CN1038632A - 以碳化硼作基体制造碳化硼/二硼化钛组合陶瓷粉末的方法及组合物 - Google Patents
以碳化硼作基体制造碳化硼/二硼化钛组合陶瓷粉末的方法及组合物 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1038632A CN1038632A CN89106050A CN89106050A CN1038632A CN 1038632 A CN1038632 A CN 1038632A CN 89106050 A CN89106050 A CN 89106050A CN 89106050 A CN89106050 A CN 89106050A CN 1038632 A CN1038632 A CN 1038632A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- norbide
- tib2
- microns
- powder
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 94
- QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N B#[Ti]#B Chemical compound B#[Ti]#B QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 93
- 229910033181 TiB2 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 92
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 24
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 7
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005270 abrasive blasting Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 238000009702 powder compression Methods 0.000 abstract 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 17
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 4
- 235000019241 carbon black Nutrition 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 3
- 241000209456 Plumbago Species 0.000 description 2
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 2
- 238000002083 X-ray spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000007431 microscopic evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- 101100010166 Mus musculus Dok3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- -1 boron carbides Chemical class 0.000 description 1
- 235000014633 carbohydrates Nutrition 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N cobalt tungsten Chemical compound [Co].[W] JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000010902 jet-milling Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010951 particle size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000006069 physical mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000851 scanning transmission electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/5805—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on borides
- C04B35/58064—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on borides based on refractory borides
- C04B35/58071—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on borides based on refractory borides based on titanium borides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/52—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbon, e.g. graphite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/563—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on boron carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/65—Reaction sintering of free metal- or free silicon-containing compositions
Abstract
本发明公开了一种碳化硼/二硼化钛组合陶瓷粉末的制造方法，其中，首先将碳化硼和钛源充分混合，使它们对平均颗粒度小于20微米，使得不连续的反应物区域小于50微米；然后将混合物加热，这时碳化硼颗粒成为基体，二硼化钛颗粒附着在碳化硼颗粒上。从而得到碳化硼/二硼化钛组合陶瓷粉末，其颗粒直径小于20微米。在用这种粉末压制成的致密部件中，二硼化钛的平均晶粒度小于20微米，碳化硼的平均晶粒度小于50微米，且它们分布均匀。
Description
本发明涉及陶瓷粉末的领域，具体地说，本发明涉及一种陶瓷粉末的制造方法和陶瓷粉末以及由此而产生的致密陶瓷构件。
近几年来，人们对组合陶瓷材料怀有极大的兴趣，这是因为组合材料的特征大大优于单个组分本身的特性。这些陶瓷组合物既包括纤维增强结构又包括多组分的结构，它们可以应用于各种科技领域之中。这些应用包括用作刀具、压头、喷咀等等。作这些用途以及其它用途时，希望材料尽可能质轻而坚韧。然而，在许多情况下，在满足这些特性中的某一特性时要牺牲其它的一些特性。
人们发现，碳化硼具有的硬度极高，而且比重比较小，但其韧性较差（KIC＝3.6MN/m3/2）。另一方面，二硼化钛的硬度接近碳化硼，而且比碳化硼的韧性好，但它比较重。由于这两种材料的特性可以相互取长补短，所以，人们就把研究的注意力放在制造由这两种成分组成的组合物上。研究结果表明，由上述两种材料制成的陶瓷其韧性与二硼化钛的韧性差不多，其硬度超过碳化硼的硬度，同时保持比较小的比重。例如，美国专利2613154号公开了由钛粉和过量硼的碳化硼粉末制造二硼化钛/碳化硼组合物的方法。然而这种方法似乎不适合于在压制的坯件中不加入过量碳或硼的情况下制造各种二硼化钛/碳化硼制品。苏联研究人员曾对这个问题进行了研究，如E·V·Marek的文章“碳化硼与周期表中的第Ⅳ副族过渡金属的反应”，Mater.Izdeliva，Poluchaemye MetodomPoroshk.Metall.，Dokl.Nauchn.Konf.Aspir.Molodykh Issled.Inst.Probl.Materialoved.Akad.Nauk ukr.SSR，6th，7th，Meeting Date 1972～1973，156-9。该论文阐述了硼、碳和钛的混合物，这种混合物经热压变成含有B4C相和TiB2相的组合物。文章指出，这种组合物的显微硬度既高于B4C，又高于TiB2。
日本专利申请1985-235764号公开了一种碳化硼/二硼化钛的组合物，这种组合物是通过将碳化硼粉末和二硼化钛粉末分散在如甲苯那样的有机溶剂中，经球磨而制备的，球磨时用碳化钨-钴合金球磨体。然后将球磨后的混合物干燥并冷压。作者报告了一种由含有40%～50%二硼化钛的组合物制成的经烧结的试件极限硬度。
美国专利4029000公开了一种碳化硼/二硼化钛组合物，它是由碳化硼和二硼化钛经物理混合而制成的，用来制造熔融金属的喷射泵。碳化硼的颗粒直径为2-6微米，二硼化钛的颗粒直径为5～15微米。其烧结后所得到的硬度小于单独碳化硼烧结后的硬度。
人们还对包含钛、硼、碳的其它组合物进行了研究，例如，一些文献还记载了制备由碳化钛和二硼化钛组成的组合材料的各种方法。这些文献包括例如美国专利4138456和3804034，这两篇专利中分别叙述了TiC/TiB2组合物以及TiC/TiB/B4C组合物的制备方法，它们都是将粉末经物理混合制成的。美国专利4266977号公开了将三种组分组成的“均匀（intimate）”混合物在等离子体反应器中制成一种组合物的方法。
决定陶瓷组合物的最终有益特性的一个重要因素是各组分的分散程度。为了使微粒组合物达到最佳效果，各种组分在微观上应该均匀地分布。然而，至少在物理混合时很难达到这样均匀的分布，例如利用任意一种研磨方法，其部分原因是由于组分的颗粒结成团。在混合中开始的和结束的成分是不变的混合称为物理混合。这种混合与通过各种措施就地产生最终成分的产品形成对比。
在制造“理想”组合材料时另一个考虑的因素是颗粒大小，这是因为人们常常认为设计的陶瓷部件断裂的事故率高是由于小裂纹或砂眼所引起的，而裂纹和砂眼又是由于原来的粉末没有完全压实引起的。解决这个问题的办法是采用极细的组合物粉末，这种粉末的颗粒直径基本上是一样的。这些粉末可以填装得比较结实，并因此减少了形成陶瓷体过程中砂眼数量。E·A·Barringer和H.K.Bowen在美国陶瓷协会杂志1982年65期C-199〔J.Amer.Ceram.Soc，65，C-199（1982）〕上发表了文章“单扩散的TiO2粉末的组成、成型和烧结”，该文章指出，制备高质量陶瓷部件的“理想”陶瓷粉末应该是高纯度的，其颗粒基本上是球状的，并且没有团块，而且这些粉末的颗粒既细又尺寸大小均匀。
当陶瓷粉末被烧结时，相邻的颗粒熔合成晶粒。通常，晶粒的大小取决于用来制作部件的粉末颗粒的大小，这样，颗粒较细的粉末烧结后产生的晶粒体就比较细小。在TiB2/B4C组合物中，这一点尤其重要。其中，为了使成品的硬度和韧度达到最大值，TiB2和B4C晶粒大小最好小于或等于20微米，因此，粉末颗粒大小应该最好小于20微米。在没有二硼化钛时，颗粒大小对碳化硼制品完整性的影响已由A.D.Osipov等人进行研究，并在《苏联粉末金属陶瓷》21（1），55-8（1982）上发表了题为“疏松度和晶粒大小对热压成形碳化硼的机械特性的影响”的文章，作者披露了这样一个事实，即呈细小晶粒的制品的强度大小优于粗大晶粒组成的制品的强度。
为了获得所要求的颗粒尺寸，尤其为了使颗粒大小在20微米以下，必须研磨粉末。只要研磨还能使颗粒尺寸减小，就继续研磨，可以加入一些杂质，如金属，当小于一定尺寸时，即使继续研磨，颗粒尺寸也不再减小。这里所说的一定尺寸的大小既取决于被研磨的物质，又取决于所选择的研磨工艺。参看例如W.Summer在《陶瓷公报（Ceramic Bulletin）》62（2）.（1983）212-215上发表的文章“利用振动研磨装置使宽范围的颗粒尺寸的减小（Broad Scope Particle Size reduction by means of vibratory grinding）”。相对于大多数工艺来说，采用研磨工艺可使碳化硼这种坚硬材料的直径最小达到1微米。接着可以要求对研磨物进行如酸浸和清洗那样的步骤，以便增加产物的纯度。
这样，就需要提供一种制造二硼化钛/碳化硼陶瓷粉末组合物的方法，用这种方法制造的陶瓷粉末粒细、均匀并且纯度高，这种方法还能使各种组分充分地混合。这种方法可以减小或消除中间产物的延续研磨或净化工序。
本发明提供了一种制造碳化硼/二硼化钛组合陶瓷粉末的制造方法，这种方法包括：
（a）充分混合作为反应物的碳化硼和钛源，上述的反应物的平均颗粒尺寸小于20微米，并基本上没有大于50微米的单个不连续的反应区域;
（b）使得由步骤（a）所得到的产物发生反应，其反应条件足以产生碳化硼/二硼化钛组合陶瓷粉末。
本发明还提供了一种由这种粉末制成的致密陶瓷部件，其微观结构的特征在于二硼化钛晶粒的平均尺寸小于20微米、碳化硼晶粒的平均尺寸小于50微米。
本发明进一步提供了一种陶瓷组合粉末，这种粉末基本上是由碳化硼和二硼化钛组成的。碳化硼和二硼化钛的平均颗粒直径小于20微米，至少一部分碳化硼颗粒成为基体，至少一部分二硼化钛颗粒附着（attached）到上述基体上。本发明还提供了一种由这种粉末制成的致密陶瓷部件。
最后，本发明还提供了一种基本上由碳化硼和二硼化钛组成的致密组合陶瓷部件，其中，碳化硼和二硼化钛晶粒是分散状态，其特征在于，在二硼化钛含量从0.1%到99.9%的范围内，次要相的区域百分比的平均偏离系数小于10，这是用扫描电子显微分析的方法对20块大小为26×26微米的方格进行分析的结果，上述显微分析的放大倍数为778倍。进一步的特征在于，次要相的区域百分比的平均值范围小于9。
图1表示根据实施例1的说明所制造的碳化硼/二硼化钛组合陶瓷粉末的一个能量扩散X-射线光谱图，其放大倍数为2100倍，其中光亮的相为二硼化钛。
图2a表示根据实施例2制造的粉末在50000倍放大倍数下的一个扫描透射电子显微图，展示了位于较大的碳化硼颗粒表面上的较小的二硼化钛颗粒的细晶粒大小及其走向。图2b表示在同样放大倍数下同一个颗粒的扫描电子显微图。
图3表示根据实施例2制造的粉末在87000倍的放大倍数下的透射电子显微图，展示了沿晶粒边界二硼化钛晶粒的大小和走向。
图4表示根据实施例2制造的致密部件的扫描电子显微图，该部件是用20%的二硼化钛和80%的碳化硼组合陶瓷粉末制成的。这个放大倍数为778倍的显微图分成20个方格，每个方格的测量尺寸为26×26微米。
图5表示实施例2所述的致密部件经浸蚀后的光学显微图，展示了在碳化硼晶粒周围的二硼化钛的分布情况，其放大倍数为2500倍。
图6表示根据比较实施例2说明的一个致密部件的扫描电子显微图，它是将市场上销售的粉末混合在一起得到的一种由19%的碳化硼和81%的二硼化钛组成的物理混合物，用这种混合物制成上述致密部件。这个放大倍数为778倍的图分成20个方格，每个方格的测量尺寸为26×26微米。
图7表示根据比较实施例2制造的致密部件的扫描电子显微图，其中二硼化钛的浓度为30%，这个放大倍数为778倍的图分成20个方格，每个方格的测量尺寸为26×26微米。
本发明提供了一种碳化硼/二硼化钛组合陶瓷粉末的组合物，其中碳化硼颗粒和二硼化钛颗粒之间具有新型的结合关系。本发明进一步提供了一种具有独特微观结构的致密部件，这种部件可以由粉末组合物制成。最后本发明还提供了一种制造粉末的方法，用这种方法制造粉末既快又经济。
这种粉末组合物是新型的，在这种新型粉末组合物中，碳化硼颗粒和二硼化钛颗粒之间是物理附着关系。这种物理附着（Physical attachment）是由下列事实产生的，即二硼化钛颗粒在碳化硼颗粒表面上就地形成，在碳化硼颗粒中具有作为硼源的硼，这样，碳化硼就成为一个用来物理附着二硼化钛的基体。这种结合方式意味着在比例相合适时，各个碳化硼颗粒被通常小一点的二硼化钛颗粒明显地包围。这种结合方式既能防止二硼化钛颗粒成团块，又能利用致密部件中的二硼化钛颗粒使得部件承受断裂弯曲的能力最大，该部件是用所述的组合粉末制成的。
在本发明的范围内，如权利要求所限定的范围，对反应物可以有许多种选择。术语“碳化硼”就种属来说包括任何一种碳化硼，也包括各种不符合化学计算式的碳化硼，如硼过量的碳化硼，例如：B4C、B8C、B13C、B25C和它们的混合物都属于本发明的范围，当然最好是B4C。钛源最好是处于任何还原形式的钛，或者它可以是一种已经被还原的钛源。因而，可还原的形式或者已经还原的形式，如TiO、TiO2、Ti2O3、Ti3O5、TiC、TiN、TiH2、Ti和已还原的卤化钛都是可以选用的，最好是用TiO2。如果采用可还原的钛源，则需要一个作为第三反应物的还原剂，这种还原剂适合于将钛源还原。这种还原剂优先选用碳源，选用碳元素更好，例如：碳黑、乙炔碳黑、石墨或者其它混合物;碳氢化合物;碳水化合物，如糖、淀粉，或者其它混合物。当然，在这些当中用碳黑和乙炔碳黑更好一些。还原剂还可以是氢源，例如氢气或者碳氢化合物。如果还原已还原的钛源，那么最好使用硼过量的碳化硼，以便使产物中的单体碳元素减至最少。
在本发明的一个实施例中，制造碳化硼/二硼化钛陶瓷组合粉末的方法基本上是一种两步法，该方法是，首先将各种反应物混合，然后加热。最初的混合步骤对保证各个反应物充分分散混合来说是重要的，这些反应物尤其是钛源，如果需要还有还原剂，以便使得物理附着和结合的碳化硼/二硼化钛颗粒两者都能充分地分散。上述混合既可以用本技术领域公知的干式混合方法，也可以用湿式混合方法来完成。通常，湿式混合的方法较好。采用湿式混合方法时，为了悬浮初始材料而使用水或其它介质。可以利用例如球磨设备或搅拌设备进行干式混合。如果用干式混合，则最好使用聚合的或相容的陶瓷混合介质而不用金属介质以便减少杂质进入混合物中，其目的是要使各组分“充分地”混合。术语“充分地”表示结合的程度，它用通常的光学显微技术或通常的元素分析技术测得“基本上”所有各个不连续区域的直径小于50微米，小于25微米更好，小于10微米最好。这些检测技术包括例如：电子扩散分光技术、透射电子显微技术、以及碳/氧分析技术。这里所用的术语“基本上”表示至少有85%的不连续区域的直径落在上述范围内。
考虑到反应物的不连续浓度较小为好，混合材料也有一定的最佳最大平均颗粒尺寸。经混合后的最佳颗粒尺寸如下：碳化硼的平均颗粒尺寸小于20微米，小于10微米更好，小于1微米最好。为了将引入的杂质还原，最好使用予先粉碎过的粉末。然而，也可以先用碳化硼粉末，这种粉末在混合前的颗粒较大，利用球磨工艺混合后，颗粒大小的减小与不连续区域的减小成相同比例。同样，最好使后续混合的钛源颗粒尺寸小于20微米，小于10微米更好，小于1微米最好。
还必须注意到，在混合步骤之前，对反应物进行消除团块是可能的、也是最佳的。这样有助于尽可能地增加混合度。可以用例如喷磨（jet-milling）或球磨的步骤来消除团块。
当各组分的粉末充分混合之后，下一步就是使它们在一定条件下反应，这个反应条件足以使碳化硼/二硼化钛组合陶瓷粉末具有所要求的结合度，在该条件下，钛源中的钛与碳化硼中的硼反应而在碳化硼基体上形成二硼化钛。这是通过加热来完成的。当采用可还原的钛源和还原剂如碳源时，使用碳和碳化硼使钛源进行碳的热致还原，并随后生成TiB2，这时加热过程最好在惰性气氛或适合还原的气氛中进行，优先从包括下列一组成分中选用：氩、氦、氖、氢、一氧化碳、氙、氪或者其混合物，最好使用氩。当使用适合还原的气体（如一氧化碳或其它气体）和可还原的钛源（如二氧化钛或低价氧化钛或者卤化钛）时，根据化学计算式来调节是合适的，这是因为钛源的一部分被气体还原。
加热温度超过1000℃为好，在1200℃～2000℃之间更好，在1500℃～1800℃之间更好一些，在1600℃～1750℃之间最好。温度太低既会使反应速度慢，又会使得反应不完全。然而温度过高则会促使晶粒生长，这样制成的很细粉末可能就生成得少了。对于大约30克或更少的粉末来说，在最佳的温度范围，如1600℃～1750℃的范围内，一般所需的有效反应时间最好为10～15分钟。然而，如果温度较低，而且反应物的量较多时，则反应时间就需要长一些。粉末厚度的变化也需要对加热时间作适当调整。在炉膛中反应将有助于对反应情况进行检测，这种检测是采用气体色谱法用一氧化碳探测器进行检测的。当完成碳热还原时，探测器就显示一氧化碳的浓度下降，并因此使生产率最高。
可以用本领域的技术人员熟知的加热设备来完成加热过程，例如可以用石墨坩埚作为反应物的移动载体，使反应物从标准感应炉中通过，或者也可以在电阻加热炉中加热，此时，坩埚以一定的移动速度通过炉膛，这个移动速度由通道的长度和所需的反应时间确定，也可以使坩埚固定不动。
本发明方法的优点是：由于上述反应过程而使得组合粉末在生成的同时可以得到“纯化”。这里所说的“纯化”是指基本上消除了生成物中的过量反应物。纯化过程可以通过调节所需反应的化学计算式来实现。例如，在用TiO2和碳元素作为反应剂进行反应时，“理想”反应结果是：
式中，X是没有转化为TiB2的B4C摩尔浓度。然而，在某些情况下，会出现硼或碳相的量偏离化学式，例如，一部分碳化硼是硼过量的碳化硼或碳过量的碳化硼，这时，对本领域的普通技术人员来说，可以在混合前分解碳化硼，以便满足化学式比例关系，然后调节氧化钛和/或碳的浓度使生产率及纯度最高。当适用不同的钛源，需要时也选用还原剂，为了制得较纯的产品，可以采用与上述同样的调节方法。
根据本发明方法的一个实施例所制造的最终碳化硼/二硼化钛粉末将很好地呈现出本发明的另一个实施例的结构，即二硼化钛颗粒物理附着在碳化硼颗粒的表面上，从而碳化硼起着基体的作用。这种粉末的组成可以在下列范围内任意改变，即碳化硼从0.1%到99.9%，二硼化钛从99.9%到0.1%。人们将会理解，这些组分的比例将对粉末混合程度的测定产生影响，同时还对由这种粉末制成的致密部件中的分布情况产生影响。
本发明的优点是，由于二硼化钛在碳化硼基体上形成，因而通过仔细控制时间和温度就可以使各个二硼化钛颗粒尺寸不大于原有的最大的碳化硼颗粒尺寸。从而，控制了碳化硼本身的颗粒尺寸就能控制住二硼化钛的最大颗粒尺寸。
本发明的组合陶瓷粉末适合用来制造一种新型微观结构的致密部件，致密方法对于普通技术人员来说是公知的，这些方法可以包括热压、热均匀压制、烧结等等。与粉末一样，致密部件可以是重量百分比为0.1%～99.9%的碳化硼和重量百分比为99.9%～0.1%的二硼化钛，当二硼化钛为主要成分时，由于有足够的二硼化钛使碳化硼基本上隔开，因而在致密化的过程中，碳化硼晶粒的生长受到限制。通常这种对碳化硼晶粒生成的限制可以使最终的致密部件提高断裂性弯曲的承受能力。
由于致密部件是由这种粉末制成的，因而这种致密部件中的二硼化钛和碳化硼晶粒分布是非常均匀的。在致密部件的微观结构中，最好所有二硼化钛晶粒的直径基本上都小于20微米，小于5微米更好，小于2微米最佳。同时碳化硼晶粒的直径最好小于50微米，小于20微米更好，小于10微米最佳。决定部件中晶粒大小的部分因素是组合粉末颗粒的大小，而决定组合粉末颗粒大小的部分因素是反应物粉末的颗粒大小。从而，对开始的硼源颗粒大小的控制有助于预先确定致密部件中晶粒的大小。
进一步，二硼化钛和碳化硼晶粒的分散程度最好具有如下特征：即二硼化钛浓度在0.1%到99.9%的整个范围内，次要相的区域百分比平均偏离系数小于或等于10，所用的测定方法是利用扫描电子显微分析法对20块26×26微米的方格放大778倍进行测定。上述偏离系数小于或等于5更好。偏离系数定义为标准误差除以次要相区域百分比的平均值所得到数值。对已经放大778倍的方格再放大至少3000倍进行分析就可以提高分析结果的精度。分散程度最好进一步具有如下特征，即次要相区域百分比的极值差小于9。所用的测定方法是利用扫描电子显微分析法对20块26×26微米的方格放大778倍进行测定。上述百分比的极值差约小于5更好。百分比极值差定义为就上述20个方格的每一个方格中的任意一种成分区域百分比的高值和低值之差取平均值。
下面通过实施例来说明本发明，但本发明的范围不局限于这些实施例。除另有说明之外，所有成分和百分数都是以重量计的。
实施例1：
将5.89克二氧化钛，大约22.8克数微米级颗粒的碳化硼（测定为94.64重量单位的B4C，其中含有3.1%的自由碳、1.11%的氧、1.02%的氮和6.69%的过量硼）和1.19克碳经高度搅拌制成一种稀浆，然后加热成一种稠浆。将仍然湿着的物质传送到105℃的循环空气烘箱中并烘烤一整夜。所得到的饼状物被轻轻地压成29.28克粉末。用光显微镜检测的结果表明基本上全部碳化硼和钛源颗粒直径小于20微米，并且基本上全部单个不连续的反应物区域的直径小于50微米。
大约15克这种初始混合物被置于一个石墨坩埚内，然后送入感应炉中。炉膛中先抽真空，再放入氩气，然后将试样在30分钟内加热到1650℃，并保温10分钟。然后关炉，使试件在氩气中冷却，所得到的黑色产物重12.69克，即为15克初始混合物的84.06%。用x-射线衍射测定的结果表明，这种黑色产物是B4C/TiB2的组合物。组合物的能量扩散x-射线光谱图表明遍及在整个样品中钛组分的分布是均匀的，如图1所示，进一步用透射电子显微镜分析的结果表明，在整个碳化硼颗粒表面上覆盖有形成一良好的晶粒，如图2a和2b所示。用光学显微方法测定这种组合物粉末的结果也表明，覆盖在生成物表面上的颗粒所反射的彩色光不同于碳化硼所反射的彩色光，表明这是二硼化钛。对粉末的测定表明大部二硼化钛晶粒的直径小于1微米，并且这些二硼化钛晶粒分散在碳化硼基体上，如图3所示。
在实施例中，一部分样品是在2100℃、500磅/吋2（34.5兆帕）的条件下热压而成的。图4是表示分散情况的扫描电子显微图。这种分散情况具有下列特征，即次要相区域百分比偏离系数为6，这是用扫描电子显微法对20块26×26微米的方格放大778倍测定的结果。经计算，二硼化钛的成分占20%。对每个方格的分析是在放大3000倍的条件下进行的。图5是致密部件经化学浸蚀后的电子显微图，表示在碳化硼晶粒周围的二硼化钛晶粒分布情况。
比较实施例1：
与本发明的工艺方法所获得细小微观结构相比，用数微米的二硼化钛和碳化硼以同样比例，即大约19%的二硼化钛和大约81%的碳化硼进行物理混合，在同样条件下热压以前，将它们进行超声处理以消除团块。上述物理混合基本上使粗的颗粒直径达到10微米，如图6的扫描电子显微图所示，在该扫描电子显微图中，二硼化钛为光亮的相。
实施例2：
将5.74克二氧化钛、21.88克碳化硼和1.56克碳进行充分搅拌湿式混合，并烘干。碳化硼最初的颗粒大小为4微米，并且经测定B4C含量为99.36%，其中含有0.13%的氮、0.51%的氧和4.2%的过量硼。这样制成的初始混合组重28.85克。取大约15克这种初始混合组放在感应炉中在氩气氛中加热到1600℃，在流动的氩气中冷却后得到黑色粉末，重量为12.79克。用x-射线衍射法测定的结果表明，这是二硼化钛和碳化硼的组合物。用能量扩散光谱法对试样进行测定的X-射线图进一步表明遍及整个粉末中的钛分布是均匀的。用普通技术人员公知的方法将这种粉末制成致密部件，对这种致密部件的微结构测试的结果表明，细小的TiB2晶粒分布在B4C基体上。
比较实施例2：
下列表1是偏离系数（C/V）的对照表，一个是用由本发明方法制造的粉末所制成的致密部件中的二硼化钛区域百分比的偏离系数，另一个是用具有相同二硼化钛百分比的、物理混合的组合粉末所制成的致密部件中的二硼化钛区域百分比的偏离系数。在物理混合的粉末中，初始的粉末是数微米级的碳化硼和二硼化钛粉末。为了制备物理混合粉末，将碳化硼分散在甲醇中，并用声波扩散1分钟，然后加入二硼化钛并再次用声波扩散1分钟，再将所得到的产物烘干、压榨碎，并筛分到100目（149微米）。表中的数据包括实施例1的偏离系数和比较实施例1的偏离系数，以及二硼化钛百分比含量为其它值时部件的偏离系数。
表1 次要相的偏离系数（C/V）
二硼化钛的百分比 10% 20% 30% 50% 70% 75% 90%
本发明方法的C/V - 6 25 4 - 7 -
物理混合的C/V 52 66 31 25 141 - 127
其中“-”表示没得到数据
表2是有关部件的极值差的对照表，其中一个部件是由物理混合的粉末制成的，另一个部件是具有同样含量的本发明的粉末制成的。
表2
| 二硼化钛重量百分比 | 二硼化钛区域百分比 | ||||
| 混合的 | 区域百分比 | 平均值±σ | 极值差 | C／V | |
| 物理混合的C／V | 19 | 17.0 | 10.2±6.7 | 24.1(0.5-24.6) | 66 |
| 本发明的方法的C／V | 20 | 19.6 | 11.9±0.6 | 2.5(10.6-13.1) | 5 |
σ表示标准偏差
从表中可看出，本发明方法所得到的偏离系数一般较低，这些结果是用扫描电子显微分析法对20个26×26微米方格放大778倍测量得到的。可以确信，这里有一个例外，即二硼化钛的区域百分比为30%，碳热还原方法所得到的偏离系数达到25，这样高的数值是由于在该方法的第一个步骤中，碳化硼没有充分混合所造成的。图7可以说明这一点，从图7可以看出，样品中的二硼化钛具有良好的分散性。但是，与例如图4所示的情况相比，碳化硼的区域显得异常之大，图4中二硼化钛的含量较少。用本发明的方法和粉末所制成的部件的极值差基本上也比较小。
实施例3：
将实施例2中同样化学组成和化学式的原料进行干式混合，将得到的粉末取出约15克，放进感应炉中，在流动的氩气氛中加热到1600℃，加热持续5分钟。经冷却后得到12.82克黑色粉末，用X-射线衍射法测定的结果证明，这种粉末是TiB2和B4C的组合物。对致密部件的微观结构进行显微分析的结果表明，直径大约1微米的细小二硼化钛晶粒分布在碳化硼基体上。
实施例4：
将5.74克二氧化钛、22.18克碳化硼和1.45克碳进行干式混合得到29.13克初始粉末，最初的碳化硼的平均颗粒大小为2微米，并经测定为97.95%的B4C，其中含有0.12%的氮、0.96%的氧、0.25%的单体碳和1.76%的过量硼。15.01克这种粉末和实施例2所述的那样被加热到1600℃，加热时间约为10分钟，随后使其冷却。这样便得到12.79克黑色粉末，这种黑色粉末的X-射线衍射图说明它是TiB2/B4C组合物。
实施例5：
将33.37磅二氧化钛、41.25磅碳化硼和5.4磅碳黑放入塑料衬的研磨机中进行混合，采用聚合研磨介质以防止杂质。二硼化钛的平均颗粒大小为2微米，并经测定碳的总含量为21.58%，其中包括0.6%单体碳、1.17%的氧和0.24%的氮。然后，试样被放入半英寸深（1.27厘米深）的石墨器皿中，并在隧道式窑中加热的石墨器皿里焙烧，焙烧是在流动的氩气氛中进行的，焙烧温度为1740℃，焙烧时间为50分钟左右。将所得到的细粉末进行适当的喷磨粉碎工序，以便使所有松软的团块粉碎和散开。用X-射线衍射法对粉末测定的结果表明，所形成的是TiB2/B4C组合物，其化学分析的结果表明，这种组合物是由重量百分比为50%的二硼化钛和重量百分比为50%的碳化硼组成的。
Claims (14)
1、一种制造碳化硼/二硼化钛组合陶瓷粉末的方法，包括：
(a)充分混合作为反应物的碳化硼和钛源，上述的反应物的平均颗粒尺寸小于直径20微米，并基本上没有大于50微米的单个不连续的反应物区域；
(b)使得由步骤(a)所得到的混合物发生反应，从而形成碳化硼/二硼化钛组合粉末，在这种粉末中至少一部分碳化硼颗粒成为基体，至少一部分二硼化钛颗粒附着到所说的碳化硼基体上。
2、根据权利要求1所述的方法，其中，混合物的反应条件包括加热到1000℃以上。
3、根据权利要求1所述的方法，其中，所述的加热是在1600℃到1750℃的温度下进行的。
4、根据权利要求1所述的方法，其中，加热是在惰性气体或适合还原的气氛中进行，它们是氩、氦、氢、一氧化碳或者其混合物。
5、根据权利要求1所述的方法，进一步包括下列步骤：在混合之前，至少一种反应物利用喷磨或球磨进行消除团块的步骤。
6、根据权利要求1所述的方法，所说的充分混合包括用水作介质进行混合，也包括用任选的一种分散剂进行混合。
7、根据权利要求1所述的方法，其中，碳化硼是指B4C、B8C、B13C2、B25C或者其混合物。
8、根据权利要求1所述的方法，其中，钛源是可还原的钛源，即TiO、TiO2、Ti2O3、Ti3O5、TiC、TiN、还原过的卤化钛或者其混合物，并且在步骤（a）中也加入还原剂一起混合，该还原剂也作为一种反应剂。
9、根据权利要求8所述的方法，其中，还原剂是碳源、氢源或者其混合物，即单体碳、碳氢化合物、碳水化合物或其混合物。
10、根据权利要求1所述的方法，其中，钛源是已还原的钛源，它是从Ti和TiH中选择的。
11、根据权利要求1所述的方法，其中，陶瓷组合粉末中碳化硼的重量百分比范围从0.1%到99.9%，其余成分为二硼化钛。
12、根据权利要求1所述的方法，进一步包括，将陶瓷粉末压制成一个致密部件，其中，致密部件微观结构的特征在于，二硼化钛的晶粒平均直径小于20微米，碳化硼晶粒的平均直径小于50微米。
13、一种组合陶瓷粉末，这种粉末基本上由碳化硼和二硼化钛组成，其平均颗粒直径小于20微米，至少一部分碳化硼颗粒成为基体，至少一部分二硼化钛颗粒附着在所说的碳化硼基体上。
14、权利要求13所述的组合陶瓷粉末制成的致密组合陶瓷部件，这种部件基本上由碳化硼和二硼化钛组成，其中，碳化硼和二硼化钛晶粒分散情况具有下列特征：二硼化钛浓度在0.1%到99.9%的整个范围内，次要相的区域百分比平均偏离系数小于10，所用的测定方法是利用扫描电子显微分析法，对20块26×26微米的方格放大778倍进行测定。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US198,969 | 1988-05-26 | ||
| US07/198,969 US5108962A (en) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | Composition and method for producing boron carbide/titanium diboride composite ceramic powders using a boron carbide substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1038632A true CN1038632A (zh) | 1990-01-10 |
| CN1023110C CN1023110C (zh) | 1993-12-15 |
Family
ID=22735657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN89106050A Expired - Fee Related CN1023110C (zh) | 1988-05-26 | 1989-05-25 | 以碳化硼作基体制造碳化硼/二硼化钛复合陶瓷粉末的方法及复合物 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5108962A (zh) |
| EP (1) | EP0343873B1 (zh) |
| JP (1) | JPH02504386A (zh) |
| KR (1) | KR900701682A (zh) |
| CN (1) | CN1023110C (zh) |
| BR (1) | BR8906994A (zh) |
| CA (1) | CA1336983C (zh) |
| DE (1) | DE68909673T2 (zh) |
| ES (1) | ES2059744T3 (zh) |
| WO (1) | WO1989011459A1 (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103979973A (zh) * | 2014-05-15 | 2014-08-13 | 武汉理工大学 | 一种以TiH2为烧结助剂的B4C基陶瓷材料及其制备方法 |
| CN104591738A (zh) * | 2015-02-04 | 2015-05-06 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种高韧性碳化硼陶瓷及其制备方法 |
| CN110627504A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-31 | 宁波东联密封件有限公司 | 碳化硼复合材料的无压烧结制备方法 |
| CN111056844A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-04-24 | 赛福纳米科技(徐州)有限公司 | CNT-B4C-TiB2复相陶瓷及其制备方法 |
| CN111533560A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-14 | 武汉理工大学 | 一种碳化硼基复合陶瓷材料及其制备方法 |
| CN111943679A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-11-17 | 宁波普莱斯帝金属制品有限公司 | 一种富硼碳化硼材料的制备方法及应用 |
| CN114426434A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-05-03 | 武汉科技大学 | 一种具有核壳结构的B4C@TiB2复合粉体的熔盐制备方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0674177B2 (ja) * | 1990-09-21 | 1994-09-21 | 工業技術院長 | ホウ化チタン／炭化ケイ素複合セラミックスの高強度化法 |
| JP3228517B2 (ja) * | 1990-12-12 | 2001-11-12 | 皓一 新原 | 炭化ホウ素系複合焼結体 |
| DE4320102A1 (de) * | 1993-06-17 | 1994-12-22 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Verfahren zur Herstellung von polykristallinen dichten Formkörpern auf der Basis von Borcarbid durch drucklose Sinterung |
| JP4109541B2 (ja) * | 2000-06-08 | 2008-07-02 | 株式会社ジャパンエナジー | 水素化精製に用いる触媒の製造方法及び金属回収方法 |
| EP1452509B9 (en) * | 2001-11-06 | 2013-08-21 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Boron carbide based sintered compact and method for preparation thereof |
| US20070105706A1 (en) * | 2005-06-06 | 2007-05-10 | General Atomics | Ceramic Armor |
| US8034153B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-10-11 | Momentive Performances Materials, Inc. | Wear resistant low friction coating composition, coated components, and method for coating thereof |
| US7556788B2 (en) * | 2007-10-05 | 2009-07-07 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Process for preparing boron carbon nanorods |
| CN103459351B (zh) * | 2010-12-28 | 2015-11-25 | 维尔科材料有限公司 | 基于碳化硼的材料和其制造工艺 |
| US9321187B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-04-26 | Verco Materials, Llc | Process for fabrication of high-hardness, fine-grained, complex-shaped silicon carbide articles |
| MX2017006943A (es) | 2014-11-26 | 2018-01-17 | Corning Inc | Composicion de ceramica compuesta y metodo para formar la misma. |
| FI127520B (en) * | 2015-05-07 | 2018-08-15 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Process for forming powder particles and product |
| CN114315367B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-03-17 | 北京理工大学 | 一种二硼化钛-碳化硼-碳化钛复合陶瓷材料及其热压制备方法 |
| CN114394834A (zh) * | 2022-02-22 | 2022-04-26 | 中硼科技(威海)有限公司 | 一种碳化硼基纳米复合粉体的制备方法 |
| CN115070038B (zh) * | 2022-07-21 | 2022-11-04 | 西安稀有金属材料研究院有限公司 | 一种原位混杂双相陶瓷增强铁基复合材料及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2613154A (en) * | 1950-05-18 | 1952-10-07 | Norton Co | Mixed borides |
| US4138456A (en) * | 1967-10-24 | 1979-02-06 | Norton Company | Armor structure and method of producing ceramic armor |
| US3804034A (en) * | 1972-05-09 | 1974-04-16 | Boride Prod Inc | Armor |
| DE2364809B2 (de) * | 1972-12-28 | 1978-11-30 | Denki Kagaku Kogyo K.K. | Werkstoffmischung für Zylinder und Kolben einer Einspritzpumpe für Warmkammeroder Kaltkammer-Druckgießmaschinen |
| US4266977A (en) * | 1975-02-03 | 1981-05-12 | Ppg Industries, Inc. | Submicron carbon-containing titanium boride powder and method for preparing same |
| JPS5837274B2 (ja) * | 1980-08-26 | 1983-08-15 | 工業技術院長 | 高強度複合焼結材料 |
| FR2538206B1 (fr) * | 1982-12-21 | 1985-06-07 | Cgr Mev | Canon a electrons pour accelerateur lineaire et structure acceleratrice comportant un tel canon |
| US4500643A (en) * | 1982-12-30 | 1985-02-19 | Alcan International Limited | Shaped refractory metal boride articles and method of making them |
| DE3435345A1 (de) * | 1984-09-26 | 1986-04-03 | Max Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 8000 München | Verfahren zur herstellung von carbid-borid-erzeugnissen und deren verwendung |
| US4957884A (en) * | 1987-04-27 | 1990-09-18 | The Dow Chemical Company | Titanium diboride/boron carbide composites with high hardness and toughness |
| WO1988008328A1 (en) * | 1987-04-27 | 1988-11-03 | The Dow Chemical Company | Titanium diboride/boron carbide composites with high hardness and toughness |
| US5047372A (en) * | 1988-12-29 | 1991-09-10 | Ucar Carbon Technology Corporation | Alloyed powder and method of preparing same |
-
1988
- 1988-05-26 US US07/198,969 patent/US5108962A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-05-12 BR BR898906994A patent/BR8906994A/pt active Search and Examination
- 1989-05-12 KR KR1019900700143A patent/KR900701682A/ko not_active Application Discontinuation
- 1989-05-12 JP JP1506034A patent/JPH02504386A/ja active Pending
- 1989-05-12 WO PCT/US1989/002064 patent/WO1989011459A1/en unknown
- 1989-05-18 CA CA000600023A patent/CA1336983C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-19 ES ES89305101T patent/ES2059744T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-19 DE DE89305101T patent/DE68909673T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-19 EP EP89305101A patent/EP0343873B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-25 CN CN89106050A patent/CN1023110C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-05-10 US US07/698,435 patent/US5342811A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103979973A (zh) * | 2014-05-15 | 2014-08-13 | 武汉理工大学 | 一种以TiH2为烧结助剂的B4C基陶瓷材料及其制备方法 |
| CN103979973B (zh) * | 2014-05-15 | 2015-10-07 | 武汉理工大学 | 一种以TiH2为烧结助剂的B4C基陶瓷材料及其制备方法 |
| CN104591738A (zh) * | 2015-02-04 | 2015-05-06 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种高韧性碳化硼陶瓷及其制备方法 |
| CN110627504A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-31 | 宁波东联密封件有限公司 | 碳化硼复合材料的无压烧结制备方法 |
| CN111056844A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-04-24 | 赛福纳米科技(徐州)有限公司 | CNT-B4C-TiB2复相陶瓷及其制备方法 |
| CN111533560A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-14 | 武汉理工大学 | 一种碳化硼基复合陶瓷材料及其制备方法 |
| CN111943679A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-11-17 | 宁波普莱斯帝金属制品有限公司 | 一种富硼碳化硼材料的制备方法及应用 |
| CN114426434A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-05-03 | 武汉科技大学 | 一种具有核壳结构的B4C@TiB2复合粉体的熔盐制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1023110C (zh) | 1993-12-15 |
| KR900701682A (ko) | 1990-12-04 |
| EP0343873A3 (en) | 1990-12-27 |
| DE68909673T2 (de) | 1994-02-17 |
| EP0343873A2 (en) | 1989-11-29 |
| US5108962A (en) | 1992-04-28 |
| JPH02504386A (ja) | 1990-12-13 |
| US5342811A (en) | 1994-08-30 |
| ES2059744T3 (es) | 1994-11-16 |
| WO1989011459A1 (en) | 1989-11-30 |
| BR8906994A (pt) | 1990-12-18 |
| DE68909673D1 (de) | 1993-11-11 |
| CA1336983C (en) | 1995-09-12 |
| EP0343873B1 (en) | 1993-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1023110C (zh) | 以碳化硼作基体制造碳化硼/二硼化钛复合陶瓷粉末的方法及复合物 | |
| RU2096513C1 (ru) | Способ получения спеченного изделия из твердого сплава | |
| US4525461A (en) | Sintered silicon carbide/graphite/carbon composite ceramic body having ultrafine grain microstructure | |
| US4957885A (en) | Process for making a silicon carbide composition | |
| US4948761A (en) | Process for making a silicon carbide composition | |
| EP0698447B1 (en) | Abrasive body | |
| JP3061699B2 (ja) | サブミクロンの炭窒化物、その製造方法及びその使用 | |
| US4421528A (en) | Process for making a modified silicon aluminum oxynitride based composite cutting tool | |
| US4217336A (en) | Artificial graphite | |
| CN1046317C (zh) | 金属陶瓷制造技术 | |
| JPS6242878B2 (zh) | ||
| EP0178753B1 (en) | Process for producing a sintered silicon carbide/carbon composite ceramic body having ultrafine grain microstructure | |
| CN111925214A (zh) | 一种热压烧结用石墨烯/碳化硼复合粉末及其制备方法以及陶瓷产品的制备方法 | |
| CA1221710A (en) | Preparation and composition of sialon grain and powder | |
| US7648675B2 (en) | Reaction sintered zirconium carbide/tungsten composite bodies and a method for producing the same | |
| CN110079689A (zh) | 一种原位铝基复合材料及其制备方法 | |
| KR910001933B1 (ko) | 고경도 및 인성을 갖는 이붕소화 티탄/탄화붕소 조성물 | |
| CN113582698A (zh) | 一种ZrB2-SiC增韧B4C防弹片的制备方法 | |
| CN1582257A (zh) | 用于合成半导体金刚石的石墨材料以及由该材料制备的半导体金刚石 | |
| JP3111709B2 (ja) | 炭化タングステン基超硬合金製造用微細複合炭化物粉末の製造法 | |
| JP3694583B2 (ja) | 粉砕機用部材 | |
| JP2949827B2 (ja) | ウルツアイト型炭窒化ほう素粉末およびその製造法 | |
| CN115819089B (zh) | 一种抗非晶化且高硬度、高韧性碳化硼复相陶瓷的制备方法 | |
| JPH08225311A (ja) | 窒化珪素／炭化珪素複合粉末及び複合成形体並びにそれらの製造方法及び窒化珪素／炭化珪素複合焼結体の製造方法 | |
| Chen et al. | Preparation and pressureless sintering of chemical vapour deposited SiC-B composite powder |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |