CN1034895C - 用于电子元件制造框架的预处理方法和设备 - Google Patents
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Abstract
提供了一种用于冲切制备的电子元件制造框架的预处理方法。该方法包括朝框架喷射夹带在高速气流中的磨砂,其中磨砂具有的平均直径不大于200微米,最好为不大于100微米,特别是不大于50微米。用玻璃制造磨砂更为有利。
Description
本发明涉及用于电子元件制造框架,例如引线框架的预处理方法和设备。更具体地说,本发明涉及在将引线框架用于制造电子元件之前,对其表面进行喷射硬化处理的方法和设备。
众所周知,一般采用特殊设计的、称为“引线框架”的制造框架制造电子元件或半导体器件,例如集成电路或大规模集成电路。由于近年来电子元件高度集成化的趋势,引线框架也被制成具有极精致的图形。
图15至18示出了极精致的引线框架的实例。具体地说,由附图标记F总体地表示的引线框架包括多个芯片接合岛形区(d)(图中仅示出一个),每个岛形区都由矩形布置的隔条组(a)环绕。通过支撑条(h)将每个岛形区(d)连接到引线框架上。
引线框架F进一步包括从每个隔条(a)向外延伸的外引线组(b),以及从隔条朝对应的岛形区(d)向内延伸的内引线组(c)。如图16中所示,最初通过连接条(e)使具有导线接合端的内引线组(c)相互连接。
引线框架F可以具有例如0.2毫米的小的厚度。另外,由于高度集成化,每组中的外引线(b)可能以例如0.5毫米的较小间距密集排列。显然,在相同组中内引线(c)之间的间距实际上等于外引线(b)间的间距,但是朝芯片衔接岛形区(d)方向逐渐减小(参见图15、16和18)。
在制造电子元件时,首先将半导体芯片(图中未示出)粘接到引线框架F的每个芯片接合岛形区(d)。然后将电气绝缘胶带(f)加到靠近每个连接条(e)的内部引线(c)上,并且将连接条(e)从内部引线(c)上切下来(参见图18)。接着通过金属导线(图中未示出)将芯片电气连接到内部引线(c)上。然后对由每个矩形组隔条(a)环绕的(包括未示出的芯片)引线框架F部分形成树脂封装,并且将各个外引线(b)之间的隔条(a)的部分去除,以便制成电气上彼此独立的各个外引线(b)(及内引线)。最后将外引线(b)和支撑条(h)从引线框架F上切下来,并且适当地弯曲外部引线(b)。
可以通过例如蚀刻薄金属片制备引线框架F。然而,众所周知,蚀刻方法是非常费时的,成本也较高。
另外一种方案是,可以通过冲切薄金属片制备引线框架F。然而,众所周知,在下述方面冲切引线框架是不利的。
首先,制成的冲切引线框架F具有由于冲切操作导致的局部内应力。这种应力导致引线框架F具有翘曲的趋势,因此不能满足保证良好产品质量所需的高平直度。
其次,引线框架的局部内部应力会导致在与连接条(e)分离时使内引线(c)变形。显然,内引线(c)的这种变形会导致内引线(c)间不适当的导线连接或短接,从而降低了电子元件的产品合格率(即提高了生产成本)。虽然通过电气绝缘树脂带(f)(图16)在某种程度上能够阻止内引线(c)的变形,但是该树脂带不会消除内引线(c)的变形趋势。使用树脂带(f)本身也会导致生产成本的增加。
第三,冲切操作必然会在引线框架F的各个边缘(包括各个引线的边缘)形成毛刺(g)(参见图17)。显然由于毛刺的存在,在后形成的树脂封装中(图中未示出)将有可能让湿气在毛刺处进入,因此会导致质量的降低(例如电路故障)。另外,毛刺(g)的存在(图17)会妨碍焊剂镀覆,而焊剂镀覆是为改善各个引线(b、c)与其相连的元件之间的电气连接所需的。
因此,本发明的目的是至少部分解决在冲切之后由于保留在电子元件制造框架中的局部内应力引起的各种问题。
根据本发明的一个方案,提供一种对冲切制备的电子元件制造框架进行预处理的方法,该方法包括朝框架喷射在高速气流中夹带的磨砂,磨砂的平均直径不大于200微米。
优选的方案是磨砂的平均直径不大于100微米,特别是平均直径不大于50微米。另外,有利方案是磨砂可以包括球形的玻璃微粒。
如前面结合现有技术所述,冲切的框架具有以后会导致框架变形的局部内应力。对于消除框架整个面积上的内应力,以及为阻止或减小内应力的释放所需的框架表面硬化的喷砂效果而言,用尺寸较小的磨砂进行高速喷射被认为是有效的。另外,玻璃微粒的高速喷射还会产生清理效果,以便去除由冲切操作必然会产生的框架毛刺。
根据本发明的另一个方案,提供一种用于通过冲切制备的电子元件制造框架的预处理设备,该设备包括喷射室,用于在喷射室中传送框架的传送装置,以及至少一个设置在喷射室中用于朝框架喷射高速气流中夹带的磨砂的喷嘴,其中磨砂的平均直径不大于200微米。
在优选的方案中,可以采用例如罗茨鼓风机那样的低压鼓风机,以便向喷嘴以0.3-0.6大气压的低计量压力供气,用于速度小于100米/秒的高速放出气流。由于使用这种鼓风机,可以将喷嘴制成具有较大面积的放气孔,以便在整个框架表面上均匀地进行预处理。
根据本发明的优选实施例,装有至少两个喷嘴,用于朝框架两个相对的表面喷射磨砂。在这种情况下,喷嘴之一不仅能有效地预处理框架,而且能在清理框架时去除框架上的毛刺。
从下面参照附图进行的详细说明,就能完全理解本发明的其他目的、特征和优点。
以下是附图的简要说明。
图1是示意前视图,示出了根据本发明优选实施例的预处理设备的总配置。
图2是表示相同预处理设备的示意侧视图。
图3是沿图2中线III-III的剖视图。
图4是沿图3中线IV-IV的剖视图。
图5是平面图,示出了装在预处理设备中的传送装置的入口部分。
图6是沿图5中线VI-VI的剖视图。
图7是沿图6中线VII-VII的剖视图。
图8是平面图,示出了传送装置的出口部分。
图9是沿图8中线IX-IX的剖视图。
图10是沿图9中线X-X的剖视图。
图11是沿图9中线XI-XI的剖视图。
图12是沿图1中线XII-XII的剖视图。
图13是垂直剖视图,示出了装在预处理设备中的喷嘴。
图14是相同的喷嘴沿图13中箭头XIV方向看的视图。
图15是平面图,示出了引线框架,作为可以对其使用本发明的电子元件制造框架的实例。
图16是示出引线框架一部分的局部放大视图。
图17是沿图16中线XVII-XVII的剖视图。
图18是与图16相同的局部放大视图,但是示出了切除连接条之后的相同引线框架。
参见附图中的图1至14,其中示出了根据本发明的实施例用于电子元件制造框架的表面预处理设备1。该表面预处理设备1应用磨砂喷射装置。每个框架都可以是具有如图15至18作为举例示出的那种形状的引线框架。
如图1和2中所示,表面预处理设备1包括由入口容器27和出口容器28法兰连接的喷射室2。这些容器被固定成与喷射室2连通。传送装置3实际上水平延伸通过位于入口与出口容器27、28之间的喷射室2,用于连续地传送多个引线框架F(参见图2),下面将更详细地说明。
在由传送装置3传送的引线框架F的上面和下面,设置多个喷嘴4,其相应的喷嘴孔正对着引线框架F。通过各个供气软管5a,将喷嘴4连接到空气分配管5上。空气分配管5被设置在喷射室2的上部,并且连接到例如罗茨鼓风机那样的低压空气发生源(图中未示出)。在另一种方案中,空气分配管5可以连接到例如压缩机那样的高压空气发生源(图中未示出)。
如图2中所示,伞形集尘罩7也被设置在喷射室2的上部,位于稍微后于空气分配管5的位置。罩7顶部通过排尘管8连接到收尘器9,收尘器被设置在外面并在喷射室2靠面的位置。收尘器9可以是通用的收尘器,包括收尘腔10和设置在腔10上面的吸风机11,通过排尘管8将含尘空气吸入收尘腔10。通过过滤去除在收尘腔10中的灰尘。
喷射室2具有底部的漏斗部分12,其直径朝下方缩小。漏斗部分12连接到设置在漏斗部分12之下的磨料回收容器13。
如图3和4中更具体地示出,磨料回收容器13是以收集器容器的形式连接到漏斗部分12的下端,用于接收从漏斗部分12落下的磨料S。在回收容器13的上部装有上部筛网26a,用于去除较粗的灰尘,而让较细的灰尘和磨料S通过。在回收容器13的下部装有抽斗26,该抽斗包括具有目孔尺寸小于磨料S微粒尺寸的下部筛网26b。因此,下部筛网26b阻止磨料S通过,而允许较细的灰尘进入抽斗26,以便将其去除。
磨料回收容器13进一步包括多个磨料吸管14,每个磨料吸管具有吸入口14a,以及相应数量的放气管15(参见图3和4),每个放气管具有轴向与相应磨料吸管14的吸入口14a对准的放气端15a,并在其间形成环形间隙21(参见图4)。当空气从放气管15分别进入磨料吸管14时,磨料S就被吸入吸管14,并且由空气夹带。
如图1、2和4中所示,通过各个磨料供料软管6,磨料吸管14被连接到相应的吸嘴4。同样如图2中所示,通过各个供气软管22,放气管15被连接到公用的均压箱23,均压箱本身又连接到鼓风机24。
如图4中所示,通过第一套管1将每个磨料吸管14实际上水平地安装到回收容器13的侧壁部分13a上,第一套管贯穿侧壁部分13a。并被固定其上,以便可滑动地容纳吸管14。第一定位螺钉18穿过套管17径向延伸,与吸管14衔接。因此,松开和旋紧定位螺钉18,能够水平(轴向)调整吸管14的位置。
同样,通过第二套管19将每个放气管15实际上水平地安装到回收容器13的另一侧壁部分13b上,第二套管贯穿侧壁部分13b,并被固定其上,以便可滑动地容纳放气管15,第二定位螺钉20穿过套管19径向延伸,与放气管15衔接。因此,通过松开和旋紧定位螺钉20,能够水平(轴向)调整放气管15的位置。
从图14能够清楚地看出,每个放气管15的外径小于每个磨料吸管14的内径。另外,吸管14的吸入口14a内部朝放气管15方向扩张成喇叭形,而放气管15的放气端15a外部朝吸管14方向成为维形。通过对吸管14和放气管15中之一或两者的位置进行调整,就能够调整吸入口14a与放气端15a之间的环形间隙尺寸(包括径向和轴向尺寸)。
在运转中,在收尘器9的作用下(即在图2中所示的吸风机11的作用下),将吸力加到集尘罩7。另外,起动图中未示出的空气发生源,以便通过空气分配管5和供气软管5a向各个喷嘴4供气;而起动另一个鼓风机24(图2),以便通过均压箱23和供气软管22向各个放气管15供气。在喷射操作期间,给定量的磨料S循环使用,以重复喷射操作。
来自各个喷嘴4的高速空气喷射磨料预处理引线框架F的表面。这样在喷射室2中喷射的磨料通过重力落入回收容器13中(图3和4)。一旦进入回收容器13中,就通过上部筛网26a将包含在磨料中的较粗的灰尘分离出来,将其去除。
比重较小的较细的灰尘部分由喷射室中的气流输送,并且夹带到集尘罩7去,通过收尘器9将其去除(图2)。另一方面,比较大的较细的灰尘部分与喷射的磨料一起向下落到磨料回收容器13中,但是如上所述,采用选择性地通过下部筛网26b的方式将其分离出来。
在磨料回收容器13中,通过每个放气管15高速气流被加到相应的磨料吸管14中,以便通过环形间隙21将磨料S泵送到吸管14中。另外,由通过相应的供气软管5a提供的高速气流,在每个喷嘴4处产生负压(图1),从而朝引线框架F喷射磨料。采用这种方式,在吸管14中产生的泵(或动压力)与在喷嘴4处产生的负压组合作用,以便有效地将磨料向上传送到喷嘴4所在的相应较高的高度。
此外,通过水平地(即轴向地)移动磨料吸管14和放气管15中之一或两者,能够调整环形间隙21的尺寸。因此根据磨料的种类、微粒大小以及其他因素,能够调整单位时间从每个喷嘴4喷射出的磨料量。
图5至12示出了传送装置3的优选实施例,但是可以将传送装置3设计成其他形式。
图示的传送装置3包括一对平行的彼此稍微间隔置放的环形传送带25,每个传送带都具有传送路径25a。通过与相应的入口容器27中的相应入口侧滑轮29a(图5-7)以及与出口容器28中的相应出口侧滑轮29b(图8-11)磨擦衔接,安装成环形传送带25。
如图7中所示(同时参见图12),根据图示的实施例,每个传送带25是公知的V形带,其槽侧对着另一个V形传送带的槽侧,以便在V形槽中方便地夹持引线框架F。V形带25最好是由加强橡胶制成,以便将由磨料喷射产生的磨损减小到最小程度(这是为延长传送装置使用寿命所需的),同时也减少了不希望出现的对引线框架F的损坏。
根据图示的实施例,旋转地驱动出口侧滑轮29b,以便移动传送带25。另外,使入口侧滑轮29a之间的间距可调,并且也使出口侧滑轮29b之间的间距可调。
如图5至7中所示,每个入口侧滑轮29a安装在垂直支承轴30的上端,支承轴本身又安装在可动构件31上。可动构件31滑动地支承在一对固定在入口容器27中的导引构件32a之间,以便使可动构件31能够与引线框架传送道方向横向地滑动。可动构件31具有一对导孔33,用于容纳相应的一对在引线框架传送道方向横向延伸的调整杆35。
如图7中所示,每个调整杆35具有外螺纹部分35a,用于旋入固定在入口容器27壁上的内螺纹构件34a。调整杆35还具有容纳在可动构件31对应导引孔33中的直径较小的装配部分35b,在杆35的内端有用于与可动构件31衔接的增大顶端35c,和一个用于与适当的转动工具(图中未示出)衔接的外衔接端35d。因此通过转动调整杆35,可以使可动构件31朝着传送道的横向方向,并远离另一个可动构件移动,从而调整相应入口侧滑轮29a之间的间距(即传送带25的传送道25a之间的间距)。
由图1和5中的附图标记36指示的构件是将引框架F导入传送带25之间位置的导轨。
如图8至11中所示,出口侧滑轮29b实际上以与入口侧滑轮29a相同的方式支承。具体地说,每个出口侧滑轮29b安装在垂直支承轴37的上端,支承轴本身又安装在可动构件38上。通过一对固定在出口容器28中的导引构件32b可滑动地支承可支构件38,以便使可动构件38在引线框架传送道上横向地滑动。可动构件具有一对导孔39,用于容纳相应的一对调整杆40。
如图10中所示,每个调整杆40具有外螺纹部分40a,用于旋入固定在出口容器28壁上的内螺纹构件34b中。调整杆40还具有容纳在可动构件38对应导孔39中的直径较小的装配部分40b,在杆40的内端有用于与可动构件38衔接的增大的顶端40c,和一个用于与适当的转动工具(图中未示出)衔接的外接合端40d。因此通过转动调整杆58,可以使可动构件38朝着与传送道的横向方向,并远离另一个可动构件移动,从而调整相应出口侧滑轮29b之间的间距。
如图8至11中所示,出口侧滑轮29b的相应支承轴37在其下端装有直径相等的从动链轮41。空转链轮43可转动地安装在出口容器28中的固定架42a上(图9),而连接到电动机45的主动链轮44安装在另一个固定架42b上(图9)。如图9和10中清楚地示出,各个链轮41、43和44都安装在相等的高度上。
通过与其衔接的各个链轮41、43和44导出环形驱动链46。如图8和11中所示,为了使相应的从动链轮41反向转动,使一个从动链轮41与环形驱动链46里面啮合,而使另一个从动链轮41与同一驱动链在外面啮合。因此,能够同时以相同速度并沿相同传送方向(即从入口容器27到出口容器28)移动相应传送带25的传送道各部分25a。
另外,为了调整间隔,当与引线框架传送道方向横向地移动出口侧滑轮29b时,也对应地移动从动链轮41。因此,只要对两个出口侧滑轮29b对称地进行间距调整,环形驱动链46就能够一直安装成为与链轮41、43和44不松动的啮合。
如图5、6、8和9中所示,一对平行的皮带导轨50从相应的入口侧可动构件31延伸到相应的出口侧可动构件38。每个皮带导轨50从后面可滑动地导引相应的传送带25的传送道部分25a(图5和8),皮带导轨上装有与传送带25滚动接触的张紧轮49(图5),以便保持传送带的传送道部分25a的线性度。
另外如图12中所示,每个皮带导轨50固定地支承多个备用构件48,这些备用构件位于含有引线框架F的平面上面或下面。更具体地说,备用构件48被设置成与朝上或朝下的喷嘴4的对应关系。那些与朝上的喷嘴4对应的备用构件48被设置在引线框架F平面的上面,而其余与朝下的喷嘴4对应的备用构件被设置在引线框架F平面的下面。因此,当通过喷射磨料对引线框架F的下表面进行预处理时,备用构件支撑引线框架F的上表面;而当对引线框架F的上表面进行预处理时,备用构件支撑引线框架F的下表面。
在优选的方案中,每个备用构件48敷有例如橡胶那样的弹性材料。弹性敷层具有缓冲作用,因此能够防止由于磨料的冲击对备用构件48本身以及由其支撑的引线框架F造成损坏。
如图12至14中所示,每个喷嘴4都具有喷口零件47,该喷口零件具有细长的放料孔47a,其纵轴朝引线框架传送道的方向横向延伸(图13)。细长的放料孔47a有利于在引线框架F的整个宽度和长度上,对引线框架F均匀地预处理。喷口零件47最好由例如橡胶那样的弹性材料制成,以防止或减小由磨料引起的磨损。
磨料S可以包括具有最好不大于200微米的球形磨粒,最好不大于100微米(特别是不大于50微米)。因为玻璃的比重小于金属,因此适合用于通过喷射磨料预处理非常薄的引线框架F,所以最好选用玻璃微粒作磨料S。
一般地说,玻璃微粒的比重在2-4的范围中,维氏硬度在500-700千克/毫米2范围中。玻璃微粒的平均直径最好尽可能小,可以根据引线框架F的各种参数确定,例如引线框架的厚度、引线框架图形的复杂程度。目前能够容易地得到平均直径为大约30微米那样小的玻璃微粒。
下述实例说明了根据本发明实施例对表面处理操作能够得到的良好效果。
在实例中,引线框架长为164毫米,宽为49毫米,厚为0.2毫米。如图15和16中所示,引线框架F具有精致的引线图形,该图形包括密集布置的外引线(b)、密集布置的内引线(c)等,其中以0.5毫米的微小间距布置外引线(b)。
喷口零件47的放料孔47a长为30毫米,宽为4毫米,用于喷射具有平均微粒大小为38微米(相当于400目筛)的玻璃微粒。
在表面预处理设备(喷射设备)的运转中,通过对应的供气软管5a,以0.35千克力/厘米2(相当于大约0.34大气压)的低计量压力,向每个喷嘴4提供高速空气。与空气在一起的玻璃微粒的喷射速度理论上可达200米/秒,(考虑夹带玻璃微粒时的能量损失)实际上喷射速度至少为100米/秒。使引线框架F在3秒钟内纵向通过喷嘴4(每个喷嘴),并且将喷嘴4与引线框架传送道之间的距离设定为200毫米。引线框架F的每个表面(上表面和下表面)都喷射玻璃微粒被预处理一次。
作为上述预处理的结果,引线框架F的表面被均匀地进行了无光精整或抛光精整。而且使引线框架变得没有在预处理之间会显现出来的翘曲趋势。另外,即使在与连接条(e)分离之后,内引线(c)(图16)实际上也不会变形。此外引线框架F或引线的毛刺(g)(图17)也被去除了。
当采用50微米或100微米的玻璃微粒磨料时,也能用实验方法证实能够得到相似的结果,但是预处理的效果低于使用38微米玻璃微粒的情况。因此可以断定:预处理的效果随玻璃微粒直径的缩小逐渐提高。
如上面参照图15至18所述,在引线框架F中存在局部内压力,这种压力会导致引线框架具有翘曲的趋势,并且还会导致在与连接条(e)分离时内引线(c)变形。为了在引线框架F的整个面积上消除内压力,以及为阻止或减小内应力的作用而使引线框架F表面硬化所需的喷射效果,用尺寸和比重较小的玻璃微粒进行高速喷射被认为是有效原。另外,玻璃微粒高速喷射还会产生清理效果,以去除引线框架F的毛刺(g)。
本发明的优选实施例有以下几点优点。
(1)由于消除了翘曲的趋势,引线框架F能制成具有很高的平直度以提供良好的产品质量。
(2)因为,即使将内部引线(c)与连接条(e)分离之后,也防止了在内压力影响下导致的密集布置的内引线(c)的变形,所以能够避免短接或不适当的导线接合,从而提高了电子元件的产品合格率(即降低了生产成本)。
(3)由于防止了内部引线(c)的变形,所以与现有技术不同,在与连接条(e)分离之前,不必用例如电气绝缘树脂带(f)固定内引线(参见图16)。
(4)由于去除了引线框架F的毛刺(g)(参见图17),所以能够防止湿气从毛刺的位置进入在后进行的模注树脂封装,从而消除或减少了由湿气进入引起的质量降低(例如电路故障)。
(5)由于去除了毛刺(g)(图17),所以能够在引线(b、c)上均匀地镀焊剂,从而消除或减少了可能由不适当镀焊剂引起的缺点。
(6)玻璃微粒的喷射进行了无光或抛光精整,并且具有清理作用,而免去了原来必要的单独除油步骤,因此方便了在后的镀焊剂操作。
显然,本发明并不局限于上述的优选实施例。例如,能够对图示的实施例进行下述各种改变或改进。
用作磨料的玻璃微粒可以用树脂微粒代替,树脂微粒具有平均直径不大于200微米,最好不大于100微米,特别是不大于50微米,只要技术上能够制出这样小的直径。
虽然根据图示的实施例有4个喷嘴4,但是根据对特定引线框架F所需的喷射硬化处理的程度和/或所需的生产速度,可以增加或者减少喷嘴4的数量。
传送装置3的环形传送带25可以用一对环形传送链代替。另外,传送装置可以装有与单一环形传送链结合工作的一对V形槽导轨,传送链上具有多个衔接卡爪,每个衔接卡爪能够与对应的引线框架衔接。此外,传送装置3可以延伸到框架冲压装置,以便将冲击的引线框架从冲压装置连续地传送到预处理设备1,从而形成两个不同工艺步骤之间的连续性。
通过垂直地设置传送装带25,以及相关构件的必要重新设置,可以垂直地传送引线框架F。显然在这种情况下,需要将喷嘴4设置在垂直的引线框架传送道的两侧,使其放料孔47a水平地对着垂直移动的引线框架。
可以将引线框架F制成基本上连续的。另外,引线框架可以具有不同于图15和16中所示的图形。
上述变化或改进不应被认为是离开了本发明的技术构思和保护范围。本发明的保护范围仅由权利要求书确定。
Claims (12)
1.一种电子元件制造框架的预处理方法,其特征在于,该方法是用于在框架被用于制造电子元件之前去除其应力,所述框架是由冲切制备而成,该方法包括:嘲框架喷射夹带在高速气流中的磨砂,磨砂具有的平均直径不大于200微米。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:磨砂具有的平均直径不大于100微米。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:磨砂具有的平均直不大于50微米。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:磨砂包括球形的玻璃微粒。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:高速气流是低压、高流率的气流。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:高速气流具有的速度不低于100米/秒。
7.一种电子元件制造框架的预处理设备,其特征在于,该设备是用于在框架被用于制造电子元件之前去除其应力,所述框架是由冲切制备而成,该设备包括:喷射室,用于在喷射室中传送框架的传送装置,以及至少一个设置在喷射室中的喷嘴,用于朝框架喷射夹带在高速气流中的磨砂;其中磨砂具有的平均直径不大于200微米。
8.根据权利要求7所述的设备,其特征在于:磨砂具有的平均直径不大于100微米。
9.根据权利要求7所述的设备,其特征在于:磨砂具有的平均直径不大于50微米。
10.根据权利要求7所述的设备,其特征在于:磨砂包括球形的玻璃微粒。
11.根据权利要求7所述的设备,其特征在于:以0.3-0.6大气压的计量压力向喷嘴供气,用于以不低于100米/秒的高速放出气流。
12.根据权利要求7所述的设备,其特征在于:装有至少两个喷嘴,用于朝框架两个相对的表面喷射磨砂。
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WO1995021044A1 (en) * | 1994-02-01 | 1995-08-10 | A.M.D. International Pty. Ltd. | Cutting cores from amorphous material by non corrosive liquids and abrasives |
US5554569A (en) * | 1994-06-06 | 1996-09-10 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for improving interfacial adhesion between a polymer and a metal |
US5643057A (en) * | 1995-06-16 | 1997-07-01 | Masonry Processes, Inc. | Method and apparatus for uniformly texturizing objects using abrasive blasting |
US20070124481A1 (en) * | 2000-01-19 | 2007-05-31 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | System and method for sharing event-triggered, location-related information between communication devices |
US6977909B2 (en) * | 2000-01-19 | 2005-12-20 | Phonepages Of Sweden, Inc. | Method and apparatus for exchange of information in a communication network |
US8400946B2 (en) * | 2000-01-19 | 2013-03-19 | Sony Corporation | System and method for sharing common location-related information between communication devices |
US7248862B2 (en) * | 2000-01-19 | 2007-07-24 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Method and apparatus for retrieving calling party information in a mobile communications system |
US20070127645A1 (en) * | 2000-01-19 | 2007-06-07 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Technique for providing secondary information to a user equipment |
US20070129074A1 (en) * | 2000-01-19 | 2007-06-07 | Bloebaum L S | System, Method and Device For Providing Secondary Information To A Communication Device |
US6922721B1 (en) * | 2000-10-17 | 2005-07-26 | The Phonepages Of Sweden Ab | Exchange of information in a communication system |
US6996072B1 (en) * | 2000-01-19 | 2006-02-07 | The Phonepages Of Sweden Ab | Method and apparatus for exchange of information in a communication network |
US6419566B1 (en) * | 2000-02-11 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | System for cleaning contamination from magnetic recording media rows |
SE0102729D0 (sv) * | 2001-08-15 | 2001-08-15 | Phone Pages Sweden Ab | Method and apparatus for exchange of information in a communication network |
US7077724B1 (en) * | 2005-06-06 | 2006-07-18 | The Material Works, Ltd. | Sheet metal scale removing water jet process |
JP4969118B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2012-07-04 | 三菱重工業株式会社 | 成形体の前処理方法、接着物品及びその製造方法、並びに塗装物品及びその製造方法 |
TW200820331A (en) * | 2006-10-24 | 2008-05-01 | Kuei-Min Liao | Stripping equipment for destroying circuit on wafer surface |
JP2012192679A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Macoho Co Ltd | サポート材除去方法 |
WO2017118524A1 (en) | 2016-01-08 | 2017-07-13 | Unilever Plc | Apparatus for delivering frozen confection comprising particulate material |
CN108471774A (zh) | 2016-01-08 | 2018-08-31 | 荷兰联合利华有限公司 | 用于输送包括颗粒材料的冷冻甜食的设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4674238A (en) * | 1984-10-03 | 1987-06-23 | Fuji Seiki Machine Works, Ltd. | Lead frame handling apparatus for blasting machine |
EP0441300A2 (en) * | 1990-02-06 | 1991-08-14 | Sony Corporation | Surface processing method comprising blowing submicron particles |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58157141A (ja) * | 1982-03-13 | 1983-09-19 | Fuji Seiki Seizosho:Kk | リ−ドフレ−ムケ−ス連続送出し装置 |
JPS59115532A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-04 | Fuji Seiki Seizosho:Kk | リ−ドフレ−ム連続加工装置 |
JPH02148820A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Hitachi Condenser Co Ltd | モールド型電子部品の製造方法 |
JPH05212730A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-24 | Eikichi Yamaharu | リードフレーム上に形成された樹脂モールド部のバリ取り装置 |
JP2945911B2 (ja) * | 1992-02-12 | 1999-09-06 | 澁谷工業株式会社 | リードフレーム上に形成された樹脂モールド部のバリ取り装置 |
-
1994
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4674238A (en) * | 1984-10-03 | 1987-06-23 | Fuji Seiki Machine Works, Ltd. | Lead frame handling apparatus for blasting machine |
EP0441300A2 (en) * | 1990-02-06 | 1991-08-14 | Sony Corporation | Surface processing method comprising blowing submicron particles |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5533922A (en) | 1996-07-09 |
DE69412679D1 (de) | 1998-10-01 |
KR940022817A (ko) | 1994-10-21 |
CN1093492A (zh) | 1994-10-12 |
EP0618041A1 (en) | 1994-10-05 |
DE69412679T2 (de) | 1999-05-06 |
EP0618041B1 (en) | 1998-08-26 |
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