CN109085488B - 芯片测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种芯片测试方法,首先,在一层氧化膜上形成一个或者多个标准尺寸及厚度的pad,然后去除氧化膜,使pad掉落,利用静电探针将pad拾起并保存。测试时,利用静电针把pad放置于需要的地方,利用FIB将pad固定,并将pad于需要测试的信号线连接起来。测试完成之后,利用FIB切断pad与信号线的连接,使用静电针将pad回收保存,以便下次再用。本方法可以节省淀积pad的时间,pad还能反复利用,节约了时间成本和材料成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件制造与测试领域,特别是指一种芯片测试方法。
背景技术
当需要获取芯片中某一金属线上的波形时,须用FIB对芯片进行线路修改,将信号引出,再用Pt淀积出一个pad,便于probe及测量,如图1所示,是利用Pt淀积的pad的显微照片,图中下方的大面积矩形为pad。
传统的做法:
每引出一个信号,就要使用FIB的Pt淀积功能,相应地淀积出一个pad用于探针的接触,pad的大小一般为:30um×30um×1um左右,每个pad的淀积时间一般为一个小时左右。
当需要淀积多个pad时,就需要耗费大量时间以及FIB的Pt原料,时间成本和材料成本都很高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种芯片测试方法。
为解决上述问题,本发明所述的一种芯片测试方法,首先,在一层氧化膜上形成一个或者多个标准尺寸及厚度的pad,然后去除氧化膜,使pad掉落,利用静电探针将pad拾起并保存。
进一步地,所述的pad尺寸根据测试需要来确定,或者是制备各种不同尺寸大小的pad予以保存,在测试时根据实际需要选择合适尺寸的pad来使用。
进一步地,采用湿法腐蚀的方法去除氧化膜,pad由于失去载体而掉落。
进一步地,所述的pad材质为Al,或者W,或者Pt。
进一步地,利用静电针把pad放置于需要的地方,利用FIB将pad固定,并将pad于需要测试的信号线连接起来。
进一步地,测试完成之后,利用FIB切断pad与信号线的连接,使用静电针将pad回收保存,以便下次再用。
本发明所述的芯片测试方法,可以节省淀积pad的时间,pad还能反复利用,节约了时间成本和材料成本。
附图说明
图1是利用淀积pt金属pad然后进行FIB连线的测试图。
图2是本发明在氧化膜上淀积形成金属pad的示意图。
图3是本发明利用形成的金属pad进行FIB连线并测试的示意图。
图4是本发明测试完成之后切断连线将pad回收保存的示意图。
具体实施方式
本发明所述的一种芯片测试方法,首先,在一层氧化膜上形成一个或者多个标准尺寸及厚度的pad,比如长×宽×厚度为30μm×30μm×1μm。如图2所示,图中在氧化膜上一次制作了多个pad。具体根据测试需要来确定,或者是制备各种不同尺寸大小的pad予以保存,在测试时根据实际需要选择合适尺寸的pad来使用。pad材质为Al,或者W,或者Pt。
然后,采用湿法腐蚀的方法去除氧化膜,pad由于失去载体而掉落。利用静电探针将pad拾起并保存。
在测试的时候,利用静电针把pad放置于需要的地方,如图3所示,利用FIB将pad固定,并将pad于需要测试的信号线连接起来。然后使用测试探针打在pad上,输入测试信号进行正常的芯片测试。
测试完成之后,利用FIB切断pad与信号线的连接,使用静电针将pad回收保存,以便下次再用。本方法可以节省淀积pad的时间,pad还能反复利用,节约了时间成本和材料成本。
以上仅为本发明的优选实施例,并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种芯片测试用PAD的形成方法,其特征在于:首先,在一层氧化膜上形成一个或者多个标准尺寸及厚度的pad,然后去除氧化膜,使pad掉落,利用静电探针将pad拾起并保存;
所述的pad尺寸根据测试需要来确定,或者是制备各种不同尺寸大小的pad予以保存,在测试时根据实际需要选择合适尺寸的pad来使用;
所述的pad材质为Al,或者W,或者Pt。
2.如权利要求1所述的芯片测试用PAD的形成方法,其特征在于:采用湿法腐蚀的方法去除氧化膜,pad由于失去载体而掉落。
3.如权利要求1所述的芯片测试用PAD的形成方法,其特征在于:测试时,利用静电针把pad 放置于需要的地方,利用FIB将pad固定,并将pad于需要测试的信号线连接起来。
4.如权利要求1所述的芯片测试用PAD的形成方法,其特征在于:测试完成之后,利用FIB切断pad与信号线的连接,使用静电针将pad回收保存,以便下次再用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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CN (1) | CN109085488B (zh) |
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