CN103614760A - 利用二次阳极氧化铝模板制备二氧化钛纳米管的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种利用二次阳极氧化铝模板制备TiO2纳米管的方法;其TiO2纳米管直径为80~120nm,管壁厚度约为20nm。利用三电极体系进行控电位沉积;将二次阳极氧化铝膜电极置于三氯化钛电解液中,控电位沉积TiO2纳米管,沉积电位为-0.7~-0.9V,电解液温度为5~35℃;然后将二次阳极氧化铝膜电极经超声清洗,放入烘箱烘干后在500~700℃下热处理,得到TiO2纳米管。应用本方法制备的TiO2纳米管长度及管壁厚度一致,排列整齐,纳米管表面光滑,并且纳米管直径可控。本发明设备简单,易于操作,通常在常温、常压下进行,因而生产成本低,容易实现工业化生产。
Description
技术领域
本发明属于半导体纳米材料领域,特别涉及一种利用二次阳极氧化铝模板制备半导体纳米管的方法;用二次阳极氧化铝膜(AAO)为模板,通过控制沉积电位,在水溶液中制备二氧化钛(TiO2)纳米管。该方法价格低廉,制备方便,纳米管直径均一可控、管壁厚度一致。
背景技术
目前,用于制备TiO2纳米管的方法主要包括:阳极氧化法、模板法、水热合成法等。阳极氧化法需要较高的电压,电解液组成复杂,在制备过程中使用某些有毒物质;水热合成法制备的TiO2纳米管分散在溶液当中,不能形成TiO2纳米管有序阵列,影响了TiO2纳米管本身的性能及应用。而模板电化学合成技术所采用的设备简单,易于操作,常温常压即可进行,生产成本低,易于实现工业化生产,是一种精巧的制备纳米尺度材料的化学方法。二次阳极氧化法制备的阳极氧化铝(Anodic Aluminum Oxide,AAO)模板孔径可控,且大小一致,柱状孔垂直于膜面,孔与孔之间独立,孔洞呈有序的柱状排列。在阳极氧化铝多孔膜(AAO)的孔中可进行材料合成,易于收集,采用此方法已制备了聚合物、金属、半导体等多种物质。
目前,国内外关于TiO2纳米管的制备多采用阳极氧化法,该方法需要较高的制备电压,并且电解液组成复杂。而本发明中TiO2纳米管制备的电解液组成简单,在低电压下就可制备,成本低,且制备的TiO2纳米管阵列排列整齐、有序,纳米管直径、管壁厚度高度一致。目前查阅国内文献,未见报道。TiO2是目前应用前景最好的半导体材料之一,与其他半导体材料相比,TiO2禁带跨度大,产生的光生电子-空穴氧化还原能力强。TiO2纳米管由于其特殊的结构,使其光生电子-空穴具有更强的氧化还原能力,因而,在光催化、光解水制氢、光电转化领域有着广阔的应用前景。
发明内容
本发明的目的就是以二次氧化法制备的AAO膜为模板,通过控制镀液浓度,沉积电量和沉积温度制备TiO2纳米管阵列。
本发明的技术方案如下:
一种利用二次阳极氧化铝模板制备TiO2纳米管的方法;将二次阳极氧化铝膜电极置于三氯化钛电解液中,控电位沉积TiO2纳米管,沉积电位为-0.7~-0.9V,电解液温度为5~35℃;然后将二次阳极氧化铝膜电极经超声清洗,放入烘箱烘干后在500~700℃下热处理,得到TiO2纳米管。
所述的三氯化钛电解液为:三氯化钛0.02~0.15mol/L,Na2CO30.02~0.1mol/L,pH值为1.5~3.5。
所制备的TiO2纳米管,直径为80~120nm,管壁厚度为10~40nm。
控电位沉积TiO2纳米管,可以利用电化学工作站及配套软件结合三电极体系(辅助电极为铂网,参比电极为饱和甘汞电极SCE,工作电极为底部喷金的二次阳极氧化铝膜电极)来控制二次阳极氧化铝膜电极的电极电位。
本发明的二次阳极氧化铝模板制备方法,可以直接使用现有的二次阳极氧化铝膜(AAO)为模板;或采用我们已经申请的专利的方法,申请号为201210164263.7的如下方法:将高纯铝片机械抛光、除油后置于3wt%的草酸溶液中,在40V~60V电压下进行一次阳极氧化,然后将经过一次阳极氧化的铝片放入浓度为2wt%的铬酸溶液中除去一次氧化膜;将除完一次氧化膜的铝片置于3wt%的草酸溶液中,在40V~60V电压下进行二次阳极氧化;将二次阳极氧化膜从铝基体上剥离后浸泡在5wt%H3PO4溶液中去除阻挡层,获得贯通AAO膜;在贯通的AAO膜一面溅射一层Au膜作为导电层,固定在Cu片上,制成AAO模板。
本发明的优点为:
(1)所采用的设备简单,易于操作,生产成本低,容易实现工业化生产。
(2)该工艺下制备TiO2纳米管速度快,大大缩短了制备时间。
(3)在无机水溶液中进行制备,镀液组成单一,废液处理简单,可避免使用有机溶剂所造成的污染。
(4)应用本方法制备的TiO2纳米管长度及管壁厚度一致,排列整齐,纳米管表面光滑,并且TiO2纳米管直径可控。
附图说明
图1:控电位沉积TiO2纳米管三电极体系示意图。
图2:AAO模板表面形貌。
图3:TiO2纳米管阵列的扫描电镜照片。
图4:TiO2纳米管的XRD谱图。
图5:TiO2纳米管的透射电镜照片。
图6:TiO2纳米管阵列的扫描电镜照片。
具体实施方法
下面结合实例和附图更好地阐明本发明而不限制本发明。实验装置见附图1。
实例1
制备TiO2纳米管的二次阳极氧化铝膜(AAO)模板,除市售的贯通的AAO模板外,也可按以下工艺制备:将高纯铝片机械抛光、除油后置于3wt%的草酸溶液中,在40V~60V电压下进行一次阳极氧化,然后将经过一次阳极氧化的铝片放入浓度为2wt%的铬酸溶液中除去一次氧化膜;将除完一次氧化膜的铝片置于3wt%的草酸溶液中,在40V~60V电压下进行二次阳极氧化;将二次阳极氧化膜从铝基体上剥离后浸泡在5wt%H3PO4溶液中去除阻挡层,获得贯通AAO膜;在贯通的AAO膜一面溅射一层Au膜作为导电层,固定在Cu片上,制成AAO模板。实例2~4中AAO模板电极均采用此工艺制备。AAO模板表面附图2。
以二次阳极氧化铝膜(AAO)为模板,利用电化学工作站及配套软件结合三电极体系(辅助电极为铂网,参比电极为饱和甘汞电极SCE,工作电极为底部喷金的二次阳极氧化铝膜),采用控电位沉积TiO2纳米管。将二次阳极氧化铝膜电极置于三氯化钛电解液中,控电位沉积,经超声清洗,放入烘箱烘干后,在一定温度下进行热处理,得到TiO2纳米管。
三氯化钛电解液中含三氯化钛0.02mol/L;Na2CO30.02mol/L;镀液pH值为1.5,镀液温度为5℃。沉积电位为-0.9V,沉积时间500s。热处理温度为500℃。
此实例TiO2纳米管长度为0.5μm,直径80nm,管壁厚度10nm。
实例2
以二次阳极氧化铝膜(AAO)为模板,利用电化学工作站及配套软件结合三电极体系(辅助电极为钌钛网,参比电极为饱和甘汞电极SCE,工作电极为底部喷金的二次阳极氧化铝膜)采用控电位沉积TiO2纳米管。将二次阳极氧化铝膜电极置于三氯化钛电解液中,控电位沉积,经超声清洗,放入烘箱烘干后,在一定温度下进行热处理,得到TiO2纳米管。
三氯化钛电解液中含三氯化钛0.05mol/L;Na2CO30.05mol/L;镀液pH值为2,镀液温度为15℃。沉积电位为-0.7V,沉积时间1000s。热处理温度为650℃。
此实例TiO2纳米管长度为1μm,直径100nm,管壁厚约20nm。所得TiO2纳米管阵列的扫描电镜照片见附图3,TiO2纳米管的XRD谱图和TEM照片见附图4和附图5。
实例3
以二次阳极氧化铝膜(AAO)为模板,利用电化学工作站及配套软件结合三电极体系(辅助电极为钌钛网,参比电极为饱和甘汞电极SCE,工作电极为底部喷金的二次阳极氧化铝膜),采用控电位沉积TiO2纳米管。将二次阳极氧化铝膜电极置于三氯化钛电解液中,控电位沉积,经超声清洗,放入烘箱烘干后,在一定温度下进行热处理,得到TiO2纳米管。
三氯化钛电解液中含三氯化钛0.1mol/L;Na2CO30.05mol/L;镀液pH值为2,镀液温度为25℃。沉积电位为-0.7V,沉积时间1500s。热处理温度为700℃。
此实例TiO2纳米管长度为1.5μm,直径100nm,管壁厚度约30nm。所得TiO2纳米管阵列的扫描电镜照片见附图6。
实例4
以二次阳极氧化铝膜(AAO)为模板,利用电化学工作站及配套软件结合三电极体系(辅助电极为钌钛网,参比电极为饱和甘汞电极SCE,工作电极为底部喷金的二次阳极氧化铝膜),采用控电位沉积TiO2纳米管。将二次阳极氧化铝膜电极置于三氯化钛电解液中,控电位沉积,经超声清洗,放入烘箱烘干后,在一定温度下进行热处理,得到TiO2纳米管。
三氯化钛电解液中含三氯化钛0.15mol/L;Na2CO30.1mol/L;镀液pH值为3.5,镀液温度为35℃。沉积电位为-0.8V,沉积时间1500s。热处理温度为600℃。
此实例TiO2纳米管长度为1.5μm,直径120nm,管壁厚度约40nm。
Claims (3)
1.一种利用二次阳极氧化铝模板制备二氧化钛纳米管的方法;其特征是将二次阳极氧化铝膜电极置于三氯化钛电解液中,控电位沉积TiO2纳米管,沉积电位为-0.7~-0.9V,电解液温度为5~35℃;然后将二次阳极氧化铝膜电极经超声清洗,放入烘箱烘干后在500~700℃下热处理,得到TiO2纳米管。
2.如权利要求1所述的方法,其特征是所述的三氯化钛电解液为:三氯化钛0.02~0.15mol/L,Na2CO30.02~0.1mol/L,pH值为1.5~3.5。
3.如权利要求1所述的方法,其特征是所述的TiO2纳米管,直径为80~120nm,管壁厚度为10~40nm。
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