CN103579350B - 石墨烯场效应管及其形成方法 - Google Patents

石墨烯场效应管及其形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103579350B
CN103579350B CN201310503580.1A CN201310503580A CN103579350B CN 103579350 B CN103579350 B CN 103579350B CN 201310503580 A CN201310503580 A CN 201310503580A CN 103579350 B CN103579350 B CN 103579350B
Authority
CN
China
Prior art keywords
contact
drain contact
metal level
source contact
grid metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310503580.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103579350A (zh
Inventor
吴华强
吕宏鸣
钱鹤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Original Assignee
Tsinghua University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University filed Critical Tsinghua University
Priority to CN201310503580.1A priority Critical patent/CN103579350B/zh
Publication of CN103579350A publication Critical patent/CN103579350A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103579350B publication Critical patent/CN103579350B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7827—Vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
    • H01L29/1029—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors
    • H01L29/1033—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66666—Vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L29/1606—Graphene

Abstract

本发明公开了一种石墨烯场效应管及其形成方法，该场效应管包括：衬底；底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层，底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层位于衬底之上，底层源极接触和底层漏极接触分别位于栅金属层的左右两侧，底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层的材料相同且厚度相同；栅介质层，栅介质层位于栅金属层之上，栅介质层与栅金属层的接触界面为粗糙面；石墨烯薄膜，石墨烯薄膜位于底层源极接触、底层漏极接触和栅介质层之上；和顶层源极接触和顶层漏极接触，顶层源极接触位于石墨烯薄膜之上并且与底层源极接触位置相对应，顶层漏极接触位于石墨烯薄膜之上并且与底层漏极接触位置相对应。本发明具有迁移率高、栅控能力良好的优点。

Description

石墨烯场效应管及其形成方法
技术领域
本发明属半导体器件领域，具体涉及一种石墨烯场效应管及其形成方法。
背景技术
石墨烯场效应管可以为顶栅或埋栅结构。顶栅结构的石墨烯场效应管中栅介质直接生长在石墨烯薄膜上，埋栅结构的石墨烯场效应管中石墨烯薄膜转移至经化学机械抛光的栅结构上，此两种方法中石墨烯薄膜都与栅介质层紧密贴合。所以，石墨烯的载流子迁移率受限于栅介质层引入的库伦散射和表面极化声子散射。研究表明：完全悬空的石墨烯具有极高的迁移率，但完全悬空是难以实现的。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种石墨烯场效应管。本发明的另一目的在于提出一种石墨烯场效应管的形成方法。
为了实现上述目的，根据本发明一个方面的实施例的石墨烯场效应管，包括:衬底；底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层，所述底层源极接触、所述底层漏极接触和所述栅金属层位于所述衬底之上，所述底层源极接触和所述底层漏极接触分别位于所述栅金属层的左右两侧，所述底层源极接触、所述底层漏极接触和所述栅金属层的材料相同且厚度相同；栅介质层，所述栅介质层位于所述栅金属层之上，所述栅介质层与所述栅金属层的接触界面为粗糙面；石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜位于所述底层源极接触、底层漏极接触和所述栅介质层之上；和顶层源极接触和顶层漏极接触，所述顶层源极接触位于所述石墨烯薄膜之上并且与所述底层源极接触位置相对应，所述顶层漏极接触位于所述石墨烯薄膜之上并且与所述底层漏极接触位置相对应。
根据本发明实施例的石墨烯场效应管中，石墨烯薄膜被栅结构表面的凸点撑起，是一种折中的、半悬空的方案。该方案一方面减少了石墨烯和栅结构表面贴合、提高了载流子迁移率，另一方面使石墨烯具有一定栅控能力，可用作场效应管器件。因此本发明实施例的石墨烯场效应管具有迁移率高、栅控能力良好的优点。
另外，根据本发明实施例的石墨烯场效应管还可以具有如下附加技术特征：
在本发明的一个实施例中，所述衬底为顶部表面为粗糙表面的二氧化硅。
在本发明的一个实施例中，所述底层源极接触、所述底层漏极接触和所述栅金属层的材料为Ti。
在本发明的一个实施例中，所述顶层源极接触和所述顶层漏极接触的材料为Ti/Au。
在本发明的一个实施例中，所述栅介质层的材料为HfSiON、HfO2或Al2O3。
为了实现上述目的，根据本发明另一个方面的实施例的石墨烯场效应管的形成方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层，所述底层源极接触和所述底层漏极接触分别位于所述栅金属层的左右两侧，所述底层源极接触、所述底层漏极接触和所述栅金属层的材料相同且厚度相同；在所述栅金属层之上形成栅介质层，所述栅介质层与所述栅金属层的接触界面为粗糙面；在所述底层源极接触、底层漏极接触和所述栅介质层之上形成石墨烯薄膜；和在所述石墨烯薄膜之上形成顶层源极接触和顶层漏极接触，所述顶层源极接触与所述底层源极接触位置相对应，所述顶层漏极接触与所述底层漏极接触位置相对应。
根据本发明实施例的石墨烯场效应管的形成方法中，形成的石墨烯薄膜被栅结构表面的凸点撑起，是一种折中的、半悬空的方案。该方案一方面减少了石墨烯和栅结构表面贴合、提高了载流子迁移率，另一方面使石墨烯具有一定栅控能力，可用作场效应管器件。因此本发明实施例的方法形成的石墨烯场效应管具有迁移率高、栅控能力良好的优点。
另外，根据本发明实施例的石墨烯场效应管的形成方法还可以具有如下附加技术特征：
在本发明的一个实施例中，所述衬底为顶部表面为粗糙表面的二氧化硅。
在本发明的一个实施例中，所述底层源极接触、所述底层漏极接触和所述栅金属层的材料为Ti。
在本发明的一个实施例中，所述顶层源极接触和所述顶层漏极接触的材料为Ti/Au。
在本发明的一个实施例中，所述栅介质层的材料为HfSiON、HfO2或Al2O3。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是根据本发明实施例的石墨烯场效应管的结构示意图；
图2是根据本发明实施例的石墨烯场效应管的形成方法的流程图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
如图1所示，根据本发明实施例的石墨烯场效应管，可以包括：衬底10、底层源极接触20a、底层漏极接触30a、栅金属层40、栅介质层50、石墨烯薄膜60、顶层源极接触20b和顶层漏极接触30b。底层源极接触20a、底层漏极接触30a和栅金属层40位于衬底10之上。底层源极接触20a和底层漏极接触30a分别位于栅金属层40的左右两侧。底层源极接触20a、底层漏极接触30a和栅金属层40的材料相同且厚度相等。栅介质层50位于栅金属层40之上，栅介质层50与栅金属层40的接触界面为粗糙面。石墨烯薄膜60位于底层源极接触20a、底层漏极接触30a和栅介质层50之上。顶层源极接触20b位于石墨烯薄膜60之上并且与底层源极接触20a位置相对应。顶层漏极接触30b位于石墨烯薄膜60之上并且与底层漏极接触30a位置相对应。
根据本发明实施例的石墨烯场效应管中，石墨烯薄膜60被栅结构表面的凸点撑起，是一种折中的、半悬空的方案。该方案一方面减少了石墨烯和栅结构表面贴合、提高了载流子迁移率，另一方面使石墨烯具有一定栅控能力，可用作场效应管器件。因此本发明实施例的石墨烯场效应管具有迁移率高、栅控能力良好的优点。
在本发明的一个实施例中，衬底10的顶部表面可以为粗糙表面。具有一定粗糙度表面的衬底可以通过等离子增强化学气相沉积（PECVD）等工艺形成。该实施例中衬底顶部具有粗糙表面，在其上生长的栅结构顶部也随之为粗糙表面。有利于提高石墨烯薄膜中的迁移率。
在本发明的一个实施例中，底层源极接触20a、底层漏极接触30a和栅金属层40的材料可以为Ti。
在本发明的一个实施例中，顶层源极接触20b和顶层漏极接触30b的材料可以为Ti/Au。
需要说明的是，底层源极接触20a和顶层源极接触20b共同形成了石墨烯场效应管的源极，底层漏极接触30a和顶层漏极接触30b共同形成了石墨烯场效应管的漏极。
在本发明的一个实施例中，栅介质层50的材料可以为HfSiON、HfO2或Al2O3等等。
如图2所示，根据本发明实施例的石墨烯场效应管的形成方法可以包括以下步骤：
S1.提供衬底。
S2.在衬底之上形成底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层，底层源极接触和底层漏极接触分别位于栅金属层的左右两侧，底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层的材料相同且厚度相等。
S3.在栅金属层之上形成栅介质层，栅介质层与栅金属层的接触界面为粗糙面。
S4.在底层源极接触、底层漏极接触和栅介质层之上形成石墨烯薄膜。
S5.在石墨烯薄膜之上形成顶层源极接触和顶层漏极接触，顶层源极接触与底层源极接触位置相对应，顶层漏极接触与底层漏极接触位置相对应。
根据本发明实施例的石墨烯场效应管的形成方法中，形成的石墨烯薄膜被栅结构表面的凸点撑起，是一种折中的、半悬空的方案。该方案一方面减少了石墨烯和栅结构表面贴合、提高了载流子迁移率，另一方面使石墨烯具有一定栅控能力，可用作场效应管器件。因此本发明实施例的方法形成的石墨烯场效应管具有迁移率高、栅控能力良好的优点。
在本发明的一个实施例中，衬底的顶部表面可以为粗糙表面。具有一定粗糙度表面的衬底可以通过等离子增强化学气相沉积（PECVD）等工艺形成。该实施例中衬底顶部具有粗糙表面，在其上生长的栅结构顶部也随之为粗糙表面。有利于提高石墨烯薄膜中的迁移率。
在本发明的一个实施例中，底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层的材料可以为Ti。
在本发明的一个实施例中，顶层源极接触和顶层漏极接触的材料可以为Ti/Au。
需要说明的是，底层源极接触和顶层源极接触共同形成了石墨烯场效应管的源极，底层漏极接触和顶层漏极接触共同形成了石墨烯场效应管的漏极。
在本发明的一个实施例中，栅介质层的材料可以为HfSiON、HfO2或Al2O3等等。
为使本领域技术人员更好地理解，下面再举一个具体实施例对本发明进行详细说明。
A.提供直径4英寸的硅晶圆，预先进行清洁干燥等预处理，然后氧化，在其表面形成SiO2作为衬底。
B.在该衬底上沉积100nm厚的Ti金属，经过光刻刻蚀等工艺，形成图形化的底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层。栅金属层的顶表面并不做打磨光滑处理，保持其粗糙度。
C.对底层源极接触和底层漏极接触的顶表面进行掩膜，仅在栅金属层的顶表面沉积5.4nm厚的HfSiON以形成栅介质层。然后去除底层源极接触和底层漏极接触的顶表面的掩膜层。
D.另行采用CVD在金属衬底上生长石墨烯薄膜，然后将石墨烯薄膜转移至成形好的衬底之上。
E.在石墨烯薄膜之上沉积Ti/Au合金，其厚度为3nm/35nm,然后加工形成图形化的顶层源极接触和顶层漏极接触。其中，顶层源极接触与底层源极接触位置相对应，顶层漏极接触与底层漏极接触位置相对应。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (8)

1.一种石墨烯场效应管，其特征在于，包括：
衬底；
底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层，所述底层源极接触、所述底层漏极接触和所述栅金属层位于所述衬底之上，所述底层源极接触和所述底层漏极接触分别位于所述栅金属层的左右两侧，所述底层源极接触、所述底层漏极接触和所述栅金属层的材料相同且厚度相同；
栅介质层，所述栅介质层位于所述栅金属层之上，所述栅介质层与所述栅金属层的接触界面为粗糙面；
石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜位于所述底层源极接触、底层漏极接触和所述栅介质层之上；和
顶层源极接触和顶层漏极接触，所述顶层源极接触位于所述石墨烯薄膜之上并且与所述底层源极接触位置相对应，所述顶层漏极接触位于所述石墨烯薄膜之上并且与所述底层漏极接触位置相对应；
其中，所述衬底的表面为粗糙表面，所述栅金属层的顶表面并不做打磨光滑处理，以保持其粗糙度。
2.如权利要求1所述的石墨烯场效应管，其特征在于，所述底层源极接触、所述底层漏极接触和所述栅金属层的材料为Ti。
3.如权利要求1所述的石墨烯场效应管，其特征在于，所述顶层源极接触和所述顶层漏极接触的材料为Ti与Au合金。
4.如权利要求1所述的石墨烯场效应管，其特征在于，所述栅介质层的材料为HfSiON、HfO2或Al2O3。
5.一种石墨烯场效应管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底之上形成底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层，所述底层源极接触和所述底层漏极接触分别位于所述栅金属层的左右两侧，所述底层源极接触、所述底层漏极接触和所述栅金属层的材料相同且厚度相同；
在所述栅金属层之上形成栅介质层，所述栅介质层与所述栅金属层的接触界面为粗糙面；
在所述底层源极接触、底层漏极接触和所述栅介质层之上形成石墨烯薄膜；和
在所述石墨烯薄膜之上形成顶层源极接触和顶层漏极接触，所述顶层源极接触与所述底层源极接触位置相对应，所述顶层漏极接触与所述底层漏极接触位置相对应，
其中，所述衬底的顶部表面为粗糙表面，所述栅金属层的顶表面并不做打磨光滑处理，以保持其粗糙度。
6.如权利要求5所述的石墨烯场效应管的形成方法，其特征在于，所述底层源极接触、所述底层漏极接触和所述栅金属层的材料为Ti。
7.如权利要求5所述的石墨烯场效应管的形成方法，其特征在于，所述顶层源极接触和所述顶层漏极接触的材料为Ti与Au合金。
8.如权利要求5所述的石墨烯场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为HfSiON、HfO2或Al2O3。
CN201310503580.1A 2013-10-23 2013-10-23 石墨烯场效应管及其形成方法 Active CN103579350B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310503580.1A CN103579350B (zh) 2013-10-23 2013-10-23 石墨烯场效应管及其形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310503580.1A CN103579350B (zh) 2013-10-23 2013-10-23 石墨烯场效应管及其形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103579350A CN103579350A (zh) 2014-02-12
CN103579350B true CN103579350B (zh) 2016-01-20

Family

ID=50050715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310503580.1A Active CN103579350B (zh) 2013-10-23 2013-10-23 石墨烯场效应管及其形成方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103579350B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102290333A (zh) * 2011-08-02 2011-12-21 复旦大学 一种适用于石墨烯基器件的栅氧介质的形成方法
CN102593159A (zh) * 2012-03-20 2012-07-18 四川大学 一种增强型石墨烯场效应晶体管
CN102623310A (zh) * 2012-03-31 2012-08-01 中国科学院微电子研究所 一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法
CN102738237A (zh) * 2011-04-07 2012-10-17 三星电子株式会社 石墨烯电子器件及其制造方法
CN102915929A (zh) * 2012-10-30 2013-02-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种石墨烯场效应器件制备方法
CN103247689A (zh) * 2012-02-04 2013-08-14 李德杰 石墨烯场效应晶体管

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7858989B2 (en) * 2008-08-29 2010-12-28 Globalfoundries Inc. Device and process of forming device with device structure formed in trench and graphene layer formed thereover
US9076873B2 (en) * 2011-01-07 2015-07-07 International Business Machines Corporation Graphene devices with local dual gates

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102738237A (zh) * 2011-04-07 2012-10-17 三星电子株式会社 石墨烯电子器件及其制造方法
CN102290333A (zh) * 2011-08-02 2011-12-21 复旦大学 一种适用于石墨烯基器件的栅氧介质的形成方法
CN103247689A (zh) * 2012-02-04 2013-08-14 李德杰 石墨烯场效应晶体管
CN102593159A (zh) * 2012-03-20 2012-07-18 四川大学 一种增强型石墨烯场效应晶体管
CN102623310A (zh) * 2012-03-31 2012-08-01 中国科学院微电子研究所 一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法
CN102915929A (zh) * 2012-10-30 2013-02-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种石墨烯场效应器件制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103579350A (zh) 2014-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104752229B (zh) 半导体器件及其制造方法
US8174055B2 (en) Formation of FinFET gate spacer
US20190131511A1 (en) Superconductor-silicon interface control
US20080230853A1 (en) Transistor and method of manufacturing the same
US9647062B2 (en) Silicon nanowire formation in replacement metal gate process
CN107425058A (zh) 间隔物整合的方法及所产生的装置
US8372752B1 (en) Method for fabricating ultra-fine nanowire
CN103824764A (zh) 一种沟槽型mos器件中沟槽栅的制备方法
CN103633123B (zh) 一种纳米线衬底结构及其制备方法
CN103456609A (zh) 一种全包围栅极器件形成纳米线的方法
CN102184868B (zh) 提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法
Sharma et al. PECVD based silicon oxynitride thin films for nano photonic on chip interconnects applications
US20150349059A1 (en) Semiconductor arrangement and formation thereof
CN103579350B (zh) 石墨烯场效应管及其形成方法
WO2019041901A1 (zh) 柔性显示面板及其制作方法
CN103779182A (zh) 纳米线的制造方法
KR101614226B1 (ko) 반도체 장치 형성의 방법
CN102610508A (zh) 浮栅的制作方法
WO2015149670A1 (zh) Nor闪存的制造方法
US8445348B1 (en) Manufacturing method of a semiconductor component with a nanowire channel
CN102956456B (zh) 一种半导体器件的制造方法
WO2014109087A1 (ja) 半導体装置の製造方法
CN105161413B (zh) 加工多晶硅表面的方法以及加工基板表面的方法
CN107230724A (zh) 石墨烯场效应晶体管及其制造方法
KR101696983B1 (ko) FinFET 상에 트렌치를 형성하는 방법 및 그 FinFET

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant