CN103839987A - 功率器件-mpt-ti-igbt的结构及其制备方法 - Google Patents
功率器件-mpt-ti-igbt的结构及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103839987A CN103839987A CN201310085533.XA CN201310085533A CN103839987A CN 103839987 A CN103839987 A CN 103839987A CN 201310085533 A CN201310085533 A CN 201310085533A CN 103839987 A CN103839987 A CN 103839987A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- region
- reach
- micro
- mpt
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7398—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with both emitter and collector contacts in the same substrate side
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供了一种功率器件-MPT-TI-IGBT的结构，正面结构包括漂移区、栅极、栅氧、发射区、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区、及重掺杂区，所述发射区和重掺杂区与发射极连接，所述发射区和漂移区与栅极连接，所述栅极通过栅氧与半导体区域绝缘；背面结构包括集电区、短路区、及位于漂移区下方的微穿通区，所述集电区和短路区相间分布的结构与集电极金属相连引出集电极。本发明提供的一种功率器件-MPT-TI-IGBT不仅关断速度快，而且可以降低器件的导通压降及通态损耗。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件，特别涉及一种功率器件-MPT-TI-IGBT的结构及其制备方法。
背景技术
VDMOS器件的背面是N型半导体，属于单极器件，开关速度快，但是随着耐压的增加，器件的导通压降迅速增大。IGBT器件的背面是P型半导体，在导通时P型集电极会注入大量的空穴，从而发生电导调制效应，降低了导通压降。但另一方面由于注入了大量少子，器件关断时需要将过剩的少子复合掉，这导致器件关断较慢。传统的技术是以比较厚的硅片为基础的，在关断期间整个衬底中电场强度线性下降，最后到零。这种电场分布对应的杂质浓度分布是一种很差的分布，意味着导通状态下导通电阻相当大，器件的饱和压降VCE较高，通态损耗大。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种关断速度快、功耗小的功率器件-MPT-TI-IGBT的结构及其制备方法
为解决上述技术问题，本发明提供了一种功率器件-MPT-TI-IGBT的结构，正面结构包括漂移区、栅极、栅氧、发射区、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区、及重掺杂区，所述发射区和重掺杂区分别与发射极连接，所述发射区和漂移区分别与栅极连接，所述栅极通过栅氧与半导体区域绝缘；背面结构包括集电区、短路区、及位于漂移区下方的微穿通区，所述集电区和短路区相间分布的结构与集电极金属相连引出集电极。
本发明还提供了一种功率器件-MPT-TI-IGBT的制备方法：在完成器件的正面结构后，先在漂移区下面制备微穿通区，然后通过两次光刻，注入P型掺杂或N型掺杂，制作集电区和短路区，最后背面金属化形成集电极金属。
所述制备微穿通区包括：在P型衬底上外延一层微穿通区。
所述制备微穿通区包括：先取N型衬底半导体做为漂移区，然后减薄后从背面注入第一导电类型的杂质，并扩散形成微穿通区。
所述制备微穿通区包括：先完成器件的正面工艺，将硅片从背面减薄后，从背面注入第一导电类型的杂质，并扩散形成微穿通区。
制备功率器件-MPT-TI-IGBT的另一种方法：在完成器件的正面结构后，在漂移区下面制备微穿通区后先整体注入P型掺杂或N型掺杂，然后掩膜，光刻掉部分区域的Si至杂质射程外的深度后，再注入N型掺杂或P型掺杂后退火形成短路区或集电区，最后背面金属化形成集电极金属。
所述制备微穿通区包括：在P型衬底上外延一层微穿通区。
所述制备微穿通区包括：先取N型衬底半导体做为漂移区，然后减薄后从背面注入N型掺杂并扩散形成微穿通区。
所述制备微穿通区包括：先完成器件的正面工艺，将硅片从背面减薄后，从背面注入第一导电类型的杂质，并扩散形成微穿通区。
本发明提供的功率器件-MPT-TI-IGBT，在功率器件TI-IGBT的基础上，采用了MPT技术，即在集电极与漂移区之间加入第一导电类型的微穿通区，可以使功率器件TI-IGBT的电压阻断能力与衬底厚度不再有关系，基区可以明显减薄，这就使得IGBT具有更低的导通电阻、饱和压降、以及更低的通态损耗。而且又能降低该发射结的注入系数，以抑制“晶闸管效应”，同时，在硬开关应用时，微穿通区还具有另一个优越性，即它能比传统IGBT关断更快，基本没有电流拖尾，这就减少了功率损耗，因为电流拖尾造成的功耗在总开关损耗中占有不少比例。
附图说明
图1为本发明实施例提供的功率器件MPT-TI-IGBT的平面型结构示意图。
图2为本发明实施例提供的功率器件MPT-TI-IGBT的沟槽型结构示意图。
图3为本发明实施例一提供的制备功率器件MPT-TI-IGBT步骤中用掩膜定义光刻胶形状后注入N型掺杂（或P型掺杂）的示意图。
图4为本发明实施例一提供的制备功率器件MPT-TI-IGBT步骤中去胶退火后形成第一（或第二）导电类型的短路区（或集电区）的示意图。
图5为本发明实施例一提供的制备功率器件MPT-TI-IGBT步骤中用掩膜定义光刻胶形状后注入P型掺杂（或N型掺杂）的示意图。
图6为本发明实施例一提供的制备功率器件MPT-TI-IGBT步骤中去胶退火后形成第二（或第一）导电类型的集电区（或短路区）的示意图。
图7为本发明实施例一提供的制备功率器件MPT-TI-IGBT步骤中背面金属化示意图。
图8为本发明实施例二提供的制备功率器件MPT-TI-IGBT步骤中整个硅片背面注入P型掺杂（或N型掺杂）的示意图。
图9为本发明实施例二提供的制备功率器件MPT-TI-IGBT步骤中退火后在整个硅片上形成第一（或第二）导电类型的短路区（或集电区）的示意图。
图10为本发明实施例二提供的制备功率器件MPT-TI-IGBT步骤中用掩膜定义光刻胶并在硅片部分区域保留短路区（或集电区）的示意图。
图11为本发明实施例二提供的制备功率器件MPT-TI-IGBT步骤中注入N型掺杂（或P型掺杂）后去胶退火形成第二（或第一）导电类型的集电区（或短路区）的示意图。
图12为本发明实施例二提供的制备功率器件MPT-TI-IGBT步骤中背面金属化的示意图。
具体实施方式
参见图1，本发明实施例提供的一种功率器件MPT-TI-IGBT的结构，正面结构包括漂移区106、栅极101、栅氧102、发射区104、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区103、及重掺杂区105，发射区104和重掺杂区105分别与发射极连接，发射区104和漂移区106分别与栅极101连接，栅极101为平面栅，位于半导体表面，栅极101通过栅氧102与半导体区域绝缘；背面结构包括集电区109、短路区108、及位于漂移区106下方的微穿通区107，集电区109和短路区108相间分布的结构与集电极金属相连引出集电极。
参见图2，栅极101也可位于沟槽内部，通过热氧化生长在沟槽侧壁的栅氧102与底部的二氧化硅薄层一起将栅极101与半导体区域绝缘。
本发明提供的功率器件-MPT-TI-IGBT的制备方法：通过常规工艺完成器件的正面结构后，先在漂移区106下面制备微穿通区，然后通过两次光刻，分别刻出集电区109窗口和短路区108窗口，再分别注入N型掺杂（或P型掺杂）后退火形成短路区108和集电区109，最后背面金属化；也可以先整体注入P型掺杂（或N型掺杂），然后掩膜，光刻掉部分区域的Si至杂质射程外的深度后，再注入N型掺杂（或P型掺杂）后退火形成短路区108或集电区109，最后背面金属化。
实施例一：
正面工艺完成后将硅片从背面减薄后，在漂移区106下面形成微穿通层107；
参见图3，用掩膜定义光刻胶402形状后注入N型掺杂（或P型掺杂）401；
参见图4，去胶退火后形成第一（或第二）导电类型的短路区108（或集电区109）；
参见图5，用掩膜定义光刻胶404形状后注入P型掺杂（或N型掺杂）403；
参见图6，去胶退火后形成第二（或第一）导电类型的集电区109（或短路区108）；
参见图7，最后背面金属化，形成集电极金属301。
实施例二：
正面工艺完成后将硅片从背面减薄后，在漂移区106下面形成微穿通层107；
参见图8，整个硅片背面注入N型掺杂（或P型掺杂）401；
参见图9，退火后在整个硅片上形成第一（或第二）导电类型的短路区108（或集电区109）；
参见图10，用掩膜定义光刻胶并刻蚀掉部分注入杂质404的第一（或第二）导电类型的短路区108（或集电区109），只在硅片部分区域保留第一（或第二）导电类型的短路区108（或集电区109）；
参见图11，注入P型掺杂（或N型掺杂）403后去胶退火形成第二（或第一）导电类型的集电区109（或短路区108），注入杂质后退火形成短路区108（或集电区109）；
参见图12，最后背面金属化，形成集电极金属301。
其中，制备微穿通区可以有如下三种方案：
方案一、外延
在P型衬底上外延一层微穿通区107，然后再进行其它的工艺。
方案二、正面工艺前通过背面注入形成
先取N型衬底半导体做为漂移区106，然后减薄后从背面注入N型掺杂并扩散形成微穿通区107。
方案三、正面工艺完成后通过背面注入形成
先完成正面的器件工艺，将硅片从背面减薄后，从背面注入N型掺杂并扩散形成微穿通区107。
本发明提供的一种MPT-TI-IGBT器件，一方面是在集电区109和短路区108与漂移区106之间加入微穿通区107，它是通过高能离子注入形成的，其掺杂浓度比漂移区106的浓度高，使得电场在其中的分布呈斜角梯形分布，衬底的电场强度在这微穿通区107中基本降到零，从而使IGBT的电压阻断能力与衬底厚度不再有关系，基区103可以明显减薄，这就使得IGBT具有更低的导通电阻、饱和压降、以及更低的通态损耗；并且又能降低该发射极的注入系数，以抑制“晶闸管效应”；同时，在硬开关应用时，微穿通区107还具有另一个优越性，即它能比传统IGBT关断更快，基本没有电流拖尾，这就减少了功率损耗，因为电流拖尾造成的功耗在总开关损耗中占有不少比例。
最后所应说明的是，以上具体实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照实例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (9)
1.一种功率器件-MPT-TI-IGBT的结构，其特征在于：正面结构包括漂移区、栅极、栅氧、发射区、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区、及重掺杂区，所述发射区和重掺杂区分别与发射极连接，所述发射区和漂移区分别与栅极连接，所述栅极通过栅氧与半导体区域绝缘；背面结构包括集电区、短路区、及位于漂移区下方的微穿通区，所述集电区和短路区相间分布的结构与集电极金属相连引出集电极。
2.一种权利要求1所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制备方法，其特征在于，包括：在完成器件的正面结构后，先在漂移区下面制备微穿通区，然后通过两次光刻，注入P型掺杂或N型掺杂，制作集电区和短路区，最后背面金属化形成集电极金属。
3.根据权利要求2所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制备方法，其特征在于，所述制备微穿通区包括：
在P型衬底上外延一层微穿通区。
4.根据权利要求2所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制备方法，其特征在于，所述制备微穿通区包括：
先取N型衬底半导体作为漂移区，然后减薄后从背面注入第一导电类型的杂质，并扩散形成微穿通区。
5.根据权利要求2所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制备方法，其特征在于，所述制备微穿通区包括：
先完成器件的正面工艺，将硅片从背面减薄后，从背面注入第一导电类型的杂质，并扩散形成微穿通区。
6.一种权利要求1所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制备方法，其特征在于，包括：在完成器件的正面结构后，先在漂移区下面制备微穿通区，整体注入P型掺杂或N型掺杂，然后掩膜，光刻掉部分区域的Si至杂质射程外的深度后，再注入N型掺杂或P型掺杂后退火形成短路区或集电区，最后背面金属化。
7.根据权利要求6所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制备方法，其特征在于，所述制备微穿通区包括：
在P型衬底上外延一层微穿通区。
8.根据权利要求6所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制备方法，其特征在于，所述制备微穿通区包括：
先取N型衬底半导体做为漂移区，然后减薄后从背面注入第一导电类型杂质，并扩散形成微穿通区。
9.根据权利要求6所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制备方法，其特征在于，所述制备微穿通区包括：
先完成器件的正面工艺，将硅片从背面减薄后，从背面注入第一导电类型的杂质，并扩散形成微穿通区。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310085533.XA CN103839987A (zh) | 2012-11-23 | 2013-03-18 | 功率器件-mpt-ti-igbt的结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210482780 | 2012-11-23 | ||
| CN201210482780.9 | 2012-11-23 | ||
| CN201310085533.XA CN103839987A (zh) | 2012-11-23 | 2013-03-18 | 功率器件-mpt-ti-igbt的结构及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103839987A true CN103839987A (zh) | 2014-06-04 |
Family
ID=50803307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310085533.XA Pending CN103839987A (zh) | 2012-11-23 | 2013-03-18 | 功率器件-mpt-ti-igbt的结构及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103839987A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105489636A (zh) * | 2014-10-13 | 2016-04-13 | 南京励盛半导体科技有限公司 | 一种半导体功率器件的背面结构 |
| CN109087945A (zh) * | 2018-08-22 | 2018-12-25 | 苏州达晶微电子有限公司 | 一种igbt的制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5891776A (en) * | 1995-05-22 | 1999-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming insulated-gate semiconductor devices using self-aligned trench sidewall diffusion techniques |
| CN1362744A (zh) * | 2000-12-27 | 2002-08-07 | 株式会社东芝 | 半导体器件 |
| CN1577884A (zh) * | 2003-07-24 | 2005-02-09 | 三菱电机株式会社 | 绝缘栅型双极晶体管及其制造方法以及变流电路 |
| CN102203945A (zh) * | 2008-11-05 | 2011-09-28 | Abb技术有限公司 | 反向导通半导体装置 |
-
2013
- 2013-03-18 CN CN201310085533.XA patent/CN103839987A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5891776A (en) * | 1995-05-22 | 1999-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming insulated-gate semiconductor devices using self-aligned trench sidewall diffusion techniques |
| CN1362744A (zh) * | 2000-12-27 | 2002-08-07 | 株式会社东芝 | 半导体器件 |
| CN1577884A (zh) * | 2003-07-24 | 2005-02-09 | 三菱电机株式会社 | 绝缘栅型双极晶体管及其制造方法以及变流电路 |
| CN102203945A (zh) * | 2008-11-05 | 2011-09-28 | Abb技术有限公司 | 反向导通半导体装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105489636A (zh) * | 2014-10-13 | 2016-04-13 | 南京励盛半导体科技有限公司 | 一种半导体功率器件的背面结构 |
| CN105489636B (zh) * | 2014-10-13 | 2019-01-18 | 南京励盛半导体科技有限公司 | 一种半导体功率器件的背面结构 |
| CN109087945A (zh) * | 2018-08-22 | 2018-12-25 | 苏州达晶微电子有限公司 | 一种igbt的制造方法 |
| CN109087945B (zh) * | 2018-08-22 | 2021-11-26 | 苏州达晶微电子有限公司 | 一种igbt的制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107623027B (zh) | 一种沟槽栅电荷储存型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 | |
| CN105789290B (zh) | 一种沟槽栅igbt器件及其制造方法 | |
| CN109830532A (zh) | 超结igbt器件及其制造方法 | |
| CN102683403A (zh) | 一种沟槽栅电荷存储型igbt | |
| CN107731898B (zh) | 一种cstbt器件及其制造方法 | |
| CN108461537B (zh) | 一种沟槽栅电荷存储型igbt及其制作方法 | |
| CN105789289B (zh) | 一种双向igbt器件及其制造方法 | |
| CN109065607A (zh) | 一种双极型功率半导体器件及其制备方法 | |
| CN108321193A (zh) | 一种沟槽栅电荷存储型igbt及其制作方法 | |
| CN110504310A (zh) | 一种具有自偏置pmos的ret igbt及其制作方法 | |
| CN108682688A (zh) | 一种具有三维沟道的复合栅igbt芯片 | |
| CN102306657A (zh) | 一种具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管 | |
| CN103855206A (zh) | 绝缘栅双极晶体管及其制造方法 | |
| CN103681817B (zh) | Igbt器件及其制作方法 | |
| CN109509784A (zh) | 一种多次外延的超结终端结构及其制作方法 | |
| CN109887990A (zh) | 超结igbt器件及其制造方法 | |
| CN110504313B (zh) | 一种横向沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN103839987A (zh) | 功率器件-mpt-ti-igbt的结构及其制备方法 | |
| CN203871337U (zh) | 沟槽型igbt器件 | |
| CN103839988A (zh) | Empt-ti-igbt器件的结构及其制备方法 | |
| CN105702720B (zh) | 一种绝缘栅双极型晶体管的关断性能提升方法 | |
| CN108376713A (zh) | 一种具有超结结构的半导体器件及其制作方法 | |
| CN105576022B (zh) | 具有超结结构的半导体器件及其制备方法 | |
| CN103779404B (zh) | P沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管 | |
| US10658496B2 (en) | High-speed superjunction lateral insulated gate bipolar transistor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20140604 |