CN103489772B - 晶片的加工方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种晶片的加工方法，其能够对通过层叠于基板表面的功能层而形成了器件的晶片在不使器件的抗弯强度降低的情况下沿着间隔道可靠地进行分割。一种晶片的加工方法，是对通过层叠于基板表面的功能层而形成了器件的晶片沿着划分该器件的多条间隔道进行分割的方法，所述晶片的加工方法包括：划线槽形成工序，沿着形成于晶片的间隔道从晶片的表面侧照射相对于功能层具有吸收性的波长的激光光线，在功能层沿着间隔道形成不到达基板的划线槽；改性层形成工序，从晶片的背面侧沿着间隔道照射相对于晶片的基板具有透射性的波长的激光光线，在基板的内部沿着间隔道形成改性层；以及分割工序，对形成有该改性层的晶片施加外力，沿着间隔道分割晶片。

Description

晶片的加工方法

技术领域

本发明涉及对通过层叠于基板表面的功能层而形成了器件的晶片沿着划分器件的多条间隔道进行分割的晶片的加工方法。

背景技术

本领域技术人员众所周知，在半导体器件制造工序中，在硅等基板的表面通过层叠绝缘膜和功能膜而构成的功能层，而形成将多个IC（Integrated circuit，集成电路）、LSI（Large Scale Integration，大规模集成电路）等器件形成为矩阵状的半导体晶片。这样形成的半导体晶片通过称为间隔道的分割预定线来划分上述器件，并沿着该间隔道来分割像这样形成的半导体晶片，从而制造出一个个半导体器件。

最近，为了提升IC、LSI等半导体芯片的处理能力，以下方式的半导体晶片被实用化：通过在硅等基板的表面层叠低介电常数绝缘体被膜（Low-k膜）和形成器件的功能膜的功能层而形成半导体器件，其中所述低介电常数绝缘体被膜由SiOF、BSG（SiOB）等无机物系的膜或为聚酰亚胺系、聚对二甲苯系等的聚合物膜的有机物系的膜构成。

另外，以以下方式构成的半导体晶片也被实用化：将层叠有称为测试元件组（TEG）的金属膜的金属图案局部地配设于半导体晶片的间隔道，在分割半导体晶片前通过金属图案来测试器件的功能。

作为分割上述半导体晶片等板状的被加工物的方法，还试行了这样的激光加工方法：使用相对于该被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线，并将聚光点对准应该分割的区域的内部来照射脉冲激光光线。使用该激光加工方法的分割方法是这样的方法：从被加工物的一面侧将聚光点对准到内部来照射相对于被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线，沿着间隔道在被加工物的内部连续地形成改性层，沿着通过形成该改性层而强度有所降低的间隔道来施加外力，由此分割被加工物。（例如，参照专利文献1。）

然而，即使想要使用上述的激光加工方法来分割在基板的表面层叠有低介电常数绝缘体被膜（Low-k膜）的晶片或配设有金属图案的晶片，其中所述金属图案层叠有称为测试元件组（TEG）的金属膜，也无法可靠地沿着间隔道进行分割。即，从晶片的一面侧将聚光点对准到基板的内部来照射相对于基板具有透射性的波长的脉冲激光光线，沿着间隔道在基板内部形成了改性层后，即使沿着间隔道施加外力，也无法可靠地断裂低介电常数绝缘体被膜（Low-k膜）和金属膜等功能层。另外，即使晶片沿着间隔道断裂了，也存在这样的问题：功能层剥离，使得一个个分割出的器件的品质降低。

为了解决这样的问题，下述专利文献2中记载有这样的晶片分割方法：向层叠于基板的功能层沿着间隔道照射相对于功能层具有吸收性的波长的激光光线，由此沿着间隔道来断裂功能层，沿着间隔道从基板的背面侧照射相对于基板具有透射性的波长的激光光线，沿着间隔道在基板的内部形成改性层，然后，对形成有改性层的晶片施加外力，沿着间隔道来分割晶片。

现有技术文献

专利文献1：日本专利第3408805号公报

专利文献2：日本特开2007-173474号公报

发明内容

然而，在记载于上述专利文献2的晶片的分割方法中，由于通过沿着间隔道照射相对于层叠于基板的功能层具有吸收性的波长的激光光线，来沿着间隔道断裂功能层，所以基板也被沿着间隔道进行激光加工。因此，存在这样的问题：由于构成沿着间隔道而分割出来的器件的基板的表面侧的外周缘通过激光加工而成为熔融再固化后的状态，所以器件的抗弯强度降低。

本发明是鉴于上述事实而做出的发明，其主要技术课题在于提供一种晶片的加工方法，其能够对通过层叠于基板表面的功能层而形成了器件的晶片在不使器件的抗弯强度降低的情况下沿着间隔道可靠地进行分割。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明提供一种晶片的加工方法，是对通过层叠于基板表面的功能层而形成了器件的晶片沿着划分该器件的多条间隔道进行分割的方法，所述晶片的加工方法的特征在于，包括：划线槽形成工序，沿着形成于晶片的间隔道从晶片的表面侧照射相对于功能层具有吸收性的波长的激光光线，在功能层沿着间隔道形成不到达基板的划线槽；改性层形成工序，从晶片的背面侧沿着间隔道照射相对于晶片的基板具有透射性的波长的激光光线，在基板的内部沿着间隔道形成改性层；以及分割工序，对形成有该改性层的晶片施加外力，沿着间隔道分割晶片。

在实施了所述划线槽形成工序后，将保护部件粘贴到晶片的表面实施改性层形成工序，所述分割工序中，通过保持构件来保持晶片的保护部件侧，一边旋转磨削磨具一边将磨削磨具按压至基板的背面来进行磨削，使基板形成为预定的厚度并且沿着形成有改性层的间隔道来进行分割。

而且，在实施所述划线槽形成工序前实施所述改性层形成工序，所述晶片的加工方法包括晶片支撑工序，在该晶片支撑工序中，将通过实施所述改性层形成工序而在基板内部沿着间隔道形成有改性层的晶片的背面粘贴到切割带的表面，其中所述切割带安装于环状框架，对粘贴于在环状框架安装的切割带的表面的晶片实施所述划线槽形成工序，所述分割工序中，使粘贴有晶片的切割带扩张来对晶片作用拉伸力，由此沿着间隔道来分割晶片。

发明效果

在基于本发明的晶片的加工方法中，由于实施划线槽形成工序来沿着间隔道在功能层形成不到达基板的划线槽，并且实施改性层形成工序来沿着间隔道在基板的内部形成改性层，然后，对形成有改性层的晶片施加外力，从而沿着间隔道来分割晶片，所以能够沿着间隔道可靠地分割晶片。

另外，由于通过上述划线槽形成工序而形成于功能层的划线槽形成在在不到达基板的范围，所以不会对基板实施激光加工。因此，沿着间隔道而分割出来的器件的表面侧的外周缘不会由于激光加工而成为熔融再固化后的状态，所以器件的抗弯强度不会降低。

附图说明

图1是表示通过本发明的晶片的加工方法而被分割的半导体晶片的立体图以及主要部分放大剖视图。

图2是用于实施本发明的晶片的加工方法中的划线槽形成工序的激光加工装置的主要部分立体图。

图3是使用图2所示的激光加工装置实施的本发明的晶片的加工方法中的划线槽形成工序的说明图。

图4是本发明的晶片的加工方法中的保护部件粘贴工序的说明图。

图5是用于实施本发明的晶片的加工方法中的改性层形成工序的激光加工装置的主要部分立体图。

图6是使用图2所示的激光加工装置实施的本发明的晶片的加工方法中的改性层形成工序的说明图。

图7是用于实施兼作为本发明的晶片的加工方法中的分割工序的背面磨削工序的磨削装置的主要部分立体图。

图8是使用图7所示的磨削装置实施的兼作为本发明的晶片的加工方法中的分割工序的背面磨削工序的说明图。

图9是本发明的晶片的加工方法中的晶片支撑工序的说明图。

图10是表示本发明的晶片的加工方法中的改性层形成工序的其他实施方式的说明图。

图11是用于实施本发明的晶片的加工方法中的分割工序的分割装置的立体图。

图12是使用图2所示的分割装置来实施的本发明的晶片的加工方法中的分割工序的说明图。

标号说明

2：半导体晶片

20：基板

21：功能层

22：器件

23：间隔道

24：划线槽

25：改性层

3：激光加工装置

30：激光加工装置

31：激光加工装置的卡盘工作台

32：激光光线照射构件

322：聚光器

4：保护部件

5：磨削装置

51：磨削装置的卡盘工作台

52：磨削构件

524：磨削轮

6：环状框架

7：切割带

8：分割装置

81：框架保持构件

82：带扩张构件

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的晶片的加工方法进行更详细的说明。

图1的（a）以及（b）表示通过本发明的晶片的加工方法而被分割为一个个器件的半导体晶片的立体图以及主要部分放大剖视图。图1的（a）以及（b）所示的半导体晶片2通过在硅等基板20的表面层叠绝缘膜和形成电路的功能膜而成的功能层21来将多个IC、LSI等器件22形成为矩阵状。并且，通过形成为格子状的间隔道23来划分各器件22。另外，在图示的实施方式中，形成功能层21的绝缘膜由低介电常数绝缘体被膜（Low-k膜）构成，所述低介电常数绝缘体被膜（Low-k膜）由SiO₂（二氧化硅）膜或SiOF（氟氧化硅）、BSG（硼硅玻璃）（SiOB，硼氧化硅）等无机物系的膜，或为聚（酰）亚胺系、聚对二甲苯系等的聚合物膜的有机物系的膜构成。另外，在本说明书中，功能层包括配设于间隔道的金属膜。

参照图2至图8对沿着间隔道23来分割上述半导体晶片2的第1实施方式进行说明。

在第1实施方式中，首先实施划线槽形成工序：沿着半导体晶片2的间隔道23从半导体晶片2的表面侧照射相对于功能层21具有吸收性的波长的激光光线，在功能层21沿着间隔道23形成不到达基板20的划线槽。使用图2所示的激光加工装置3来实施该划线槽形成工序。图2所示的激光加工装置3具有：卡盘工作台31，其用于保持被加工物；激光光线照射构件32，其将激光光线照射到保持于该卡盘工作台31上的被加工物；以及摄像构件33，其用于拍摄保持于卡盘工作台31上的被加工物。以吸引保持被加工物的方式构成卡盘工作台31，该卡盘工作台31通过未图示的移动机构在图2中箭头X所示的加工进给方向以及箭头Y所示的分度进给方向移动。

上述激光光线照射构件32包括实质上水平配置的圆筒状的壳体321。在壳体321内配设有脉冲激光光线振荡构件，所述脉冲激光光线振荡构件具有由未图示的YAG激光振荡器或YVO4激光振荡器构成的脉冲激光光线振荡器、和重复频率设定构件。上述壳体321的末端部安装有聚光器322，聚光器322用于对从脉冲激光光线振荡构件振荡出的脉冲激光光线进行聚光。

安装于构成上述激光光线照射构件32的壳体321末端部的摄像构件33除了图示的实施方式中利用可见光光线进行拍摄的通常的摄像元件（CCD，Charge Coupled Device,电荷耦合器件）之外，还由以下部分构成：将红外线照射到被加工物的红外线照明构件、捕捉由该红外线照明构件照射的红外线的光学系统、以及输出与由该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号的摄像元件（红外线CCD）等，摄像构件33将拍摄到的图像信号发送给未图示的控制单元。

参照图2以及图3对使用上述激光加工装置3来实施的划线槽形成工序进行说明。

该划线槽形成工序中，首先将半导体晶片2装载到上述的图2所示的激光加工装置3的卡盘工作台31上，并将半导体晶片2吸附保持在该卡盘工作台31上。这时，将半导体晶片2保持成表面2a位于上侧。

通过未图示的加工进给机构将如上所述吸引保持了半导体晶片2的卡盘工作台31定位到摄像构件33的正下方。将卡盘工作台31定位到摄像构件33的正下方后，执行校准（alignment）作业，该校准作业中，通过摄像构件33以及未图示的控制构件来检测半导体晶片2的应该进行激光加工的加工区域。即，摄像构件33以及未图示的控制构件执行模式匹配等图像处理，并完成激光光线照射位置的校准，其中所述模式匹配等图像处理用于进行形成于半导体晶片2的预定方向的间隔道23和沿着间隔道23照射激光光线的激光光线照射构件32的聚光器322的位置对准。另外，针对形成于半导体晶片2的在与上述预定方向正交的方向延伸的间隔道23同样地完成激光光线照射位置的校准。

如上所述检测出在保持于卡盘工作台31上的半导体晶片2形成的间隔道23，并对激光光线照射位置进行校准后，如图3所示，将卡盘工作台31移动到照射激光光线的激光光线照射构件32的聚光器322所在的激光光线照射区域，并将预定的间隔道23定位到聚光器322的正下方。这时，如图3的（a）所示，半导体晶片2被定位成：间隔道23的一端（图3的（a）中为左端）位于聚光器322的正下方。接下来，一边从激光光线照射构件32的聚光器322照射相对于半导体晶片2的功能层21具有吸收性的波长的脉冲激光光线，一边向图3的（a）中箭头X1所示的方向以预定加工进给速度移动卡盘工作台31即半导体晶片2。然后，如图3的（b）所示，在间隔道23的另一端（图3的（b）中为右端）到达聚光器322的正下方位置之后，停止照射脉冲激光光线并且停止移动卡盘工作台31即半导体晶片2。在该划线槽形成工序中，将脉冲激光光线的聚光点P对准间隔道23的表面附近。

通过实施上述的划线槽形成工序，如图3的（b）以及（c）所示，在功能层21沿着间隔道23形成有未到达基板20的划线槽24。沿着形成于半导体晶片2的全部间隔道23来实施上述的划线槽形成工序。

另外，例如通过以下加工条件来进行上述划线槽形成工序。

在利用上述加工条件来照射的脉冲激光光线的由高斯分布构成的输出分布的顶点进行加工，由此在功能层21沿着间隔道23形成有宽度为1～3μm、深度为1～2μm的划线槽24。

实施了上述的划线槽形成工序后，如图4的（a）以及（b）所示，在半导体晶片2的表面粘贴用于保护器件22的保护部件4（保护部件粘贴工序）。

接下来，实施改性层形成工序：从基板20的背面2b侧沿着间隔道23照射相对于半导体晶片2的基板20具有透射性的激光光线，沿着间隔道23在基板20的内部形成改性层。使用实质上与上述图2所示的激光加工装置3同样结构的图5所示的激光加工装置30来实施该改性层形成工序。另外，由于激光加工装置30与激光加工装置3实质上由同样的部件构成，所以同一部件标注同一标号并省略其说明。

使用上述的激光加工装置30来实施改性层形成工序时，将粘贴于半导体晶片2的表面2a的保护部件4侧装载到图5所示的激光加工装置30的卡盘工作台31上，并通过未图示的吸引构件将半导体晶片2吸附保持到卡盘工作台31上。因此，吸引保持于卡盘工作台31的半导体晶片2的背面2b为上侧。通过未图示的移动机构将像这样吸引保持了半导体晶片2的卡盘工作台31定位到摄像构件33的正下方。

将卡盘工作台31定位到摄像构件33的正下方后，施行校准作业，在该校准作业中通过摄像构件33以及未图示的控制构件来检测半导体晶片2的应该进行激光加工的加工区域。该校准作业实质上与划线槽形成工序中的校准作业相同。另外，在该校准作业中使半导体晶片2的形成有间隔道23的表面2a位于下侧，但是由于摄像构件33如上所述具有摄像构件，该摄像构件由红外线照明构件、捕捉红外线的光学系统以及输出与红外线对应的电信号的摄像元件（红外线CCD）等构成，所以能够透过背面2b来拍摄间隔道23。

如上所述对在保持于卡盘工作台31上的半导体晶片2形成的间隔道23进行检测，并进行了激光光线照射位置的校准后，以图6的（a）所示那样将卡盘工作台31移动到照射激光光线的激光光线照射构件32的聚光器322所在的激光光线照射区域，将预定的间隔道23的一端（图6的（a）中为左端）定位到激光光线照射构件32的聚光器322的正下方。然后，一边从聚光器322照射相对于基板20具有透射性的波长的脉冲激光光线一边以预定的进给速度使卡盘工作台向图6的（a）中箭头X1所示的方向移动。并且，如图6的（b）所示那样聚光器322的照射位置到达间隔道23另一端的位置后，停止照射脉冲激光光线并且停止移动卡盘工作台31。在该改性层形成工序中，通过将脉冲激光光线的聚光点P对准到半导体晶片2的内部，如图6的（b）以及（c）所示在半导体晶片2的内部沿着间隔道23形成有改性层25。沿着形成于半导体晶片2的所有间隔道23来实施上述的改性层形成工序。

上述改性层形成工序中的加工条件例如如下设定。

在实施了上述的改性层形成工序后，实施分割工序，在该分割工序中向形成有改性层25的半导体晶片2施加外力，沿着间隔道23来分割半导体晶片2。通过实施背面磨削工序从而达成该分割工序，在背面磨削工序中，通过保持构件来保持半导体晶片2的保护部件4侧，一边旋转磨削磨具一边将磨削磨具按压到基板20的背面来进行磨削，使基板20形成为预定厚度并沿着形成有改性层的间隔道23来进行分割。使用图7所示的磨削装置5来实施兼作为该分割工序的背面磨削工序。图7所示的磨削装置5具有：卡盘工作台51，其为保持被加工物的保持构件；以及磨削构件52，其用于对保持于该卡盘工作台51的被加工物进行磨削。卡盘工作台51构成为将被加工物吸引保持到上表面，通过未图示的旋转驱动机构使卡盘工作台51向图7中箭头51a所示的方向旋转。磨削构件52具有：主轴壳体521；旋转主轴522，其旋转自如地支撑于该主轴壳体521并通过未图示的旋转驱动机构而旋转；安装座523，其安装于该旋转主轴522的下端；以及磨削轮524，其安装于该安装座的下表面。该磨削轮524由圆状的基座525和环状地安装于该基座525的下表面的磨削磨具526构成，通过紧固螺栓527将基座525安装于安装座523的下表面。

使用上述的磨削装置5来实施上述磨削工序时，如图7所示将半导体晶片2的保护部件4侧装载到卡盘工作台51的上表面（保持面）。并且，通过启动未图示的吸引构件，经保护部件4将半导体晶片2吸引保持到卡盘工作台51上（晶片保持工序）。因此，经保护部件4而吸引保持于卡盘工作台51的半导体晶片2的背面2b为上侧。像这样将半导体晶片2经保护部件4吸引保持于卡盘工作台51上后，一边使卡盘工作台51向图7中箭头51a所示的方向例如以600rpm的速度进行旋转，一边使磨削构件52的磨削轮524向图7中箭头524a所示的方向例如以3000rpm的速度进行旋转，如图8的（a）所示，使磨削磨具526接触到作为被加工面的、构成半导体晶片2的半导体基板20的背面2b，使磨削轮524如图7以及图8的（a）中箭头524b所示例如以1μm/秒的磨削进给速度向下方（相对于卡盘工作台51的保持面垂直的方向）进行预定量的磨削进给（背面磨削工序）。其结果是，构成半导体晶片2的半导体基板20的背面2b被磨削，如图8的（a）以及（b）所示，半导体晶片2形成为预定的厚度（例如100μm），并且变薄了的半导体晶片2被沿着形成有改性层并强度降低了的间隔道23分割为一个个器件22。这时，由于层叠于半导体基板20表面并形成器件22的功能层21沿着间隔道23形成有划线槽24，所以功能层21也沿着间隔道23被分割。另外，由于划线槽24如上所述在功能层21形成在不到达基板20的范围，所以不会对基板20实施激光加工。因此，如上所述沿着间隔道23被分割出的器件22的表面的外周缘不会由于激光加工而成为熔融再固化后的状态，所以器件22的抗弯强度不会降低。

接下来，对沿着间隔道23来分割上述的半导体晶片2的第2实施方式进行说明。另外，在第2实施方式中，预先磨削半导体晶片2的半导体基板20的背面并形成为预定厚度（例如100μm）。

第2实施方式在实施上述划线槽形成工序前实施上述改性层形成工序。该改性层形成工序能够与上述图5以及图6所示的改性层形成工序同样地实施。另外，在上述的图5以及图6所示的改性层形成工序中例示了在将保护部件粘贴于半导体晶片2的表面的状态下实施的例子，但是也可以不将保护部件粘贴于半导体晶片2的表面而实施改性层形成工序。

在实施了改性层形成工序后，实施晶片支撑工序，在该晶片支撑工序中，将在半导体基板20内部沿着间隔道23形成有改性层的半导体晶片2的背面粘贴于切割带的表面，其中所述切割带安装于环状框架。即，如图9的（a）以及（b）所示将半导体晶片2的背面2b侧粘贴到切割带7的表面，其中所述切割带7安装于环状框架6并由聚烯烃等合成树脂片构成。因此，粘贴于切割带7的表面的半导体晶片2的表面2a为上侧。

接下来，实施划线槽形成工序：沿着粘贴于切割带7（该切割带7安装于环状框架6）的表面的半导体晶片2的间隔道23从半导体晶片2的表面侧照射相对于功能层21具有吸收性的波长的激光光线，在功能层21沿着间隔道23形成不到达半导体基板20的划线槽。使用上述图2所示的激光加工装置3来实施该划线槽形成工序。即，将粘贴有半导体晶片2的切割带7侧装载到图2所示的激光加工装置3的卡盘工作台31上，并经切割带7将半导体晶片2吸附保持到该卡盘工作台31上。因此，保持于卡盘工作台31的半导体晶片2的表面2a为上侧。另外，通过未图示的夹紧器将安装有切割带7的环状框架6固定于卡盘工作台31。

通过未图示的加工进给机构将如上所述吸引保持了半导体晶片2的卡盘工作台31定位到摄像构件33的正下方。将卡盘工作台31定位到摄像构件33的正下方后，执行上述的校准作业：通过摄像构件33以及未图示的控制构件来检测半导体晶片2的应该进行激光加工的加工区域。

接下来，如图10的（a）所示将卡盘工作台31移动到照射激光光线的激光光线照射构件32的聚光器322所在的激光光线照射区域，并将预定的间隔道23定位于聚光器322的正下方。并且，与上述图3所示的实施方式同样地实施划线槽形成工序。其结果为，如图10的（b）以及（c）所示，在功能层21沿着间隔道23形成有不到达基板20的划线槽24。沿着形成于半导体晶片2的全部间隔道23来实施上述的划线槽形成工序。

在实施了上述的划线槽形成工序后，实施分割工序：对形成有改性层25的半导体晶片2施加外力，并沿着间隔道23来分割半导体晶片2。在图示的实施方式中使用图11所示的分割装置8来实施该分割工序。图11所示的分割装置8具有：框架保持构件81，其用于保持上述环状框架6；带扩张构件82，其用于扩张安装于环状框架6的切割带7，其中所述环状框架6被保持于该框架保持构件81。框架保持构件81由环状的框架保持部件811和多个夹紧器812构成，其中所述多个夹紧器812为配设于该框架保持部件811的外周的固定构件。框架保持部件811的上表面形成装载环状框架6的装载面811a，在该装载面811a上装载环状框架6。并且，通过夹紧器812将装载于装载面811a上的环状框架6固定于框架保持部件811。像这样构成的框架保持构件81被带扩张构件82支撑成能够在上下方向进退。

带扩张构件82具有配设于上述环状的框架保持部件811内侧的扩张鼓821。该扩张鼓821具有比环状框架6的内径小且比粘贴于切割带7的半导体晶片2的外径大的内径以及外径，其中所述切割带7安装于所述环状框架6。另外，扩张鼓821在下端具有支撑凸缘822。图示的实施方式中的带扩张构件82具有将上述环状的框架保持部件811支撑为能够在上下方向进退的支撑构件83。该支撑构件83由配设于上述支撑凸缘822上的多个气缸831构成，其活塞杆832连接于上述环状的框架保持部件811的下表面。像这样由多个气缸831构成的支撑构件83使环状的框架保持部件811在上下方向在基准位置和扩张位置之间移动，所述基准位置为装载面811a与扩张鼓821的上端大致为同一高度的位置，所述扩张位置为装载面811a比扩张鼓821的上端靠下方预定量的位置。因此，由多个气缸831构成的支撑构件83作为使扩张鼓821和框架保持部件811在上下方向相对移动的扩张移动构件来发挥功能。

参照图12对使用以上述方式构成的分割装置8来实施的分割工序进行说明。即，如图12的（a）所示，将经切割带7支撑半导体晶片2（沿着间隔道23形成有划线槽24和改性层25）的环状框架6装载到构成框架保持构件81的框架保持部件811的装载面811a上，并通过夹紧机构812来固定于框架保持部件811。这时，将框架保持部件811定位到图12的（a）所示的基准位置。接下来，使构成带扩张构件82的作为支撑构件83的多个气缸831工作，将环状的框架保持部件811下降至图12的（b）所示的扩张位置。因此，固定于框架保持部件811的装载面811a上的环状框架6也下降，所以如图12的（b）所示，安装于环状框架6的切割带7抵接于扩张鼓821的上端缘并扩张（带扩张工序）。其结果为，在粘贴于切割带7的半导体晶片2放射状地作用有拉伸力。像这样以放射状对半导体晶片2作用拉伸力时，由于沿着间隔道23而形成的改性层25的强度降低，所以以该改性层25为分割起点沿着形成有改性层25的间隔道23来断裂构成半导体晶片2的基板20，从而分割为一个个器件22。这时，由于层叠于基板20表面并形成器件22的功能层21沿着间隔道23形成有划线槽24，所以功能层21也被沿着间隔道23分割。另外，由于划线槽24如上所述在功能层21形成在不到达基板20的范围，所以不会对基板20实施激光加工。因此，如上所述沿着间隔道23而分割出来的器件22的表面侧的外周缘不会由于激光加工而成为熔融再固化后的状态，所以器件22的抗弯强度不会降低。

Claims (3)

1.一种晶片的加工方法，是对通过层叠于基板表面的功能层而形成了器件的晶片沿着划分该器件的多条间隔道进行分割的方法，

所述晶片的加工方法的特征在于，包括：

划线槽形成工序，沿着形成于晶片的间隔道从晶片的表面侧照射相对于功能层具有吸收性的波长的激光光线，在功能层沿着间隔道形成不到达基板且使基板的表面不会成为熔融再固化后的状态的划线槽；

改性层形成工序，从晶片的背面侧沿着间隔道照射相对于晶片的基板具有透射性的波长的激光光线，在基板的内部沿着间隔道形成改性层；以及

分割工序，对形成有该改性层的晶片施加外力，沿着间隔道分割晶片。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在实施了所述划线槽形成工序后，将保护部件粘贴到晶片的表面来实施所述改性层形成工序，

所述分割工序中，通过保持构件来保持晶片的保护部件侧，一边旋转磨削磨具一边将磨削磨具按压至基板的背面来进行磨削，使基板形成为预定的厚度并且沿着形成有改性层的间隔道来进行分割。

3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在实施所述划线槽形成工序前实施所述改性层形成工序，

所述晶片的加工方法包括晶片支撑工序，在该晶片支撑工序中，将通过实施所述改性层形成工序而在基板内部沿着间隔道形成有改性层的晶片的背面粘贴到切割带的表面，其中所述切割带安装于环状框架，

对粘贴于在环状框架安装的切割带的表面的晶片实施所述划线槽形成工序，

所述分割工序中，使粘贴有晶片的切割带扩张来对晶片作用拉伸力，由此沿着间隔道来分割晶片。