CN103733488A - 感应耦合功率传输接收器 - Google Patents
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Abstract
一种感应耦合功率传输接收器,包括可调谐电路和电源电路。可调谐电路包括与第一电容串联的功率接收线圈以及与功率接收线圈并联连接的第一可变阻抗。可变阻抗包括至少一个电抗元件和用于控制可变阻抗的有效阻抗的一个或更多个半导体器件。可变阻抗可以是与第一半导体器件串联的第二电容;与第一半导体器件并联的电感;与第一半导体器件并联的第二电容;或者与第一半导体器件并联的电容和电感。还可以提供一个或更多个辅助可变阻抗。电源电路包括功率控制电路,功率控制电路基于电源电路产生的输出电压来将控制信号提供至第一可变阻抗。
Description
技术领域
本发明属于近场感应耦合功率传输系统(ICPT)的技术领域。更具体地,尽管不是唯一的,但是本发明涉及包括可变调谐阻抗的功率接收器。
背景技术
无接触式功率系统通常由功率发射器和一个或更多个功率接收器组成以提供本地电源,所述功率发射器产生交变磁场,所述一个或更多个功率接收器与产生的磁场耦合。这些无接触式功率接收器与功率发射器邻近,但是与功率发射器电隔离。无接触式功率接收器包括功率接收线圈,其中通过功率发射器所产生的交变磁场来感生电压,并且将功率供应至电负载。功率接收线圈可以通过调节电抗部分来调谐,以增加系统的功率传输容量。
无接触式功率接收器的问题之一是当其轻负载时效率低,例如当功率接收器所供电的电机在等待来自控制系统的命令而空闲时效率低。这可以通过借助于功率接收线圈和负载之间的功率控制器而实施功率流控制来克服。
功率控制器的一种实施方式使用短路开关作为功率接收电路的一部分,以根据需要而将功率接收线圈与负载去耦合。这种方法在转让给Auckland UniServices Limited的美国专利5,293,308的说明书中有所描述,并且被称作“短路控制”。尽管这种方法解决了从功率接收线圈至负载的功率流控制问题,但是短路开关会引起大的传导损耗,特别是轻负载时,因为功率接收线圈在没有负载或者轻负载条件下几乎总是短路的。这种方法还需要大体积且昂贵的DC电感,并且产生显著的电磁干扰。
无接触式功率系统的另一个问题是由于负载条件和其他电路参数中的改变而引起的频率变化。这可能导致功率接收线圈就感生电压幅值和短路电流而言的变化,影响了系统的功率传输容量。这在固定或无源调谐的无接触式功率接收器中尤其是问题。
在美国专利说明书US2007/109708A1和US7,382,636B2中描述了一种方法,其通过改变功率接收器的有效电容或电感来动态地调谐或去谐功率接收线圈。这使得无接触式功率接收器能够补偿由参数改变而引起的频率漂移。有效电容或电感是利用与电容或电感串联的两个半导体开关来改变的。需要对功率接收线圈电流幅值和相位进行感测的装置,以使可变电容或电阻的软开关切换成为可能。通过实现动态调谐,不仅能够补偿频率漂移,还能够实现比无源调谐系统(通常,Q<6)中更高的品质因数(Q>10),这是因为可以精细地调谐功率接收线圈谐振频率。更高的品质因数增加了系统的功率传输容量。然而,这种方法需要功率接收线圈传感器和复杂的控制电路。
为了使无接触式功率拾波电路小型化,去除在高频处特别复杂的功率接收线圈传感器是有利的。这种实施方式导致过高的电流或电压,因为在开关切换过程期间要么电感电流可能被切断,要么带电的电容可能短路。所得的开关瞬态影响EMI、开关的不可靠性,并且由于过度功率损耗而减小系统功率效率。在最坏的情况下,可能引起系统故障。
在申请人先前的申请WO/2010/005324中,公开了如下一种功率接收器,所述功率接收器在主电流路径中包括可变电抗以实现调谐,所述可变电抗使用以线性模式来操作的半导体器件。这种布置仅需要较简单的控制电路,但是由于主电流路径中的半导体器件而引起损耗。可能还需要大体积的DC电感,或者要经受降低的输出功率容量。另外,跨半导体器件的峰值电压可能较高。
本发明的目的是提供改进的功率接收器拓扑,这将缓解现存系统所经受的一个或更多个不足之处,或者将至少向公众提供有用的可替代选择。
发明内容
根据一个示例性实施例,提供了一种感应耦合功率传输接收器,包括:
a.可调谐电路,包括与第一电容串联的功率接收线圈,以及与功率接收线圈并联连接的第一可变阻抗,其中,可变阻抗包括:
i.至少一个电抗元件;以及
ii.一个或更多个半导体器件,所述一个或更多个半导体器件用于控制可变阻抗的有效阻抗;以及
b.电源电路,所述电源电路通过控制所述一个或更多个半导体器件的操作来调节供应至电源电路的输出的功率。
根据另一个示例性实施例,提供了一种与电子设备一起使用的系统,包括:
a.功率发射器,所述功率发射器包括驱动电路,所述驱动电路激励发射线圈,所述发射线圈产生交变磁场;以及
b.如上所述的功率接收器,其中,功率接收器经由能量储存设备与电子设备连接,或者与电子设备直接连接。
附图说明
合并在说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且与以上给出的本发明的概述以及以下给出的实施例的详细描述一起用于解释本发明的原理。
图1示出ICPT功率接收器的框图;
图2示出利用电容与半导体器件串联来调谐的ICPT功率接收器;
图3示出利用电容与半导体器件并联来调谐的ICPT功率接收器;
图4示出利用电容与半导体器件串联并且电感与半导体器件并联来调谐的ICPT功率接收器;
图5示出利用电容与电感串联、电感布置成与半导体器件并联来调谐的ICPT功率接收器;
图6示出利用每个都与相应的半导体器件串联的多个电容来调谐的ICPT功率接收器;
图7示出利用电感与半导体器件串联布置来调谐的ICPT功率接收器;
图8示出利用电感与半导体器件串联、电感和半导体器件二者都与电容并联来调谐的ICPT功率接收器;以及
图9示出基于图2中所示的拓扑的ICPT功率接收器的一种实施方式的完整电路图。
具体实施方式
参见图1,示出了感应耦合功率传输系统的框图。功率发射器1驱动功率发射线圈2以产生交变磁场。功率接收器包括:可调谐电路4,包括功率接收线圈3;以及电源电路,包括整流器5和功率控制电路6。功率接收线圈3与功率发射线圈2感应耦合,并且电源电路调节向负载7的功率流。
图2示出根据第一实施例的利用可变阻抗的功率接收器。这个实施例中的可调谐电路的主要元件是形成串联谐振电路的功率接收线圈8和电容9。可调谐电路的输出通过由二极管10和11形成的半桥整流器而供应至功率控制电路12,所述功率控制电路12将功率供应至负载13。在这个实施例中,可调谐电路利用电容14与形式为MOSFET15的半导体器件串联来调谐。MOSFET15通过功率控制电路12来驱动,以提供跨负载13的期望输出电压。在这个实施例中,MOSFET15可以采用线性模式来驱动,以结合电容14来提供连续可变的阻抗,从而调谐可调谐电路。电容14通常比电容9小得多。MOSFET15的功率消耗可以相对于用于指定应用的控制范围来折衷。
图2中使用的拓扑带来很多有益之处:
●由电容14和MOSFET15形成的可变调谐阻抗不在主电流路径中,因此减小了MOSFET15上的负载和所得损耗。
●电容9以及二极管10和11用作使MOSFET15能够具有较低额定电压的倍压器。
●驱动MOSFET15被简化,因为MOSFET15和功率控制电路可以共地。
●可变阻抗(14和15)与较低阻抗支路(即,9、10、11、12以及13)并联,因此跨可变阻抗的电压不会超过稳定状态下的输出电压。
●负载13将串联调谐电路视为电压源,因此只需要最低的控制努力来对付负载变化(这不是被负载视为电流源(并联调谐)电路的情况)。
图3示出利用形式为电容与半导体器件并联的可变阻抗的功率接收器。如同图2,功率接收器包括形成串联谐振电路的功率接收线圈16和电容17。可调谐电路的输出通过由二极管18和19形成的半桥整流器而供应至功率控制电路20,所述功率控制电路20将功率供应至负载21。在这个实施例中,可调谐电路利用电容22与形式为MOSFET23的半导体器件串联来调谐。MOSFET23通过功率控制电路20来驱动,以提供跨负载21的期望输出电压。在这个实施例中,MOSFET23可以采用线性模式来驱动,以提供与电容22并联的连续可变的阻抗,从而通过有效地提供跨电容22的可变电阻来调谐可调谐电路。这种拓扑使控制能够跨整个电压输出范围,但要求更多的高额定MOSFET。电容22可以被去除以提供大体的阻性调谐。
因而,对于图2的电路,将MOSFET15导通提供了与功率接收线圈8并联的增加的调谐电容,而在图3的电路中,将MOSFET23导通减小了调谐电容22的作用而增加了电阻。最好的拓扑将取决于特定的应用。
图4示出图2中所示的实施例的变体的一个实施例,添加了与MOSFET并联的电感。如同图2,功率接收器包括形成串联谐振电路的功率接收线圈24和电容25。可调谐电路的输出通过由二极管26和27形成的半桥整流器而连接至功率控制电路28,所述功率控制电路28将功率供应至负载29。在这个实施例中,可调谐电路利用形式为MOSFET31的半导体器件与电感32并联、电感32和MOSFET31的对与电容30串联来调谐。MOSFET31通过功率控制电路28来驱动,以提供跨负载29的期望输出电压。在这个实施例中,将MOSFET31导通有效地增加了电容30的影响,并且减小了电感32的影响。
图5示出利用形式为电容与电感串联、电容和电感二者都与半导体器件并联的可变阻抗的功率接收器。如同图2,功率接收器包括形成串联谐振电路的功率接收线圈33和电容34。可调谐电路的输出通过由二极管35和36形成的半桥整流器而供应至功率控制电路37,所述功率控制电路37将功率供应至负载38。在这个实施例中,可调谐电路利用电容40与电感39串联、电感39与形式为MOSFET41的半导体器件并联来调谐。MOSFET41通过功率控制电路20来驱动,以提供跨负载38的期望输出电压。这种布置允许利用电容性和电感性部分的变化来调谐。这种拓扑使控制能够跨整个电压输出范围,但是需要更多的高额定MOSFET。
图6示出利用多个可变阻抗的功率接收器。如同图2,功率接收器包括形成串联谐振电路的功率接收线圈42和电容43。可调谐电路的输出通过由二极管44和45形成的半桥整流器而供应至功率控制电路46,所述功率控制电路46将功率供应至负载47。在这个实施例中,可调谐电路通过多个可变阻抗48、49以及50来调谐。可变阻抗48的形式为图2中所示的可变阻抗,包括电容51和MOSFET52。同样地,可变阻抗49和50由电容53和55以及MOSFET54和56组成。
根据一个优选实施例,MOSFET52可以通过功率控制电路46来驱动以采用线性模式来操作,而MOSFET56和54可以采用开关模式来驱动。尽管仅示出两个开关阻抗49和50,但是从以下描述将理解的是,可以使用任何期望的数目。在一个优选实施例中,使用n个开关可变阻抗,每个具有1/2n的值。以这种方式,可以通过开关可变阻抗49至50来接入电容的步进值以用于粗调谐,同时可以通过以线性模式操作MOSFET52来实现细调谐。以开关模式来操作MOSFET54和56引起来自半导体器件的损耗减少。
图7示出利用形式为电感与半导体器件串联的可变阻抗的功率接收器。如同图2,功率接收器包括形成串联谐振电路的功率接收线圈79和电容80。可调谐电路的输出通过由二极管81和82形成的半桥整流器而供应至功率控制电路83,所述功率控制电路83将功率供应至负载84。在这个实施例中,可调谐电路利用电感86与形式为MOSFET85的半导体器件串联来调谐。MOSFET85通过功率控制电路83来驱动,以提供跨负载84的期望输出电压。
图8示出利用形式为电感与半导体器件串联、具有并联电容的可变阻抗的功率接收器。如同图2,功率接收器包括形成串联调谐电路的功率接收线圈87和电容88。可调谐电路的输出通过由二极管89和90形成的半桥整流器而供应至功率控制电路91,所述功率控制电路91将功率供应至负载92。在这个实施例中,可调谐电路利用电感93与形式为MOSFET94的半导体器件串联、MOSFET94与电容95并联来调谐。MOSFET94通过功率控制电路91来驱动,以提供跨负载92的期望输出电压。
在以上实施例中,可以将阻性元件添加至可变阻抗以用于控制所需的线性。可以添加小值的电阻与半导体器件串联,以使得半导体器件较不急剧地随着增加Vgs而导通。可变阻抗的MOSFET也可以采用开关模式来操作并且获得如上所述的好处,但是需要更复杂的感测和驱动电路。可变阻抗的电抗部分也可以用二极管来代替,二极管尽管简单,但是会牺牲损耗以用于控制范围。
图9是示出图2中所示的拓扑的可能电路实现方式的详细电路图。功率接收线圈57和电容58形成串联谐振电路。可调谐电路的输出通过由二极管59和69形成的半桥整流器而供应至功率控制电路61,所述功率控制电路61将功率供应至负载62。可调谐电路利用MOSFET75与电容74串联形成的可变阻抗来调谐。功率控制电路61包括:输出平滑电容63和齐纳二极管64以及反馈控制电路。运算放大器68通过由电阻76和电容77形成的低通滤波器而将驱动信号供应至MOSFET75。电阻79减小了开关切换随着增加Vgs的急剧性,并且二极管80提供保护。运算放大器68的非反相端子通过电阻67从参考电压源66(诸如电压调节器)接收参考电压。可变电阻65用作分压器,所述分压器将输出电压的期望部分供应至运算放大器68的反相端子。可变电阻65可以被设定成产生跨负载62的期望输出电压。电容69、71以及72以及电阻70和73提供环路补偿。因而,功率控制电路61提供电压驱动信号至MOSFET75以采用线性模式来操作MOSFET75,从而调谐可调谐电路。将理解的是,可使用的功率控制电路的范围广,本实施例仅以非限制性的实例给出。
图9中所示的电路示出形式为二极管78的额外特征,所述二极管78在开启时将来自功率接收线圈57的瞬态功率直接供应至功率控制器电路61的输出。这限制了在去谐开关上呈现出的瞬态电压,并且使需要的输出电压能够更快速地建立。
以下给出所使用的部件的示例值:
这种功率接收器实现功率流控制并且在低负载下以有效的方式来操作,因为系统的功率传输容量是基于设备的功率要求来调整的。由于调谐阻抗不在主电流路径中,所以与现有技术的拓扑相比,可以减小与调谐半导体器件有关的损耗。
本发明的实施例允许去除现有技术的接收器中的大体积且昂贵的DC电感,并且可以实现高Q(在使用开关模式时),同时电路可以具有较低的元件计数、形状因数和设计复杂性,因为这些电路不需要额外的大体积拾波线圈传感器来将系统和相关的控制电路软开关切换(如果包括DC电感,则跨分路调节器开关呈现的峰值电压是使用半桥整流器的情况下的输出电压的π倍)。
因而,功率接收器提供更好的功率密度、效率和范围性能度量以及低损耗和EMI。去谐电路支路与负载支路并联的布置使对去谐开关暴露的电压最小化,这允许将更低电压、更高性能以及更便宜的器件用于所述去谐开关。
通过仅将总负载电流的一部分引导经过可变阻抗的半导体器件,减轻了对于低Rds(导通)的要求。开启时的过电压问题可以通过在控制器关闭时将电路配置成完全去谐来解决。
尽管本发明已经通过对其实施例的描述进行了说明,并且已经详细地描述了这些实施例,但是这并不意在进行限制或者以任何方式来将所附权利要求的范围局限于这样的细节。其他的优点和修改方式对于本领域的技术人员将是容易显明的。因此,本发明在其更广义的方面不局限于特定的细节、代表性的装置和方法、以及所示和所述的示例性实例。因此,在不脱离整体的发明构思的精神或范围的情况下可以不拘泥于这些细节。
Claims (21)
1.一种感应耦合功率传输接收器,包括:
a.可调谐电路,所述可调谐电路包括与第一电容串联的功率接收线圈,以及与所述功率接收线圈并联连接的第一可变阻抗,其中,所述可变阻抗包括:
i.至少一个电抗元件;以及
ii.一个或更多个半导体器件,所述一个或更多个半导体器件用于控制所述可变阻抗的有效阻抗;以及
b.电源电路,所述电源电路通过控制所述一个或更多个半导体器件的操作来调节供应至所述电源电路的输出的功率。
2.如权利要求1所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述一个或更多个半导体器件中的第一半导体器件以线性模式来操作。
3.如权利要求2所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述可变阻抗包括与所述第一半导体器件串联的第二电容。
4.如权利要求3所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述第二电容比所述第一电容小。
5.如权利要求3所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述可变阻抗包括与所述第一半导体器件并联的电感。
6.如权利要求2所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述可变阻抗包括与所述第一半导体器件并联的第二电容。
7.如权利要求2所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述可变阻抗包括与所述第一半导体器件并联的电容和电感。
8.如前述权利要求中任一项所述的感应耦合功率传输接收器,包括一个或更多个辅助可变阻抗。
9.如权利要求8所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述辅助可变阻抗中的一个包括由所述电源电路来控制的半导体开关。
10.如权利要求9所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述半导体开关以开关模式来操作。
11.如权利要求8所述的感应耦合功率传输接收器,包括多个辅助可变阻抗。
12.如权利要求11所述的感应耦合功率传输接收器,其中,每个辅助可变阻抗包括以开关模式来操作的半导体开关。
13.如权利要求12所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述多个辅助可变阻抗包括具有不同值的电容。
14.如权利要求12所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述多个辅助可变阻抗包括具有1/2n的逐步变小的幅值的电容,其中,n是辅助可变阻抗的数目。
15.如前述权利要求中任一项所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述电源电路包括倍压器电路。
16.如前述权利要求中任一项所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述电源电路包括半桥整流器。
17.如前述权利要求中任一项所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述电源电路包括功率控制电路,所述功率控制电路基于由所述电源电路产生的输出电压而将控制信号提供至所述第一可变阻抗。
18.如权利要求17所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述功率控制电路包括反馈电路,所述反馈电路基于所述电源电路的输出来控制所述可变阻抗。
19.如权利要求18所述的感应耦合功率传输接收器,其中,所述功率控制电路包括环路补偿电路。
20.如前述权利要求中任一项所述的感应耦合功率传输接收器,包括旁路二极管,所述旁路二极管在开启时将来自所述接收线圈的能量直接供应至所述电源电路的输出。
21.一种与电子设备一起使用的系统,包括:
a.功率发射器,所述功率发射器包括驱动电路,所述驱动电路激励传输线圈,所述传输线圈产生交变磁场;以及
b.如权利要求1至20中任一项所述的功率接收器,其中,所述功率接收器经由能量储存设备与电子设备连接或者与电子设备直接连接。
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