CN103943784A - 有机发光装置 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光装置，包括：基板；在所述基板上的第一电极；第二电极；在所述第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层包括发光层；和包括含氰基的化合物的第一层，所述第一层在所述第一电极和所述发光层之间，其中所述第一电极包括依次堆叠在所述基板上的Al类反射层和透明导电层，所述Al类反射层包括第一元素和镍(Ni)，且所述第一元素包括镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和镥(Lu)中的至少一种。

Description

有机发光装置
本申请是申请日为2010年10月12日，申请号为201010513076.6，发明名称为“有机发光装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明各实施方式涉及有机发光装置。
背景技术
有机发光装置(OLED)为自发光装置，具有例如宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性等优点，并能够提供多色图像。
OLED具有包括例如基板，以及依次堆叠在该基板上的阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极。<0}在此，HTL、EML和ETL可为例如由有机化合物形成的有机薄膜。
具有上述结构的OLED的操作原理如下。
在对阳极和阴极施加电压时，由阳极注入的空穴可通过HTL移动到EML；且由阴极注入的电子可通过ETL移动到EML。空穴和电子会在EML再结合以产生激子。当激子由激发态下降至基态时，会发光。
发明内容
本申请本发明的各实施方式涉及一种有机发光装置，所述有机发光装置基本上克服了因现有技术的限制和缺点而造成的一个或多个问题。
本发明实施方式的特点在于提供具有优异的驱动电压特性和优异的功率效率特性的有机发光装置。
以上和其他特征及优点中的至少一个可通过提供有机发光装置来实现，所述有机发光装置包括：基板；在所述基板上的第一电极；第二电极；在所述第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层包括发光层；和包括含氰基的化合物的第一层，所述第一层在所述第一电极和所述发光层之间，其中所述第一电极包括依次堆叠在所述基板上的Al类反射层和透明导电层，所述Al类反射层包括第一元素和镍(Ni)，且所述第一元素包括镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和镥(Lu)中的至少一种。
所述第一电极可进一步包括含第二元素的氧化锌层，所述第二元素包括铝(Al)、铟(In)、镓(Ga)、锗(Ge)、钆(Gd)、锆(Zr)、钼(Mo)和镍(Ni)中的至少一种。
所述Al类反射层、所述透明导电层和所述含第二元素的氧化锌层可以此顺序依次堆叠在所述基板上。
基于100重量份的所述含第二元素的氧化锌层，所述第二元素的含量可为约0.5至约10重量份。
所述Al类反射层可包括La、Ni和Al。
所述含氰基的化合物可包括由通式1至20表示的化合物中的任何一种：
在通式1至20中，
X1至X4可各自独立地由通式30A至30D中的一种表示；
Y1至Y8可各自独立地为N或C(R103)；
Z1至Z4可各自独立地为C或N；
A1和A2可各自独立地为-O-、-S-、-N(R104)或C(R105)(R106)-；
Q101和Q102可各自独立地为C2～C10的亚烷基，C2～C10的亚烯基，或者被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基或C1～C10的烷氧基取代的C2～C10的亚烷基或C2～C10的亚烯基；
T1和T2可各自独立地为C5～C30的芳环体系，C2～C30的杂芳环体系，或者被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基或C1～C10的烷氧基取代的C5～C30的芳环体系或C2～C30的杂芳环体系；
p可为1至10的整数；
q可为0至10的整数；
R101至R106可各自独立地为氢原子，卤素原子，氰基，羟基，C1～C10的烷基，C1～C10的烷氧基，被卤素原子、氰基、羟基、C5～C14的芳基和C2～C14的杂芳基中的至少一种取代的C1～C10的烷基，被卤素原子、氰基、羟基、C5～C14的芳基、C2～C14的杂芳基中的至少一种取代的C1～C10的烷氧基，
或-N(R107)(R108)；R107和R108各自独立地为氢原子、C1～C10的烷基、苯基或联苯基；且
L101可为C5～C14的亚芳基，C5～C14的杂亚芳基，以及被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基和C1～C10的烷氧基中的至少一种取代的C5～C14的亚芳基或C5～C14的杂亚芳基：
X1至X4可各自独立地为由通式30A或30D表示的化合物。
R103可为氢原子，卤素原子，氰基，C1～C10的烷基，C1～C10的烷氧基，被卤素原子、氰基、苯基、萘基、蒽基、吡啶基、苯硫基和苯并苯硫基中的至少一种取代的C1～C10的烷基或C1～C10的烷氧基，或者-N(R107)(R108)中的一种，其中R107和R108可各自独立地为氢原子、C1～C10的烷基、苯基或联苯基。
R101和R102可各自独立地为氰基、
A1和A2中的每一个可为-S-。
Q101和Q102可各自独立地为亚乙基，亚丙基，亚乙烯基，亚丙烯基，被卤素原子、氰基、羟基中的至少一种取代的亚乙基，被卤素原子、氰基、羟基中的至少一种取代的亚丙基，被卤素原子、氰基、羟基中的至少一种取代的亚乙烯基，或被卤素原子、氰基、羟基中的至少一种取代的亚丙烯基。
T1和T2可各自独立地为苯，萘，蒽，噻吩，噻重氮，噁二唑，或者为被卤素原子、氰基、C1～C10的烷基和C1～C10的烷氧基中的至少一种取代的苯、萘、蒽、噻吩、噻重氮或噁二唑。
p可为1。
q可为0、1或2。
L101可为亚苯硫基，苯并亚苯硫基，被卤素原子、氰基和C1～C10的烷基中的至少一种取代的亚苯硫基，和被卤素原子、氰基和C1～C10的烷基中的至少一种取代的苯并亚苯硫基中的一种。
所述含氰基的化合物可为由以下通式1A至20B中的任何一种表示的化合物：
其中，R103和R109可各自独立地为氢原子、-F、氰基、甲基、乙基、丙基、乙烯基、甲氧基、乙氧基或丙氧基。
所述第一层可进一步包括空穴传输化合物。
所述空穴传输化合物可包括由以下通式41或42表示的化合物：
其中，R10可由-(Ar1)n-Ar2表示；
R16可由-(Ar11)m-Ar12表示；
Ar1、Ar11、L1和L11可各自独立地为取代或未取代的C1～C30的亚烷基、取代或未取代的C2～C30的亚烯基、取代或未取代的C5～C30的亚芳基、取代或未取代的C4～C30的杂亚芳基或者由-N(Q1)-表示的基团；
n、m、a和b可各自独立地为0至10的整数。
R1至R3、R11至R15、R17、R18、R21至R29、Ar2、Ar12和Q1可各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C2～C30的炔基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的烷硫基、取代或未取代的C5～C30的芳基、C4～C30的杂芳基或者由-N(Q2)(Q3)表示的基团；且
Q2和Q3可各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C2～C30的炔基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的烷硫基、取代或未取代的C5～C30的芳基或者取代或未取代的C4～C30的杂芳基，
其中-(Ar1)n-中的n个Ar1基彼此相同或不同，-(Ar11)m-中的m个Ar11基彼此相同或不同，-(L1)a-中的a个L1基彼此相同或不同，且-(L11)b-中的b个L11基彼此相同或不同。
Ar1和Ar11可各自独立地为C1～C10的亚烷基，亚苯基，亚萘基，亚蒽基，亚芴基，亚咔唑基，亚吡唑基，亚吡啶基，亚三嗪基，-N(Q1)-，或者被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、苯基、萘基和蒽基中的至少一种取代的C1～C10的亚烷基、亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚芴基、亚咔唑基、亚吡唑基、亚吡啶基或亚三嗪基；且其中Q1可为氢原子，C1～C10的烷基，C1～C10的烷氧基，苯基，萘基，咔唑基，芴基，芘基，被选自由卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、苯基、萘基和蒽基组成的组中的至少一种取代基取代的C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、苯基、萘基、咔唑基、芴基或芘基，或-N(Q2)(Q3)中的一种。
Ar2和Ar12可各自独立地为氢原子，C1～C10的烷基，苯基，萘基，咔唑基，芴基，芘基，被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、苯基、萘基和蒽基中的至少一种取代的C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、苯基、萘基、咔唑基、芴基或芘基，或-N(Q2)(Q3)，且其中Q2和Q3可各自独立地为氢原子、甲基、乙基、苯基、甲苯基、联苯基、萘基或甲萘基。
n和m可各自独立地为0、1、2、3、4、5或6。
基于100重量份的所述第一层，所述第一层中所述含氰基的化合物的含量可为约0.1至约20重量份。
所述第一层可具有约至约的厚度。
所述第一层和所述发光层之间的距离可为约或更大。
所述有机发光装置在所述第一层和所述发光层之间可进一步包括空穴注入层和空穴传输层的至少一个。
所述Al类反射层可包括AlXNi相，且x可为约2.5至约3.5。
所述Al类反射层可包括AlXNi相，并可接触所述透明导电层，其中所述AlXNi相中x为约2.5至约3.5。
x可为3。
所述有机发光装置在所述Al类反射层面向所述透明导电层的表面上可进一步包括富镍(Ni)氧化物层。
所述Al类反射层中镍(Ni)的含量可为约0.6wt％至约5wt％。
所述第一元素可包括镧(La)。
所述Al类反射层中所述第一元素的含量可为约0.1wt％至约3wt％。
所述透明导电层可包括氧化铟锡(ITO)或氧化锡(SnO2)。
附图说明
通过参照附图详细说明示例性实施方式，以上和其它特点和优点对本领域普通技术人员将变得更显而易见，其中：
图1示出了根据一个实施方式的有机发光装置(OLED)结构的截面图；
图2A示出了根据一个实施方式的铝(Al)类反射层的横截面的透射电子显微镜(TEM)图像；
图2B示出了图2A所示的铝(Al)类反射膜的扫描透射电子显微镜(STEM)-高角环状暗场图像；
图2C示出了关于图2A中的不规则生长晶体的X-射线能量色散谱的结果；
图3示出了根据另一实施方式的第一电极的横截面的TEM图像；和
图4示出了根据另一实施方式的OLED结构的截面图。
具体实施方式
在此通过引用将2009年10月12日向韩国知识产权局提交的名称为“有机发光装置”的韩国专利申请第10-2009-0096822号整体合并于此。
以下将参照附图更完整地说明示例性实施方式；然而，所述实施方式可以各种不同方式实施，并不应理解为受限于本文所述的实施方式。更确切地说，提供这些实施方式使得本公开完全且完整，并将本发明的范围完整地传达给本领域技术人员。
在附图中，为了说明的清楚性，可将层和区域的尺寸放大。还应理解的是当某一层或元件被称作是“在另一层或基板上”时，它可直接在该另一层或基板上，或者也可存在插入层。此外，还应理解的是，当某一层被称作“在两层之间”时，它可以是该两层之间的仅有的一层，或者也可存在一个或多个插入层。全文中相似的附图标记表示相似元件。
图1示出了根据一个实施方式的有机发光装置(OLED)10的截面示意图。参照图1，根据本实施方式的OLED10可包括以此顺序依次堆叠的基板1、第一电极5、包括含氰基的化合物的第一层6、有机层7和第二电极9。第一电极5可包括依次堆叠在基板上的铝(Al)类反射层5a和透明导电层5b。铝(Al)类反射层5a可包括例如第一元素和镍(Ni)。
基板1可为用于有机发光装置的任何适宜的基板，可为例如具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面平整度、易于处理和防水特性的玻璃基板或透明塑料基板。
在铝(Al)类反射层5a中的第一元素可包括例如镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和镥(Lu)中的至少一种。
铝(Al)类反射层5a可具有高反射率，由此可改善OLED的发光效率。此外，铝(Al)类反射层5a由于Al的特性可具有高的热稳定性。由此，铝(Al)类反射层5a即使在暴露于高温加工过程中也具有优异的耐久性。此外，铝(Al)类反射层5a对与其邻接的有机层或无机层可具有优异的粘合特性。
因此，铝(Al)类反射层和透明ITO导电层在阴极接合区域基本不会分离。
铝(Al)类反射层5a和透明导电层5b可相互接触。但基本不会发生由于铝(Al)类反射层5a和透明导电层5b之间的电势差而引起的不理想的电化学腐蚀。
电化学腐蚀会由于彼此邻接的两种不同金属之间的电势差而发生，由此引起电流流动并产生电。由于在界面处的不同功函，相互接触的两种不同金属中具有相对较高活性(较低电势)的一种可用作阴极且具有相对较低活性(较高电势)的另一种可用作阳极。当两种金属暴露于腐蚀性溶液中时，二者会由于它们之间的电势差而被腐蚀。这被称作电化学腐蚀。具有较高活性的阴极会比单独使用时腐蚀快，而具有较低活性的阳极会比单独使用时腐蚀慢。随着此电化学腐蚀沿着由不同金属形成的两个电极层的界面传播，两个电极之间的接触电阻会突然增加。因此，接触电阻会非常不稳定地分布。由此，在包括这两个电极层的OLED运行时，OLED的像素会显示亮度不一致的色彩。由于此不均匀的亮度，图像质量会明显下降。因而，电化学腐蚀在OLED中会成为质量恶化因素。
然而，由于铝(Al)类反射层5a包括以下将详细说明的第一元素，此电化学腐蚀基本不会在铝(Al)类反射层5a和透明导电层5b之间发生。因此，根据本实施方式的OLED可具有优异的质量。
铝(Al)类反射层5a可包括例如镍(Ni)。因此，铝(Al)类反射层5a可包括x为约2.5至约3.5的AlXNi相。
图2A示出了形成在钛(Ti)层(层B)上的Al类反射层(层A)的横截面的透射电子显微镜(TEM)图像，其中Al类反射层包括2wt％的镍(Ni)和0.35wt％的镧(La)。图2B示出了图2A所示的铝(Al)类反射膜的扫描透射电子显微镜(STEM)-高角环状暗场图像。图2C示出了关于图2A中显示为灰色的不规则生长晶体(在第一和第二测量点处)的半定量X-射线能量色散谱的结果。如图2C所示，图2A中的不规则生长晶体以Al(K):Ni(K)＝73:27(原子％)的比例包括Al和Ni。因此，铝(Al)类反射层5a大概包括x为约3的AlXNi相。
x为约2.5至约3.5的AlXNi相可接触透明导电层5b。
此外，富Ni氧化物层可进一步布置在铝(Al)类反射层5a面向透明导电层5b的表面上。
图3示出了包括依次形成在TFT基板上的Al类反射层(区域C)和透明ITO导电层(区域D)的结构的横截面TEM图像，其中Al类反射层包括2wt％的镍(Ni)和0.35wt％的镧(La)。在图3中，在Al类反射层和透明ITO导电层之间由“E”表示的线性区域对应于厚度约7nm至约8nm的富Ni氧化物层。
由于上述x为约2.5至约3.5的AlXNi相和/或富Ni氧化物层，可在Al类反射层5a和透明导电层5b之间实现欧姆接触。
Ni可以约0.6wt％至约5wt％，例如约1wt％至约4wt％的量包含在Al类反射层5a中。在Al类反射层5a中保持Ni的量在约0.6wt％至约5wt％可有助于确保使Al类反射层5a和透明导电层5b之间的接触电阻稳定，并基本不会降低Al类反射层5a的反射率和耐化学品性。在一种实施中，Ni在Al类反射层5a中的量可为约2wt％。然而，Ni在Al类反射层5a中的量不限于这些量。
除了具有上述功能的Ni以外，Al类反射层5a还可包括第一元素。第一元素可包括例如镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和镥(Lu)中的至少一种。
由于Al类反射层5a可包括以上所列的第一元素，Al类反射层5a可具有优异的热稳定性，且可抑制电化学腐蚀。例如，第一元素可包括镧(La)，但不限于此。
第一元素的含量可为约0.1wt％至约3wt％，例如约0.1wt％至约1wt％。保持第一元素的量为约0.1wt％至约3wt％可有助于确保Al类反射层5a中Al的热稳定性和Al类反射层5a的反射率均不会降低。第一元素的量不限于以上范围。例如，第一元素的含量可为约0.3wt％至约0.35wt％，但不限于此。
Al类反射层5a可具有约50nm或更大的厚度，例如约100nm至约500nm。保持Al类反射层5a的厚度为约50nm或更大可有助于确保基本防止因有机层7中产生的光穿过Al类反射层5a而导致在发光效率上的下降。
透明导电层5b可由例如透明导电金属氧化物形成。透明导电金属氧化物的实例包括ITO和氧化锡(SnO2)，但不限于此。在一种实施中，透明导电层5b可由ITO形成。
透明导电层5b可具有约5nm至约100nm，例如约7nm至约80nm的厚度。保持透明导电层5b的厚度为约5nm至约100nm可有助于确保使Al类反射层5a的反射率的降低最小化，且OLED具有优异的效率。
包括含氰基的化合物的第一层6可形成在透明导电层5b上。由于第一层6中包括的含氰基的化合物具有两类单电子还原态，所以含氰基的化合物可具有能够形成稳定自由基的扩大的π-电子体系(可通过例如循环伏安法确认)。由此，第一层6可降低从第一电极5到有机层7的空穴注入势垒。因此，包括具有含氰基化合物的第一层6的OLED可具有优异的驱动电压特性和优异的功率效率特性。
第一层6中包括的含氰基的化合物可包括由以下通式1至20表示的化合物中的一种。
在通式1至20中，X1至X4可各自独立地由通式30A至30D中的一种表示；Y1至Y8可各自独立地为N或C(R103)；Z1至Z4可各自独立地为C或N；A1和A2可各自独立地为-O-、-S-、-N(R104)或C(R105)(R106)-；Q101和Q102可各自独立地为C2～C10的亚烷基、C2～C10的亚烯基，或者被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基或C1～C10的烷氧基取代的C2～C10的亚烷基或C2～C10的亚烯基；T1和T2可各自独立地为C5～C30的芳环体系、C2～C30的杂芳环体系，或者被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基和C1～C10的烷氧基中的至少一种取代的C5～C30的芳环体系或C2～C30的杂芳环体系；p可为1至10的整数；q可为0至10的整数；R101至R106可各自独立地为氢原子，卤素原子，氰基，羟基，C1～C10的烷基，C1～C10的烷氧基，被卤素原子、氰基、羟基、C5～C14的芳基和C2～C14的杂芳基中的至少一种取代的C1～C10的烷基，被卤素原子、氰基、羟基、C5～C14的芳基和C2～C14的杂芳基中的至少一种取代的C1～C10的烷氧基，
或-N(R107)(R108)；R107和R108各自独立地为氢原子、C1～C10的烷基、苯基或联苯基；且L101可为C5～C14的亚芳基、C5～C14的杂亚芳基，以及被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基或C1～C10的烷氧基中的至少一种取代的C5～C14的亚芳基或C5～C14的杂亚芳基：
例如，在通式1至20中，X1至X4可由通式30A或30D表示。
例如，在通式1至20中，R103可为氢原子，卤素原子，氰基，C1～C10的烷基，C1～C10的烷氧基，被卤素原子、氰基、苯基、萘基、蒽基、吡啶基、苯硫基和苯并苯硫基中的至少一种取代的C1～C10的烷基或C1～C10的烷氧基；或者-N(R107)(R108)，其中R107和R108可各自独立地为氢原子、C1～C10的烷基、苯基或联苯基。
例如，R103可为氢原子、-F、氰基、甲基、乙基、丙基、乙烯基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、苯基取代的甲基、苯基取代的丙基，或-N(联苯基)(联苯基)，但不限于此。
在通式1和2中，R101和R102可各自独立地为氰基、但不限于此。
通式1的化合物可为以下化合物20，但不限于此。
在通式1至20中，A1和A2可为-S-，但不限于此。
在通式20中，Q101和Q102可各自独立地为亚乙基，亚丙基，亚乙烯基，亚丙烯基；被卤素原子、氰基、羟基中的至少一种取代的亚乙基，被卤素原子、氰基、羟基中的至少一种取代的亚丙基，被卤素原子、氰基、羟基中的至少一种取代的亚乙烯基，或被卤素原子、氰基、羟基中的至少一种取代的亚丙烯基。例如，Q101和Q102可各自独立地为亚乙基，亚乙烯基，用-F和氰基中的至少一种取代的亚乙基；或用-F和氰基中的至少一种取代的亚乙烯基，但不限于此。
在通式1至20中，T1和T2中的每一个可为C5～C30的芳环体系；C2～C30的杂芳环体系；或者被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基或C1～C10的烷氧基的至少一种取代的C5～C30的芳环体系或C2～C30的杂芳环体系，其中这些体系中的每一种包括Z1和Z2，或Z3和Z4作为结构部分。如通式1至20中所示，T1和T2中的每一个可在由通式1至20表示的化合物的骨架的一个或多个位置上被稠合。
C5～C30的芳环体系是指包括至少一个芳环和5至30个碳原子的碳环芳族体系。在这点上，使用术语“体系”是为了表示C5～C30的芳环体系还包括多环结构。当芳环体系包括2个或更多个环时，该2个或更多个环可稠合在一起或通过单键彼此连接。在一种实施中，芳环体系可为C6～C30的芳环体系。C2～C30的杂芳环体系是指包括至少一个芳环和2至30个碳原子的杂环芳族系统。例如，C2～C30的杂芳环体系可包括选自由氮(N)、氧(O)、磷(P)和硫(S)组成的组中的至少一种杂原子，且其他环上原子为碳(C)。如果C2～C30的杂芳环体系除了杂芳环之外，还进一步包括芳环和杂芳环的至少一种，则这些环可相互稠合。C5～C30的芳环体系的实例包括苯、并环戊二烯、茚、萘、甘菊环、庚搭烯、引达省(indacene)、苊、芴、非那烯(phenalene)、菲、蒽、荧蒽、苯并菲、芘、苯并吖啶、并四苯、苉、苝、并五苯和并六苯，但不限于此。
例如，C2～C30的杂芳环体系可为吡咯、吡唑、咪唑、咪唑啉、吡啶、吡嗪、嘧啶、吲哚、嘌呤、喹啉、酞嗪、中氮茚、萘啶、喹唑啉、噌啉、吲唑、咔唑、吩嗪、菲啶、吡喃、苯丙吡喃、苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异噻唑、异噁唑、噻重氮或噁二唑，但不限于此。
例如，在通式1至20中，T1和T2可各自独立地为苯，萘，蒽，噻吩，噻重氮，噁二唑，或者被卤素原子、氰基、C1～C10的烷基和C1～C10的烷氧基中的至少一种取代的苯、萘、蒽、噻吩、噻重氮或噁二唑，但不限于此。
在通式1至20中，p可为1，但不限于此。在通式1至20中，q可为0、1或2，但不限于此。例如，在通式3中，q为0，由通式3表示的化合物可为由以下通式3A表示的化合物。
在通式2中，L101可为C5～C14的亚芳基，C4～C14或C5～C14的杂亚芳基，或者被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基和C1～C10的烷氧基中的至少一种取代的C5～C14的亚芳基或者C4～C14或C5～C14的杂亚芳基。例如，L101可为亚苯硫基，苯并亚苯硫基，被卤素原子、氰基和C1～C10的烷基中的至少一种取代的亚苯硫基，或被卤素原子、氰基和C1～C10的烷基中的至少一种取代的苯并亚苯硫基，但不限于此。
根据一个实施方式，OLED10的第一层6中包括的含氰基的化合物可由以下通式1A至20B中的一种表示：
在通式1A至20B中，R103和R109可各自独立地为氢原子、-F、氰基、甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基或丙氧基。
根据另一个实施方式，OLED10的第一层6中包括的含氰基的化合物可由通式20A或20B的一种表示。在通式20A和20B中，R103和R109可均为-F。
除了上述的含氰基的化合物，第一层6可进一步包括空穴传输化合物。含氰基的化合物可与空穴传输化合物一起形成电荷传输络合物，由此引起自由载流子浓度增加。因此，使用空穴传输化合物可有利于降低第一电极5和有机层7之间的界面电阻。
空穴传输化合物可为任何适宜的空穴传输材料。
在一个实施中，空穴传输化合物可为由以下通式41或42表示的化合物：
在通式41和42中，R10可由-(Ar1)n-Ar2表示；R16可由-(Ar11)m-Ar12表示；Ar1、Ar11、L1和L11可各自独立地为取代或未取代的C1～C30的亚烷基、取代或未取代的C2～C30的亚烯基、取代或未取代的C5～C30的亚芳基、取代或未取代的C4～C30的杂亚芳基或者由-N(Q1)-表示的基团；n、m、a和b可各自独立地为0至10的整数；R1至R3、R11至R15、R17、R18、R21至R29、Ar2、Ar12和Q1可各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C2～C30的炔基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的烷硫基、取代或未取代的C5～C30的芳基、取代或未取代的C4～C30的杂芳基或者由-N(Q2)(Q3)表示的基团；且Q2和Q3可各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C2～C30的炔基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的烷硫基、取代或未取代的C5～C30的芳基或者取代或未取代的C4～C30的杂芳基，其中，-(Ar1)n-中的n个Ar1基可彼此相同或不同，-(Ar11)m-中的m个Ar11基可彼此相同或不同，-(L1)a-中的a个L1基可彼此相同或不同，且-(L11)b-中的b个L11基可彼此相同或不同。
在对于R10的通式-(Ar1)n-Ar2中的Ar1和对于R16的通式-(Ar11)m-Ar12中的Ar11的实例可包括取代或未取代的C1～C10的亚烷基、取代或未取代的C2～C10的亚烯基、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚戊搭烯基、取代或未取代的亚茚基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚甘菊环烃基、取代或未取代的亚庚搭烯基、取代或未取代的亚引达省基、取代或未取代的亚苊基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚非那烯基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚荧蒽基、取代或未取代的亚苯并菲基、取代或未取代的亚芘基、取代或未取代的亚苯并吖啶基、取代或未取代的亚并四苯基、取代或未取代的亚苉基、取代或未取代的亚苝基、取代或未取代的亚并五苯基、取代或未取代的亚并六苯基、取代或未取代的亚吡咯基、取代或未取代的亚吡唑基、取代或未取代的亚咪唑基、取代或未取代的亚咪唑啉基、取代或未取代的亚咪唑并吡啶基、取代或未取代的亚咪唑并嘧啶基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚吡嗪基、取代或未取代的亚嘧啶基、取代或未取代的亚吲哚基、取代或未取代的亚嘌呤基、取代或未取代的亚喹啉基、取代或未取代的亚酞嗪基、取代或未取代的亚中氮茚基、取代或未取代的亚萘啶基、取代或未取代的亚喹唑啉基、取代或未取代的亚噌啉基、取代或未取代的亚吲唑基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚吩嗪基、取代或未取代的亚菲啶基、取代或未取代的亚吡喃基、取代或未取代的亚苯丙吡喃基、取代或未取代的亚苯并呋喃基、取代或未取代的亚噻吩基、取代或未取代的亚苯并噻吩基、取代或未取代的亚异噻唑基、取代或未取代的亚苯并咪唑基、取代或未取代的亚异噁唑基、取代或未取代的亚三嗪基和由-N(Q1)-表示的基团，但不限于此。在此，Q1可选自由氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C2～C10的烯基、取代或未取代的C2～C10的炔基、取代或未取代的C1～C10的烷氧基、取代或未取代的C1～C10的烷硫基、取代或未取代的C5～C14的芳基、取代或未取代的C4～C14的杂芳基和-N(Q2)(Q3)组成的组中，但不限于此。
例如，Ar1和Ar11可各自独立地为C1～C10的亚烷基，亚苯基，亚萘基，亚蒽基，亚芴基，亚咔唑基，亚吡唑基，亚吡啶基，亚三嗪基，-N(Q1)-；或者被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、苯基、萘基和蒽基中的至少一种取代的C1～C10的亚烷基、亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚芴基、亚咔唑基、亚吡唑基、亚吡啶基或亚三嗪基。在此，Q1可为氢原子，C1～C10的烷基，C1～C10的烷氧基，苯基，萘基，咔唑基，芴基，芘基，被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、苯基、萘基和蒽基中的至少一种取代的C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、苯基、萘基、咔唑基或芘基；或-N(Q2)(Q3)。在此，Q2和Q3中的每一个可为甲基、苯基、萘基或蒽基。
在通式-(Ar1)n-Ar2中的Ar1和通式-(Ar11)m-Ar12中的Ar11可限定如上述Q1一样。
在通式-(Ar1)n-Ar2中的n和通式-(Ar11)m-Ar12中的m可各自独立地为0至10的整数。例如，n和m可各自独立地为0、1、2、3、4或5，但不限于此。
通式-(Ar1)n-Ar2中的n个Ar1基可彼此相同或不同。例如，当n为2时，通式-(Ar1)n-Ar2中的两个Ar1基可同时为亚苯基，或者两个中的一个可为-N(Q1)-，而另一个可为亚苯基。此解释也适用于-(Ar11)m-Ar12。
通式41和42中的R1至R3、R11至R15、R17、R18以及R21至R29可限定如上述Q1一样。
例如，R13可为苯基、萘基或蒽基，但不限于此。
例如，R28和R29可各自独立地为氢原子、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、苯基、萘基或蒽基，但不限于此。
通式41和42中的L1和L2可限定如上述Ar1和Ar11一样。
例如，L1和L2可各自独立地为亚苯基、C1～C10的烷基亚苯基、氟代亚苯基、亚咔唑基、亚三嗪基、C1～C10的烷基亚三嗪基、苯基亚三嗪基、C1～C10的亚烷基或苯基亚咔唑基，但不限于此。
在通式41和42中，a和b可各自独立地为0至10的整数。例如，a和b可各自独立地为0、1、2或3，但不限于此。
例如，在通式42中，对于R10的通式-(Ar1)n-Ar2中的Ar1和对于R16的通式-(Ar11)m-Ar12中的Ar11可各自独立地为亚苯基；亚咔唑基；亚芴基；甲基亚芴基；亚吡唑基；苯基亚吡唑基；-N(Q1)-，其中Q1为氢原子、苯基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、咔唑基或苯基咔唑基；二苯基亚芴基；亚三嗪基；甲基亚三嗪基；苯基亚三嗪基；四氟亚苯基；亚乙基；或甲基亚苯基；其中n和m可各自独立地为0、1、2、3、4、5或6，且Ar2和Ar12可各自独立地为氢原子、氰基、氟基、苯基、氰基苯基、萘基、蒽基、甲基、吡啶基、咔唑基、苯基咔唑基、芴基、二甲基芴基或二苯基芴基。在通式42中，R11、R12、R14、R15、R17、R18、R21至R27可为氢原子；R13可为苯基、萘基或蒽基；R28和R29可各自独立地为氢原子、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、苯基、萘基或蒽基；L11可为亚苯基；且b可为0或1。
例如，在通式42中，R13可由通式101A至101D中的一种表示。
例如，在通式42中，L11可为亚苯基，且b可为1。
例如，在通式42中，R10可由通式102A至102G中的一种表示。
例如，在通式42中，R28和R29可各自独立地为甲基或苯基。
例如，在通式42中，R11、R12、R14至R18以及R21至R27可为氢原子。
例如，在通式41中，R1、R2、R3可各自独立为C1-C10烷基；C1-C10烷氧基；苯基；萘基；咔唑基；芴基；芘基；蒽基；吡唑基；吡啶基；被卤素原子、氰基、羟基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、氰基苯基、二苯胺基、萘基、咔唑基、芴基、C1-C10烷基芴基、二(C1-C10烷基)芴基、苯基芴基、二(苯基)芴基和蒽基中的至少一种取代的C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、萘基、咔唑基、芴基、芘基、蒽基、吡唑基或吡啶基；或-N(Q2)(Q3)。在此，Q2和Q3中的每一个可各自独立地为C1-C10烷基；C1-C10烷氧基；苯基；萘基；咔唑基；芴基；芘基；蒽基；吡唑基；吡啶基；或者用卤素原子、氰基、羟基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、氰基苯基、二苯胺基、萘基、咔唑基、芴基、C1-C10烷基芴基、二(C1-C10烷基)芴基、苯基芴基、二(苯基)芴基和蒽基的至少一种取代的C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、萘基、咔唑基、芴基、芘基、蒽基、吡唑基或吡啶基。
例如，在通式41中，R1、R2、R3可各自独立为以下式201至226中的一种。
在一种实施中，空穴传输材料可为由以下化合物1至38表示的化合物的任何一种，但不限于此。
除了含氰基的化合物以外，当第一层6还进一步包括上述的空穴传输化合物时，基于100重量份的所述第一层，第一层6中包括的含氰基的化合物的量可为约0.1重量份至约20重量份、约0.5重量份至约10重量份或约0.5至约5重量份。保持含氰基的化合物的量为约0.1重量份至约20重量份可有助于确保能够得到满意的驱动电压降低和功率效率增加效果。
第一层6的厚度可为约至约约至约或约至约保持第一层6的厚度在约至约可有助于确保能够得到满意的驱动电压降低和功率效率增加效果。
有机层7可布置在第一电极5上。在整个说明书中使用的术语“有机层”是指在第一电极5和第二电极9之间的任何插入层(尽管上述的第一层6从其中排除)。有机层7不能由纯有机材料形成，并可包括例如金属络合物。
有机层7可包括发光层(EML)。
第一层6和EML之间的距离可为约或更大，或约或更大、或者约至约保持第一层6和EML之间的距离为约或更大可有助于确保EML中包含的激子基本上不会被第一层6中包括的含氰基的化合物熄灭，从而可得到具有优异质量的OLED。
除了EML以外，有机层7可进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。
例如，HIL和HTL的至少一个可进一步插入在第一层6和EML之间。例如，HTL可进一步插入在第一层6和EML之间。
HIL可通过例如真空沉积法、旋涂法、浇涂法、LB沉积法等形成在第一层6上。
当HIL用真空沉积法形成时，沉积条件可根据用于形成HIL的化合物以及将要形成的HIL的结构和热性能而改变。但通常，用于真空沉积法的条件可包括约100至约500℃的沉积温度、约10-18至约10-3托的真空压力、以及约0.01至约的沉积速率。
当HIL用旋涂法形成时，涂布条件可根据用于形成HIL的化合物以及将要形成的HIL的结构和热性能而改变。但通常，用于旋涂法的条件可包括约2000至约5000rpm的涂布速度以及约80至约200℃的热处理温度，其中在涂布后实施热处理以除去溶剂。
HIL可由通常用于形成HIL的任何适宜材料形成。可用于形成HIL的材料实例可包括诸如铜酞菁的酞菁化合物、4,4',4″-三(3-甲苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基联苯胺(NPB)、TDATA、2T-NATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)，但不限于此。
HIL可具有约至约的厚度，例如约至约的厚度。保持HIL的厚度为约至约可有助于确保HIL具有优异的电子注入能力而基本上不增加驱动电压。
然后，HIL可通过使用例如真空沉积法、旋涂法、浇涂法、Langmuir-Blodgett(LB)沉积法等形成在HIL或第一层6上。当HIL用真空沉积法或旋涂法形成时，尽管用于沉积或涂布的条件可根据用于形成HTL的材料而改变，但用于沉积和涂布的条件可相似于用于形成HIL的条件。
HTL可由上述通式41或42表示的化合物形成。
HTL可具有约至约的厚度，例如约至约的厚度。保持HTL的厚度为约至约可有助于确保HTL得到优异的电子传输能力而基本上不增加驱动电压。
然后，EML可通过使用例如真空沉积法、旋涂法、浇涂法、LB沉积法等形成在HTL上。当EML用真空沉积法或旋涂法形成时，尽管用于沉积或涂布的条件可根据用于形成EML的材料而改变，但用于沉积或涂布的条件可相似于用于形成HIL的条件。
EML可包括常规的发光化合物，或者主体和掺杂剂的组合。主体材料的实例包括Alq3、4,4'-N,N'-二咔唑联苯(CBP)、TCTA、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)(TPBI)、E3、联苯乙烯(DSA)、由通式51表示的化合物、由通式52表示的化合物、由通式53表示的化合物或由通式54表示的化合物，但不限于此。
在以上通式51至54中，Ar51、A52、Ar53和Ar54可限定如上述Ar1一样。
在通式51至54中，Ar51、A52、Ar53和Ar54可各自独立地为亚苯基、亚萘基、亚蒽基或苯基取代的亚蒽基，但不限于此。
在通式51至54中，R201至R209且R51至R56可限定如上述Ar2一样。例如，R201至R209可为氢。
在通式51至54中，d、e、f和g可各自独立地为0至10的整数。例如，d、e、f和g可各自独立地为0、1或2，但不限于此。
在通式51至54中，R51至R56可各自独立地为氢原子、甲基、乙基、丙基、丁基、苯基、萘基、蒽基、芘基、咔唑基或–N(Q2)(Q3)，其中Q2和Q3各自独立地为甲基、苯基、萘基或蒽基。
在一种实施中，有机层7的EML可包括由化合物51至58表示的一种化合物作为主体，但不限于此。
红色掺杂剂的实例可包括PtOEP、Ir(piq)3和Btp2Ir(acac)，但不限于此。
绿色掺杂剂的实例可包括Ir(ppy)3(ppy＝苯基吡啶)、Ir(ppy)2(acac)和Ir(mpyp)3、由通式51至54的任何一个表示的化合物、由以下通式71表示的化合物和由通式72表示的化合物，但不限于此。
在通式71和72中，Ar71和Ar72可限定如上述Ar1一样。
在通式71和72中，Ar71和Ar72可各自独立地为亚乙基、亚苯基、亚萘基、亚蒽基或苯基取代的亚蒽基，但不限于此。
在通式71和72中，R211至R216以及R71至R76可限定如上述Ar2一样。例如，R211至R216可为氢。
在通式71和72中，h和i可各自独立地为0至10的整数。例如，h和i可各自独立地为0、1或2。
在通式71和72中，R71至R76可各自独立地为甲基、乙基、乙烯基、苯基、甲苯基、萘基、甲萘基、蒽基、甲蒽基、芘基或–N(Q2)(Q3)，其中Q2和Q3各自独立地为甲基、苯基、萘基或蒽基。
在另一种实施中，EML可包括由以上化合物51至58、以下化合物71至76表示的一种化合物作为绿色掺杂剂，但不限于此。
蓝色掺杂剂的实例可包括F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、叔芴、4,4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)、2,5,8,11-四叔丁基二萘嵌苯(TBPe)、由通式51、54、81和82表示的化合物，但不限于此。
在通式81中，L21可为取代或未取代的C1～C30的亚烷基、取代或未取代的C2～C30的亚烯基、取代或未取代的C5～C30的亚芳基、或者取代或未取代的C4～C30的杂亚芳基；c可为1至20的整数；-(L21)c-中的c个L21基可彼此相同或不同；R31至R34可各自独立地为取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C2～C30的炔基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C5～C30的芳基或者取代或未取代的C4～C30的杂芳基。
在通式81中，L21可限定如上述Ar1一样(对-N(Q1)-的说明除外)，且R31至R34可限定如上述Q1一样(对-N(Q2)(Q3)-的说明除外)。
在通式81的一个实例中，L21可为亚乙烯基、亚丙烯基或亚苯基。
在通式81的另一个实例中，c可为1、2、3、4、5或6。
在通式81的又一个实例中，R31至R34可各自独立地为氢原子、甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、苯基、萘基或蒽基。
在通式81中，-(L21)c-中的c个L21基可彼此相同或不同。例如，当c为2时，两个L21基可同时为亚苯基，或者两个中的一个可为亚苯基，而另一个可为亚乙烯基。
在通式82中，Ar81和Ar84可限定如上述Ar1一样。
在通式82中，Ar31、Ar32、Ar33和Ar34可各自独立地为亚苯基、亚萘基、亚蒽基或苯基取代的亚蒽基，但不限于此。
在通式82中，R221至R228且R81至R85可限定如上述Ar2一样。例如，R221至R228可为氢。
在通式82中，j、k、l和m可各自独立地为0至10的整数。例如，j、k、l和m可各自独立地为0、1或2。
在通式82中，R81至R85可各自独立地为氢原子、甲基、乙基、丙基、丁基、苯基、萘基、蒽基、芘基、咔唑基或–N(Q2)(Q3)，其中Q2和Q3各自独立地为甲基、苯基、萘基或蒽基。
通式81的化合物可为以下化合物40，但不限于此。
通式82的化合物可由以下化合物41或42表示，但不限于此。
在一种实施中，EML可包括化合物40至42、51至55、57和58中的任何一种作为蓝色掺杂剂，但不限于此。
当掺杂剂和主体一起使用作为EML的材料时，基于100重量份的主体，掺杂剂的量可在约0.01至约15重量份的范围内。
EML可具有约至约的厚度，例如约至约的厚度。保持EML的厚度为约至约可有助于确保EML具有优异的发光能力而基本上不增加驱动电压。
在磷光掺杂剂也用于形成EML时，HBL可通过使用例如真空沉积法、旋涂法、浇涂法、LB沉积法等形成在HTL和EML之间，以防止三线态激子或空穴扩散到ETL中。当HBL用真空沉积法或旋涂法形成时，尽管用于沉积和涂布的条件可根据用于形成HBL的材料而改变，但用于沉积或涂布的条件可相似于用于形成HIL的条件。可使用通常用于形成HBL的任何适宜材料。用于形成HBL的材料实例可包括噁二唑衍生物、三唑衍生物和二氮杂菲衍生物，但不限于此。
HBL可具有约至约的厚度，例如约至约的厚度。保持HBL的厚度为约至约可有助于确保HBL具有优异的空穴阻挡能力而基本上不增加驱动电压。
ETL可通过例如真空沉积法、旋涂法、浇涂法、LB沉积法等形成在HBL或EML上。当ETL用真空沉积法或旋涂法形成时，尽管用于沉积或涂布的条件可根据用于形成ETL的化合物而改变，但用于沉积和涂布的条件可相似于用于形成HIL的条件。用于形成ETL的材料可为能够稳定地传输由电子注入电极(阴极)注入的电子的任何适宜材料。用于形成ETL的材料实例可包括喹啉衍生物，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、TAZ和Balq，但不限于此。
ETL可具有约至约的厚度，例如约至约的厚度。保持ETL的厚度为约至约可有助于确保ETL具有令人满意的电子传输能力而基本上不增加驱动电压。
然后，EIL可形成在ETL上。EIL可由使电子易于由阴极注入的任何适宜材料形成。
用于形成EIL的材料实例可包括本领域周知的LiF、NaCl、a CsF、Li2O和BaO。尽管用于沉积或涂布的条件可根据用于形成EIL的材料而改变，但用于形成EIL的沉积和涂布的条件可相似于用于形成HIL的条件。
EIL可具有约至的厚度，例如约至约的厚度。保持EIL的厚度为约至可有助于确保EIL具有令人满意的电子注入能力而基本上不增加有机发光装置驱动电压。
最后，在有机层7上形成第二电极9。第二电极9可为电子注入电极阴极。用于形成第二电极9的材料可包括例如具有低功函的金属、合金、导电化合物或它们的混合物。在此，第二电极9可由例如锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝(Al)-锂(Li)、钙(Ca)、镁(Mg)-铟(In)、镁(Mg)-银(Ag)等形成，并可形成为薄膜型透射电极。此外，透射电极可由ITO或IZO形成以制造顶发光型发光装置。
例如，OLED可包括以此顺序依次堆叠的由Al、Ni和La形成的Al类反射层；由ITO形成的透明导电层；包括由通式1A至20B的任何一个表示的含氰基化合物的第一层(在本文中，第一层可进一步可选择地包括由通式42表示的空穴传输化合物)；包括由通式42表示的化合物的HTL；包括主体(由通式51至54的任何一个表示的化合物)和掺杂剂(由通式51至54、71和72的任何一个表示的化合物)的EML；ETL；EIL；和第二电极，并可发射具有高质量的绿光。绿光可根据荧光发射机理而发出。绿光的最大发射峰波长可为约490nm至约560nm。
或者，例如，OLED可包括以此顺序依次堆叠的由Al、Ni和La形成的Al类反射层；由ITO形成的透明导电层；包括由通式20A和20B的任何一个表示的含氰基化合物的第一层(在本文中，第一层可进一步可选择地包括作为空穴传输化合物的由化合物1至37表示的任何一个)；包括由化合物1至37表示的任何一个的HTL；包括主体(由化学式51至58的任何一个)和掺杂剂(由化学式40至42、51至58的任何一个)的EML；ETL；EIL；和第二电极，并可发射具有高质量的绿光。
图4示出了根据另一实施方式的OLED30的截面示意图。参照图4，根据本实施方式的OLED30可包括例如基板21、第一电极25、包括含氰基的化合物的第一层26、有机层27和第二电极29，其中第一电极25包括以此顺序布置在基板21上的包括镍(Ni)和第一元素的Al类反射层25a、透明导电层25b和含第二元素的氧化锌层25c。基板21、第一电极25、包括含氰基的化合物的第一层26、有机层27、第二电极29、包括Ni和第一元素的Al类反射层25a和透明导电层25b与参照图1的以上说明相同，由此可参照上述说明。
参照图4，与图1中的OLED10相比，在根据本实施方式的OLED30中，第一电极25可进一步包括含第二元素的氧化锌层25c。含第二元素的氧化锌层25c通过提高第一电极25的功函可降低空穴注入势垒，从而使空穴易于从第一电极25注入到有机层27中。
在这点上，在包括含氰基的化合物的第一层26中，含氰基的化合物可进一步增强含第二元素的氧化锌层25c的空穴注入特性。因此，可得到具有较低驱动电压和较好功率效率特性的OLED。
含第二元素的氧化锌层25c中的第二元素可包括铝(Al)、铟(In)、镓(Ga)、锗(Ge)、钆(Gd)、锆(Zr)、钼(Mo)和镍(Ni)中的至少一种。例如，第二元素可包括铝(Al)。第二元素可为铝(Al)，但不限于此。
基于100重量份的含第二元素的氧化锌层25c，第二元素在含第二元素的氧化锌层25c中的含量可为约0.5至约10重量份。保持含第二元素的氧化锌层25c中的第二元素的量为约0.5至约10重量份可有助于确保含第二元素的氧化锌层25c具有优异的空穴传输能力而基本上不增加电阻或基本上不降低可见光的透射率。例如，基于100重量份的含第二元素的氧化锌层25c，第二元素的量可为约0.5至约5重量份，但不限于此。
含第二元素的氧化锌层25c可具有约至约的厚度，例如约至约的厚度。保持含第二元素的氧化锌层25c的厚度为约至约可有助于确保获得优异的效率特性而基本上不增加驱动电压。
例如，OLED可包括以此顺序依次堆叠的由Al、Ni和La形成的Al类反射层；由ITO形成的透明导电层；含Al的氧化锌层；包括由通式1A至20B的任何一个表示的含氰基的化合物的第一层(此处，第一层可进一步可选择地包括由通式42表示的空穴传输化合物)；包括由通式42表示的化合物的HTL；包括主体(由通式51至54的任何一个表示的化合物)和掺杂剂(由通式51至54和72的任何一个表示的化合物)的EML；ETL；EIL；和第二电极，并可发射具有高质量的绿光。绿光可根据荧光发射机理而发出。绿光的最大发射峰波长可为约490nm至约560nm。
或者，例如，OLED可包括以此顺序依次堆叠的由Al、Ni和La形成的Al类反射层；由ITO形成的透明导电层；含Al的氧化锌层；包括由通式20A和20B的任何一个表示的含氰基的化合物的第一层(此处，第一层可进一步可选择地包括作为空穴传输化合物的由化合物1至37表示的任何一个)；包括由化合物1至37表示的任何一个的HTL；包括主体(化学式51至58的任何一个)和掺杂剂(化学式40至42、51至58的任何一个)的EML；ETL；EIL；和第二电极，并可发射具有高质量的绿光。
图1和图4中示出了根据各实施方式的OLED10和30。然而，各实施方式不限于此。
例如，OLED10和30中的任何一个可进一步包括在Al类反射层5a(25a)和基板1(21)之间的金属层。金属层用作阻挡Al类反射层5a(25a)中的Al扩散到基板1(21)中的阻挡层。金属层可包括钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、钯(Pd)、铂(Pt)和金(Au)中的至少一种，但不限于此。例如，金属层可包括钛(Ti)层。金属层可具有约20nm至约200nm的厚度，例如约50nm至约100nm的厚度。保持金属层的厚度为约20nm至约200nm可有助于确保有效地防止铝(Al)扩散。然而，金属层的厚度不限于此。
OLED可在第一电极和第一层之间进一步包括HIL和HTL中的至少一种。也就是说，例如OLED可包括以此顺序依次堆叠的基板、第一电极、第一HTL、第一层、第二HTL、EML、ETL、EIL和第二电极。
在下文中，参照以下实施例更详细地说明一个或多个实施方式。然而，这些实施例并不意在限制一个或多个实施方式的目的和范围。
实施例
对比例1
将15Ω/cm2()的ITO玻璃基板(由康宁公司购得)切成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇进行超声波清洗5分钟，然后用纯净水清洗5分钟，并用紫外线臭氧再次清洗30分钟。将制得的ITO玻璃基板用作基板和阳极。然后，将m-MTDATA真空沉积在所得ITO玻璃基板上形成厚的HIL，然后将以上化合物5真空沉积在HIL上形成厚的HTL。将97wt％的以上化合物56作为主体和3wt％的以上化合物58作为掺杂剂沉积在HTL上形成厚的EML。在EML上真空沉积Alq3形成厚的ETL。在ETL上真空沉积Liq形成厚的EIL，并在EIL上真空沉积Mg和Al形成厚的阴极。接着，在阴极上真空沉积Alq3形成厚的保护层，从而完成OLED的制造。
实施例1
以与对比例1相同的方法制造OLED，区别在于作为基板和阳极，用以此顺序依次在其上形成厚的AlNiLa层(在AlNiLa层中，镍(Ni)的量为2wt％，且镧(La)的量为0.3wt％)、厚的ITO层作为透明导电层和厚的含Al的氧化锌层(Al的含量以100重量份含Al的氧化锌层计为2重量份)的玻璃基板代替ITO玻璃基板；且在含Al的氧化锌层上形成包括由通式20A(其中R109为-F)表示的化合物和化合物14的第一层代替HIL，然后形成HTL，其中由通式20A表示的化合物的量以100重量份第一层计为1重量份。
实施例2
以与实施例1相同的方法制造OLED，区别在于由通式20A表示的化合物的量以第一层100重量份计为3重量份。
评价
用238高电流源(KEITHLEY)测量在对比例1以及实施例1和2中制造的OLED的驱动电压。用PR650光谱扫描源测定单元(PhotoResearch)测量在对比例1以及实施例1至2中制造的OLED的功率效率。结果示于以下表1中。
表1
功率效率(Im/W) 驱动电压(V)
对比例1 14.5 5.1
实施例1 18.6 4.5
实施例2 16.3 4.6
参照表1，可确认实施例1至2的OLED相比对比例1的OLED展现出较低的驱动电压和较高的功率效率。
如上所述，根据实施方式的OLED可具有优异的驱动电压特性和优异的功率效率特性。
在此已公开了示例性实施方式，且尽管使用了具体术语，它们仅以普通及说明性方式使用并理解，而不用于限制的目的。因此，本领域普通技术人员应理解可进行形式和细节上的各种改变而不背离所附权利要求书中陈述的本发明的精神和范围。

Claims (32)

1.一种有机发光装置，包括：
基板；
在所述基板上的第一电极；
第二电极；
在所述第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层包括发光层；和
包括含氰基的化合物的第一层，所述第一层在所述第一电极和所述发光层之间，
其中：
所述第一电极包括依次堆叠在所述基板上的Al类反射层和透明导电层，所述Al类反射层包括第一元素和镍，且
所述第一元素包括镧、铈、镨、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱和镥中的至少一种；
其中在所述Al类反射层面向所述透明导电层的表面上进一步包括富镍氧化物层，且
其中在所述第一电极的所述Al类反射层和所述基板之间设置有金属层，且所述金属层包括钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、钯(Pd)、铂(Pt)和金(Au)中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一电极进一步包括含第二元素的氧化锌层，所述第二元素包括铝、铟、镓、锗、钆、锆、钼和镍中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的有机发光装置，其中所述Al类反射层、所述透明导电层和所述含第二元素的氧化锌层以此顺序依次堆叠在所述基板上。
4.根据权利要求2所述的有机发光装置，其中基于100重量份的所述含第二元素的氧化锌层，所述第二元素的含量为0.5至10重量份。
5.根据权利要求2所述的有机发光装置，其中所述Al类反射层包括La、Ni和Al。
6.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述含氰基的化合物包括由通式1至20表示的化合物中的任何一种：
在通式1至20中，
X1至X4各自独立地由通式30A至30D中的一种表示；
Y1至Y8各自独立地为N或C(R103)；
Z1至Z4各自独立地为C或N；
A1和A2各自独立地为-O-、-S-、-N(R104)或C(R105)(R106)-；
Q101和Q102各自独立地为C2～C10的亚烷基，C2～C10的亚烯基，或者被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基或C1～C10的烷氧基中至少一种取代的C2～C10的亚烷基或C2～C10的亚烯基；
T1和T2各自独立地为C5～C30的芳环体系，C2～C30的杂芳环体系，或者被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基或C1～C10的烷氧基中至少一种取代的C5～C30的芳环体系或C2～C30的杂芳环体系；
p为1至10的整数；
q为0至10的整数；
R101至R106各自独立地为氢原子，卤素原子，氰基，羟基，C1～C10的烷基，C1～C10的烷氧基，被卤素原子、氰基、羟基、C5～C14的芳基和C2～C14的杂芳基中的至少一种取代的C1～C10的烷基，被卤素原子、氰基、羟基、C5～C14的芳基和C2～C14的杂芳基中的至少一种取代的C1～C10的烷氧基，
或-N(R107)(R108)；
R107和R108各自独立地为氢原子、C1～C10的烷基、苯基或联苯基；且
L101为C5～C14的亚芳基，C5～C14的杂亚芳基，以及被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基和C1～C10的烷氧基中的至少一种取代的C5～C14的亚芳基或C5～C14的杂亚芳基的一种：
7.根据权利要求6所述的有机发光装置，其中X1至X4各自独立地由通式30A或30D表示。
8.根据权利要求6所述的有机发光装置，其中R103为氢原子，卤素原子，氰基，C1～C10的烷基，C1～C10的烷氧基，被卤素原子、氰基、苯基、萘基、蒽基、吡啶基、苯硫基和苯并苯硫基中的至少一种取代的C1～C10的烷基或C1～C10的烷氧基，或者-N(R107)(R108)的一种，且
其中R107和R108各自独立地为氢原子、C1～C10的烷基、苯基或联苯基。
9.根据权利要求6所述的有机发光装置，其中R101和R102各自独立地为氰基、
10.根据权利要求6所述的有机发光装置，其中A1和A2均为-S-。
11.根据权利要求6所述的有机发光装置，其中Q101和Q102各自独立地为亚乙基，亚丙基，亚乙烯基，亚丙烯基，被卤素原子、氰基、羟基中的至少一种取代的亚乙基，被卤素原子、氰基、羟基中的至少一种取代的亚丙基，被卤素原子、氰基、羟基中的至少一种取代的亚乙烯基，或被卤素原子、氰基、羟基中的至少一种取代的亚丙烯基。
12.根据权利要求6所述的有机发光装置，其中T1和T2各自独立地为苯，萘，蒽，噻吩，噻重氮，噁二唑，或者为被卤素原子、氰基、C1～C10的烷基和C1～C10的烷氧基中的至少一种取代的苯、萘、蒽、噻吩、噻重氮或噁二唑。
13.根据权利要求6所述的有机发光装置，其中p为1。
14.根据权利要求6所述的有机发光装置，其中q为0、1或2。
15.根据权利要求6所述的有机发光装置，其中L101为亚苯硫基，苯并亚苯硫基，被卤素原子、氰基和C1～C10的烷基中的至少一种取代的亚苯硫基，和被卤素原子、氰基和C1～C10的烷基中的至少一种取代的苯并亚苯硫基中的一种。
16.根据权利要求6所述的有机发光装置，其中所述含氰基的化合物为由以下通式1A至20B中的任何一种表示的化合物：
其中R103和R109各自独立地为氢原子、-F、氰基、甲基、乙基、丙基、乙烯基、甲氧基、乙氧基或丙氧基。
17.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一层进一步包括空穴传输化合物。
18.根据权利要求17所述的有机发光装置，其中所述空穴传输化合物包括由以下通式41或42表示的化合物：
其中R10由-(Ar1)n-Ar2表示；
R16由-(Ar11)m-Ar12表示；
Ar1、Ar11、L1和L11各自独立地为取代或未取代的C1～C30的亚烷基、取代或未取代的C2～C30的亚烯基、取代或未取代的C5～C30的亚芳基、取代或未取代的C4～C30的杂亚芳基或者由-N(Q1)-表示的基团；
n、m、a和b各自独立地为0至10的整数。
R1至R3、R11至R15、R17、R18、R21至R29、Ar2、Ar12和Q1各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C2～C30的炔基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的烷硫基、取代或未取代的C5～C30的芳基、C4～C30的杂芳基或者由-N(Q2)(Q3)表示的基团；且
Q2和Q3各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C2～C30的炔基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的烷硫基、取代或未取代的C5～C30的芳基或者取代或未取代的C4～C30的杂芳基，
其中-(Ar1)n-中的n个Ar1基彼此相同或不同，-(Ar11)m-中的m个Ar11基彼此相同或不同，-(L1)a-中的a个L1基彼此相同或不同，且-(L11)b-中的b个L11基彼此相同或不同。
19.根据权利要求18所述的有机发光装置，其中Ar1和Ar11各自独立地为C1～C10的亚烷基，亚苯基，亚萘基，亚蒽基，亚芴基，亚咔唑基，亚吡唑基，亚吡啶基，亚三嗪基，-N(Q1)-；或者被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、苯基、萘基和蒽基中的至少一种取代的C1～C10的亚烷基、亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚芴基、亚咔唑基、亚吡唑基、亚吡啶基或亚三嗪基，
其中Q1为氢原子，C1～C10的烷基，C1～C10的烷氧基，苯基，萘基，咔唑基，芴基，芘基，用选自由卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、苯基、萘基和蒽基组成的组中的至少一种取代基取代的C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、苯基、萘基、咔唑基、芴基或芘基，或-N(Q2)(Q3)中的一种。
20.根据权利要求18所述的有机发光装置，其中Ar2和Ar12各自独立地为氢原子，C1～C10的烷基，苯基，萘基，咔唑基，芴基，芘基，被卤素原子、氰基、羟基、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、苯基、萘基和蒽基中的至少一种取代的C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、苯基、萘基、咔唑基、芴基或芘基，或-N(Q2)(Q3)，且
其中Q2和Q3各自独立地为氢原子、甲基、乙基、苯基、甲苯基、联苯基、萘基或甲萘基。
21.根据权利要求18所述的有机发光装置，其中n和m各自独立地为0、1、2、3、4、5或6。
22.根据权利要求16所述的有机发光装置，其中基于100重量份的所述第一层，所述第一层中所述含氰基的化合物的含量为0.1至20重量份。
23.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一层具有至的厚度。
24.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一层和所述发光层之间的距离为或更大。
25.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中在所述第一层和所述发光层之间进一步包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。
26.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述Al类反射层包括AlXNi相，且x为2.5至3.5。
27.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述Al类反射层包括AlXNi相并接触所述透明导电层，其中所述AlXNi相中x为2.5至3.5。
28.根据权利要求27所述的有机发光装置，其中x为3。
29.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中基于100重量份的所述Al类反射层，所述Al类反射层中镍的含量为0.6wt％至5wt％。
30.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一元素包括镧。
31.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中基于100重量份的所述Al类反射层，所述Al类反射层中所述第一元素的含量为0.1wt％至3wt％。
32.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述透明导电层包括氧化铟锡或氧化锡。
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