CN103969275A - 能量色散型荧光x射线分析装置 - Google Patents

能量色散型荧光x射线分析装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103969275A
CN103969275A CN201410041382.2A CN201410041382A CN103969275A CN 103969275 A CN103969275 A CN 103969275A CN 201410041382 A CN201410041382 A CN 201410041382A CN 103969275 A CN103969275 A CN 103969275A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ray
energy
crest
wave
characteristic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410041382.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103969275B (zh
Inventor
荒川智
熊泽克巳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DKK TOA Corp
Original Assignee
DKK TOA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DKK TOA Corp filed Critical DKK TOA Corp
Publication of CN103969275A publication Critical patent/CN103969275A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103969275B publication Critical patent/CN103969275B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

本发明提供一种能量色散型荧光X射线分析装置,即使温度有变化,其也可准确鉴定从测定对象元素获得的特征X射线的波峰。一种能量色散型荧光X射线分析装置,其具备:X射线源(1),其放射包含从靶材产生的能量E1的特征X射线的激发X射线(A);修正体(8),其通过激发X射线(A)产生能量E2的特征X射线作为修正X射线(C);检测器(4),其在检测出所述激发X射线(A)及所述修正X射线(C)的同时,检测出从所述试样产生的荧光X射线(B);波高分析器(5);运算部(6)。运算部(6)根据基于能量E1的特征X射线的波峰顶点的波高值H1和基于能量E2的特征X射线的波峰顶点的波高值H2,修正能量值和波高值的关系。

Description

能量色散型荧光X射线分析装置
技术领域
本发明涉及一种能量色散型荧光X射线分析装置。更具体来说,涉及一种即使检测器等的温度有变化,也可准确鉴定从测定对象元素获得的特征X射线的波峰的能量色散型荧光X射线分析装置。
背景技术
荧光X射线分析装置,系利用通过对试样照射激发X射线而产生的荧光X射线,对试样中的测定对象元素进行鉴定或定量的装置。只要荧光X射线中含有试样中的测定对象元素所特有的特征X射线,即可确认存在该测定对象元素,另外,还可从该特征X射线的计数值获得该测定对象元素的定量信息。
荧光X射线分析装置中有波长色散型和能量色散型,其中,能量色散型荧光X射线分析装置由于不需要分光系统,能够实现装置的小型化,被应用于对各种试样进行的分析。
一直以来,使用能量色散型荧光X射线分析装置,离不开严格的温度管理(例如,专利文献1)。这是因为,检测器尤其容易受到温度的影响,即使是相同能量(波长)的X射线,由于温度变化,也会检测出不同波高值的波峰。
另外,还有研究提出:探测激发X射线散射光的波高值的位置偏差,反馈控制施加于检测器的高压电压等,若为相同能量(波长)的X射线,则无需进行严格的温度管理,即可得到一定波高值的波峰(专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利实用新型专利第3075377号公报
专利文献2:日本专利特开平04-274745号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,若要如专利文献1所示进行温度管理,离不开用于温度管理的大型系统。另外,即使想要进行严格的温度管理,在环境温度大幅变化等情况下,有时会无法保持恒定的温度。特别是使用正比计数器作为检测器时,其受温度变化的影响较大,有时会给进行准确的分析带来障碍。
另外,如专利文献2所示,即使为了避免产生激发X射线的散射光的波高值的位置偏差而进行反馈控制,由于能量值(波长)和波高值并非简单的正比关系,因此,基于试样中的测定对象元素所特有的特征X射线的波峰的波高值,依然无法避免受温度的影响而变动。
本发明即鉴于上述情况而作。本发明提供一种能量色散型荧光X射线分析装置,即使温度有变化,其也可准确鉴定从测定对象元素获得的特征X射线的波峰。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题,本发明采用了如下结构。
本发明的第一方案为,一种能量色散型荧光X射线分析装置,其基于通过对试样照射激发X射线所产生的荧光X射线,分析所述试样中的测定对象元素,其特征在于,
其具备:
X射线源,其放射包含从靶材产生的能量E1的特征X射线的激发X射线,
修正体,其以遮挡从所述X射线源至所述试样的激发X射线的部分光束的方式设置,并通过激发X射线产生能量E2的特征X射线作为修正X射线,
检测器,其在检测出所述激发X射线及所述修正X射线的同时,检测出从所述试样产生的荧光X射线,
波高分析器,其将所述检测器的输出转换为以对应能量值的波高值为横轴、以计数值为纵轴的波谱,
运算部,其根据从该波高分析器获得的波谱,求得所述试样中的测定对象元素的信息;
其中,所述运算部,根据基于能量E1的特征X射线的波峰顶点的波高值H1,和基于能量E2的特征X射线的波峰顶点的波高值H2,修正能量值和波高值的关系,
将与试样中的测定对象元素的能量Ex的特征X射线对应的波高值Hx的波峰,鉴定为基于所述试样中的测定对象元素的波峰。
本发明的第二方案为,根据第一方案所述的能量色散型荧光X射线分析装置,其中,所述检测器为正比计数器。
本发明的第三方案为,根据第一方案或第二方案所述的能量色散型荧光X射线分析装置,其中,构成所述靶材的元素为钛或钪,构成所述修正体的元素为铝或硅。
本发明的第四方案为,根据第一方案~第三方案中的任一项所述的能量色散型荧光X射线分析装置,其中,所述试样中的测定对象元素为硫磺。
本发明的第五方案为,根据第一方案~第四方案中的任一项所述的能量色散型荧光X射线分析装置,其中,所述试样为石油。
本发明的第六方案为,根据第一方案~第五方案中的任一项所述的能量色散型荧光X射线分析装置,其中,
其还具备滤波器,该滤波器由与构成所述靶材的元素相同的元素或原子序数比构成所述靶材的元素大1的元素构成,其被设置于所述X射线源和所述修正体之间,以过滤从所述X射线源至所述试样的激发X射线的光束;
所述运算部,根据基于能量E1的特征X射线的波峰的计数值,修正各波高值的计数值,同时,将基于能量E1的特征X射线的波峰的波峰顶点的低波高侧半部分,视为以波峰顶点的波高值H1为折叠轴翻转高波高侧半部分而成,求出基于能量Ex的特征X射线的波峰的计数值,获得所述试样中的测定对象元素的定量信息。
本发明中的波高值并非指初始的X射线的能量值本身,而是指检测器识别出的能量值。
此外,在本说明书中,“散射”是指能量(波长)不发生改变的弹性散射。
另外,在本说明书中,“波峰的计数值”原则上是指该波峰的计数值的累计值,但若获得的波峰较尖锐时,也可以是波峰顶点的计数值。另外,“波峰的计数值的累计值”既可以是距离该波峰的波峰顶点一定宽度范围内的计数值的累计值,也可以是该波峰整体计数值的累计值。
发明效果
根据本发明的能量色散型荧光X射线分析装置,即使温度有变化,也可准确鉴定从测定对象元素获得的特征X射线的波峰。
因此,可以省略或简化装置的温度管理系统,能够以简单的装置进行准确的分析。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的能量色散型荧光X射线分析装置的结构图;
图2是图1的滤波器的透光率曲线的一例;
图3是修正X射线到达检测器的光路的说明图;
图4是对其它修正体的说明图;
图5是通过本发明的一个实施方式的能量色散型荧光X射线分析装置,测定不含作为测定对象元素之硫磺的零点校正液时的波谱的一例,其中,靶材和滤波器为钛,修正体为铝;
图6是图5的局部放大图;
图7是通过本发明的一个实施方式的能量色散型荧光X射线分析装置,测定含有已知量的作为测定对象元素的硫磺的量程校正液时的波谱的一例,其中,靶材和滤波器为钛,修正体为铝;
图8是求出硫磺波峰的净计数值的方法的说明图;
图9是求出硫磺波峰的净计数值的方法的说明图;
图10是求出硫磺波峰的净计数值的方法的说明图。
符号说明
1…X射线源
2…高压电源
3…流通池
4…检测器
5…波高分析器
6…运算部
7…滤波器
8…修正体
A…激发X射线
B…荧光X射线
C…修正X射线
具体实施方式
下面对本发明的一个实施方式的能量色散型荧光X射线分析装置进行说明。如图1所示,本实施方式的能量色散型荧光X射线分析装置具备:X射线源1,其发出激发X射线A;高压电源2,其对X射线源1施加高压电;流通池3,其供试样流通;检测器4,其被设置于由试样或流通池3散射的激发X射线A以及从试样发出的荧光X射线B的光路上;波高分析器5,其被输入检测器4的输出;运算部6,其根据由波高分析器5获得的波谱求得试样中的测定对象元素的信息。
另外,在从X射线源1至流通池3的激发X射线A的光路上,依次设置有滤波器7和修正体8。在流通池3的两端,分别连接有试样导入通路11和试样排出通路12。从X射线源1至流通池3的激发X射线A的光路,以及从试样至检测器4的激发X射线A及荧光X射线B的光路,优选在真空环境下,或氦气、氮气等不妨碍透过荧光X射线B的单一气体氛围下形成。
X射线源1中,在形成真空的壳体内部具备未图示的靶材,通过使高速电子碰撞该靶材,产生构成靶材的元素所特有的能量E1的特征X射线,放射包含该能量E1的特征X射线的激发X射线A。高压电源2对X射线源1施加高电压,以产生该高速电子。
可以使用Sc、Ti、Ag、Rh、Mo、Cu、Cr、W、Co、Fe等固体靶材材料作为构成靶材的元素。由于特征X射线的能量E1随构成靶材的元素种类的不同而不同,因此,根据试样中的测定对象元素适当选择即可。
由于激发X射线A产生测定对象元素的能量Ex的特征X射线作为荧光,能量E1必须充分大于能量Ex。因此,构成靶材的元素必须大于测定对象元素。不过,若能量E1与能量Ex相比过大,还会产生大于测定对象元素的元素的特征X射线,从而导致测定精度降低,因此并非优选。
例如,若试样中的测定对象元素为硫磺(Kα=2.31keV),则优选使用钛(Kα=4.51keV)或钪(Kα=4.09keV)作为构成靶材的元素。
流通池3中,在射入来自X射线源1的激发X射线A的一侧,设置有可透过X射线的窗口。通常使用铍薄膜作为窗口。
可以采用正比计数器、半导体检测器、闪烁计数器等公知的检测器作为检测器4。其中,由于正比计数器易受温度的影响,因此,可优选其适用于本发明。若能解决温度影响的问题,正比计数器能够以较高输出检测出微量的X射线,因此,适于测定微量的测定对象元素。检测器4的窗口亦通常使用铍薄膜。
检测器4,被配置于能够在检测出从试样发出的荧光X射线B的同时,检测出被流通池3散射的激发X射线A和后述的修正X射线C的位置。
波高分析器5,将检测器4的输出转换为以对应能量值的波高值为横轴、以计数值为纵轴的波谱。具体来说,将获得波谱的波高值的范围分割为多个(2048、4096等)波道,通过计算在所分割的每个波道内检测出的X射线,获得波谱。
滤波器7,被设置于遮挡激发X射线A的位置,以过滤从X射线源1至流通池3的激发X射线A的光束。滤波器7由与构成X射线源1的靶材的元素相同的元素或原子序数比构成所述靶材的元素大1的元素的薄膜构成。例如,若构成靶材的元素为钛,则可以采用钛或钒作为构成滤波器7的元素。另外,若构成靶材的元素为钪,则可以采用钪或钛作为构成滤波器7的元素。
滤波器7的X射线透光性,在构成靶材的元素的特征X射线的能量E1中足够高,随着低于能量E1而逐渐降低,若超过能量E1则会急剧降低。
例如,如图2所示,由钛构成的滤波器的透光率以4.96keV为波峰顶点,随着低于4.96keV而逐渐降低,若超过能量E1则会急剧降低。其中,图2中的透光率1.0,是指100%透光。
因此,若构成靶材的元素为钛(Kα=4.51keV)或钪(Kα=4.09keV),通过以由钛构成的滤波器7过滤,即可在使构成靶材的元素的特征X射线充分透过的同时,减少激发X射线A中的白色X射线。另外,还可滤去因构成X射线源1的壳体的元素(例如,铁、镍、钴)等而产生的、形成杂波的特征X射线。
修正体8,通过激发X射线A产生能量E2的特征X射线作为修正X射线C。能量E2当然小于激发X射线A中特征X射线的能量E1,优选其还小于构成试样中的测定对象元素之元素的特征X射线的能量Ex。通过使能量Ex介于能量E1和能量E2之间,可更准确地求出与对应于能量Ex的波高值Hx。
例如,若试样中的测定对象元素为硫磺(Kα=2.31keV),则可以采用铝(Kα=1.49keV)、硅(Kα=1.74keV)、钠(Kα=1.04keV)、镁(Kα=1.25keV)作为构成修正体8的元素。其中,由于作为单体较为稳定,优选采用铝和硅;由于作为纯物质易于加工,尤其优选采用铝。若采用钠或镁,则应采用其氧化物等较为稳定的化合物。
如图3示意性所示,本实施方式的修正体8形成为具备开口部8a的结构。开口部8a可以设置成针孔或狭缝等,优选设置成针孔。通过将开口部8a设置成针孔,修正体8还可兼具激发X射线A的光圈的作用。例如,通过在X射线源1附近(1~5mm左右)的位置配置具有直径2mm左右的针孔的修正体8,从X射线源1向流通池3照射的激发X射线A的部分光束被修正体8遮挡,而光束的中心部分通过针孔(开口部8a)到达流通池3。
虽然修正X射线C从修正体8被激发X射线A照射到的所有部分产生,但被检测器4探测到的主要是在开口部8a的边缘部分产生的修正X射线C。如图3(a)所示,在开口部8a的边缘部分产生的部分修正X射线C通过与激发X射线A大致相同的光路到达流通池3,在此被散射而通过与荧光X射线B大致相同的光路到达检测器4。另外,如图3(b)所示,其它部分则直接到达检测器4。而且,检测器4既可以以仅检测出经过了如图3(a)所示的光路的修正X射线C的方式配置,也可以以仅检测出经过了如图3(b)所示的光路的修正X射线C的方式配置。
如图4示意性所示,修正体8还可被蒸镀于流通池3的流通池窗口。在该情况下,修正体8也具有开口部8a,开口部8a实质上成为流通池窗口。开口部8a的形状可以设置成针孔或狭缝。在该情况下,修正X射线C从修正体8被激发X射线A照射到的所有部分产生,直接到达检测器4而被测知。例如,可以以流通池窗口的中心为中心点,呈环状地设置修正体8。
另外,修正体8亦可并非在局部具有开口部的结构,而是通过在流通池窗口的周缘部的局部连续或断续地蒸镀而形成。例如,可以以流通池窗口的中心为中心点,呈断续环状地设置修正体8。
由于修正X射线C只要能够确认波峰顶点的波高值H2即可,因此,由检测器4获得的计数值极小亦无妨。若由检测器4获得的计数值过大,则修正X射线C的波峰和基于测定对象元素的特征X射线的波峰的重叠可能引起误差,故而并非优选。
运算部6,根据从波高分析器5获得的波谱,求得试样中的测定对象元素的信息。
下面,以通过本实施方式的能量色散型荧光X射线分析装置(其中,X射线源1的靶材和滤波器7为钛,修正体8为铝)来测定石油中的硫磺为例,说明运算部6根据从波高分析器5获得的波谱,鉴定作为试样中测定对象元素的硫磺,进而获得定量信息的步骤。
另外,在下面的说明中,所谓“波峰的计数值”,是指距该波峰的波峰顶点一定宽度范围内的计数值的累计值。从获得稳定数值的观点考虑,以波高分析器5的波道数计算,一定宽度优选为5个波道以上,更优选为10个波道以上。另外,从减少因与其它波峰的重叠而引起的误差的观点考虑,优选为各波峰的半值宽度以下,更优选为半值宽度的一半以下。
下面举例说明。此例中,波高分析器5的总波道数为2048波道,将波峰的计数值作为由包含波峰顶点的波道和其前后10个波道所构成的21个波道的计数值的累计值。
(对零点校正液的测定)
首先,使不含作为测定对象元素之硫磺的零点校正液流入流通池3。可以采用例如液体石蜡、萘烷等作为零点校正液。
图5是在此时获得的波谱的一例,图6是其局部放大图。如图5所示,虽然铝的波峰小到在整个波谱的图5中无法确认的程度,但如图6所示,放大即可明确确认。
基于能量E1(Kα=4.51keV)的钛的波峰顶点的波高值H1以及能量E2(Kα=1.49keV)的铝的波峰顶点的波高值H2,其它波高值也可与能量值建立关联。
除波高值H1、H2以外的波高值H所对应的能量E,可以通过下式求得。
E=(E1-E2)×(H-H2)/(H1-H2)+E2
图5、图6中,设定钛的波峰顶点的波高值H1为能量E1(Kα=4.51keV),设定铝的波峰顶点的波高值H2为能量E2(Kα=1.49keV),建立所有波高值与能量值的关联,完成了能量值和波高值的关系的修正(横轴修正结束)。
(对量程校正液的测定)
接着,使含有已知量的作为测定对象元素之硫磺的量程校正液流入流通池3。可以采用例如在液体石蜡或萘烷中溶解了已知量的二丁基硫醚或二硫化二丁基的溶液等作为量程校正液。
图7是在与测定零点校正液时不同的温度条件下获得的量程校正液的波谱的一例。图7的“原始波谱”是完全未加修正的原波谱。“原始波谱”的钛的波峰与图5的钛的波峰,以不同的大小出现在不同的波高值。在图7中无法确认铝的波峰,但如图6那样放大后,则即使在该“原始波谱”中也可确认铝的波峰。
在比2keV稍高波长侧出现的波峰为硫磺的波峰。
针对该原始波谱,修正了能量值和波高值的关系的,是横轴修正波谱。能量值和波高值的关系的修正,与在零点校正液的测定中所做的说明相同,即:设定钛的波峰顶点的波高值H1为能量E1(Kα=4.51keV),设定铝的波峰顶点的波高值H2为能量E2(Kα=1.49keV),建立了所有波高值与能量值的关联。
在量程校正液含有较高浓度(例如约500ppm)的硫磺的情况下,无需进行横轴修正,即可鉴定硫磺的波峰。在本实施方式的装置中,通过下式,可以求出与硫磺的特征X射线的能量Ex(Kα=2.31keV)对应的波高值Hx,因此,即使是极低浓度(例如约10ppm)的硫磺的波峰,也可鉴定出来。
Hx=(H1-H2)×(Ex-E2)/(E1-E2)+H2
然后,针对该横轴修正波谱,修正了计数值(纵轴修正)的,是纵轴修正波谱。纵轴修正,系根据钛的波峰的计数值而进行的。
具体来说,改变纵轴的刻度,以使横轴修正波谱的钛的波峰的计数值与通过测定零点校正液获得的钛的波峰的计数值相同。在本实施方式中,由于波峰的计数值为由含有波峰顶点的波道和其前后10个波道构成的21个波道的计数值的累计值,因此,使由含有4.51keV的波道和其前后10个波道构成的21个波道的宽度面积,与通过测定零点校正液获得的钛的波峰的宽度面积相同。
而且,在纵轴修正中,并非必须以通过测定零点校正液获得的钛的波峰的计数值为基准。例如,作为相对于通过测定量程校正液获得的钛的波峰的计数值的比率,也可显示通过测定量程校正液获得的其它波峰的计数值。
获得的纵轴修正波谱中,硫磺的波峰与钛的波峰的底部重叠。因此,为了求出硫磺的波峰的净计数值,必须确定钛的波峰的底部的位置。
因此,在本实施方式中,将基于钛的特征X射线的波峰的低波高侧半部分,视为以波峰顶点的波高值H1(Kα=4.51keV)为折叠轴翻转高波高侧半部分而成,求出基于能量Ex的特征X射线的波峰的计数值。
之所以能将低波高侧半部分视为以波峰顶点的波高值H1为折叠轴翻转高波高侧半部分而成,是因为在本实施方式中,由于使用了钛滤波器,滤去了可能与钛的波峰的高波高侧重叠的铁(Kα=1.94keV)、钴(Kα=1.79keV)、镍(Kα=1.66keV)等的特征X射线。因此,可将钛的波峰的高波高侧半部分视为基于净钛的波峰形状。而且,由于单一能量值(波长)的X射线的波峰原系高斯分布或仿照高斯分布的形状,因此,可将低波高侧半部分,视为以波峰顶点的波高值H1为折叠轴翻转高波高侧半部分而成。
图8是将以波峰顶点的波高值H1(Kα=4.51keV)为折叠轴翻转了高波高侧半部分的折叠波谱,重叠于图7中获得的纵轴修正波谱而得的图。
若在波高值H1(Kα=4.51keV)以下,从纵轴修正波谱减去折叠波谱,如图9所示,则可获得硫磺的净波峰,因此,即可根据该净波峰的计数值和量程校正液的硫磺浓度的关系,进行量程校正。
将钛的波峰的低波高侧半部分视为以波峰顶点的波高值H1(Kα=4.51keV)为折叠轴翻转高波高侧半部分而成,并在此基础上求出硫磺的波峰的净计数值的方法,并非仅限于此。例如,若从纵轴修正波谱中钛的波峰的高波高侧半部分,减去通过测定零点校正液获得的钛的波峰的高波高侧半部分,即可获得如图10所示的差谱。
若从纵轴修正波谱,减去以波高值H1(Kα=4.51keV)为折叠轴翻转该差谱而成的波谱,进而再减去在波高值H1(Kα=4.51keV)以下通过测定零点校正液获得的波谱,即可得到硫磺的净波峰,因此,可以根据该净波峰的计数值和量程校正液的硫磺浓度的关系,进行量程校正。
(对试样的测定)
接下来,使含有未知量的作为测定对象元素之硫磺的试样(石油)流入流通池3。该情况下的波谱处理,与量程校正液时相同。
意即,在与测定零点校正液或量程校正液时不同的温度条件下获得的试样的波谱,若系完全未加修正的“原始波谱”,钛的波峰与零点校正液或量程校正液的钛的波峰相比,会以不同的大小出现在不同的波高值。另外,若系“原始波谱”,硫磺的波峰与量程校正液的硫磺的波峰相比,会出现在不同的波高值。因此,也使用同时检测出的铝的波峰,按照与对量程校正液所做说明相同的方式,进行横轴修正。
另外,按照与对量程校正液所做说明相同的方式进行纵轴修正,获得纵轴修正波谱。进而,将纵轴修正波谱中钛的波峰的低波高侧半部分,视为以波峰顶点的波高值H1(Kα=4.51keV)为折叠轴翻转高波高侧半部分而成,在此基础上求出硫磺的波峰的净计数值。具体的求出净计数值的方法,与对量程校正液所做的说明相同。通过对比该计数值和量程校正液中硫磺的波峰的净计数值,即可求出试样中的硫磺含量。
根据本实施方式,从X射线源1的靶材的特征X射线和构成修正体的元素的特征X射线两方面进行横轴修正,因此,即使温度有变化,也可对准确鉴定从测定对象元素获得的特征X射线的波峰。
另外,根据X射线源1的靶材的特征X射线进行纵轴修正,进而,顾及基于靶材的特征X射线的波峰的底部,求出测定对象元素的波峰的净计数值,因此,能够准确定量测定对象元素。
因此,可以省略或简化装置的温度管理系统,能以简单的装置进行准确的分析。
另外,若采用正比计数器作为检测器,则能以较高输出检测出微量的X射线。一直以来,由于正比计数器易受温度变化的影响,且难以获得尖锐的波峰,因此,对于微量的测定对象元素,即使获得了较高输出,也难以与X射线源1的靶材的特征X射线的底部区分开来,以准确求出净测定对象元素的波峰的计数值,难以对微量的测定对象元素实施测定。根据本实施方式,无需严格管理温度,即可采用正比计数器作为检测器,准确定量微量的测定对象元素。
例如,在通过本实施方式的能量色散型荧光X射线分析装置(其中,X射线源1的靶材和滤波器7为钛,修正体8为铝)测定石油中的硫磺时,即使是1ppm以下极低浓度的硫磺,也可定量。
而且,在本发明中,并非必须以运算部6求出定量信息。此时,滤波器也可省略。

Claims (6)

1.一种能量色散型荧光X射线分析装置,其基于通过对试样照射激发X射线所产生的荧光X射线,分析所述试样中的测定对象元素,其特征在于,
其具备:
X射线源,其放射包含从靶材产生的能量E1的特征X射线的激发X射线,
修正体,其以遮挡从所述X射线源至所述试样的激发X射线的部分光束的方式设置,并通过激发X射线产生能量E2的特征X射线作为修正X射线,
检测器,其在检测出所述激发X射线及所述修正X射线的同时,检测出从所述试样产生的荧光X射线,
波高分析器,其将所述检测器的输出转换为以对应能量值的波高值为横轴、以计数值为纵轴的波谱,
运算部,其根据从该波高分析器获得的波谱,求得所述试样中的测定对象元素的信息;
其中,所述运算部,根据基于能量E1的特征X射线的波峰顶点的波高值H1,和基于能量E2的特征X射线的波峰顶点的波高值H2,修正能量值和波高值的关系,
将与试样中的测定对象元素的能量Ex的特征X射线对应的波高值Hx的波峰,鉴定为基于所述试样中的测定对象元素的波峰。
2.根据权利要求1所述的能量色散型荧光X射线分析装置,其中,所述检测器为正比计数器。
3.根据权利要求1或2所述的能量色散型荧光X射线分析装置,其中,构成所述靶材的元素为钛或钪,构成所述修正体的元素为铝或硅。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的能量色散型荧光X射线分析装置,其中,所述试样中的测定对象元素为硫磺。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的能量色散型荧光X射线分析装置,其中,所述试样为石油。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的能量色散型荧光X射线分析装置,其中,
其还具备滤波器,该滤波器由与构成所述靶材的元素相同的元素或原子序数比构成所述靶材的元素大1的元素构成,其被设置于所述X射线源和所述修正体之间,以过滤从所述X射线源至所述试样的激发X射线的光束;
所述运算部,根据基于能量E1的特征X射线的波峰的计数值,修正各波高值的计数值,同时,将基于能量E1的特征X射线的波峰的波峰顶点的低波高侧半部分,视为以波峰顶点的波高值H1为折叠轴翻转高波高侧半部分而成,求出基于能量Ex的特征X射线的波峰的计数值,获得所述试样中的测定对象元素的定量信息。
CN201410041382.2A 2013-01-28 2014-01-28 能量色散型荧光x射线分析装置 Expired - Fee Related CN103969275B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-013173 2013-01-28
JP2013013173A JP5817749B2 (ja) 2013-01-28 2013-01-28 エネルギー分散型蛍光x線分析装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103969275A true CN103969275A (zh) 2014-08-06
CN103969275B CN103969275B (zh) 2018-02-16

Family

ID=51239035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410041382.2A Expired - Fee Related CN103969275B (zh) 2013-01-28 2014-01-28 能量色散型荧光x射线分析装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5817749B2 (zh)
CN (1) CN103969275B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220365008A1 (en) * 2021-05-14 2022-11-17 Malvern Panalytical B.V. Apparatus and Method for X-ray Fluorescence Analysis
US12007380B2 (en) * 2021-05-14 2024-06-11 Malvern Panalytical B.V. Apparatus and method for x-ray fluorescence analysis

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018162984A (ja) * 2017-03-24 2018-10-18 株式会社日立ハイテクサイエンス 放射線分析装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05107363A (ja) * 1991-04-05 1993-04-27 Rigaku Denki Kogyo Kk 蛍光x線スペクトルのピーク分離方法
JP2001091481A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Horiba Ltd 蛍光x線分析装置のバックグラウンド補正方法
JP2006058046A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Sii Nanotechnology Inc 超伝導x線分析装置及びx線分析方法
CN101311708A (zh) * 2007-04-05 2008-11-26 帕纳科有限公司 X射线荧光设备
CN101782537A (zh) * 2010-02-05 2010-07-21 北京矿冶研究总院 用于荧光分析仪上的x射线检测方法
CN102072912A (zh) * 2009-11-05 2011-05-25 株式会社堀场制作所 浓度测量方法和荧光x射线分析装置
CN102128851A (zh) * 2010-12-24 2011-07-20 沈阳飞机工业(集团)有限公司 X射线荧光光谱分析谱线重叠校正方法
CN102246025A (zh) * 2008-12-12 2011-11-16 特莫尼托恩分析仪器股份有限公司 X射线荧光分析仪中的自动化和峰抑制

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51103492A (en) * 1975-03-07 1976-09-13 Seiko Instr & Electronics x senbunsekisochino sokuteihetsudo
JPS52146688A (en) * 1976-05-31 1977-12-06 Mitsubishi Electric Corp Fluorescent x ray analyzer
US4577338A (en) * 1982-11-01 1986-03-18 Xertex Corporation X-Ray fluorescence spectrometer and method of calibrating the same
JPS6320053U (zh) * 1986-07-22 1988-02-09
JPH04274745A (ja) * 1991-03-02 1992-09-30 Horiba Ltd X線分析装置
JPH05215785A (ja) * 1992-02-04 1993-08-24 Jeol Ltd Ad変換装置
JPH06174663A (ja) * 1992-12-01 1994-06-24 Toshiba Corp 汚染元素分析方法
JPH08136480A (ja) * 1994-11-11 1996-05-31 Dkk Corp 油中硫黄分測定装置
FR2741155B1 (fr) * 1995-11-15 1997-12-05 Commissariat Energie Atomique Appareil d'analyse d'une solution par fluorescence x
JPH1048161A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Shimadzu Corp X線分析装置
JPH10197461A (ja) * 1997-01-07 1998-07-31 Mitsui Chem Inc 蛍光x線分析装置の校正用の方法及び装置
JP3075377U (ja) * 2000-08-02 2001-02-16 セイコーインスツルメンツ株式会社 エネルギー分散型x線検出器
JP2010107261A (ja) * 2008-10-29 2010-05-13 Shimadzu Corp 蛍光x線分析装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05107363A (ja) * 1991-04-05 1993-04-27 Rigaku Denki Kogyo Kk 蛍光x線スペクトルのピーク分離方法
JP2001091481A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Horiba Ltd 蛍光x線分析装置のバックグラウンド補正方法
JP2006058046A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Sii Nanotechnology Inc 超伝導x線分析装置及びx線分析方法
CN101311708A (zh) * 2007-04-05 2008-11-26 帕纳科有限公司 X射线荧光设备
CN102246025A (zh) * 2008-12-12 2011-11-16 特莫尼托恩分析仪器股份有限公司 X射线荧光分析仪中的自动化和峰抑制
CN102072912A (zh) * 2009-11-05 2011-05-25 株式会社堀场制作所 浓度测量方法和荧光x射线分析装置
CN101782537A (zh) * 2010-02-05 2010-07-21 北京矿冶研究总院 用于荧光分析仪上的x射线检测方法
CN102128851A (zh) * 2010-12-24 2011-07-20 沈阳飞机工业(集团)有限公司 X射线荧光光谱分析谱线重叠校正方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
任翔等: "原位X射线荧光测井井液的影响与校正", 《核技术》 *
朱纪夏等: "X射线荧光光谱仪漂移的校正方法", 《冶金分析》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220365008A1 (en) * 2021-05-14 2022-11-17 Malvern Panalytical B.V. Apparatus and Method for X-ray Fluorescence Analysis
US12007380B2 (en) * 2021-05-14 2024-06-11 Malvern Panalytical B.V. Apparatus and method for x-ray fluorescence analysis

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014145617A (ja) 2014-08-14
JP5817749B2 (ja) 2015-11-18
CN103969275B (zh) 2018-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Dixon et al. Bounding the Higgs boson width through interferometry
Liu et al. In situ analysis of major and trace elements of anhydrous minerals by LA-ICP-MS without applying an internal standard
Baxter et al. Isotope abundance ratio measurements by inductively coupled plasma-sector field mass spectrometry
CN110312928A (zh) 荧光x射线分析方法、荧光x射线分析程序以及荧光x射线分析装置
Kappel et al. Evaluation strategies for isotope ratio measurements of single particles by LA-MC-ICPMS
Bojak et al. Photoproduction of heavy quarks in next-to-leading order QCD with longitudinally polarized initial states
Campbell et al. Next-to-leading order predictions for W W+ jet production
CN102175703B (zh) 一种峰漂移修正方法
Hoegg et al. Determination of uranium isotope ratios using a liquid sampling atmospheric pressure glow discharge/Orbitrap mass spectrometer system
Mandić et al. Chemical effects on the K β ″and K β 2, 5 x-ray lines of titanium and its compounds
Pietruszka et al. Evaluation of laser ablation double-focusing SC-ICPMS for “common” lead isotopic measurements in silicate glasses and minerals
CN103969274A (zh) 能量色散型荧光x射线分析装置
CN103969275A (zh) 能量色散型荧光x射线分析装置
CN104316511B (zh) 火花源原子发射光谱分析中谱线干扰的校正方法
Aguirre et al. Compensation for matrix effects on ICP-OES by on-line calibration methods using a new multi-nebulizer based on Flow Blurring® technology
CN103792214A (zh) 一种提高钢铁中碳元素含量测量精度的方法
CN104267018A (zh) 一种拉曼气体分析仪中气体浓度信号的处理方法
Gourgiotis et al. Accurate determination of Curium and Californium isotopic ratios by inductively coupled plasma quadrupole mass spectrometry (ICP-QMS) in 248Cm samples for transmutation studies
CN109520941A (zh) 在线光谱测量仪器的响应函数校正方法
Pazdur et al. Comparison of the radiocarbon dating methods used in the Gliwice Radiocarbon Laboratory
JP2004361367A (ja) プラズマイオン源質量分析装置を用いた同位体比分析
JP2007298392A (ja) 質量分析方法、質量分析プログラム及びla−icp−ms装置
DE102005016320A1 (de) Infrarot-Gassensor
Machado et al. Alternative Approaches Applied to Inductively Coupled Plasma Techniques: Multi-Flow and Two-Flow Calibration
Bednar Determination of vanadium by reaction cell inductively coupled plasma mass spectrometry

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180216

Termination date: 20220128

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee