电路(3),用于向所述电流互感器(1)输出驱动信号;
一采样电路(4),用于检测流过所述电流互感器(1)的电流;
一饱和检测电路(5),用于判断流过所述电流互感器(1)的电流是否达到饱和;
一极性控制电路(6),其响应于所述饱和检测电路(5)检测到饱和,而翻转驱动电路的激励信号的极性。
13.如权利要求12所述的电流检测装置,其中,所述采样电路(4)包括与所述电流互感器的绕组串联的采样电阻。
14.如权利要求13所述的电流检测装置,其中,所述饱和电路(5)通过将所述采样电阻上的压降与一阈值比较,来判断所述电流互感器是否达到饱和。
15.如权利要求13所述的电流检测装置,其中,所述饱和电路通过将采样电阻上的压降的微分值与一阈值比较,来判断所述电流互感器是否达到饱和。
16.如权利要求13所述的电流检测装置,其中,所述驱动电路(3)向所述电流互感器输出的驱动信号基本上为极性可交替翻转的恒压信号。
17.如权利要求16所述的电流检测装置,其中,所述采样电阻上的压降反馈到所述驱动电路(3’),且所述驱动电路补偿所述采样电阻上的电压降。
18.一种剩余电流检测装置,包括:
如权利要求1-17中任一所述的电流检测器。
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