CN103545015A - 晶体硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法。该晶硅太阳能电池正面电极导电浆料由腐蚀刻蚀剂、金属粉和有机载体组成，所述腐蚀刻蚀剂为一种或者多种晶体化合物，其熔点温度为250℃～760℃。在电极导电浆料烧结的过程中，当温度达到所述腐蚀刻蚀剂熔点时，该腐蚀刻蚀剂直接由固体变成液体，容易流动，易于腐蚀并穿透晶体硅太阳能电池正面的减反射绝缘层，使导电金属粉和晶体硅太阳能电池形成良好的欧姆接触，并且能有效地润湿导电金属粉，增强金属粉之间的接触，形成导电性能优良的晶硅太阳能电池正面电极。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体地涉及一种晶硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法。
背景技术
太阳能是一种取之不尽，用之不竭的清洁型能源，随着煤炭、石油等不可再生能源的日益枯竭，开发、利用太阳能成为大热点，太阳能电池就是利用太阳能的一种重要手段。其中，已经实现工业化生产的晶硅太阳能电池就是太阳能电池中的一种。
作为晶硅太阳能电池最为核心的组成部分，电池片为了将光照下产生的电流收集并导出，需要在其正面及背面上分别制作一个电极。制造电极的方法很多，丝网印刷及共烧是目前最为普遍的一种生产工艺。
晶硅太阳能电池正面电极用的导电浆料与背面电极用的导电浆料一样，都是采用丝网印刷的方式涂覆于硅片上，并通过共烧结在硅片正面形成正面电极。共烧结后的晶硅太阳能电池电极必须附着牢固、不落灰、硅片不易变形，并且易于焊接，便于用导线将光照产生的电流收集并导出。与硅太阳能电池背面电极用导电浆料相比，硅太阳能电池正面电极用导电浆料必需具备穿透氮化硅减反射膜的能力。
传统的晶硅太阳能电池正面导电浆料由银粉、玻璃粉、添加剂和有机载体组成，其导电浆料通常被印制到晶硅太阳能电池正面或者光照面，然后烧结形成正面电极。在烧结过程中，导电浆料中的玻璃粉蚀刻并穿透晶硅太阳能电池正面或者光照面的减反射绝缘层如氮化硅、氧化钛、氧化铝、氧化硅或者氧化硅/氧化钛，使银粉与晶硅太阳能电池基体接触，形成正面电极。通常玻璃粉在浆料中有如下作用：1.润湿金属粉，促进金属粉的烧结；2.蚀刻减反射层，并推动金属与硅表面的接触并保证两者间的粘结作用。玻璃粉在烧结过程中逐步软化，在短暂的工艺周期内，通常为1～2分钟，软化时部分玻璃粉停留在金属粉中流动，另一部分玻璃粉软化至底层与减反射层反应。
为了使金属粉与硅表面形成良好的欧姆接触，则要求减反射层必须被完全蚀刻，同时又不能穿透PN结区。在选择玻璃粉时，玻璃粉的成分、软化点、热膨胀系数、润湿性能、用量等都会影响烧结过程中的物理化学变化，进而影响太阳能电池的各种性能。如果玻璃粉含量较少，则不能保证其与减反射层充分接触并完全反应；若要保证减反射层完全被穿透，则需要加足够量的玻璃粉；但若玻璃粉的加入量越高，则导电金属相的相对含量越低，金属颗粒间的接触几率越少，将会导电性能劣化；如果玻璃粉软化点温度太高，会造成烧结难以控制；如果玻璃粉软化点温度太低，会堵塞金属粉体之间的连通孔隙，阻碍有机载体的有效排出。传统的晶硅太阳能电池正面导电浆料所使用的玻璃粉是非晶体材料，在加热过程中，先出现整个固体变软，没有固定的熔点，而只是在某一温度范围内发生软化，这个范围称为软化区，开始发生软化的温度称为软化温度，软化温度是玻璃粉的一个特征值，不同的玻璃有不同的软化温度，与其材料组成和成分有关。玻璃粉内部的原子排列是无序的，XRD（X-ray Diffiraction Pattern）测试会显示出一个很宽强度较低的鼓包，不像晶体化合物，具有尖锐的衍射特征峰。玻璃粉通常是将氧化物加热到熔融，淬火或者骤冷而制成。例如，美国专利US2011/0308595公开的晶硅太阳能电池正面导电浆料，使用了铅碲氧化物(Pb-Te-O)玻璃粉，其制备方法为：将铅氧化物和碲氧化物混合，在空气气氛或者氧气气氛下加热到熔融状态，然后，将熔融状态的混合物淬火，研磨得到其铅碲氧化物(Pb-Te-O)玻璃粉。有如，PCT专利WO2012/129554公开的晶硅太阳能电池正面导电浆料，使用了铅碲氧化物玻璃粉，其制备方法为传统的玻璃制备方法：将铅氧化物和碲氧化物混合，加热到熔融状态，然后，将熔融状态的混合物淬火，研磨得到其铅碲氧化物玻璃粉。如PCT专利WO2012/129554所述，他们的玻璃粉的内部原子排列是无序的，XRD测试会显示出一个很宽强度较低的鼓包，不像晶体化合物，具有尖锐的衍射特征峰。又如，美国专利US2011/0232747公开的晶硅太阳能电池正面导电浆料，使用了铅碲锂氧化物玻璃粉，其制备方法为：将TeO2,PbO,和Li2CO3混合，加热到900℃熔融，保温一小时，然后骤冷而制成铅碲锂氧化物玻璃粉。又如，美国专利US2011/0232746 公开的晶硅太阳能电池正面导电浆料，使用了铅碲硼氧化物玻璃粉，其制备方法是将铅碲硼的混合物，加热到800-1200℃熔融，然后将熔化的混合物骤冷而制成铅碲硼氧化物玻璃粉，其玻璃粉是非晶体，只有软化温度，没有熔点温度。
目前，正面电极浆料的玻璃粉通常选用Pb-Si玻璃体系，同时也出现了Pb-Te玻璃体系。
但不管何种玻璃粉系统，受到玻璃粉本身的物理性能约束，都存在上述问题，使得合适的玻璃粉和浆料的制作难度大，使用工艺窗口窄。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种附着牢固、欧姆接触好、能提高晶硅太阳能电池综合性能的正面电极导电浆料，按照总重量为100份计算，包括如下配方比例的组分：
腐蚀刻蚀剂0.5～10份，其中，所述腐蚀刻蚀剂为铅、碲和/或锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的氧化物形成的晶体化合物，熔点温度为250℃～760℃；
金属粉70～93份；
有机载体5～25份；
其中，上述的金属粉和腐蚀刻蚀剂随机地分散在有机载体之中。
本发明的另一个目的是提供一种工艺简单、条件易控、生产成本低的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料制备方法，包括如下步骤:
制备所述腐蚀刻蚀剂；
制备所述有机载体；
按照上述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料的配方称取所述腐蚀刻蚀剂、金属粉和有机载体；
将称取的腐蚀刻蚀剂、金属粉、和有机载体进行混合和研磨处理，得到上述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
本发明的再一目的是提供一种高性能的晶硅太阳能电池正面电极的制备方法,包括如下步骤：
提供一种上部表面具有绝缘膜的晶体硅半导体元件，其中，该绝缘膜为氮化硅，氧化钛，氧化铝，氧化硅中至少一种的叠加层；
将上述太阳能电池正面电极导电浆料印制在上述绝缘膜上；
烧结；该烧结的步骤为：首先，将印制在晶体硅半导体元件的绝缘膜上的导电浆料在180℃～260℃下烘干，然后，加热到700℃～950℃烧结；
冷却，得到上述晶硅太阳能电池正面电极。
本发明晶硅太阳能电池正面电极导电浆料通过采用一种或者一种以上的晶体化合物作为腐蚀刻蚀剂，其所述腐蚀刻蚀剂具有特殊的内部结构和原子排列，使之比传统工艺中的玻璃粉具有更优良的特性，在该导电浆料烧结过程中，上述有机载体通过挥发被移除，上述腐蚀刻蚀剂变成容易流动的液体，不但腐蚀并穿透晶体硅太阳能电池正面的减反射绝缘层，而且还润湿导电金属粉，催进了金属粉之间的结合，使导电金属粉和晶体硅太阳能电池形成良好的欧姆接触，从而形成导电性能优良的晶硅太阳能电池正面电极。
本发明晶硅太阳能电池正面电极由于采用了上述导电浆料，具有结构稳定、欧姆接触好、导电性能好等优异的综合性能。
附图说明
图1是本发明制备晶硅太阳能电池正面电极导电浆料的方法工艺流程示意图；
图2是使用本发明导电浆料制备晶硅太阳能电池正面电极的方法工艺流程示意图；
图3是印制了导电浆料的晶硅太阳能电池在烧结前的局部结构示意图；
图4是印制了导电浆料的晶硅太阳能电池在烧结后局部结构示意图；
图5是制备腐蚀刻蚀剂晶体化合物时的冷却曲线图；
图6a是一个Pb-Te-Li-O体系晶体化合物腐蚀刻蚀剂的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出尖锐的衍射特征峰；
图6b是一个Pb-Te-Li-O体系玻璃粉的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有尖锐的衍射特征峰；
图7a是一个Pb-Te-Si-O体系晶体化合物腐蚀刻蚀剂的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出 尖锐的衍射特征峰；
图7b是一个Pb-Te-Si-O体系玻璃粉的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有尖锐的衍射特征峰；
图8a是一个Pb-Te-Ba-O体系晶体化合物腐蚀刻蚀剂的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出尖锐的衍射特征峰；
图8b是一个Pb-Te-Ba-O玻璃粉的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有尖锐的衍射特征峰；
图9a是一个Pb-Te-Bi-O晶体化合物腐蚀刻蚀剂的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出尖锐的衍射特征峰；
图9b是一个Pb-Te-Bi-O玻璃粉的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有尖锐的衍射特征峰；
图10a是一个Pb-Te-Bi-O晶体化合物腐蚀刻蚀剂的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出尖锐的衍射特征峰；
图10b是一个Pb-Te-Bi-O玻璃粉的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有尖锐的衍射特征峰；
图11a是一个Pb-Te-Bi-Li-B-O晶体化合物腐蚀刻蚀剂的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出尖锐的衍射特征峰；
图11b是一个Pb-Te-Bi-Li-B-O玻璃粉的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有尖锐的衍射特征峰；
图12a是一个Pb-Te-Bi-B-Ti-O晶体化合物腐蚀刻蚀剂的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出尖锐的衍射特征峰；
图12b是一个Pb-Te-Bi-B-Ti-O玻璃粉的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有尖锐的衍射特征峰；
图13a是一个Pb-Te-Bi-Ti-O晶体化合物腐蚀刻蚀剂的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出尖锐的衍射特征峰；
图13b是一个Pb-Te-Bi-Ti-O玻璃粉的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有尖锐的衍射特征峰；
图14a是一个Bi-Te-B-Li-O晶体化合物腐蚀刻蚀剂的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出尖锐的衍射特征峰；
图14b是一个Bi-Te-B-Li-O玻璃粉的XRD示范性测量图，在小角度区间显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有尖锐的衍射特征峰。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供了一种晶硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法，以及使用该导电浆料制备晶硅太阳能电池正面电极的方法。
本发明实施例提供的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料，按照总重量为100份计算，包括如下配方比例的组分：
腐蚀刻蚀剂0.5～10份，其中，所述腐蚀刻蚀剂为铅、碲和/或锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、溴、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的氧化物所形成的晶体化合物，其熔点温度为250℃～760℃;
金属粉70～93份；
有机载体5～25份；
其中，所述的金属粉和腐蚀刻蚀剂随机地分散在有机载体之中。
图1是本发明实施例制备晶硅太阳能电池正面电极导电浆料的方法工艺流程示意图，包括如下步骤:
S01A，制备所述腐蚀刻蚀剂；
S01B，制备所述有机载体；
S02，按照上述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料的配方称取所述腐蚀刻蚀剂、金属粉和有机载体；
S03，将称取的腐蚀刻蚀剂、金属粉和有机载体进行混合和研磨处理，得到上述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
具体地，步骤S01中制备腐蚀刻蚀剂可以采用下列方法之一：液相化学反应法、气相化学反应法、熔融控制冷却法、真空熔融控制冷却法。
在一个优选实施案例中，上述腐蚀刻蚀剂的制备方法为：将0.1-6mol/l的温度为60-90C的碲酸溶液、亚碲酸溶液、碲酸盐溶液或亚碲酸盐溶液和/或0.1-10mol/l的醋酸铅溶液混合，然后加入锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、钙、溴、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、锌、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的盐溶液；当混合溶液中只包含碲和铅时，碲与铅的摩尔比为0.1/10-10/0.1，优选为1/5-5/1；再将混合的溶液在50℃-250℃下搅拌，维持搅拌速度在1000-1500r/min范围内，反应时间为2-5hrs，生成沉淀，优选为在80℃下以1000r/min的速度搅拌3小时；然后依次进行固液分离，洗涤，直至滤液PH为5-7；再收集固体，在150℃下烘干2-3hrs，得到上述腐蚀刻蚀剂晶体化合物，然后进行粉碎，研磨处理后，得到所述腐蚀刻蚀剂晶体化合物颗粒。
在另一个优选实施案例中，上述腐蚀刻蚀剂的制备方法为：将铅和/或碲的蒸气与锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、钙、溴、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、锌、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素中的蒸气按一定比例连续导入含有氧气氛围的反应室内；当混合气体中只包含碲和铅时，碲与铅的摩尔比为0.1/10-10/0.1，优选为1/5–5/1；当混合溶液中包含碲、铅和添加元素时，铅、碲的总和与添加元素的总和的摩尔比为90/2–80/20，优选为95/5-85/15；使其在1000-3000℃下反应1-4小时，优选为在1000℃下反应2小时；自然冷却至25℃后得到上述腐蚀刻蚀剂晶体化合物；然后进行粉碎，研磨处理后，得到上述腐蚀刻蚀剂晶体化合物颗粒。
在另一个实施案例中，所述腐蚀刻蚀剂的制备方法为：将碲的氧化物和铅的氧化物和/或锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、钙、溴、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、锌、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的氧化物混合；当混合物中只包含碲和铅氧化物时，碲与铅的摩尔比为0.1/10-10/0.1，优选为2/5-5/2；当混合物中包含碲、铅和添加元素的氧化物时，铅、碲元素总和与添加元素总和的摩尔比为98/2-80/20，优选为95/5-85/15；然后在非还原性气氛（包括氧气气氛、空气气氛、氮气气氛，氩气气氛，或者以上两种或者两种以上气氛的混合体等）中加热到700-1200℃，使其在熔融状态下反应30-120分钟，优选为在800-1100℃下2小时；自然冷却至25℃或者随炉冷却至25℃，然后进行粉碎，研磨处理后，得到所述腐蚀刻蚀剂晶体化合物颗粒。
在另一个实施案例中，所述腐蚀刻蚀剂的制备方法为：将碲的氧化物和/或铅的氧化物以及锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、钙、溴、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、锌、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的氧化物混合；当混合物中只包含碲和铅的氧化物时，碲与铅的摩尔比为0.1/10-10/0.1，优选为2/5-5/2；当混合物中包含碲、铅和添加元素的氧化物时，铅、碲元素总和与添加元素总和的摩尔比为98/2-80/20，优选为95/5-85/15；然后在真空的气氛中加热到700-1200℃，使其在熔融状态下反应30-120分钟，优选为在1000℃下2小时；自然冷却至25℃或者随炉冷却至25℃，然后进行粉碎，研磨处理后，得到上述腐蚀刻蚀剂晶体化合物颗粒。
在另一个实施案例中，所述腐蚀刻蚀剂的制备方法为：将碲的氧化物和铅的氧化物与锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、溴、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的氧化物混合；当混合物中只包含碲和铅的氧化物时，碲与铅的摩尔比为0.1/10-10/0.1，优选为2/5-5/2；当混合物中包含碲、铅和添加元素的氧化物时，铅、碲元素总和与添加元素总和的摩尔比为98/2-80/20，优选为95/5-85/15；然后在氧气气氛或者氧气和空气混合的气氛中加热到700-1200℃，使其在熔融反应30-120分钟，优选为在800-1100℃下2小时；自然冷却至25℃或者随炉冷却至25℃，然后进行粉碎，研磨处理后， 得到上述腐蚀刻蚀剂晶体化合物颗粒。
进一步地，上述腐蚀刻蚀剂为晶体化合物，为球形、类球形、条状、枝状、片状、颗粒状、胶体状颗粒中的至少一种，其尺寸不受具体限制，在一个实施案例中，其尺寸小于15μm；在另一个实施案例中，其尺寸小于3μm；在另一个实施案例中，其尺寸为0.1～3.0μm。该腐蚀刻蚀剂的熔点温度为250℃～760℃，当达到其熔点温度时，该腐蚀刻蚀剂由固体直接变为液体，没有软化过程。
具体地，步骤S03中混合的步骤可以采取分步混合的方法。
在一个实施方案中，将上述腐蚀刻蚀剂和金属粉预先混合，再将该预先混合物与有机载体混合，然后进行研磨处理，得到上述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
在另一个实施方案中，将上述腐蚀刻蚀剂和有机载体预先混合，再在该预先混合物中加入金属粉，然后进行研磨处理，得到所述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
在另一个实施方案中，将上述金属粉和有机载体预先混合，再在该预先混合物中加入腐蚀刻蚀剂，然后进行研磨处理，得到所述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
在另一个实施方案中，将20-60重量份金属粉和20-60重量份有机载体预先混合，再将80-40部分重量份腐蚀刻蚀剂、玻璃粉和部分有机载体预先混合，然后再将两种预先混合物混合，研磨处理，得到所述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
图2是使用上述导电浆料制备晶硅太阳能电池正面电极的方法工艺流程示意图。本发明实施例提供的高性能晶硅太阳能电池正面电极的制备方法，包括如下步骤：
S04，提供一种上部表面具有绝缘膜的晶体硅半导体元件，其中，该绝缘膜为氮化硅、氧化钛、氧化铝、氧化硅中至少一种的叠加层；
S05，将上述太阳能电池正面电极导电浆料印制在步骤S04所述的绝缘膜上；
S06，烧结；该烧结步骤为，首先，将步骤S05印制在绝缘膜上的导电浆料在180℃～260℃下烘干，然后加热到700℃～950℃烧结，上述有机载体通过挥发被移除，腐蚀刻蚀剂变成容易流动的液体，不但腐蚀并穿透晶体硅太阳能电池正面的减反射绝缘层，而且润湿导电金属粉，催进了金属粉之间的结合，使导电金属粉和晶体硅太阳能电池形成良好的欧姆接触；冷却，得到上述晶硅太阳能电池正面电极；
图3是印制了所述导电浆料的晶硅太阳能电池在烧结前的局部结构示意图。值得指出的是，此图只是一个例子，它不应作为限制本发明的使用范围。如图3所示，晶硅太阳能电池由半导体基片100，发射极102和绝缘层110构成，P/N结区在半导体基片100和发射极102之间，电极导电浆料120被应用丝网印刷技术选择性地印制到绝缘层110局部的表面121上。电极导电浆料含有金属粉末122、腐蚀刻蚀剂126和有机载体128。根据太阳能电池设计和应用的需要，电极导电浆料120的印刷宽度为20μm～3mm，其细栅电极的印刷宽度可为20～70μm，主栅电极的印刷宽度可为1～3mm。
图4是印制了所述导电浆料的晶硅太阳能电池在烧结后的局部结构示意图，此图只是一个例子，它不应作为限制本发明的使用范围。如图4所示，上述导电浆料经过烧结，转变成电极200；其中烧结的步骤是从25℃加热到180℃～260℃之间进行烘干，然后加热到700℃～950℃烧结,接着冷却，形成电极200。在烧结过程中，随着温度升高，导电浆料中的有机载体被移除，腐蚀刻蚀剂熔化为液体210，流动到绝缘层表面110，腐蚀并穿透晶体硅半导体元件表面的绝缘膜110，使金属粉和晶体硅半导体元件的基体直接接触，形成欧姆层240。熔化的腐蚀刻蚀剂还润湿并增强金属粉之间的接触，使其形成导电性能优良的金属粉结合体220，它通过欧姆层240与半导体102形成良好欧姆接触，形成导电性能优良的晶硅太阳能电池正面电极200。
本文下面开始详细论述本发明实施例所提供的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料各个组分的具体参数，及其制备方法、应用。
I.腐蚀刻蚀剂
本发明实施例所述腐蚀刻蚀剂是晶体化合物，具有熔点，不同于玻璃粉。所述腐蚀刻蚀剂为铅、碲和/或锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、溴、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的氧化物所形成的晶体化合物，其熔点温度为250℃～760℃。
本发明所述腐蚀刻蚀剂晶体化合物为PbTe4O9、PbTeO3、PbTeO4、PbTe3O7、PbTe5O11、Pb2TeO4、Pb2Te3O7、Pb2Te3O8、Pb3TeO5、Pb3TeO6、Pb4Te1.5O7、Pb5TeO7、Pb5TeO7、PbTe2O5、Li2TeO3、Bi6B10O24、Na2B8O13、Bi4TeO8、Pb6Bi4O18、PbBi6Te10、Bi2TeO5、PbBi6TeO12、BiTe0.5Pb0.5SrNb2O9、Pb0.25SrBi1.5Te0.25Nb2O9、Pb3Te2Br2O6、Pb3TeBr2O4、Pb2CaTeO6、Pb2TeCoO6、PbTe2CuO6、PbTeCu3O7、Pb3Te2Fe2O12、Pb(Te0.33Fe0.67)O3、Pb2(Hf1.5Te0.5)O6.5、Pb2Te(Li0.5Al0.5)O6、Pb2Te(Li0.5Bi0.5)O6、 Pb2TeLi0.5Fe0.5O6、PbTeLiFeO6、Pb2Te(Li0.5La0.5)O6、Pb2(Ti1.5Te0.5)O6.5、Pb2(Ti1.5Te0.5)O6.5、Pb2(Li0.5Sc0.5)TeO6、Pb2Li0.5Y0.5TeO6、Li0.5Pb2Yb0.5TeO6、Pb2MgTeO6、Pb11Si3O17、Ba(Fe0.5Mg0.5)PbTa0.5Te0.5O6、PbBaMgTeO6、Pb0.5BaNbTe2O9、BaTeO5、BaTe4O9、Pb2MgTeO6、Pb2Mg0.5Fe0.5(Ta0.5Te0.5)O6、Pb2MgSrTeO6、Pb2Mg(W0.9Te0.1)O6、Pb2Mg(W0.7Te0.3)O6、Pb2Mg(W0.5Te0.5)O6、Pb2Mg(W0.4Te0.6)O6、Pb2Mg(W0.4Te0.6)O6、PbMnTeO6、Pb(Mn0.5Te0.5)O3、Pb2MnTeO6、PbMn2Ni6Te3O18、Pb(Na0.4Te0.6)O3、Pb2(Na0.5Bi0.5)TeO6、Na0.5Pb2Fe0.5TeO6、Pb2(Na0.5La0.5)TeO6、Pb2Na0.5Sc0.5TeO6、Na0.5Pb2Yb0.5TeO6、Na0.5Pb2Y0.5TeO6、Pb4Te6Nb10O41、Pb3Ni4.5Te2.5O15、Pb2NiTeO6、PbSc0.5Ti0.25Te0.25O3、Pb2Sn1.5Te0.5O6.5、Pb2(Sn1.5Te5)O6.5、Pb2SrTeO6、Pb2ZnTeO6、Pb3Zn3TeAs2O14、Pb2(Zr1.5Te0.5)O6.5、PbTe5O11、Pb3(Te2O6)C12、Pb2ZnTeO6中的至少一种。所述腐蚀刻蚀剂全部为晶体化合物，具有典型的晶体特征，当加热到其熔点温度时，晶体开始熔化，直接变为液体，没有软化温度，与非晶体结构的玻璃粉不同，玻璃粉在加热过程中的物理形态变化是从固态到软化态再到液态。
本发明实施例所述腐蚀刻蚀剂与玻璃粉不同，可以通过X射线衍射（XRD）测量来加以区分。所述腐蚀刻蚀剂的每一个晶体化合物，在XRD测量时，都会在特定的衍射角度显示出尖锐的衍射特征峰，而玻璃粉是非晶体，只在小角度区间显示出一个分布很宽强度较低的鼓包。
本发明实施例所述腐蚀刻蚀剂与玻璃粉的显著不同，还可以通过透射电子显微镜(TEM)加以区分。当将本发明所述腐蚀刻蚀剂中的任何一种晶体化合物通过透射电子显微镜检测，将会展现出有序的原子排列面，而玻璃粉将会展现出无序的原子排列面。
本发明所述腐蚀刻蚀剂为球形、类球形、片状、条状、枝状、颗粒状、胶体状颗粒中的至少一种，其尺寸不受具体限制。在一个优选实施案例中，其尺寸小于15μm；在另一个实施案例中，其尺寸为0.1-10μm；在另一个实施案例中，其尺寸为0.1～7.0μm。
上述腐蚀刻蚀剂由下列方法之一制备：液相化学反应法、气相化学反应法、熔融控制冷却法、真空熔融控制冷却法。
本发明所述腐蚀刻蚀剂可用液相化学反应法制备，其制备过程为：将碲盐溶液、铅盐溶液在80℃～250℃下搅拌混合，然后分别加入锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、溴、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的盐化合物，维持搅拌速度在1500r/min范围内，反应2～5hrs，生成沉淀，然后依次固液分离，洗涤，再收集固体，150℃烘干1～3hrs，得到含有铅、碲和锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、溴、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素与氧所形成的晶体化合物。
在一个实施案例中，将碲盐（如Na2TeO3）溶液与铅盐（如醋酸铅Pb(CH3COO)2）溶液在80℃～120℃下搅拌混合，然后加入锂盐如（LiCl或者LiNO3等），维持搅拌速度在1500r/min范围内，反应2～5hrs，生成沉淀，然后依次固液分离，洗涤，再收集固体，150℃烘干1～3hrs，得到铅碲系晶体化合物和锂碲系晶体化合物的混合物如PbTeO3和Li2TeO3晶体化合物的一种或者两种以上的混合物。
在另外一个实施案例中，将碲盐（如Na2TeO3）溶液与醋酸铅（Pb(CH3COO)2）溶液在80℃～120℃下搅拌混合，然后加入钡盐如BaCl2和镁盐如MgSO4，维持搅拌速度在1500r/min范围内，反应2～5hrs，生成沉淀得到含有铅碲系晶体化合物和钡碲系晶体化合物的混合物如PbTeO3、PbBaMgTeO6和Pb2MgTeO6晶体化合物的一种或者两种以上的其混合物。
在另外一个实施案例中，将碲盐（如Na2TeO3）溶液与醋酸铅（Pb(CH3COO)2）溶液在80℃～120℃下搅拌混合，然后加入锂盐如LiCl、钡盐BaCl2和铋盐溶液如BiNO3溶液，维持搅拌速度在1500r/min范围内，反应2～5hrs，生成沉淀得到铅碲系晶体化合物、钡碲系晶体化合物、铋碲系晶体化合物和锂碲系晶体化合物的混合物，例如PbTeO3、Li2TeO3、Pb5Bi4O18、PbBi6TeO12、Bi2TeO5等晶体化合物的一种或者两种以上的混合物。
在另外一个实施案例中,将碲盐（如Na2TeO3）溶液与醋酸铅（Pb(CH3COO)2）溶液在80℃～120℃下搅拌混合，然后加入锂盐如LiCl或者LiNO3和铁盐如Fe(OH)3，维持搅拌速度在1500r/min范围内，反应2～5hrs，生成沉淀，然后依次固液分离，洗涤，再收集固体，150℃烘干1～3hrs，得到多种含有铅和碲以及锂、铁与氧形成的晶体化合物的混合物如PbTeO3、Li2TeO3、Li0.5Pb2Fe0.5TeO6等晶体化合物的一种或者两种以上的混合物。
变动以上实施案例的化学反应条件，包含变动化学成分或者反应温度时间，可以获得性能相似或者接近的晶体化合物。
本发明所述腐蚀刻蚀剂还可用熔融控制冷却法制备，其制备过程为：将碲的氧化物、铅的氧化物混合，然后选择性地分别加入锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中一种 或者一种以上添加元素的氧化物，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的非还原性气氛（包括氧气气氛、空气气氛、氮气气氛、氩气气氛或者以上气体的混合）中，在熔融状态使其发生反应，然后从加热炉中取出，放置于空气气氛中（或者还原性气氛包括氧气气氛、空气气氛、氮气气氛、氩气气氛或者以上气体的混合）、自然冷却至25℃或者随炉冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到由铅、碲和/或锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素与氧所形成的晶体化合物。
本发明所述晶体化合物包括以下晶体化合物中的一种或者两种以上：PbTe4O9、PbTeO3、PbTeO4、PbTe3O7、PbTe5O11、Pb2TeO4、Pb2Te3O7、Pb2Te3O8、Pb3TeO5、Pb3TeO6、Pb4Te1.5O7、Pb5TeO7、Pb5TeO7、PbTe2O5、Li2TeO3、Bi6B10O24、Na2B8O13、Bi4TeO8、Pb6Bi4O18、PbBi6Te10、Bi2TeO5、PbBi6TeO12、BiTe0.5Pb0.5SrNb2O9、Pb0.25SrBi1.5Te0.25Nb2O9、Pb3Te2Br2O6、Pb3TeBr2O4、Pb2CaTeO6、Pb2TeCoO6、PbTe2CuO6、PbTeCu3O7、Pb3Te2Fe2O12、Pb(Te0.33Fe0.67)O3、Pb2(Hf1.5Te0.5)O6.5、Pb2Te(Li0.5Al0.5)O6、Pb2Te(Li0.5Bi0.5)O6、Pb2TeLi0.5Fe0.5O6、PbTeLiFeO6、Pb2Te(Li0.5La0.5)O6、Pb2(Ti1.5Te0.5)O6.5、Pb2(Ti1.5Te0.5)O6.5、Pb2(Li0.5Sc0.5)TeO6、Pb2Li0.5Y0.5TeO6、Li0.5Pb2Yb0.5TeO6、Pb2MgTeO6、Pb11Si3O17、Ba(Fe0.5Mg0.5)PbTa0.5Te0.5O6、PbBaMgTeO6、Pb0.5BaNbTe2O9、BaTeO5、BaTe4O9、Pb2MgTeO6、Pb2Mg0.5Fe0.5(Ta0.5Te0.5)O6、Pb2MgSrTeO6、Pb2Mg(W0.9Te0.1)O6、Pb2Mg(W0.7Te0.3)O6、Pb2Mg(W0.5Te0.5)O6、Pb2Mg(W0.4Te0.6)O6、Pb2Mg(W0.4Te0.6)O6、PbMnTeO6、Pb(Mn0.5Te0.5)O3、Pb2MnTeO6、PbMn2Ni6Te3O18、Pb(Na0.4Te0.6)O3、Pb2(Na0.5Bi0.5)TeO6、Na0.5Pb2Fe0.5TeO6、Pb2(Na0.5La0.5)TeO6、Pb2Na0.5Sc0.5TeO6、Na0.5Pb2Yb0.5TeO6、Na0.5Pb2Y0.5TeO6、Pb4Te6Nb10O41、Pb3Ni4.5Te2.5O15、Pb2NiTeO6、PbSc0.5Ti0.25Te0.25O3、Pb2Sn1.5Te0.5O6.5、Pb2(Sn1.5Te5)O6.5、Pb2SrTeO6、Pb2ZnTeO6、Pb3Zn3TeAs2O14、Pb2(Zr1.5Te0.5)O6.5、PbTe5O11、Pb3(Te2O6)C12、Pb2ZnTeO6中的至少一种。
所述晶体化合物还包括在微小的区域内存在的两元或者两元以上微小的低熔点合金晶体（Eutectic）如铅碲铋（Pb-Te-Bi）、铅碲锂（Pb-Te-Li）、如铅碲银铋（Pb-Te-Ag-Bi）合金等。变动以上实施案例的条件，可以获得性能相似的晶体化合物。例如，反应可以在700℃以下或者1200℃以上的温度进行熔炼后，可以使用流动的不加热的保护性气体（如N2、CO2、Ar2等）流过其熔融体表面，加速冷却速度，或者使用加热的保护性气体（如N2、CO2、Ar2等）流过其熔融体表面，减慢冷却速度，得到其晶体化合物。
在一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2O或者Li2CO3，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃或者随炉冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、和锂与氧形成的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2O或者Li2CO3、硼的氧化物B2O3和铋的氧化物如Bi2O3，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、硼、和铋与氧形成的晶体化合物的混合物。在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物或可生成其氧化物的盐如Li2CO3，硼的氧化物如B2O3，铋的氧化物如Bi2O3，钛的氧化物如TiO2和钡的氧化物如BaO，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃，进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼、钛、和钡的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2CO3、硼的氧化物如B2O3、铋的氧化物如Bi2O3、钛的氧化物如TiO2、钡的氧化物如BaO、钠的氧化物如Na2O和氧化铝如Al2O3,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼，钛、铝、钠和钡的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2CO3、硼的氧化物如B2O3、铋的氧化物如Bi2O3、钛的氧化物如TiO2、钡的氧化物如BaO、钨的氧化物如WO3,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃ 下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃，进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼，钛、钨和钡的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2CO3、硼的氧化物如B2O3、铋的氧化物如Bi2O3、钛的氧化物如TiO2、钡的氧化物如BaO、钨的氧化物如WO3、钽的氧化物如Ta2O5，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼，钛、钨、钽和钡的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2CO3、硼的氧化物如B2O3、铋的氧化物如Bi2O3、钛的氧化物如TiO2、钡的氧化物如BaO、钨的氧化物如WO3、钽的氧化物如Ta2O5和铬的氧化物如Cr2O3，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼，钛、钨、钽、铬和钡的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2CO3、硅的氧化物如SiO2、硼的氧化物如B2O3、铋的氧化物如Bi2O3、钛的氧化物如TiO2、钡的氧化物如BaO、钨的氧化物如WO3、钽的氧化物如Ta2O5和铬的氧化物如Cr2O3，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼，钛、钨、钽、硅、铬、和钡的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2CO3、硼的氧化物如B2O3、铋的氧化物如Bi2O3、钛的氧化物如TiO2、锌的氧化物如ZnO、钨的氧化物如WO3、钽的氧化物如Ta2O5和铬的氧化物如Cr2O3，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼，钛、钨、钽、锌和铬的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2CO3、硼的氧化物如B2O3、铋的氧化物如Bi2O3、钛的氧化物如TiO2、锌的氧化物如ZnO、铌的氧化物如NbO2、镁的氧化物如MgO、钨的氧化物如WO3、钽的氧化物如Ta2O5和铬的氧化物如Cr2O3，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼，钛、铌、镁、钨、钽、锌、和铬的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2CO3、硼的氧化物如B2O3、铋的氧化物如Bi2O3、钛的氧化物如TiO2、钡的氧化物如BaO、钇的氧化物如Y2O3、锆的氧化物如ZrO2和铬的氧化物如Cr2O3,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼，钛、锆、钇、铬、和钡的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2CO3、硼的氧化物如B2O3、铋的氧化物如Bi2O3、钛的氧化物如TiO2、钡的氧化物如BaO、镧的氧化物如La2O3、钪的氧化物如Sc2O3和铬的氧化物如Cr2O3,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼，钛、锆、镧、铬、钪和钡的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后 加入锂的氧化物或可生成其氧化物的盐如Li2CO3、硅的氧化物如SiO2、硼的氧化物如B2O3、铋的氧化物如Bi2O3、和钛的氧化物如TiO2,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼，钛、硅的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2CO3、硼的氧化物如B2O3、铋的氧化物如Bi2O3、和钛的氧化物如TiO2，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼，钛的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2CO3、硅的氧化物如SiO2、硼的氧化物如B2O3、铋的氧化物如Bi2O3、钛的氧化物如TiO2、铝的氧化物如Al2O3，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼，钛、硅、和铝的晶体化合物的混合物。
在另外一个实施案例中，首先将碲的氧化物如TeO2与铅的氧化物如Pb3O4或者PbO混合，然后加入锂的氧化物如Li2CO3、硅的氧化物如SiO2、硼的氧化物如B2O3、铋的氧化物如Bi2O3和钛的氧化物如TiO2,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入加热炉在800℃～1200℃下的空气气氛中或者氧气气氛中，在熔融状态下使其进行反应，然后随炉冷却至25℃或者从加热炉中取出，放置于空气气氛中，自然冷却至25℃,进行粉碎，研磨处理后，得到多种两元或者两元以上含有铅、碲、锂、铋、硼、钛和硅的晶体化合物的混合物。
本发明所述腐蚀刻蚀剂还可用真空熔融控制冷却法制备，其制备过程为：将碲的氧化物与铅的氧化物混合，然后分别加入锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的氧化物，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中，放入真空加热炉，在800℃～1200℃下的在真空的气氛中进行熔炼，然后，自然冷却至25℃,再进行粉碎，研磨处理后，得到一种或者多种两元或者两元以上含有铅和碲以及锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗等添加元素与氧所形成的晶体化合物。变动以上实施案例的化学反应条件，可以获得性能相似的铅碲系晶体化合物。例如，其熔炼温度可以在700℃以下或者1200℃以上；又例如，在熔炼完成后，除了使用自然冷却的方法外，还可以使用流动的不加热的保护性气体（如N2、CO2、Ar2等）流过其熔融体表面，加速冷却到25℃，或者使用加热的保护性气体（如N2、CO2、Ar2等）流过其熔融体表面，减慢冷却速度，冷却到25℃。
本发明所述腐蚀刻蚀剂还可用气相化学反应法制备，其制备过程为：将碲与铅的气体连续导入氧气氛围的反应室内，然后分别加入锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的气体，使其在1000～3000℃反应1～3小时，自然冷却至25℃后，研磨处理后，得到一种或者多种两元或者两元以上含有铅和碲以及锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗等添加元素与氧所形成的晶体化合物。
具体地，下面通过示范性实施案例与对比性实施案例来进一步说明本发明所述晶体化合物腐蚀刻蚀剂相较于传统使用的玻璃粉所具有的优点：
示范性实施案例1：首先将14g TeO2和8.75g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，依次加入0.75g Al2O3和1.5g Li2CO3氧化物粉体，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉，升温至900℃，在900℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却，形成块体。将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体在0.1～15μm范围内，得到其晶体化合物。熔融的混合物在炉子中的温度是900℃，从炉子中取出后，温度降到732℃。图5是熔融的混合物从炉子中取出后的冷却时间和温度的关系，记录从732℃开始，可以看出，在第1分钟内从732℃冷却到593℃，平均冷却速度为139℃/min,在第二分 钟内从593℃冷却到504℃，平均冷却速度为89℃/min，在第三分钟内从504℃冷却到449℃，平均冷却速度为55℃/min，在第四分钟内从449℃冷却到416.2℃，平均冷却速度为32.8℃/min，这时，熔融体已经变成了晶体。在冷却到25℃后，将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体。通过XRD对上述实施案例中制备的晶体化合物进行了分析检验，结果如图6a所示。由图6a可知，Li2TeO3和PbTeO3特征峰对应的衍射角度显示出尖锐的衍射特征峰，Al2O3特征峰对应的衍射角度显示出一个较低但是尖锐的衍射特征峰，所以示范性实施案例1得到了Li2TeO3和PbTeO3两种晶体化合物的混合体以及微小的Al2O3晶体。
对比性实施案例1：首先将14g TeO2和8.75g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，依次加入0.75g Al2O3和1.5g Li2CO3氧化物粉体，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在，升温至900℃，在900℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，浇入25℃的去离子水中进行淬火，得到块体。得到的块体再经过粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体D50在0.1～15μm范围内，得到了玻璃粉。通过XRD对上述实施案例中制备的玻璃粉进行了分析检验，结果如图6b所示。由图6b可知，所述玻璃粉的XRD检验显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有显示出尖锐的衍射特征峰。
在上述示范性实施案例1和对比性实施案例1中，所制备的晶体化合物与玻璃粉有相同的化学成分，但是，由于其制备方法不同，其内部结构不同，原子排列不同，导致了它们在加热过程中物理状态的变化过程有明显的不同。其中，前者为本发明所述的晶体化合物Li2TeO3和PbTeO3，在加热过程中的物理形态变化为：固态-液态；后者为玻璃粉，在加热过程中的物理形态变化为：固态-软化态-液态。
示范性实施案例2：首先将3.5g TeO2和6.6g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入0.45g SiO2氧化物粉体，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在1000℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却至25℃，形成块体。将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体在0.1～15μm范围内，得到其晶体化合物。通过XRD对上述实施案例中制备的晶体化合物进行了分析检验，结果如图7a所示。由图7a可知，PbTeO3、Pb11Si3O17特征峰对应的衍射角度显示出尖锐的衍射特征峰，所以示范性实施案例2得到了PbTeO3和Pb11Si3O17两种晶体化合物的混合体晶体。
对比性实施案例2：首先将3.5g TeO2和6.6g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入0.45g SiO2氧化物粉体，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在1000℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，浇入25℃的去离子水中进行淬火，得到块体。得到的块体再经过粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体D50在0.1～15μm范围内，得到了玻璃粉。通过XRD对上述实施案例中制备的玻璃粉进行了分析检验，结果如图7b所示。由图7b可知，所述玻璃粉的XRD检验显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有显示出尖锐的衍射特征峰。
在上述示范性实施案例2和对比性实施案例2中，所制备的晶体化合物与玻璃粉有相同的化学成分，但是，由于其制备方法不同，其内部结构不同，原子排列不同，导致了它们在加热过程中物理状态的变化过程有明显的不同。其中，前者为本发明所述的晶体化合物PbTeO3和Pb11Si3O17，在加热过程中的物理形态变化为：固态-液态；后者为玻璃粉，在加热过程中的物理形态变化为：固态-软化态-液态。
示范性实施案例3：首先将4.9g TeO2和6.6g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入0.24g BaO2氧化物粉体，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在900℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却至25℃，形成块体。将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体在0.1～15μm范围内，得到其晶体化合物。通过XRD对上述实施案例中制备的晶体化合物进行了分析检验，结果如图8a所示。由图8a可知，PbTeO3、BaTeO5,和BaTe4O9特征峰对应的衍射角度显示出尖锐的衍射特征峰，所以示范性实施案例3得到了PbTeO3、BaTeO5和BaTe4O9,三种晶体化合物的混合体以及BaO晶体。
对比性实施案例3：首先将4.9g TeO2和6.6g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入0.24g BaO2氧化 物粉体，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在900℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，浇入25℃的去离子水中进行淬火，得到块体。得到的块体再经过粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体D50在0.1～15μm范围内，得到了玻璃粉。通过XRD对上述实施案例中制备的玻璃粉进行了分析检验，结果如图8b所示。由图8b可知，所述玻璃粉的XRD检验显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有显示出尖锐的衍射特征峰。
在上述示范性实施案例3和对比性实施案例3中，所制备的晶体化合物与玻璃粉有相同的化学成分，但是，由于其制备方法不同，其内部结构不同，原子排列不同，导致了它们在加热过程中物理状态的变化过程有明显的不同。其中，前者为本发明所述的晶体化合物PbTeO3、Ba11TeO5和BaTe4O9三种晶体化合物的混合体，在加热过程中的物理形态变化为：固态-液态；后者为玻璃粉，在加热过程中的物理形态变化为：固态-软化态-液态。
示范性实施案例4：首先将4.9g TeO2和7.56g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入1.44g Bi2O3氧化物粉体，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在1100℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却至25℃，形成块体。将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体在0.1～15μm范围内，得到其晶体化合物。通过XRD对上述实施案例中制备的晶体化合物进行了分析检验，结果如图9a所示。由图9a可知，Bi4TeO8和PbTeO3特征峰对应的衍射角度显示出尖锐的衍射特征峰，所以示范性实施案例4得到了Bi4TeO8和PbTeO3两种晶体化合物的混合体。
对比性实施案例4：首先将4.9g TeO2和7.56g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入1.44g Bi2O3氧化物粉体，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在900℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，浇入25℃的去离子水中进行淬火，得到块体。得到的块体再经过粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体D50在0.1～15μm范围内，得到了玻璃粉。通过XRD对上述实施案例中制备的玻璃粉进行了分析检验，结果如图9b所示。由图9b可知，所述玻璃粉的XRD检验显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有显示出尖锐的衍射特征峰。
在上述示范性实施案例4和对比性实施案例4中，所制备的晶体化合物与玻璃粉有相同的化学成分，但是，由于其制备方法不同，其内部结构不同，原子排列不同，导致了它们在加热过程中物理状态的变化过程有明显的不同。其中，前者为本发明所述的晶体化合物Bi4TeO8和PbTeO3两种晶体化合物的混合体，在加热过程中的物理形态变化为：固态-液态；后者为玻璃粉，在加热过程中的物理形态变化为：固态-软化态-液态。
示范性实施案例5：首先将4.9g TeO2和7.56g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入1.25g Bi2O3氧化物粉体，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在1100℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却至25℃，形成块体。将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体在0.1-15μm范围内，得到其晶体化合物。通过XRD对上述实施案例中制备的晶体化合物进行了分析检验，结果如图10a所示。由图10a可知，Bi4TeO8，Bi2TeO5，和PbTeO3特征峰对应的衍射角度显示出尖锐的衍射特征峰，所以示范性实施案例6得到了Bi4TeO8，Bi2TeO5，和PbTeO3三种晶体化合物的混合体。
对比性实施案例5：首先将4.9g TeO2和7.56g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入1.25g Bi2O3氧化物粉体，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在1100℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，浇入25℃的去离子水中进行淬火，得到块体。得到的块体再经过粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体D50在0.1-15μm范围内，得到了玻璃粉。通过XRD对上述实施案例中制备的玻璃粉进行了分析检验，结果如图10b所示。由图10b可知，所述玻璃粉的XRD检验显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有显示出尖锐的衍射特征峰。
在上述示范性实施案例5和对比性实施案例5中，所制备的晶体化合物与玻璃粉有相同的化学成分，但是，由于其制备方法不同，其内部结构不同，原子排列不同，导致了它们在加热过程中物理状 态的变化过程有明显的不同。其中，前者为本发明所述的晶体化合物Bi4TeO8，Bi2TeO5，和PbTeO3三种晶体化合物的混合体，在加热过程中的物理形态变化为：固态-液态。后者为玻璃粉，在加热过程中的物理形态变化为：固态-软化态-液态。
示范性实施案例6：首先将4.9g TeO2和7.56g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入1.44g Bi2O3氧化物粉体、0.05g B2O3氧化物粉体和1.25g Li2CO3氧化物粉体,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在1100℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却至25℃，形成块体。将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体在0.1～15μm范围内，得到其晶体化合物。通过XRD对上述实施案例中制备的晶体化合物进行了分析检验，结果如图11a所示。由图11a可知，Bi24B2O39、Pb5B2O5、Pb5TeO7和Li6TeO6特征峰对应的衍射角度显示出尖锐的衍射特征峰，所以示范性实施案例6得到了Bi24B2O39、Pb5B2O5、Pb5TeO7和Li6TeO6四种晶体化合物的混合体。
对比性实施案例6：首先将4.9g TeO2和7.56g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入1.44g Bi2O3氧化物粉体，0.05g B2O3氧化物粉体和1.25g Li2CO3氧化物粉体,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在1100℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，浇入25℃的去离子水中进行淬火，得到块体。得到的块体再经过粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体D50在0.1～15μm范围内，得到了玻璃粉。通过XRD对上述实施案例中制备的玻璃粉进行了分析检验，结果如图11b所示。由图11b可知，所述玻璃粉的XRD检验显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有显示出尖锐的衍射特征峰。
在上述示范性实施案例6和对比性实施案例6中，所制备的晶体化合物与玻璃粉有相同的化学成分，但是，由于其制备方法不同，其内部结构不同，原子排列不同，导致了它们在加热过程中物理状态的变化过程有明显的不同。其中，前者为本发明所述的晶体化合物Bi24B2O39、Pb5B2O5、Pb5TeO7、和Li6TeO6四种晶体化合物的混合体，在加热过程中的物理形态变化为：固态-液态；后者为玻璃粉，在加热过程中的物理形态变化为：固态-软化态-液态。
示范性实施案例7：首先将4.9g TeO2和7.56g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入1.44g Bi2O3氧化物粉体，0.05g B2O3氧化物粉体和1.25g TiO2氧化物粉体,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在1100℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却至25℃，形成块体。将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体在0.1～15μm范围内，得到其晶体化合物。通过XRD对上述实施案例中制备的晶体化合物进行了分析检验，结果如图12a所示。由图12a可知，Bi4TeO8、Pb3Bi2O6、Pb2B2O5和PbTiO3特征峰对应的衍射角度显示出尖锐的衍射特征峰，所以示范性实施案例7得到了Bi4TeO8、Pb3Bi2O6、Pb2B2O5和PbTiO3四种晶体化合物的混合体。
对比性实施案例7：首先将4.9g TeO2和7.56g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入1.44g Bi2O3氧化物粉体，0.05g B2O3氧化物粉体和1.25g TiO2氧化物粉体,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在1100℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，浇入25℃的去离子水中进行淬火，得到块体。得到的块体再经过粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体D50在0.1～15μm范围内，得到了玻璃粉。通过XRD对上述实施案例中制备的玻璃粉进行了分析检验，结果如图12b所示。由图12b可知，所述玻璃粉的XRD检验显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有显示出尖锐的衍射特征峰。
在上述示范性实施案例7和对比性实施案例7中，所制备的晶体化合物与玻璃粉有相同的化学成分，但是，由于其制备方法不同，其内部结构不同，原子排列不同，导致了它们在加热过程中物理状态的变化过程有明显的不同。其中，前者为本发明所述的晶体化合物Bi24B2O39、Pb5B2O5、Pb5TeO7和Li6TeO6四种晶体化合物的混合体，在加热过程中的物理形态变化为：固态-液态；后者为玻璃粉，在加热过程中的物理形态变化为：固态-软化态-液态。
示范性实施案例8：首先将4.9g TeO2和7.56g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入1.44g Bi2O3氧化物粉体，0.05g B2O3氧化物粉体,和1.25g TiO2氧化物粉体,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在1100℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中 取出，置于大气环境下自然冷却至25℃，形成块体。将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体在0.1-15μm范围内，得到其晶体化合物。通过XRD对上述实施案例中制备的晶体化合物进行了分析检验，结果如图13a所示。由图13a可知，Ti2TeO8，Pb2Te3O8,Pb5Bi8O17,和PbBiO6特征峰对应的衍射角度显示出尖锐的衍射特征峰，所以示范性实施案例8得到了Ti2TeO8，Pb2Te3O8,Pb5Bi8O17,和Pb3BiO6四种晶体化合物的混合体。
对比性实施案例8：首先将4.9g TeO2和7.56g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入1.44g Bi2O3氧化物粉体，0.05g B2O3氧化物粉体,和1.25g TiO2氧化物粉体,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉在900℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，浇入25℃的去离子水中进行淬火，得到块体。得到的块体再经过粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体D50在0.1-15μm范围内，得到了玻璃粉。通过XRD对上述实施案例中制备的玻璃粉进行了分析检验，结果如图13b所示。由图13b可知，所述玻璃粉的XRD检验显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有显示出尖锐的衍射特征峰。
在上述示范性实施案例8和对比性实施案例8中，所制备的晶体化合物与玻璃粉有相同的化学成分，但是，由于其制备方法不同，其内部结构不同，原子排列不同，导致了它们在加热过程中物理状态的变化过程有明显的不同。其中，前者为本发明所述的晶体化合物Ti2TeO8，Pb2Te3O8,Pb5Bi8O17,和PbBiO6四种晶体化合物的混合体，在加热过程中的物理形态变化为：固态-液态。后者为玻璃粉，在加热过程中的物理形态变化为：固态-软化态-液态。
示范性实施案例9：将12g TeO2和0.625g B2O3，1.25g Bi2O3,和1.5g Li2CO3氧化物粉体均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉，升温至1100℃，在1100℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却，形成块体。将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体在0.1-15μm范围内，得到其晶体化合物。通过XRD对上述实施案例中制备的晶体化合物进行了分析检验，结果如图14a所示。由图14a可知，Li2TeO3和Bi6B10O24特征峰对应的衍射角度显示出尖锐的衍射特征峰，所以示范性实施案例9得到了Li2TeO3和Bi6B10O24两种晶体化合物的混合体以及微小的Al2O3晶体。
对比性实施案例9：将12g TeO2和0.625g B2O3，1.25g Bi2O3,和1.5g Li2CO3氧化物粉体均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉，升温至1100℃，在1100℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，浇入25℃的去离子水中进行淬火，得到块体。得到的块体再经过粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体D50在0.1-15μm范围内，得到了玻璃粉。通过XRD对上述实施案例中制备的玻璃粉进行了分析检验，结果如图14b所示。由图14b可知，所述玻璃粉的XRD检验显示出一个分布很宽强度较低的鼓包，没有显示出尖锐的衍射特征峰。
在上述示范性实施案例9和对比性实施案例9中，所制备的晶体化合物与玻璃粉有相同的化学成分，但是，由于其制备方法不同，其内部结构不同，原子排列不同，导致了它们在加热过程中物理状态的变化过程有明显的不同。其中，前者为本发明所述的晶体化合物Li2TeO3和Bi6B10O24，在加热过程中的物理形态变化为：固态-液态。后者为玻璃粉，在加热过程中的物理形态变化为：固态-软化态-液态。
本发明所述的电极浆料含有上述晶体化合物腐蚀刻蚀剂；在浆料烧结过程中，当温度达到熔点时，其晶体化合物腐蚀刻蚀剂物理形态由固态向液态转变。在熔点之前为固体，不会填充于金属粉颗粒之间孔隙中，不会妨碍有机组分的排出，从而有效避免如玻璃粉早期软化带来的堵塞问题；腐蚀刻蚀剂熔化后，为液态，其黏度低，可以快速地通过金属粉之间的空隙流入底部，能够有效的腐蚀并处穿透晶体硅太阳能电池正面的减反射绝缘层，使导电金属粉和晶体硅太阳能电池形成良好的欧姆接触，能够有效的润湿导电金属粉，催进金属粉之间的结合，形成导电性能优良的晶硅太阳能电池正面电极。其液体状态的晶体化合物腐蚀刻蚀剂，容易铺展，可提供更多的界面，增加导电的接触点和隧道效应，使形成的电极电阻变小。发明人在研究中发现，在上述实施例晶硅太阳能电池正面电极导电浆料中的腐蚀刻蚀剂的含量如果大于10重量份，可能烧穿PN结，造成短路；若腐蚀刻蚀剂小于0.5重量份，可能难于完全去除减反射层，导致制备的晶硅太阳能电池性能恶化。
II.金属粉
本发明所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料含有金属粉。在一个实施案例中，所述金属粉为 非银包覆的金属粉，包括银、金、铂、铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、锰、钯、铑中的至少一种金属或所述金属的合金，在另外一个实施案例中，所述金属粉为银包覆的铜、铁、镍、铝、锌、钛、钴、铬、锰中的任一种或者其两种以上的混合体，其中，所述银包覆层的厚度为10～2000nm。所述银包覆的金属粉的尺寸为0.1～5.0μm。在另外一个实施案例中，所述金属粉为非银包覆的金属粉和银包覆的金属粉的混合体，其非银包覆的金属粉与银包覆的金属粉的重量比例为95/5～5/95。具体地，上述金属粉在本发明实施例中的作用是起到导电作用，是构成电极的成分。在优选实施例中，该金属粉熔点优选为350℃～2000℃，进一步优选为450℃～1800℃，更优选为600℃～1450℃。发明人在研究中发现，若该金属粉的熔点低于350℃时，在烧结中，金属颗粒会过早熔融，会阻碍对有机载体的排出，从而会影响了有机载体的排出，并且在烧结过程中会产生明显的流动，降低栅线的高宽比；若熔点高于2000℃，在烧结工艺过程中难以完成有效烧结，电金属块体空隙较多，导致通路阻值大，性能劣化。
在进一步优选实施例中，该金属粉选自银、金、铂、钯、铑中的至少一种，或在银、金、铂、钯或铑中掺杂有铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、锰的至少一种金属或其合金，如锰铜、康铜、镍铬合金。
或在进一步优选实施例中，该金属粉为银包覆的铜、铁、镍、铝、锌、钛、钴、铬、锰中的任一种的银包覆结构的金属粉，也即是铜、铁、镍、铝、锌、钛、钴、铬、锰中的任一种金属颗粒的外表面连续的包覆有一层银金属。
在该银包覆结构的金属粉的实施例中，该银包覆层的厚度优选为1～2000nm，更优选为2～1000nm。发明人在研究中发现，如果Ag层厚度小于1nm时，Ag含量过少，电极的接触电阻或漏电流会明显增大；如果Ag层厚度大于104nm，会使导电金属粉末的粒径过大，由于Ag为贵重金属，则同时导致金属粉末成本过高，从而增加晶硅太阳能电池的成本。当然，该银包覆结构的金属粉的银层可以用其他贵重金属替代，如金、铂等。被银包覆的金属颗粒也还以是铜、铁、镍、铝、锌、钛、钴、铬、锰等金属的合金，如锰铜、康铜、镍铬合金。银包覆的金属粉是通过在铜、铁、镍、铝、锌、钛、钴、铬、锰金属粉上镀一层银来实现的。在一个示范性案例中，将粒径在0.1～5.0μm的铜、铁、镍、钛、钴、铬、锌、锰等或其合金的一种或几种金属颗粒置于稀弱酸中浸泡10～300s,去除出金属表面氧化层，然后，使用化学镀的方法，在其金属粉上镀大约10～2000nm的银，在一个示范性实施案例中，化学镀的溶液组成和工艺条件如下：AgNO3：2.4～14.2g/L,氨水：0.8g/L,甲醛：1～3g/L,水合肼：1～4g/L,复合分散剂：1.0g/L,PH值：11,镀液温度：60℃,搅拌速度：1000r/min,干燥：温度为50℃,时间为30min。在另一个示范性案例中，将粒径在0.1～5.0μm的铜、铁、镍、钛、钴、铬、锌、锰等或其合金的一种或几种金属颗粒置于稀弱酸中浸泡10～300s,去除出金属表面氧化层。采用去离子水多次洗涤，去除残余酸。将湿粉体在真空干燥箱中干燥，然后，将干燥无氧化层的金属颗粒置于真空蒸镀设备内，通过蒸镀得到银包覆的金属粉。
上述各金属粉的实施例中，该金属粉颗粒的大小应该首先能满足印刷的要求，如不会堵塞印刷网板等。因此，优选地，该金属粉颗粒粒径优选分布在0.1～5.0μm范围内，若大于5μm容易造成堵塞印刷网板和电极断线等问题，若小于0.1μm则会使浆料的黏度大幅提高，以至于不能正常印刷。另外，该优选粒径的金属粉颗粒还能有效减小电极所占面积，从而提高太阳能电池对光的转换效率，同时还能有效降低电极的厚底，节省用料，降低生产成本。
III.有机载体；
本发明所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料含有有机载体，所述有机载体包括有机溶剂、聚合物、润湿分散剂、触变剂及其它功能助剂等。所述有机载体在电极导电浆料中的重量比为5～25。以所述有机载体总成分为100重量份计算，其中有机溶剂占50～95重量份；刻蚀剂占1～40重量份；润湿分散剂占0.1～10重量份；触变剂及其它功能助剂占1～20重量份。
在一个示范性实施案例中，该有机溶剂可选自醇（如松油醇，丁卡）、醇酯（如十二醇酯）、萜烯类等中高沸程的溶剂中的至少一种，聚合物可选自乙基纤维素、聚甲基丙烯酸酯、醇酸树脂等刻蚀剂中的至少一种；润湿分散剂用于帮助无机粉体在有机载体中的分散，无特殊要求；触变剂用于增加浆料在印刷过程中的触变性，以保证电极图案清晰性和较好的高宽比，可选用氢化蓖麻油衍生物或聚酰胺蜡等有机触变剂；其他功能助剂可根据需要选择添加，如加入微晶蜡等以降低表面张力，加入DBP等以改善浆料的柔韧性，加入PVB等改善黏附力。
IV.导电浆料制备方法
本发明提供了一种工艺简单，条件易控，生产成本低的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料制备方法:按照总重量为100份计算，称取如下配方比例材料：
金属粉 70～93份
有机载体 5～25份；
腐蚀刻蚀剂 0.5～10份
将称取的腐蚀刻蚀剂，金属粉，和有机载体进行混合和研磨处理，得到所述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
一个示范性的电极导电浆料的制备过程如图1所示。首先，称取铅和碲的氧化物并制备腐蚀刻蚀剂，制备腐蚀刻蚀剂的方法如上文所述；然后称取金属粉，包括非银包覆的金属粉和银包覆的金属粉，。然后，称取有机物并制备有机载体。最后将预先混合好的腐蚀刻蚀剂、玻璃粉和金属粉与有机载体混合，研磨处理得到电极导电浆料。此图只是一个例子，它不应作为限制本发明的使用范围。
下面，我们进一步叙述几个电极导电浆料制备的案例。
在一个实施方案中，首先将称取的腐蚀刻蚀剂和金属粉预先混合，再将其混合物与称取的有机载体混合，然后，研磨处理得到所述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。在另一个实施方案中，首先将称取的腐蚀刻蚀剂和有机载体预先混合，再在混合物中加入称取的金属粉，进一步混合，然后，研磨处理得到所述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。在另一个实施方案中，首先将称取的金属粉和有机载体预先混合，再在混合物中加入腐蚀刻蚀剂进一步混合，然后，研磨处理得到所述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。在另一个实施方案中，首先将称取的金属粉和部分有机载体预先混合，再将腐蚀刻蚀剂和部分有机载体预先混合，然后，再将两种预先混合物混合，研磨处理得到所述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
本发明所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料，含有腐蚀刻蚀剂。其腐蚀刻蚀剂在电极导电浆料中的重量比为0.5～10%。所述腐蚀刻蚀剂为一种或者多种由铅和碲以及添加元素锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗等的一种或者两种以上与氧所形成的晶体化合物，其熔点温度在250℃和760℃之间。所述腐蚀刻蚀剂全部为晶体化合物，其性能和制备方法如上文所述。本发明所述腐蚀刻蚀剂包括下面铅碲系晶体化合物PbTe4O9、PbTeO3、PbTeO4、PbTe3O7、PbTe5O11、Pb2TeO4、Pb2Te3O7、Pb2Te3O8、Pb3TeO5、Pb3TeO6、Pb4Te1.5O7、Pb5TeO7、Pb5TeO7、PbTe2O5、Li2TeO3、Bi6B10O24、Na2B8O13、Bi4TeO8、Pb6Bi4O18、PbBi6Te10、Bi2TeO5、PbBi6TeO12、BiTe0.5Pb0.5SrNb2O9、Pb0.25SrBi1.5Te0.25Nb2O9、Pb3Te2Br2O6、Pb3TeBr2O4、Pb2CaTeO6、Pb2TeCoO6、PbTe2CuO6、PbTeCu3O7、Pb3Te2Fe2O12、Pb(Te0.33Fe0.67)O3、Pb2(Hf1.5Te0.5)O6.5、Pb2Te(Li0.5Al0.5)O6、Pb2Te(Li0.5Bi0.5)O6、Pb2TeLi0.5Fe0.5O6、PbTeLiFeO6、Pb2Te(Li0.5La0.5)O6、Pb2(Ti1.5Te0.5)O6.5、Pb2(Ti1.5Te0.5)O6.5、Pb2(Li0.5Sc0.5)TeO6、Pb2Li0.5Y0.5TeO6、Li0.5Pb2Yb0.5TeO6、Pb2MgTeO6、Pb11Si3O17、Ba(Fe0.5Mg0.5)PbTa0.5Te0.5O6、PbBaMgTeO6、Pb0.5BaNbTe2O9、BaTeO5、BaTe4O9、Pb2MgTeO6、Pb2Mg0.5Fe0.5(Ta0.5Te0.5)O6、Pb2MgSrTeO6、Pb2Mg(W0.9Te0.1)O6、Pb2Mg(W0.7Te0.3)O6、Pb2Mg(W0.5Te0.5)O6、Pb2Mg(W0.4Te0.6)O6、Pb2Mg(W0.4Te0.6)O6、PbMnTeO6、Pb(Mn0.5Te0.5)O3、Pb2MnTeO6、PbMn2Ni6Te3O18、Pb(Na0.4Te0.6)O3、Pb2(Na0.5Bi0.5)TeO6、Na0.5Pb2Fe0.5TeO6、Pb2(Na0.5La0.5)TeO6、Pb2Na0.5Sc0.5TeO6、Na0.5Pb2Yb0.5TeO6、Na0.5Pb2Y0.5TeO6、Pb4Te6Nb10O41、Pb3Ni4.5Te2.5O15、Pb2NiTeO6、PbSc0.5Ti0.25Te0.25O3、Pb2Sn1.5Te0.5O6.5、Pb2(Sn1.5Te5)O6.5、Pb2SrTeO6、Pb2ZnTeO6、Pb3Zn3TeAs2O14、Pb2(Zr1.5Te0.5)O6.5、PbTe5O11、Pb3(Te2O6)C12、Pb2ZnTeO6中的至少一种。
在一个实施案例中，本发明所述金属粉为非银包覆的金属粉，包括银、金、铂、铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、锰、钯、铑中的至少一种金属或所述金属的合金。在另外一个实施案例中，本发明所述金属粉为银包覆的铜、铁、镍、铝、锌、钛、钴、铬、锰中的任一种或者其两种以上的混合体，其中，所述银包覆层的厚度为2～2000nm。所述银包覆的金属粉的尺寸为0.1～5.0μm。在另外一个实施案例中，本发明所述金属粉为非银包覆的金属粉和银包覆的金属粉的混合体，其非银包覆的金属粉与银包覆的金属粉的重量比例为95/5～5/95。
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合示范性实施案例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅是用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
晶硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法。
该晶硅太阳能电池正面电极导电浆料按照总重量为100份计算，其包括3份腐蚀刻蚀剂、87份金属粉、10份有机载体。
其中，腐蚀刻蚀剂为Li2TeO3和Bi6B10O24晶体化合物的混合体;金属粉为银粉。
有机载体按照总重量为100份计算，其包括松油醇有机溶剂为70份、乙基纤维素聚合物14份、润湿分散剂10份、触变剂5.5份、微晶蜡0.5份。
腐蚀刻蚀剂的制备过程为：首先将12g TeO2和8g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，依次加入0.625g B2O3、1.25g Bi2O3和1.25g Li2CO3氧化物粉体，再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉， 升温至900℃，在900℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却，形成块体,将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体为0.1～7μm范围内，得到其晶体化合物。金属粉是银粉，其颗粒尺寸D50为1～3μm.将以上所述的腐蚀刻蚀剂、金属粉、和有机载体按照上述配方称取后，将腐蚀刻蚀剂、与有机载体混合均匀，再加入金属粉混合均匀，最后通过三辊研磨机研磨至粒径小于5μm，得到晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
实施例2
晶硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法。
该晶硅太阳能电池正面电极导电浆料按照总重量为100份计算，其包括2.6份的腐蚀刻蚀剂、86份的金属粉、11.4份的有机载体。
其中，腐蚀刻蚀剂为Bi4TeO8、Bi2TeO5、PbTeO3晶体化合物的混合物，金属粉为银包镍粉。
有机载体按照总重量为100份计算，其包括十二醇酯有机溶剂为50份、聚甲基丙烯酸酯聚合物40份、润湿分散剂5份、触变剂4份、DBP1份。
腐蚀刻蚀剂的制备过程为：将4.9g TeO2和7.56g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入1.25g Bi2O3再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉，升温至900℃，在900℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却，形成块体,将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体D50为0.1-7μm范围内，得到其晶体化合物；金属粉是使用化学镀的方法，在镍粉上镀大约200nm的银，镍粉的颗粒尺寸为0.5～3μm。将以上所述的腐蚀刻蚀剂、金属粉、和有机载体按照上述配方称取后，将金属粉与有机载体混合均匀，再加入腐蚀刻蚀剂混合均匀，最后通过三辊研磨机研磨至粒径小于5μm，得到晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
实施例3
晶硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法。
该晶硅太阳能电池正面电极导电浆料按照总重量为100份计算，其包括4份的腐蚀刻蚀剂、85份的金属粉、11份的有机载体。
其中，腐蚀刻蚀剂为Bi24B2O39、Pb5B2O5、Pb5TeO7和Li6TeO6晶体化合物的混合物，金属粉为银包铜。
有机载体按照总重量为100份计算，其包括松油醇有机溶剂为65份、醇酸树脂聚合物20份、润湿分散剂0.1份、触变剂12.5份、PVB2.4份。
腐蚀刻蚀剂的制备过程是：将4.9g TeO2和7.56g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，依次加入0.05g B2O3、1.44g Bi2O3和1.25g Li2CO3,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉，升温至1100℃，在1100℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却，形成块体,将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体在0.1～7μm范围内，得到其晶体化合物；金属粉是在银包铜粉，使用化学镀的方法，在铜粉上镀大约200nm的银，铜粉的颗粒尺寸为0.5～3μm。将以上所述的腐蚀刻蚀剂、金属粉、和有机载体按照上述配方称取后，将金属粉与腐蚀刻蚀剂混合均匀，再加入有机载体混合均匀，最后通过三辊研磨机研磨至粒径小于5μm，得到晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
实施例4
晶硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法。
该晶硅太阳能电池正面电极导电浆料按照总重量为100份计算，其包括3份的腐蚀刻蚀剂、88份的金属粉、9份的有机载体。
其中，腐蚀刻蚀剂为PbTeO3、Li2TeO3和Al2O3晶体化合物混合物，金属粉为钛粉；玻璃粉为B-Zn-Ba-O体系玻璃粉。
有机载体按照总重量为100份计算，其包括丁卡有机溶剂为60份、乙基纤维素聚合物15份、润湿分散剂5份、触变剂15份、PVB5份。
腐蚀刻蚀剂的制备过程是：将14g TeO2和8.75g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，依次加入0.75g Al2O3和1.5g Li2CO3,再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉，升温至100℃，在1000℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却，形成块体,将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体在0.1～7μm范围内，得到其晶体化合物；金属粉为钛粉，其颗粒颗粒尺寸为0.5～10μm。将以上所述的腐蚀刻蚀剂、金属粉、和有机载体按照上述配方称取后，将金属粉腐蚀刻蚀剂加入有机载体中混合均匀，再通过三辊研磨机研磨至粒径小于5μm，得到晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
实施例5
晶硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法。
该晶硅太阳能电池正面电极导电浆料按照总重量为100份计算，其包括2.5份的腐蚀刻蚀剂、90.5份的金属粉、7份的有机载体。
其中，腐蚀刻蚀剂为PbTeO3和Pb11Si3O17化合物，金属粉为银粉。
有机载体按照总重量为100份计算，其包括十二醇酯有机溶剂为95份、乙基纤维素聚合物1份、润湿分散剂3份、触变剂1份。腐蚀刻蚀剂的制备过程是：将3.5g TeO2和6.6g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入0.45g SiO2再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉，升温至900℃，在900℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却，形成块体,将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体在0.1～7μm范围内，得到其晶体化合物；将以上所述的腐蚀刻蚀剂、金属粉、和有机载体按照上述配方称取后，将金属粉、腐蚀刻蚀剂加入有机载体中混合均匀，再通过三辊研磨机研磨至粒径小于5μm，得到晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
实施例6
晶硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法。
该晶硅太阳能电池正面电极导电浆料按照总重量为100份计算，其包括2份的腐蚀刻蚀剂、88份的金属粉、10份的有机载体。
其中，腐蚀刻蚀剂为Bi4TeO8和PbTeO3化合物，金属粉为银粉。
有机载体按照总重量为100份计算，其包括十二醇酯有机溶剂为70份、乙基纤维素聚合物15份、润湿分散剂2份、触变剂10份、PVB3份。
腐蚀刻蚀剂的制备过程是：将4.9g TeO2和7.56g Pb3O4氧化物粉体混合，然后，加入1.44g Bi2O3再进一步均匀混合，然后置于坩埚中,放入加热炉，升温至900℃，在900℃下的空气气氛中，在熔融状态下使其进行反应60min，然后将熔融的混合物从炉子中取出，置于大气环境下自然冷却，形成块体,将得到的块体进行粉碎得到小颗粒，将小颗粒再通过球磨形成粉体，球磨的粉体在0.1～7μm范围内，得到其晶体化合物。将以上所述的腐蚀刻蚀剂、金属粉、和有机载体按照上述配方称取后，将金属粉、腐蚀刻蚀剂加入有机载体中混合均匀，再通过三辊研磨机研磨至粒径小于5μm，得到晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (17)
1.一种晶硅太阳能电池正面电极导电浆料，按照总重量为100份计算，包括如下配方比例的组分：
腐蚀刻蚀剂0.5～10份，其中，所述腐蚀刻蚀剂为铅、碲和/或添加元素的氧化物形成的晶体化合物，熔点温度为250℃～760℃；
金属粉70～93份；
有机载体5～25份。
2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料，其特征在于，所述腐蚀刻蚀剂含有的添加元素为锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、溴、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料，其特征在于，所述晶体化合物为PbTe4O9、PbTeO3、PbTeO4、PbTe3O7、PbTe5O11、Pb2TeO4、Pb2Te3O7、Pb2Te3O8、Pb3TeO5、Pb3TeO6、Pb4Te1.5O7、Pb5TeO7、Pb5TeO7、PbTe2O5、Li2TeO3、Bi6B10O24、Na2B8O13、Bi4TeO8、Pb6Bi4O18、PbBi6Te10、Bi2TeO5、PbBi6TeO12、BiTe0.5Pb0.5SrNb2O9、Pb0.25SrBi1.5Te0.25Nb2O9、Pb3Te2Br2O6、Pb3TeBr2O4、Pb2CaTeO6、Pb2TeCoO6、PbTe2CuO6、PbTeCu3O7、Pb3Te2Fe2O12、Pb(Te0.33Fe0.67)O3、Pb2(Hf1.5Te0.5)O6.5、Pb2Te(Li0.5Al0.5)O6、Pb2Te(Li0.5Bi0.5)O6、Pb2TeLi0.5Fe0.5O6、PbTeLiFeO6、Pb2Te(Li0.5La0.5)O6、Pb2(Ti1.5Te0.5)O6.5、Pb2(Ti1.5Te0.5)O6.5、Pb2(Li0.5Sc0.5)TeO6、Pb2Li0.5Y0.5TeO6、Li0.5Pb2Yb0.5TeO6、Pb2MgTeO6、Pb11Si3O17、Ba(Fe0.5Mg0.5)PbTa0.5Te0.5O6、PbBaMgTeO6、Pb0.5BaNbTe2O9、BaTeO5、BaTe4O9、Pb2MgTeO6、Pb2Mg0.5Fe0.5(Ta0.5Te0.5)O6、Pb2MgSrTeO6、Pb2Mg(W0.9Te0.1)O6、Pb2Mg(W0.7Te0.3)O6、Pb2Mg(W0.5Te0.5)O6、Pb2Mg(W0.4Te0.6)O6、Pb2Mg(W0.4Te0.6)O6、PbMnTeO6、Pb(Mn0.5Te0.5)O3、Pb2MnTeO6、PbMn2Ni6Te3O18、Pb(Na0.4Te0.6)O3、Pb2(Na0.5Bi0.5)TeO6、Na0.5Pb2Fe0.5TeO6、Pb2(Na0.5La0.5)TeO6、Pb2Na0.5Sc0.5TeO6、Na0.5Pb2Yb0.5TeO6、Na0.5Pb2Y0.5TeO6、Pb4Te6Nb10O41、Pb3Ni4.5Te2.5O15、Pb2NiTeO6、PbSc0.5Ti0.25Te0.25O3、Pb2Sn1.5Te0.5O6.5、Pb2(Sn1.5Te5)O6.5、Pb2SrTeO6、Pb2ZnTeO6、Pb3Zn3TeAs2O14、Pb2(Zr1.5Te0.5)O6.5、PbTe5O11、Pb3(Te2O6)C12、Pb2ZnTeO6中的至少一种。
4.根据权利要求1～3所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料，其特征在于,所述腐蚀刻蚀剂为球形、类球形、片状、颗粒状、胶体状颗粒中的至少一种，尺寸为0.1～15.0μm。
5.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料，其特征在于：所述金属粉为银、金、铂、铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰、钯、铑中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料，其特征在于：所述金属粉为银包覆的铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰中的至少一种，其中，银包覆层的厚度为10～2000nm。
7.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料，其特征在于：所述金属粉为非银包覆的金属粉和银包覆的金属粉的混合物，所述非银包覆的金属粉与银包覆的金属粉的重量比为5/95～95/5，非银包覆的金属粉为银、金、铂、铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰、钯、铑中的至少一种，银包覆的金属粉为铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰中的至少一种，所述银包覆层的厚度为10～2000nm。
8.一种晶硅太阳能电池正面电极导电浆料的制备方法，包括如下步骤：
制备所述腐蚀刻蚀剂；
制备所述有机载体；
按照权利要求1所述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料的配方称取所述腐蚀刻蚀剂、金属粉和有机载体；
将所述腐蚀刻蚀剂、金属粉和有机载体混合，研磨，得到所述晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
9.根据权利要求8所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料的制备方法，其特征在于，所述腐蚀刻蚀剂的制备方法为：将0.1～6mol/L的温度为60～90℃的碲酸溶液、亚碲酸溶液、碲酸盐溶液或亚碲酸盐溶液和/或0.1～10mol/L的醋酸铅溶液混合，使混合溶液中的碲与铅的摩尔比为0.1/10～10/0.1，然后加入锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、溴、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的盐溶液，在80℃～250℃下搅拌2～5小时，搅拌速度为1000～1500r/min；固液分离，洗涤，直至滤液PH为5～7；收集固体，干燥，粉碎，研磨，得到所述腐蚀刻蚀剂的晶体化合物。
10.根据权利要求8所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料的制备方法，其特征在于，所述腐蚀刻蚀剂的制备方法为：将铅和碲的蒸气与锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、溴、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的蒸气导入含有氧气氛围的反应室内，在1000～3000℃下反应1～4小时，自然冷却，粉碎，研磨，得到所述腐蚀刻蚀剂的晶体化合物。
11.根据权利要求8所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料的制备方法，其特征在于，所述腐蚀刻蚀剂的制备方法为：将碲的氧化物和铅的氧化物与锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、溴、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的氧化物混合，在非还原性气氛中加热到700～1200℃，熔融反应30～120分钟，自然冷却，粉碎，研磨，得到所述腐蚀刻蚀剂的晶体化合物。
12.根据权利要求8所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料的制备方法，其特征在于，所述腐蚀刻蚀剂的制备方法为：将碲的氧化物和铅的氧化物与锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、溴、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的氧化物混合，在真空气氛中加热到700～1200℃，熔融反应30～120分钟，自然冷却，粉碎，研磨，得到所述腐蚀刻蚀剂的晶体化合物。
13.根据权利要求8所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料的制备方法，其特征在于，所述腐蚀刻蚀剂的制备方法为：将碲的氧化物和铅的氧化物与锂、铋、硼、钛、锌、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、溴、钙、钴、铪、镧、钇、镱、铁、硅、钡、镁、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中至少一种添加元素的氧化物混合，在氧气气氛或者氧气和空气混合的气氛中加热到700～1200℃，熔融反应30～120分钟，自然冷却，粉碎，研磨，得到所述腐蚀刻蚀剂的晶体化合物。
14.根据权利要求8所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料的制备方法，其特征在于：所述金属粉为银、金、铂、铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰、钯、铑中的至少一种。
15.根据权利要求8所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料制备方法，其特征在于：所述金属粉为银包覆的铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰中的至少一种，其中，银包覆层的厚度为10～2000nm。
16.根据权利要求8所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料制备方法，其特征在于：所述金属粉为非银包覆的金属粉和银包覆的金属粉的混合物，所述非银包覆的金属粉与银包覆的金属粉的重量比为5/95～95/5；其中，非银包覆的金属粉为银、金、铂、铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、锰、钯、铑中的至少一种，银包覆的金属粉为铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰中的至少一种，银包覆层的厚度为10～2000nm。
17.一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法，包括如下步骤：
提供一种上部表面具有绝缘膜的晶体硅半导体元件，其中，所述绝缘膜为氮化硅、氧化钛、氧化铝、氧化硅中至少一种的叠加层；
将权利要求1～7任一所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料或8～15任一所述的晶硅太阳能电池正面电极导电浆料的制备方法获得的导电浆料印制在所述绝缘膜上；
烧结；所述烧结的步骤为：将印制在绝缘膜上的所述导电浆料在180℃～260℃下烘干，加热到700℃～950℃烧结；
冷却，得到所述晶硅太阳能电池正面电极。
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Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103943168A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-07-23 | 西安交通大学 | 一种Ag(Ti,Zr)/稀土晶体硅太阳电池复合浆料及其制备方法 |
| CN104858437A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-08-26 | 昆明理工大学 | 一种印刷导电线路用纳米银浆及其制备方法 |
| CN104966543A (zh) * | 2014-02-26 | 2015-10-07 | 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 用于导电糊组合物的含钨的玻璃粉 |
| CN108352211A (zh) * | 2015-11-13 | 2018-07-31 | 庄信万丰股份有限公司 | 导电糊和导电迹线或涂层 |
| CN108492910A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-09-04 | 山东建邦胶体材料有限公司 | 一种含有低熔点盐的晶硅太阳能电池浆料制备方法 |
| CN108519407A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-09-11 | 湖北金泉新材料有限责任公司 | 一种评估锂离子电池导电浆料分散性的方法 |
| CN109970347A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-07-05 | 齐鲁工业大学 | 一种提高锂离子电池性能的TeO2-V2O5-CuO微晶玻璃负极材料 |
| WO2019180413A1 (en) * | 2018-03-21 | 2019-09-26 | Johnson Matthey Public Limited Company | Conductive paste, method, electrode and solar cell |
| WO2019183931A1 (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 |
| CN110603605A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-12-20 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 |
| CN110612332A (zh) * | 2017-05-12 | 2019-12-24 | 庄信万丰股份有限公司 | 导电糊剂、电极和太阳能电池 |
| CN111732337A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-10-02 | 上海银浆科技有限公司 | 一种无铅玻璃组分以及含无铅玻璃组分的高焊接拉力的晶硅太阳能电池导电银浆 |
| CN113724914A (zh) * | 2021-11-01 | 2021-11-30 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种耐硫化油位传感器用银钯浆料 |
| CN114709003A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-07-05 | 上海银浆科技有限公司 | 一种含银铜合金粉的主栅浆料及其制备方法 |
| CN116230289A (zh) * | 2022-12-02 | 2023-06-06 | 广州市儒兴科技股份有限公司 | 用于太阳能电池p+面的组合物及其制备方法、太阳能电池 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102476919A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种玻璃粉及其制备方法以及一种太阳能电池用导电浆料 |
| CN102479568A (zh) * | 2010-11-30 | 2012-05-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种太阳能电池用导电浆料及其制备方法 |
| CN102610297A (zh) * | 2012-04-01 | 2012-07-25 | 昆明理工大学 | 太阳能电池正面电极用银包铜导体浆料及其制备方法 |
| US20130043441A1 (en) * | 2011-08-18 | 2013-02-21 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions containing rhodium and pb-te-o and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| CN103021511A (zh) * | 2011-09-22 | 2013-04-03 | 比亚迪股份有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池正面电极银浆及其制备方法 |
| CN103038186A (zh) * | 2010-05-04 | 2013-04-10 | E·I·内穆尔杜邦公司 | 包含铅氧化物和碲氧化物的厚膜糊料及其在半导体装置制造中的用途 |
-
2013
- 2013-10-21 CN CN201310495904.1A patent/CN103545015B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103038186A (zh) * | 2010-05-04 | 2013-04-10 | E·I·内穆尔杜邦公司 | 包含铅氧化物和碲氧化物的厚膜糊料及其在半导体装置制造中的用途 |
| CN102476919A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种玻璃粉及其制备方法以及一种太阳能电池用导电浆料 |
| CN102479568A (zh) * | 2010-11-30 | 2012-05-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种太阳能电池用导电浆料及其制备方法 |
| US20130043441A1 (en) * | 2011-08-18 | 2013-02-21 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions containing rhodium and pb-te-o and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| CN103021511A (zh) * | 2011-09-22 | 2013-04-03 | 比亚迪股份有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池正面电极银浆及其制备方法 |
| CN102610297A (zh) * | 2012-04-01 | 2012-07-25 | 昆明理工大学 | 太阳能电池正面电极用银包铜导体浆料及其制备方法 |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104966543A (zh) * | 2014-02-26 | 2015-10-07 | 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 用于导电糊组合物的含钨的玻璃粉 |
| CN103943168A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-07-23 | 西安交通大学 | 一种Ag(Ti,Zr)/稀土晶体硅太阳电池复合浆料及其制备方法 |
| CN104858437A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-08-26 | 昆明理工大学 | 一种印刷导电线路用纳米银浆及其制备方法 |
| CN108352211A (zh) * | 2015-11-13 | 2018-07-31 | 庄信万丰股份有限公司 | 导电糊和导电迹线或涂层 |
| US10868200B2 (en) | 2015-11-13 | 2020-12-15 | Johnson Matthey Public Limited Company | Conductive paste and conductive track or coating |
| CN108352211B (zh) * | 2015-11-13 | 2020-10-13 | 庄信万丰股份有限公司 | 导电糊和导电迹线或涂层 |
| CN110612332A (zh) * | 2017-05-12 | 2019-12-24 | 庄信万丰股份有限公司 | 导电糊剂、电极和太阳能电池 |
| CN108492910A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-09-04 | 山东建邦胶体材料有限公司 | 一种含有低熔点盐的晶硅太阳能电池浆料制备方法 |
| WO2019180413A1 (en) * | 2018-03-21 | 2019-09-26 | Johnson Matthey Public Limited Company | Conductive paste, method, electrode and solar cell |
| WO2019183931A1 (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 |
| CN110603605A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-12-20 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 |
| CN108519407A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-09-11 | 湖北金泉新材料有限责任公司 | 一种评估锂离子电池导电浆料分散性的方法 |
| CN109970347A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-07-05 | 齐鲁工业大学 | 一种提高锂离子电池性能的TeO2-V2O5-CuO微晶玻璃负极材料 |
| CN111732337A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-10-02 | 上海银浆科技有限公司 | 一种无铅玻璃组分以及含无铅玻璃组分的高焊接拉力的晶硅太阳能电池导电银浆 |
| CN113724914A (zh) * | 2021-11-01 | 2021-11-30 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种耐硫化油位传感器用银钯浆料 |
| CN113724914B (zh) * | 2021-11-01 | 2022-02-25 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种耐硫化油位传感器用银钯浆料 |
| CN114709003A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-07-05 | 上海银浆科技有限公司 | 一种含银铜合金粉的主栅浆料及其制备方法 |
| CN116230289A (zh) * | 2022-12-02 | 2023-06-06 | 广州市儒兴科技股份有限公司 | 用于太阳能电池p+面的组合物及其制备方法、太阳能电池 |
| CN116230289B (zh) * | 2022-12-02 | 2024-04-16 | 广州市儒兴科技股份有限公司 | 用于太阳能电池p+面的组合物及其制备方法、太阳能电池 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHENZHEN SHOUCHENG NEW MATERIAL TECHNOLOGY CO., LT Free format text: FORMER OWNER: SOLTRIUM TECHNOLOGY LTD. SHENZHEN Effective date: 20141203 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20141203 Address after: 518000 Guangdong, Longhua, New District, Longhua street, Xiang Xiang, No. 1, science and Technology Park on the ground floor, block C, building 9, building 5 Applicant after: Shou Cheng new material Science and Technology Ltd. of Shenzhen Address before: 518000 Guangdong city of Shenzhen province Futian District 105 Meihua road from industrial park 13 1 floor Applicant before: Shenzhen Soltrium Photovoltaic Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Positive electrode electrocondution slurry of crystalline silicon solar cell and preparation method therefor Effective date of registration: 20180710 Granted publication date: 20160824 Pledgee: Shenzhen SME financing Company limited by guarantee Pledgor: Shou Cheng new material Science and Technology Ltd. of Shenzhen Registration number: 2018990000546 |
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| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20200610 Granted publication date: 20160824 Pledgee: Shenzhen SME financing Company limited by guarantee Pledgor: Soltrium Technology, Ltd. Registration number: 2018990000546 |
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| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Crystalline silicon solar cell front electrode electrocondution slurry and preparation method thereof Effective date of registration: 20200610 Granted publication date: 20160824 Pledgee: Shenzhen SME financing Company limited by guarantee Pledgor: Soltrium Technology, Ltd. Registration number: Y2020990000599 |
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| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |