JP2018162984A - 放射線分析装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】物体の分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる放射線分析装置を提供すること。【解決手段】放射線分析装置は、複数の元素を含む物体に第1放射線を照射し、第1放射線が照射された物体から放射される複数の第2放射線を放射線検出部により検出し、放射線検出部が検出した複数の第2放射線それぞれの信号に基づくエネルギースペクトルを導出部により導出し、導出部が導出したエネルギースペクトルに基づいて、基準となる元素である基準元素が吸収したエネルギー又基準元素が放出したエネルギーである検出エネルギーを検出部により検出し、記憶部に予め記憶された情報であって基準元素が吸収するエネルギー又は基準元素が放出するエネルギーである基準エネルギーを示す情報である基準エネルギー情報と、検出部が検出した検出エネルギーとに基づいて、導出部が導出したエネルギースペクトルを補正する。【選択図】図3

Description

この発明は、放射線分析装置に関する。
物体に放射線を照射し、物体の性質や構造を分析する技術の研究や開発が行われている。
これに関し、超伝導転移端センサー(Transition Edge Sensor; TES)と、超電転移端センサーの電流変化を読み出す超伝導量子干渉素子型アンプとを有するX線分析装置が知られている。このようなX線分析装置では、ある放射線が超伝導転移端センサーに入射した場合に超伝導転移端センサーから出力される電気信号は、超伝導量子干渉素子型アンプによって増幅されてから他の装置に出力される。超伝導量子干渉素子型アンプには、予め決められた電流値の電流が流れており、超伝導転移端センサーに当該放射線が入射していない場合、超伝導転移端センサーは、ベースライン(当該場合における電気信号)として当該電流値の電流を出力する。ここで、ある放射線が超伝導転移端センサーに入射した場合に超伝導転移端センサーから出力される電気信号の波高値は、当該波高値に応じたエネルギーと対応付けられている。前述のベースラインが変動した場合、すなわち超伝導量子干渉素子型アンプに流れる当該電流の電流値が変動した場合、当該波高値は、当該電流値の変動に応じて変動してしまう。その結果、当該放射線の実際のエネルギーと、当該波高値に基づいて算出される当該放射線のエネルギーとが一致しなくなる場合がある。これはすなわち、超伝導転移端センサーの検出感度が、ベースラインの変動に応じて変動したことを意味する。当該検出感度が変動する場合、超伝導転移端センサーのエネルギー分解能は、低下してしまう。このような事情から、X線分析装置では、超伝導転移端センサーのエネルギー分解能を向上させるため(すなわち、超伝導転移端センサーの検出感度を一定に保つため)、超伝導量子干渉素子型アンプに流す電流(すなわち、超伝導転移端センサーに流す電流)が変化した場合の波高値を変化する前の波高値に補正する手段が必要である。
以下に示す特許文献1には、ベースライン電流を一定にする装置として、超伝導転移端センサーに流す電流の電流値が予め決められた電流値からずれた場合、当該電流値からのずれに応じてベースラインを補正する又は当該ベースラインに基づく波高値を補正するX線分析装置が記載されている。
また、以下に示す特許文献2には、超伝導転移端センサーが設置される台座に組み込まれたヒーターの出力、又はベースラインとの相関関係に基づいて、ベースラインに基づく波高値を補正する放射線分析装置が記載されている。この放射線分析装置は、ヒーターの出力と、ベースラインとの相関関係を示す情報を予め取得し、当該信号を超伝導転移端センサーから取得する際におけるヒーターの出力に対応するベースラインを用いて、超伝導転移端センサーが出力する信号の波高値を補正する。
また、以下に示す特許文献3には、超伝導転移端センサーが設置される台座に組み込まれたヒーターの出力に基づいてベースラインを補正する際の統計誤差を小さくする手法について記載されている。
また、ベースラインが一定に保たれていた場合であっても、ある放射線が超伝導転移端センサーに入射した場合に超伝導転移端センサーから出力される電気信号の波高値に基づいて算出された当該放射線のエネルギーと、当該放射線の実際のエネルギーとが一致しなくなることがある。非特許文献1及び非特許文献2には、X線分析装置によって分析される対象の物体の状態に応じて、当該物体から放射される放射線のエネルギースペクトルが変化する場合があることについて記載されている。当該状態は、当該物体を構成する複数の元素それぞれの化学結合状態のことである。
特開2009−271016号公報 特開2014−38074号公報 特開2016−133411号公報
副島啓義、「電子線マイクロアナリシス」、日刊工業新聞社、1987年、pp.426−427 野呂寿人、佐藤馨、田中啓一、「低加速SEM−EDSを用いた表面解析における超伝導遷移端センサーの優位性」、2010年、表面科学Vol.31、No.11、pp.610−615
このように、従来のX線分析装置は、ある放射線が超伝導転移端センサーに入射した場合に超伝導転移端センサーから出力される電気信号の波高値に基づいて算出された当該放射線のエネルギーに該当する波高値(波高値1)と、当該放射線の実際のエネルギーに該当する波高値(波高値0)との不一致を抑制するため、波高値1を波高値0に補正する感度補正手段が開示されていた。しかしながら、この補正手段は予め前述のヒーターの出力と補正係数、又はベースラインと補正係数の相関を求めておく必要があった。その結果、当該X線分析装置は、物体の分析に要する時間と手間を低減することが困難な場合があった。
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、物体の分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる放射線分析装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様は、複数の元素を含む物体に第1放射線を照射する励起源部と、前記第1放射線が照射された前記物体から放射される複数の第2放射線を検出する放射線検出部と、前記放射線検出部が検出した複数の前記第2放射線それぞれの信号に基づくエネルギースペクトルを導出する導出部と、前記導出部が導出した前記エネルギースペクトルに基づいて、基準となる元素である基準元素が吸収したエネルギー又前記基準元素が放出したエネルギーである検出エネルギーを検出する検出部と、記憶部に予め記憶された情報であって前記基準元素が吸収するエネルギー又は前記基準元素が放出するエネルギーである基準エネルギーを示す情報である基準エネルギー情報と、前記検出部が検出した前記検出エネルギーとに基づいて、前記導出部が導出した前記エネルギースペクトルを補正する補正部と、を備える放射線分析装置である。
本発明の他の態様は、上記の放射線分析装置において、前記導出部は、前記エネルギースペクトルとして、ユーザーから受け付けた第1エネルギー範囲におけるエネルギースペクトルである第1エネルギースペクトルと、前記基準エネルギーを含む第2エネルギー範囲におけるエネルギースペクトルである第2エネルギースペクトルとのそれぞれを導出し、前記検出部は、前記第2エネルギースペクトルに基づいて前記検出エネルギーを検出する、構成が用いられてもよい。
本発明の他の態様は、上記の放射線分析装置において、前記第1エネルギー範囲に前記第2エネルギー範囲が含まれ、同じであり、前記導出部は、前記第1エネルギースペクトルの一部を前記第2エネルギースペクトルとして利用する、構成が用いられてもよい。
本発明の他の態様は、上記の放射線分析装置において、前記導出部は、前記物体の分析を開始する操作をユーザーから受け付けた時刻から、ユーザーから受け付けた測定時間が経過するまでの間である測定期間内のタイミングにおいて前記第1エネルギースペクトルを導出し、前記測定期間外のタイミングにおいて前記第2エネルギースペクトルを導出する、構成が用いられてもよい。
本発明の他の態様は、上記の放射線分析装置において、前記導出部は、前記物体の分析を開始する操作をユーザーから受け付けた時刻から、ユーザーから受け付けた測定時間が経過するまでの間のタイミングにおいて、前記第1エネルギースペクトルと前記第2エネルギースペクトルとを導出する、構成が用いられてもよい。
本発明の他の態様は、上記の放射線分析装置において、前記検出部は、前記導出部が前記第2エネルギースペクトルを導出する毎に前記検出エネルギーを検出し、前記補正部は、前記検出部が前記検出エネルギーを検出する毎に、前記導出部が導出した前記第1エネルギースペクトルを補正する、構成が用いられてもよい。
本発明の他の態様は、上記の放射線分析装置において、前記検出部は、前記導出部が前記第1エネルギースペクトルを導出する前と、前記導出部が前記第1エネルギースペクトルを導出した後とのいずれか一方又は両方のタイミングにおいて、前記導出部が導出した前記第2エネルギースペクトルに基づいて前記検出エネルギーを検出する、構成が用いられてもよい。
本発明の他の態様は、上記の放射線分析装置において、前記検出部は、前記導出部が前記第1エネルギースペクトルを導出している最中のタイミングにおいて、前記導出部が導出した前記第2エネルギースペクトルに基づいて前記検出エネルギーを検出する、構成が用いられてもよい。
本発明の他の態様は、上記の放射線分析装置において、前記補正部は、前記検出部が検出した前記検出エネルギーと、前記記憶部に記憶された前記基準エネルギー情報が示す前記基準エネルギーとの比に基づいて、前記導出部が導出した前記エネルギースペクトルを補正する、構成が用いられてもよい。
本発明の他の態様は、上記の放射線分析装置において、前記補正部は、前記導出部が導出した前記エネルギースペクトルに前記比を乗算することにより、前記導出部が導出した前記エネルギースペクトルを補正する、構成が用いられてもよい。
本発明の他の態様は、上記の放射線分析装置において、前記補正部は、前記検出部が過去に検出した1以上の前記検出エネルギーと、前記基準エネルギーとに基づいて、前記導出部が導出した前記エネルギースペクトルを補正する、構成が用いられてもよい。
本発明の他の態様は、上記の放射線分析装置において、前記基準元素が吸収するエネルギーは、前記基準元素の電子が励起される際に当該電子が吸収するエネルギーであり、前記基準元素が放出するエネルギーは、前記基準元素から放射されるK線のエネルギーである、構成が用いられてもよい。
本発明の他の態様は、上記の放射線分析装置において、前記基準元素は、K殻の電子が励起されることによってK線を放射する元素のいずれかである、構成が用いられてもよい。
本発明の他の態様は、上記の放射線分析装置において、前記励起源部は、電子線を前記第1放射線として照射し、前記放射線検出部は、前記電子線が照射された前記物体から発生するX線を前記第2放射線として検出する超伝導転移端センサーを有する、構成が用いられてもよい。
本発明によれば、物体の分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる放射線分析装置を提供することができる。
実施形態に係る放射線分析装置の構成の一例を示す図である。 超伝導転移端センサーT1を有する放射線検出部12の構成の一例を示す図である。 第1制御装置及び第2制御装置の機能構成の一例を示す図である。 第2制御装置40がエネルギースペクトルを補正する処理の流れの一例を示すフローチャートである。 ステップS150において導出部462により導出された第1エネルギースペクトルの一例を示すグラフである。
<実施形態>
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
<放射線分析装置の構成>
まず、図1を参照し、放射線分析装置1の構成について説明する。図1は、実施形態に係る放射線分析装置1の構成の一例を示す図である。
放射線分析装置1は、検出装置10と、制御装置20を備える。また、検出装置10は、励起源部11と、放射線検出部12と、冷却装置16と、筐体17を備える。
励起源部11は、物体に第1放射線R1を照射する。励起源部11は、例えば、電子銃である。この場合、第1放射線R1は、電子線である。なお、励起源部11は、電子銃に代えて、X線、正のイオンを集束させた集束イオンビーム、負のイオンを集束させた集束イオンビーム、各種の中間子線、ニュートリノ線等の電子線と異なる放射線を照射する装置であってもよい。この場合、第1放射線R1は、励起源部11が照射可能な放射線である。なお、当該正のイオンを集束させた集束イオンビームには、PIXE(Proton Induced X-Ray Emission)に用いられる陽子線が含まれる。
放射線検出部12は、第1放射線R1が照射された物体から発生する第2放射線R2を検出する。放射線検出部12は、例えば、超伝導転移端センサー(TES、Transition Edge Sensor)T1を有し、超伝導転移端センサーT1により第2放射線R2を検出する。以下では、一例として、第2放射線R2が当該物体から発生する蛍光X線等の特性X線である場合について説明する。すなわち、放射線分析装置1は、この一例において、超伝導X線分析装置である。なお、第2放射線R2は、X線に代えて、電子線、中間子線等の他の放射線であってもよい。この場合、放射線分析装置1は、当該他の放射線によって当該物体を分析する装置である。また、放射線検出部12は、超伝導転移端センサーT1によって第2放射線R2を検出する構成に代えて、他の検出素子によって第2放射線R2を検出する構成であってもよい。
ここで、超伝導転移端センサーT1について説明する。超伝導転移端センサーT1は、超伝導状態の金属薄膜C0にX線(すなわち、この一例における第2放射線R2)が入射した際に生じる抵抗変化によって第2放射線R2を検出する。すなわち、金属薄膜C0は、マイクロカロリーメーターとして振る舞う。図2は、超伝導転移端センサーT1を有する放射線検出部12の構成の一例を示す図である。放射線検出部12は、超伝導転移端センサーT1と、バイアス電源C3と、超伝導量子干渉素子型アンプC4と、室温アンプC5を備える。また、超伝導転移端センサーT1は、金属薄膜C0と、入力コイルC1と、金属薄膜C0よりも小さい抵抗値を有するシャント抵抗C2を備える環状回路である。超伝導転移端センサーT1は、金属薄膜C0と入力コイルC1とが接続され、金属薄膜C0及び入力コイルC1とシャント抵抗C2とが並列に接続されている。また、当該環状回路では、入力コイルC1とシャント抵抗C2との間がグラウンドに接続されている。また、当該環状回路では、金属薄膜C0とシャント抵抗C2との間がバイアス電源C3に接続されている。そして、当該環状回路には、バイアス電源C3により疑似的に定電圧が印加されている。
金属薄膜C0に流れる電流は、入力コイルC1を介して、液体窒素温度(77K)以下で動作する超伝導量子干渉素子を複数直列に接続した超伝導量子干渉素子型アンプC4で磁場信号として検出された後に電気信号に変換され、増幅される。そして、超伝導量子干渉素子型アンプC4からの出力信号は、室温アンプC5へと送られる。室温アンプC5へ送られた当該出力信号は、整形及び増幅されて制御装置20等の他の装置へ出力される。
超伝導状態の金属薄膜C0にX線が入射した場合、金属薄膜C0の温度が上昇し、金属薄膜C0の状態が超伝導状態から常伝導状態へ遷移する。この際、金属薄膜C0の電気抵抗が、金属薄膜C0に入射したX線のエネルギー(すなわち、上昇した金属薄膜C0の温度)に比例して急激に変化する(例えば、温度変化が数mKの場合における抵抗変化が0.1Ω等)。ここで、超伝導転移端センサーT1には、バイアス電源C3により疑似的に定電圧が印加されているため、金属薄膜C0に流れる電流が減少する。その結果、超伝導転移端センサーT1の電流変化が生じる。超伝導量子干渉素子型アンプC4は、このような超伝導転移端センサーT1の電流変化を読み出す。
より具体的には、放射線検出部12では、ある放射線が超伝導転移端センサーT1に入射した場合に超伝導転移端センサーT1から出力される電気信号は、超伝導量子干渉素子型アンプC4によって増幅されてから他の装置に出力される。超伝導量子干渉素子型アンプC4には、予め決められた電流値の電流が流れており、超伝導転移端センサーT1に当該放射線が入射していない場合、超伝導転移端センサーT1は、ベースライン(当該場合における電気信号)として当該電流値の電流を出力する。超伝導転移端センサーT1に当該放射線が入射した場合、放射線検出部12は、当該放射線のエネルギーに比例した波高値の電気信号を、第2放射線R2を検出したことを示す検出情報として制御装置20に出力する。ここで、当該電気信号の波高値は、当該ベースラインが変動した場合、当該ベースラインの変動に応じて変化する。
図1に戻る。放射線検出部12は、サーマルシールド18の内部に配置される。サーマルシールド18は、サーマルシールド18の外部からの輻射熱を遮蔽し、サーマルシールド18の内部の温度が上昇することを抑制する。すなわち、サーマルシールド18は、放射線検出部12の温度が当該輻射熱によって上昇してしまうことを抑制する。これにより、放射線検出部12が有する超伝導転移端センサーT1の超伝導状態は、超伝導転移端センサーT1にX線が入射するまで保持される。
冷却装置16は、サーマルシールド18の内部を冷却する。これにより、冷却装置16は、サーマルシールド18の内部に配置された放射線検出部12が有する超伝導転移端センサーT1の状態を超伝導状態にすることができる。冷却装置16は、図示しない冷却制御装置によってサーマルシールド18の内部を冷却させる。
筐体17は、検出装置10の筐体である。この一例において、筐体17の内部には、励起源部11から第1放射線R1が照射される照射口と、励起源部11から第1放射線R1が照射される物体と、サーマルシールド18の内部に配置された放射線検出部12とが配置される。図1に示した例では、筐体17の内部には、第1放射線R1が照射される物体として物体Wが配置されている。物体Wの詳細については、後述する。なお、筐体17の内部の状態は、図示しない真空ポンプによって真空状態にされている。
検出装置10は、ケーブルによって制御装置20と通信可能に接続されている。これにより、検出装置10が備える励起源部11、放射線検出部12、冷却装置16のそれぞれは、制御装置20から取得される制御信号に基づく動作を行う。
制御装置20は、第1制御装置30と、第2制御装置40を備える。この一例では、制御装置20は、第1制御装置30と、第1制御装置30と別体の第2制御装置40とによって構成されているが、これに代えて、第2制御装置40と一体の第1制御装置30、又は第1制御装置30と一体の第2制御装置40によって構成されてもよい。この場合、制御装置20は、第1制御装置30が有する機能と、第2制御装置40が有する機能を有する。
第1制御装置30は、例えば、デスクトップPC(Personal Computer)やノートPC、ワークステーション等の情報処理装置である。第1制御装置30は、励起源部11に第1放射線R1を照射させる。第1制御装置30は、有線又は無線によって第2制御装置40と通信可能に接続されている。
第2制御装置40は、例えば、デスクトップPC(Personal Computer)やノートPC、ワークステーション等の情報処理装置である。
第2制御装置40は、放射線検出部12から検出情報を取得する。第2制御装置40は、取得した検出情報に基づくエネルギースペクトルを導出する。当該エネルギースペクトルは、すなわち、放射線検出部12が検出した複数の第2放射線R2それぞれの電気信号に基づくエネルギースペクトルである。第2制御装置40は、導出したエネルギースペクトルに基づく所定の処理を行う。所定の処理は、例えば、当該エネルギースペクトルに基づいて物体Wに含まれる複数の元素のそれぞれを特定する処理等である。なお、所定の処理は、物体Wに含まれる複数の元素のそれぞれを特定する処理に代えて、当該エネルギースペクトルに基づく他の処理であってもよい。
ここで、前述した通り、ある第2放射線R2が超伝導転移端センサーT1(すなわち、放射線検出部12)に入射した場合、放射線検出部12は、当該第2放射線R2のエネルギーと相関がある波高値の電気信号を、第2放射線R2を検出したことを示す検出情報として制御装置20に出力する。当該電気信号の波高値は、当該ベースラインが変動した場合、当該ベースラインの変動に応じて変化する。このため、当該場合、当該電気信号の波高値に基づいて算出された当該第2放射線R2のエネルギーと、当該第2放射線R2の実際のエネルギーとが一致しなくなることがある。その結果、第2制御装置40が導出するエネルギースペクトルの誤差は、増大してしまう。
これに関し、放射線分析装置1と異なる放射線分析装置X(例えば、従来の放射線分析装置)は、ある第2放射線R2が超伝導転移端センサーT1(すなわち、放射線検出部12)に入射した場合に超伝導転移端センサーT1から出力される電気信号の波高値に基づいて算出された当該第2放射線R2のエネルギーと、当該第2放射線R2の実際のエネルギーとの不一致を抑制するため、放射線検出部12が出力するベースラインの補正又は当該ベースラインに基づく当該波高値の補正を行っていた。しかしながら、当該ベースラインの補正又は当該ベースラインに基づく当該波高値の補正を行うためには、当該補正を行うために用いる各種の情報を予め取得しておく必要がある。すなわち、放射線分析装置Xは、当該不一致を抑制するため、当該情報を取得するための付加的な処理が行われなければならなかった。その結果、放射線分析装置Xは、物体Wの分析に要する時間と手間を低減することが困難な場合があった。
そこで、放射線分析装置1は、放射線検出部12から取得した検出情報を用いて導出したエネルギースペクトルに基づいて、物体Wに含まれる複数の元素のうちの基準となる元素である基準元素が放出したエネルギーである検出エネルギーを検出し、予め記憶された情報であって基準元素が放出するエネルギーである基準エネルギーを示す情報である基準エネルギー情報と、検出した検出エネルギーとに基づいて、当該エネルギースペクトルを補正する。これにより、放射線分析装置1は、放射線検出部12から出力されるベースラインが変動する場合であっても、物体Wの分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる。
ここで、物体Wに含まれる複数の元素のうちの基準となる元素である基準元素は、ユーザーが性質や構造を分析したい所望の物体のうち、K殻の電子が励起されることによってK線を放射する元素が前述の基準元素として含まれる物体であれば如何なる物体であってもよい。K殻の電子が励起されることによってK線を放射する元素が基準元素である理由は、K線のエネルギーが、基準元素を含む物体Wの状態が変化してもほぼ変化しないからである。すなわち、前述の基準エネルギーは、この一例において、K線のエネルギーのことであり、量子力学等の物理理論によって算出された理論値である。なお、基準エネルギーは、K線のエネルギーに代えて、基準元素を含む物体Wの状態が変化してもほぼ変化しない他のエネルギーであってもよい。物体Wの状態は、物体Wに含まれる複数の元素それぞれの化学結合状態のことである。以下では、一例として、物体Wが基準元素としてシリコンを含む場合について説明する。なお、基準元素は、シリコンに代えて、アルミニウム、マグネシウム、リン等のK殻の電子が励起されることによってK線を放射する他の元素であってもよい。また、以下では、シリコンから放射されるK線のうちKα線のエネルギーを基準エネルギーとして用いる場合について説明する。当該エネルギーは、およそ1740eVである。
以下では、第2制御装置40がエネルギースペクトルを補正する処理について詳しく説明する。なお、以下では、説明の便宜上、放射線分析装置1が、複数の元素を含む物体Wに第1放射線R1を照射し、第1放射線R1が照射された物体Wから放射される複数の第2放射線R2を放射線検出部12により検出し、放射線検出部12が検出した複数の第2放射線R2それぞれの信号に基づくエネルギースペクトルを導出する処理を、物体Wの分析と称して説明する。
<第1制御装置及び第2制御装置の機能構成>
以下、図3を参照し、第1制御装置30及び第2制御装置40の機能構成について説明する。図3は、第1制御装置30及び第2制御装置40の機能構成の一例を示す図である。
第1制御装置30は、励起源部制御部361を備える。励起源部制御部361は、例えば、図示しないCPU(Central Processing Unit)が、記憶部に記憶された各種プログラムを実行することにより実現される。
励起源部制御部361は、ユーザーから受け付けた操作に基づいて、励起源部11に第1放射線R1を照射させる。また、励起源部制御部361は、第2制御装置40からの要求に応じて、励起源部11に第1放射線R1を照射させる。
第2制御装置40は、記憶部42と、入力受付部43と、表示部45と、制御部46を備える。
制御部46は、第2制御装置40の全体を制御する。制御部46は、表示制御部460と、取得部461と、導出部462と、検出部463と、補正部465と、記憶制御部467と、分析部469を備える。制御部46が備えるこれらの機能部は、例えば、図示しないCPUが、HDD(Hard Disk Drive)やSSD(Solid State Drive)等である記憶部42に記憶された各種プログラムを実行することにより実現される。
表示制御部460は、キーボードやマウス等の入力装置である入力受付部33を介してユーザーから受け付けた操作に基づいて各種の画面を生成する。表示制御部460は、生成した画面を液晶ディスプレイ等である表示部45に表示させる。
取得部461は、放射線検出部12から検出情報を取得する。
導出部462は、取得部461が取得した検出情報に基づいてエネルギースペクトルを導出する。
検出部463は、導出部462が導出したエネルギースペクトルに基づいて、物体Wに含まれる複数の元素のうちの基準となる元素である基準元素が放出したエネルギーである検出エネルギーを検出する。
補正部465は、記憶部42に予め記憶された情報であって基準元素が放出するエネルギーである基準エネルギーを示す情報である基準エネルギー情報と、検出部463が検出した検出エネルギーとに基づいて、導出部462が導出したエネルギースペクトルを補正する。
記憶制御部467は、取得部461が取得した検出情報を記憶部42に記憶させる。
分析部469は、補正部465が補正したエネルギースペクトルに基づいて、物体Wの性質や構造を分析する。例えば、分析部469は、補正部465が補正したエネルギースペクトルに基づいて、前述の所定の処理を行う。
<第2制御装置がエネルギースペクトルを補正する処理>
以下、図4を参照し、第2制御装置40がエネルギースペクトルを補正する処理の具体例について説明する。図4は、第2制御装置40がエネルギースペクトルを補正する処理の流れの一例を示すフローチャートである。以下では、物体Wが筐体17の内部のうちの励起源部11から第1放射線R1を照射される所定の配置位置に予め配置されている場合について説明する。また、以下では、所定の配置位置に配置された物体Wから放射される第2放射線R2を検出可能な位置に放射線検出部12が予め配置されている場合について説明する。
ステップS110:表示制御部460は、ユーザーから受け付けた操作に基づいて、放射線分析装置1による物体Wの分析を開始させる操作である分析開始操作をユーザーから受け付ける操作画面を生成する。そして、表示制御部460は、生成した操作画面を表示部45に表示させる。そして、制御部46は、ステップS120に遷移する。
ステップS120:制御部46は、ステップS110において表示部45に表示された操作画面を介してユーザーから分析開始操作を受け付けるまで待機する。そして、当該操作画面を介してユーザーから分析開始操作を受け付けた場合(ステップS120−YES)、励起源部制御部361は、ステップS123に遷移する。
ステップS123:励起源部制御部361は、励起源部11を制御し、物体Wに対する第1放射線R1の照射を開始する。そして、取得部461、及び記憶制御部467のそれぞれは、ステップS125に遷移する。なお、第1放射線R1が照射された物体Wは、第2放射線R2を放射する。
ステップS125:取得部461、記憶制御部467のそれぞれは、データ取得処理を開始する。具体的には、取得部461は、データ取得処理において、放射線検出部12が第2放射線R2を検出するたびに、放射線検出部12から検出情報を取得する。ここで、当該検出情報は、放射線検出部12が物体Wから放射された第2放射線R2を検出するたびに取得部461に出力する検出情報であり、放射線検出部12が検出した第2放射線R2に応じた検出情報である。また、記憶制御部467は、データ取得処理において、取得部461が放射線検出部12から検出情報を取得するたびに、取得部461が取得した検出情報を、当該検出情報の波高値(すなわち、当該検出情報としての電気信号の波高値)に応じたエネルギーを示す検出情報に変換する。そして、記憶制御部467は、変換した当該検出情報を現在の時刻を示す時刻情報を対応付けて記憶部42に記憶させる。取得部461と記憶制御部467が行うこのようなデータ取得処理は、ステップS110において表示部45に表示された操作画面を介してユーザーから制御部46が受け付けた終了条件が満たされるまで継続される。終了条件は、例えば、当該操作画面を介してユーザーから分析開始操作を受け付けた時刻から、当該操作画面を介してユーザーから制御部46が受け付けた測定時間が経過することである。なお、終了条件は、他の条件であってもよい。取得部461、記憶制御部467のそれぞれがデータ取得処理を開始した後、補正部465は、ステップS130に遷移する。なお、以下では、説明の便宜上、当該時刻から当該測定時間が経過するまでの期間を測定期間と称して説明する。
ステップS130:補正部465は、前述の操作画面を介してユーザーから受け付けた操作に基づいて、記憶部42に予め記憶された基準エネルギー情報を記憶部42から読み出す。例えば、ユーザーは、操作画面を介して分析開始操作を行う前に、操作画面が有する基準エネルギーを入力する入力欄に基準エネルギーを入力することができる。ユーザーにより当該入力欄に基準エネルギーが入力された場合、記憶制御部467は、当該入力欄に入力された基準エネルギーを示す基準エネルギー情報を記憶部42に記憶させる。補正部465は、このように記憶部42に記憶された基準エネルギー情報をステップS130において記憶部42から読み出す。そして、導出部462は、ステップS150に遷移する。
ステップS150: 導出部462は、現在までに記憶部42に記憶された1以上の検出情報に基づくエネルギースペクトルである第1エネルギースペクトルを導出(算出)する。ステップS150において導出部462が当該1以上の検出情報に基づいて第1エネルギースペクトルを導出(算出)する方法は、既知の方法であってもよく、これから開発される方法であってもよい。
ステップS160:補正部465は、記憶部42に予め記憶された情報であって補正係数を示す補正係数情報を記憶部42から読み出す。ここで、1回目のステップS160の処理において記憶部42から読み出される補正係数情報は、補正係数として1を示す情報である。当該補正係数情報は、1回目のステップS160の処理が行われる前のタイミングにおいて、記憶部42に予め記憶させる。一方、2回目以降のステップS160の処理において記憶部42から読み出される補正係数情報は、後述するステップS220の処理が実行されるたびに更新されるため、必ずしも補正係数として1を示す情報であるとは限らない。補正部465は、記憶部42から読み出した補正係数情報に基づいて、ステップS150において導出部462が導出した第1エネルギースペクトルを補正する。具体的には、補正部465は、記憶部42から読み出した補正係数情報が示す補正係数を当該第1エネルギースペクトルに乗算することにより、当該第1エネルギースペクトルを補正する。ここで、当該第1エネルギースペクトルに補正係数を乗算するとは、当該第1エネルギースペクトルにおける各エネルギーに補正係数を乗算することを意味する。補正部465が当該第1エネルギースペクトルを補正した後、表示制御部460は、ステップS170に遷移する。なお、補正部465により補正された当該第1エネルギースペクトルの詳細については、後述する。
ステップS170:表示制御部460は、ステップS160において補正部465が補正した第1エネルギースペクトルを示す情報を表示部45に表示させる。例えば、表示制御部460は、当該情報を、前述の操作画面に表示させる。当該情報は、当該第1エネルギースペクトルにフィッティングされたフィッティング関数の曲線がプロットされたグラフであってもよく、当該第1エネルギースペクトルを示すヒストグラムであってもよく、当該第1エネルギースペクトルを示す他の情報であってもよい。表示制御部460が当該第1エネルギースペクトルを示す情報を表示部45に表示させた後、導出部462は、ステップS180に遷移する。
ステップS180:導出部462は、ステップS120において操作画面を介してユーザーから分析開始操作を受け付けた時刻から、操作画面を介してユーザーから受け付けられた測定時間が経過したか否かを判定する。測定時間は、物体Wの分析を終了させるのに十分であると推定される時間であり、例えば、2時間である。なお、測定時間は、2時間よりも短い時間であってもよく、2時間よりも長い時間であってもよい。当該時刻から当該測定時間が経過していないと判定した場合(ステップS180−NO)、導出部462は、ステップS190に遷移する。一方、当該時刻から当該測定時間が経過していると導出部462が判定した場合(ステップS180−YES)、取得部461、記憶制御部467のそれぞれは、ステップS225に遷移する。
ステップS190:導出部462は、待機時間が経過したか否かを判定する。具体的には、導出部462は、1回目のステップS190の処理において、分析開始操作を受け付けた時刻から待機時間が経過したか否かを判定する。また、導出部462は、2回目以降のステップS190の処理において、前回のステップS190において待機時間が経過したと判定した時刻から再び待機時間が経過したか否かを判定する。待機時間は、記憶部42に記憶された補正係数情報を補正部465が更新するタイミング(又はインターバル)を規定する時間である。待機時間は、例えば、10秒である。なお、待機時間は、10秒より短い時間であってもよく、10秒より長い時間であってもよい。待機時間が経過していないと判定した場合(ステップS190−NO)、導出部462は、ステップS150に遷移する。一方、待機時間が経過したと判定した場合(ステップS190−YES)、導出部462は、ステップS200に遷移する。
ステップS200:導出部462は、直前に実行されたステップS150において導出された第1エネルギースペクトルの一部分である第2エネルギースペクトルを当該第1エネルギースペクトルから導出(抽出)する。第2エネルギースペクトルは、この一例において、当該第1エネルギースペクトルに含まれる一部分のエネルギースペクトルであって、ステップS130において補正部465が記憶部42から読み出した基準エネルギー情報が示す基準エネルギーを含む予め決められたエネルギー範囲の部分のエネルギースペクトルのことである。当該予め決められたエネルギー範囲は、例えば、基準エネルギーから所定値低いエネルギーと、基準エネルギーから所定値高いエネルギーとの間の範囲のことである。所定値は、例えば、基準エネルギーの10%である。なお、所定値は、基準エネルギーの10%よりも低い値であってもよく、基準エネルギーの10%よりも高い値であってもよい。なお、当該予め決められたエネルギー範囲は、第1エネルギースペクトルのエネルギー範囲と同じであってもよい。また、導出部462は、直前に実行されたステップS150において導出された第1エネルギースペクトルの一部分である第2エネルギースペクトルを当該第1エネルギースペクトルから導出(抽出)する構成に代えて、現在までに記憶部42に記憶された検出情報に基づいて、当該予め決められたエネルギー範囲のエネルギースペクトルを第2エネルギースペクトルとして算出する構成であってもよい。導出部462が第2エネルギースペクトルを導出した後、検出部463は、ステップS210に遷移する。
ステップS210:検出部463は、ステップS200において導出部462が導出(抽出)した第2エネルギースペクトルに基づいて、物体Wに含まれるシリコン(この一例における基準元素)が放出したエネルギーを検出エネルギーとして検出する。具体的には、検出部463は、ステップS210において、シリコンから放射されるK線のエネルギーを検出エネルギーとして検出する。この一例において、基準エネルギーがシリコンのKα線のエネルギーであるため、当該K線は、当該Kα線(Si−Kα線)である。なお、当該K線は、Kβ線等の他のK線であってもよい。検出部463が当該検出エネルギーを検出した後、補正部465は、ステップS220に遷移する。
ステップS220:補正部465は、ステップS210において検出部463が検出した検出エネルギーと、ステップS130において記憶部42から読み出した基準エネルギー情報とに基づいて、前述の補正係数を算出する。以下では、一例として、ステップS210において検出部463により1735eVが検出エネルギーとして検出された場合について説明する。補正部465は、当該基準エネルギー情報が示す基準エネルギーを、当該検出エネルギーによって除した値(基準エネルギーと検出エネルギーとの比)を前述の補正係数として算出する。前述した通り、この一例において、基準エネルギーが1740eVであり、検出エネルギーが1735eVであるため、補正係数は、(1740/1735)である。補正部465は、記憶部42に予め記憶された補正係数情報を記憶部42から削除し、算出した補正係数を示す補正係数情報を新たに記憶部42に記憶させる。すなわち、補正部465は、記憶部42に予め記憶された補正係数情報を、算出した補正係数を示す補正係数情報に更新する。そして、導出部462は、ステップS150に遷移する。このように、補正部465は、分析開始操作を受け付けてから待機時間が経過する毎に補正係数情報を更新する。
ステップS225:取得部461、記憶制御部467のそれぞれは、データ取得処理を終了する。具体的には、取得部461は、放射線検出部12からの検出情報の取得を停止(終了)させる。当該取得の停止に伴い、記憶制御部467は、検出情報の記憶部42への記憶を停止する。そして、制御部46は、ステップS230に遷移する。
ステップS230:制御部46は、第1制御装置30の励起源部制御部361に対して、励起源部11に第1放射線R1の照射を停止させる要求を出力する。当該要求を取得した励起源部制御部361は、励起源部11を制御し、第1放射線R1の照射を停止する。そして、分析部469は、ステップS240に遷移する。
ステップS240:分析部469は、最後に実行されたステップS160において補正部465が補正した第1エネルギースペクトルに基づいて、前述の所定の処理を行う。そして、制御部46は、処理を終了する。
このように、第2制御装置40は、上記において説明した基準エネルギー及び検出エネルギーに基づいて、導出した第1エネルギースペクトルを補正する。これにより、放射線分析装置1は、物体Wの分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる。特に、物体Wの分析に要する時間が長い場合であっても、放射線分析装置1は、精度の高いエネルギースペクトルを算出し、算出したエネルギースペクトルに基づく処理を高い精度で行うことができる。
なお、放射線分析装置1は、上記において説明した第1エネルギースペクトルの導出を、ユーザーから予め受け付けた1以上のROI(Region Of Interest)のそれぞれに対して行う(すなわち、マッピングを行う)構成であってもよい。この場合、放射線分析装置1は、当該1以上のROIのそれぞれ毎に導出された第1エネルギースペクトルを、上記において説明した基準エネルギー及び検出エネルギーに基づいて補正する。
ここで、図5を参照し、第1エネルギースペクトルについて説明する。図5は、ステップS150において導出部462により導出された第1エネルギースペクトルの一例を示すグラフである。当該グラフの横軸は、エネルギーを示す。また、当該グラフの縦軸は、各エネルギーに応じた第2放射線R2が放射線検出部12により検出された回数である計数を示す。また、当該グラフの曲線FC1は、導出部462が導出した第1エネルギースペクトルを表す。より具体的には、曲線FC1は、当該第1エネルギースペクトルにフィッティングされたフィッティング関数を表す。また、当該グラフに示したピークPK1は、曲線FC1における複数のピークのうちの1つであり、この一例における基準元素であるシリコンから放射されたKα線のピークである。また、当該グラフに示したエネルギーBEは、ピークPK1に基づいて検出されたエネルギーである。以下では、説明の便宜上、エネルギーBEが前述の基準エネルギー(この一例において、1740eV)と一致している場合を例に挙げて説明する。
前述した通り、放射線検出部12が出力するベースラインが変動した場合、第1エネルギースペクトルは、当該ベースラインの変動に応じて変化する。例えば、図5に示した第1エネルギースペクトルを表す曲線FC1は、当該ベースラインが変動した場合、当該変動に応じて、図5に示した曲線FC2と一致する位置まで図5に示したグラフの横軸の低エネルギー側にシフトする。図5に示したピークPK2は、曲線FC2における複数のピークのうちの1つであり、この一例における基準元素であるシリコンから放射されたKα線のピークである。また、当該グラフに示したエネルギーFEは、ピークPK2に基づいて検出されたエネルギーである。当該場合、シリコンから放射されたKα線のエネルギーは、ピークPK2に基づいて検出部463によりエネルギーFEとして検出されてしまう。図5に示したエネルギー差EDは、エネルギーBEとエネルギーFEとの差である。
補正部465は、曲線FC2により表される第1エネルギースペクトルに対して、ステップS220において算出した補正係数を乗算することによって、当該第1エネルギースペクトルを図5に示したグラフの横軸に沿って高エネルギー側にシフトさせ、当該第1エネルギースペクトルが曲線FC1により表される第1エネルギースペクトルとほぼ重なるように補正する。これにより、放射線分析装置1は、物体Wの分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる。
ここで、図5に示した曲線FC2によって表される第1エネルギースペクトルの一部分である部分スペクトルEWは、導出部462がステップS200において導出(抽出)する第2エネルギースペクトルの一例である。導出部462は、曲線FC2によって表される第1エネルギースペクトルから、当該第1エネルギースペクトルの一部分であってエネルギーBEから所定値低いエネルギーとエネルギーBEから所定値高いエネルギーとの間の範囲の部分のエネルギースペクトルを第2エネルギースペクトルとして導出(抽出)する。すなわち、前述の所定値は、図5に示したように、当該範囲にエネルギーFEが含まれるように選ばれる値である。検出部463は、当該第2エネルギースペクトルに基づいて、物体Wに含まれるシリコン(この一例における基準元素)が放出したエネルギー(図5に示した一例では、エネルギーFE)を検出エネルギーとして検出する。
なお、図5は、エネルギー差EDを明確にするように描かれているため、部分スペクトルEWのエネルギー範囲は、エネルギーBEから所定値低いエネルギーとエネルギーBEから所定値高いエネルギーとの間の範囲には一致していない。また、図5に示したグラフは、説明用に描いたものであり、曲線FC1のピークPK1及び曲線FC2のピークPK2のそれぞれは、現実のシリコンから放射されたKα線のピークとは必ずしも一致しない。
また、上記において説明した基準エネルギーは、基準元素が放出するエネルギーに代えて、基準元素が吸収するエネルギーであってもよい。この場合、基準エネルギーは、基準元素の電子が励起される際に当該電子が吸収するエネルギーのことである。具体的には、当該場合、この一例において、基準エネルギーは、基準元素のK殻の電子が励起される際に当該電子が吸収するエネルギーのことである。なお、当該場合、基準エネルギーは、基準元素のL殻の電子が励起される際に当該電子が吸収するエネルギー等の当該基準元素の電子が励起される際に当該電子が吸収する他のエネルギーであってもよい。また、当該場合、検出部463は、導出部462が算出したエネルギースペクトルの吸収端に基づいて、基準元素のK殻の電子が吸収したエネルギーを検出エネルギーとして検出する。また、当該場合、基準元素は、物体Wに含まれる元素に代えて、検出装置10が備えるX線透過窓、X線レンズ等に含まれる元素であってもよい。この場合、物体Wは、基準元素を含まなくてもよい。
また、基準元素は、物体Wに含まれる元素に代えて、物体Wと異なる校正用の物体に含まれる元素であってもよい。この場合、制御部46は、例えば、ステップS200の処理が行われる前に、第1制御装置30を制御し、前述の待機時間が経過するたびに当該校正用の物体に対して第1放射線R1を励起源部11に放射させる。そして、放射線検出部12は、当該校正用の物体から放射される第2放射線R2を検出し、検出した当該第2放射線R2のエネルギーに応じた波高値の電気信号を第2検出情報として第2制御装置40に出力する。取得部461は、放射線検出部12から第2検出情報を取得する。記憶制御部467は、取得部461が取得した第2検出情報の波高値(すなわち、当該第2検出情報としての電気信号の波高値)に応じたエネルギーの第2放射線R2が検出されたことを示す検出情報に変換する。記憶制御部467は、変換した第2検出情報を現在の時刻を示す時刻情報を対応付けて記憶部42に記憶させる。そして、導出部462は、ステップS200において、記憶部42に記憶された第2検出情報に基づいて第2エネルギースペクトルを導出する。この場合、物体Wは、基準元素を含まなくてもよい。一方、当該校正用の物体は、単純な構成であることが望ましく、例えば、シリコン、アルミニウム等によって構成されるが、これらに限られるわけではない。
また、上記において説明した取得部461及び導出部462は、波高分析装置として第2制御装置40と別体に構成されてもよい。この場合、放射線分析装置1は、検出装置10と、波高分析装置と、第2制御装置40を備える。波高分析装置は、放射線検出部12が検出した第2放射線R2に応じた電気信号を取得し、取得した当該電気信号に基づくエネルギースペクトルを算出する。そして、第2制御装置40は、波高分析装置から当該エネルギースペクトルを取得する。
また、上記において説明した補正部465は、ステップS220において、検出部463が過去に検出した2以上の検出エネルギーの平均値によって、基準エネルギーを除した値を補正係数として算出する構成であってもよい。この場合、補正部465は、例えば、当該平均値がBであり、基準エネルギーがAである場合、当該比は、A/Bである。なお、当該2以上の検出エネルギーは、現在から予め決められた期間遡った時刻までの時間内に記憶部32に記憶されたすべての検出エネルギーであってもよく、当該すべての検出エネルギーのうちランダムに選択された検出エネルギーであってもよく、当該すべての検出エネルギーのうち所定のルールに基づいて選択された検出エネルギーであってもよく、他の方法によって選択された検出エネルギーであってもよい。
また、導出部462は、図4に示したフローチャートにおいて、前述の測定期間内のタイミングにおいて、第1エネルギースペクトルと第2エネルギースペクトルとのそれぞれを導出する構成であったが、これに代えて、当該タイミングにおいて第1エネルギースペクトルを導出し、測定期間外のタイミングにおいて、第2エネルギースペクトルを算出する構成であってもよい。例えば、導出部462は、測定期間内のタイミングにおいて第1エネルギースペクトルを導出し、導出した第1エネルギースペクトルを記憶部42に記憶させた後、測定期間外のタイミングにおいて制御部46がステップS230の処理を実行するとともに、記憶部42に記憶された検出情報に基づいて第2エネルギースペクトルを導出する構成であってもよい。この場合、補正部465は、第1エネルギースペクトルの補正を、第2エネルギースペクトルを導出してから行う。
また、上記において説明した検出部463は、図4に示したフローチャートにおいて、導出部462が第1エネルギースペクトルを算出した後に、導出部462が算出した第2エネルギースペクトルに基づいて検出エネルギーを検出する構成であったが、これに代えて、導出部462が第1エネルギースペクトルを導出する前のタイミング、又は当該前と導出部462が第1エネルギースペクトルを導出した後との両方のタイミングにおいて、導出部462が導出した第2エネルギースペクトルに基づいて検出エネルギーを検出する構成であってもよい。
また、上記において説明した検出部463は、導出部462が第1エネルギースペクトルを導出している最中のタイミングにおいて、導出部462が導出した第2エネルギースペクトルに基づいて検出エネルギーを検出する構成であってもよい。この場合、導出部462は、第1エネルギースペクトルを導出し終える前に第2エネルギースペクトルを算出し終える。これにより、放射線分析装置1は、物体Wの分析に要する時間を更に低減することができる。
以上説明したように、実施形態における放射線分析装置1は、複数の元素を含む物体(この一例において、物体W)に第1放射線(この一例において、第1放射線R1)を照射し、第1放射線が照射された物体から放射される複数の第2放射線(この一例において、第2放射線R2)を放射線検出部(この一例において、放射線検出部12)により検出し、放射線検出部が検出した複数の第2放射線それぞれの信号に基づくエネルギースペクトルを算出し、算出したエネルギースペクトルに基づいて、基準となる元素である基準元素(この一例において、シリコン)が吸収したエネルギー又基準元素が放出したエネルギーである検出エネルギーを検出し、記憶部(この一例において、記憶部42)に予め記憶された情報であって基準元素が吸収するエネルギー又は基準元素が放出するエネルギーである基準エネルギーを示す情報である基準エネルギー情報と、検出した検出エネルギーとに基づいて、算出したエネルギースペクトルを補正する。これにより、放射線分析装置1は、物体の分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる。
また、放射線分析装置1は、エネルギースペクトルとして、ユーザーから受け付けた第1エネルギー範囲におけるエネルギースペクトルである第1エネルギースペクトルと、基準エネルギーを含む第2エネルギー範囲におけるエネルギースペクトルである第2エネルギースペクトルとのそれぞれを算出し、第2エネルギースペクトルに基づいて検出エネルギーを検出する。これにより、放射線分析装置1は、第2エネルギースペクトルに基づいて、物体の分析に要する時間を低減しつつ、精度の高い第1エネルギースペクトルを提供することができる。
また、放射線分析装置1では、第1エネルギー範囲と第2エネルギー範囲は、同じである。そして、放射線分析装置1は、放射線検出部が検出した複数の第2放射線それぞれの信号に基づく1つのエネルギースペクトルを第1エネルギースペクトル及び第2エネルギースペクトルとして算出する。これにより、放射線分析装置1は、1つのエネルギースペクトルとして算出した第1エネルギースペクトル及び第2エネルギースペクトルに基づいて、物体の分析に要する時間を低減しつつ、精度の高い第1エネルギースペクトルを提供することができる。
また、放射線分析装置1は、物体の分析を開始する操作をユーザーから受け付けた時刻から、ユーザーから受け付けた測定時間が経過するまでの間のタイミングにおいて、第1エネルギースペクトルを算出し、当該間以外のタイミングにおいて、第2エネルギースペクトルを算出する。これにより、放射線分析装置1は、第1エネルギースペクトルを算出した後における任意のタイミングにおいて、第2エネルギースペクトルを算出することができる。
また、放射線分析装置1は、物体の分析を開始する操作をユーザーから受け付けた時刻から、ユーザーから受け付けた測定時間が経過するまでの間のタイミングにおいて、第1エネルギースペクトルと第2エネルギースペクトルとを算出する。これにより、放射線分析装置1は、当該間における任意のタイミングにおいて、第1エネルギースペクトルと第2エネルギースペクトルとを算出することができ、その結果、物体の分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる。
また、放射線分析装置1は、第2エネルギースペクトルを算出する毎に検出エネルギーを検出し、検出エネルギーを検出する毎に、算出した第1エネルギースペクトルを補正する。これにより、放射線分析装置1は、第2エネルギースペクトルを算出する毎に、第1エネルギースペクトルを補正することができる。
また、放射線分析装置1は、第1エネルギースペクトルを算出する前と、第1エネルギースペクトルを算出した後とのいずれか一方又は両方のタイミングにおいて、算出した第2エネルギースペクトルに基づいて検出エネルギーを検出する。これにより、放射線分析装置1は、任意のタイミングにおいて第1エネルギースペクトルを補正することができる。
また、放射線分析装置1は、第1エネルギースペクトルを算出している最中のタイミングにおいて、算出した第2エネルギースペクトルに基づいて検出エネルギーを検出する。これにより、放射線分析装置1は、物体の分析に要する時間を更に低減することができる。
また、放射線分析装置1は、検出部(この一例において、検出部463)が検出した検出エネルギーと、記憶部に記憶された基準エネルギー情報が示す基準エネルギーとの比に基づいて、算出したエネルギースペクトルを補正する。これにより、放射線分析装置1は、検出エネルギーと基準エネルギーとの比に基づいて、物体の分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる。
また、放射線分析装置1は、算出したエネルギースペクトルに基準エネルギーと検出エネルギーとの比を乗算することにより、算出したエネルギースペクトルを補正する。これにより、放射線分析装置1は、算出したエネルギースペクトルに基準エネルギーと検出エネルギーとの比を乗算することにより、物体の分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる。
また、放射線分析装置1は、検出部が過去に検出した1以上の検出エネルギーと、基準エネルギーとに基づいて、算出したエネルギースペクトルを補正する。これにより、放射線分析装置1は、検出部が過去に検出した1以上の検出エネルギーと、基準エネルギーとに基づいて、物体の分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる。
また、放射線分析装置1では、基準元素が吸収するエネルギーは、基準元素のK殻の電子が励起される際に当該電子が吸収するエネルギーであり、基準元素が放出するエネルギーは、基準元素から放射されるK線のエネルギーである。これにより、放射線分析装置1は、基準元素のK殻の電子が励起される際に当該電子が吸収するエネルギー、又は基準元素が放出するエネルギーは、基準元素から放射されるK線のエネルギーに基づいて、物体の分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる。
また、放射線分析装置1では、基準元素は、K殻の電子が励起されることによってK線を放射する元素のいずれかである。これにより、放射線分析装置1は、K殻の電子が励起されることによってK線を放射する元素に基づいて、物体の分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる。
また、放射線分析装置1では、励起源部は、電子線を第1放射線として照射し、放射線検出部は、電子線が照射された物体から発生するX線を第2放射線として検出する超伝導転移端センサー(この一例において、超伝導転移端センサーT1)を有する。これにより、超伝導転移端センサーを有するX線分析装置である放射線分析装置1は、放射線検出部の検出感度の変化を抑制しつつ、物体の分析に要する時間を低減しつつ、精度の高いエネルギースペクトルを提供することができる。
以上、この発明の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない限り、変更、置換、削除等されてもよい。
また、以上に説明した装置(例えば、制御装置20)における任意の構成部の機能を実現するためのプログラムを、コンピューター読み取り可能な記録媒体に記録し、そのプログラムをコンピューターシステムに読み込ませて実行するようにしてもよい。なお、ここでいう「コンピューターシステム」とは、OS(Operating System)や周辺機器等のハードウェアを含むものとする。また、「コンピューター読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ROM、CD(Compact Disk)−ROM等の可搬媒体、コンピューターシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピューター読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムが送信された場合のサーバーやクライアントとなるコンピューターシステム内部の揮発性メモリー(RAM)のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。
また、上記のプログラムは、このプログラムを記憶装置等に格納したコンピューターシステムから、伝送媒体を介して、あるいは、伝送媒体中の伝送波により他のコンピューターシステムに伝送されてもよい。ここで、プログラムを伝送する「伝送媒体」は、インターネット等のネットワーク(通信網)や電話回線等の通信回線(通信線)のように情報を伝送する機能を有する媒体のことをいう。
また、上記のプログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであってもよい。さらに、上記のプログラムは、前述した機能をコンピューターシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル(差分プログラム)であってもよい。
1…放射線分析装置、10…検出装置、11…励起源部、12…放射線検出部、13…放射線収束部、14…位置可変部、15…駆動部、16…冷却装置、17…筐体、20…制御装置、30…第1制御装置、31、41…CPU、32、42…記憶部、33、43…入力受付部、34、44…通信部、35、45…表示部、36、46…制御部、40…第2制御装置、361…励起源部制御部、460…表示制御部、461…取得部、462…導出部、463…検出部、465…補正部、467…記憶制御部、469…分析部

Claims (14)

  1. 複数の元素を含む物体に第1放射線を照射する励起源部と、
    前記第1放射線が照射された前記物体から放射される複数の第2放射線を検出する放射線検出部と、
    前記放射線検出部が検出した複数の前記第2放射線それぞれの信号に基づくエネルギースペクトルを導出する導出部と、
    前記導出部が導出した前記エネルギースペクトルに基づいて、基準となる元素である基準元素が吸収したエネルギー又前記基準元素が放出したエネルギーである検出エネルギーを検出する検出部と、
    記憶部に予め記憶された情報であって前記基準元素が吸収するエネルギー又は前記基準元素が放出するエネルギーである基準エネルギーを示す情報である基準エネルギー情報と、前記検出部が検出した前記検出エネルギーとに基づいて、前記導出部が導出した前記エネルギースペクトルを補正する補正部と、
    を備える放射線分析装置。
  2. 前記導出部は、前記エネルギースペクトルとして、ユーザーから受け付けた第1エネルギー範囲におけるエネルギースペクトルである第1エネルギースペクトルと、前記基準エネルギーを含む第2エネルギー範囲におけるエネルギースペクトルである第2エネルギースペクトルとのそれぞれを導出し、
    前記検出部は、前記第2エネルギースペクトルに基づいて前記検出エネルギーを検出する、
    請求項1に記載の放射線分析装置。
  3. 前記第1エネルギー範囲に前記第2エネルギー範囲が含まれ、同じであり、
    前記導出部は、前記第1エネルギースペクトルの一部を前記第2エネルギースペクトルとして利用する、
    請求項2に記載の放射線分析装置。
  4. 前記導出部は、前記物体の分析を開始する操作をユーザーから受け付けた時刻から、ユーザーから受け付けた測定時間が経過するまでの間である測定期間内のタイミングにおいて前記第1エネルギースペクトルを導出し、前記測定期間外のタイミングにおいて前記第2エネルギースペクトルを導出する、
    請求項2又は3に記載の放射線分析装置。
  5. 前記導出部は、前記物体の分析を開始する操作をユーザーから受け付けた時刻から、ユーザーから受け付けた測定時間が経過するまでの間のタイミングにおいて、前記第1エネルギースペクトルと前記第2エネルギースペクトルとを導出する、
    請求項2又は3に記載の放射線分析装置。
  6. 前記検出部は、前記導出部が前記第2エネルギースペクトルを導出する毎に前記検出エネルギーを検出し、
    前記補正部は、前記検出部が前記検出エネルギーを検出する毎に、前記導出部が導出した前記第1エネルギースペクトルを補正する、
    請求項2から5のうちいずれか一項に記載の放射線分析装置。
  7. 前記検出部は、前記導出部が前記第1エネルギースペクトルを導出する前と、前記導出部が前記第1エネルギースペクトルを導出した後とのいずれか一方又は両方のタイミングにおいて、前記導出部が導出した前記第2エネルギースペクトルに基づいて前記検出エネルギーを検出する、
    請求項2から6のうちいずれか一項に記載の放射線分析装置。
  8. 前記検出部は、前記導出部が前記第1エネルギースペクトルを導出している最中のタイミングにおいて、前記導出部が導出した前記第2エネルギースペクトルに基づいて前記検出エネルギーを検出する、
    請求項5又は6に記載の放射線分析装置。
  9. 前記補正部は、前記検出部が検出した前記検出エネルギーと、前記記憶部に記憶された前記基準エネルギー情報が示す前記基準エネルギーとの比に基づいて、前記導出部が導出した前記エネルギースペクトルを補正する、
    請求項1から8のうちいずれか一項に記載の放射線分析装置。
  10. 前記補正部は、前記導出部が導出した前記エネルギースペクトルに前記比を乗算することにより、前記導出部が導出した前記エネルギースペクトルを補正する、
    請求項9に記載の放射線分析装置。
  11. 前記補正部は、前記検出部が過去に検出した1以上の前記検出エネルギーと、前記基準エネルギーとに基づいて、前記導出部が導出した前記エネルギースペクトルを補正する、
    請求項1から10のうちいずれか一項に記載の放射線分析装置。
  12. 前記基準元素が吸収するエネルギーは、前記基準元素の電子が励起される際に当該電子が吸収するエネルギーであり、
    前記基準元素が放出するエネルギーは、前記基準元素から放射されるK線のエネルギーである、
    請求項1から11のうちいずれか一項に記載の放射線分析装置。
  13. 前記基準元素は、K殻の電子が励起されることによってK線を放射する元素のいずれかである、
    請求項1から12のうちいずれか一項に記載の放射線分析装置。
  14. 前記励起源部は、電子線を前記第1放射線として照射し、
    前記放射線検出部は、前記電子線が照射された前記物体から発生するX線を前記第2放射線として検出する超伝導転移端センサーを有する、
    請求項1から13のうちいずれか一項に記載の放射線分析装置。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04274745A (ja) * 1991-03-02 1992-09-30 Horiba Ltd X線分析装置
JP2007033392A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Sii Nanotechnology Inc 放射線分析装置と放射線分析方法、及びそれを用いたx線計測装置
US20130188776A1 (en) * 2011-12-31 2013-07-25 Tsinghua University System and method for measuring ash content and calorified value of coal
JP2014145618A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Dkk Toa Corp エネルギー分散型蛍光x線分析装置
JP2014145617A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Dkk Toa Corp エネルギー分散型蛍光x線分析装置
JP2015219198A (ja) * 2014-05-20 2015-12-07 株式会社堀場製作所 分析装置及び校正方法
JP2015219197A (ja) * 2014-05-20 2015-12-07 株式会社堀場製作所 分析装置及び校正方法
JP2016133412A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 株式会社日立ハイテクサイエンス 放射線分析装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5146745B2 (ja) 2008-05-09 2013-02-20 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 X線分析装置
JP6058945B2 (ja) 2012-08-20 2017-01-11 株式会社日立ハイテクサイエンス 放射線分析装置及び方法
JP6510245B2 (ja) 2015-01-20 2019-05-08 株式会社日立ハイテクサイエンス 放射線分析装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04274745A (ja) * 1991-03-02 1992-09-30 Horiba Ltd X線分析装置
JP2007033392A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Sii Nanotechnology Inc 放射線分析装置と放射線分析方法、及びそれを用いたx線計測装置
US20130188776A1 (en) * 2011-12-31 2013-07-25 Tsinghua University System and method for measuring ash content and calorified value of coal
JP2014145618A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Dkk Toa Corp エネルギー分散型蛍光x線分析装置
JP2014145617A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Dkk Toa Corp エネルギー分散型蛍光x線分析装置
JP2015219198A (ja) * 2014-05-20 2015-12-07 株式会社堀場製作所 分析装置及び校正方法
JP2015219197A (ja) * 2014-05-20 2015-12-07 株式会社堀場製作所 分析装置及び校正方法
JP2016133412A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 株式会社日立ハイテクサイエンス 放射線分析装置

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