CN103579156A - 用于热压键合的键合垫，用于制造键合垫的方法和构件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于将一载体材料（106）与另一载体材料进行热压键合（504）的键合垫（100），其中，所述键合垫（100）具有一基层（102）和一盖层（104）。由金属制成的基层（102）是可变形的并且与所述载体材料（106）连接，其中，所述金属是镍基的。所述盖层（104）是金属的并且直接与所述基层（102）连接。所述盖层（104）至少布置在所述基层（102）的背离所述载体材料（106）的侧面上。所述盖层（104）具有相对于所述基层（102）的一更小的层厚度，其中，所述盖层（104）特别是比所述基层（102）更加抗氧化。

Description

用于热压键合的键合垫，用于制造键合垫的方法和构件

技术领域

本发明涉及一种用于热压键合的键合垫、一种构件以及一种用于制造键合垫的方法。

背景技术

通过热压键合能够将两个金属的面持久地相互连接。为此，所述面在高的压力以及在升高的温度下相互压紧，直到在所述金属的接触界面上进行晶粒的重新结构化，所述重新结构化导致所述面的连接。

例如US 2010 283 138 A1描述了一种方法，其中，镍作为键合金属用于一MEMS构件。所述键合在此情况下直接经由所述镍层进行。在此情况下，在一连接部位上，将一镍基的材料与一其它的镍基的材料或者一铝基的材料连接起来。

针对借助于热压键合方法的晶片键合，可以采用多种金属。在多个出版物（例如“Investigations of thermocompression bonding with thin metal layers”，Proceedings of Transducers 11）中描述了这些金属。此外广泛公知的是Al、Cu和Au。在Al和Cu的情况下，存在在键合之前在表面上形成氧化物的危险，该氧化物的形成会负面地影响在所述键合界面上的附着。Au作为键合金属在此也具有优点，但在厚层中制造比较昂贵。

US7737560描述了一种用于借助于超声波构造一布线键合连接的方法，该方法采用一层设的键合垫金属系统，其具有一含镍的层和一位于其上的钝化层，例如由Pd和Au制成。

发明内容

在该背景下利用本发明介绍了根据独立权利要求所述的一种用于热压键合的键合垫、一种构件以及一种用于制造键合垫的方法。有利的设计方案从各从属权利要求和下面的说明书中给出。

镍基的键合金属具有可延展的特性，这是有利的，用以例如平衡制造公差和接触面的不平坦性。但所述镍基的材料是易氧化的，这会导致氧化物夹杂且因此导致连接部位处的不密封性或者说接触问题。

本发明基于如下知识，镍基的材料可以形成键合垫的体积的大部分，用以提供所希望的可延展的特性。所述镍基的材料可以通过一钝化的、薄的金属的盖层来防止氧化。

有利地，所述盖层相对于所述镍基的材料具有特别小的层厚度且因此特别小的微晶大小。由于很小的微晶大小，在每个面积单元上准备有很大数量的微晶作为生长核，其在热压键合期间会生长到挤压的面中。

所述金属的盖层的厚度可以与所述镍基的基层的厚度具有一固定的比例，例如十分之一至五分之一。

本发明提供了一种用于将一载体材料与另一载体材料进行热压键合的键合垫，其中，所述键合垫具有下列特征：

由金属制成的可变形的、厚的基层，其与所述载体材料连接，其中，所述金属是镍基的；以及

至少一个金属的盖层，其直接与所述基层连接并且至少布置在所述基层的背离所述载体材料的侧面上，其中，所述盖层相对于所述基层具有一更小的层厚度，尤其是所述盖层比所述基层更加抗氧化。

此外本发明提出一种具有下列特征的构件：

第一载体材料，其在第一表面上具有至少一个根据这里介绍的方法所述的导电的键合垫；

第二载体材料，其以相对于第一载体材料的一间距布置，并且在所述第二载体材料的面对所述第一表面的第二表面上具有一与所述键合垫对置地布置的接触部位，所述接触部位贴合在所述键合垫上，其中，所述键合垫的轮廓在一公差范围内与所述接触部位的外形相应，并且所述接触部位与所述键合垫是连接的，尤其是所述接触部位与所述键合垫通过热压键合进行连接。

本发明还提出了一种用于在载体材料上制造键合垫的方法，其中，所述方法包括下列步骤：

将一由金属制成的、镍基的可变形的基层沉积在所述载体材料上；

将一金属的盖层直接沉积到所述基层的背离所述载体材料的侧面上，其中，所述盖层具有比所述基层的层厚度更小的层厚度，例如为所述基层的层厚度的十分之一至五分之一，尤其是所述盖层比所述基层更加抗氧化。

键合垫可以理解为一种接触装置，其构造用于在一低于所述盖层材料的液相温度的温度下与另一键合垫材料接合地连接。为了进行连接，在所述温度作用期间，所述键合垫和所述另一键合垫在高压下相互压紧。在此情况下产生了所述键合垫的类似于在扩散焊接时的过程那样的不可逆的连接。在此情况下，微晶在所述键合垫的界面上增长并且获得了可机械负载的以及导电的连接。载体材料可以是一衬底，例如晶片或芯片。所述载体材料可以在所述键合垫的部位处具有一接触垫。所述接触垫可以例如由铝、铜、钛、钽、AISi、AlSiCu、AICu、TiN、TiW、TaN制成。镍基的金属可以例如是这样一种金属，其至少部分地具有镍或者是元素镍。所述镍基的金属也可以是NiP、NiMoP、NiPd、NiB、NiCo。盖层可以是一金属的钝化（层）。所述盖层可以理想地具有比所述基层更小的氧化趋势。更小的氧化趋势可以理解为一种特性，根据所述特性，相比于所述基层的材料而言，所述盖层的材料在暴露的情况下相对于一含氧的介质更慢地氧化。所述盖层可以特别是具有比基层更小的微晶大小的微晶。例如所述盖层的厚度可以位于纳米范围中。构件可以例如是一传感器。接触部位可以是一接触垫。所述键合垫可以类似于所述接触部位而成形。例如所述键合垫可以比所述接触部位更大或更小。公差范围可以例如具有在1μm和500μm之间的大小。沉积可以例如是将聚集状态从液态或气态改变成固态的状态。例如可以在沉积期间将所述金属积聚到所述载体材料和/或所述基层的金属处。

所述沉积步骤中的至少一个步骤可以借助于一电化学的沉积过程来进行。电化学的沉积过程可以例如是在电镀过程期间将金属离子积聚到阳极或阴极处。通过与金属离子的电子交换可以将金属离子结晶成金属微晶。通过所述电化学的沉积过程不仅可以实现大的层厚度也可以实现小的层厚度。通过所述电化学的沉积过程可以实现在所述键合垫的表面上的均匀的层厚度。因此可以实现特别光滑的表面，其具有特别好的键合特性。

所述方法可以具有将掩模层涂覆和结构化到所述载体材料上的步骤，用以获得一用于所述沉积步骤的掩模。所述掩模层可以是不导电的层。所述掩模层可以在应该布置所述键合垫的地方具有一开口。通过掩模可以将所述键合垫特别准确地定位。

所述方法可以具有清洁所述盖层的步骤。清洁可以是所述盖层的额外的弄平，用以进一步改善所述盖层的键合特性。例如所述清洁可以借助于一等离子处理和/或一气体处理和/或湿化学地实施。

所述盖层由至少一个层构成，所述层至少部分地由如下材料：钯、金、铂、铜中的至少一种材料制成。钯、金和铂是贵金属。铜是半贵金属。所述金属具有一高的耐腐蚀性。正常大气不氧化或几乎不氧化这些金属。由此可以将所述键合垫在此期间例如在没有一保护大气的前提下进行存放。

所述基层的层厚度具有一相对于所述盖层的层厚度的预设的比例。预设的比例可以例如是，例如所述盖层的层厚度为所述基层的层厚度的五分之一、有利的是至少十分之一。通过预设的比例可以实现高的可靠性。

所述盖层的接合面（Teilfläche）是平坦的和/或平行于所述载体材料的表面布置。通过一平坦的接合面可以实现预设的均匀的接触面。通过所述接合面的平行的取向，可以将一压紧力在键合时法向于所述接合面起作用并且特别好地实现所述键合连接。

在所述第二载体材料上的接触部位可以作为另一根据这里介绍的方法所述的键合垫来构造。两个相同类型的键合垫可以获得特别可靠的连接。

所述两个键合垫的轮廓可以围绕着在所述第一载体材料和所述第二载体材料之间的内腔环形环围地闭合。替选地或附加地，所述接触部位的外形可以围绕所述内腔环形环围地闭合。所述键合垫和所述接触部位可以构造一键合框，其内腔可以是一空腔。所述内腔可以相对于周围环境密闭地封闭。

所述构件可以具有至少一个附加的键合垫和至少一个附加的接触部位。一附加的键合垫和一附加的接触部位可以构造一另外的键合连接。例如可以如此地实施在所述第一载体材料和所述第二载体材料之间的电连接。

所述键合垫和所述附加的键合垫可以具有相同的高度。所述面可以布置在一个平面上。所述键合垫和所述附加的键合垫可以在相同的制造步骤期间制成。

至少所述第一载体材料可以具有一MEMS传感器元件。MEMS传感器元件可以是一微电子机械的传感器元件。例如所述MEMS传感器元件可以布置在所述内腔内，以便能够防止污染或者能够包围一定的内压。

为了电连接和密闭连接，所述晶片键合金属化结构的表面可以分别在所述载体材料的至少一个载体材料上相对于所述剩余表面突起，并且在分别位于同一水平线上，例如以如下方式，即它们具有相同的层下部结构或者所述表面在涂覆所述晶片键合金属化结构之前或之后被平整化。

此外有利的是，在所述两个载体材料中的一个上的相应的键合垫的尺寸设计得较小，从而即使在所述键合边缘处的轮廓的情况下仍然得到大的接触面。

附图说明

下面参照附图示例性地详细阐释本发明。其中:

图1 示出了根据本发明的一个实施例的键合垫的方块图；

图2 示出了根据本发明的一个实施例的用于在载体材料上制造键合垫的方法的流程图；

图3a 示出了根据本发明的一个实施例的构件的一个截面图；

图3b 示出了根据本发明的一个实施例的构件的另一个截面图；

图4 示出了根据本发明的一个实施例的芯片的俯视图；以及

图5 示出了根据本发明的一个实施例的用于连接两个衬底的方法的流程图；

在下面的本发明的优选实施例的描述中，针对在不同的附图中展示的并且相似作用的元件采用相同的或者相似的附图标记，其中，舍弃了所述元件的重复描述。

具体实施方式

图1示出了根据本发明的一个实施例的键合垫100的方块图。所述键合垫100具有一基层102和一盖层104。所述基层102布置在一载体材料106上。所述基层102直接与所述载体材料106连接。所述基层102是金属的或者说含金属的（metallisch）且是镍基的，也就是说，其包括金属，所述金属至少部分地含有镍。由于所述基础金属镍，所述基层102是可伸展的，也就是说，可变形的。所述基层102布置在所述盖层104和所述载体材料106之间。所述载体材料106在该实施例中是一晶片，例如由具有由绝缘层、例如氧化硅制成的绝缘层所形成的覆层的硅制成的晶片。所述基层102借助于电化学沉积方法被涂覆到所述载体材料106上。所述盖层104直接地、即紧挨着地与所述基层102连接。所述盖层104是金属的。所述盖层104比所述基层102薄出四倍。通过所述盖层104的很小的层厚度，在所述盖层104中的微晶小于在所述基层102中的微晶。所述盖层104由比所述基层102更加抗氧化的金属制成。所述盖层104借助于电化学沉积方法被涂覆到所述基层102上。所述盖层104是平坦的并且光滑的。所述键合垫100构造用于借助于热压键合方法与另一键合垫连接起来。通过在所述盖层104中的微晶的很小的大小，与另一键合垫的键合连接可以特别可靠地实施。

换句话说，图1示出了一种用于热压键合的金属化结构（Metallisierung）100。这里介绍的层系统允许了显示出一种可靠的、成本低廉的键合连接。所述键合是耐腐蚀的并且提供了一种密闭地密封的键合连接以及具有很小的阻力分散值（Widerstandsstreuung）的很小的电接触阻力。所述金属化结构104能够实现一种牢固的键合工艺。

图2示出了根据本发明的一个实施例的用于在载体材料上制造键合垫的方法200的流程图。所述方法200具有两个相继的沉积步骤202、204。所述键合垫相应于如在图1中描述的键合垫。在第一沉积步骤202中，将一基层在所述载体材料上沉积，在第二沉积步骤204中，在所述基层上沉积一盖层。在第一沉积步骤202中，将由金属制成的镍基的、可变形的基层在所述载体材料上例如电化学地沉积。在第二沉积步骤204中，将所述金属化的盖层直接在所述基层的背离所述载体材料的侧面上例如电化学地沉积。在电化学沉积的情况下，将一电流在两个电极之间通过一电解液传导。在此情况下，在一阴极上析出了来自电解液中的金属离子，由此在所述沉积步骤202、204中构成一金属的沉淀物作为层。所述载体材料或者说所述键合垫在该应用例子中是阴极。在所述载体材料例如通过一掩模被电绝缘所处的部位处，不进行沉淀。所述盖层具有比所述基层更小的层厚度。所述盖层比所述基层更加抗氧化。

通过这里描述的方法200，由于薄的盖层而获得了小的微晶大小。所述小的微晶大小允许了快速的换位且因此允许了牢固的键合连接。

通过如在步骤202和204中的电镀沉积得出了光滑的表面。

所述沉积也可以无电流地在不接合到晶片边缘的情况下进行。

通过这里介绍的方法200可以产生出耐腐蚀的键合连接，其实现了在两个衬底之间的定义的间距。

图3a和3b示出了根据本发明的一个实施例的构件300的示图。在此情况下，图3a例如示出了在键合之前的根据本发明的键合金属化结构的实施例的横截面的详细视图。图3b例如示出了在键合之后的根据本发明的键合金属化结构的实施例的横截面的详细视图。

所述构件300具有一上部件302和一下部件304。所述上部件302在该示图中布置在所述下部件304上方。所述上部件302与所述下部件304镜像地构造。所述两个部件302、304分别具有一层衬底306、一层层下部结构308、一层芯片布线310和一层键合金属化结构312。所述键合金属化结构312在此情况下在结构上相应于根据如在图1中所示的本发明的一个实施例的键合垫。所述衬底306、所述层下部结构308和所述芯片布线310在图1中综合成所述载体材料，在所述载体材料上构建所述键合垫。下面描述所述下部件304。所述上部件302是类似地构建的。所述衬底306是一载体层、例如由硅制成的载体层。所述衬底306在所述下部件304的例子中是最下面的层。所述层下部结构308直接布置在所述衬底306上。所述层下部结构308由氧化硅制成。所述层下部结构308具有改变的特性，以便能够在其上布置其它结构。所述芯片布线310直接布置在所述层下部结构308上。所述芯片布线310是导电的并且以印制导线和/或接触垫的形式成形。在该实施例中，所述布线310形成一个在其中布置有一键合密封框314的区域，以及一个在其中布置有键合触头316的区域。所述印制导线和接触垫具有用于电绝缘的间隙。所述芯片布线310至少部分地通过一由介电材料318制成的层来遮盖。所述介电层318可以用作掩模，用于在所述制造方法期间涂覆所述键合金属化结构312。所述介电层318具有在所述芯片布线310的区域中的开口。在如图2中所描述的沉积步骤中，所述开口以基层102填充。所述基层在这里是一厚的、柔韧的、含镍的基础金属化结构。所述基层102比所述介电层318构造得更厚。在此情况下，所述基层102在所述开口被填充之后也侧部地在所述介电层318上增长。为此，所述基层102具有一蘑菇形状。所述基层102具有一平坦的、光滑的表面，该表面基本上平行于所述开口中的芯片布线310的表面来取向。所述键合密封框314的区域中的表面在此情况下布置在与所述键合触头316的区域中的表面相同的平面中。所述表面的边缘是倒圆的并且过渡到所述基层102的边棱中。在所述表面和所述边棱上，在另一沉积步骤中涂覆所述盖层104。所述盖层104在这里是一薄的、金属的钝化层，例如由贵金属制成。所述盖层104是均匀地薄的。在所述上部件302的介电层318中的开口以一小的值小于所述下部件304的开口。由此，所述上部件302的键合金属化结构312的平坦的表面同样以所述值更小。

图3a示出了在键合之前的构件300。所述键合框314以及所述键合触头316的键合金属化结构312是相互对齐的并且相互间隔的。所述盖层104可以在所示的状态中例如被清洁，以便能够实现进一步改善的键合连接。

图3b示出了在键合之后的构件300。在所述构件被加热到一键合温度上期间，所述键合框314以及所述键合触头316的键合金属化结构312在键合期间以一键合压力相互压紧，。在此情况下，所述键合垫的表面被压紧到如此紧密的接触中，使得在两个表面中已经采用了扩散过程，所述扩散过程已经导致了在界面上的微晶增长并且导致了上部件302和下部件304的持久的连接。通过所述盖层104的高的表面品质，所述键合连接是无杂质的且因此是流体密封的。

换句话说，图3b示出了由至少两个衬底302、304（例如晶片、芯片）构成的构件300的详细视图，所述衬底经由一金属的晶体键合连接部相互连接。所述金属的晶片键合连接312由多个层102、104构成，其中，在一接触垫312（例如由 AI、AISi、AlSiCu、AICu、Cu、Ti、TiN、TiW、Ta、TaN制成）上具有一镍基的基础金属化结构102（例如Ni、NiP、NiMoP、NiPd、NiB、NiCo）以及在其上具有一金属的盖层104。

所述金属的钝化层104可以由至少一个由材料Pd、Au、Pt、Cu中的至少一种材料所制成的层构成。

所述金属的晶片键合连接312不仅可以提供在至少两个衬底302、304之间的至少一个电连接316而且能够提供密闭的环形闭合的密封连接（“键合框”）314。

在所述载体材料302、304中的至少一个上可以集成一MEMS构件。

为了电连接和密闭连接，所述晶片键合金属化结构312的表面在所述载体材料302、304上可以分别相对于剩余表面突起，并且在一载体材料上位于同一水平线上，例如以如下方式，即它们具有相同的层下部结构或者所述表面在涂覆所述晶片键合金属化结构312之前或之后被平整化。

所述金属的晶体键合连接部312可以在至少一个方向上具有在1μm和500μm之间的横向的结构宽度。

通过所述金属的晶体键合连接部312可以调节出在所述至少两个衬底302、304之间的从0.5μm至20μm的定义的间距。

图4示出了根据本发明的一个实施例的芯片400的俯视图。所示的是具有键合金属化结构的典型的构件布设。所述芯片400具有一键合框314，、多个键合触头316以及一功能区域402。所述键合框314、所述键合触头316和所述功能区域402布置在一载体材料106上。在图3中示出了沿着一穿过所述键合框314和所述键合触头316中的一个键合触头的截面线404的细节横截面图。所述芯片布线310将各一个键合触头316与所述功能区域402连接起来。所述键合框314不与所述功能区域402连接。在所述功能区域402中例如集成半导体结构和MEMS结构。所述功能区域402是矩形地示出的。每七个键合触头316以相同的间距在所述功能区域402的相对置的窄侧面上以与所述功能区域402的一间距来布置。所述键合框314以倒圆的矩形形状围住所述功能区域402和所述键合触头316。所述键合框314具有与所述功能区域402和所述键合触头316的一间距。

图5示出了用于连接两个衬底的方法500的流程图。下面的工艺步骤在至少两个待相互连接的载体材料上实施。

涂覆502和结构化一不传导的掩模层，例如由聚酰亚胺、氮化硅制成。

将一含镍的层（例如Ni、NiP、NiMoP、NiPd、NiB、NiCo）沉积202在一基础金属化结构上，例如借助于电化学的沉积方法。

沉积204至少一个其它的薄的、金属的钝化层和键合层（例如Pd、Au、Pt、Cu），例如借助于电化学的沉积方法。

热压键合504所述至少两个载体材料。

键合后退火（Post-Bond Anneal）506，用于强化所述键合附着。

可选地是，可以在键合之前实施一去除所述掩模层的步骤。同样地，可以在键合之前实施一借助于等离子处理（例如Ar背溅射）和/或合成气体处理和/或湿化学清洁来对所述键合金属表面进行清洁和/或空气调节。

所描述的晶片键合连接或者说所述方法500可以用于制造红外线传感器阵列、加速度传感器、旋转率传感器、压力传感器等等。

针对在步骤504中的热压键合有利的是，所述键合表面尽可能是光滑的并且在各载体材料上全都位于一个平面上。这样，在键合过程中所述键合面的较大区域开始接触。为了产生光滑的表面，如在步骤202和204中描述的电化学的沉积方法是特别合适的。此外，利用电化学的沉积方法可以对选择性地确定的区域进行覆层并且不仅实现了几个纳米（nm）厚度的特别薄的层，而且实现了多个微米（μm）厚度的特别厚的层。

在所述热压键合504期间，在接触面上通过在所述键合面的两侧的（内部）扩散过程会出现（重）结晶和晶粒的晶粒增长，这导致了所述键合界面之间的附着。相比于厚层的情况，在薄层的情况下的晶粒明显更小，表面更光滑并且在键合时的换位可以因此更快地以及更完全地进行。

此外有利的是，所述键合金属化结构可以弯曲一小段并且可以弹性地吸收机械应力（压力）。这尤其是在相互待键合的晶片的情况下利用弯曲性导致了在晶片上的更好的键合均匀度并且防止了在层下部结构中的损伤。含镍的层的特点在于该特性。

此外，由于过程兼容性的原因，键合连接是有利的，其可以在较低的温度下进行并且之后仍然能够承受高温。因此，大多随着较低的键合能和熔融温度而出现的具有较低的扩散能的键合金属是特别受到关注的。

此外，如果所述键合金属化结构作为密封元件用于一真空包围（Vakummeinschluss），则还要注意耐腐蚀性。这也有助于，在键合之前避免所述键合表面的氧化。因此，特别有利的是具有如例如Pd、Au、Pt的贵金属的金属化结构。为了改善附着并且避免所述贵金属层的内部扩散，可以嵌入中间层，例如Pd、Ti、Ta、TiW、TaN。

利用这里介绍的方法，建议一种用于晶片键合的金属系统，其兼具了所有之前描述的特性。其由一较厚的含镍的以及至少一个位于其上的钝化的、较薄的盖层构成（例如Pd、Au、Pt...）。

这里介绍的方法可以在所有的应用中使用，在这些应用中必须提供在两个载体材料之间的密闭的密封和/或电接触。这可以是例如在制造红外线传感器阵列、加速度传感器、旋转率传感器、压力传感器......时的情况。

所描述的并且在附图中所示的实施例仅是示例性地选择的。不同的实施例可以完全地或者关于单个的特征相互组合。一个实施例也可以通过其他实施例的特征来补充。

此外，可以重复根据本发明的方法步骤，以及以不同于在所描述的顺序进行实施。

如果一实施例包含在第一特征和第二特征之间的“和/或”关联，则应该理解为，所述实施例根据一种实施方式不仅具有第一特征而且具有第二特征，并且根据另一种实施方式要么仅具有第一特征要么仅具有第二特征。

Claims (14)

1. 键合垫（100），用于将一载体材料（106）与另一载体材料进行热压键合（504），其中，所述键合垫（100）具有下列特征：

由金属制成的能够变形的基层（102），其与所述载体材料（106）连接，其中，所述金属是镍基的；以及

金属的盖层（104），其直接与所述基层（102）连接并且至少布置在所述基层（102）的背离所述载体材料（106）的侧面上，其中，所述盖层（104）相对于所述基层（102）具有一更小的层厚度，尤其是所述盖层（104）比所述基层（102）更加抗氧化。

2. 根据权利要求1所述的键合垫（100），其中，所述盖层（104）由至少一个层构成，所述层至少部分地由下列材料：钯、金、铂、铜中的至少一种材料制成。

3. 根据前述权利要求中任一项所述的键合垫（100），其中，所述基层（102）的层厚度具有一相对于所述盖层（104）的层厚度的预设的比例。

4. 根据前述权利要求中任一项所述的键合垫（100），其中，所述盖层（104）的接合面是平坦的和/或平行于所述载体材料（106）的表面布置。

5. 构件（300），具有下列特征：

第一载体材料（302），其在第一表面上具有至少一个根据权利要求1至4中任一项所述的键合垫（100）；

第二载体材料（304），其以与所述第一载体材料（302）的一间距布置，并且在所述第二载体材料（304）的面向所述第一载体材料的第一表面的第二表面上具有一与所述键合垫（100）对置地布置的接触部位，所述接触部位贴合在所述键合垫（100）上，其中，所述接触部位与所述键合垫（100）连接，尤其是所述键合垫（100）的轮廓在一公差范围内相应于所述接触部位的外形。

6. 根据权利要求5所述的构件（300），其中，所述接触部位构造成另一个根据权利要求1至4中任一项所述的键合垫（100）。

7. 根据前述权利要求中任一项所述的构件（300），其中，所述键合垫（100）的轮廓围绕所述第一载体材料（302）和所述第二载体材料（304）之间的内腔环形围绕地闭合和/或所述接触部位的外形围绕所述内腔环形围绕地闭合。

8. 根据前述权利要求中任一项所述的构件（300），具有至少一个附加的键合垫（100）和至少一个附加的接触部位。

9. 根据权利要求8所述的构件（300），其中，所述键合垫（100）和所述附加的键合垫（100）具有在所述载体材料的表面上的相同的高度。

10. 根据前述权利要求中任一项所述的构件（100），其中，至少第一载体材料（302）具有一MEMS传感器元件（402）。

11. 用于在载体材料（106）上制造键合垫（100）的方法（200），其中，所述方法（200）至少包括下列步骤：

将一由金属制成的、镍基的能变形的基层（102）沉积（202）在所述载体材料（106）上；

将一金属的盖层（104）直接沉积（204）在所述基层（102）的背离所述载体材料（106）的侧面上，其中，所述盖层（104）具有一比所述基层（102）更小的层厚度，其中，所述盖层（104）特别是比所述基层（102）更加抗氧化。

12. 根据权利要求11所述的方法（200），其中，所述沉积（202、204）的步骤中的至少一个步骤借助于一电化学的沉积过程来进行。

13. 根据前述权利要求中任一项所述的方法（200），具有将一掩模层（318）涂覆（502）和结构化到所述载体材料（106）上的步骤，用以获得一用于所述沉积（202、204）的步骤的掩模。

14. 根据前述权利要求中任一项所述的方法（200），具有一清洁所述盖层（104）的步骤。

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