CN103536300A

CN103536300A - 放射线照相成像设备和系统及放射线检测敏感度控制方法

Info

Publication number: CN103536300A
Application number: CN201310298188.8A
Authority: CN
Inventors: 小田泰史
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2012-07-17
Filing date: 2013-07-16
Publication date: 2014-01-29
Anticipated expiration: 2033-07-16
Also published as: JP5832966B2; JP2014020880A; US9335422B2; CN103536300B; US20140021365A1

Abstract

本发明提供了放射线照相成像设备和系统及放射线检测敏感度控制方法。一种放射线照相成像设备包括：检测装置，其检测在使放射线照相图像成像时照射的放射线的照射开始；导出装置，其基于输入数据，导出在特定时间段内将照射的放射线的照射量；控制装置，由导出装置导出的放射线照射量越大，其使到检测装置的电力供应量越小，并且使在检测装置中对放射线照射开始的检测敏感度越低；以及成像装置，其在已经由检测装置检测到放射线照射开始之后，使放射线照相图像成像。

Description

放射线照相成像设备和系统及放射线检测敏感度控制方法

技术领域

本发明涉及一种捕捉表达穿过被摄体的放射线的放射线照相图像的放射线照相成像设备、放射线照相成像系统以及控制对放射线照射开始的检测敏感度的方法。

背景技术

近来，实现了诸如平板检测器（FPD）的放射线检测器，其中，放射线敏感层被设置在薄膜晶体管（TFT）有源矩阵基板上，并且以此放射线可以被直接转换为数字数据。还实现了采用这样的放射线检测器捕捉表达被照射的放射线的放射线照相图像的放射线照相成像设备。由这样的放射线检测器使用的用于将放射线转换为电信号的转换方法例如包括：间接转换方法，其中，首先通过闪烁体将放射线转换为光，并且然后通过光电二极管将转换后的光转换为电荷；或者直接转换方法，其中，通过包含例如非晶硒的半导体层，将放射线转换为电荷。存在可以用于半导体层的多种材料用于各种方法。

在配备有FPD的放射线照相成像设备中，必须在FPD和放射线源之间执行同步控制，以便使FPD累积信号电荷的累积操作的开始与来自放射线源的放射线的照射的照射定时匹配。为了使用于开始放射线照射的定时和用于开始通过FPD的信号电荷的累积操作的定时同步，诸如控制台的、控制放射线照相成像设备的控制器接收由连接至放射线源的照射开关生成的照射开始信号，并且将该信号作为同步信号提供给放射线照相成像设备。放射线照相成像设备当接收到该同步信号时转移到累积操作并且开始成像。

然而，在构成包括放射线照相成像设备和放射线源的成像系统的情况下，有时在放射线照相成像设备或其控制台中作为标准（例如，电缆或连接器标准、同步信号格式）安装的同步控制接口与放射线源的接口不兼容。由于这样的问题，开发了放射线照相成像设备，其包括自动放射线检测功能，放射线照射开始由放射线照相成像设备本身自动地检测，而不使用同步信号。

例如，日本专利申请特开（JP-A）No.2011-185622公开了一种放射线照相成像设备，其设置有：多个放射线检测元件，在由多条扫描线和多条信号线划分的区域中的每个区域中以2D形式排列；电流检测装置，检测在用于将偏置电压施加给放射线检测元件的偏置线中流动的电流；控制装置，基于由电流检测装置检测的电流值来检测放射线照射开始；以及存储器，其在每个放射线探测元件的复位处理期间，预存储由电流检测装置检测的电流的改变曲线（change profile）。控制装置基于值△V检测放射线照射开始，值△V为在每个放射线检测元件的复位处理期间由电流检测装置检测的电流的值减去与改变曲线对应的电流值的值。

在具有诸如上述那些的自动放射线检测功能的放射线照相成像设备中，由于FPD不能被预先告知放射线照射的定时，在照射待机状态下，电力一直处于接通状态，并且维持醒觉状态，直到放射线照射为止。从而，与将成像同步至放射线源的技术相比，显著增加了电力消耗。特别是，便携式放射线照相成像设备（电子暗盒）通常由可再充电电池组驱动，其要求抑制电力消耗并且对于每次再充电延长操作时间。然而，在放射线照相成像设备中，例如，照射到FPD上的放射线的剂量例如根据诸如管电流和管电压的曝光条件、以及诸如被摄体的身体厚度的因素而不同。与对于较小身体厚度相比，照射到FPD上的放射线照射量对于较大身体厚度的被摄体变小，并且因此需要设置较高的对放射线的检测敏感度。然而，如果一直将放射线检测敏感度设置为高，则除了在照射待机状态下的大电力消耗之外，还存在可能发生由于诸如噪声或振动的影响而导致的放射线照射开始的错误检测的问题。

发明内容

考虑以上情况做出本发明，并且其目标在于提供一种能够防止放射线照射开始的错误检测，同时仍然抑制照射待机状态下的电力消耗的放射线照相成像设备和放射线照相成像系统，并且提供放射线照射开始检测敏感度控制方法。

本发明的第一方面提供一种放射线照相成像设备。放射线照相成像设备包括：检测装置，其检测在放射线照相图像的成像期间照射的放射线的照射开始；导出装置，其基于输入数据，导出将在特定时间段内照射的放射线的照射量；控制装置，随着由导出装置导出的放射线照射量的增加，其使到检测装置的电力供应量变小并且使得在检测装置中对照射开始的检测敏感度变低；以及成像装置，其在已经由检测装置检测到放射线照射开始之后，执行放射线照相图像的成像。

本发明的第二方面提供第一方面的放射线照相成像设备，其中，控制装置与在检测装置中对照射开始的检测敏感度独立地，控制在成像装置中在放射线照相图像的成像期间对放射线的检测敏感度。

本发明的第三方面提供第一方面或第二方面的放射线照相成像设备，其中，检测装置包括：传感器部，其生成基于放射线的照射量的量的电荷，并且根据所施加的偏置电压改变敏感度；以及偏置电压发生器，其生成待施加至传感器部的偏置电压；并且当由导出装置导出的放射线照射量变大时，控制装置使得偏置电压减小并且使到检测装置的电力供应量减小。

本发明的第四方面提供第一方面或第二方面的放射线照相成像设备，其中，检测装置包括：多个传感器部，各个传感器部都根据放射线的照射量生成电荷；并且当由导出装置导出的放射线照射量增加时，控制装置使得在多个传感器部中的有效的传感器部的数量减小，并且使到检测装置的电力供应量减小。

本发明的第五方面提供第一方面或第二方面的放射线照相成像设备，其中，检测装置包括：多个传感器部，各个传感器部根据放射线的照射量生成电荷；以及信号处理部，其根据在多个传感器部中生成的电荷量生成电信号；并且当由导出装置导出的放射线照射量增加时，控制装置使到信号处理部的电力供应量减小。

本发明的第六方面提供第四方面的放射线照相成像设备，其中，信号处理部包括：多个运算放大电路，其分别被提供为对应于多个传感器部中的相应一个；并且当由导出装置导出的放射线照射量增加时，控制装置使得运算放大电路的驱动数量减小。

本发明的第七方面提供第五方面的放射线照相成像设备，其中，信号处理部包括：多个运算放大电路，其分别被提供为对应于多个传感器部中的相应一个；并且由导出装置导出的放射线照射量越大，控制装置使得运算放大电路的驱动数量越小。

本发明的第八方面提供第一方面或第二方面的放射线照相成像设备，其中，控制装置包括：存储单元，其存储有用于检测装置的多个检测敏感度设置，并且根据由导出装置导出的放射线照射量，选择存储在存储单元中的多个检测敏感度设置中的一个。

本发明的第九方面提供第一方面或第二方面的放射线照相成像设备，其中，导出装置导出从放射线源发射并且在穿过作为放射线照相图像的成像目标的被摄体时衰减的放射线在特定时间段内将照射到照射面上的照射量。

本发明的第十方面提供第一方面或第二方面的放射线照相成像设备，其中，导出装置使用关于作为放射线照相图像的成像目标的被摄体的被摄体数据或放射线源的曝光条件中的至少一种作为输入数据，导出放射线的照射量。

本发明的第十一方面提供第十方面的放射线照相成像设备，其中，被摄体数据包括被摄体的成像目标部位；并且曝光条件包括管电压或管电流中的至少一个。

本发明的第十二方面提供第十方面的放射线照相成像设备，进一步包括：接收装置，其接收被摄体数据或曝光条件的至少一个输入。

本发明的第十三方面提供第二方面的放射线照相成像设备，其中，检测装置包括；用于照射开始检测的传感器部；并且放射线照相图像成像装置包括：用于执行放射线照相图像成像并且其与用于照射开始检测的传感器部分开的传感器部。

本发明的第十四方面提供一种放射线照相成像设备。该放射线照相成像设备包括：检测装置，其检测在放射线照相图像成像期间照射的放射线的照射开始，并且根据被提供的电力的大小改变对放射线的检测敏感度；导出装置，其基于输入数据，导出将在特定时间段内照射的放射线的照射量；通知装置，其通知由导出装置导出的放射线照射量；接收装置，其接收检测装置的对放射线的检测敏感度的设置输入；控制装置，其将由接收装置接收的检测敏感度设置为检测装置的对放射线的检测敏感度；以及成像装置，其在已经由检测装置检测到放射线照射开始之后，执行放射线照相图像成像。

本发明的第十五方面提供一种放射线照相成像系统。该放射线照相成像系统包括：放射线照相成像设备，其包括：检测装置，其检测在放射线照相图像成像期间照射的放射线的照射开始，并且根据被提供的电力的大小改变对放射线的照射敏感度；接收装置，其接收检测装置的对放射线的检测敏感度的设置输入；控制装置，其将由接收装置接收的检测敏感度设置为检测装置的对放射线的检测敏感度；以及成像装置，其在已经由检测装置检测到照射开始之后，执行放射线照相图像成像；以及控制设备，包括：第一导出装置，其基于输入数据，导出在特定时间段内将照射到放射线照相成像设备上的放射线的照射量；第二导出装置，其导出用于在检测装置中对照射开始的检测敏感度的设置，使得由第一导出装置导出的放射线照射量越大，到检测装置的电力供应量越小；以及供应装置，其为接收装置提供由第二导出装置导出的检测敏感度设置。

本发明的第十六方面提供一种放射线照相成像系统。该放射线照相成像系统包括：放射线照相成像设备，其包括：检测装置，其检测在放射线照相图像成像期间照射的放射线的照射开始，并且根据被提供的电力的大小改变对放射线的检测敏感度；接收装置，其接收检测装置的对放射线的检测敏感度的设置输入；控制装置，其将由接收装置接收的检测敏感度设置为检测装置的对放射线的检测敏感度；以及成像装置，其在已经由检测装置检测到放射线照射开始之后，执行放射线照相图像成像；以及控制设备，其包括：导出装置，其基于输入数据，导出在特定时间段内将照射到放射线照相成像设备的放射线的照射量；通知装置，其通知由导出装置导出的放射线照射量；以及供应装置，其为接收装置提供输入的检测装置的对放射线的检测敏感度的设置。

本发明的第十七方面提供一种放射线照射开始检测敏感度控制方法。放射线照射开始检测敏感度控制方法包括：基于输入数据，导出在放射线照相图像成像时在特定时间段内将照射的放射线的照射量；并且，所导出的放射线照射量越大，使到检测放射线的照射开始的检测装置的电力供应量更小，并且降低在检测装置中对放射线照射开始的检测敏感度。

本发明使得能够提供放射线照相成像设备和放射线照射开始检测敏感度控制方法，其使得能够防止放射线照射开始的错误检测，同时抑制在照射待机状态下的电力消耗。

附图说明

将基于以下附图详细地描述本发明的示例性实施例，其中：

图1是示出根据本发明的示例性实施例的放射学信息系统的构成的框图；

图2是示出在放放射线照相成像室中的根据本发明的示例性实施例的放射线照相成像系统的各个设备的安装状态的实例的侧视图；

图3是示出根据本发明的示例性实施例的放射线检测器的示意性构成的横截面；

图4是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的放射线检测器的信号输出部的构成的横截面；

图5是示出根据本发明的示例性实施例的TFT基板的构成的示图；

图6是示出根据本发明的示例性实施例的放射线检测像素的设置的平面图；

图7是示出根据本发明的示例性实施例的电子暗盒的构成的透视图；

图8是示出根据本发明的示例性实施例的电子暗盒的构成的横截面；

图9是示出根据本发明的示例性实施例的放射线照相成像系统的电气系统的相关部分的构成的框图；

图10是示出根据本发明的示例性实施例的第一参考表的图表；

图11是示出根据本发明的示例性实施例的第二参考表的图表；

图12是示出根据本发明的示例性实施例的在放射线照相成像处理程序中的处理的流程的流程图；

图13是示出根据本发明的示例性实施例的初始信息输入屏幕的实例的示意图；

图14是示出根据本发明的示例性实施例的暗盒成像处理程序的处理流程的流程图；

图15是示出根据本发明的示例性实施例的在放射线照相成像处理程序中的处理的流程的流程图；

图16是解释放射线照相成像的照射侧采样方法和穿透侧采样方法的侧横截面；

图17是示出根据本发明的示例性实施例的电子暗盒的另一种构成的示图；

图18是示出根据本发明的示例性实施例的信号处理器的构成的示图；

图19是示出根据本发明的示例性实施例的第三参考表的图表；

图20是示出根据本发明的另一个示例性实施例的检测敏感度设置处理程序中的处理的流程的流程图；

图21是示出根据本发明的另一个示例性实施例的电子暗盒的构成的透视图；

图22是示出根据本发明的另一个示例性实施例的电子暗盒的电气系统的相关构成的框图；

图23是示出根据本发明的另一个示例性实施例的检测敏感度设置处理程序中的处理的流程的流程图；

图24是示出根据本发明的另一个示例性实施例的放射线照相成像处理程序中的处理的流程的流程图；

图25是示出根据本发明的另一个示例性实施例的放射线照相成像处理程序中的处理的流程的流程图；以及

图26A和图26B是示出根据本发明的其他示例性实施例的放射线检测像素的布置的平面图。

具体实施方式

第一示例性实施例

参考附图，以下是关于本发明的示例性实施例的详细说明。注意，在以下说明中，使用将本发明应用至放射学信息系统的情况的实例，其中，放射学信息系统是执行在医院放射科中使用的数据的综合管理的系统。而且，在各个图中，为基本相同或等价构成元件或部分添加相同附图标记。

图1示出根据本发明的示例性实施例的放射学信息系统（以下称为“RIS”）的构成。

RIS 100是用于管理诸如放射科的医疗预订和诊断记录的信息的系统，并且构成医院信息系统（以下称为“HIS”）的一部分。

RIS 100包括多个成像请求终端设备140（以下称为“终端设备”）、RIS服务器150、以及放射线照相成像系统（以下称为“成像系统”）104。成像系统安装在医院的各个放射线照相成像室（或手术室）中。RIS 100由终端设备140、RIS服务器150构成。成像系统104分别连接至由例如有线或无线局域网（LAN）构成的医院内网络102。RIS 100构成被设置在同一医院中的HIS的一部分，并且总体管理HIS的HIS服务器也连接至医院内网络102。

终端设备140用于医生或放射线技师输入和浏览诊断信息和设施预约，并且做出放射线照相成像请求和成像预约。每个终端设备140都包括具有显示设备的个人计算机，并且连接终端设备140以能够通过RIS服务器150和医院内网络102相互通信的方式彼此连接。

RIS服务器150从各个终端设备140接收成像请求，并且在成像系统104中管理放射线照相成像日程表。RIS服务器150被构成为包括数据库150A。

数据库150A被构成为包括：关于患者（被摄体）的数据，诸如患者属性信息（例如，名字、性别、出生日、年龄、血型、体重、患者身份（ID））、病历、诊断历史、以及先前捕捉的放射线照相图像；关于随后描述的在成像系统104中使用的电子暗盒40的数据，诸如，识别编号（ID数据）、型号、大小、敏感度、第一次使用的日期、以及使用的次数；以及环境数据，其表示使用电子暗盒40捕捉放射线照相图像的环境，即，使用电子暗盒40的环境（例如，放射线照相成像室、手术室）。

医生或放射线技师操作成像系统104，以响应于来自RIS服务器150的指令执行放射线照相成像。每个成像系统104都配备有放射线发生器120，该放射线发生器120根据曝光条件，利用来自放射线源121的诸如X射线的放射线X（还参见图7）的量来照射患者（被摄体）。每个成像系统104还设置有电子暗盒40，每个电子暗盒都具有内置放射线检测器20（还参见图7），该内置放射线检测器20吸收穿过患者（被摄体）的成像目标部位的放射线X并生成电荷，并且基于所生成的电荷量生成表达放射线照相图像的图像数据。成像系统104还设置有被置入电子暗盒40中并且给电池组充电的支架（cradle）130、以及控制电子暗盒40和放射线发生器120的控制台110。

控制台110从RIS服务器150获取包括在数据库150A中的多种类型的数据，将数据存储在随后描述的HDD116中（参见图9），并且按需使用数据来控制电子暗盒40和放射线发生器120。

图2示出在放射线照相成像室180中构成本发明的示例性实施例的成像系统104的各个设备的安装状态的实例。

如图2中所示，当在站立位置执行放射线照相成像时采用的直立架台160、以及当在俯卧位置执行放射线照相成像时采用的俯卧台164安装在放射线照相成像室180中。当在站立位置执行放射线照相成像时，直立架台160前面的空间用作患者（成像被摄体）成像位置170。当在俯卧位置执行放射线照相成像时，俯卧台164之上的空间用作患者（成像被摄体）成像位置172。

向直立架台160提供保持电子暗盒40的保持器162。当在站立位置中捕捉放射线照相图像时，通过保持器162保持电子暗盒40。类似地，向俯卧台164提供保持电子暗盒40的保持器166。当在俯卧位置中捕捉放射线照相图像时，通过保持器166保持电子暗盒40。

而且，在放射线照相成像室180中设置支撑和移动机构124。支撑和移动机构124以放射线源121关于水平轴（图2中的箭头a的方向）可旋转，在垂直方向上可移动（图2中的箭头b的方向），以及在水平方向上可移动（在图2中的箭头c的方向）的方式支撑放射线源121。从而，可以采用单个放射线源121来执行站立位置和俯卧位置的放射线照相成像。

支架130包括能够容纳电子暗盒40的容纳部130A。当不使用时，电子暗盒40被容纳在支架130的容纳部130A中，并且电子暗盒40在支架130的容纳部130A中处于容纳状态的情况下，电子暗盒40的内置电池被充电。

在成像系统104中，通过在放射线发生器120和控制台110之间以及电子暗盒40和控制台110之间的无线通信发送和接收多种类型的数据。

电子暗盒40不限于仅在由站立架台160的保持器162或俯卧台164的架台166保持的状态下使用。由于其便携性，还可以在不由保持器保持的状态下，例如，当对手臂或腿区域成像时采用电子暗盒40。

以下是关于置入到电子暗盒40中的放射线检测器20的构成的解释。图3是示意性地示出包括本发明的示例性实施例的放射线检测器20的三个像素的部的构成的截面图。

如图3中所示，通过在基板1上顺序地形成信号输出部14、传感器部13以及透明绝缘膜7来形成TFT基板30，并且使用例如具有低光吸收特性的粘合用树脂将闪烁体8粘着到TFT基板30上，来构成放射线检测器20。通过各个信号输出部14和各个传感器部13来构成像素。

在传感器部13上形成闪烁体8，而其间插入透明绝缘膜7。闪烁体8包括将入射的放射线转换为光并且发光的磷光体。即，闪烁体8吸收穿过患者（成像被摄体）的放射线并且发光。

由闪烁体8发射的光的波长区域优选在可见光范围（360nm至830nm的波长）内。由闪烁体8发射的光的波长区域更优选地包括绿色波长区域，以使得能够通过放射线检测器20进行单色成像。

在成像采用X射线用于放射线的情况下，包括碘化铯（CsI）的磷光体优选被用作闪烁体8中的磷光体。当应用X射线时特别优选采用具有420nm至700nm的光发射谱的CsI（Tl）（掺铊的碘化铯）。CsI（Tl）的可见光范围内的发射峰值波长是565nm。

各个传感器部13被构成为包括上部电极6、下部电极2、以及设置在上部电极6和下部电极2之间的光电转换层4。光电转换层4通过吸收由闪烁体8发出的光并且生成电荷的有机光电转换材料构成。

由于必须允许由闪烁体8产生的光入射到光电转换层4，上部电极6优选由至少关于闪烁体8的光发射波长是透明的导电材料构成。特别是，优选采用透明导电氧化物（TCO），其关于可见光具有高透射率并且具有小电阻值。Au等的金属薄膜也可以用作上部电极6，然而由于当试图获得90%以上的透射率时，电阻值很容易增加，所以TCO是更优选的。例如，可以优选地使用ITO、IZO、AZO、FTO、SnO₂、TiO₂、以及ZnO₂，从处理的简易性、低电阻、以及透明度看，ITO是最优选的。上部电极6可以由所有像素共有的单个板构成或者可以被依照像素划分。

光电转换层4包括有机光电转换材料，吸收从闪烁体8发射的光，并且生成与被吸收光的量对应的电荷。包括有机光电转换材料的光电转换层4具有在可见范围内的尖锐吸收谱，并且事实上，除了由闪烁体8发射的光之外，没有电磁波由光电转换层4吸收。从而，可以有效地抑制由于通过光电转换层4吸收诸如X射线的放射线而生成的噪声。

为了使有机光电转换材料最有效地吸收由闪烁体8发射的光，构成光电转换层4的有机光电转换材料的吸收峰值波长优选尽可能地接近闪烁体8的发射峰值波长。理想地，有机光电转换材料的吸收峰值波长与闪烁体8的发射峰值波长匹配。然而，只要两者之间的差较小，有机光电转换材料就可以充分地吸收从闪烁体8发射的光。特别是，有机光电转换材料的吸收峰值波长和闪烁体8关于放射线的的发射峰值波长之间的差优选在10nm或以下。该差甚至更优选在5nm或以下。

可以满足该条件的有机光电转换材料的实例包括喹吖啶酮（quinacridone）有机化合物和酞菁（phthalocyanine）有机化合物。例如，喹吖啶酮的可见范围内的吸收峰值波长是560nm。从而，如果喹吖啶酮被用作有机光电转换材料并且CsI（T1）被用作用于闪烁体8的材料，则可以使得峰值波长之间的差在5nm或以下，并且在光电转换层4中生成的电荷量可以基本被最大化。

信号输出部14形成在下部电极2下面的基板1的表面上。图4示意性地示出信号输出部14之一的构成。

如图4中所示，每个信号输出部14都包括电容器9和场效应薄膜晶体管（TFT：以下还简单地称为“薄膜晶体管”）10。电容器9累积移动至下部电极2的电荷。薄膜晶体管10将在电容器9中累积的电荷读出到随后描述（参见图5）的信号线36。电容器9和薄膜晶体管10被设置成在平面图中与下部电极2重叠。即，信号输出部14和传感器部13在每个像素的厚度方向上重叠。为了减小放射线检测器20（像素）的表面积，期望其中电容器9和薄膜晶体管10被形成为由下部电极2完全覆盖的区域。

电容器9通过导电材料的布线电连接至相应下部电极2，该导电材料的布线被形成为穿过设置在基板1和下部电极2之间的绝缘膜11。从而，在下部电极2中收集的电荷移动到电容器9。

栅电极15、栅极绝缘膜16、以及有源层（沟道层）17堆叠在薄膜晶体管10中。源电极18和漏电极19在有源层17上相互以特定间隔形成。

有源层17可以例如通过诸如非晶硅、非晶氧化物、有机半导体材料或碳纳米管形成。注意，构成有源层17的材料不限于以上材料。

作为可以用于构成有源层17的非晶氧化物的实例，优选包括In、Ga以及Zn（例如，In-O非晶氧化物）中的至少一种的氧化物，更优选包括In、Ga和Zn中的至少两种的氧化物（例如，In-Zn-O非晶氧化物、In-Ga-O非晶氧化物、或Ga-Zn-O非晶氧化物），并且特别优选包括In、Ga和Zn的氧化物。作为In-Ga-Zn-O非晶氧化物，优选其晶态下的成分由InGaO₃(ZnO)_m（其中，m是小于6的自然数）表达的非晶氧化物，更优选是InGaZnO₄。

能够构成有源层17的有机半导体材料的实例包括酞菁化合物、并五苯、以及酞菁氧钒，然而不限于此。在JP-A No.2009-212389中更详细地描述酞菁化合物的构成，所以在此省略其说明。

通过从非晶氧化物、有机半导体材料或碳纳米管形成薄膜晶体管10的有源层17，有源层17不吸收诸如X射线的放射线，或者如果吸收放射线，则限于非常少的量，所以可以有效地抑制在信号输出部14中生成噪声。

而且，在利用碳纳米管形成有源层17的情况下，薄膜晶体管10的开关速度可以提高，并且薄膜晶体管可以被形成为具有在可见光范围内的光的低吸收度。在利用碳纳米管形成有源层17的情况下，即使很少量金属杂质被混合到有源层17中，薄膜晶体管10的性能也显著下降，所以必须使用离心分离等来分离、提取和形成非常高纯度的碳纳米管。

在此，构成薄膜晶体管10的有源层17的非晶氧化物、有机半导体材料、或碳纳米管以及构成光电转换层4的有机光电转换材料均能够在低温下形成为膜。从而，基板1不限于诸如半导体基板、石英基板、或玻璃基板的具有高热阻的基板、以及诸如塑料的柔性基板，还可以使用芳族聚酰胺（aramid）或生物纳米纤维（bionanofiber）。可以使用的特定柔性基板包括聚酯，诸如，聚对酞酸乙烯酯（polyethyleneterephthalate）、聚对苯钛酸酯（polybutylene phthalate）以及聚萘二甲酸乙二醇酯（polyethylene naphthalate）、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚芳脂（polyarylate）、聚酰亚胺、多环烯烃（polycyclic olefin）、降冰片烯树脂、以及聚三氟氯乙烯。采用塑料制成的柔性基板可以实现重量的减小，其从例如便携性的观点看是有利的。

而且，例如，还可以在基板1上设置用于确保绝缘的绝缘层、用于防止湿气和/或氧传输的气阻挡层、以及用于改进平坦性或者到电极的粘附的底涂层。

可以对芳族聚酰胺应用200度以上的高温处理，所以透明电极材料可以在高温下固化并且给出低电阻，并且芳族聚酰胺还与包括焊料回流处理的驱动器IC的自动封装兼容。芳族聚酰胺还具有与铟锡氧化物（ITO）或玻璃基板接近的热膨胀系数，所以它们在制造之后具有很少的翘曲并且不容易破碎。而且，与玻璃基板等相比，芳族聚酰胺还可以形成更薄的基板。还可以堆叠超薄玻璃基板和芳族聚酰胺以形成基板。

而且，生物纳米纤维是由细菌（木醋杆菌（Acetobacter xylinum））和透明树脂产生的纤维素微纤丝束（细菌纤维素）的合成物。纤维素微纤丝束具有50nm的宽度，该宽度是可见波长1/10的尺寸，并且具有高强度、高弹性、以及低热膨胀。通过在细菌纤维素中浸入诸如丙烯酸树脂或环氧树脂的透明树脂并硬化，可以获得在包括60%或70%的纤维的同时，在500nm的波长下呈现约90%的光透射率的生物纳米纤维。生物纳米纤维具有与硅晶体可比较的低热膨胀系数（3至7ppm）、与钢可比较的强度（460MPa）、高弹性（30GPa），并且是柔性的，由此与例如玻璃基板相比，使得能够将基板1形成得更薄。

图5是示出构成放射线检测器20的TFT基板30的构成的平面图。如图5中所示，每个被构成为包括传感器部13、电容器9、以及薄膜晶体管10的多个像素32以在一个方向（图5中的行方向）和与该一个方向交叉的方向（图5中的列方向）上的二维图案设置在TFT基板30上。

TFT基板30设置有在该一个方向（行方向）上延伸并且接通和断开各个薄膜晶体管10的多条栅极线34，以及在交叉方向（列方向）上延伸并且通过处于接通状态的薄膜晶体管10读取电荷的多条信号线。通过偏置线给各个传感器部13提供偏置电压。

而且，各自传感器部13连接至偏置线37。偏置线37连接至随后描述的偏置电压发生器71。通过偏置线37将偏置电压从偏置电压发生器71提供给各个传感器部13。

TFT基板30形成为平板形状，并且形成为在平面视图中在其外边缘上具有四条边的四边形形状。更具体地，TFT基板30形成矩形形状。

TFT基板30包括用于检测放射线照射存在或不存在的像素32和捕捉放射线照相图像的像素32。在以下说明中，检测放射线的像素32将被称为放射线检测像素32A，并且剩余像素32将被称为放射线照相成像像素32B。在本示例性实施例的电子暗盒40中，使用放射线检测像素32A检测放射线照射的开始。

如图5中所示，在放射线检测像素32A中，薄膜晶体管10的源极和漏极被短路。从而，在放射线检测像素32A中，累积在电容器9中的电荷流出到信号线36中，而不管薄膜晶体管10的切换状态如何。

注意，放射线检测像素32A利用均匀分布设置在TFT基板30上。而且，如图6中的实例所示，放射线检测像素32A可以在包括成像区域的中心部分的部分区域（在本示例性实施例中为以放射线检测器20的成像区域的中心部分为中心的矩形区域）20A中以相对低的密度设置，并且在外围区域以相对高的密度设置。

在TFT基板30中，不可能获得用于成像区域内设置放射线检测像素32A的位置的放射线照相图像像素数据。从而，在TFT基板30中，放射线检测像素32A被设置成分散在成像区域内，并且由控制台110执行丢失像素校正处理，以便通过采用从在放射线检测像素32A外围定位的放射线照相成像像素32B获得的像素数据，对于设置放射线检测像素32A的位置插值出放射线照相图像像素数据。

以下是关于根据本示例性实施例的电子暗盒40的构成的说明。图7是示出本发明的示例性实施例的电子暗盒40的构成的透视图。

如图7中所示，电子暗盒40配备有由允许放射线穿过的材料形成的外壳41，并且电子暗盒40被构成有防水和密封结构。存在当例如在手术室中使用电子暗盒40时，血液或其他污染物可能粘着到电子暗盒40上的问题。从而，需要时，为电子暗盒40提供防水和密封结构使得能够通过给电子暗盒40消毒而重复地使用单个电子暗盒40。

在外壳41内形成容纳多种构件的空间A。检测透过患者（成像被摄体）的放射线X的放射线检测器20、以及吸收放射线X的背散射射线的铅板43从利用放射线X照射的外壳41的照射面侧起按照该顺序设置在空间A内。

对应于放射线检测器20的放置位置的区域构成能够检测放射线的成像区域41A。外壳41具有成像区域41A的面被构成为电子暗盒40的顶板41B。在本示例性实施例的电子暗盒40中，设置放射线检测器20，使得TFT基板30在顶板41B侧上，并且在外壳41中，TFT基板30被粘着到顶板41B的内侧面（顶板41B在放射线入射到的面的相反侧的面）。

如图7中所示，将容纳随后描述的暗盒控制器58和电源单元70（均参见图9）的外壳42放置在外壳41的内部的一端侧的、不与放射线检测器20重叠的位置（成像区域41A的范围外面）处。

外壳41例如由碳纤维、铝、镁、生物纳米纤维（纤维素微纤丝）、或复合材料构成，以实现电子暗盒40的整体重量减小。

作为复合材料，例如，使用包括增强纤维树脂的材料，例如，在增强纤维树脂中混合碳或纤维素。可以使用的复合材料的特定实例包括碳纤维增强塑料（CFRP）、具有将泡沫材料夹入CFRP的结构的复合材料、或者利用CFRP涂覆泡沫材料的表面的复合材料。在本示例性实施例中，使用了具有将泡沫材料夹入CFRP的结构的复合材料。从而，与外壳41由碳元素构成的情况相比，可以增加外壳41的强度（刚性）。

图8是示出电子暗盒40的构成的横截面。如图8中所示，在面对顶板41B的背面部分41C的内面上，在外壳41内部设置支撑件44。在支撑件44和顶板41B之间沿着放射线X应用方向，按顺序排列放射线检测器20和铅板43。支撑件44支撑铅板43，并且从重量减小的观点和吸收尺寸偏差的观点看，支撑件44由例如泡沫材料构成。

如图8中所示，在顶板41B的内面处设置粘着件80，以可拆卸地粘着放射线检测器20的TFT基板30。可以采用例如双面胶带用于粘着件80。在该情况下，以一个粘着面的粘着力比另一个粘着面的粘着力强的方式形成双面胶带。

特别是，具有较弱粘着力的面（弱粘着面）被设置成具有1.0N/cm或以下的180-度剥离强度。具有较强粘着力的面（强粘着面）与顶板41B接触，并且弱粘着面与TFT基板30接触。从而，电子暗盒40的厚度可以被制成比在放射线检测器20通过例如诸如螺丝钉的固定件固定至顶板41B的情况更薄。而且，即使顶板41B在碰撞或负载下变形，放射线检测器20跟随具有高刚性的顶板41B的变形，所以仅出现大曲率半径（平缓弯曲）的变形，减小了放射线检测器20忍耐由于低曲率半径的局部变形导致的损害的可能性。而且，放射线检测器20有助于增加顶板41B的刚性。

从而，在根据本示例性实施例的电子暗盒40中，由于放射线检测器20被粘着在外壳41的顶板41B的内部，外壳41在顶板41B侧和背面部分41C侧之间可分为两部分。外壳41处于被划分为顶板41B侧和背面部分41C侧两部分的状态，以便将放射线检测器20粘着到顶板41B或者从顶板41B移除放射线检测器20。

在示例性实施例中，不必例如在净化室中执行将放射线检测器20粘着至顶板41B。这是因为即使吸收放射线的异物（诸如，金属碎片）被结合在放射线检测器20和顶板41B之间，这样的异物也可以通过从顶板41B移除放射线检测器20而被去除。

图9是示出本示例性实施例的成像系统104的电气系统的相关部分的构成的示图。如图9中所示，在构成被置入到电子暗盒40中的放射线检测器20的TFT基板30中，在两个相邻侧中的一侧上设置栅极线驱动器52，并且在另一侧上设置信号处理器54。构成放射线检测器20的TFT基板30的各条栅极线34连接至栅极线驱动器52，并且TFT基板30的各条信号线36连接至信号处理器54。

在外壳41内部设置图像存储器56、暗盒控制器58、无线通信单元60、电源单元70以及偏置电压发生器71。

TFT基板30的每个薄膜晶体管10通过经由栅极线34从栅极线驱动器52提供的信号，以行为单位顺序地被接通，并且已由被开关至接通状态的薄膜晶体管10读出的电荷作为电信号通过信号线36被发送并且输入到信号处理器54中。由此，以行为单位顺序地读出电荷，并且获取二维放射线照相图像。

信号处理器54被构成为包括电荷放大器、采样和保持电路、多路复用器以及模拟-数字（A/D）转换器。电荷放大器生成具有与经由每条信号线36从传感器部13读出的电荷量对应的电压电平的电信号。通过采样和保持电路保持由电荷放大器生成的电信号的信号电平。采样和保持电路的输出端子连接至共用多路复用器。多路复用器将由采样和保持电路保持的信号电平转换为串行数据，并且将该串行数据提供给A/D转换器。A/D转换器将从多路复用器提供的模拟电信号转换为图像数据作为数字信号。

图像存储器56连接至信号处理器54。将从信号处理器54的A/D转换器输出的图像数据顺序地存储在图像存储器56中。图像存储器56具有能够存储图像数据的预定数量帧的存储容量。每次执行放射线照相成像，都将通过成像获得的图像数据顺序地存储在图像存储器56中。图像存储器56也连接至暗盒控制器58。

通过偏置线37将来自偏置电压发生器71的偏置电压提供给传感器部13。所施加的偏置电压的值越大，传感器部13生成越多电荷。即，施加至传感器部13的偏置电压的值越大，对放射线的检测敏感度越提高。偏置电压发生器71是输出电压可变的可变电压源，并且将对应于从随后描述的暗盒控制器58施加的控制信号的电压电平的偏置电压提供给传感器部13。即，通过暗盒控制器58控制传感器部13的对放射线的检测敏感度。

暗盒控制器58执行整个电子暗盒40的操作的综合控制，包括上述偏置电压发生器71的输出电压控制。控制器58被构成为包括微型计算机，并且配备有中央处理单元（CPU）58A、包括只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM）的存储器58B、以及例如由闪存构成的非易失性存储单元58C。无线通信单元60连接至暗盒控制器58。

无线通信单元60符合以电气和电子工程师协会（IEEE）802.11a/b/g为代表的无线局域网（LAN）标准，并且通过无线通信控制多种类型的数据到外部设备和从外部设备的传输。例如，通过无线通信单元60，使得暗盒控制器58能够用于与诸如执行与放射线照相成像有关的控制的控制台110的外部设备无线通信，并且能够用于发送和接收到控制器110和来自控制器110的多种类型的数据。通过无线通信单元60接收从控制台110提供的被摄体数据和曝光条件。

电子暗盒40设置有电源单元70，多种电路和设备（所述栅极线驱动器52、信号处理器54、图像存储器56、无线通信单元60、用作暗盒控制器58的微型计算机和偏置电压发生器71等）都通过从电源单元70提供的电力致动。电源单元70具有不影响电子暗盒40的便携性的内置电池组（可再充电二次电池组），并且将电力从充电后的电池组提供给多种电路和设备。注意，从图9的说明中省略了将电源单元70连接至多种电路和设备的布线。

如图9中所示，控制台110由服务器/计算机构成，并且配备有显示例如操作按钮和所捕捉的放射线照相图像的显示器111、以及被构成为包括多个键并且输入有多种类型信息和操作指令的操作面板112。

而且，根据本示例性实施例的控制台110配备有：CPU113，其控制整个装置的操作；ROM114，其被预先存储有例如包括控制程序的多种程序；RAM115，其临时存储多种数据；硬盘驱动器（HDD）116，其存储和保持多种数据；显示器驱动器117，其控制在显示器111上显示多种信息；以及操作输入检测器118，其检测操作面板112的操作状态。控制台110进一步配备有无线通信单元119，其采用无线通信在控制台110和放射线发生器120之间发送和接收随后描述的诸如曝光条件的多种数据，并且在控制台110和电子暗盒40之间发送和接收诸如图像数据的多种数据。

CPU113、ROM114、RAM115、HDD116、显示器驱动器117、操作输入检测器118和无线通信单元119通过系统总线BUS连接在一起。从而，CPU113可以存取ROM114、RAM115和HDD116，并且CPU113还可以通过显示器驱动器117控制在显示器111上显示多种数据，并且控制通过无线通信单元119向放射线发生器120和电子暗盒40发送和从其接收多种数据。CPU113还可以通过操作输入检测器118确认用户的操作面板112的操作状态。

放射线发生器120配备有放射线源121、在放射线发生器120和控制台110之间发送和接收诸如曝光条件的多种数据的无线通信单元123、以及基于所接收的曝光条件控制放射线源121的控制器122。

控制器122还被构成为包括微型计算机，并且存储所接收的曝光条件。从控制台110接收的这些曝光条件包括诸如管电压、管电流、以及曝光持续时间的数据。控制器122基于所接收的曝光条件使得从放射线源121照射放射线X。

电子暗盒40包括：电力调节功能，该电力调节功能在准备进行放射线照相图像成像时，通过基于从控制台110通知的被摄体数据和曝光条件调整在放射线照射开始的检测期间的检测敏感度，调节来自构成电源单元70的电池的电力供应量。以下是关于该电力调节功能的说明。

在准备放射线照相图像成像时，通过控制台110的无线通信单元119，将被摄体数据和曝光条件通知给电子暗盒40的暗盒控制器58。被摄体数据包括例如诸如被摄体的成像目标部位和成像姿势的数据。曝光条件包括例如诸如管电压、管电流、以及曝光持续时间的数据。基于被摄体数据和曝光条件，暗盒控制器58导出在放射线照相图像的成像期间，在特定时间段内将从放射线源121穿过被摄体照射到电子暗盒40上的放射线的照射量。

暗盒控制器58在其本身的存储单元58C内部配备有诸如图10中所示的第一参考表500。暗盒控制器58通过使用从控制台110获得的被摄体数据和曝光条件作为关键字，搜索第一参考表500，导出在特定时间段内将照射到电子暗盒40的放射线照射面（成像面）上的放射线的照射量。图10中的A至D指示成像目标部位，a1至a4、b1至b4、c1至c4和d1至d4指示由可设置管电流和管电压确定的用于每个成像目标部位的放射线强度。X1至X8是与成像目标部位A至D和放射线强度a1至d4对应的、将在特定时间段内照射到电子暗盒上的放射线的合适照射量的估计值。在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量对于作为不容易透射放射线（即，具有高衰减系数）的部位和大厚度的部位的成像目标部位来说较小，反之照射量对于相反情况来说较大。被设置用于放射线发生器120的管电流和管电压的值越小，将在特定时间段内照射到电子暗盒40上的放射线的照射量也越小。从而，可以基于诸如成像目标部位和管电流以及管电压的输入数据，来估计将在特定时间段内照射到电子暗盒40上的放射线的照射量。相应地，将具有通过测试或仿真导出的放射线照射量X1至X8的第一参考表500与被摄体数据和曝光条件相关地存储在存储单元58C中。注意，第一参考表500可以包括除了上述那些之外的其他参数（诸如例如被摄体性别、年龄、身高、体重、脂肪指数、以及成像目标部位的厚度）。暗盒控制器58还可以基于被摄体数据和曝光条件，计算由穿过被摄体而衰减后的放射线的强度，并且然后从所计算的放射线强度，计算将在特定时间段内照射到电子暗盒40上的放射线的照射量。第一参考表500在这样的情况下变为多余的，然而要求处理时间来计算放射线照射量。

暗盒控制器58基于所导出的放射线照射量，导出将被施加至传感器部13的偏置电压值。暗盒控制器58还在其自己的存储单元58C中配备第二参考表501，诸如图11中所示的实例。第二参考表501包括与将被施加至传感器部13的偏置电压值V1至V8相关的、在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量X1至X8。暗盒控制器58通过使用基于被摄体数据和曝光条件导出的放射线照射量作为关键字，搜索第二参考表501，导出应该被施加至传感器部13的偏置电压值。

在放射线照相图像的成像期间，在特定时间段内将被照射到电子暗盒40上的放射线的照射量比较小的情况下，需要使施加至传感器部13的偏置电压的值比较大，以提高传感器部的检测敏感度。在检测敏感度不足的情况下，不能准确地检测放射线照射开始，并且尽管放射线照射到被摄体上，也不能转移到成像操作。然而，在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量比较大的情况下，甚至当传感器部13的检测敏感度稍微降低时，也可以检测放射线照射开始。可以使得在这样的情况下施加至传感器部13的偏置电压的值比较小。

根据与偏置电压相关的照射量来构成第二参考表501，使得在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量越大，施加至传感器部13的偏置电压越小。即，在放射线照射开始的检测期间，暗盒控制器58识别将被照射到电子暗盒40上的放射线的照射量，并且然后控制偏置电压发生器71，使得所识别的照射量越大，施加至传感器部13的偏置电压越小。由此，减少来自构成电源单元70的电池组的电力供应量。根据电子暗盒40的这样的电力调节功能，与不管放射线照射量如何，以固定方式施加相对高偏置电压的情况相比，可以在电子暗盒40的照射待机状态下实现电力消耗的减少。

注意，可以通过重写第二参考表501，适当地增加或减少偏置电压调节步骤的数量。而且，可以构成为使得在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量和偏置电压之间的关系等式被预先存储在存储单元58C中，并且暗盒控制器38根据该关系等式计算将被施加至传感器部13的偏置电压。第二参考表501在这样的情况下变为多余的。

接下来是关于本示例性实施例的成像系统104的操作的说明。

首先，参考图12，以下说明关于当捕捉放射线照相图像时的控制台110的操作。图12是当通过操作面板112输入执行放射线照相成像的指令时，通过由控制台110的CPU113执行的放射线照相成像处理程序的处理的流程的流程图。该程序被预先存储在ROM114的预定区域中。

在图12的步骤300中，CPU113控制显示器驱动器117，以使显示器111显示预定初始信息输入屏幕。在下一个步骤302中，CPU113准备用于特定信息的输入。

图13示出通过步骤300的处理显示在显示器111上的初始信息输入屏幕的实例。如图13中所示，在根据本示例性实施例的初始信息输入屏幕中，显示提示输入将执行放射线照相成像的患者（被摄体）的姓名、成像目标部位、成像期间的姿势、以及成像期间的放射线X的曝光条件（在本示例性实施例中是放射线X曝光期间的管电压、管电流和曝光持续时间）的消息。还显示用于这些信息项的输入字段。

在显示器111上显示图13中所示的初始信息输入屏幕之后，放射线技师通过操作面板112将将被成像的患者（被摄体）的姓名、成像目标部位、成像期间的姿势、以及曝光条件输入到相应输入字段中。

放射线技师与患者（被摄体）进入放射线照相成像室180中。当在站立位置或俯卧位置执行图像捕捉时，在将电子暗盒40适当地由直立架台160的保持器162或者俯卧台164的保持器166保持，并且放射线源121被相应地定位之后，放射线技师将患者（被摄体）定位在特定成像位置（执行定位）。然而，为了在电子暗盒40不由保持器保持的情况下执行放射线照相成像，诸如当成像目标部位是手臂或腿区域时，放射线技师将患者（被摄体）定位在特定成像位置（执行定位）。然而，当在电子暗盒40没有被保持在保持器中的情况下捕捉诸如手臂或腿的成像目标部位的放射线照相图像时，放射线技师将患者（被摄体）、电子暗盒40和放射线源121定位在允许成像目标部位成像的状态下。

然后，放射线技师离开放射线照相成像室180，并且使用操作面板112选择在初始信息输入屏幕的底部边缘附近显示的输入完成按钮。当放射线技师选择了输入完成按钮时，肯定地确定步骤302，并且然后处理转移到步骤304。

在步骤304，CPU113通过无线通信单元119将输入到初始信息输入屏幕中的数据（以下称为“初始信息”）发送至电子暗盒40。然后，在下一个步骤306，通过经由无线通信单元119将包括在初始信息中的曝光条件发送至放射线发生器120来设置曝光条件。然后，放射线发生器120的控制器122根据所接收的曝光条件，执行用于曝光的准备。

在下一个步骤308中，CPU113通过无线通信单元119将指令开始曝光的指令数据发送至放射线发生器120和电子暗盒40。

作为响应，放射线源121利用与放射线发生器120从控制台110接收的曝光条件对应的管电压和管电流开始发射放射线X。在穿过患者（被摄体）之后，从放射线源121发射的放射线X到达电子暗盒40。

电子暗盒40的暗盒控制器58接收指令曝光开始的指令数据，并且保持待机，直到由放射线检测像素32A检测的放射线量达到或大于用作检测到放射线照射已经开始的值的预定阈值。当确定由放射线检测像素32A检测的放射线量已经达到或大于该阈值时，电子暗盒40开始放射线照相成像操作。从开始放射线照射起，在经过特定累积持续时间之后，电子暗盒40结束放射线照相成像操作，并且然后将由此获得的图像数据发送至控制台110。

在下一个步骤310中，CPU113进入待机，直到从电子暗盒40接收到图像数据为止，并且在下一个步骤312，对所接收的图像数据执行图像处理，以在执行上述丢失像素校正处理之后，执行诸如抖动校正的多种校正。

然后，在下一个步骤314，CPU113将已经经受图像处理的图像数据（以下称为“校正后的图像数据”）存储在HDD116中。然后，在下一个步骤316，控制显示器驱动器117，使得在显示器111上显示由校正后的图像数据表达的放射线照相图像，以例如执行验证。

在下一个步骤318，CPU113经医院内网络102将校正后的图像数据发送至RIS服务器150，此后结束放射线照相成像处理程序。将发送至RIS服务器150的校正后的图像数据存储在数据库150A中，由此使得医生能够读取被捕捉的放射线照相图像并且执行诊断。

参考图14，以下是关于当从控制台110接收初始信息时的电子暗盒40的操作的说明。图14是示出当从控制台110接收初始信息时，由电子暗盒40中的暗盒控制器58的CPU58A执行的暗盒成像处理程序的处理的流程的流程图。将暗盒成像程序预先存储在暗盒控制器58的存储单元58C的特定区域中。

在步骤400，CPU58A等待从控制台110接收上述的指令曝光开始的指令数据。在下一个步骤402，执行以下检测敏感度设置处理程序。

图15是示出在CPU58A中执行的检测敏感度设置处理程序的处理的流程的流程图。该程序被预先存储在暗盒控制器58的存储单元58C的特定区域中。

在图15的步骤450，CPU58A通过使用包含在从控制台110提供的初始信息中的、作为被摄体数据的成像目标部位以及作为曝光条件的管电流和管电压来作为关键字，搜索存储在存储单元58C中的第一参考表500（参见图10），导出将在特定时间段内照射到电子暗盒40上的放射线的照射量。

在下一个步骤452，CPU58A通过使用在步骤450导出的放射线照射量作为关键字，搜索存储在存储单元58C中的第二参考表501（参见图11），导出将被施加至传感器部13的偏置电压值。注意，第二参考表501被构成为，在步骤450导出的放射线照射量越大，导出的偏置电压值越小。

在下一个步骤454中，CPU58A向偏置电压发生器71提供将在步骤452导出的偏置电压施加至传感器部13所需的控制信号，以控制偏置电压发生器71的输出电压。然后，本检测敏感度设置处理程序结束。当接收到控制信号时，偏置电压发生器71输出由CPU58A导出的偏置电压，并且将该偏置电压施加至各个传感器部13。

当检测敏感度设置处理程序结束时，转移到暗盒成像处理程序（主程序）的步骤404。在步骤404，CPU58A将控制信号提供给信号处理器54，并且在信号处理器54中执行从放射线检测像素32A读取电荷的处理。将从放射线检测像素32A读取的电荷的量作为指示已照射的放射线的剂量的放射线量数据（检测信号）而暂时存储在暗盒控制器58的存储器58B中。CPU58A通过访问存储器58B来获取放射线量数据（检测信号）。

在下一个步骤406中，CPU58A确定先前在步骤404中获得的放射线量数据（检测信号）中指示的放射线剂量是否是用于检测放射线照射开始的预定特定阈值或更大。然而，做出肯定判定意味着，已经开始从放射线源121发射放射线，并且处理转移至步骤408。注意，可以构成为使得在该时间点，CPU58A向栅极线驱动器52提供执行用于将直到检测到放射线照射开始为止已经累积在放射线检测像素32A和放射线照相成像像素32B中的暗电流放电的复位操作所需的控制信号。当接收到这样的控制信号时，栅极线驱动器52然后将驱动信号顺序地提供给栅极线34，以一次一条线地接通薄膜晶体管10。由此，已经累积在放射线检测像素32A和放射线照相成像像素32B中的任何暗电流被放电到信号线36，从而复位每个像素。

在下一个步骤408中，CPU58A向栅极线驱动器52提供断开所有薄膜晶体管10所需的控制信号。从而，根据放射线的照射，在放射线照相成像像素32B中生成的电荷的累积开始，并且转移到放射线照相图像的成像操作。当这些执行时，CPU58A可以被构成为将要被施加至放射线照相成像像素32B的传感器部13的偏置电压设置为与在步骤452中导出的偏置电压不同的电压（参见图15）。例如，CPU58A在当前步骤408中可以向偏置电压发生器71提供将偏置电压设置到设置范围的上限值所需的控制信号。即，可以将放射线照相图像的成像期间的传感器部13的检测敏感度设置为比放射线照射开始检测期间的检测敏感度更高。由此，CPU58A与在放射线照射开始检测期间的检测敏感度独立地控制在放射线照相图像的成像期间的检测敏感度。

在下一个步骤410中，CPU58A确定从转移到累积操作起是否经过了特定累积持续时间。根据被设置为曝光条件的放射线的曝光持续时间来设置累积持续时间。当确定从转移到累积操作起经过了特定累积持续时间时，CPU58A转移到步骤412的处理。

在下一个步骤412，CPU58通过将控制信号提供给栅极线驱动器52，使得将接通信号一次一条线地顺序地从栅极线驱动器52提供给栅极线34。由此，连接至各条栅极线34的各个薄膜晶体管10被一次一条线地顺序地接通。由此，已经累积在各个电容器9中的电荷被读入到各条栅极线36中，并且由信号处理器54转换为数字图像数据，然后数字图像数据被存储在图像存储器56中。

在下一个步骤414中，CPU58A读取存储在图像存储器56中的图像数据，并且在通过无线通信单元60将所读取的图像数据发送至控制台110之后，结束当前暗盒成像处理程序。

在本示例性实施例的电子暗盒40中，如图8中所示，设置放射线检测器20，使得从电子暗盒40的TFT基板30侧照射放射线X。

在被称为穿透侧采样（Penetration Side Sampling，PSS）方法的情况下，其中，如图16中所示，通过来自形成闪烁体8的一侧的放射线照射放射线检测器20，并且通过在与放射线入射面的相反侧上设置的TFT基板30读取放射线照相图像，从图18中的闪烁体8的顶面侧（与结合到TFT基板30的面的相反侧）发射具有较高强度的光。然而，在使用被称为照射侧采样（Irradiation Side Sampling：ISS）方法的情况下，其中，从TFT基板30侧照射放射线，并且通过在放射线入射面侧上设置的TFT基板30读取放射线照相图像，使穿过TFT基板30的放射线入射到闪烁体8，并且从闪烁体8结合到TFT基板30的面的一侧发射具有较高强度的光。提供给TFT基板30的每个传感器部13均根据在闪烁体8中生成的光生成电荷。由于闪烁体8的光发射位置接近TFT基板30，从而被捕捉的放射线照相图像当采用ISS方法时比当采用PSS方法时具有更高的分辨率。

放射线检测器20还构成有由有机光电转换材料形成的光电转换层4，所以放射线仅仅由光电子转换层4吸收。由于即使当由于采用ISS方法导致放射线穿过TFT基板30时，由光电转换层4吸收的放射线的量也小，本示例性实施例的放射线检测器20从而能够抑制对放射线的敏感度的恶化。在ISS方法中，放射线穿过TFT基板30到达闪烁体8。然而，当TFT基板30的光电转换层4由有机光电转换材料这样构成时，由于光电转换层4中几乎不存在任何放射线吸收，并且放射线衰减可以被抑制到很小的量，这可以应用于ISS方法。

还可以在低温下使用膜形成，来形成构成薄膜晶体管10的有源层17的非晶氧化物和构成光电转换层4的有机光电转换材料。基板1从而可以由具有对放射线的低吸收率的、具有芳族聚酰胺和/或生物纳米纤维的塑料树脂形成。由于由这样形成的基板1吸收的放射线的量很小，所以即使当由于采用ISS方法导致放射线穿过TFT基板30时，也可以抑制对放射线的敏感度的恶化。

根据本示例性实施例，如图8中所示，放射线检测器20在外壳41内部被附着至顶板41B，使得TFT基板30在顶板41B侧上。而且，由于放射线检测器20本身的刚性很高，在由具有芳族聚酰胺和/或生物纳米纤维的塑料树脂以高刚性形成基板1的情况下，外壳41的顶板41B可以被形成得较薄。由于放射线检测器20本身是柔性的，即使当成像区域41A受到冲击时，在由具有芳族聚酰胺和/或生物纳米纤维的塑料树脂以高刚性形成基板1的情况下，放射线检测器20也不容易被损害。

如以上解释的，基于从控制台110提供的被摄体数据和曝光条件，根据本发明的示例性实施例的电子暗盒40在从放射线源121实际地照射放射线之前，导出在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量。然后，电子暗盒40基于所导出的放射线照射量，导出应当被施加至传感器部13的偏置电压的值，由此设置对放射线照射开始的检测敏感度。当这样做时，所导出的放射线照射量越大，电子暗盒40使得来自电源单元70的电力供应量越小，由此降低对放射线照射开始的检测敏感度。即，暗盒控制器58控制使得所导出的放射线照射量越大，偏置电压值的值越小。从而，电子暗盒40根据期望的放射线照射量改变将被施加至传感器部13的偏置电压，以适当地调节检测敏感度。从而，可以防止偏置电压的施加过分地大于需要检测放射线照射开始的偏置电压。从而，与不管放射线照射量如何都以固定方式施加过多偏置电压的情况相比，可以减少放射线待机状态下的电力消耗。电子暗盒40根据期望的放射线照射量适当地调节对放射线的检测敏感度，并且因而与设置恒定高敏感度的情况相比，可以防止放射线照射开始的错误检测。

注意，在本示例性实施例中，示出放射线检测像素32A的传感器部13和放射线照相成像像素32B的传感器部13通过偏置线37连接至公共偏置电压发生器71的实例，然而不限于此。即，如图17中所示，分开地提供用于将偏置电压提供给放射线检测像素32A的传感器部13的第一偏置电压发生器71A和用于将偏置电压提供给放射线照相成像像素32B的传感器部13的第二偏置电压发生器71B。在这样的情况下，在放射线照相开始的检测期间，类似于上述示例性实施例，根据期望的放射线照射量，控制将偏置电压施加至放射线检测像素32A的传感器部13的第一偏置电压发生器71A的输出电压。而且，在这样的情况下，在由放射线检测像素32A检测到放射线照射开始之后，可以执行控制，以停止从第一偏置电压发生器71A提供偏置电压。由此，可以实现电力消耗的甚至更大的降低。然而，可以与第一偏置电压发生器71A独立地控制用于将偏置电压提供给放射线照相成像像素32B的传感器部13的第二偏置电压发生器71B的输出电压，以使其成为适于使放射线照相图像成像的电压。

第二示例性实施例

以下是关于根据本发明的第二示例性实施例的电子暗盒的说明。根据第一示例性实施例的电子暗盒40导出在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量，并且通过根据所导出的放射线照射量调节施加至传感器部13的偏置电压值，来调节来自电源单元70的电力供应量。然而，在根据第二示例性实施例的电子暗盒40中，通过根据所导出的放射线照射量，调节构成信号处理器54的电荷放大器的驱动数量，来调节来自电源单元70的电力供应量。

图18是示出构成电子暗盒40的信号处理器54的构成的示图。注意，由于除了信号处理器54之外的构成部分类似于第一示例性实施例的那些部分，因此其说明被省略。

如图18中所示，信号处理器54包括分别连接至各条信号线36的电荷放大器92。注意，一个或多个放射线检测像素32A连接至各条信号线36。每个电荷放大器92包括：运算放大器（运算放大电路）92A，其具有连接至各条信号线36的反相输入端子和连接至地电势的非反相输入端子；电容器92B，其具有连接至运算放大器92A的反相输入端子的一个端子以及连接至运算放大器92A的输出端子的另一个端子；以及复位开关92C，其并联地连接至电容器92B。每个电荷放大器92还包括在电源线92D和运算放大器92A的电源输入端子之间的开关92E。即，通过接通开关92E，运算放大器92每一个都处于被提供有来自电源线92D的驱动电压的运算状态。根据从暗盒控制器58提供的控制信号，执行开关92E的接通/断开切换。

在放射线照射开始检测期间，在各个放射线检测像素32A中生成的电荷通过信号线36累积在电荷放大器92的电容器92B中。电荷放大器92生成具有与累积在电容器92B中的电荷量对应的信号电平的电信号。将这些电信号提供给采样和保持电路93。响应于从暗盒控制器58提供的控制信号，通过使复位开关92C置于接通状态，每个固定周期地复位从电荷放大器92输出的电信号。每个电荷放大器92的输出端子连接至采样和保持电路93的输入端子。

响应于从暗盒控制器58提供的控制信号，采样和保持电路93保持从电荷放大器92提供的电信号的信号电平。即，采样和保持电路93以特定采样周期，执行从电荷放大器92输出的电信号的信号电平的采样。每个采样和保持电路93的输出端子均连接至公共多路复用器94。

多路复用器94根据从暗盒控制器58提供的控制信号，顺序地选择和输出保持在采样和保持电路93中的信号电平。即，多路复用器94将来自采样和保持电路93的电信号转换为串行数据，并且将串行数据提供给A/D（模拟-数字）转换器95。

A/D转换器95将从多路复用器94顺序提供的电信号的信号电平转换为数字信号，并且将由此获得的数字值作为放射线量数据（检测信号）暂时存储在暗盒控制器58的存储器58D中。

在放射线照射待机期间，暗盒控制器58执行信号处理器54中的处理，以读取累积在放射线检测像素32A中的电荷，并且访问存储器58B，以获取指示从放射线检测像素32A读取的电荷量的放射线量数据（检测信号），即，所照射的放射线的剂量。暗盒控制器58例如将从A/D转换器95顺序输出的用于每条信号线36的放射线量数据（检测信号）求和，并且当确定由此获得的求和值是用于检测放射线照相开始的预定特定阈值或更大时，确定已经开始从放射线源121发射放射线。

在准备放射线照相图像成像时，根据本示例性实施例的电子暗盒40具有电力调节功能，该电力调节功能通过基于由控制台110通知的被摄体数据和曝光条件，在放射线照射开始检测期间调节检测敏感度，调节来自构成电源单元70的电池的电力供应量。以下解释根据本示例性实施例的电力调节功能。

类似于第一示例性实施例，暗盒控制器58配备有在其本身的存储单元58C内的诸如图10中所示的第一参考表500。暗盒控制器58通过使用从控制台110获取的被摄体数据和曝光条件作为关键字，搜索第一参考表500，导出在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量。图10中的A至D指示成像目标部位，a1至a4、b1至b4、c1至c4以及d1至d4指示由可设置管电流和管电压确定的用于各个成像目标部位的放射线强度。注意，暗盒控制器58还可以基于被摄体数据和曝光条件，计算由穿过被摄体而衰减的放射线的强度，并且然后根据所计算的放射线强度，计算在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量。在这样的情况下，第一参考表500变得多余，然而，要求处理时间来计算放射线照射量。

暗盒控制器58基于所导出的放射线照射量，导出用于驱动信号处理器54的电荷放大器92的数量。暗盒控制器58配备有存储在其本身的存储单元58C中的、诸如图19中所示的第三参考表502。第三参考表502包括与应该被驱动的电荷放大器92的数量N1至N8相关的、在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量X1至X8。暗盒控制器58通过使用所导出的放射线照射量作为关键字，搜索第三参考表502，导出应该被驱动的电荷放大器92的数量（驱动数量）。

如上所述，暗盒控制器58将从A/D转换器95顺序输出的对应于各条信号线36的数字值求和，并且基于由此获得的求和值，检测放射线照射开始。在放射线照相图像成像期间，在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量相对小的情况下，需要通过使电荷放大器92驱动数量相对大，来提高对放射线检测开始的检测敏感度，由此增加以上获得的求和值。然而，当在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量相对大时，即使利用减少的电荷放大器92驱动数量和降低的对放射线照射开始的检测敏感度，也可以获得足够大的求和值。在根据本示例性实施例的电子暗盒40中，通过控制电荷放大器92驱动数量，调节对放射线照射开始的检测敏感度。

在第三参考表502中，使照射量和电荷放大器92驱动数量相互相关，使得在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量越大，电荷放大器92驱动数量越小。即，在放射线照射开始检测期间，暗盒控制器58识别在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量，并且控制信号处理器54的开关92E，使得所识别的照射量越大，电荷放大器驱动数量越小。从而，与不管放射线照射量如何一直驱动所有电荷放大器92并且一直维持高检测敏感度的情况相比，可以实现在照射待机状态下减少电力消耗。

注意，可以通过重写第三参考表502，适当地增加或减小驱动数量调节步骤的数量。而且，可以构成为使得将在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量与电荷放大器92驱动数量之间的关系等式预先存储在存储单元58C中，并且暗盒控制器38根据该关系等式计算电荷放大器92驱动数量。

而且，可以构成为，使得代替电荷放大器92驱动数量，或者与驱动数量一起，暗盒控制器58导出将驱动连接至哪条信号线36的哪个电荷放大器92。在这样的情况下，做出关于将启动被设置在TFT基板30上的哪个位置处的哪个放射线检测像素32A的确定。优选通过暗盒控制器58导出将被驱动的电荷放大器92，使得有效的放射线检测像素32A不被不均匀地分布在TFT基板30上。换句话说，优选导出将被驱动的电荷放大器92，使得有效的放射线检测像素32A均匀地分布在TFT基板30上。例如，暗盒控制器58可以被设置成控制使得将被驱动的电荷放大器92设置在每隔一条的线上，或者在每多条线中的一条线上。

参考图20，以下是关于在图14中所示的暗盒成像处理程序的步骤402中执行的根据本示例性实施例的检测敏感度设置处理程序的说明。图20是示出由暗盒控制器58的CPU58A执行的根据本示例性实施例的检测敏感度设置处理程序的处理的流程的流程图，并且对应于根据图15中所示的第一示例性实施例的根据检测敏感度设置处理程序的流程图。

在图20的步骤460，CPU58A通过使用包含在从控制台110提供的初始信息中的、作为被摄体数据的成像目标部位以及作为曝光条件的管电流和管电压作为关键字，搜索存储在存储单元58C中的第一参考表500（参见图10），导出在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量。

在下一个步骤462中，CPU58A通过使用在步骤460导出的放射线照射量作为关键字，搜索存储在存储单元58C中的第三参考表502（参见图19），导出对应于该照射量的电荷放大器92驱动数量。注意，构成第三参考表502，使得在步骤460导出的放射线照射量越大，导出的驱动数量具有越小的值。

在下一个步骤464中，CPU58A将在电荷放大器92的电源输入端子和电源线之间提供的开关92E选择性地切换到接通状态，以实现在步骤462导出的驱动数量。然后，当前检测敏感度设置处理程序结束。在信号处理器54中，仅由暗盒控制器58选择的电荷放大器92的开关92E被置于接通状态，并且仅对在步骤462导出的驱动数量的电荷放大器92提供电力。

注意，在检测到放射线照射开始并且根据所照射的放射线生成的电荷开始累积在放射线照相成像像素32B中之后，转移到放射线照相图像成像操作。当这被执行时，CPU58A可以被构成为将电荷放大器92驱动数量设置为不同于在步骤462中导出的驱动数量。例如，CPU58A可以控制驱动所有电荷放大器92所需的开关92E。即，在使放射线照相图像成像期间的放射线检测敏感度可以被设置为高于在放射线照射开始检测期间的放射线检测敏感度。由此，CPU58A与在放射线照射开始检测期间的放射线检测敏感度独立地控制在使放射线照相图像成像期间的对放射线的检测敏感度。

如上所述，根据本发明的示例性实施例的电子暗盒40基于从控制台110提供的被摄体数据和曝光条件，在从放射线源121实际上照射放射线之前，导出在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量。然后，电子暗盒40基于所导出的放射线照射量，导出用于电荷放大器92驱动数量的值，由此设置对放射线照射开始的检测敏感度。当这样做时，电子暗盒40使得所导出的放射线照射量越大，来自电源单元70的电力供应量越小，由此降低对放射线照射开始的检测敏感度。即，控制电子暗盒40，使得所导出的放射线照射量越大，电荷放大器92驱动数量越小。从而，暗盒控制器58改变电荷放大器92驱动数量，以根据期望放射线照射量适当地调节检测敏感度。从而，可以防止使用比检测放射线照射开始所需电荷放大器92的更多的电荷放大器92。从而，与不管放射线照射量如何，驱动所有电荷放大器92的情况相比，可以减少照射待机状态下的电力消耗。电子暗盒40根据期望放射线照射量，适当地调节对放射线的检测敏感度，并且与设置恒定高敏感度的情况相比，可以防止放射线照射开始的错误检测。

从而，在本示例性实施例中，基于所导出的放射线照射量，通过电荷放大器92驱动数量来调节有效的放射线检测像素32A的数量（有效数量），以调节来自电源单元70的电力供应量。用于调节有效的放射线检测像素32A的数量（有效数量）的方法的另一个实例是调节被施加偏置电压的传感器部13的数量的方法。从而，暗盒控制器58可以被构成为，代替调节电荷放大器92驱动数量，或者与调节电荷放大器92驱动数量一起，根据所导出的放射线照射量，调节被施加偏置电压的传感器部13的各自数量。

电子暗盒40的暗盒控制器58可以执行以下控制，以通过使所导出的放射线照射量越大，得到的对信号处理器54的电力供应量越小，来控制信号处理器54降低对放射线照射开始的检测敏感度。

即，在基于被摄体数据和曝光条件导出的在特定时间段内将照射的放射线的照射量小于特定阈值的情况下，暗盒控制器58导出第一值作为用于电荷放大器92的增益的设置值。然而，在所导出的放射线照射量大于特定阈值的情况下，暗盒控制器58导出小于第一值的第二值作为用于电荷放大器92的增益的设置值。从而，电子暗盒40根据所导出的放射线照射量控制电荷放大器92的增益，并且因此可以防止将增益设置为过分大于放射线照射开始检测所需的合适增益。从而，与不管放射线照射量如何，以固定方式设置相对高增益的情况相比，可以实现照射待机状态下减少电力消耗。注意，为了使电荷放大器92的增益可变，可以构成为使得在运算放大器92A的输入端子和输出端子之间选择性地连接具有相互不同的电容值的多个电容器。而且，在以上说明中，给出采用单个阈值将增益调节为两个等级的情况的实例，然而，可以采用两个以上阈值将增益改变为三个以上等级的构成。

而且，电子暗盒40的暗盒控制器58可以执行以下控制。即，在基于被摄体数据和曝光条件导出的放射线照射量小于特定阈值的情况下，暗盒控制器58执行校正处理，以从在信号处理器54中生成的放射线量数据（检测信号）去除噪声分量。在这样的情况下，获取在校正处理中采用的噪声数据。例如，通过将放射线非照射状态下的放射线量数据（检测信号）存储在存储器58B中获取噪声数据。虽然执行这样的校正处理提高对放射线照射开始的检测敏感度，但是试图将噪声数据存储在存储器58B中并且保持该噪声数据消耗电力。然而，在基于被摄体数据和曝光条件导出的放射线照射量大于特定阈值的情况下，暗盒控制器58省略上述校正处理。虽然与执行校正处理的情况相比，由此降低对放射线照射开始的检测敏感度，但是由于不要求获取噪声数据的处理和将噪声数据保持在存储器58B中的处理，可以节省实现这样的处理所需的电力消耗量。由于省略根据期望放射线照射量执行校正处理，与不管放射线照射量如何，一直执行校正处理的情况相比，电子暗盒40从而能够实现照射待机状态下减少电力消耗。注意，在以上示例性实施例中，给出根据放射线照射量省略校正处理的情况的实例，然而，不限于此，并且可以采用有助于增加在放射线照射开始检测期间的检测敏感度的其他处理。

第三示例性实施例

以下是关于根据本发明的第三示例性实施例的电子暗盒的说明。在根据第一示例性实施例和第二示例性实施例的电子暗盒40中，通过导出在特定时间段内将照射到电子暗盒40本身上的放射线的照射量，并且根据所导出的放射线照射量，导出将被施加至传感器部13的偏置电压或者电荷放大器驱动数量（即，放射线检测敏感度），执行来自电源单元70的电力供应量的自动调节。相反，在根据第三示例性实施例的电子暗盒中，导出在特定时间段内将照射到电子暗盒40本身上的放射线的照射量，并且以使得能够手动调节放射线检测敏感度的构成，将所导出的照射量通知给放射线技师。

图21是根据本发明的第三示例性实施例的电子暗盒40a的透视图，并且图22是示出电子暗盒40a的电气系统的相关部分的构成的示图。根据本示例性实施例的电子暗盒40a包括在外壳41的正面上的通知单元45和敏感度设置输入屏幕46。

通知单元45是用于通知放射线技师在由暗盒控制器58基于被摄体数据和曝光条件导出的特定时间段内将照射到电子暗盒40a上的放射线的照射量的单元。通知单元45例如是显示由暗盒控制器58导出的放射线照射量的显示器。放射线技师能够通过通知单元45的显示，在从放射线源121发射放射线之前，确定将照射到电子暗盒40a上的放射线的照射量。注意，通知单元45可以被构成为包括扬声器，以通过语音通知放射线照射量。

敏感度设置输入部46用于手动调节从偏置电压发生器71输出的偏置电压的幅度，并且例如包括调节旋钮构造。例如，可以构成为，使得通过将构成敏感度设置输入部46的调节旋钮向右旋转而使从偏置电压发生器71输出的偏置电压更大，并且通过向左旋转而使偏置电压更小。由此，放射线技师能够基于由通知单元45通知的放射线照射量，确定检测放射线照射开始所需的偏置电压（放射线检测敏感度），并且能够通过操作敏感度设置输入部46设置期望偏置电压（放射线检测敏感度）。由此，伴随偏置电压的设置，设置了来自电源单元70的电力供应量。注意，敏感度设置输入部46可以是能够手动地调节偏置电压的任何构成，并且可以包括除了调节旋钮之外的其他构成。

参考图23，以下是关于在图14中所示的暗盒成像处理程序中的步骤402执行的根据本示例性实施例的检测敏感度设置处理程序的说明。图23是示出由暗盒控制器58的CPU58A执行的根据本示例性实施例的检测敏感度设置处理程序的处理的流程的流程图，并且对应于根据在图15中所示的第一示例性实施例的根据检测敏感度设置处理程序的流程。

在步骤470，CPU58A通过使用包含在从控制台110提供的初始信息中的、作为被摄体数据的成像目标部位以及作为曝光条件的管电流和管电压作为关键字，搜索存储在存储单元58C中的第一参考表500（参见图10），导出在特定时间段内将照射到电子暗盒40a上的放射线的照射量。

在下一个步骤472，CPU58A将在步骤470导出的放射线照射量提供给通知单元45。从而，通知单元45在步骤470显示由CPU58A导出的放射线照射量。

在下一个步骤474，CPU58A等待输入偏置电压的设置操作。当在通知单元45上显示放射线照射量时，放射线技师可以基于显示在通知单元45上的放射线照射量，决定检测放射线照射开始所需的偏置电压，并且可以通过敏感度设置输入部46的操作，设置所决定的偏置电压。放射线技师执行诸如压下设置到电子暗盒40a的设置完成按钮的操作，并且然后处理转移到下一个步骤476。

在下一个步骤476，CPU58A提供将在步骤474通过敏感度设置输入部46设置的偏置电压施加至传感器部13所需的控制信号，控制偏置电压发生器71的输出电压，并且然后结束当前检测敏感度设置处理程序。当接收到该控制信号时，偏置电压发生器71输出通过敏感度设置输入部46的操作设置的偏置电压，并且将该偏置电压提供给各个传感器部13。

以此方式，基于从控制台110提供的被摄体数据和曝光条件，根据本示例性实施例的电子暗盒40a在实际上执行从放射线源121发射放射线之前，导出在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量，并且在通知单元45上显示所导出的放射线照射量。由此，在实际上执行从放射线源121发射放射线之前，放射线技师能够确定将照射到电子暗盒40a上的放射线的照射量。从而，可以通过操作检测敏感度设置输入部46，将施加至传感器部13的偏置电压的幅度调节到期望幅度。

此外，根据本示例性实施例的电子暗盒40a，放射线技师能够从显示在通知单元45上的放射线照射量，确定检测放射线照射开始所要求的偏置电压（放射线检测敏感度），使得放射线技师能够设置由放射线技师通过操作敏感度设置输入部46决定的给定偏置电压（放射线检测敏感度）。即，本示例性实施例的电子暗盒40a使得能够利用放射线技师的经验和技能的敏感度设置。

注意，可以构成为使得CPU58A基于被摄体数据和曝光条件导出放射线照射量，并且根据所导出的照射量，导出偏置电压的推荐设置值，并且在通知单元45上显示这些导出的推荐设置值。为了导出偏置电压的推荐设置值，例如，可以采用上述第一示例性实施例的第二参考表501。

电子暗盒40a可以被构成为能够在如本示例性实施例中的手动设置偏置电压的手动模式或者如在第一示例性实施例中执行的自动模式之间切换。

而且，在以上示例性实施例中，给出通过设置偏置电压，在电子暗盒40中设置对放射线照射开始的检测敏感度的情况的实例，然而，可以构成为使得通过另一个参数，例如通过设置电荷放大器的驱动数量或增益，与电力供应量对应地改变放射线检测敏感度。

第四示例性实施例

以下给出根据本发明的第四示例性实施例的放射线照相成像系统的说明。在第三示例性实施例中给出为电子暗盒40a提供通知单元45和敏感度设置输入部46的实例的说明，然而，在本示例性实施例中，为控制台110提供通知单元45和敏感度设置输入部46的功能。

图24是示出根据本示例性实施例的由控制台110的CPU113执行的放射线照相成像处理程序的处理的流程的流程图。注意，在本示例性实施例中，将诸如图10中所示的第一参考表预先安装在控制台110的ROM114中。

在步骤320，CPU113控制显示器驱动器117，使得通过控制台110的显示器111显示诸如图13中所示的实例的初始信息输入屏幕，并且然后在下一个步骤322等待输入特定数据。

放射线技师通过操作面板112输入作为初始信息的被摄体数据以及曝光条件，其中，被摄体数据包括经受成像的患者（被摄体）的姓名、成像目标部位、成像期间的姿势。然后，当放射线技师选择在初始信息输入屏幕的底部边缘附近显示的输入完成按钮时，在步骤322处的判定是肯定的，并且处理转移到步骤324。

在步骤324，CPU113使用包含在已被输入的初始信息中的、作为被摄体数据的成像目标部位以及作为曝光条件的管电流和管电压作为关键字，搜索存储在ROM114中的第一参考表500，并且导出在特定时段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量。

在下一个步骤326中，CPU113控制显示器驱动器117，使得在显示器111上显示在步骤324导出的放射线照射量。由此，在显示器111上显示在步骤324导出的放射线照射量。

在下一个步骤328中，CPU113等待输入用于偏置电压的设置值。在显示器111上显示将照射到电子暗盒上的放射线的照射量，并且放射线技师基于显示在显示器111上的照射量，决定电子暗盒40检测放射线照射开始所需的偏置电压，并且能够通过操作操作面板112，输入所决定的偏置电压的设置值。当放射线技师通过操作面板112执行偏置电压设置值输入时，处理转移到下一个步骤330。

在下一个步骤330中，CPU113通过无线通信单元119将在步骤328由放射线技师输入的偏置电压的设置值发送到电子暗盒。当电子暗盒从控制台110接收到偏置电压设置值时，电子暗盒40的CPU58A为偏置电压发生器71提供控制信号，以将所接收的用于偏置电压的设置值施加至传感器部13，由此控制偏置电压发生器71的输出电压。

从步骤332开始的处理类似于上述第一示例性实施例（图12）的流程图的步骤306至步骤318中的处理，并且省略其说明。

从而，根据本示例性实施例的放射线照相成像系统，由于执行导出在特定时间段内将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量的处理和在控制台110侧上设置偏置电压的输入操作，可以减少到电子暗盒40的处理负载。结果，可以减少电子暗盒40的电力消耗。而且，在根据本示例性实施例的放射线照相成像系统执行手动设置对放射线照射开始的检测敏感度的情况下，不需要给电子暗盒提供第三示例性实施例的通知单元45和敏感度设置输入部46。从而，与第三示例性实施例相比，可以简化用于电子暗盒40的构成。

注意，以上，通过放射线技师操作操作面板112而手动地设置偏置电压，然而，可以构成为使得控制台110的CPU113基于在步骤324导出的将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量导出偏置电压的设置值，并且将所导出的偏置电压设置值发送至电子暗盒40。图25是示出在这样的情况下在控制台110中的处理的流程的流程图。在图25的流程图中，消除图24中所示的步骤326和步骤328的处理，并且在步骤327添加基于在步骤324导出的将照射到电子暗盒40上的放射线的照射量导出偏置电压设置值的处理。为了导出偏置电压设置值，CPU113可以例如采用第一示例性实施例的第二参考表501。即，在步骤324导出的放射线照射量越大，CPU113导出的偏置电压具有越小的值。而且，可以在显示器111上将由CPU113导出的偏置电压的设置值显示为推荐设置值。而且，可以构成为使得控制台110的处理程序可以在由CPU113导出偏置电压设置的自动模式和由放射线技师决定的手动模式之间切换。

而且，以上解释了通过执行偏置电压设置，设置电子暗盒40对放射线照射开始的检测敏感度的情况的实例，然而，可以构成为利用其他参数，例如通过设置电荷放大器的驱动数量或增益，与电力供应量对应地改变放射线检测敏感度。

而且，在每个示例性实施例中，已经给出基于被摄体数据和曝光条件两者导出放射线照射量的情况的实例，然而，可以基于被摄体数据或曝光条件中的任一个来导出放射线照射量。

而且，在每个示例性实施例中，已经给出通过短接薄膜晶体管10的源极和漏极来构成放射线检测像素32A的情况的说明，然而本发明不限于此，并且可以例如构成有连接至电容器9的直接读取线，以及在信号处理器54中的、从直接读取线读取累积在电容器9中的电荷的处理。

每个上述示例性实施例中，给出采用提供给放射线检测器20的一些像素32用于放射线检测像素32A的情况的说明，然而本发明不限于此。例如，放射线检测器20可以具有作为分离层的放射线检测像素32A到像素32的堆叠构成。在这样的情况下，由于不存在丢失像素，与以上示例性实施例相比，可以提高放射线照相图像的质量。

而且，在以上示例性实施例中，给出将一些放射线照相像素32B应用为放射线检测像素32A的情况的说明，如图26A中的实例所示，然而本发明不限于此，并且可以在放射线照相成像像素32B之间的间隙中提供放射线检测像素32A，例如如图26B中的实例所示。在这样的情况下，由于这些放射线照相成像像素32B的表面积减小，在对应于放射线检测像素32A的位置处设置的放射线照相成像像素32B的敏感度降低，然而由于这些像素还可以用于放射线照相图像检测，所以可以增加放射线照相图像的质量。

用于检测放射线的传感器不必应用至放射线检测器20的像素，并且可以构成为使得通过例如在放射线检测器20中的每行像素之间或者在外围位置中的预定位置处提供的、在通过放射线照射时生成电荷的指定放射线检测传感器，来检测放射线照射开始。在这样的情况下，这样的传感器不必被提供给放射线检测器20，并且可以被设置为与放射线检测器20分开的主体。

在以上示例性实施例中，给出彼此分开地设置放射线检测像素32A和放放射线照相成像像素32B的情况的说明，但是本发明不限于此。在此可以构成为将放射线照相成像像素32B应用为确定是否检测到放射线的传感器，而不提供放射线检测像素32A。即，可以构成为使确定是否检测到放射线的传感器对于放射线照相成像像素32B共有。在这样的情况下，本发明可以在不需要提供额外传感器的情况下被简单地实现。

在以上示例性实施例中，给出构成包括当接收由闪烁体8生成的光时生成电荷的有机光电转换材料的传感器部13的情况的说明。本发明不限于此，并且可以构成为，其中，传感器部13不包括有机光电转换材料。例如，在放射线被直接转换为电荷的构成中，传感器部13可以采用诸如非晶铯的半导体。

在以上示例性实施例中，给出容纳暗盒控制器58和电源单元70的壳体42被设置在电子暗盒40的外壳41内部以不与放射线检测器20重叠的情况的说明，然而不限于此。放射线检测器20可以例如被设置成与暗盒控制器58和/或电源单元70重叠。

在以上示例性实施例中，给出在电子暗盒40和控制台110之间、以及在放射线发生器120和控制台110之间执行无线通信的情况的说明，然而，本发明不限于此，并且可以在电子暗盒40和控制台110之间和/或放射线发生器120和控制台110之间执行有线通信。

在以上示例性实施例中，给出X射线被应用为放射线的情况的说明，然而本发明不限于此，并且诸如伽玛射线的其他放射线可以被应用为放射线。

以上示例性实施例中描述的RIS100（参见图1）、放射线照相成像室180（参见图2）、电子暗盒40（参见图3至图8）以及成像系统104（参见图9）的其他构成仅是其实例。明显地，例如，在不脱离本发明的精神的范围内，可以省略不必要部分，添加新部分，以及改变连接状态。

而且，以上示例性实施例（参见图12、图14、图15、图20）中描述的每个程序中的处理的流程也仅是其实例，并且明显地，在不脱离本发明的精神的范围内，可以省略不必要的步骤，添加新步骤，以及改变处理顺序。

可以适当地结合在各个上述示例性实施例中阐述的用于调节在检测放射线照射开始时的检测敏感度的各个控制。例如，可以执行第一示例性实施例中所述的调节施加至传感器部13的偏置电压的控制和第二示例性实施例中所述的调节电荷放大器92的驱动数量的控制的结合。

Claims

1.一种放射线照相成像设备，包括：

检测装置，所述检测装置检测在放射线照相图像的成像期间照射的放射线的照射开始；

导出装置，所述导出装置基于输入数据，导出将在特定时间段内照射的放射线的照射量；

控制装置，当由所述导出装置导出的放射线照射量增加时，所述控制装置使到所述检测装置的电力供应量变小，并且使得在所述检测装置中对照射开始的检测敏感度变低；以及

成像装置，所述成像装置在已经由所述检测装置检测到放射线照射开始之后，执行放射线照相图像成像。

2.根据权利要求1所述的放射线照相成像设备，其中：

所述控制装置与在所述检测装置中的对照射开始的检测敏感度独立地，控制在所述成像装置中在放射线照射图像的成像期间对所述放射线的检测敏感度。

3.根据权利要求1或2所述的放射线照相成像设备，其中：

所述检测装置包括：传感器部，所述传感器部生成基于所述放射线的照射量的量的电荷，并且根据所施加的偏置电压改变敏感度；以及偏置电压发生器，所述偏置电压发生器生成待施加至所述传感器部的偏置电压；并且

当由所述导出装置导出的所述放射线照射量变大时，所述控制装置使得所述偏置电压降低并且使到所述检测装置的所述电力供应量减小。

4.根据权利要求1或2所述的放射线照相成像设备，其中：

所述检测装置包括：多个传感器部，各个传感器部根据所述放射线的照射量生成电荷；以及信号处理部，所述信号处理部根据在所述多个传感器部中生成的电荷量生成电信号；并且

当由所述导出装置导出的所述放射线照射量增加时，所述控制装置使得在所述多个传感器部中的有效的传感器部的数量减小，并且使到所述检测装置的所述电力供应量减小。

5.根据权利要求1或2所述的放射线照相成像设备，其中：

当由所述导出装置导出的所述放射线照射量增加时，所述控制装置使到所述信号处理部的电力供应量减小。

6.根据权利要求4所述的放射线照相成像设备，其中：

所述信号处理部包括：多个运算放大电路，所述多个运算放大电路分别被提供为对应于所述多个传感器部中的相应一个；并且

当由所述导出装置导出的放射线照射量增加时，所述控制装置使得所述运算放大电路的驱动数量减小。

7.根据权利要求5所述的放射线照相成像设备，其中：

8.根据权利要求1或2所述的放射线照相成像设备，其中

所述控制装置包括：存储单元，所述存储单元存储有用于所述检测装置的多个检测敏感度设置，并且根据由所述导出装置导出的所述放射线照射量，选择存储在所述存储单元中的所述多个检测敏感度设置中的一个。

9.根据权利要求1或2所述的放射线照相成像设备，其中

所述导出装置导出从放射线源发射并且在穿过作为所述放射线照相图像的成像目标的被摄体时衰减的放射线在所述特定时间段内将照射到照射面上的照射量。

10.根据权利要求1或2所述的放射线照相成像设备，其中

所述导出装置使用与作为所述放射线照相图像的成像目标的被摄体有关的被摄体数据、或者放射线源的曝光条件中的至少一种作为输入数据，导出所述放射线的照射量。

11.根据权利要求10所述的放射线照相成像设备，其中

所述被摄体数据包括所述被摄体的成像目标部位；并且

所述曝光条件包括管电压或管电流中的至少一个。

12.根据权利要求10所述的放射线照相成像设备，进一步包括：

接收装置，所述接收装置接收所述被摄体数据或所述曝光条件的至少一种输入。

13.根据权利要求2所述的放射线照相成像设备，其中：

所述检测装置包括用于照射开始检测的传感器部；并且

所述放射线照相图像成像装置包括用于执行放射线照相图像成像并且与所述用于所述照射开始检测的传感器部分开的传感器部。

14.一种放射线照相成像设备，包括：

检测装置，所述检测装置检测在放射线照相图像成像期间照射的放射线的照射开始，并且根据被提供的电力的大小改变对所述放射线的检测敏感度；

通知装置，所述通知装置通知由所述导出装置导出的放射线照射量；

接收装置，所述接收装置接收所述检测装置的对放射线的检测敏感度的设置输入；

控制装置，所述控制装置将由所述接收装置接收的所述检测敏感度设置为所述检测装置的对放射线的检测敏感度；以及

成像装置，所述成像装置在已经由所述检测装置检测到放射线照射开始之后，执行所述放射线照相图像成像。

15.一种放射线照相成像系统，包括：

放射线照相成像设备，所述放射线照相成像设备包括：检测装置，所述检测装置检测在放射线照相图像成像期间照射的放射线的照射开始，并且根据被提供的电力的大小改变所述对放射线的检测敏感度；接收装置，所述接收装置接收所述检测装置的对放射线的检测敏感度的设置输入；控制装置，所述控制装置将由所述接收装置接收的所述检测敏感度设置为所述检测装置的对放射线的检测敏感度；以及成像装置，所述成像装置在已经由所述检测装置检测到照射开始之后，执行放射线照相图像成像；以及

控制设备，所述控制设备包括：第一导出装置，所述第一导出装置基于输入数据，导出在特定时间段内将被照射到所述放射线照相成像设备上的放射线的照射量；第二导出装置，所述第二导出装置导出用于所述检测装置中的对照射开始的检测敏感度的设置，使得由所述第一导出装置导出的放射线照射量越大，到所述检测装置的电力供应量越小；以及供应装置，所述供应装置为所述接收装置提供由所述第二导出装置导出的检测敏感度设置。

16.一种放射线照相成像系统，包括：

放射线照相成像设备，所述放射线照相成像设备包括：检测装置，所述检测装置检测在放射线照相图像成像期间照射的放射线的照射开始，并且根据所提供的电力的大小改变对所述放射线的检测敏感度；接收装置，所述接收装置接收所述检测装置的对放射线的检测敏感度的设置输入；控制装置，所述控制装置将由所述接收装置接收的所述检测敏感度设置为所述检测装置的所述对放射线的检测敏感度；以及成像装置，所述成像装置在已经由所述检测装置检测到放射线照射开始之后，执行放射线照相图像成像；以及

控制设备，所述控制设备包括：导出装置，所述导出装置基于输入数据，导出在特定时间段内将照射到所述放射线照相成像设备的放射线的照射量；通知装置，所述通知装置通知由所述导出装置导出的放射线照射量；以及供应装置，所述供应装置为所述接收装置提供输入的所述检测装置的对放射线的检测敏感度的设置。

17.一种放射线照射开始检测敏感度控制方法，包括：

基于输入数据，导出在放射线照相图像成像时，在特定时间段内将照射的放射线的照射量；并且

所导出的放射线照射量越大，使到检测所述放射线的照射开始的检测装置的电力供应量越小，并且降低在所述检测装置中对放射线照射开始的检测敏感度。