CN103852984B - 电子照相感光构件及其生产方法、处理盒和电子照相设备 - Google Patents

电子照相感光构件及其生产方法、处理盒和电子照相设备 Download PDF

Info

Publication number
CN103852984B
CN103852984B CN201310626464.9A CN201310626464A CN103852984B CN 103852984 B CN103852984 B CN 103852984B CN 201310626464 A CN201310626464 A CN 201310626464A CN 103852984 B CN103852984 B CN 103852984B
Authority
CN
China
Prior art keywords
group
resin
phenylene
structural unit
unit represented
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310626464.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103852984A (zh
Inventor
丸山晃洋
大垣晴信
山本友纪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN103852984A publication Critical patent/CN103852984A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103852984B publication Critical patent/CN103852984B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/07Polymeric photoconductive materials
    • G03G5/078Polymeric photoconductive materials comprising silicon atoms
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/047Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/06Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G21/00Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
    • G03G21/16Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements
    • G03G21/18Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements using a processing cartridge, whereby the process cartridge comprises at least two image processing means in a single unit
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0557Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0578Polycondensates comprising silicon atoms in the main chain
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • G03G5/0614Amines
    • G03G5/06142Amines arylamine
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • G03G5/0614Amines
    • G03G5/06142Amines arylamine
    • G03G5/06144Amines arylamine diamine
    • G03G5/061443Amines arylamine diamine benzidine
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • G03G5/0614Amines
    • G03G5/06142Amines arylamine
    • G03G5/06147Amines arylamine alkenylarylamine
    • G03G5/061473Amines arylamine alkenylarylamine plural alkenyl groups linked directly to the same aryl group
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • G03G5/0614Amines
    • G03G5/06149Amines enamine
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147Cover layers
    • G03G5/14708Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713Macromolecular material
    • G03G5/14747Macromolecular material obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G03G5/14773Polycondensates comprising silicon atoms in the main chain

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

本发明涉及电子照相感光构件及其生产方法、处理盒和电子照相设备。电子照相感光构件的电荷输送层具有基体‑区域结构,所述基体‑区域结构具有包含选自由树脂A1和树脂A2组成的组的至少一种树脂和特定的硅油的区域,和包含树脂C和电荷输送物质的基体,其中由式(A‑1)表示的结构单元和由式(A‑2)表示的结构单元的含量基于树脂A1和树脂A2的总质量为10质量%至40质量%。

Description

电子照相感光构件及其生产方法、处理盒和电子照相设备
技术领域
本发明涉及电子照相感光构件以及包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
背景技术
作为在电子照相设备中包括的电子照相感光构件,已认真地开发了含有有机光导电性物质的电子照相感光构件。电子照相感光构件通常包括支承体和在支承体上形成的并含有有机光导电性物质的感光层。此外,感光层通常是包括依次层叠在支承体上的电荷产生层和电荷输送层的层压型(顺层型)。
在电子照相法中,电子照相感光构件的表面与各种类型的材料如显影剂、充电构件、清洁刮板、纸张和转印构件(下文中有时也称作“接触构件”)接触。因此,电子照相感光构件所需要的特性之一是减少由通过这些接触构件引起的接触应力带来的图像劣化。特别地,根据最近在电子照相感光构件的耐久性方面的改善,要求进一步改善降低来自接触应力的图像劣化的效果的持续性并抑制在重复使用中的电位变化。
对于接触应力的持续缓和和抑制在电子照相感光构件的重复使用中的电位变化,国际公布WO2010/008095提出了如下方法,通过使用分子链中引入硅氧烷结构的硅氧烷树脂在表面层中形成基体-区域结构。该国际公布描述了通过使用具有引入特定硅氧烷结构的聚酯树脂,可以得到接触应力的持续缓和与抑制在电子照相感光构件的重复使用时的电位变化两者。
虽然在国际公布WO2010/008095中公开的电子照相感光构件达到了接触应力的持续缓和与抑制在重复使用中的电位变化两者,但仍要求进一步的改进,以实现可以更高的速度操作并能够产生较大的打印份数的电子照相设备。作为由本发明人所作的研究的结果,已经揭示,通过使电子照相感光构件在形成基体-区域结构时含有特定的化合物,可以实现进一步的改进。
发明内容
本发明的目的是提供高水平地实现接触应力的持续缓和并抑制在电子照相感光构件的重复使用时的电位变化二者的电子照相感光构件及其制造方法。本发明的另一个目的是提供包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
本发明涉及电子照相感光构件,其包括:支承体;在所述支承体上形成的电荷产生层;和在所述电荷产生层上形成的电荷输送层;其中,所述电荷输送层是所述电子照相感光构件的表面层,并且所述电荷输送层具有基体-区域结构,所述基体-区域结构具有:区域,其包括:具有由下式(O-1)表示的结构单元和选自由具有2至30个碳原子的烷基、聚醚基、芳烷基、环氧基和烯丙基组成的组的至少一种基团的硅油;和选自由以下组成的组的至少一种树脂:具有由下式(A-1)表示的结构单元和由下式(B)表示的结构单元的树脂A1,和具有由下式(A-2)表示的结构单元和由下式(B)表示的结构单元的树脂A2;和基体,其包括:具有由下式(C)表示的结构单元的树脂C和电荷输送物质,并且由式(A-1)表示的结构单元和由式(A-2)表示的结构单元的含量基于树脂A1和树脂A2的总质量为10质量%至40质量%,
其中,m11表示0或1;X11表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团;Z11和Z12各自独立地表示具有1至4个碳原子的亚烷基,R11至R14各自独立地表示具有1至4个碳原子的烷基,或苯基;n11表示在括号内的结构的重复数,在树脂A1中的n11的平均值在20至150的范围内,
其中,m21表示0或1;X21表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团,或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团;Z21至Z23各自独立地表示具有1至4个碳原子的亚烷基;R16至R27各自独立地表示具有1至4个碳原子的烷基,或苯基;n21、n22和n23各自独立地表示在括号内的结构的重复数,在树脂A2中的n21的平均值在1至10的范围内,在树脂A2中的n22的平均值在1至10的范围内,并且在树脂A2中的n23的平均值在20至200的范围内,
其中,m31表示0或1;X31表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团;Y31表示单键、亚甲基、乙叉基、丙叉基、环己叉基、苯基亚甲基、苯基乙叉基或氧原子;并且R31至R38各自独立地表示氢原子或甲基,
其中,m41表示0或1;X41表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团;Y41表示单键、亚甲基、乙叉基、丙叉基、环己叉基、苯基亚甲基、苯基乙叉基或氧原子;并且R41至R48各自独立地表示氢原子或甲基,
此外,本发明涉及一种可拆卸地安装到电子照相设备的主体上的处理盒,所述处理盒一体化地支承电子照相感光构件和选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组的至少一种装置。
此外,本发明涉及一种电子照相设备,其包括电子照相感光构件、充电装置、曝光装置、显影装置和转印装置。
根据本发明中,可以提供可以高水平实现持续缓和接触应力并抑制在电子照相感光构件的重复使用时的电位变化的优异的电子照相感光构件及其制造方法。此外,可以提供包括电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
参照附图从示例性实施方案的以下描述,本发明进一步的特征将变得显而易见。
附图说明
图1是示出设置有包括本发明的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性结构的实例的图。
图2A和2B是示出电子照相感光构件的层结构的实例的图。
具体实施方式
现在将根据附图详细描述本发明的优选实施方案。
根据本发明,电子照相感光构件的电荷输送层具有包括以下基体和以下区域的基体-区域结构。
区域包括:具有由下式(O-1)表示的结构单元和选自由具有2至30个碳原子的烷基、聚醚基、芳烷基、环氧基和烯丙基组成的组的至少一种基团的硅油。所述区域进一步包括选自由以下组成的组的至少一种树脂:具有由下式(A-1)表示的结构单元和由下式(B)表示的结构单元的树脂A1;和具有由下式(A-2)表示的结构单元和由下式(B)表示的结构单元的树脂A2。
基体包括:具有由下式(C)表示的结构单元的树脂C和电荷输送物质。
由式(A-1)表示的结构单元和由式(A-2)表示的结构单元的含量基于树脂A1和树脂A2的总质量为10质量%至40质量%。
在式(A-1)中,m11表示0或1;X11表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团;Z11和Z12各自独立地表示具有1至4个碳原子的亚烷基;R11至R14各自独立地表示具有1至4个碳原子的烷基,或苯基;n11表示在括号内的结构的重复数,在树脂A1中的n11的平均值在20至150的范围内。
在式(A-2)中,m21表示0或1;X21表示的邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团;Z21至Z23各自独立地表示具有1至4个碳原子的亚烷基;R16至R27各自独立地表示具有1至4个碳原子的烷基,或苯基;n21、n22和n23各自独立地表示在括号内的结构的重复数,在树脂A2中的n21的平均值在1至10的范围内,在树脂A2中的n22的平均值在1至10的范围内,并且在树脂A2中的n23的平均值在20至200的范围内。
在式(B)中,m31表示0或1;X31表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团;Y31表示单键、亚甲基、乙叉基、丙叉基、环己叉基、苯基亚甲基、苯基乙叉基或氧原子;并且R31至R38各自独立地表示氢原子或甲基。
在式(C)中,m41表示0或1;X41表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团;Y41表示单键、亚甲基、乙叉基、丙叉基、环己叉基、苯基亚甲基、苯基乙叉基或氧原子;并且R41至R48各自独立地表示氢原子或甲基。
由于硅油具有由式(O-1)表示的结构单元和选自由具有2至30个碳原子的烷基、聚醚基、芳烷基、环氧基和烯丙基(以下也称为“特定的取代基”)的至少一种基团,因此硅油包含在含有树脂A1和/或树脂A2的区域中。这可能是因为硅油的特定的取代基起到锚定单元的作用,从而增加与树脂A1和/或树脂A2的Si部位以外的结构的亲和性,这可能会导致硅油容易地与树脂A1和/或树脂A2的分子链缠结。这可能是硅油包含在含有树脂A1和/或树脂A2的区域中的原因。
电荷输送层具有包括基体和区域的基体-区域结构,所述基体含有电荷输送物质和树脂C,并且区域形成在基体中并含有树脂A1和/或树脂A2和硅油。当基体-区域结构与“海岛结构”相比时,基体对应于海部分,而区域对应于岛部分。
含有树脂A1和/或树脂A2和硅油的各区域具有在含有电荷输送物质和树脂C的基体中形成的颗粒状(岛)结构。各自含有树脂A1和/或树脂A2和硅油的区域分别彼此隔开独立存在于基体中。通过观察电荷输送层的表面或电荷输送层的截面可以验证这样的基体-区域结构。
可以通过使用例如商购的激光显微镜、光学显微镜、电子显微镜或原子力显微镜进行基体-区域结构状态的观察或区域的测量。可以使用具有规定的放大倍率的任何这些显微镜观察基体-区域结构的状态或测量各区域的结构。
区域的数均粒径可以为100nm至3,000nm。此外,从涂膜中的均匀性和应力缓和效果的观点,各区域的粒径的粒度分布可以更小。为了计算数均粒径,从在电荷输送层的垂直截面中用显微镜观察到的区域选择任意100个区域。测量选择的区域的最大直径,并取区域的最大直径的平均值以计算数均粒径。此外,当用显微镜观察电荷输送层的截面时,可以得到沿深度方向的图像信息,以便获取电荷输送层的三维图像。
电荷输送层的基体-区域结构可以按照如下形成:制备含有电荷输送物质、树脂A1和/或树脂A2、硅油和树脂C的电荷输送层用涂布液,以形成电荷输送层用涂布液的涂膜,干燥涂膜,从而形成电荷输送层。
当在电荷输送层中有效地形成含有树脂A1和/或树脂A2和硅油的区域时,可以更有效地显示接触应力的持续缓和。由于形成了含有树脂A1和/或树脂A2和硅油的区域,可以抑制硅油在电荷输送层和电荷产生层之间的界面上局部化,从而可以抑制在电子照相感光构件的重复使用时发生的电位变化。这可能是因为通过形成上述的区域,在从电荷产生层到电荷输送层的电荷移动中,可以降低由硅氧烷组分在电荷输送层和电荷产生层之间的界面上的局部化引起的对电荷移动的阻碍。
(树脂A1和树脂A2)
接着,对树脂A1和树脂A2进行说明。
在式(A-1)中,X11可以是单个基团或者两个以上基团。Z11和Z12各自表示具有1至4个碳原子的亚烷基,具体的例子包括亚甲基,亚乙基,亚丙基和亚丁基。从缓和接触应力的效果的观点,Z11和Z12各自可以表示亚丙基。如果R11至R14各自表示具有1至4个碳原子的烷基,具体的例子包括甲基,乙基,丙基和丁基。从缓和接触应力的效果的观点,R11至R14各自可以表示甲基。
如果在树脂A1中n11的平均值在20至150的范围内,在含有电荷输送物质和树脂C的基体中可以有效地形成含有树脂A1和/或树脂A2和硅油的区域。特别地,n11的平均值可以在40至80的范围内。
由式(A-1)表示的结构单元的例子示于以下表1中。
(表1)
在式(A-2)中,X21可以是单个基团或者两个以上基团。Z21至Z23各自表示具有1至4个碳原子的亚烷基,具体的例子包括亚甲基,亚乙基,亚丙基和亚丁基。从缓和接触应力的效果的观点,Z21和Z22各自可以表示亚丙基并且Z23可以表示亚乙基。如果R16至R27各自表示具有1至4个碳原子的烷基,具体的例子包括甲基,乙基,丙基和丁基。从缓和接触应力的效果的观点,R16至R27各自可以表示甲基。
在树脂A2中n21的平均值在1至10的范围内,在树脂A2中n22的平均值在1至10的范围内,并且在树脂A2中n23的平均值在20至200的范围内。如果这些平均值是在这些范围内,在含有电荷输送物质和树脂C的基体中可以有效地形成含有树脂A1和/或树脂A2和硅油的区域。n21和n22的平均值可以在1至5的范围内,并且n23的平均值可以在40至120的范围内。由式(A-2)表示的结构单元的例子示于以下表2中。
(表2)
在表2中所示的那些中,可以适当地使用由式(A-1-2)、(A-1-3)、(A-1-5)、(A-1-10)、(A-1-15)、(A-1-17)、(A-2-5)、(A-2-10)、(A-2-15)、(A-2-16)和(A-2-17)表示的结构单元。
此外,树脂A1和树脂A2各自可以具有由下式(A-E)表示的硅氧烷结构作为末端结构:
在式(A-E)中,n51表示括号内的结构的重复数,并且在树脂A1或树脂A2中n51的平均值在20至60的范围内。
在式(B)中,X31可以是单个基团或者两个以上基团。
由式(B)表示的结构单元的例子示于以下表3中。
(表3)
在表3中,“丙叉基”表示2,2-丙叉基,并且“苯基乙叉基”表示1-苯基-1,1-乙叉基。
此外,由式(A-1)表示的结构单元和由式(A-2)表示的结构单元的含量基于树脂A1和树脂A2的总质量为10质量%至40质量%。具体而言,如果含有树脂A1但不含树脂A2,{由式(A-1)表示的结构单元的质量}/(树脂A1的质量)为10质量%至40质量%。另外,如果含有树脂A2但不含树脂A1,{由式(A-2)表示的结构单元的质量}/(树脂A2的质量)是10质量%至40质量%。如果含有树脂A1和树脂A2二者,{由式(A-1)表示的结构单元的质量+由式(A-2)表示的结构单元的质量}/(树脂A1的质量+树脂A2的质量)为10质量%至40质量%。此外,由式(B)表示的结构单元的含量基于树脂A1和树脂A2的总质量为60质量%至90质量%。具体而言,如果含有树脂A1但不含树脂A2,{由式(B)表示的结构单元的质量}/(树脂A1的质量)为60质量%至90质量%。另外,如果含有树脂A2但不含树脂A1,{由式(B)表示的结构单元的质量}/(树脂A2的质量)为60质量%至90质量%。如果含有树脂A1和树脂A2两者,{由式(B)表示的结构单元的质量}/(树脂A1的质量+树脂A2的质量)为60质量%至90质量%。
如果由式(A-1)表示的结构单元和由式(A-2)表示的结构单元的含量为10质量%至40质量%,在含有电荷输送物质和树脂C的基体中可以有效地形成区域。因此,可以持续显示缓和接触应力的效果。此外,可以抑制树脂A1和/或树脂A2在电荷输送层和电荷产生层之间的界面上的局部化,从而抑制电位变化。
此外,从在基体中有效地形成区域的观点,树脂A1和树脂A2的总含量基于在电荷输送层中含有的所有树脂的总质量优选为5质量%至50质量%。该总含量更优选为10质量%至40质量%。
此外,只要不妨碍本发明的效果,除了由式(A-1)表示的结构单元、由式(A-2)表示的结构单元和由式(B)表示的结构单元之外,树脂A1和树脂A2可以含有源自双酚的结构单元作为结构单元。在这种情况下,源自双酚的结构单元的含量基于树脂A1和树脂A2的总质量可以为30质量%以下。
树脂A1是具有由式(A-1)表示的结构单元和由式(B)表示的结构单元的共聚物。树脂A2是具有由式(A-2)表示的结构单元和由式(B)表示的结构单元的共聚物。这些树脂的共聚的形式可以是嵌段共聚、无规共聚、交替共聚等的任一种。
从在含有电荷输送物质和树脂C的基体中形成区域的观点,树脂A1和树脂A2的重均分子量优选为30,000至200,000。重均分子量更优选为40,000至150,000。
在本发明中,树脂的重均分子量是指通过常规方法具体而言是在日本专利申请特开2007-79555号中记载的方法测定的聚苯乙烯换算的重均分子量。
使用通过测量树脂的1H-NMR得到的氢原子(树脂中含有的氢原子)的峰面积比,通过换算法,如通常采用的,可以验证树脂A1的共聚比和树脂A2的共聚比。
在本发明中使用的树脂A1和树脂A2可以通过在国际公布WO2010/008095中记载的方法合成。
(树脂C)
现在将描述具有由式(C)表示的结构单元的树脂C。在式(C)中,X41可以是单个基团或者两个以上基团。Y41可以是丙叉基。Y41优选为2-2-丙叉基。
由式(C)表示的结构单元的例子示于以下表4中。
(表4)
在表4中,“丙叉基”是指2,2-丙叉基,并且“苯基乙叉基”是指1-苯基-1,1-乙叉基。
在表4中所示的那些中,可以适当地使用由式(C-2)、(C-3)、(C-4)、(C-5)、(C-10)、(C-16)、(C-18)、(C-19)、(C-24)、(C-25)和(C-26)的任一种表示的结构单元。
(硅油)
接下来,将描述硅油。
具有2至30个碳原子的烷基的例子包括:乙基,正丙基,异丙基,正丁基,异丁基,仲丁基,叔丁基,正戊基,异戊基,新戊基,叔戊基,正己基,异己基,2-乙基己基,庚基,辛基,壬基,癸基,十一烷基,十二烷基,十三烷基,十四烷基,十五烷基,十六烷基,十七烷基,十八烷基,十九烷基,二十烷基,二十一烷基,二十二烷基,二十三烷基,二十四烷基,二十五烷基,二十六烷基,二十七烷基,二十八烷基,二十九烷基和三十烷基。可以更适当地使用具有3至25个碳原子的烷基。
聚醚基是键合到氧原子的亚烷基(-O-:醚键)。特别是,可适当地使用具有由(C2H4O)a(C3H6O)b表示的结构的聚醚基,其中a和b各自表示括号内的结构的重复数,并且各自独立地在3到350的范围内。
芳烷基的例子包括苄基,1-苯乙基,2-苯乙基,2-甲基-2-苯乙基,1-苯基异丙基,2-苯基异丙基和苯基叔丁基。其中,可以适当地使用1-苯乙基,2-苯乙基,2-甲基-2-苯乙基,1-苯基异丙基,和2-苯基异丙基。
环氧基的例子包括3,4-环氧基丁基,7,8-环氧基辛基,9,10-环氧基癸基,缩水甘油基氧基丙基(glycidyloxypropyl group)和2-(3,4-环氧基环己基)乙基。
硅油可以仅仅有一个或多个这些具体的取代基。
此外,硅油可具有由下式(O-E)表示的结构作为末端结构。
在式(O-E)中,R62表示甲基,甲基丙烯酰基(methacrylic group),3-(甲基)丙烯酰氧基甲基,3-(甲基)丙烯酰氧基乙基,3-(甲基)丙烯酰氧基丙基,3-(甲基)丙烯酰氧基丁基,3-(甲基)丙烯酰氧基戊基,3-(甲基)丙烯酰氧基己基,3,4-环氧基丁基,7,8-环氧基辛基,9,10-环氧基癸基,缩水甘油基氧基丙基,2-(3,4-环氧基环己基)乙基或聚苯乙烯基。
聚苯乙烯基由下式表示,其中,l表示括号内的结构的重复数,并且在硅油中l的平均值在10至300的范围内。
硅油的粘度优选为10-5,000mm2/s。硅油(有时简称为“Si油”)的例子示于以下表5中。此外,下面提到的各个硅油D-1至D-56具有由式(O-1)表示的结构单元。
(表5)
Si油 具体取代基 末端结构的R62
D-1 3,4-环氧基丁基 甲基
D-2 7,8-环氧基辛基 甲基
D-3 9,10-环氧基癸基 甲基
D-4 缩水甘油醚氧基丙基 甲基
D-5 2-(3,4-环氧环己基)乙基 甲基
D-6 3,4-环氧丁基/2甲基-2-苯乙基 甲基
D-7 7,8-环氧辛基/2-甲基-2-苯乙基 甲基
D-8 9,10-环氧癸基/2-甲基-2-苯乙基 甲基
D-9 缩水甘油醚氧基丙基/2-甲基-2-苯乙基 甲基
D-10 2-(3,4-环氧环己基)乙基/2-甲基-2-苯乙基 甲基
D-11 3,4-环氧基丁基 3,4-环氧基丁基
D-12 7,8-环氧基辛基 7,8-环氧基辛基
D-13 9,10-环氧基癸基 9,10-环氧基癸基
D-14 缩水甘油醚氧基丙基 缩水甘油醚氧基丙基
D-15 2-(3,4-环氧环己基)乙基 2-(3,4-环氧环己基)乙基
D-16 缩水甘油醚氧基丙基 3,4-环氧基丁基
D-17 缩水甘油醚氧基丙基 7,8-环氧基辛基
D-18 缩水甘油醚氧基丙基 9,10-环氧基癸基
D-19 缩水甘油醚氧基丙基 缩水甘油醚氧基丙基
D-20 缩水甘油醚氧基丙基 2-(3,4-环氧环己基)乙基
D-21 2-(3,4-环氧环己基)乙基 3,4-环氧基丁基
D-22 2-(3,4-环氧环己基)乙基 7,8-环氧基辛基
D-23 2-(3,4-环氧环己基)乙基 9,10-环氧基癸基
D-24 2-(3,4-环氧环己基)乙基 缩水甘油醚氧基丙基
D-25 2-(3,4-环氧环己基)乙基 2-(3,4-环氧环己基)乙基
D-26 甲基 甲基丙烯酰基
D-27 甲基 3-(甲基)丙烯酰氧基甲基
D-28 甲基 4-(甲基)丙烯酰氧基乙基
D-29 甲基 3-(甲基)丙烯酰氧基丙基
D-30 甲基 3-(甲基)丙烯酰氧基丁基
D-31 甲基 3-(甲基)丙烯酰氧基戊基
D-32 甲基 3-(甲基)丙烯酰氧基己基
D-33 正丁基 甲基
D-34 异戊基 甲基
D-35 正己基 甲基
D-36 2-乙基己基 甲基
D-37 庚基 甲基
D-38 辛基 甲基
D-39 壬基 甲基
D-40 癸基 甲基
D-41 十一烷基 甲基
D-42 十二烷基 甲基
D-43 十五烷基 甲基
D-44 十八烷基 甲基
D-45 二十烷基 甲基
D-46 (C2H4O)3(C3H6O)3 甲基
D-47 (C2H4O)5(C3H6O)8 甲基
D-48 (C2H4O)6(C3H6O)10 甲基
D-49 (C2H4O)50(C3H6O)20 甲基
D-50 (C2H4O)50(C3H6O)200 甲基
D-51 (C2H4O)20(C3H6O)180 甲基
D-52 (C2H4O)150(03H6O)120 甲基
D-53 (C2H4O)3(C3H6O)3/壬基/2-甲基-2-苯乙基 甲基
D-54 (C2H4O)5(C3H6O)8/十二烷基/2-甲基-2-苯乙基 甲基
D-55 (C2H4O)6(C3H6O)10/辛基/2-甲基-2-苯乙基 甲基
D-56 甲基 聚苯乙烯基
硅油是具体如下的商购的改性硅酮化合物(silicone compound):
具有由式(O-1)表示的结构单元和环氧基的硅油:KF101和X-22-9002(由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.生产)
具有由式(O-1)表示的结构单元、环氧基和芳烷基的硅油:X-22-3000T(由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.生产)
具有由式(O-1)表示的结构单元和烯丙基的硅油:X-22-164B(由Shin-EtsuChemical Co.,Ltd.生产)
具有由式(O-1)表示的结构单元和具有2至30个碳原子的烷基的硅油:KF414(由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.生产)
具有由式(O-1)表示的结构单元和聚醚基团的硅油:KF945(由Shin-EtsuChemical Co.,Ltd.生产)
具有由式(O-1)表示的结构单元、具有2至30个碳原子的烷基、聚醚基和芳烷基的硅油:X-22-2516(由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.生产)。
可选地,在表5中所示的硅油可以由在日本专利申请特开H02-88639、H03-234768、H04-168126和H04-169589中所述的合成方法合成。另外,在本发明中,硅油(以下有时简称为“Si油”)是由类似的方法,使用对应于表5中所示的取代基的原料合成。合成的硅油的组成和粘度示于表6中。
(表6)
此外,硅油D-56-1、D-56-2和D-56-3可以通过在日本专利申请特开2010-66669中记载的方法合成。这些硅油具体是具有以下结构式的化合物:
硅油的含量基于树脂A1和树脂A2的总质量优选为1质量%至50质量%,因为由此可有效地将硅油包含在含有树脂A1和/或树脂A2的区域中。
此外,从抑制重复使用中电位变化的观点,硅油的含量基于电荷输送层中包含的树脂的总质量可以为0.1质量%至20质量%。
本发明的电荷输送层具有基体-区域结构,该基体-区域结构包括含有电荷输送物质和树脂C的基体以及形成在基体中并且由硅油与选自由树脂A1和树脂A2的至少一种形成的区域。
现在,将描述树脂A1和树脂A2的合成例。
树脂A1和树脂A2可以通过在国际公布WO2010/008095中所述的合成方法合成。此外,在本发明中,如在表7中的合成例所示的树脂A1和树脂A2通过类似的方法通过使用对应于由式(A-1)所表示的结构单元、由式(A-2)表示的结构单元和由式(B)表示的结构单元的原料而合成。合成的树脂A1和A2的组成和重均分子量示于表7中。此外,通常将树脂A1和树脂A2指定为“树脂A”。
(表7)
在表7中,“式(A-1)或(A-2)”是指在各树脂A1中含有的由式(A-1)表示的结构单元或在各树脂A2中含有的由式(A-2)表示的结构单元。如果混合使用由式(A-1)表示的多个结构单元或由式(A-2)表示的多个结构单元,则显示结构单元的类型和混合比(摩尔比)。“式(B)”是指在各树脂A1或A2中所含的由式(B)表示的结构单元。如果混合使用由式(B)表示的多个结构单元,则显示结构单元的类型和混合比(摩尔比)。此外,“在式(A-E)中的n51”是指在各树脂A1或A2中所含的由式(A-E)表示的结构单元中的重复数的平均值。“式(A-1)或(A-2)的含量(质量%)”是指在各树脂A1中由式(A-1)表示的结构单元的含量(质量%)或者在各树脂A2中由式(A-2)表示的结构单元的含量(质量%)。“式(B)的含量(质量%)”是指在各树脂A1或A2中由式(B)表示的结构单元的含量(质量%)。“式(A-E)的含量(质量%)”是指在各树脂A1或A2中由式(A-E)表示的结构单元的含量(质量%)。“Mw”是指各树脂A1或A2的重均分子量。
相当于电子照相感光构件的表面层的电荷输送层含有树脂A1和树脂A2的至少一种、树脂C,并且可以混合使用另一种树脂。可混合使用的另一种树脂的例子包括丙烯酸类树脂、聚酯树脂和聚碳酸酯树脂。
此外,从有效地形成基体-区域结构的观点,优选树脂C既不包含由式(A-1)表示的结构单元也不包含由式(A-2)表示的结构单元。
电荷输送层含有电荷输送物质。电荷输送物质的例子包括三芳基胺化合物,腙化合物,丁二烯化合物和烯胺化合物。可以单独使用这些电荷输送物质之一,或者可以一起使用这些的两种以上。在这些化合物中,从改进电子照相特性的观点,可以适当地使用三芳基胺化合物作为电荷输送物质。
电荷输送物质的具体例子如下:
电荷输送物质和树脂之间的比例优选为4:10至20:10(质量比),并且更优选为5:10至12:10(质量比)。此外,电荷输送物质的含量基于电荷输送层的总质量可以为25质量%至70质量%。
在电荷输送层用涂布液中要使用的溶剂的例子包括酮类溶剂,酯类溶剂,醚类溶剂和芳族烃溶剂。可以单独使用这些溶剂之一,或者可以使用两种以上这些的混合物。从树脂溶解性的观点,在这些溶剂中,可以适当地使用醚类溶剂或芳族烃溶剂。
电荷输送层的厚度优选为5μm至50μm,更优选为10μm至35μm。
此外,根据需要,可以向所述电荷输送层添加抗氧化剂、UV吸收剂、或增塑剂等。
电荷输送层可以由电荷输送层用涂布液的涂膜形成,所述涂布液通过将选自树脂A1和树脂A2组成的组的至少一种、硅油、电荷输送物质和树脂C溶于溶剂中而制备。
接下来,将描述本发明的电子照相感光构件的结构。
电子照相感光构件包括支承体、在支承体上形成的电荷产生层和在电荷产生层上形成的电荷输送层。此外,电荷输送层是电子照相感光构件的表面层(最上层)。此外,电荷输送层可以具有层状结构,并且在此情况下,所述电荷输送层的至少最表面(最外面)部分具有基体-区域结构。
对于电子照相感光构件的形状,一般广泛使用通过在圆筒状支承体上形成感光层(电荷产生层和电荷输送层)得到的圆筒状电子照相感光构件,但该电子照相感光构件可以是带状、或片状等。
图2A和2B是示出本发明电子照相感光构件的层结构的例子的图。在图2A和2B中,附图标记101表示支承体,附图标记102表示电荷产生层,附图标记103表示电荷输送层(或第一电荷输送层),并且附图标记104表示第二电荷输送层。
(支承体)
支承体可以是具有导电性的支承体(即,导电性支承体),并且可以使用由金属如铝、铝合金或不锈钢制成的支承体。作为由铝或铝合金制成的支承体,可以使用ED管,EI管,或通过将这样的管进行切割、电解复合研磨,或者湿式或干式珩磨得到的支承体。可选择地,可以使用通过真空沉积形成铝、铝合金或氧化铟-氧化锡合金的膜的金属支承体或树脂支承体。可以对所述支承体的表面进行切割、表面粗糙化、耐酸铝处理等。
此外,也可以使用通过用导电性颗粒如炭黑、氧化锡颗粒、氧化钛颗粒或银颗粒浸渍树脂得到的支承体,或者含有导电性树脂的塑料支承体。
导电层可以设置在所述支承体和稍后描述的底涂层或电荷产生层之间,用于抑制来自于激光束等的散射的干涉条纹并覆盖支承体的伤痕的目的。该导电层通过使用由将导电性颗粒分散在树脂中得到的导电层用涂布液而形成。
导电性颗粒的例子包括:炭黑,乙炔黑,铝、镍、铁、镍铬合金、铜、锌、银等的金属粉末,和导电性氧化锡或ITO的金属氧化物粉末。
用于导电层的树脂的例子包括聚酯树脂,聚碳酸酯树脂,聚乙烯醇缩丁醛树脂,丙烯酸类树脂,硅酮树脂,环氧树脂,三聚氰胺树脂,聚氨酯树脂,酚醛树脂和醇酸树脂。
在导电层用用涂布液中使用的溶剂的例子包括醚类溶剂,醇类溶剂,酮类溶剂和芳族烃溶剂。
导电层的厚度优选为0.2μm至40μm,更优选为1μm至35μm,进一步优选为从5μm至30μm。
在支承体或导电层与电荷产生层之间可以设置底涂层。
底涂层可以通过如下形成:通过在导电层上施涂含有树脂的底涂层用涂布液而形成涂膜,干燥或固化所述涂膜。
用于底涂层的树脂的实例包括聚丙烯酸,甲基纤维素,乙基纤维素,聚酰胺树脂,聚酰亚胺树脂,聚酰胺酰亚胺树脂,聚酰胺酸树脂,三聚氰胺树脂,环氧树脂,聚氨酯树脂和聚烯烃树脂。用于底涂层的树脂可以是热塑性树脂。具体地,可以适当地使用热塑性聚酰胺树脂或聚烯烃树脂。作为聚酰胺树脂,可以适当地使用可以溶液状态施涂的低结晶性或非结晶性共聚尼龙。聚烯烃树脂可以是可作为颗粒分散液使用的状态。此外,聚烯烃树脂可分散在水性介质中。
底涂层的厚度优选为0.05μm至7μm,并且更优选为0.1μm至2μm。
此外,底涂层可以含有半导电性颗粒、电子输送物质或电子接受物质。
(电荷产生层)
电荷产生层设置在支承体、导电层或底涂层上。
在本发明的电子照相感光构件中使用的电荷产生物质的实例包括偶氮颜料,酞菁颜料,靛蓝颜料和苝颜料。可以单独使用这些电荷产生物质之一,或可一起使用这些的两种以上。在这些物质中,可以特别合适地使用金属酞菁如氧钛酞菁、羟基镓酞菁和氯镓酞菁,因为它们的高感光度。
用于电荷产生层的树脂的实例包括聚碳酸酯树脂,聚酯树脂,丁缩醛树脂,聚乙烯醇缩醛树脂,丙烯酸类树脂,乙酸乙烯酯树脂和脲醛树脂。在这些树脂中,可以特别合适地使用丁缩醛树脂。可单独使用这些树脂之一,或者可以混合物或共聚物的形式使用这些的一种、两种或更多种。
电荷产生层可以通过如下形成:形成通过将电荷产生物质分散在树脂和溶剂中而得到的电荷产生层用涂布液的涂膜,并干燥由此得到的涂膜。可选择地,电荷产生层可以作为电荷产生物质的沉积膜而形成。
作为分散方法,可以采用例如均化器、超声波、球磨机、砂磨机、超微磨碎机或辊磨机的方法。
电荷产生物质和树脂之间的比优选为1:10至10:1(质量比),特别是更优选为1:1至3:1(质量比)。
在电荷产生层用涂布液中使用的溶剂的例子包括醇类溶剂,亚砜类溶剂,酮类溶剂,醚类溶剂,酯类溶剂和芳族烃溶剂。
电荷产生层的厚度优选为5μm以下,更优选为0.1μm至2μm。
此外,根据需要可以将各种试剂如增感剂、抗氧化剂、UV吸收剂和增塑剂添加到电荷产生层。此外,电荷产生层可含有电子输送物质或电子接受物质,这样就不会使电荷在电荷产生层中的流动停滞。
电荷输送层设置在电荷产生层上。
可以向电子照相感光构件的每个层添加各种添加剂。添加剂的例子包括劣化防止剂如抗氧化剂、UV吸收剂或光稳定剂,和细颗粒如有机细颗粒或无机细颗粒。劣化防止剂的例子包括受阻酚系抗氧化剂,受阻胺系光稳定剂,含硫原子抗氧化剂和含磷原子抗氧化剂。有机细颗粒的实例包括聚合物树脂颗粒,如含氟原子树脂颗粒,聚苯乙烯细颗粒和聚乙烯树脂颗粒。无机细颗粒的实例包括金属氧化物如氧化硅和氧化铝的细颗粒。
在施涂各层用涂布液中,可以采用涂布法如浸渍涂布法(浸涂法)、喷涂法、旋涂器涂布法、辊涂法、迈耶棒涂布法或刮刀涂布法。
此外,电荷输送层的表面,即电子照相感光构件的表面层,可以设置有凹凸形状(凹形状和凸形状)。可以由任何已知的方法形成凹凸形状。作为用于形成凹凸形状的方法,包括以下:通过对表面喷砂磨料颗粒形成凹形状的方法;在压力下通过使具有凹凸表面的模具与所述表面接触形成凹凸形状;通过在施涂的表面层用涂布液的涂膜的表面上形成露珠然后干燥所述露珠形成凹形状的方法;和通过用激光束照射表面形成凹形状的方法。在这些方法中,可以适当地采用在压力下通过使具有凹凸表面的模具与电子照相感光构件的表面接触形成凹凸形状的方法。可选择地,可以适当地采用通过在施涂的表面层用涂布液的涂膜的表面上形成露珠然后干燥所述露珠形成凹形状的方法。
(电子照相设备)
图1示出设置有包括本发明的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性结构的例子。
在图1中,附图标记1表示圆筒状电子照相感光构件,其绕轴2沿箭头所示的方向以规定的圆周速度驱动旋转。将由此驱动旋转的电子照相感光构件1的表面通过充电装置3(一次充电装置,如充电辊)均匀地充电至正或负的规定的电位。接着,用从用于狭缝曝光、激光束扫描曝光等的曝光装置(未示出)输出的曝光光4(图像曝光光)照射电子照相感光构件1。以这种方式,在电子照相感光构件1的表面上依次形成对应于期望图像的静电潜像。
通过在由显影装置5所提供的显影剂中包含的调色剂将电子照相感光构件1的表面上形成的静电潜像显影成调色剂图像。随后,通过由转印装置6(例如转印辊)施加的转印偏压将电子照相感光构件1的表面上形成和承载的调色剂图像依次转印到转印材料P(如纸)上。此外,与电子照相感光构件1的旋转同步地将转印材料P从转印材料供给装置(未示出)中取出,供给到电子照相感光构件1和转印装置6之间的部分(接触部分)。
将已转印调色剂图像的转印材料P从电子照相感光构件1的表面分离,引入到定影装置8,在此定影图像,由此,将所得物作为图像形成物(打印或复制的产品)输出到设备外。
转印调色剂图像后,通过清洁装置7(如清洁刮板)清洁电子照相感光构件1的表面,以便除去残留的显影剂(调色剂)。接着,用由预曝光装置(未示出)所发出的预曝光光(未示出)对电子照相感光构件进行除电处理,以便重复用于图像形成。此外,如果充电装置3是使用如图1中所示的充电辊等的接触充电装置,预曝光并不总是必要的。
在例如电子照相感光构件1、充电装置3、显影装置5、转印装置6和清洁装置7的部件中,将一些装在容器中以集成为处理盒。这种处理盒可以构造为可拆卸地设置在电子照相设备如复印机或激光束打印机的主体上。在图1中,电子照相感光构件1、充电装置3、显影装置5和清洁装置7一体化地支承为处理盒,从而提供可以通过使用设置在电子照相设备的主体上的导向装置10如导道可拆卸地设置在电子照相设备的主体的处理盒9。
实施例
现在将参考具体实例更详细地描述本发明。在下列实例中,术语“份”是指“质量份”。
(实施例1)
使用具有直径为24mm和长度为257mm的铝圆筒作为支承体(导电性支承体)。
接着,通过使用10份的SnO2-涂布的硫酸钡颗粒(用作导电性颗粒)、2份氧化钛颗粒(用作用于调节电阻的颜料)、6份酚醛树脂、0.001份硅油(用作流平剂)以及4份甲醇和16份甲氧基丙醇的混合溶剂制备导电层用涂布液。将所述导电层用涂布液浸涂在支承体上,得到涂膜,并使涂膜在140℃下固化(热固化)30分钟,从而形成厚度为15μm的导电层。
接着,通过将3份N-甲氧基甲基化尼龙和3份共聚尼龙溶解在65份甲醇和30份正丁醇的混合溶剂中制备底涂层用涂布液。将底涂层用涂布液浸涂在导电层上,形成涂膜,并将涂膜在100℃下干燥10分钟,由此形成厚度为0.7μm的底涂层。
接着,将10份羟基镓酞菁(在CuKα特性X-射线衍射中,在Bragg角2θ±0.2°为7.5°、9.9°、16.3°、18.6°、25.1°和28.3°具有强峰)作为电荷产生物质添加至溶解在250份环己酮的5份聚乙烯醇缩丁醛树脂(商品名:S-lec BX-1,由Sekisui Chemical Co.,Ltd.制造)的溶液中。通过使用用直径为1mm的玻璃珠的砂磨机设备将得到的溶液在23±3℃的气氛中分散1小时。分散之后,向所得的溶液中添加250份乙酸乙酯,从而制备电荷产生层用涂布液。将电荷产生层用涂布液浸涂在底涂层上形成涂膜,并将涂膜在100℃下干燥10分钟,从而形成厚度为0.26μm的电荷产生层。
接着,通过将6.4份由式(E-1)表示的化合物(用作电荷输送物质)、0.8份由式(E-2)表示的化合物(用作电荷输送物质)、3份如合成例1合成的树脂A(1)、7份以5:5的摩尔比含有由式(C-2)表示的结构单元和由式(C-3)表示的结构单元的树脂C(重均分子量为120,000)和0.03份硅油(KF414,由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)溶解于30份二甲氧基甲烷和50份邻二甲苯的混合溶剂中制备电荷输送层用涂布液。
将该电荷输送层用涂布液浸涂在电荷产生层上,形成涂膜,并将涂膜在120℃下干燥1小时,由此形成厚度为16μm的电荷输送层。经验证由此形成的电荷输送层具有含有树脂A(1)和硅油并且形成在含有电荷传输物质和树脂C的基体中的区域。
以这种方式,制造具有电荷输送层作为表面层的电子照相感光构件。在电荷输送层中含有的硅油和树脂的组成示于表8中。
接下来,将描述评价。
进行关于在制作5,000张的重复使用中引起的亮区电位的变化(电位变化)、在初始阶段和在制作5,000张的重复使用之后得到的扭矩的相对值和在测量扭矩中对电子照相感光构件的表面的观察的评价。
<电位变化的评价>
作为评价设备,使用由Hewlett-Packard制造的激光束打印机Color Laser JETCP4525dn。评价在温度为23℃和相对湿度为50%的环境下进行。设定具有780nm的激光源的评价设备的曝光(图像曝光),使得在电子照相感光构件的表面上可以实现0.37μJ/cm2的光量。电子照相感光构件的表面电位(暗区电位和亮区电位)在用夹具替换显影装置的显影装置的位置处测量,将所述夹具固定以在距电子照相感光构件末端130mm的位置处具有电位测量用探针。将电子照相感光构件未曝光部分的暗区电位设定为-500V,照射激光束以测量从来自暗区电位的光衰减产生的亮区电位。此外,使用A4尺寸的普通纸连续输出5,000张,并评价通过这种连续操作所导致的亮区电位的变化。使用打印率为5%的测试图。结果示于表12中的“电位变化”列。
<扭矩相对值的评价>
在与电位变化的评价所用的相同的条件下,测量电子照相感光构件的旋转马达的驱动电流值(电流值A)。这是在电子照相感光构件和清洁刮板之间引起的接触应力的量的评价。所得到的电流值的大小对应于在电子照相感光构件和清洁刮板之间引起的接触应力的量的大小。
此外,如下制造要在测量扭矩的相对值中用作对照的电子照相感光构件:用以5:5的摩尔比含有由式(C-2)表示的结构单元和由式(C-3)表示的结构单元的树脂C代替用作实施例1的电子照相感光构件的电荷输送层的用树脂的树脂A(1)。除了不使用硅油(KF414)并且单独使用树脂C作为树脂以外,以与实施例1中相同的方式生产电子照相感光构件,并将所得物用作电子照相感光构件的对照。
使用由此产生的对照电子照相感光构件,以与实施例1中相同的方式测量电子照相感光构件的旋转电机的驱动电流值(电流值B)。
计算由此测量的用于含有树脂A1和/或树脂A2的电子照相感光构件的旋转电机的驱动电流值(电流值A)与用于不含树脂A1和树脂A2的电子照相感光构件的旋转电机的驱动电流值(电流值B)之间的比率。将(电流值A)/(电流值B)的计算值比作扭矩相对值。该扭矩相对值对应于在电子照相感光构件和清洁刮板之间引起的接触应力的量的减少程度,并且随着扭矩相对值越小,在电子照相感光构件和清洁刮板之间引起的接触应力的量的减少程度越大。结果示于表12的“初始扭矩的相对值”列。
随后,使用A4尺寸的普通纸连续输出5,000张。使用打印率为5%的测试图。此后,测量在制作5,000张重复使用后达到的扭矩相对值。以与初始扭矩的相对值相同的方式测量在制作5,000张重复使用后达到的扭矩相对值。在这种情况下,也将对照电子照相感光构件用于重复输出5,000张,并使用在重复使用中得到的旋转电机的驱动电流值计算在制作5,000张重复使用后达到的扭矩相对值。结果示于表12的“在制作5,000张重复使用后的扭矩相对值”列。
<基体-区域结构的评价>
在如上所述制造的电子照相感光构件中,用超深度形状测量显微镜VK-9500(由Keyence Corporation制造)观察通过垂直切割电荷输送层得到的电荷输送层的截面。在观察中,物镜的放大倍率设定为50×,观察电子照相感光构件的表面上100μm见方(10,000μm2)的面积作为观察视野,测量在观察视野中形成的并随机选择的100个区域的最大直径。基于得到的最大直径计算平均值作为数均粒径。其结果示于表12中。
(实施例2至44)
除了将硅油改变为如表8中所示的以外,按照与实施例1中相同的方式生产电子照相感光构件,并按照与实施例1中相同的方式评价生产的电子照相感光构件。可以确认,在每个电子照相感光构件的电荷输送层中,在含有电荷输送物质和树脂C的基体中形成了含有树脂A1和硅油的区域。其结果示于表12中。
此外,树脂C的重均分子量为:
(C-2)/(C-3)=5/5(摩尔比):120,000。
(实施例45至53)
除了将电荷输送层中使用的树脂C改变为表8和表9中所示的以外,按照与实施例1中相同的方式生产电子照相感光构件,并按照与实施例1中相同的方式评价生产的电子照相感光构件。可以确认,在每个电子照相感光构件的电荷输送层中,在含有电荷输送物质和树脂C的基体中形成了含有树脂A1和硅油的区域。其结果示于表12和表13中。
此外,树脂C的重均分子量如下:
(C-10):100,000;
(C-5):110,000;
(C-2)/(C-5)=3/7(摩尔比):110,000;
(C-2)/(C-10)=7/3(摩尔比):120,000;
(C-16):140,000;
(C-19):160,000;
(C-24):130,000;
(C-25):140,000;和
(C-26):130,000。
(实施例54至144)
除了将树脂A1、树脂C和硅油改变为表9和表10中所示的以外,按照与实施例1中相同的方式生产电子照相感光构件,并按照与实施例1中相同的方式评价生产的电子照相感光构件。可以确认,在每个电子照相感光构件的电荷输送层中,在含有电荷输送物质和树脂C的基体中形成了含有树脂A1和硅油的区域。其结果示于表13和表14中。
此外,树脂C的重均分子量如下:
(C-4):100,000;和
(C-18):140,000。
(比较例1)
除了不使用树脂A(1)和硅油(KF414),而代替使用以5:5的摩尔比含有由式(C-2)表示的结构单元和由式(C-3)表示的结构单元的树脂C以外,按照与实施例1中相同的方式生产电子照相感光构件。由于该电子照相感光构件的电荷输送层不含树脂A1、树脂A2和硅油,在电荷输送层中没有发现基体-区域结构。以与实施例1中相同的方式评价电子照相感光构件。其结果示于表15中。
(比较例2至29)
除了将树脂C和硅油改变为表11中所示的以外,按照与比较例1中相同的方式生产电子照相感光构件。因为每个这些电子照相感光构件的电荷输送层不含树脂A1和树脂A2,在电荷输送层中没有发现基体-区域结构。以与实施例1中相同的方式评价电子照相感光构件。其结果示于表15中。
(比较例30)
除了用二甲基聚硅氧烷(KF96,由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)代替硅油以外,按照与实施例1中相同的方式生产电子照相感光构件。据验证,在基体中形成了区域。按照与实施例1中相同的方式评价电子照相感光构件。其结果示于表15中。此外,二甲基聚硅氧烷是具有由式(O-1)表示的结构单元的化合物,但没有特定的取代基如具有2至30个碳原子的烷基、聚醚基、芳烷基、环氧基和烯丙基。
(比较例31至35)
除了将比较例30的树脂A1、树脂C和硅油的含量改变为表11中所示的以外,按照与比较例30中相同的方式生产电子照相感光构件。经验证,在每个这些电子照相感光构件中在基体中形成了区域。按照与实施例1中相同的方式评价电子照相感光构件。其结果示于表15中。
(表8)
(表9)
(表10)
表8至11中的“树脂A”意指具有由式(A-1)表示的结构单元和由式(B)表示的结构单元的树脂A1,或者具有由式(A-2)表示的结构单元和由式(B)表示的结构单元的树脂A2。表8至11中的“树脂C”意指具有由式(C)表示的结构单元的树脂C。表8至11中的“树脂A/树脂C的混合比”表示树脂A和树脂C的混合比(质量比)。表8至11中的“硅油”意指具有由式(O-1)表示的结构单元和选自由具有2至30个碳原子的烷基、聚醚基、芳烷基、环氧基和烯丙基组成的组的至少一种基团的硅油,或KF96。表8至表11中的“硅油相对于树脂A的质量%”意指在每个电荷输送层中含有的硅油相对于在所述电荷输送层中含有的树脂A1和树脂A2的总质量以质量%计的比率。
(表11)
(表12)
(表13)
(表14)
(表15)
基于实施例和比较例1-29之间的比较,在各比较例中不能实现持续缓和接触应力的效果,因为电荷输送层既不包含树脂A1也不包含树脂A2。这揭示了因为在上述进行的评价中在初始阶段和输出5,000张之后,扭矩没有降低。
基于实施例和比较例2-29之间的比较,在各比较例中不能实现抑制电位变化的效果,因为电荷输送层既不包括树脂A1也不包括树脂A2。此外,由于几乎没有形成区域,暗示硅油已经移动到表面和与电荷产生层的界面,因为电荷输送层既不包含树脂A1也不包含树脂A2。似乎由此已经移动到与电荷产生层的界面的硅油形成了电荷移动的阻碍,因此不能充分地抑制电位变化。
基于实施例和比较例30-35之间的比较,虽然在每个比较例中可以显示持续缓和接触应力的效果,但是电位变化大。此外,在各比较例中发现基体-区域结构。因此,暗示KF96没有保留在区域中,尽管KF96与树脂A1、树脂A2和树脂C一起形成了基体-区域结构。可能是因为KF96不具有本发明的硅油的结构,与树脂A1和树脂A2的亲和性如此低,使得KF96已经移动到表面和与电荷产生层的界面。
基于这些结果,似乎在本发明中可以显示持续缓和接触应力并抑制电位变化的效果,因为硅油与树脂A1和A2之间的亲和性如此高,使得硅油可以保留在区域内。
虽然参照示例性实施方案已经描述了本发明,但是应当理解,本发明并不限于所公开的示例性实施方案。以下的权利要求的范围符合最宽的解释,以涵盖所有这类修改以及等同结构和功能。

Claims (10)

1.一种电子照相感光构件,其包括:支承体;在所述支承体上形成的电荷产生层;和在所述电荷产生层上形成的电荷输送层;
其中,所述电荷输送层是所述电子照相感光构件的表面层,
其特征在于,所述电荷输送层具有基体-区域结构,所述基体-区域结构具有:
区域,所述区域包含:具有由下式(O-1)表示的结构单元和选自由具有2至30个碳原子的烷基、聚醚基、芳烷基、环氧基和烯丙基组成的组的至少一种基团的硅油;和以下树脂:具有由下式(A-1)表示的结构单元和由下式(B)表示的结构单元的树脂A1,或者具有由下式(A-2)表示的结构单元和由下式(B)表示的结构单元的树脂A2;以及
基体,所述基体包含:具有由下式(C)表示的结构单元的树脂C;和电荷输送物质;
其中
由式(A-1)表示的结构单元和由式(A-2)表示的结构单元的含量基于所述树脂A1和所述树脂A2的总质量为10质量%至40质量%,
其中,
m11表示0或1,
X11表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团,
Z11和Z12各自独立地表示具有1至4个碳原子的亚烷基,
R11至R14各自独立地表示具有1至4个碳原子的烷基,或苯基,并且
n11表示括号内的结构的重复数,并且在所述树脂A1中的n11的平均值在20至150的范围内,
其中,
m31表示0或1,
X31表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团,
Y31表示单键、亚甲基、乙叉基、丙叉基、环己叉基、苯基亚甲基、苯基乙叉基或氧原子,并且
R31至R38各自独立地表示氢原子或甲基,
其中
m21表示0或1,
X21表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团,
Z21至Z23各自独立地表示具有1至4个碳原子的亚烷基,
R16至R27各自独立地表示具有1至4个碳原子的烷基,或苯基,并且
n21、n22和n23各自独立地表示括号内的结构的重复数,在所述树脂A2中的n21的平均值在1至10的范围内,在所述树脂A2中的n22的平均值在1至10的范围内,并且在所述树脂A2中的n23的平均值在20至200的范围内,
其中,
m41表示0或1,
X41表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团,
Y41表示单键、亚甲基、乙叉基、丙叉基、环己叉基、苯基亚甲基、苯基乙叉基或氧原子,并且
R41至R48各自独立地表示氢原子或甲基。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中在所述电荷输送层中的所述硅油的含量基于所述树脂A1和所述树脂A2的总质量为1质量%至50质量%。
3.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述硅油具有选自由以下组成的组的至少一种基团:具有3至25个碳原子的烷基、具有由(C2H4O)a(C3H6O)b表示的结构的聚醚基、1-苯乙基、2-苯乙基、2-甲基-2-苯乙基、1-苯基异丙基、2-苯基异丙基、3,4-环氧基丁基、7,8-环氧基辛基、9,10-环氧基癸基、缩水甘油基氧基丙基和2-(3,4-环氧基环己基)乙基,其中a和b各自表示括号内的结构的重复数,并且各自独立地在3至350的范围内。
4.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述硅油的含量基于在所述电荷输送层中含有的所有树脂的总质量为0.1质量%至20质量%。
5.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述电荷输送物质是选自由三芳基胺化合物、腙化合物、丁二烯化合物和烯胺化合物组成的组的至少一种。
6.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述电荷输送物质的含量基于所述电荷输送层的总质量为25质量%至70质量%。
7.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述树脂A1和所述树脂A2的总含量基于在所述电荷输送层中含有的所有树脂的总质量为5质量%至50质量%。
8.一种处理盒,其可拆卸地安装到电子照相设备的主体上,其特征在于,所述处理盒一体化地支承:
根据权利要求1至7任一项所述的电子照相感光构件,和
选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组的至少一种装置。
9.一种电子照相设备,其特征在于,其包括:根据权利要求1至7任一项所述的电子照相感光构件;和充电装置、曝光装置、显影装置和转印装置。
10.一种电子照相感光构件的生产方法,所述电子照相感光构件包括支承体、在所述支承体上形成的电荷产生层和在所述电荷产生层上形成的电荷输送层,所述电荷输送层是所述电子照相感光构件的表面层,其特征在于,所述方法包括:
制备电荷输送层用涂布液,所述电荷输送层用涂布液含有:
具有由下式(O-1)表示的结构单元和选自由具有2至30个碳原子的烷基、聚醚基、芳烷基、环氧基和烯丙基组成的组的至少一种基团的硅油;和
以下树脂:具有由下式(A-1)表示的结构单元和由下式(B)表示的结构单元的树脂A1,或者具有由下式(A-2)表示的结构单元和由下式(B)表示的结构单元的树脂A2;
具有由下式(C)表示的结构单元的树脂C;和
电荷输送物质;并且
通过形成所述电荷输送层用涂布液的涂膜并干燥所述涂膜来形成所述电荷输送层,
其中由式(A-1)表示的结构单元和由式(A-2)表示的结构单元的含量基于所述树脂A1和所述树脂A2的总质量为10质量%至40质量%,
其中,
m11表示0或1,
X11表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团,
Z11和Z12各自独立地表示具有1至4个碳原子的亚烷基,
R11至R14各自独立地表示具有1至4个碳原子的烷基,或苯基,并且
n11表示括号内的结构的重复数,并且在所述树脂A1中的n11的平均值在20至150的范围内,
其中,
m31表示0或1,
X31表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团,
Y31表示单键、亚甲基、乙叉基、丙叉基、环己叉基、苯基亚甲基、苯基乙叉基或氧原子,并且
R31至R38各自独立地表示氢原子或甲基,
其中
m21表示0或1,
X21表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团,
Z21至Z23各自独立地表示具有1至4个碳原子的亚烷基,
R16至R27各自独立地表示具有1至4个碳原子的烷基,或苯基,并且
n21、n22和n23各自独立地表示括号内的结构的重复数,在所述树脂A2中的n21的平均值在1至10的范围内,在所述树脂A2中的n22的平均值在1至10的范围内,并且在所述树脂A2中的n23的平均值在20至200的范围内,
其中,
m41表示0或1,
X41表示邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、具有经亚甲基键合的两个对亚苯基的二价基团、或具有经氧原子键合的两个对亚苯基的二价基团,
Y41表示单键、亚甲基、乙叉基、丙叉基、环己叉基、苯基亚甲基、苯基乙叉基或氧原子,并且
R41至R48各自独立地表示氢原子或甲基。
CN201310626464.9A 2012-11-30 2013-11-28 电子照相感光构件及其生产方法、处理盒和电子照相设备 Active CN103852984B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-263257 2012-11-30
JP2012263257 2012-11-30
JP2013-224422 2013-10-29
JP2013224422A JP6198571B2 (ja) 2012-11-30 2013-10-29 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、及び電子写真装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103852984A CN103852984A (zh) 2014-06-11
CN103852984B true CN103852984B (zh) 2017-01-18

Family

ID=49596145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310626464.9A Active CN103852984B (zh) 2012-11-30 2013-11-28 电子照相感光构件及其生产方法、处理盒和电子照相设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9034545B2 (zh)
EP (1) EP2738610B1 (zh)
JP (1) JP6198571B2 (zh)
KR (1) KR20140070397A (zh)
CN (1) CN103852984B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6427026B2 (ja) 2014-03-26 2018-11-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジ、及び電子写真装置
JP6427024B2 (ja) 2014-03-26 2018-11-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、および電子写真装置
US9684277B2 (en) 2014-11-19 2017-06-20 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and image-forming method
JP6588731B2 (ja) 2015-05-07 2019-10-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US9864285B2 (en) 2015-06-25 2018-01-09 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP6584177B2 (ja) * 2015-07-10 2019-10-02 キヤノン株式会社 画像形成方法および電子写真装置
JP6639256B2 (ja) 2016-02-10 2020-02-05 キヤノン株式会社 電子写真装置、およびプロセスカートリッジ
JP6888517B2 (ja) * 2017-10-27 2021-06-16 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 ポリアリレート樹脂及び電子写真感光体
JP7046571B2 (ja) 2017-11-24 2022-04-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7187270B2 (ja) 2017-11-24 2022-12-12 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7057104B2 (ja) 2017-11-24 2022-04-19 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置
US11320754B2 (en) 2019-07-25 2022-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
US11573499B2 (en) 2019-07-25 2023-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
JP2023131675A (ja) 2022-03-09 2023-09-22 キヤノン株式会社 電子写真装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102099750A (zh) * 2008-07-18 2011-06-15 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
JP4975181B2 (ja) * 2010-09-14 2012-07-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
CN102782586A (zh) * 2009-12-09 2012-11-14 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0288639A (ja) 1988-09-27 1990-03-28 Shin Etsu Chem Co Ltd オルガノポリシロキサン化合物
JPH0798863B2 (ja) 1990-02-08 1995-10-25 信越化学工業株式会社 オルガノポリシロキサンの製造方法
US5206328A (en) 1990-02-08 1993-04-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Process for the production of an organopolysiloxane
US5256754A (en) 1990-10-31 1993-10-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Hydrogenpolysiloxanes and methods of making
JP2715652B2 (ja) 1990-10-31 1998-02-18 信越化学工業株式会社 ハイドロジェンポリシロキサンの製造方法
JP2751622B2 (ja) 1990-10-31 1998-05-18 信越化学工業株式会社 オルガノポリシロキサン及びその製造方法
JP3604255B2 (ja) * 1997-04-03 2004-12-22 株式会社リコー 電子写真感光体
JP2002229247A (ja) * 2001-02-06 2002-08-14 Ricoh Co Ltd 画像形成方法
JP4847245B2 (ja) 2005-08-15 2011-12-28 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2007078948A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Konica Minolta Business Technologies Inc 電子写真感光体、画像形成装置、プロセスカートリッジ、カラー画像形成装置
US7504187B2 (en) * 2005-09-15 2009-03-17 Xerox Corporation Mechanically robust imaging member overcoat
JP4944591B2 (ja) * 2005-12-28 2012-06-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP5319218B2 (ja) 2008-09-12 2013-10-16 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP5089816B2 (ja) * 2011-04-12 2012-12-05 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
JP5089815B2 (ja) 2011-04-12 2012-12-05 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
JP5911459B2 (ja) 2012-09-28 2016-04-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジ、および電子写真装置
JP2014130329A (ja) * 2012-11-30 2014-07-10 Canon Inc 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、および電子写真装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102099750A (zh) * 2008-07-18 2011-06-15 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
CN102782586A (zh) * 2009-12-09 2012-11-14 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
JP4975181B2 (ja) * 2010-09-14 2012-07-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9034545B2 (en) 2015-05-19
US20140154617A1 (en) 2014-06-05
EP2738610A1 (en) 2014-06-04
EP2738610B1 (en) 2016-02-03
JP6198571B2 (ja) 2017-09-20
KR20140070397A (ko) 2014-06-10
CN103852984A (zh) 2014-06-11
JP2014130330A (ja) 2014-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103852984B (zh) 电子照相感光构件及其生产方法、处理盒和电子照相设备
EP2738613B1 (en) Electrophotographic photosensitive member, method for producing electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
EP2646877B1 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, electrophotographic apparatus, and method of manufacturing electrophotographic photosensitive member
US8753789B2 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, electrophotographic apparatus, and method of manufacturing electrophotographic photosensitive member
CN103713484B (zh) 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
US8815479B2 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, electrophotographic apparatus, and method of manufacturing electrophotographic photosensitive member
KR101442443B1 (ko) 전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진 감광 부재의 제조 방법
US9507283B2 (en) Electrophotographic photosensitive member, method of producing electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
CN104169804A (zh) 电子照相感光构件的制造方法和电荷输送层用乳液
JP6427026B2 (ja) 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジ、及び電子写真装置
JP7467210B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2013195439A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、および電子写真装置
JP6850201B2 (ja) 電子写真装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant