CN103579061A - 晶粒拾取控制方法、应用该方法的晶粒拾取装置及包括该装置的黏晶机 - Google Patents

晶粒拾取控制方法、应用该方法的晶粒拾取装置及包括该装置的黏晶机 Download PDF

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Abstract

本发明涉及晶粒拾取控制方法、应用该方法的晶粒拾取装置及包括该装置的黏晶机。方法包含：下降传送单元以使与传送单元连接的拾取单元的筒夹的底部自等待针水平下降至低速接近水平，当筒夹抵达低速接近水平时，减少下降速度；提升顶出器以自等待针水平提升与顶出器连接的顶出针至第一升针水平直到顶出针与黏着胶带接触；当传送单元向下移动而使筒夹的底部抵达芯片接触水平且接触晶粒的顶部时，暂停传送单元及顶出器的垂直移动一接触延迟时间；暂停传送单元的垂直移动拾取延迟时间，并提升顶出器以将顶出针提升至第二升针水平以及推起晶粒；暂停顶出器的垂直移动降针延迟时间，并提升传送单元以提升吸附晶粒的筒夹；及下降顶出器以下降顶出针。

Description

晶粒拾取控制方法、应用该方法的晶粒拾取装置及包括该装置的黏晶机
技术领域
本发明涉及一种晶粒拾取控制方法及其晶粒拾取装置及黏晶机，特别涉及一种晶粒拾取控制方法及其晶粒拾取装置及黏晶机，其可稳固地拾取自晶片切割出的半导体晶粒。
背景技术
一般而言，半导体装置的后工艺广泛地包含：一晶片检查步骤，用于检查晶片上的半导体芯片的质量；一黏晶步骤，用于将自晶片独立切割出的半导体晶粒(此后称“晶粒”)黏着于引线架或是印刷电路板；一焊线步骤，用于将晶粒的接垫通过引线与导线架或是印刷电路板的图案连接；封胶步骤，用于以封装材料包覆晶粒的内部电路及其它元件，以保护内部电路及其它元件；一剪切步骤，用于剪切使接脚互相连接的提坝杠(dam-bar)；一成形步骤，用于依需求弯曲接脚；以及一测试步骤，用于检查经由上述步骤所产生的半导体装置的质量。
在上述步骤中，黏晶步骤是通过一黏晶机进行。黏晶机将黏着剂涂布于导线架或印刷电路板(此后称“基板”)，并且将晶粒黏附于黏着剂涂布的部分。
传统的黏晶机一般而言包括一加载器、一预烘烤机、一戳印单元、一附着单元、一晶片台及一载出器。
加载器经由一轨道提供一叠置于弹匣内的基板至预烘烤机，以及预烘烤机将基板加热至一适于活化黏着剂的温度，以使晶粒可被附着于基板。
戳印单元自预烘烤机接收加热后的基板并将黏着剂涂布于晶粒将被黏着之处，且附着单元将晶粒附着于黏着剂被完全涂布的基板上，此时，欲被黏着的晶粒从晶片台供应至附着单元，而黏着至基板的晶粒由载出器拾取。
其中，附着单元通过进行一拾取动作以将晶粒与晶片分开，以及一黏着动作以将分开后的晶粒附着于黏着剂涂布的部分。
进一步来说，附着单元的拾取动作所使用的一传统拾取装置包含一拾取单元用于通过一筒夹、一供以黏着胶带固定的半导体晶粒放置的顶出座，以及一设置于顶出座内并提升半导体晶粒的顶出针，以进行半导体晶粒的真空吸附及传送。
然而，由于上述传统的拾取装置简单地以筒夹的向下动作及顶出针的向上动作驱动，当拾取装置的筒夹实际与晶粒接触时，冲击可能会破坏晶粒，或是筒夹吸附的晶粒可被摇动而因与黏着胶带分离而造成未对准。如此，传统的拾取装置牵涉许多不稳定的因素，因而造成近来半导体晶粒的缩小化的配合困难，或是高速生产及处理的可靠性降低。
尤其是，当吸附区域变小以及拾取速度变快时，上述的拾取误差将变大。这是因为吸附区域因半导体晶粒变小而小，拾取速度因产量速度加快而增加的缘故。
发明内容
有鉴于上述问题，本发明提供一晶粒拾取控制方法、一应用该方法的晶粒控制装置，以及一包含该装置的黏晶机，以稳定地拾取从晶片切割出的半导体晶粒。
于本发明的一方面中，一种晶粒拾取方法，用于自附着于一黏着胶带的一晶片分离出一半导体晶粒，所述方法包含：下降一传送单元以使一与传送单元连接的拾取单元的一筒夹的底部自一等待针水平下降至一低速接近水平，且当筒夹抵达低速接近水平时，减少一下降速度；提升一顶出器，以将一与该顶出器连接的顶出针从该等待针水平提升至一第一升针水平直到顶出针与一黏着胶带接触；当传送单元向下移动而使筒夹的底部抵达一芯片接触水平且接触晶粒的顶部时，暂停传送单元及顶出器的垂直移动一接触延迟时间；暂停传送单元的垂直移动一拾取延迟时间，并提升顶出器以将顶出针提升至一第二升针水平以及推起晶粒；暂停顶出器的垂直移动一降针延迟时间，并提升传送单元以提升吸附晶粒的筒夹；以及下降顶出器以下降顶出针。
于提升一顶出器的步骤中，控制一线性移动导件的一冲击吸收力自一高度力水平降低至一中度力水平，线性移动导件与传送单元联合进行垂直移动并转移冲击吸收力至拾取单元，并且，于提升一顶出器的步骤以及暂停传送单元及顶出器的步骤之间，控制线性移动导件的冲击吸收力再从中度力水平降低至一拾取度力水平。
具有高度力水平的冲击吸收力的范围为195克力至205克力(1.911牛顿至2.009牛顿)，具有中度力水平的冲击吸收力的范围为115克力至125克力(1.127牛顿至1.225牛顿)，以及具有拾取度力水平的冲击吸收力的范围为25克力至35克力(0.245牛顿至0.343牛顿)。
于暂停顶出器一降针延迟时间的步骤以及下降顶出器的步骤之间，控制一线性移动导件的一冲击吸收力自一拾取度力水平增加至一中度力水平，线性移动导件与传送单元联合进行垂直移动且转移冲击吸收力至拾取单元，并且，于下降顶出器的步骤中，控制线性移动导件的冲击吸收力再从中度力水平增加至一高度力水平。
具有拾取度力的冲击吸收力的范围为25克力至35克力(0.245牛顿至0.343牛顿)，具有中度力水平的冲击吸收力的范围为115克力至125克力(1.127牛顿至1.225牛顿)，以及具有高度力水平的冲击吸收力的范围为195克力至205克力(1.911牛顿至2.009牛顿)。
于暂停传送单元及顶出器一接触延迟时间的步骤中，接触延迟时间执行8毫秒至12毫秒。
于暂停传送单元一拾取延迟时间的步骤中，拾取延迟时间执行18毫秒至22毫秒。
于暂停顶出器一降针延迟时间的步骤中，降针延迟时间执行8毫秒至12毫秒。
于本发明的另一方面中，一种晶粒拾取装置，其由上述的任一晶粒拾取方法驱动，且包含：一拾取单元，其通过一筒夹真空吸附且传送一半导体晶粒；一传送单元，其使拾取单元向上或向下移动；一线性移动导件，经设置以与传送单元联合移动，并且提供拾取单元的向上或向下移动一冲击吸收力；以及一顶出座，用于供一以黏着胶带固定的半导体晶粒放置，该顶出座通过一设置于其中的顶出针提升半导体晶粒。
于本发明另一方面中，一种黏晶机，包含上述的晶粒拾取装置。
上述及其它本发明的目的、特征及优势通过以下配合附图的实施例将更为明确。
附图说明
图1显示本发明一实施例的黏晶机的平面图；
图2显示本发明一实施例的晶粒拾取装置的剖面示意图；
图3显示本发明一实施例的晶粒拾取动作的动作/顺序图；以及
图4显示本发明一实施例的晶粒拾取动作的流程图。
其中，附图标记说明如下：
100  载入器            200  预烘烤机
300  戳印单元          400  附着单元
500  晶片台            600  载出器
410  拾取驱动器        411  传送单元
420  冲击吸收驱动器    421  线性移动导件
422  精确动子          440  拾取单元
441  传送头            442  筒夹
510  顶出座            511  顶出器
512  垂直驱动柱体      513  顶出针
514  顶出驱动器        515  通孔
520  晶片              521  黏着胶带
522  半导体晶粒
S10-S19              流程步骤
具体实施方式
本发明的实施例将配合附图详细说明如下。
第一，配合图1说明本发明一实施例的黏晶机。
请参照图1，本发明一实施例的黏晶机包含一加载器100、一预烘烤机200、一戳印单元300、一附着单元400、一晶片台500，以及一载出器600。
加载器100经由一轨道提供一叠置于弹匣内的基板ST至预烘烤机200。预烘烤机200在黏着剂被涂布于基板ST前将基板加热至一适于活化黏着剂的温度，以使晶粒于可被附着于每一基板ST。
同时，戳印单元300交替对已经过预烘烤机200完成加热的基板ST进行黏着剂涂布的动作。戳印单元300自预烘烤机200接收每一加热后的基板ST，并将黏着剂涂布于晶粒将附着的位置，且当黏着剂涂布动作完成后，附着单元400将晶粒附着于基板ST。此时，将欲被附着于基板的晶粒由晶片台500供应至附着单元400，再由载出器600拾取附着有晶粒的基板ST。
其中，附着单元400进行晶粒拾取动作以将晶粒自晶片分离，以及进行晶粒附着动作以将分离后的晶粒附着于黏着剂涂布的部分。
图2所示为本发明一实施例的晶粒拾取装置的剖面示意图。
请参照图2，本实施例的晶粒拾取装置包含一拾取单元440，用于通过一夹筒真空吸附及传送一半导体晶粒；一顶出座510，用于供一以黏着胶带固定的半导体晶粒置放；一顶出器511，其设置于顶出座510内，并提升半导体晶粒；以及一控制器(未图示)。
顶出座510为一单元，用于吸附及承置一晶片，晶片在附着于位于顶出座510上表面的黏着胶带521的状态下进行切割。顶出座510的上表面包含多个通孔515。顶出座510紧密接触黏着胶带521，并且通过一真空压力吸附。
顶出器511设置于顶出座510内，且包含一顶出针513，通过顶出座510的通孔515上下移动。顶出器511经由一垂直驱动柱体512将其垂直移动，当顶出器511向上移动时，顶出针513通过顶出座510的通孔515向上移动。
其中，顶出针513用于拾取晶粒的垂直移动是受操作垂直驱动柱体512的一顶出驱动器514的控制，并且通过顺序控制对应于全距约为0.27毫米的往复移动。
拾取单元440包含：一筒夹442，其真空吸附半导体晶粒522；以及一传送头441，用于供筒夹442固设于其上。筒夹442采用真空吸附。半导体晶粒522通过施加于筒夹442的真空压力吸附于筒夹442的底部。
其中，拾取单元440一般通过附着单元400的移动，往前后方向(X方向)、左右方向(Y方向)及上下方向(Z方向)移动。
进一步来说，拾取单元440的向上或向下(Z方向)移动是通过一包含定子与动子(mover)的传送单元411达成。
拾取单元440拾取晶粒所进行的垂直移动受一拾取驱动器410的控制，拾取驱动器410用于沿Z方向移动传送单元411，并且垂直移动通过顺序控制对应于全距约为25.1毫米的往复移动。
传送单元411包含一定子对应于一感应马达的一次侧(primary side)，以及一动子对应于马达的二次侧(secondary side)，且将旋转运动转换为直线运动，因此可达成Z轴的移动。线性马达中所具备的定子与动子的详细原理为本领域所熟知，故省略其详细说明。
连接于传送单元411以进行向上或向下(Z方向)移动的拾取单元440以高速且高精度的方式移动，以自晶片520拾取晶粒，并将晶粒黏着于基板ST。为进行高精度的移动，于传送单元411及拾取单元440之间设置一线性移动导件421以及一精确动子422，其提供精确的引导以避免于拾取单元440高速上移或下移时破坏晶粒。
线性移动导件421及精确动子422使拾取单元440在短距离内沿Z轴方向往复移动，并且因此于拾取单元440接触晶粒时吸收冲击。线性移动导件421及精确动子422以一冲击吸收驱动器420控制。精确动子422可利用一音圈马达(Voice Coil Motor，VCM)达成，而线性移动导件421可通过进行距离约为2毫米的往复移动以吸收冲击。
其中，冲击吸收驱动器420控制施展于线性移动导件421的向上/向下动作的冲击吸收力，以通过顺序控制，使冲击吸收力控制变化于25克力至205克力(约0.245牛顿至2.009牛顿)的大范围内。此时，冲击吸收力的单位“克力”对应于施加于线性移动导件421的力值(1克力＝0.001千克力＝0.001×9.8 千克·米/秒 2 ＝0.0098牛顿)。由于此重量增加至线性移动导件421，因此当线性移动导件421上移或下移时，可提供筒夹442的移动冲击吸收力。
接着，配合图3及4详细说明本发明一实施例的拾取装置的拾取动作的控制方法。
图3所示为解说本发明一实施例的拾取动作的动作/顺序图，及图4所示为本发明一实施例的晶粒拾取动作的流程图。
如上所述，顶出针513用于拾取晶粒的垂直移动是受到操作垂直驱动柱体512的顶出驱动器514的控制，并且拾取单元440用于拾取晶粒的垂直移动是受到沿Z方向移动传送单元411的拾取驱动器410的控制。另外，冲击吸收驱动器420控制施加于与拾取单元440联合移动的线性移动导件421的向上/向下动作的冲击吸收力。
于图3所示的图表中，实线表示于拾取动作期间施加于线性移动导件421的向上/向下动作的冲击吸收力的变化，点画线表示拾取动作期间受拾取驱动器410控制的传送单元411沿Z方向(垂直)的移动的变化，以及双点划线表示拾取动作期间受顶出驱动器514控制的顶初针511的垂直移动的变化。
于此图表中，横轴为时间轴，其显示进行拾取动作的期间，纵轴显示提供予线性移动导件421的提升/降低动作的冲击吸收力的大小，传送单元411沿Z方向(垂直)的移动，以及顶出针511的垂直移动。
其中，为说明方便，以虚点线表示的传送单元411的Z方向(垂直)的移动是以绝对值表示，因而使虚点线上升时，传送单元411是向下移动，而虚点线下降时，传送单元411是向上移动。
需注意的是，虽然顶出针513用于拾取晶粒的垂直移动实际上对应于全距约为0.27毫米的往复移动，而拾取单元440用于拾取晶粒的垂直移动实际上则是对应于全距约为25.1毫米的往复移动，但两者的尺度已调整以显示于单一图表中。
基本上来说，以拾取驱动器410控制的传送单元411的Z方向(垂直)移动，包含于拾取动作期间，自一初始等待针水平降低至传送单元接触晶粒的一芯片接触水平，再提升至等待针水平。
并且，以顶出驱动器514控制的顶出针513的垂直移动，包含于拾取动作期间，自一初始等待针水平提升至顶出针接触晶粒的一芯片接触水平，再降低至等待针水平。
另外，施展于线性移动导件421的向上/向下动作的冲击吸收力由冲击吸收驱动器420控制。
上述动作将详细说明如后。第一，于一拾取动作前的初始状态，将顶出驱动器514所控制的顶出针513移动并停留在等待针水平。另外，将拾取驱动器410所控制的传送单元411往上移动，并停留在等待针水平。另外，以冲击吸收驱动器420控制线性移动导件421施加一高度力水平的冲击吸收力。
此时，位于等待针水平的顶出针513与晶粒分开约0.27毫米，位于等待针水平与传送单元411相接的筒夹442的底部与晶粒分开约25.1毫米。另外，具有高度力水平的线性移动导件421的冲击吸收力可能在195克力至205克力(1.911牛顿至2.009牛顿)的范围内，或是可能约为200克力(约1.96牛顿)。
接着，于步骤S10中，拾取驱动器410将传送单元411降低，以致与传送单元411连接的拾取单元440的筒夹442的底部，从等待针水平降低至低速靠近水平。其中，位于低速靠近水平的筒夹442比位于等待针水平下降约25毫米，并且与晶粒分开约为0.1毫米的距离。
此时，大约需要45毫秒至50毫秒，较佳者为50毫秒，将筒夹442的底部自等待针水平下降至低速靠近水平。
接者，于步骤S11中，当筒夹442抵达低速靠近水平时，拾取驱动器410减小下降传送单元411的速度。其中，下降速度的减小为前一区段的下降速度的10％以内。
此时，需要3至7毫秒，较佳者为5毫秒，以将筒夹442的底部自低速靠近水平降低至芯片接触水平。
于本发明中，下降速度持续地减小直到拾取单元440的筒夹442从低速靠近水平移动至芯片接触水平。通过于正要接触晶粒前降低下降速度，可防止欲被拾取的晶粒受到破坏或刮伤，并且可避免筒夹442受到破坏，因此增加筒夹442的使用寿命。
接着，于步骤S12中，冲击吸收驱动器420通过控制线性移动导件421的冲击吸收力从高度力水平降低至中度力水平以进行第一次冲击吸收力的减小，并且，顶出驱动器514提升顶出器511以将连接于顶出器511的顶出针513从等待针水平提升至第一升针水平。抵达第一升针水平的顶出针513接触晶片520的黏着胶带521。其中，在高度力水平的线性移动导件421的冲击吸收力的范围为195克力至205克力(1.911牛顿至2.009牛顿)，或者可约为200克力(约1.96牛顿)。另外，在中度力水平的线性移动导件421的冲击吸收力的范围为115克力至125克力(1.127牛顿至1.225牛顿)，或者可约为120克力(约1.176牛顿)。并且，位于第一升针水平的顶出针513比位于等待针水平上升约0.02毫米，并且与晶粒分开约为0.25毫米的距离。
接着，于步骤13中，冲击吸收驱动器420通过控制线性移动导件421的冲击吸收力从中度力水平降低至拾取度力水平以进行第二次冲击吸收力的减小。其中，在拾取度力水平的线性移动导件421的冲击吸收力的范围为25克力至35克力(0.245牛顿至0.343牛顿)，或者可约为30克力(约0.294牛顿)。
如上所述，于本发明中，冲击吸收力的减小是控制为逐步将冲击吸收力从高度力水平经过中度力水平，在筒夹442接触晶粒前降低至拾取度力水平。其中，由于从强力转变为弱力可能产生冲击，通过逐步减少冲击吸收力，中度力可稳定与芯片的接触。尤其因为采用音圈马达(VCM)作为精确动子422，当所述冲击吸收力改变时，会产生微小的冲击，因此，当抵达筒夹的下降运动直接转移至晶粒时，传统上会产生拾取失误。另一方面来说，于本发明中，由于冲击吸收力是逐步经由中度力而减小，因此可避免筒夹442接触晶粒时，冲击转移至晶粒。举例而言，冲击吸收力的中度力水平可设定为冲击吸收力的高度力水平与拾取度力水平之和的一半以达到优化的吸附稳定效果。
接着，于步骤S14中，传送单元411的下降移动(其速度已于步骤S11减少)使得连接于传送单元411的拾取单元440的筒夹442的底部抵达芯片接触水平，以使拾取单元440的筒夹442的底部可与晶粒的顶部接触。另外，拾取驱动器410及顶出驱动器514执行接触延迟步骤以暂停移动传送单元411及顶出器511一预定时间，以稳定筒夹442的晶粒接触动作。在正要执行接触延迟步骤前，顶出针513于步骤S12中与晶片520的黏着胶带521接触。其中，接触延迟步骤可执行8毫秒至12毫秒，或是执行约为10毫秒。
于本发明中，所述接触延迟步骤可稳定接触晶粒的筒夹442，并且另外可稳定接触黏着胶带521的顶出针513。进一步来说，接触延迟步骤是在筒夹442接触晶粒以及顶出针513接触黏着胶带521后执行一预定时间，以避免摇动晶粒，并且保证有足够的时间使筒夹442可吸附晶粒。
接着，于步骤S15中，拾取驱动器410执行拾取延迟以暂停移动传送单元411一预定时间，以及顶出驱动器514提升顶出器511以将与顶出器511连接的顶出针513从第一升针水平提升至第二升针水平。由于顶出针513被升至第二升针水平，因此将晶粒从初始位置往上推动一些。其中，拾取延迟步骤执行约18毫秒至22毫秒，较佳者约为20毫秒。另外，顶出针513的第二升针水平较第一升针水平提升约为0.25毫米。
于本发明中，拾取延迟步骤可使筒夹442于接触晶粒时暂停，并且可使筒夹442于顶出针513推起黏着胶带521以推起晶粒时暂停，以避免晶粒的旋转，或前后、左右(X方向、Y方向)失准。
接着，于步骤S16中，顶出驱动器514执行降针延迟步骤以暂停移动顶出器511一预定时间，且拾取驱动器410开始提升传送单元411，并且因此提升吸附有晶粒的拾取单元440的筒夹442的底部。其中，降针延迟步骤执行约8毫秒至12毫秒，或较佳者约为10毫秒。
接着，于步骤S17中，冲击吸收驱动器420通过控制线性移动导件421的冲击吸收力从拾取度力度水平增加至中度力水平以进行第一次冲击吸收力的增加。其中，在中度力水平的线性移动导件421的冲击吸收力的范围为115克力至125克力(1.127牛顿至1.225牛顿)，或者可约为120克力(约1.176牛顿)。
接着，于步骤S18中，顶出驱动器514开始降低顶出器511以使顶出针513移出通孔515。
于本发明中，第一次将传送单元411提升以提升吸附有晶粒的筒夹442，并且接着将顶出针513下降，之后留下时间差，以避免吸附在筒夹442的晶粒产生失准。当顶出针513下降时，此下降动作所使用的马达的震动实际上会转移至顶出针513，因此，传送单元411是在顶出针513下降前提升，以使顶出针513可在晶粒与顶出针513彼此分开后下降，以避免扭曲芯片。
接着，于步骤S19中，当传送单元411向上移动，及顶出器511向下移动时，冲击吸收驱动器420通过控制线性移动导件421的冲击吸收力从中度力水平增加至高度力水平以进行第二次冲击吸收力的增加。其中，在高度力水平的线性移动导件421的冲击吸收力的范围为195克力至205克力(1.911牛顿至2.009牛顿)，或者可约为200克力(约1.96牛顿)。
在步骤S19之后，所有的配置已还原至拾取晶粒前的初始状态。也就是说，顶出驱动器514所控制的顶出针513已下移至等待针水平，拾取驱动器410所控制的传送单元411已上移至等待针水平，并且冲击吸收驱动器420所控制的线性移动导件421的冲击吸收力已回复到高度力水平。
此时，位于等待针水平的顶出针513与晶粒分开约0.27毫米，位于等待针水平与传送单元411相接的筒夹442的底部与晶粒分开约25.1毫米。另外，具有高度力水平的线性移动导件421的冲击吸收力可能在195克力至205克力(1.911牛顿至2.009牛顿)的范围内，或是可能约200克力(约1.96牛顿)。
其中，于降针延迟步骤后，需要40至50毫秒，较佳者约为45毫秒，以将顶出针513及传送单元411复原为初始状态。
于本发明中，当传送单元411开始向上移动时，冲击吸收力是控制为逐步从拾取度力经过中度力增加至高度力。实际上，当快速提升传送单元411时，冲击吸收力需要在高度力水平，以承受传送单元的加速。然而，由于从弱力转变为强力可能产生冲击，通过逐步增加冲击吸收力，中度水平的冲击吸收力可稳定晶粒与筒夹442间的吸附。于本发明中，冲击吸收力经由中度力水平逐步增加，因此可避免晶粒自筒夹442掉落，或是于筒夹442中扭曲。举例而言，冲击吸收力的中度力水平可设定为冲击吸收力的高度力水平与拾取度力水平的和的一半以达到优化的吸附稳定效果。
S10到S19这些步骤为独立晶粒的拾取动作，会在过程中重复。
如上所述，从晶片切割出的半导体晶粒稳定地被拾取，藉此可减少半导体晶粒的简单拾取误差，因此增加工艺稳定度并且具有最小化或避免半导体晶粒损坏或失准的问题的效果。
尤其是当传送单元下移时，在筒夹的底部从低速靠近水平至芯片接触水平时进行减速以使下降速度可于正要接触晶粒前减少，以避免欲被拾取的晶粒受到破坏或是刮伤，以及避免筒夹受到破坏而增加筒夹的使用寿命。
另外，当传输单元向下移动时，线性移动导件的冲击吸收力是逐步从高度力水平经由中度力水平降至拾取度力水平，藉此稳定与芯片的接触，避免拾取失误，以及避免冲击于筒夹与晶粒接触时转移至晶粒。
另外，于过程中执行接触延迟以稳定与晶粒接触的筒夹以及与黏着胶带接触的顶出针。进一步而言，接触延迟是在筒夹接触晶粒以及顶出针接触黏着胶带后执行一预定时间，藉此可避免摇动晶粒。
另外，于过程中执行拾取延迟以使筒夹于接触晶粒时暂停，以及筒夹于顶出针推起黏着胶带而推起顶出针时暂停，以避免发生晶粒的前后、左右(X方向、Y方向)失准误差。
另外，第一次将传送单元提升以提升吸附有晶粒的筒夹，并且接着将顶出针下降，之后留下时间差，以避免吸附在筒夹的晶粒产生失准。
另外，当传送单元向上移动时，冲击吸收力逐步从拾取度水平经由中度力水平增加至高度力水平，藉此使晶粒与筒夹间的吸附可稳定地维持。
本发明的技术内容及技术特点已揭示于说明书及图式中，然而上述实施例的用语是为了说明目的而提供，而非用于限定所附权利要求书所提出的发明的范围。因此，熟悉本项技术的人士仍可能作出等种种不背离本发明精神与范围的修饰、改变、替换及等同的实施例。本发明的范围应仅由所附的权利要求书及其等同者限定。

Claims (10)

1.一种晶粒拾取方法，用于自附着于一黏着胶带的一晶片分离出一半导体晶粒，该方法包含：
下降一传送单元以使一与该传送单元连接的拾取单元的一筒夹的底部自一等待针水平下降至一低速接近水平，且当该筒夹抵达该低速接近水平时，减少一下降速度；
提升一顶出器，以将一与该顶出器连接的顶出针从该等待针水平提升至一第一升针水平直到该顶出针与一黏着胶带接触；
当该传送单元向下移动而使该筒夹的底部抵达一芯片接触水平且接触该晶粒的顶部时，暂停该传送单元及该顶出器的垂直移动一接触延迟时间；
暂停该传送单元的垂直移动一拾取延迟时间，并提升该顶出器以将该顶出针提升至一第二升针水平以及推起该晶粒；
暂停该顶出器的垂直移动一降针延迟时间，并提升该传送单元以提升吸附该晶粒的筒夹；以及
下降该顶出器以下降该顶出针。
2.如权利要求1所述的方法，其中，于提升一顶出器的步骤中，控制一线性移动导件的一冲击吸收力自一高度力水平降低至一中度力水平，该线性移动导件与该传送单元联合进行垂直移动并转移该冲击吸收力至该拾取单元，并且，于提升一顶出器的步骤以及暂停该传送单元及该顶出器的步骤之间，控制该线性移动导件的该冲击吸收力再从该中度力水平降低至一拾取度力水平。
3.如权利要求2所述的方法，其中，具有该高度力水平的该冲击吸收力的范围为195克力至205克力，具有该中度力水平的该冲击吸收力的范围为115克力至125克力，以及具有该拾取度力水平的该冲击吸收力的范围为25克力至35克力。
4.如权利要求1所述的方法，其中，于暂停该顶出器一降针延迟时间的步骤以及下降该顶出器的步骤之间，控制一线性移动导件的一冲击吸收力自一拾取度力水平增加至一中度力水平，该线性移动导件与该传送单元联合进行垂直移动且转移该冲击吸收力至该拾取单元，并且，于下降该顶出器的步骤中，控制该线性移动导件的该冲击吸收力再从该中度力水平增加至一高度力水平。
5.如权利要求4所述的方法，其中，具有该拾取度力的该冲击吸收力的范围为25克力至35克力，具有该中度力水平的该冲击吸收力的范围为115克力至125克力，以及具有该高度力水平的该冲击吸收力的范围为195克力至205克力。
6.如权利要求1所述的方法，其中，于暂停该传送单元及暂停该该顶出器一接触延迟时间的步骤中，该接触延迟时间执行8毫秒至12毫秒。
7.如权利要求1所述的方法，其中，于暂停该传送单元一拾取延迟时间的步骤中，该拾取延迟时间执行18毫秒至22毫秒。
8.如权利要求1所述的方法，其中，于暂停该顶出器一降针延迟时间的步骤中，该降针延迟时间执行8毫秒至12毫秒。
9.一种晶粒拾取装置，其由权利要求1-8中任一顶所述的晶粒拾取方法驱动，该晶粒拾取装置包含：
一拾取单元，其通过一筒夹真空吸附且传送一半导体晶粒；
一传送单元，其使该拾取单元向上或向下移动；
一线性移动导件，经设置以与该传送单元联合移动，并且提供该拾取单元的向上或向下移动一冲击吸收力；以及
一顶出座，用于供一以黏着胶带固定的半导体晶粒放置，该顶出座通过一设置于其中的顶出针提升该半导体晶粒。
10.一种黏晶机，其包含权利要求9所述的拾取装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105742210A (zh) * 2014-12-26 2016-07-06 立德微精密私人有限公司 晶粒推送器具
CN110299303A (zh) * 2018-03-23 2019-10-01 旺矽科技股份有限公司 芯片挑拣总成及芯片移动方法
CN117038565A (zh) * 2023-10-08 2023-11-10 恩纳基智能科技无锡有限公司 芯片拾取控制方法以及芯片拾取装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI566315B (zh) * 2014-11-24 2017-01-11 均華精密工業股份有限公司 高產出晶片固著裝置及其方法
JP6710603B2 (ja) * 2016-08-05 2020-06-17 東京エレクトロン株式会社 基板載置方法及び基板載置装置
JP7274902B2 (ja) * 2019-03-25 2023-05-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09246295A (ja) * 1996-03-14 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd ダイボンディング装置およびダイボンディング方法
JP2000091403A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Hitachi Ltd ダイピックアップ方法およびそれを用いた半導体製造装置ならびに半導体装置の製造方法
KR20050113934A (ko) * 2004-05-31 2005-12-05 삼성전자주식회사 반도체 다이 픽업 방법
US20080017293A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Kwok Kee Chung Automatic level adjustment for die bonder
CN101707181A (zh) * 2009-11-06 2010-05-12 华中科技大学 一种芯片拾放控制方法及装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3418028B2 (ja) * 1995-02-14 2003-06-16 シャープ株式会社 半導体チップのピックアップ方法、およびそれに用いる真空吸着用コレット

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09246295A (ja) * 1996-03-14 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd ダイボンディング装置およびダイボンディング方法
JP2000091403A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Hitachi Ltd ダイピックアップ方法およびそれを用いた半導体製造装置ならびに半導体装置の製造方法
KR20050113934A (ko) * 2004-05-31 2005-12-05 삼성전자주식회사 반도체 다이 픽업 방법
US20080017293A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Kwok Kee Chung Automatic level adjustment for die bonder
CN101707181A (zh) * 2009-11-06 2010-05-12 华中科技大学 一种芯片拾放控制方法及装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105742210A (zh) * 2014-12-26 2016-07-06 立德微精密私人有限公司 晶粒推送器具
CN110299303A (zh) * 2018-03-23 2019-10-01 旺矽科技股份有限公司 芯片挑拣总成及芯片移动方法
CN110299303B (zh) * 2018-03-23 2021-09-14 旺矽科技股份有限公司 芯片挑拣总成及芯片移动方法
CN117038565A (zh) * 2023-10-08 2023-11-10 恩纳基智能科技无锡有限公司 芯片拾取控制方法以及芯片拾取装置
CN117038565B (zh) * 2023-10-08 2024-01-26 恩纳基智能科技无锡有限公司 芯片拾取控制方法以及芯片拾取装置

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