CN103818958A - 一种提高yvo4晶体生长质量的原料合成方法 - Google Patents
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Abstract
一种提高YVO4晶体生长质量的原料合成方法，针对传统晶体生长中原料合成因素导致晶体出现生长纹的问题利用大半径离子La3+替代Y3+进入晶格后所形成的张力可减小该离子Y3+附近刃型位错的应变能，从而可在一定程度上抑制位错的迁移和重排，即抑制小角度晶界的形成，可以有效改善纯YVO4晶体的光学均匀性，获得高光学质量、较大尺寸、物理性能优良的YVO4。
Description
技术领域
本发明涉及晶体生长领域，特别是一种提高YVO4晶体生长质量的原料合成方法。
背景技术
YVO4晶体是一种优秀的双折射光学晶体，在可见及近红外很宽的波段范围内有良好的透光性，较大的折射率值及双折射率差。与其它重要的双折射晶体相比,YVO4晶体比冰洲石硬度高，机械加工性能好，不溶于水，并可人工生长；YVO4晶体也比金红石易于生长出大块优质晶体，价格大大低于金红石。这些优异特性使YVO4晶体迅速成为新型的双折射光学材料，在光电产业中得到广泛的应用。在光纤通讯设备中，就需要大量的由YVO4晶体制造的各种分光、偏光元件，如光隔离器、环形器、光分束器、及格兰系列偏光器等。YVO4晶体与金红石等晶体组合，还可以得到理想的温度补偿效果，大大提高光通讯系统的温度稳定。
在晶体生长中，影响晶体质量最关键的因素是晶体内部生长纹，因为Y3+离子半径小，因此在Y3+离子附近形成刃型位错造成了晶体内部生长纹，本发明通过在原料中添加L a3+离子，利用大半径离子La3+替代Y3+进入晶格后所形成的张力可减小该离子Y3+附近刃型位错的应变能，从而可在一定程度上抑制位错的迁移和重排，即抑制小角度晶界的形成，可以有效改善纯YV04晶体的光学均匀性，获得高光学质量、较大尺寸、物理性能优良的YV04。
发明内容
针对传统原料合成方法存在的问题，本发明采用的技术如下：一种提高YVO4晶体生长质量的原料合成方法,采用步骤如下：依据配比浓度在蒸馏水中加入浓硝酸并煮沸，加入Y2O3 粉末同时称量一定量的NH4VO3粉末加入蒸馏水中煮沸搅拌后加入La2O3粉末，将两种溶液混合后不断搅拌，搅拌同时加入浓氨水来控制溶液的pH值，混合反应完全后将溶液静置沉淀得到的沉淀物烘干烧结成原料，所述加入浓氨水控制溶液反应完全时的pH值在7~7.6之间。
具体实施方式
实施例一：步骤1.在电子天平上称量Y2O3 和 NH4VO3 。
步骤2.两只5000ml烧杯(A 和B)，往A中放入搅拌磁子，加入2000ml蒸馏水，根据合成浓度（表1）加入浓HNO3，加热至沸。沸腾后将A移到搅拌器上，搅拌，接着缓慢加入Y2O3 粉末，待溶液澄清透明后，再往A中倒入蒸馏水到3000ml。
步骤3.烧杯中加入3000 ml蒸馏水，加热至沸，加入指定的浓氨水，然后分别倒入NH4VO3粉末和La2O3粉末。
步骤4.将两种溶液搅拌混合并反应，缓慢加入浓氨水,控制溶液pH值在6-8之间，反应结束时pH值在7.0-7.6。
步骤5.静置一天，倒去上层清夜，将半固态沉淀分次倒入离心机的沉淀杯中进行固液分离，将固体沉淀物装入结晶皿中。
步骤6. 固体沉淀物放入托盘中，移入烘箱，在1950C下烘10-12小时。.将烘干的块状料装入铂坩埚内，在箱式电炉中12000C下烧结10-12小时，冷却后得到原料。
Claims (1)
1.一种提高YVO4晶体生长质量的原料合成方法,采用步骤如下：依据配比浓度在蒸馏水中加入浓硝酸并煮沸，加入Y2O3 粉末同时称量一定量的NH4VO3粉末加入蒸馏水中煮沸搅拌后加入La2O3粉末，将两种溶液混合后不断搅拌，搅拌同时加入浓氨水来控制溶液的pH值，混合反应完全后将溶液静置沉淀得到的沉淀物烘干烧结成原料，其特征在于所述加入浓氨水控制溶液反应完全时的pH值在7~7.6之间。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL6709914A (zh) * | 1966-07-18 | 1968-01-19 | ||
| CN101319395A (zh) * | 2008-06-25 | 2008-12-10 | 福州高意通讯有限公司 | 一种掺钕钒酸镧钇激光晶体及其制备方法和应用 |
| CN101649489A (zh) * | 2009-02-16 | 2010-02-17 | 上海元亮光电科技有限公司 | 一种用于提拉法生长钒酸钇晶体的原料合成方法 |
| CN101774641A (zh) * | 2010-01-06 | 2010-07-14 | 哈尔滨工程大学 | 一种制备钒酸钇晶体的方法 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL6709914A (zh) * | 1966-07-18 | 1968-01-19 | ||
| CN101319395A (zh) * | 2008-06-25 | 2008-12-10 | 福州高意通讯有限公司 | 一种掺钕钒酸镧钇激光晶体及其制备方法和应用 |
| CN101649489A (zh) * | 2009-02-16 | 2010-02-17 | 上海元亮光电科技有限公司 | 一种用于提拉法生长钒酸钇晶体的原料合成方法 |
| CN101774641A (zh) * | 2010-01-06 | 2010-07-14 | 哈尔滨工程大学 | 一种制备钒酸钇晶体的方法 |
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