CN103941545A - 蚀刻掩模用组合物及图案形成方法 - Google Patents
蚀刻掩模用组合物及图案形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103941545A CN103941545A CN201410016449.7A CN201410016449A CN103941545A CN 103941545 A CN103941545 A CN 103941545A CN 201410016449 A CN201410016449 A CN 201410016449A CN 103941545 A CN103941545 A CN 103941545A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- composition
- etching mask
- pattern
- printing
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 18
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 claims description 22
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical class OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 abstract 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- -1 4-TBP Chemical compound 0.000 description 19
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 5
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 4
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- FJJYHTVHBVXEEQ-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropanal Chemical compound CC(C)(C)C=O FJJYHTVHBVXEEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUQYBSRMWWRFQH-UHFFFAOYSA-N 2-prop-1-en-2-ylphenol Chemical group CC(=C)C1=CC=CC=C1O WUQYBSRMWWRFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 3-Ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=CC(O)=C1 HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAVREABSGIHHMO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC(C=O)=C1 IAVREABSGIHHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 4-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=C(O)C=C1 HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=C(C=O)C=C1 RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-hexanone Chemical compound CC(C)CCC(C)=O FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N Acrolein Chemical compound C=CC=O HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ARHLGYPMTUEJEN-UHFFFAOYSA-N acetic acid;phenoxybenzene Chemical class CC(O)=O.C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 ARHLGYPMTUEJEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N furfural Chemical compound O=CC1=CC=CO1 HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229940100630 metacresol Drugs 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTUQWGWMVIHBKE-UHFFFAOYSA-N phenylacetaldehyde Chemical compound O=CCC1=CC=CC=C1 DTUQWGWMVIHBKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trioxane Chemical group C1OCOCO1 BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPVRKFOKCKORDP-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylcyclohexa-2,4-dien-1-ol Chemical class CC1=CC(C)(O)CC=C1 QPVRKFOKCKORDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGYZMNBUZFHYRX-UHFFFAOYSA-N 1-(1-methoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound COCC(C)OCC(C)O WGYZMNBUZFHYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000341 2,3-xylenols Chemical class 0.000 description 1
- 150000000343 2,5-xylenols Chemical class 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=CC=C1O IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPYUJUBAXZAQNL-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobenzaldehyde Chemical compound ClC1=CC=CC=C1C=O FPYUJUBAXZAQNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUKZIEQXDVGCJR-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-4-prop-1-en-2-ylphenol Chemical class CCC1=CC(C(C)=C)=CC=C1O SUKZIEQXDVGCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UITUMGKYHZMNKN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-prop-1-en-2-ylphenol Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(O)C(C)=C1 UITUMGKYHZMNKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKEHOXWJQXIQAG-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 IKEHOXWJQXIQAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZIRCHXYMBFNFD-HNQUOIGGSA-N 3-(2-Furanyl)-2-propenal Chemical compound O=C\C=C\C1=CC=CO1 VZIRCHXYMBFNFD-HNQUOIGGSA-N 0.000 description 1
- AXPZIVKEZRHGAS-UHFFFAOYSA-N 3-benzyl-5-[(2-nitrophenoxy)methyl]oxolan-2-one Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1OCC1OC(=O)C(CC=2C=CC=CC=2)C1 AXPZIVKEZRHGAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRWILAKSARHZPR-UHFFFAOYSA-N 3-chlorobenzaldehyde Chemical compound ClC1=CC=CC(C=O)=C1 SRWILAKSARHZPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASHGTJPOSUFTGB-UHFFFAOYSA-N 3-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=CC(O)=C1 ASHGTJPOSUFTGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYEKUDPFXBLGHH-UHFFFAOYSA-N 3-tert-Butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 CYEKUDPFXBLGHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVPYQKSLYISFPO-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobenzaldehyde Chemical compound ClC1=CC=C(C=O)C=C1 AVPYQKSLYISFPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N Di-Et ester-Fumaric acid Natural products CCOC(=O)C=CC(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N Diethyl maleate Chemical compound CCOC(=O)\C=C/C(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- IPSOQTFPIWIGJT-UHFFFAOYSA-N acetic acid;1-propoxypropane Chemical class CC(O)=O.CCCOCCC IPSOQTFPIWIGJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQICEOPIRHDDER-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical class CC(O)=O.COCCOCCO JQICEOPIRHDDER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QACZTJJABFVRAS-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-butoxyethanol Chemical class CC(O)=O.CCCCOCCO QACZTJJABFVRAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000005224 alkoxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- YNKMHABLMGIIFX-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde;methane Chemical compound C.O=CC1=CC=CC=C1 YNKMHABLMGIIFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 description 1
- 239000001191 butyl (2R)-2-hydroxypropanoate Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 description 1
- MLUCVPSAIODCQM-NSCUHMNNSA-N crotonaldehyde Chemical compound C\C=C\C=O MLUCVPSAIODCQM-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- MLUCVPSAIODCQM-UHFFFAOYSA-N crotonaldehyde Natural products CC=CC=O MLUCVPSAIODCQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- UYAAVKFHBMJOJZ-UHFFFAOYSA-N diimidazo[1,3-b:1',3'-e]pyrazine-5,10-dione Chemical compound O=C1C2=CN=CN2C(=O)C2=CN=CN12 UYAAVKFHBMJOJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002168 ethanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Polymers [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- BTFQKIATRPGRBS-UHFFFAOYSA-N o-tolualdehyde Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=O BTFQKIATRPGRBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N p-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXLOVSHXALFLKQ-UHFFFAOYSA-N p-tolualdehyde Chemical compound CC1=CC=C(C=O)C=C1 FXLOVSHXALFLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- JHOXSDHHZZODDR-UHFFFAOYSA-N phenol;prop-1-en-2-ylbenzene Chemical class OC1=CC=CC=C1.CC(=C)C1=CC=CC=C1 JHOXSDHHZZODDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940100595 phenylacetaldehyde Drugs 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229960004063 propylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- 229940116423 propylene glycol diacetate Drugs 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- HGBOYTHUEUWSSQ-UHFFFAOYSA-N valeric aldehyde Natural products CCCCC=O HGBOYTHUEUWSSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明提供使将蚀刻掩模用组合物印刷于太阳能电池用基板时的印刷性提高的太阳能电池用基板的蚀刻掩模用组合物。本发明的一个方案的太阳能电池用基板的蚀刻掩模用组合物为非感光性,其包含酚醛树脂(A)100质量份、SiO2粒子(B)20~100质量份及溶剂(C)。
Description
技术领域
本发明涉及作为蚀刻太阳能电池用基板时的掩模剂来使用的蚀刻掩模用组合物。
背景技术
在太阳能电池制造工序中,对基板进行部分地蚀刻处理时使用了掩模剂。以往,在该工序中使用光致抗蚀剂,但是目前为了削减工序数而研究了印刷型抗蚀剂的应用。作为对太阳能电池用基板进行蚀刻处理时的蚀刻液,使用氢氟酸、硝酸等强酸。因此,作为印刷型抗蚀剂所要求的特性,需要实现对蚀刻时的蚀刻液的耐酸性以及基于印刷法的图案形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平9-293888号公报
发明内容
发明要解决的问题
在以往的印刷型抗蚀剂中,在确保充足的耐酸性、同时忠实地再现印刷设计而形成良好图案的方面,具有改善的余地。另外,对于实施连续印刷时的印刷稳定性也有改善的余地。
本发明是鉴于这样的课题而完成的,其目的在于提供能够提高将蚀刻掩模用组合物印刷于太阳能电池用基板时的印刷性的技术。
用于解决课题的方案
本发明的一个方案为一种蚀刻掩模用组合物。该蚀刻掩模用组合物是包含酚醛树脂(A)100质量份、SiO2粒子(B)20~100质量份及溶剂(C)的非感光性的太阳能电池用基板的蚀刻掩模用组合物。
根据上述方案的蚀刻掩模用组合物,可以提高印刷于太阳能电池用基板时的印刷性。
上述方案的蚀刻掩模用组合物中,溶剂(C)可以包含沸点为190℃以上的溶剂(C1)。SiO2粒子(B)可以为亲水性。另外,还可以具备硅系、丙烯酸系或氟系的表面活性剂(D)。
本发明的另一个方案是一种图案形成方法。该图案形成方法包括:使用上述任意一个方案的太阳能电池用基板的蚀刻掩模用组合物,利用印刷法在基板上形成掩模图案的工序;烘烤掩模图案的工序;对基板进行蚀刻并转印掩模图案的工序;以及除去掩模图案的工序。
发明效果
根据本发明,可以提高将蚀刻掩模用组合物印刷于太阳能电池用基板时的耐酸性及印刷性。
附图说明
图1(A)~图1(C)是表示基板上的图案形成工序的概略剖面图。
具体实施方式
实施方式所述的蚀刻掩模用组合物为非感光性,其适合用作对太阳能电池用基板进行部分地蚀刻处理时所使用的蚀刻掩模。
实施方式所述的蚀刻掩模用组合物包含酚醛树脂(A)100质量份、SiO2粒子(B)20~100质量份、及溶剂(C)。以下,对实施方式所述的蚀刻掩模用组合物的各成分进行详细说明。
作为酚醛树脂(A),可列举出使下述例示的酚类与下述例示的醛类在盐酸、硫酸、蚁酸、草酸、对甲苯磺酸等酸性催化剂下进行反应而得到的酚醛树脂等。
作为酚类,例如可列举出:苯酚;间甲酚、对甲酚、邻甲酚等甲酚类;2,3-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、3,4-二甲苯酚等二甲酚类;间乙基苯酚、对乙基苯酚、邻乙基苯酚、2,3,5-三甲基苯酚、2,3,5-三乙基苯酚、4-叔丁基苯酚、3-叔丁基苯酚、2-叔丁基苯酚、2-叔丁基-4-甲基苯酚、2-叔丁基-5-甲基苯酚等烷基苯酚类;对甲氧基苯酚、间甲氧基苯酚、对乙氧基苯酚、间乙氧基苯酚、对丙氧基苯酚、间丙氧基苯酚等烷氧基苯酚类;邻异丙烯基苯酚、对异丙烯基苯酚、2-甲基-4-异丙烯基苯酚、2-乙基-4-异丙烯基苯酚等异丙烯基苯酚类;苯基苯酚等的芳基苯酚类;4,4’-二羟基联苯、双酚A、间苯二酚、对苯二酚、连苯三酚等多羟基苯酚类等。这些物质可以单独使用,也可以组合两种以上使用。在这些酚类中,特别优选间甲酚、对甲酚。
作为醛类,例如可列举出甲醛、多聚甲醛、三聚甲醛、乙醛、丙醛、丁醛、三甲基乙醛、丙烯醛、巴豆醛、环己醛、糠醛、呋喃基丙烯醛、苯甲醛、对苯二甲醛、苯乙醛、α-苯基丙醛、β-苯基丙醛、邻羟基苯甲醛、间羟基苯甲醛、对羟基苯甲醛、邻甲基苯甲醛、间甲基苯甲醛、对甲基苯甲醛、邻氯苯甲醛、间氯苯甲醛、对氯苯甲醛、肉桂醛等。这些物质可以单独使用,也可以组合两种以上使用。在这些醛类中,从获得容易性出发,优选甲醛。
酚醛树脂(A)可以由一种酚醛树脂形成,也可以由两种以上的酚醛树脂形成。在酚醛树脂(A)由两种以上的酚醛树脂形成的情况下,各个酚醛树脂的Mw没有特别限定,优选调制成以酚醛树脂(A)整体计的Mw为1000~100000。此外,在蚀刻掩模用组合物中的溶剂(C)以外的成分(固体成分)中优选含有20~80质量%的酚醛树脂(A),更优选为60~80质量%。
作为以上说明的酚醛树脂(A)中所通用的特性,可列举出耐酸性优异。
相对于酚醛树脂(A)100质量份,SiO2粒子(B)的含量为20~100质量份。如果相对于酚醛树脂(A)100质量份而使SiO2粒子(B)的含量少于20质量份,则变得难以得到充分的印刷性。另一方面,如果相对于酚醛树脂(A)100质量份而使SiO2粒子(B)的含量多于100质量份,则变得难以确保充分的耐酸性。SiO2粒子(B)的平均粒径优选为7nm~30nm。如果SiO2粒子(B)的平均粒径小于7nm,则粒子变得容易凝聚。另一方面,如果SiO2粒子(B)的平均粒径大于30nm,则增稠性、触变性降低。另外,优选使SiO2粒子(B)为亲水性。此处所说的“亲水性”是指在粒子表面具有羟基(OH基)。通过使SiO2粒子(B)为亲水性,从而可以提高印刷精度。
以蚀刻掩模用组合物整体作为基准,溶剂(C)的含量优选为30~70质量%。
溶剂(C)优选包含沸点为190℃以上的溶剂(C1)。作为溶剂(C1)的具体例,可列举出乙二醇、己二醇、丙二醇二乙酸酯、1,3-丁二醇二乙酸酯、二乙二醇、二丙二醇、二乙二醇单甲基醚、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇单丙基醚、二乙二醇单丁基醚、二乙二醇单苯基醚、二乙二醇二乙基醚、二丙二醇单甲基醚、三丙二醇单甲基醚、乙二醇单丁基醚乙酸酯、乙二醇单苯基醚乙酸酯、二乙二醇单甲基醚乙酸酯、二乙二醇单乙基醚乙酸酯、二乙二醇单丙基醚乙酸酯、二乙二醇单苯基醚乙酸酯、二丙二醇单甲基醚乙酸酯、二乙二醇单丁基醚乙酸酯、甘油、苄醇、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、二己基醚、乙酸苄基酯、苯甲酸乙酯、马来酸二乙酯、γ-丁内酯、萜品醇等。这些溶剂可以单独使用,也可以组合两种以上使用。
实施方式所述的蚀刻掩模用组合物还可以包含上述的溶剂(C1)以外的溶剂。其中,溶剂(C1)相对于全部溶剂的含量为70质量%以上,更优选为90质量%以上。
作为溶剂(C1)以外的溶剂(沸点小于190℃的溶剂(C2)),可列举出:环己酮、甲基正戊基酮、甲基异戊基酮、2-庚酮等酮类;乙二醇、丙二醇等多元醇类;丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇单甲基醚(PGME)、二丙二醇二甲基醚、丙二醇丙基醚等多元醇类的衍生物;其他的乙酸丁酯、乙酰乙酸乙酯、乳酸丁酯、草酸二乙酯等酯类。其中,优选丙二醇单甲基醚乙酸酯、2-庚酮、乙酸丁酯。
实施方式所述的蚀刻掩模用组合物还可以具备硅系、丙烯酸系或氟系的表面活性剂(D)。
作为硅系的表面活性剂(D),可列举出:以聚酯改性聚二甲基硅氧烷为主要成分的BYK-310(BYK Chemie制)、以芳烷基改性聚甲基烷基硅氧烷为主要成分的BYK-323(BYK Chemie制)、以聚醚改性含羟基聚二甲基硅氧烷为主要成分的BYK-SILCLEAN3720(BYK Chemie制)、以聚醚改性甲基聚硅氧烷为主要成分的KF-353(信越化学工业(株)制)等。作为丙烯酸系的表面活性剂(D),可列举出BYK-354(BYK Chemie制)。另外,作为氟系的表面活性剂(D),可列举出KL-600(共荣社化学制)等。其中,优选硅系的表面活性剂,更优选聚二甲基硅氧烷系的表面活性剂。以蚀刻掩模用组合物整体作为基准,表面活性剂(D)的添加量优选为0.001质量%~1.0质量%,更优选为0.01质量%~0.1质量%。
以上说明的蚀刻掩模用组合物通过含有耐酸性优异的酚醛树脂(A)作为树脂成分,可以在利用印刷以掩模形式形成于太阳能电池用基板的状态下提高对蚀刻液的耐性。另外,通过含有相对于酚醛树脂(A)100质量份为20~100质量份的SiO2粒子(B),可以提高印刷性。另外,通过含有溶剂(C)、尤其是沸点为190℃以上的溶剂(C1),可以在印刷时抑制蚀刻掩模用组合物(墨液)干燥,并且可以提高再印刷性(印刷稳定性)、墨液排出性。
另外,通过使蚀刻掩模用组合物包含表面活性剂(D),可以在将该蚀刻掩模用组合物印刷于太阳能电池用基板时抑制实际印刷的图案的宽度相对于设定好的印刷图案宽度而变大的情况,即抑制在印刷中产生渗洇的情况。
(图案形成方法)
如图1(A)所示,在硅基板、铜、镍、铝等金属基板、或硅基板上堆积有该金属膜、SiO2等氧化膜或者SiN等氮化膜等的太阳能电池用基板10上,使用上述的蚀刻掩模用组合物,采用丝网印刷法、喷墨印刷法、辊涂印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、胶版印刷法等印刷法形成掩模图案20。此外,也可以在形成掩模图案20之前根据需要进行基板的前处理。作为前处理,可列举出形成疏液性层的工序,例如可列举出日本特开2009-253145号公报中记载的工序。接着,对掩模图案20进行加热而烘烤掩模图案20。加热条件可根据蚀刻掩模用组合物的成分、掩模图案20的膜厚等而进行适当地设定,例如为200℃、3分钟。
接着,如图1(B)所示,使用氢氟酸与硝酸的混酸等蚀刻液选择性除去露出于掩模图案20的开口部的太阳能电池用基板,对掩模图案20的开口部(露出部)的太阳能电池基板进行蚀刻,并转印掩模图案。
接着,如图1(C)所示,在蚀刻处理后除去掩模图案20。作为除去方法,可列举出在碱性水溶液、有机溶剂、市售的剥离液等中在室温下浸渍5分钟~10分钟左右而进行剥离的方法。作为碱性水溶液,有氢氧化钠水溶液、四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液等。作为有机溶剂,有丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)、二甲基亚砜(DMSO)等。作为市售的剥离液,可以使用有机溶剂系的剥离液105(东京应化工业公司制)等。结果可以得到在太阳能电池基板10上转印有与掩模图案20对应的凸部的图案。此外,作为形成于太阳能电池用基板的凸部的功能,可列举出电极、扩散层等。
利用以上的工序,可以在太阳能电池用基板上形成规定图案的凸部。由于上述的蚀刻掩模用组合物的耐酸性、图案形成精度优异,因此可以在太阳能电池用基板上精度良地形成所需的图案。另外,由于不用经过光刻法之类的复杂的工序,就可以利用印刷法在太阳能电池用基板上形成图案,因此可以简化太阳能电池的制造工艺,进而可以降低太阳能电池的制造成本。
实施例
以下,对本发明的实施例进行说明,但这些实施例只不过是用于更好地说明本发明的例示,对本发明并没有任何限定。
(实施例1-11及比较例1-12)
表1示出实施例1-11及比较例1-12的蚀刻掩模用组合物的成分。用于实施例1-11及比较例1-12的蚀刻掩模用组合物的酚醛树脂1、酚醛树脂2分别是质均分子量12000(m/p=60/40)、质均分子量2100(m/p=36/64)的酚醛树脂。表2示出实施例1-11、比较例5-12中使用的填料的详细情况。另外,表3示出实施例1、2、4-11、比较例3-12中使用的表面活性剂的详细情况。利用表1所示出的各成分的组合,制作了由实施例1-11及比较例1-12的蚀刻掩模用组合物形成的墨液。
【表1】
【表2】
表2中,填料2和填料3的比重不同。由于填料3的比重较大,因此容易进行处理。
【表3】
种类 | 厂商 | 品名 | 分类 | 主要成分 |
表面活性剂1 | 共荣社化学 | APX-4082B | 其他 | 含氟丙烯酸聚合物 |
表面活性剂2 | BYK Chemie | BYK-SILCLEAN3720 | 其他 | 聚醚改性含羟基聚二甲基硅氧烷 |
(丝网印刷的印刷性评价)
利用丝网印刷法将制作出的各墨液印刷到硅基板上,形成了印刷设计宽度为100μm宽、150μm宽及200μm宽的3个图案。使所形成的图案在200℃的加热板上干燥3分钟。测量所得到的图案的最终线幅,确认了印刷性。与印刷性相关的结果按照以下方式进行分类。将所得到的有关印刷性的结果示于表4。
◎(良好):全部图案的印刷渗洇均为20μm以下
○(及格):有两个印刷渗洇为20μm以下的图案
×(不良):有一个或零个印刷渗洇为20μm以下的图案
此外,印刷渗洇利用下式来计算。
印刷渗洇=最终线宽-印刷设计宽度
(触变性评价)
使用E型粘度计(东机产业制、RE550型粘度计),测量各墨液的粘度曲线,基于下式算出粘度指数。
粘度指数=1rpm时的粘度/15rmp时的粘度
所得到的粘度指数按照以下方式进行分类,并评价了触变性。将所得到的有关触变性的结果示于表4。
◎(良好):粘度指数为3.0以上
○(及格):粘度指数为2.0以上且低于3.0
×(不良):粘度指数低于2.0
【表4】
如表4所示,可确认到:比较例1-12的各墨液的印刷性及触变性均为不良;与此相对,实施例1-14的各墨液具有印刷性及触变性均为○(及格)以上的特性。尤其在将实施例2和实施例3进行比较时,可确认到通过添加表面活性剂而进一步提高了印刷性。在对实施例1和实施例6进行比较时,可确认到:填料的粒径越小,则印刷性及触变性越提高。杂将实施例1和实施例7进行比较时,可确认到通过使填料为亲水性而进一步提高了印刷性及触变性。
(丝网印刷的印刷稳定性评价)
关于上述的实施例1、8-10、12-14的各墨液,连续实施7次丝网印刷,并确认了印刷稳定性。关于与印刷稳定性有关的结果,将能够无印刷摩擦地进行印刷的次数示于表5。此外,关于实施例9、10,溶剂的沸点为从两种溶剂的沸点及混合比求出的平均沸点。
【表5】
印刷稳定性 | |
实施例1 | 7 |
实施例8 | 7 |
实施例9 | 7 |
实施例10 | 7 |
实施例12 | 2 |
实施例13 | 2 |
实施例14 | 1 |
由表5可确认到:在包含沸点(包括平均沸点)为190℃以上的溶剂的情况下,使得印刷稳定性良好。另外确认到:在实施例1、8-10中,从第1次开始到第7次为止,印刷图案中均没有印刷摩擦,尤其在实施例1、8、9中,从第1次开始到第7次为止,印刷图案表面的平滑性也处于较高的状态。
(耐酸性评价)
利用丝网印刷法将实施例1-11的各墨液印刷于硅基板,形成了100μm宽及200μm宽的图案。使所形成的图案在200℃的加热板上干燥3分钟。为了确认所形成的图案的耐酸性,而将其浸渍于5%氢氟酸水溶液(条件1)或10%硫酸水溶液(条件2)中,利用光学显微镜观察图案的表面状态。结果确认到:实施例1-11的各墨液在条件1、条件2下均未发生膜状态的变化,并且也均未发生图案的剥离和裂纹的发生。
符号说明
10太阳能电池用基板、20掩模图案
Claims (5)
1.一种非感光性的太阳能电池用基板的蚀刻掩模用组合物,其包含:酚醛树脂(A)100质量份、SiO2粒子(B)20~100质量份、及溶剂(C)。
2.根据权利要求1所述的蚀刻掩模用组合物,其中,所述溶剂(C)包含沸点为190℃以上的溶剂(C1)。
3.根据权利要求1所述的蚀刻掩模用组合物,其中,SiO2粒子(B)为亲水性。
4.根据权利要求1所述的掩模用组合物,其还具备硅系、丙烯酸系或氟系的表面活性剂(D)。
5.一种图案形成方法,其包括:
使用权利要求1所述的太阳能电池用基板的蚀刻掩模用组合物,利用印刷法在基板上形成掩模图案的工序;
烘烤掩模图案的工序;
对基板进行蚀刻并转印掩模图案的工序;以及
除去掩模图案的工序。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013006544A JP6045920B2 (ja) | 2013-01-17 | 2013-01-17 | エッチングマスク用組成物およびパターン形成方法 |
JP2013-006544 | 2013-01-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103941545A true CN103941545A (zh) | 2014-07-23 |
CN103941545B CN103941545B (zh) | 2019-08-27 |
Family
ID=51189272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410016449.7A Expired - Fee Related CN103941545B (zh) | 2013-01-17 | 2014-01-14 | 蚀刻掩模用组合物及图案形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6045920B2 (zh) |
KR (1) | KR20140093618A (zh) |
CN (1) | CN103941545B (zh) |
TW (1) | TWI585146B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220145418A (ko) * | 2014-10-02 | 2022-10-28 | 주식회사 다이셀 | 은 입자 도료 조성물 |
KR101984112B1 (ko) | 2019-03-18 | 2019-05-31 | (주)세우인코퍼레이션 | 투 스텝 에칭 방식에 의한 갭 마스크 제조방법 |
KR102055182B1 (ko) | 2019-07-22 | 2019-12-12 | 손영원 | 고화력 구조를 갖는 스팀, 열매 연동형 복합 보일러 시스템 |
KR102048786B1 (ko) | 2019-07-26 | 2019-11-27 | (주)세우인코퍼레이션 | 유기물 증착 효율을 높일 수 있는 엠보싱 텐션 마스크 제조방법 |
KR102253343B1 (ko) | 2021-01-15 | 2021-05-18 | 위폼스 주식회사 | 회전지그와 수직 로딩식 에칭장치를 이용한 마스크시트용 에칭 시스템 |
KR102245789B1 (ko) | 2021-01-15 | 2021-05-24 | 위폼스 주식회사 | 수직 로딩식 인출 구조를 갖는 웹 에칭장치용 회전지그 |
KR102284940B1 (ko) | 2021-05-10 | 2021-08-04 | 위폼스 주식회사 | 돌출형 표면 거칠화 선처리에 의해 유기물 증착 성능이 개선된 메탈 마스크 제조방법 |
KR102284937B1 (ko) | 2021-05-10 | 2021-08-04 | 위폼스 주식회사 | 압조절 노즐과 수직 로딩 방식을 이용한 메탈 마스크용 스텝별 에칭방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0260994B1 (en) * | 1986-09-18 | 1992-07-15 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Process for producing integrated circuit |
JPH0813948B2 (ja) * | 1988-05-18 | 1996-02-14 | 東洋インキ製造株式会社 | 印刷インキ |
US20040157974A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-12 | Kansai Paint Co., Ltd. | Printing ink resist composition, method of forming resist film thereof, and method of producing substrate using the same |
JP2006037059A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 印刷インキ組成物、凸版反転オフセット法、レジストパターンの形成法、電子部品の製造法及び電子部品 |
CN101594744A (zh) * | 2008-05-30 | 2009-12-02 | 财团法人工业技术研究院 | 在可挠式衬底上制作导电图案的方法及其保护油墨 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004260143A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-09-16 | Kansai Paint Co Ltd | 印刷インキ用レジスト組成物、そのレジスト膜形成方法、及びそれを用いた基板の製造方法 |
-
2013
- 2013-01-17 JP JP2013006544A patent/JP6045920B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-11-13 TW TW102141263A patent/TWI585146B/zh active
-
2014
- 2014-01-13 KR KR1020140003951A patent/KR20140093618A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-01-14 CN CN201410016449.7A patent/CN103941545B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0260994B1 (en) * | 1986-09-18 | 1992-07-15 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Process for producing integrated circuit |
JPH0813948B2 (ja) * | 1988-05-18 | 1996-02-14 | 東洋インキ製造株式会社 | 印刷インキ |
US20040157974A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-12 | Kansai Paint Co., Ltd. | Printing ink resist composition, method of forming resist film thereof, and method of producing substrate using the same |
JP2006037059A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 印刷インキ組成物、凸版反転オフセット法、レジストパターンの形成法、電子部品の製造法及び電子部品 |
CN101594744A (zh) * | 2008-05-30 | 2009-12-02 | 财团法人工业技术研究院 | 在可挠式衬底上制作导电图案的方法及其保护油墨 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014136765A (ja) | 2014-07-28 |
CN103941545B (zh) | 2019-08-27 |
KR20140093618A (ko) | 2014-07-28 |
TWI585146B (zh) | 2017-06-01 |
JP6045920B2 (ja) | 2016-12-14 |
TW201434942A (zh) | 2014-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103941545A (zh) | 蚀刻掩模用组合物及图案形成方法 | |
CN103582681B (zh) | 用于印刷的组合物和使用该组合物的印刷方法 | |
JP5756563B2 (ja) | 印刷組成物及びこれを利用した印刷方法 | |
CN101738854A (zh) | 图案形成方法 | |
CN107003787A (zh) | 电极图案的形成方法及电极图案 | |
CN101071267A (zh) | 光致抗蚀剂组合物 | |
CN104834183B (zh) | 热固性油墨组合物 | |
CN101457050B (zh) | 油墨组合物及使用所述油墨组合物形成图案的方法 | |
CN100469806C (zh) | 一种环氧改性酚醛清漆树脂和由其得到的光刻胶组合物 | |
CN103149800A (zh) | 蚀刻掩模用组合物及图案形成方法 | |
JP5112772B2 (ja) | 液晶素子製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
CN106502049A (zh) | 用于铜膜的光刻胶组合物 | |
TWI746614B (zh) | 光阻劑組合物以及使用該組合物的金屬圖案的形成方法 | |
JP2013140943A (ja) | エッチングマスク用組成物およびパターン形成方法 | |
KR101707372B1 (ko) | 리버스 오프셋 인쇄 조성물 및 이를 이용한 인쇄 방법 | |
JP5876758B2 (ja) | インク組成物およびパターン形成方法 | |
CN103309152B (zh) | 抗蚀图形的形成方法、图形形成方法、太阳能电池以及正型抗蚀组合物 | |
CN100586975C (zh) | 一种酚醛清漆树脂、其制备方法以及含有该树脂的光刻胶组合物 | |
JP4112416B2 (ja) | 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 | |
TWI585524B (zh) | A method for forming a resist pattern, a pattern forming method, a solar cell, and a positive resist composition | |
KR20140058778A (ko) | 리버스 오프셋 인쇄 조성물 및 이를 이용한 인쇄 방법 | |
KR20130120271A (ko) | 태양전지용 잉크 조성물 및 이를 이용한 태양전지 제조방법 | |
TW201542715A (zh) | 鹼蝕刻遮罩劑組成物、及蝕刻方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190827 Termination date: 20200114 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |