CN117038565B - 芯片拾取控制方法以及芯片拾取装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种芯片拾取控制方法以及芯片拾取装置，所述芯片拾取方法包括：获取芯片拾取装置的速度曲线；根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第一速度从第一位置开始运动，所述第一速度的值逐渐减小；当所述芯片拾取装置到达目标位置时停止运动；根据所述芯片拾取装置到达所述目标位置的次数调整所述芯片拾取装置的拾取参数，通过获取芯片拾取装置的速度曲线，并根据速度曲线控制芯片拾取装置从第一位置以第一速度运动至目标位置，使得芯片拾取装置在拾取过程中的速度无需减小至0，进而减小了芯片在减速过程中受到的冲击力，避免了芯片在减速过程中的加速度较大，对芯片产生较大的冲击力，从而使芯片容易因压力过大而损坏的技术问题。

Description

芯片拾取控制方法以及芯片拾取装置
技术领域
本发明涉及商城用户标记生成技术领域，尤其涉及一种芯片拾取控制方法以及芯片拾取装置。
背景技术
微小芯片的拾取与贴装一直以来都是电子封装行业的难题。为了获得更轻、更小、更薄的电子产品，半导体芯片趋向超薄化发展，在相关技术中，芯片厚度能够薄至100μm以下，但同时芯片的拾取与贴装的难度进一步加大，芯片在贴装过程中容易因压力过大而损坏。
发明内容
本发明的实施例提供一种芯片拾取控制方法以及芯片拾取装置，以改善相关技术中芯片在贴装过程且容易因压力过大而损坏的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
第一方面，本申请的实施例提供一种芯片拾取控制方法，包括：获取芯片拾取装置的速度曲线；根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第一速度从第一位置开始运动，所述第一速度的值逐渐减小；当所述芯片拾取装置到达目标位置时停止运动；根据所述芯片拾取装置到达所述目标位置的次数调整所述芯片拾取装置的拾取参数；其中，所述获取芯片拾取装置的速度曲线的步骤包括：获取所述芯片拾取装置的初始位置和芯片的厚度；根据所述初始位置得到第一位置；根据所述初始位置、所述第一位置以及所述芯片的厚度得到所述芯片拾取装置的所述速度曲线；其中，在所述根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第一速度从第一位置开始运动，所述第一速度的值逐渐减小的步骤中，所述第一速度满足所述第一速度公式，所述第一速度公式为：
V1=V0*e^(-kT)*t1
其中，V1表示所述第一速度，V0为所述芯片拾取装置下降至所述第一位置时的速度，kT为衰减系数，t1为所述芯片拾取装置自所述第一位置开始运动的时间；
其中，所述根据所述初始位置得到所述第一位置的步骤，包括：
根据所述初始位置的高度和第一位置公式得到所述第一位置的高度，所述第一位置公式为：
H1=α*H0
其中，所述H0为所述初始位置的高度，H1为所述第一位置的高度，α为常数。
在一实施例中，在所述根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第一速度从第一位置开始运动，所述第一速度的值逐渐减小的步骤之前，还包括：根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第二速度从所述初始位置运动至所述第一位置，其中，所述第二速度的值逐渐增大。
在一实施例中，在根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第二速度从所述初始位置运动至所述第一位置，其中，所述第二速度逐渐增大的步骤之前，还包括：根据所述速度曲线获取所述第一速度公式和第二速度公式。
在一实施例中，在根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第二速度从所述初始位置运动至所述第一位置，其中，所述第二速度的值逐渐增大的步骤中，所述第二速度满足第二速度公式，所述第二速度公式为：
V2=a1*t2
其中，V2表示所述第二速度，a1为加速度，t2为所述芯片拾取装置自所述初始位置开始运动的时间。
在一实施例中，所述当所述芯片拾取装置到达目标位置时停止运动的步骤，包括：采集所述芯片拾取装置中电机的电流；当所述电机的电流超过第一阈值时逐渐增大所述电机的输出使所述电机的电流达到第二阈值；当所述电机的电流达到第二阈值时，控制所述电机停止输出电流；其中，所述第一阈值使所述电机具有第一推力，所述第一推力的大小为0.2至4N，所述第二阈值使所述电机具有第二推力，所述第二推力的大小为0.3至5N，且所述第二阈值大于所述第一阈值。
在一实施例中，所述拾取参数包括所述芯片拾取装置中吸嘴的吸力和所述第二阈值；所述根据所述芯片拾取装置到达所述目标位置的次数调整所述芯片拾取装置的拾取参数的步骤，包括：获取所述电机的电流超过所述第一阈值的次数；根据所述电机的电流超过所述第一阈值的次数调节所述吸嘴的吸力和所述第二阈值。
第二方面，本申请实施例提供一种芯片拾取装置，所述芯片拾取装置包括处理器和存储介质，所述存储介质存储有指令，所述指令被所述处理器运行时，使得所述芯片拾取装置执行如上实施例中任一项所述的方法。
本发明的上述实施例中，通过获取芯片拾取装置的速度曲线，并根据速度曲线控制芯片拾取装置从第一位置以第一速度运动至目标位置，使得芯片拾取装置在拾取过程中的速度无需减小至0，进而减小了芯片在减速过程中受到的冲击力，避免了芯片在减速过程中的加速度较大，对芯片产生较大的冲击力，从而使芯片容易因压力过大而损坏的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
附图1为本发明的一实施例中的芯片拾取控制方法的流程示意图；
附图2为图1实施例中提供的芯片拾取控制方法的具体流程示意图；
附图3为图1实施例中的步骤S100的流程示意图；
附图4为图1实施例中的步骤S300的流程示意图；
附图5为图1实施例中的步骤S400的流程示意图；
附图6为相关技术中控制方法的速度曲线示意图；
附图7为本申请的控制方法的速度曲线示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
图6为相关技术中的芯片拾取装置拾取芯片的速度曲线示意图，其中，纵轴表示芯片拾取装置的位置，横轴表示芯片拾取装置的速度，图6表示在芯片拾取装置相应位置时所具有的速度。从图6可知，芯片拾取装置在芯片贴合/拾取过程时会采用将速度先降到零然后重新加速到一定速度再进行贴合/拾取动作的方式，其在减速过程中的加速度较大，对芯片产生较大的冲击力，从而使芯片容易因压力过大而损坏。
本发明的实施例提供一种芯片拾取控制方法以及芯片拾取装置，以改善相关技术中芯片在贴装过程且容易因压力过大而损坏的技术问题。
请参照图1，图1为本申请实施例提供的芯片拾取控制方法的流程示意图。
如图1所示，所述芯片拾取控制方法包括：
S100、获取芯片拾取装置的速度曲线。
在通过所述芯片拾取装置拾取芯片时，需了解所述芯片拾取装置相对于所述芯片的位置、所述芯片的厚度等，在获取上述参数后，可通过上述参数规划所述芯片拾取装置的运动轨迹、速度等，如建立相应的速度曲线。
S200、根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第一速度从第一位置开始运动，所述第一速度的值逐渐减小。
所述芯片拾取装置在抓取时，通过以一加速运动到达第一位置。在得到所述速度曲线后，所述芯片拾取装置在对应位置的对应速度都能得到确定，从而当所述芯片拾取装置在所述第一位置时，使得所述芯片拾取装置以第一速度开始运动，并使所述第一速度的值逐渐减小，直至运动至目标位置。
S300、当所述芯片拾取装置到达目标位置时停止运动。
当检测到所述芯片拾取装置到达目标位置时，控制所述芯片拾取装置停止运动。
S400、根据所述芯片拾取装置到达所述目标位置的次数调整所述芯片拾取装置的拾取参数。
由于在工作过程中，所述芯片拾取装置的各部件等通常会出现各种问题，如磨损、老化、偏差等。因此，统计所述芯片拾取装置到达所述目标位置的次数来近似等于得到所述芯片拾取装置的时间，通过到达的次数来对所述芯片拾取装置的拾取参数进行调整，以保证拾取性能。
如图7为本申请的芯片拾取装置的速度曲线示意图，其中，纵轴表示芯片拾取装置的位置，横轴表示芯片拾取装置的速度，由图7可知，本申请的芯片拾取装置从第一位置到目标位置一直做减速运动。
可以理解的，由于本实施例中使所述芯片拾取装置从第一位置以第一速度V1运动至目标位置，第一速度V1逐渐减小，相比于相关技术中，拾取过程中无需将所述芯片拾取装置的速度减小至0，又重新加速运动至目标位置，从而本申请从第一位置到目标位置，一直做减速运动，而相关技术中，从第一位置到目标位置之间先将速度减小到0，再加速到一定速度到达目标位置，从而，在距离一定时，若需要到达目标位置的时间也相同，则相关技术中在第一位置时的速度必然大于本申请的第一速度V1，且由于相关技术中会在拾取过程中下降到0，则其减速的加速度也必然大于本申请，因此，本申请在速度和加速度均小于相关技术的情况下，减小了芯片在减速过程中受到的冲击力，避免了芯片在减速过程中的加速度较大，对芯片产生较大的冲击力，从而使芯片容易因压力过大而损坏的技术问题。
本实施例中，通过获取芯片拾取装置的速度曲线，并根据速度曲线控制芯片拾取装置从第一位置以第一速度V1运动至目标位置，使得芯片拾取装置在拾取过程中的速度无需减小至0，进而减小了芯片在减速过程中受到的冲击力，避免了芯片在减速过程中的加速度较大，对芯片产生较大的冲击力，从而使芯片容易因压力过大而损坏的技术问题。
如图2为图1实施例提供的芯片拾取控制方法的具体流程示意图，图3为步骤S100的流程示意图，图4为步骤S300的流程示意图，图5为步骤S400的流程示意图。
如图2至图5所示，所述控制方法包括：
S100、获取芯片拾取装置的速度曲线。
在通过所述芯片拾取装置拾取芯片时，需了解所述芯片拾取装置相对于所述芯片的位置、所述芯片的厚度等，在获取上述参数后，可通过上述参数规划所述芯片拾取装置的运动轨迹、速度等，如建立相应的速度曲线。
所述S100、获取芯片拾取装置的速度曲线的步骤，包括：
S101、获取所述芯片拾取装置的初始位置和芯片的厚度。
所述初始位置为所述芯片拾取装置的吸嘴相对于所述芯片所在的操作平面的位置（高度），可以理解的，根据所述初始位置和所述芯片的厚度可计算所述芯片拾取装置的吸嘴相对于所述芯片的高度。
需要注意的是，本实施例中，以所述芯片拾取装置位于所述芯片的正上方为例，即所述芯片拾取装置从所述初始位置运动到所述目标位置的过程中均做垂直向下的直线运动。
S102、根据所述初始位置得到所述第一位置。
当获得所述芯片拾取装置的初始位置后，根据所述初始位置的高度和第一位置公式得到所述第一位置的高度，所述第一位置公式为：
H1=α*H0
其中，所述H0为所述初始位置的高度，H1为所述第一位置的高度，α为常数。
S103、根据所述初始位置、所述第一位置以及所述芯片的厚度得到所述速度曲线。
可以理解，根据所述初始位置和所述芯片的厚度能够得到所述目标位置，所述目标位置为所述芯片位于操作平台时的上表面所在的位置。当所述初始位置、所述第一位置以及所述目标位置均得到后，即可根据需求，如贴合时间、贴合过程中芯片的受力等规划出速度曲线，所述速度曲线可表示为在相应位置/时间时，所述芯片拾取装置的速度。
在本实施例中，规定从所述初始位置到所述第一位置的过程中，所述芯片拾取装置做加速运动，而到达所述第一位置后，所述芯片拾取装置开始做减速运动，即所述第一位置为所述芯片拾取装置开始进行减速的位置。从而所述速度曲线应包含一加速线段和一减速线段，所述速度曲线如图7所示。
S110、根据所述速度曲线获取所述第一速度公式和第二速度公式。
获得所述速度曲线后，即得到了所述芯片拾取装置在相应位置/时间时的速度，从而得到所述第一速度公式和所述第二速度公式。
所述第一速度公式为：
V1=V0*e^(-kT)*t1
其中，V1表示所述第一速度V1，V0为所述芯片拾取装置下降至所述第一位置时的速度，kT为衰减系数，t1为所述芯片拾取装置自所述第一位置开始运动的时间。
所述第二速度公式为：
V2=a1*t2
其中，V2表示所述第二速度V2，a1为加速度，t2为所述芯片拾取装置自所述初始位置开始运动的时间。
S120、根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第二速度V2从所述初始位置运动至所述第一位置，其中，所述第二速度V2逐渐增大。
在一实施例中，在所述根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第一速度V1从第一位置开始运动，所述第一速度V1的值逐渐减小的步骤中，所述第一速度V1满足所述第一速度公式，所述第一速度公式为：
V1=V0*e^(-kT)*t1
其中，V1表示所述第一速度V1，V0为所述芯片拾取装置下降至所述第一位置时的速度，kT为衰减系数，t1为所述芯片拾取装置自所述第一位置开始运动的时间。
在一些实施例中，所述K的取值可为1~10，如当所述芯片的厚度为100微米时，所述K的取值为5，当芯片的厚度为10微米时，所述K的取值为5.05.可以理解的，上述取值仅为示例，本申请对此并不限制，本领域技术人员可依需求设置。
S200、根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第一速度V1从第一位置开始运动，所述第一速度V1的值逐渐减小。
在一实施例中，在根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第二速度V2从所述初始位置运动至所述第一位置，其中，所述第二速度V2逐渐增大的步骤中，所述第二速度V2满足第二速度公式，所述第二速度公式为：
V2=a1*t2
其中，V2表示所述第二速度V2，a1为加速度，t2为所述芯片拾取装置自所述初始位置开始运动的时间。
S300、当所述芯片拾取装置到达目标位置时停止运动。
当检测到所述芯片拾取装置到达目标位置时，控制所述芯片拾取装置停止运动。
在一实施例中，所述S300、当所述芯片拾取装置到达目标位置时停止运动的步骤，包括：
S301、采集所述芯片拾取装置中电机的电流。
所述芯片拾取装置中包括电机，所述电机作为所述芯片拾取装置的动力源，可以理解的，当所述电机在运行过程中遇到阻力（如接触芯片）时，其运行电流将增大，从而，本实施例中，通过监测所述电机的电流来判断所述电机是否运动至目标位置。可以理解的，该动作可由所述电机的伺服驱动器进行监测并反馈。因此，设置一第一阈值，具体地，所述第一阈值使所述电机具有第一推力，所述第一推力的大小为0.2至4N。
S302、当所述电机的电流超过第一阈值时逐渐增大所述电机的输出使所述电机的电流达到第二阈值。
当所述电机的电流超过第一阈值时代表所述芯片拾取装置已将所述芯片运送至所述目标位置。为了使所述芯片能够粘合的更牢固，在所述芯片到达所述目标位置后，使所述电机继续运行，并持续一段时间，待所述芯片粘合牢固后再移走所述芯片拾取装置。所述第二阈值使所述电机具有第二推力，所述第二推力的大小为0.3至5N，且所述第二阈值大于所述第一阈值。
在一些实施例中，当所述芯片到达所述目标位置后，可以增大所述电机的输出功率，使所述芯片受到一定的推力，从而保证所述芯片的贴合。为了实现上述目的，可监测所述电机的电流，如持续增大所述电机的输出，直至所述电机的电流从所述第一阈值到达第二阈值。
S303、当所述电机的电流达到第二阈值时，控制所述电机停止运动。
S400、根据所述芯片拾取装置到达所述目标位置的次数调整所述芯片拾取装置的拾取参数。
由于在工作过程中，所述芯片拾取装置的各部件等通常会出现各种问题，如磨损、老化、偏差等。因此，统计所述芯片拾取装置到达所述目标位置的次数来近似等于得到所述芯片拾取装置的时间，通过到达的次数来对所述芯片拾取装置的拾取参数进行调整，以保证拾取性能。
在一实施例中，所述拾取参数包括所述芯片拾取装置中吸嘴的吸力和所述第二阈值。故所述S400、根据所述芯片拾取装置到达所述目标位置的次数调整所述芯片拾取装置的拾取参数的步骤，包括：
S401、获取所述电机的电流超过所述第一阈值的次数。
S402、根据所述电机的电流超过所述第一阈值的次数调节所述吸嘴的吸力和所述第二阈值。
如当所述芯片拾取装置运行一段时间后，由于所述吸嘴的老化与磨损，使原先设定的吸力不足以保证所述芯片的稳定吸取与贴合，故当所述电机的电流超过所述第一阈值的次数达到Ni次时，增大所述吸嘴的吸力。具体地：
其中，为下一次吸力大小，/>为初始吸力大小，/>为根据所述电机的电流超过所述第一阈值的次数所对应的增加系数。
其中，为根据所述电机的电流超过所述第一阈值的次数所对应的增加系数，e为常数，Ni为所述电机的电流超过所述第一阈值的次数，N0为阈值次数，ΔN为固定跳变次数，β为系数。其中，Ni＜N0，/>大于0小于2，在阈值次数内认为所述吸嘴吸力符合上述公式。
当所述吸嘴磨损后，其在相同的第二电流阈值下，因受力不均，所述芯片部分贴合区域可能达不到预定压力，故需要增大所述第二电流的阈值以保证所述芯片各部分受力均达到贴合要求。但需要注意的是，增大压力的同时需在所述芯片所能承受的最大压力范围内。具体地：
当Ni小于M时；
当Ni大于M时；
其中，为下一次运动时的第二阈值，/>为初始的第二阈值，Z为固定系数，M为固定次数。
在M次内认为所述吸嘴的磨损在可接受范围内，可以理解的，不能无限增大，需保证在所述芯片所能承受的最大压力范围内，使得，/>为所述芯片所能承受的最大压力时的第二阈值。
在一些实施例中，所述吸嘴的吸力以及所述第二阈值均依据电流到达第一阈值的次数按设定值进行阶段性设置，如到达第一阈值的次数依次为N1、N2、N3时，对应的吸力依次为X1、X2、X3，对应的第二阈值依次为I1、I2、I3。
可以理解的，由于本实施例中使所述芯片拾取装置从第一位置以第一速度V1运动至目标位置，而第一速度V1是逐渐减小的，相比于相关技术中，中间无需将所述芯片拾取装置的速度减小至0，又重新加速运动至目标位置。可以理解的，本申请从第一位置到目标位置，一直做减速运动，而相关技术中，从第一位置到目标位置之间先减速到0，再加速到一定速度到达目标位置，从而，在距离一定时，若需要到达目标位置的时间也相同，则相关技术中在第一位置时的速度必然大于本申请的第一速度V1，且由于相关技术中会在拾取过程中下降到0，则其减速的加速度也必然大于本申请，因此，本申请在速度和加速度均小于相关技术的情况下，减小了芯片在减速过程中受到的冲击力，避免了芯片在减速过程中的加速度较大，对芯片产生较大的冲击力，从而使芯片容易因压力过大而损坏的技术问题。
本实施例中，通过获取芯片拾取装置的速度曲线，并根据速度曲线控制芯片拾取装置从第一位置以第一速度V1运动至目标位置，使得芯片拾取装置在拾取过程中的速度无需减小至0，进而减小了芯片在减速过程中受到的冲击力，避免了芯片在减速过程中的加速度较大，对芯片产生较大的冲击力，从而使芯片容易因压力过大而损坏的技术问题。
第二方面，本申请实施例提供一种芯片拾取装置，所述芯片拾取装置包括处理器和存储介质，所述存储介质存储有指令，所述指令被所述处理器运行时，使得所述芯片拾取装置执行如上实施例中任一项所述的方法。可以理解，所述芯片拾取装置至少还包括电机和吸嘴。
需要说明的是，本申请实施例中对模块的划分是示意性的，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。在本申请的实施例中的各功能模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请的方法、设备(系统)、计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框，以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程资源推荐设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程资源推荐设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程资源推荐设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程资源推荐设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种芯片拾取控制方法，其特征在于，包括：
获取芯片拾取装置的速度曲线；
根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第一速度从第一位置开始运动，所述第一速度的值逐渐减小；
当所述芯片拾取装置到达目标位置时停止运动；
根据所述芯片拾取装置到达所述目标位置的次数调整所述芯片拾取装置的拾取参数；
其中，所述获取芯片拾取装置的速度曲线的步骤包括：
获取所述芯片拾取装置的初始位置和芯片的厚度；
根据所述初始位置得到第一位置；
根据所述初始位置、所述第一位置以及所述芯片的厚度得到所述芯片拾取装置的所述速度曲线；
其中，在所述根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第一速度从第一位置开始运动，所述第一速度的值逐渐减小的步骤中，所述第一速度满足所述第一速度公式，所述第一速度公式为：
V1=V0*e^(-kT)*t1
其中，V1表示所述第一速度，V0为所述芯片拾取装置下降至所述第一位置时的速度，kT为衰减系数，t1为所述芯片拾取装置自所述第一位置开始运动的时间；
其中，所述根据所述初始位置得到所述第一位置的步骤，包括：
根据所述初始位置的高度和第一位置公式得到所述第一位置的高度，所述第一位置公式为：
H1=α*H0
其中，所述H0为所述初始位置的高度，H1为所述第一位置的高度，α为常数。
2.根据权利要求1所述的芯片拾取控制方法，其特征在于，在所述根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第一速度从第一位置开始运动，所述第一速度的值逐渐减小的步骤之前，还包括：
根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第二速度从所述初始位置运动至所述第一位置，其中，所述第二速度的值逐渐增大。
3.根据权利要求2所述的芯片拾取控制方法，在根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第二速度从所述初始位置运动至所述第一位置，其中，所述第二速度逐渐增大的步骤之前，还包括：
根据所述速度曲线获取所述第一速度公式和第二速度公式。
4.根据权利要求3所述的芯片拾取控制方法，在根据所述速度曲线使所述芯片拾取装置以第二速度从所述初始位置运动至所述第一位置，其中，所述第二速度的值逐渐增大的步骤中，所述第二速度满足第二速度公式，所述第二速度公式为：
V2=a1*t2
其中，V2表示所述第二速度，a1为加速度，t2为所述芯片拾取装置自所述初始位置开始运动的时间。
5.根据权利要求1所述的芯片拾取控制方法，其特征在于，所述当所述芯片拾取装置到达目标位置时停止运动的步骤，包括：
采集所述芯片拾取装置中电机的电流；
当所述电机的电流超过第一阈值时逐渐增大所述电机的输出使所述电机的电流达到第二阈值；
当所述电机的电流达到第二阈值时，控制所述电机停止输出电流；
其中，所述第一阈值使所述电机具有第一推力，所述第一推力的大小为0.2至4N，所述第二阈值使所述电机具有第二推力，所述第二推力的大小为0.3至5N，且所述第二阈值大于所述第一阈值。
6.根据权利要求5所述的芯片拾取控制方法，其特征在于，所述拾取参数包括所述芯片拾取装置中吸嘴的吸力和所述第二阈值；
所述根据所述芯片拾取装置到达所述目标位置的次数调整所述芯片拾取装置的拾取参数的步骤，包括：
获取所述电机的电流超过所述第一阈值的次数；
根据所述电机的电流超过所述第一阈值的次数调节所述吸嘴的吸力和所述第二阈值。
7.一种芯片拾取装置，其特征在于，所述芯片拾取装置包括处理器和存储介质，所述存储介质存储有指令，所述指令被所述处理器运行时，使得所述芯片拾取装置执行如权利要求1-6中任一项所述的方法。
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