CN103443709A - 表面平坦化 - Google Patents

表面平坦化 Download PDF

Info

Publication number
CN103443709A
CN103443709A CN201280015328XA CN201280015328A CN103443709A CN 103443709 A CN103443709 A CN 103443709A CN 201280015328X A CN201280015328X A CN 201280015328XA CN 201280015328 A CN201280015328 A CN 201280015328A CN 103443709 A CN103443709 A CN 103443709A
Authority
CN
China
Prior art keywords
main body
substrate
complex
layer
surf zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201280015328XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103443709B (zh
Inventor
A·弗莱斯纳
S·马里克
C·贝克
L·斯卡利恩
J·波罗格斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cambridge Display Technology Ltd
Original Assignee
Cambridge Display Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cambridge Display Technology Ltd filed Critical Cambridge Display Technology Ltd
Publication of CN103443709A publication Critical patent/CN103443709A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103443709B publication Critical patent/CN103443709B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/08—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain an anti-friction or anti-adhesive surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明一般地涉及基板的表面的平坦化。在平坦化基板的表面区域的实施例中，该基板具有在所述表面区域的一部分上的主体，该方法包括：通过提供表面使更改层（例如，在其上的自组装单层）来使所述主体的表面相对液体平坦化剂合成物的润湿性更改；并且然后将所述液体平坦化剂合成物沉积于所述基板和所述主体上，使得平坦化剂合成物润湿所述表面区域，其中所述表面更改层确定所述液体平坦化剂合成物与所述主体的所述表面的接触角，使得沉积的液体平坦化剂合成物被所述主体的所述表面排斥。

Description

表面平坦化
技术领域
本发明一般地涉及初始非平坦表面的平坦化，例如，用于照明面板轨道的填充平坦化。
更具体地，本发明涉及用于平坦化基板的表面区域的方法，并且涉及包括表面区域、在所述表面区域的一部分上的主体以及在所述表面区域上的平坦化剂合成物的基板，并且更特别地涉及形成诸如有机发光二极管（OLED）、照明面板、显示器背光、集成电路及有机光伏（OPV）器件之类的电子器件的方法，这些方法包括平坦化的方法，并且还涉及包括基板的电子器件，例如，包括基板的OLED、包括多个OLED的照明面板、包括多个OLED的显示器背光、包括基板的集成电路（IC）以及包括基板的OPV。
另外，本发明还涉及用于平坦化基板的表面区域的方法，并且涉及包括具有基本上平坦的表面的表面区域的基板，并且更特别地涉及形成诸如OLED、照明面板、显示器背光、IC和OPV之类的电子器件的方法，这些方法包括平坦化的方法，并且还涉及电子器件，诸如例如，包括基板的OLED、包括多个OLED的照明面板、包括多个OLED的显示器背光、包括基板的IC以及包括基板的OPV。
背景技术
有机发光二极管（OLED）对于照明是特别有用的，因为它们能够相对较容易地且较廉价地制造，以覆盖各种基板上的大的区域。它们还是明亮的并且可以根据需要为彩色的（例如，红色、绿色和蓝色）或者为白色的。在本说明书中，对OLED的参考包括有机金属LED以及使用聚合物或小分子制造的OLED。在WO90/13148、WO95/06400和WO99/48160中描述了基于聚合物的OLED的示例；在US4,539,507中描述了所谓基于小分子的OLED的示例。
为了帮助理解本发明的实施例，对OLED器件的示例结构进行描述是很有帮助的。值得注意的是，当在反极性下操作时，OLED能够起着OPV的作用。因而参照图1a，该图示出了穿过包括玻璃基板12的OLED器件10（例如，显示器背光OLED、OLED照明砖或OLED照明面板）的一部分的垂直截面，在该玻璃基板12上沉积有金属（例如，铜轨道14）以提供第一电极连接，在所示的示例中为阳极连接。空穴注入层16被沉积于阳极电极轨道（tracking）上，例如，导电的透明聚合物，例如，PEDOT:PSS（聚苯乙烯磺酸掺杂聚乙烯二氧噻吩）。这随后是例如包含基于PPV（聚对苯乙炔）的材料的发光聚合物（LEP）叠层18。空穴注入层有助于使LEP叠层的空穴能级与阳极金属匹配。这随后是例如包含低功函数的金属（例如，钙或钡）的阴极叠层20（用于LEP叠层和阴极电子能级匹配），或者电子注入层（例如，氟化锂），在该阴极叠层20或电子注入层上沉积有例如铝或银的反射性背电极。
图1a的示例是其中光穿过透明基板（例如，玻璃或塑料）发射出的“底发射”器件。但是，同样可以制造出“顶发射”器件，其中器件的上电极基本上是透明的，例如由氧化铟锡（ITO）或阴极金属的薄层（例如，小于100nm的厚度）制造。现在参照图1b，该图示出了穿过基板12朝LEP叠层18观看的，即穿过器件的“底部”朝器件的发光面观看的图1a的OLED器件10的视图。该视图表明阳极电极轨道14在本示例中被配置为六边形栅格或网格，以便避免遮盖过多的由LEP叠层18发出的光。（阳极）电极轨道14连接至基本上完全环绕器件的周界铺设的、可选地具有一个或多个开口32的固体金属母线30，该一个或多个开口32可以由电导体桥接以便于与器件的阴极层的连接。
图1c示出了包括具有图1a和/或1b所示的结构的多个OLED10的照明面板100。
金属轨道线路（例如，阳极轨道14）被设置于OLED内以提高器件内的电极的电导率，并从而使电流能够分布于宽的区域内。但是，有源OLED层在非平坦表面之上的沉积可以导致层的厚度和/或轮廓变化，即，非平坦表面区域。这样的变化可以导致例如亮度不均匀、器件不稳定和/或器件内的短路。金属轨道的边缘可以导致这样的厚度和/或轮廓变化。因而，优选地在发光层及相关层（例如，电荷注入层）的处理之前对在包含OLED的照明面板内的金属轨道进行平坦化。
但是，基板平坦化领域不断提出对提供改进的平坦化技术的需要，该改进除其他外涉及表面平坦性、工艺复杂性、处理时间、加工/器件成本、穿过所平坦化的表面的光出射耦合、从轨道到与光发射关联的层（例如，空穴注入层或发光层）的电传导、照明器件的有源区的污染、对金属轨道的腐蚀、OLED空腔调谐等中的一个或多个。
为了用来理解本发明，参考下列公开内容：
-Proc.SPIE，Vol.7415，74150T（2009），Harkema等；
-Journal of Applied Physics101（2007）064513，Zhao等；
-美国专利US5010027，Possin等，1991-04-23公开；
-美国US5597747，Chen，1997-01-28公开；
-来自Comedd-Opening的2008年10月30日的演示文稿，“Organic Lighting and Organic Solar Cells”，Prof.Dr.Karl Leo，Fraunhofer IPMS，来自http://www.ipms.fraunhofer.de/common/comedd/presentation/leo.pdf；
-Osram数据表“ORBEOSTM for OLED Lighting”，日期为2009-11-18，至少从2010年5月18日起可获得，来自http://www.osram-os.com/osram_os/EN/Products/Product_Promotions/OLED_Lighting/Technical_Information/index.html；以及
-Proc.SPIE，Vol.6192，61921Z-1（2006），Fehse等。
发明内容
根据本发明的第一方面，本发明提供了用于平坦化基板的表面区域的方法，该基板具有在所述表面区域的一部分上的主体，该方法包括：更改所述主体的表面相对液体平坦化剂合成物的润湿性；并且然后将所述液体平坦化剂合成物沉积于所述基板上，使得所述平坦化剂合成物润湿所述基板的所述表面区域，其中所述更改确定所述液体平坦化剂合成物与所述主体的所述表面的接触角，使得所述沉积的液体平坦化剂合成物被所述主体的所述表面排斥。
因而，整个表面的至少一部分可以被平坦化。在该方法以至少两个主体来执行的情形中，所排斥的液体平坦化剂合成物可以被看作是“填充”于主体之间（所述主体可以是单独的主体或者是单个主体的不同部分）。该或每个主体位于表面区域的一部分上可以意味着在每个主体被直接形成于表面区域上之后表面区域的某些部分保持为暴露的。
虽然该方法可以包括更改以及随后沉积的步骤，但是这不排除在这两个步骤之间可以存在中间步骤。
润湿可以涉及平坦化剂合成物附着、粘附和/或接合于表面区域，平坦化剂合成物优选地被主体表面排斥，但不被表面区域排斥，例如，平坦化剂合成物选择性地优先于主体表面而附着于表面区域。
由于排斥，所沉积的平坦化剂合成物可以基本上从主体表面上退润湿。这还可以是在其他相关方法中的情形，这些方法的不同之处在于例如平坦化剂仅被直接沉积于主体上，并且由于退润湿而转移至基板表面，或者在这些方法中，平坦化剂仅被直接沉积到基板表面上，使得平坦化剂扩散，但由于退润湿而没有扩散到主体上。在另一种这样的不同方法中，平坦化剂合成物可以仅被直接沉积到基板表面上，使得平坦化剂朝着主体扩散，但由于排斥而没有接触主体。
平坦化剂合成物可以包括一个或多个成分，并且可以通过例如液滴沉积（例如，喷墨沉积）、溶液处理（例如，旋涂、浸涂、狭缝挤压涂布或板涂）等以液体形式沉积，以在基板上形成液体。优选地，该合成物与电荷注入层（例如，空穴注入层（HIL）和/或发光层）于其上的沉积相容，允许为了最佳平坦化而适当分布，和/或可透射多种光波长（例如，400-700nm的可见光），以由包括已平坦化的基板的器件输出。平坦化剂合成物可以是导电的或绝缘的，因为后续沉积的层可以基本上直接地接触主体。因而，实施例的优点是允许使用绝缘的和光透射的平坦化剂合成物，因为高导电性的且透明的聚合物一般更难以获得。平坦化剂合成物的示例是旋涂玻璃（“SOG”）、SU-8、硅氧烷和有机材料（例如，苯并环丁烯（BCB））。SU-8是基于EPON SU-8环氧树脂（来自壳牌化学（Shell Chemical）公司）的环氧型的、近紫外（UV）的负性（negative tone）光刻胶，该EPON SU-8环氧树脂最初由IBM公司开发并取得专利（例如，US4,882,245）。
图2示出了例如在合成物被沉积于表面上时于主体表面与平坦化剂合成物之间的接触角A。在实施例中，润湿性的更改包括在所述主体表面上沉积表面更改剂，所述表面更改剂确定这样的接触角。优选地，该更改使接触角优选地增大到大于90度，更优选地为大于120度，并且还要更优选地是150度以上。
表面更改剂可以在后面去除，或者可以被保留，例如如果表面更改剂是有益的，例如，用于在主体与随后覆盖主体的层（例如，（空穴）电荷注入层和/或OLED的发光层）之间的界面上的功函数匹配。如果表面更改剂是希望被去除的，则这可以通过例如干法蚀刻来完成，例如，使用含氧等离子体或臭氧加紫外曝光的等离子体蚀刻或反应离子蚀刻（RIE）。
可以吸附于主体表面上的表面更改剂可以通过旋涂或气相沉积来沉积。更改剂可以是HDMS（六甲基二硅胺烷）或表面底剂（primer）。示例性的表面更改剂在所述主体上形成自组装层，其中自组装层优选为自组装单层（SAM）。因而，表面更改剂可以包括SAM合成物。这样的SAM可以包括各自具有由系链（tether）链接的锚定基团和功能基团的分子。锚定基团可以选择性地附着于不同材料，例如，可以附着于金属而非玻璃。锚定基团的示例是巯基（-SH）。功能基团可以允许退润湿，例如，可以是疏水的。这可以取决于包含于平坦化剂合成物内的溶剂的类型。功能基团的示例是甲基（-CH3）。
本发明还可以提供包括使所述沉积的液体平坦化剂合成物至少部分凝固以优选地增加平坦化剂合成物的硬度的方法。这样的凝固可以通过例如烘焙或照射基板上的平坦化剂合成物来实现，例如，这样的用于去除包含于该合成物内的溶剂的烘焙。凝固可以导致平坦化剂合成物的回流，并且这可以有利地提高平坦化。在表面更改剂在凝固之前被从主体上去除时，回流的平坦化剂合成物不会被主体排斥，和/或然后可以接触主体的侧面以进一步提高平坦化。
本发明还可以进一步提供其中所述平坦化剂合成物可透射具有400-700nm的，优选地达整个该波长范围的光的方法。除此以外或作为选择，透射可以是针对波长范围较窄的光的，例如，450-495nm、620-700nm和/或495-570nm。透射性质可以意指例如平坦化剂合成物透射大于50%的、大于70%的或者大于90%的光，或者最优选地是对于光基本上透明的。
本发明还可以提供一种方法，包括：在所述平坦化的表面区域上沉积发光层或光导层，其中所述主体包括用于传导由所述发光层输送的电荷的轨道。但是，在发光层或光导层与所平坦化的表面区域之间可以存在一个或多个中介层，例如，用于增加到发光层之内的电荷注入的层，例如，空穴注入层（HIL）；HIL可以是例如40-200nm厚的。轨道可以按照栅格状结构的导电轨道来形成。这样的栅格可以例如使电荷从在照明面板的边缘上的触点穿过这样的发光或中介层一直传导到所分布的点。因而，轨道优选地使电流横向分布于整个这样的层上。轨道可以是金属，并且氧化铟锡（ITO）可以作为下一层沉积于所平坦化的表面区域上以形成基本上透明的阳极，和/或基板可以是基本上透明的，例如，可透射具有波长范围为400-700nm的和/或以上所述的较窄范围中的一个或多个的光，和/或可以包括玻璃。
本发明还可以提供一种方法，其中沉积所述液体平坦化剂合成物包括将所述平坦化剂合成物旋涂到基板和主体上。本发明还可以提供这样的方法，其中所述旋涂在预定的条件下执行使得所述沉积的液体平坦化剂合成物具有预定的厚度，所述预定的条件包括所述液体平坦化剂合成物的粘度、溶剂在所述液体平坦化剂合成物中的浓度、旋转持续时间和/或旋转速度的一个或多个。优选地，所沉积的平坦化剂合成物的厚度基本上匹配主体的厚度。作为选择，平坦化剂合成物可以通过例如浸渍、电镀或印刷来施加。
本发明还可以提供形成电子器件的方法，该方法包括上述第一方面的方法。电子器件可以是例如有机发光二极管（OLED）或OPV。包含例如OLED的其他类型的照明或显示元件可以通过该方法来形成。电子器件还可以是半导体器件（例如，双极型或场效应晶体管），和/或可以是分立器件或者包含根据该方法制成的一个或多个较小的集成电子器件的集成电路（IC）。因而，本发明还可以提供形成IC的方法，该方法包括上述第一方面的方法。
本发明还可以提供形成照明面板的方法，该方法包括上述第一方面的方法，该面板包括例如一个或多个OLED。本发明还可以提供使用第一方面的方法形成的OLED、OPV、照明面板或集成电路。
根据本发明的第二方面，本发明提供了包括表面区域、在所述基板表面区域上的主体以及在所述基板表面区域上的平坦化剂合成物的基板，其中所述平坦化剂合成物和所述主体的相邻区域具有各自的厚度，以提供与所述基板表面区域相对的且延伸横过所述平坦化合成物和所述主体的所述相邻区域的基本上平坦的基板表面区域，该基板包括：在所述主体上的表面更改剂，所述表面更改剂确定接触角使得平坦化剂合成物在作为液体被沉积于所述基板表面区域上时润湿所述基板表面区域并且被所述主体表面排斥。优选地，表面更改剂处于与平坦化剂合成物相邻的主体表面上。
本发明还可以提供这样的基板，其中所述平坦化剂合成物基本上不存在于所述主体表面，优选地不存在于整个主体。因而，甚至在回流之后，例如，在至少部分的凝固期间，，可以在平坦化剂合成物与主体表面之间存在连续的间隙。因而，在所述平坦化剂合成物与主体之间能够观察到整齐的间断（clean break）。这样的间断的宽度一般是无关紧要的（例如，几纳米），使得仍然获得良好的平坦化。
本发明还可以提供这样的基板，其中所述表面更改剂包括自组装层，优选地其中自组装层为单层。
本发明还可以提供这样的基板，其中所述平坦化剂合成物可透射具有400-700nm的波长范围和/或以上所述的较窄范围中的一个或多个的光。本发明还可以提供包括在主体的至少一部分上的发光层的基板，其中所述主体包括用于传导由所述发光层输送的电荷的轨道。
本发明还可以提供包括第二方面的基板的电子器件。该电子器件可以是例如有机发光二极管或OPV。本发明还可以提供包括多个这样的有机发光二极管的照明面板。
本发明还可以提供包括第二方面的基板的集成电路。
根据本发明的第三方面，本发明提供了用于平坦化基板的表面区域的方法，所述基板具有在所述表面区域的一部分上的主体，其中所述基板可透射预定波长的光并且所述主体对于所述预定波长的光是基本上不透明的，该方法包括：在所述表面区域上以及在所述主体的至少一部分上沉积负性光敏合成物；使用所述预定波长的光穿过所述透射基板来照射所述负性光敏合成物，使得所述主体部分掩蔽沉积于所述主体部分上的所述负性光敏合成物；使所述被照射的负性光敏合成物显影以基本上去除所述被掩蔽的负性光敏合成物。
因而，整个表面的至少一部分可以被平坦化。主体位于表面区域的一部分上可以意味着在这样的主体被直接形成于表面区域上之后表面区域的某些部分保持为暴露的。在该方法以至少两个这样的主体部分（该主体部分可以是单独的主体或者单个主体的不同部分）来执行的情形中，在显影之后保留的所照射的负性光敏合成物可以被看作是“填充”在这些部分之间。因而，主体部分通过充当掩蔽物可以允许自对准的平坦化优选地填充，由此负性光敏合成物在主体的遮蔽下保持为可溶的。
光敏合成物可以具有一个或多个成分。优选地，该合成物与层（例如，HIL或发光层或光导层）在其上的沉积相容，和/或允许为了最佳平坦化而适当分布，和/或可透射多种光波长（例如，具有400-700nm的波长范围的可见光），以由包括已平坦化的基板的器件输出。光敏合成物可以是导电的或绝缘的，因为后续沉积的层可以基本上直接地接触主体。实施例的优点是允许使用绝缘的和光透射的自对准的平坦化光敏合成物，因为高导电和透明的聚合物更加难以识别。负性光敏合成物的示例是以上所述的SU-8。适合于SU-8的显影剂的示例是诸如PGMEA（丙二醇单甲醚乙酸酯）之类的溶剂。优选地，所照射的负性光敏合成物变为不可溶于显影剂，而未照射区域被显影剂溶解。
通过例如紫外光对负性光敏合成物的照射可以导致该合成物内的聚合物链的交联，交联的链有利地变为不可溶于显影剂。照射和/或显影的条件可以被预先确定，例如，通过照射强度和/或持续时间来使合成物曝光过度或不足，以便优化负性光敏合成物在照射区域的分布。优选地，这可以优化在主体与显影后所保留的光敏合成物之间的界面，用于例如提供显影后所保留的光敏合成物的基本上均匀的厚度与主体的厚度基本上匹配，和/或减少光敏合成物在主体上的重叠和/或在光敏合成物与主体之间的界面处的平坦化的间断。
虽然该方法宽泛地包括对光敏合成物的沉积、照射及显影，但是在这些步骤中的任何两个步骤之间还可以存在中介步骤，例如，在照射之前的凝固。通过显影进行的去除可以涉及溶解和/或清洗掉被掩蔽的光敏合成物。
本发明还可以提供这样的方法，包括将层沉积于所述被照射的负性光敏合成物上以及于所述主体的所述部分上。因而，该层可以直接地接触主体以及在显影之后保留的所照射的光敏合成物两者。
本发明还可以提供这样的方法，其中所述沉积包括将所述负性光敏合成物旋涂到所述基板表面区域上以及到所述主体的至少一部分上。作为选择，光敏合成物可以通过例如浸渍、电镀或印刷来施加。
本发明还可以提供这样的方法，其中这样的旋涂在预定的条件下执行，使得所述沉积的负性光敏合成物具有预定的厚度，其中所述预定的条件包括所述负性光敏合成物的粘度、溶剂在所述负性光敏合成物中的浓度、旋转持续时间和/或旋转速度中的一个或多个。这样的厚度可以是直接于旋涂之后的、于凝固之后的和/或于显影之后的光敏合成物的厚度。所沉积的光敏合成物的至少部分的凝固可以通过例如烘焙或照射在基板上的合成物来获得，例如，这样的烘焙用于去除包含于该合成物内的溶剂。凝固可以增大所沉积的光敏合成物的硬度和/或导致合成物回流。
本发明还可以提供这样的方法，其中所述显影的负性光敏合成物可透射具有400-700nm的波长范围，优选地达整个该范围的光。除此以外或作为选择，透射可以是针对较窄范围的光，例如，450-495nm、620-700nm和/或495-570nm。透射性质可以意指例如合成物透射大于50%的、大于70%的或大于90%的光，或者最优选地对于光基本上是透明的。
本发明还可以提供这样的方法，包括在所述被照射的负性光敏合成物的至少一部分以及主体的所述部分上（例如，在基板的整个所平坦化的表面区域或整个表面上）沉积发光层或光导层，其中所述主体包括用于传导由所述发光层输送的电荷的轨道。但是，在发光层或光导层与所平坦化的表面区域之间可以存在一个或多个中介层，例如，用于增加到发光层的电荷注入的层，例如，空穴注入层（HIL）。轨道可以按照栅格状结构的导电轨道来形成。例如，这样的栅格可以例如使电荷从在照明面板的边缘上的触点穿过这样的发光层或中介层一直传导到所分布的点。因而，轨道优选地使电流横向分布于整个这样的层上。轨道可以是金属，并且氧化铟锡（ITO）可以作为下一层沉积于所平坦化的表面区域上以形成基本上透明的阳极，和/或基板可以是基本上透明的，例如，可透射具有400-700nm的波长范围和/或以上所述的较窄范围中的一个或多个的光，和/或可以包括玻璃。
本发明还可以提供用于形成电子器件的方法，该方法包括第三方面的方法。该电子器件可以是例如有机发光二极管（OLED）或OPV。包含例如OLED的其他类型的照明及显示元件可以通过该方法形成。该电子器件还可以是半导体器件，例如，双极型或场效应晶体管，和/或可以是分立器件或者包括根据该方法制成的一个或多个较小的集成电子器件的集成电路（IC）。因而，本发明还可以提供形成IC的方法，该方法包括第三方面的方法。
本发明还可以提供形成照明面板的方法，该方法包括第三方面的方法，该照明面板优选地包括通过第三方面的方法形成的一个或多个OLED。
本发明还可以提供使用第三方面的方法形成的OLED、OPV、照明面板或集成电路。
根据本发明的第四方面，本发明提供了包括具有基本上平坦的表面的表面区域的基板，该基板包括在所述表面区域的一部分上的主体以及在所述表面区域上的且与所述主体相邻的平坦化剂合成物，其中所述平坦化剂合成物和所述主体具有各自的厚度，以提供包括所述平坦化剂合成物的表面区域及所述主体的相邻的表面区域的基本上平坦的表面区域，其中所述基板可透射预定波长的光并且所述主体对于所述预定波长的光是基本上不透明的，该基板包括：在所述表面区域上的且基本上不存在于所述相邻主体的负性光敏合成物；以及在所述负性光敏合成物上的以及在所述相邻主体上的层。优选地，负性光敏合成物为至少部分凝固的和/或显影的负性光敏合成物。
优选地，该层直接地接触（优选地，已凝固的和/或已显影的）负性光敏合成物和主体。在基板包括至少两个这样的主体（所述主体可以是单独的主体或单个主体的不同部分）的情形中，在显影后所保留的所照射的负性光敏合成物可以被看作是在主体之间的“填充物”。
本发明还可以提供这样的基板，其中所述负性光敏合成物可透射具有400-700nm的波长范围和/或以上所述的较窄范围中的一个或多个的光。
本发明还可以提供这样的基板，包括在所述负性光敏合成物的至少一部分以及所述主体的至少一部分上的发光层，其中所述主体包括用于传导由所述发光层输送的电荷的轨道。
本发明还可以提供包括第四方面的基板的电子器件。该电子器件可以是例如有机发光二极管（OLED）或OPV。本发明还可以提供包括多个这样的OLED的照明面板。该电子器件还可以是半导体器件，例如，双极型或场效应晶体管，和/或可以是分立器件或者包括包含该基板的一个或多个较小的集成电子器件的集成电路（IC）。因而，本发明还可以提供包括第四方面的基板的IC。
在所附的权利要求书中定义了优选的实施例。
附图说明
为了更好地理解本发明以及示出实施本发明的方式，现在将按照示例的方式来参考附图，在附图中：
图1a示出了通过有机发光二极管（OLED）的一部分的垂直截面；
图1b示出了图1a的OLED的视图；
图1c示出了包括具有图1a和/或1b所示的结构的多个OLED10的照明面板100。
图2示出了液滴在表面上的接触角A；
图3a示出了在非金属基板上的金属轨道的示意性截面图；
图3b示出了在一种实施例中的施加于具有金属轨道的基板的自组装单层（SAM）；
图3c示出了从图3b的经SAM处理的金属轨道上退润湿的平坦化材料；
图4a示出了在另一种实施例中的旋涂于包括金属轨道在内的整个基板上的光刻胶；
图4b示出了在图4a的金属轨道之间的交联的平坦化材料；
图4c示出了在图4a的金属轨道之间的已显影的平坦化材料。
具体实施方式
下面一般地涉及基于表面润湿性更改或背向照射的平坦化。这样的平坦化的实施例可以被实施以改善优选地具有图1b所示的轨道的和/或包括图3a所示的结构的如图1a所示的OLED结构。实施例可以降低或基本上避免一个或多个层的曲率，这样的曲率示于图1a中的轨道上方。
通过使得所沉积的层经由平坦化而为基本上平坦的，电导率和/或电场强度可以在一种实施例中于每个此类层和/或此类层的组合上都是基本上均匀的。这可以降低器件损伤或故障的风险。电导率和/或场强较高的区域可以关联于与层内的邻近区域相比较高的电流密度。此类较高的电流密度可以是由于例如层的厚度变化和/或曲率，在这种情况下该层适于覆盖主体的边缘（例如，轨道）。这可以导致在整个器件上的亮度变化。除此以外或作为选择，当电流流过这样的区域时，可能会发生烧伤（burn-in），使得该区域变为在层间（例如，在OLED的阳极和阴极之间）短路。电流密度较高的区域然后可以有效地充当熔丝，并从而导致器件的故障。在缺少平坦化时，会增大出现电流密度较高的区域的风险，例如，在层与轨道的厚度相比为较薄的和/或轨道包含诸如可能由光刻处理导致的尖角时。（OLED的轨道可以是例如50-200nm厚）。
作为待通过表面润湿性更改或背向照射来平坦化的基板的示例，图3a示出了在非金属基板（例如，玻璃或聚合物膜）上的金属轨道的截面图。该金属为例如铜（Cu）。但是，能够被平坦化的其他材料的示例是诸如Ag、Ti、Pd、Pt、Zn、Al之类的金属。除金属外，半导体和绝缘体等的主体能够通过该方法的实施例来平坦化。这可以包括：金属氧化物（例如，Al2O3、TiO2、ZnO）、非金属氧化物（例如，SiO2）、透明的导电性氧化物（例如，ITO）、半导体（例如，Si、Ge、GaAs、AlAs、InAs、InSb–包括上述半导体的所有三元及四元合金，CdTe、GaN）和/或电介质（例如，云母）。
本发明的实施例提供了以作为平坦化剂材料的绝缘体对此类照明面板轨道进行的填充平坦化，以有利地在没有覆盖轨道结构的表面（并因而使其绝缘）的情况下进行平坦化。这可以在实施例中要么通过采用致使轨道结构为非润湿的选择性的自组装单层（SAM），要么通过使用负性光刻胶平坦化材料以及在以轨道结构作为掩蔽物的情况下的背面自对准曝光实现。
通过这样的基于SAM的或基于光刻胶（背向照射）的实施例进行的填充平坦化可以有利地仅在金属轨道之间的“间隙”内（即，不在轨道特征上）提供平坦化材料。以此方式，金属轨道表面在平坦化之后保持为未被覆盖的并且可以不与进一步的层电绝缘，即使所使用的平坦化材料是绝缘的。更具体地，这可以通过以下两种方法实施例之一来实现：（i）使用附着于金属的且更改其润湿性的SAM，以便更改在OLED照明面板内的金属轨道，从而允许填充平坦化；或者（ii）通过在以金属轨道作为掩蔽物的情况下对负性光敏平坦化材料采用背面曝光，使得平坦化材料可以通过自对准光刻限定于金属轨道之间的“间隙”内。
任一种实施例都可以在不覆盖金属轨道的情况下，即，在没有使轨道与待沉积于轨道之上的有源层电绝缘的情况下，允许对在OLED照明面板内的金属轨道进行平坦化。
填充平坦化的实施例在使用绝缘的平坦化材料时可以消除或减少进一步加工（例如，回蚀步骤）的任何必要性。这可以降低工艺的成本和/或复杂度。与此类回蚀步骤相关的缺点可以得以避免，优选地是在仍然使用专用于平坦化目的绝缘材料的情况下。平坦化材料可以被裁切以满足平坦化和光学性质（例如，有利于出射耦合的高透明度和折射率）两方面的要求，但是有利地必须为既非导电的也不是在沉积之后被回蚀的。作为代替，可以或者通过采用自组装单层，或者通过使用自对准的光刻来将其限定于金属轨道之间的区域。
通过采用本发明的实施例，可以不需要厚的导电性空穴注入层来使金属轨道平坦化，而是对于OLED器件叠层可以使用正常的薄的空穴注入层。因而，可以避免以厚的空穴注入层进行平坦化的缺点，和/或可以在不必满足平坦化要求的情况下针对在OLED内的空穴注入层的功能来优化空穴注入层。
考虑基于表面润湿性更改或背向照射的平坦化实施例的另加的或可替换的优点，可以使用良好地适合于应用的平坦化材料（例如，具有有利于出射耦合的折射率的材料）。可以不需要去除平坦化材料（例如，绝缘的平坦化材料）来使轨道线路重新暴露，例如，用于与后续沉积的层（例如，OLED的空穴注入层）的电接触。可以避免进一步的加工步骤，例如，用于去除平坦化材料的步骤，其可能引起污染有源区（例如，OLED的发光层和/或电荷注入层）和/或腐蚀金属轨道的风险。
本发明的实施例可以具有足够薄的和/或足够透光的平坦化材料，使得例如光损耗由于提高的光学透明度而被降低，和/或用于调谐OLED腔的问题被降低或被避免。而且，平坦化材料的选择在实施例中并不限定于例如一般地不具有所期望的光学性质（例如，有利于出射耦合的高透明度或折射率）的高电导率材料，例如，PEDOT:PSS。
表面润湿性更改
一般地，器件实施例（例如，OLED）可以使用用于通过在SAM更改的金属轨道上沉积平坦化材料的方式填充金属轨道之间的间隙的方法来制造。
这样的实施例可以提供有利地在不覆盖金属轨道结构的表面（并因而使其绝缘）的情况下使用为进行平坦化而设计的绝缘体来进行照明面板轨道的填充平坦化。这可以通过采用更改轨道结构表面的，优选地致使轨道结构为基本上非润湿的选择性的自组装单层（SAM）来实现。
这样的更改可以通过增大平坦化材料在轨道上的接触角来实现。为了更加清晰，图2示出了在平坦表面上的液体平坦化材料的液滴，其中接触角为在液滴接触平表面之处的在平坦表面与液滴的暴露表面的切线之间的角度。在液滴处于弯曲表面上的情况下，例如，在轨道不是完全平坦的情况下，接触角可以是在液滴接触弯曲表面之处的在表面与液滴的暴露表面的切线之间的角度。
该实施例可以采用专用的、绝缘的平坦化层，具有致使进一步加工的步骤（例如，回蚀步骤）变为不必要的优点。
在旋涂平坦化材料之前，可以将自组装单层（SAM）合成物施加于具有金属轨道的基板上（图3b）。该SAM具有两个功能基团。一个基团（头部基团）（由菱形指示）选择性地附着于金属上，而不是于基板材料上。除了其他外，附着于金属（例如，Cu、Au和Ni）上的功能基团的示例为巯基（-SH）。另一个功能基团（尾部基团）（由圆形指示）提供对液体平坦化材料的非润湿性（高接触角）。在平坦化材料被作为极性液体来处理时，-CH3是此类基团的示例。
在施加平坦化材料时，材料可以基本上从经SAM处理的金属轨道上退润湿，并且仅填充在轨道之间的间隙，如图3c所示。OLED然后可以直接在所平坦化的金属轨道上处理。
以下涉及在实施例中可以用作轨道表面更改剂的具体的SAM的示例。以下的表1示出了用于选择性地附着到不同材料的SAM的示例功能头部基团。
表1
*同样附着于玻璃SiO2，所以该功能基团会较不容易用于选择性地附着于玻璃基板上的例如Ti轨道。
**同样可以附着于玻璃SiO2，所以该功能基团会较不容易用于选择性地附着于例如玻璃基板上的Al轨道。
有关在头部和尾部基团之间的间隔物/系链的示例，这些可以是烃链，和/或能够是饱和的或不饱和的，线性的或有支链的，卤代的或非卤代的，单体的或聚合体的。具体的示例是线性的烷基状链，例如，C4H8或C9H18。
以下的表2示出了SAM的示例非润湿（或疏水）的尾部功能基团。
表2
烷基 RCH3
烯基 RC=CH2
炔基 RCΞCH
芳基，如，苯基 RC6H5
上述每个基团还能够部分地或完全地进行氟化，以获得甚至更大的疏水性。在这于功能基团内引起永久偶极距的情形中，这还可以有助于电荷载流子从金属注入在上面的发光层叠层内。例如，可以使用氟苯头部基团以帮助空穴注入。
适合于金属轨道的填充的平坦化材料的示例包括有时一般地称为旋涂玻璃（SOG）的硅氧烷聚合物。SOG对SiO2表面具有极好的粘附力，并且其优良的间隙填充能力也是众所周知的。SOG/SiO2的组合已经作为有效的平坦化层被广泛地使用于半导体工业内。存在许多类型的在固化之后变为透明的SOG材料。SOG能够通过旋涂、浸渍、印刷、狭缝涂布或者暴露于雾来容易地施加。在沉积之前，应当使SOG的温度变为室温，并且然后以
Figure BDA0000387652280000171
微米的典型厚度对SOG进行旋涂（例如对于典型的光刻胶旋涂工艺）。典型地，SOG材料需要400℃的固化温度，但是，对于该应用，SOG层需要是高度光学透明的，并且可以在较长的烘焙时间内在低得多的温度（例如，150℃）下，或者在室温下以红外灯照射来固化。在现有技术参考文献US6674106、US7445953和WO2009108574中公开了合适的SOG材料的示例。
下面描述了用于实现实施例的示例“配方”。实施例开始于具有Au轨道的玻璃基板。该基板以丙酮漂洗，并随后在异丙醇（IPA）中清洗（超声清洗10分钟），并且之后以氮气（N2）吹干。SAM材料3,3,4,4,5,5,6,6,6-九氟-1-己硫醇可从Sigma-Aldrich购得（产品编号16494）。在甲醇中的SAM材料的1毫克分子溶液被制备，并且将已清洗的基板在溶液内浸泡24小时。为了在SAM形成之后从基板中去除过量的3,3,4,4,5,5,6,6,6-九氟-1-己硫醇，在将基板从SAM溶液中取出后，以甲醇对其进行彻底的漂洗。在以N2吹干后，基板具有以SAM更改的Au轨道的特征，该Au轨道现在是非润湿的（或疏水的），并且已准备好进行平坦化。应当使SOG的温度变为室温，并且然后能够以
Figure BDA0000387652280000181
微米的典型厚度被旋涂上（例如，用于典型的光刻胶旋涂工艺）。典型地，SOG材料需要400℃的固化温度，但是，对于该应用，SOG层需要是高度光学透明的，可以在较长的烘焙时间内在低得多的温度（例如，150℃）下，或者在室温下以红外灯照射来固化。在现有技术参考文献US6674106、US7445953和WO2009108574中公开了合适的SOG材料的示例。
背向照射更改
一种实施例使用具有负性光刻胶的光敏质的平坦化材料。光刻胶可以被旋涂于包括金属轨道在内的整个基板上，如图4a所示。
基板可以在光刻胶对其敏感的波长的光下进行大量曝光。曝光可以穿过基板的背面来完成。因而，不透明的金属轨道可以在曝光过程中充当光掩蔽物。由于负性光刻胶被使用，因而只有在金属轨道之间的平坦化材料可以变为交联的（图4b），即，沉积于金属轨道之上的材料是不交联的。在轨道之上的金属可以因而保持为可溶于光刻胶显影剂中。负性光刻胶及相关显影剂的示例分别为SU-8和PGMEA（丙二醇单甲醚乙酸酯）。
已曝光的光敏平坦化材料的显影可以去除在金属轨道之上的非交联材料，但是保留在金属轨道之间的平坦化材料（图4c）。由于在该实施例中金属轨道没有被平坦化材料覆盖，并且从而不与后续沉积于所平坦化的轨道上的任何层电绝缘，因而OLED然后可以被在所平坦化的金属轨道上处理。
可以适合于平坦化工艺的负性光刻胶包括大部分化学增强的负性光刻胶，例如，SU-8。这些负性光刻胶通常是基于环氧或树脂的，并且因此是高度透明的。其他合适的示例可以是Zeon公司的zeon材料、AZ电子材料公司的基于AZnLOF的材料或者Futurrex的负性光刻胶（例如，NR9系列）。本领域技术人员应当意识到，还存在许多合适的材料。
具体过程（以及所选择的负性光刻胶材料）可以取决于待平坦化的器件的高度。所选光刻胶的溶剂含量可以是可调谐的，以在所期望的旋涂速度下达到具体的要求厚度。
在一个具体的示例中，负性光刻胶过程基于SU-8-2000.5，以使高度为600nm的轨道平坦化。但是，该过程存在许多变型，这些变型仍然会获得所期望的结果。以下描述该具体示例：
-对于每英寸（25mm）的基板直径，分配1ml的光刻胶；
-在500rpm的速度下旋转5-10秒，加速度为100rpm/s，以使基板上的光刻胶扩散开；
-在2000rpm的速度下旋转30秒，加速度为300rpm/s；
-以Microchem EBR溶液来执行边梁去除和反面清洁（例如，如果该工具具有必要的设备）；
-在热板上于95℃下软烘焙2分钟；
-使用取365nm为中心的具有200mJ/cm2的曝光能量的紫外汞灯从基板的背面进行大量曝光，以获得交联（100mJ/cm2同样是足够的）；
-在曝光之后，在热板上于95℃下烘焙2分钟；
-以PGMA显影；然后
-在150℃或以上硬烘焙30分钟。
无疑，本领域技术人员应当会想得到许多其他有效的可替换方案。应当理解，本发明并不限定于所描述的实施例，而是包括对本领域技术人员而言为显而易见的属于所附权利要求书的范围之内的修改。

Claims (55)

1.一种用于平坦化基板的表面区域的方法，所述基板具有在所述表面区域的一部分上的主体，所述方法包括：
更改所述主体的表面相对液体平坦化剂合成物的润湿性；并且然后
将所述液体平坦化剂合成物沉积于所述基板上使得所述平坦化剂合成物润湿所述基板的所述表面区域，
其中所述更改确定所述液体平坦化剂合成物与所述主体的所述表面的接触角，使得所述沉积的液体平坦化剂合成物被所述主体的所述表面排斥。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述更改包括将表面更改剂沉积于所述主体上，所述表面更改剂确定所述接触角。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述表面更改剂在所述主体上形成自组装层。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述自组装层是单层。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述确定的接触角大于90度。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述确定的接触角大于120度。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，还包括凝固所述沉积的液体平坦化剂合成物。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述平坦化剂合成物可透射具有400-700nm范围中的波长的光。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，所述方法包括在所述平坦化的表面区域上沉积发光层，其中所述主体包括用于传导由所述发光层输送的电荷的轨道。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，所述方法包括在所述平坦化的表面区域上沉积光导层，其中所述主体包括用于传导由所述光导层输送的电荷的轨道。
11.根据权利要求1至8中的任一项所述的方法，所述方法包括在所述平坦化的表面区域上沉积电荷注入层以及在电荷注入层上沉积发光层，其中所述主体包括用于传导由所述发光层输送的电荷的轨道。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中沉积所述平坦化剂合成物包括将所述平坦化剂合成物旋涂到所述基板和主体上。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述旋涂在预定的条件下执行使得所述沉积的液体平坦化剂合成物具有预定的厚度，所述预定的条件包括所述液体平坦化剂合成物的粘度、溶剂在所述液体平坦化剂合成物中的浓度、旋转持续时间和/或旋转速度中的一个或多个。
14.一种用于形成电子器件的方法，所述方法包括根据权利要求1至13中的任一项所述的方法。
15.根据权利要求14所述的方法，包括形成有机发光二极管（OLED）。
16.根据权利要求14所述的方法，包括形成有机光伏（OPV）器件。
17.一种用于形成照明面板的方法，所述方法包括根据权利要求1至15中的任一项所述的方法。
18.一种用于形成集成电路的方法，所述方法包括根据权利要求1至7和权利要求13至14中的任一项所述的方法
19.使用根据前述权利要求中的任一项所述的方法形成的电子器件、照明面板或集成电路。
20.一种基板，包括表面区域、在所述表面区域上的主体和在所述表面区域上的平坦化剂合成物，其中所述平坦化剂合成物和所述主体的相邻区域具有各自的厚度，以提供与所述基板表面区域相对的且延伸横过所述平坦化合成物和所述主体的所述相邻区域的基本上平坦的表面区域，所述基板包括：
在所述主体上的表面更改剂，所述表面更改剂确定接触角使得所述平坦化剂合成物在作为液体被沉积于所述基板表面区域上时，润湿所述基板表面区域并且被所述主体表面排斥。
21.根据权利要求20所述的基板，其中所述平坦化剂合成物基本上不存在于所述主体表面。
22.根据权利要求20至21中的任一项所述的基板，其中所述表面更改剂包括自组装层。
23.根据权利要求22所述的基板，其中所述自组装层是单层。
24.根据权利要求20至23中的任一项所述的基板，其中所述平坦化剂合成物可透射具有400-700nm范围中的波长的光。
25.根据权利要求20至24中的任一项所述的基板，包括在所述主体的至少一部分上的发光层，其中所述主体包括用于传导由所述发光层输送的电荷的轨道。
26.根据权利要求20至24中的任一项所述的基板，包括在所述主体的至少一部分上的光导层，其中所述主体包括用于传导由所述光导层输送的电荷的轨道。
27.根据权利要求20至24中的任一项所述的基板，包括在所述平坦化的表面区域上的电荷注入层以及在所述电荷注入层上的发光层，其中所述主体包括用于传导由所述发光层输送的电荷的轨道。
28.一种电子器件，包括根据权利要求20至27中的任一项所述的基板。
29.根据权利要求28所述的电子器件，其中所述器件是有机发光二极管（OLED）。
30.根据权利要求28所述的电子器件，其中所述器件是有机光伏（OPV）器件。
31.一种照明面板，包括多个根据权利要求29所述的OLED。
32.一种集成电路，包括根据权利要求20至23中的任一项所述的基板。
33.一种用于平坦化基板的表面区域的方法，所述基板具有在所述表面区域的一部分上的主体，其中所述基板可透射预定波长的光，并且所述主体对于所述预定波长的光基本上是不透明的，所述方法包括：
在所述表面区域上以及在所述主体的至少一部分上沉积负性光敏合成物；
使用所述预定波长的光穿过所述透射基板来照射所述负性光敏合成物，使得所述主体部分掩蔽沉积于所述主体部分上的所述负性光敏合成物；
使所述被照射的负性光敏合成物显影以基本上去除所述被掩蔽的负性光敏合成物。
34.根据权利要求33所述的方法，其中所述沉积包括将所述负性光敏合成物旋涂到所述基板表面区域上以及到所述主体的至少一部分上。
35.根据权利要求34所述的方法，其中所述旋涂在预定的条件下执行使得所述沉积的负性光敏合成物具有预定的厚度，其中所述预定的条件包括所述负性光敏合成物的粘度、溶剂在所述负性光敏合成物中的浓度、旋转持续时间和/或旋转速度中的一个或多个。
36.根据权利要求33至35中的任一项所述的方法，其中所述显影的负性光敏合成物可透射具有400-700nm范围中的波长的光。
37.根据权利要求33至36中的任一项所述的方法，所述方法包括在所述被照射的负性光敏合成物的至少一部分以及所述主体的所述部分上沉积发光层，其中所述主体包括用于传导由所述发光层输送的电荷的轨道。
38.根据权利要求33至36中的任一项所述的方法，所述方法包括在所述被照射的负性光敏合成物的至少一部分以及所述主体的所述部分上沉积光导层，其中所述主体包括用于传导由所述光导层输送的电荷的轨道。
39.根据权利要求33至36中的任一项所述的方法，所述方法包括在所述被照射的负性光敏合成物的至少一部分以及所述主体的所述部分上沉积电荷注入层并且在所述电荷注入层上沉积发光层，其中所述主体包括用于传导由所述发光层输送的电荷的轨道。
40.一种用于形成电子器件的方法，所述方法包括根据权利要求33至36中的任一项所述的方法。
41.根据权利要求40所述的方法，包括形成有机发光二极管（OLED）。
42.根据权利要求40所述的方法，包括形成有机光伏（OPV）器件。
43.一种用于形成照明面板的方法，包括根据权利要求33至37中的任一项所述的方法。
44.一种用于形成集成电路的方法，包括根据权利要求33至35中的任一项所述的方法。
45.使用根据权利要求33至44中的任一项所述的方法形成的电子器件、照明面板或集成电路。
46.一种基板，包括具有基本上平坦的表面的表面区域，所述基板包括在所述表面区域的一部分上的主体以及在所述表面区域上的且与所述主体相邻的平坦化剂合成物，其中所述平坦化剂合成物和所述主体具有各自的厚度，以提供包括所述平坦化剂合成物的表面区域以及所述主体的相邻表面区域的基本上平坦的表面区域，其中所述基板可透射预定波长的光，并且所述主体对于所述预定波长的光基本上是不透明的，所述基板包括：
在所述表面区域上的且基本上不存在于所述相邻主体的负性光敏合成物；以及
在所述负性光敏合成物上的以及在所述相邻主体上的层。
47.根据权利要求46所述的基板，其中所述负性光敏合成物可透射具有400-700nm范围中的波长的光。
48.根据权利要求46或47所述的基板，包括在所述负性光敏合成物的至少一部分以及所述主体的至少一部分上的发光层，其中所述主体包括用于传导由所述发光层输送的电荷的轨道。
49.根据权利要求46或47所述的基板，包括在所述负性光敏合成物的至少一部分以及所述主体的至少一部分上的光导层，其中所述主体包括用于传导由所述光导层输送的电荷的轨道。
50.根据权利要求46或47所述的基板，包括在所述负性光敏合成物的至少一部分以及所述主体的至少一部分上的电荷注入层以及在电荷注入层上的发光层，其中所述主体包括用于传导由所述发光层输送的电荷的轨道。
51.一种电子器件，包括根据权利要求46至50中的任一项所述的基板。
52.根据权利要求51所述的电子器件，其中所述器件是有机发光二极管（OLED）。
53.根据权利要求51所述的电子器件，其中所述器件是有机光伏（OPV）器件。
54.一种照明面板，包括多个根据权利要求52所述的OLED。
55.一种集成电路，包括根据权利要求46至47中的任一项所述的基板。
CN201280015328.XA 2011-03-30 2012-03-21 表面平坦化 Expired - Fee Related CN103443709B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1105364.2 2011-03-30
GBGB1105364.2A GB201105364D0 (en) 2011-03-30 2011-03-30 Surface planarisation
GBGB1105364.2 2011-03-30
PCT/GB2012/000259 WO2012131288A1 (en) 2011-03-30 2012-03-21 Surface planarisation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103443709A true CN103443709A (zh) 2013-12-11
CN103443709B CN103443709B (zh) 2016-04-06

Family

ID=44067634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280015328.XA Expired - Fee Related CN103443709B (zh) 2011-03-30 2012-03-21 表面平坦化

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9054042B2 (zh)
EP (1) EP2691813A1 (zh)
JP (1) JP2014512075A (zh)
KR (1) KR20140022853A (zh)
CN (1) CN103443709B (zh)
GB (1) GB201105364D0 (zh)
TW (1) TW201244010A (zh)
WO (1) WO2012131288A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113396468A (zh) * 2019-03-05 2021-09-14 佳能株式会社 透气性覆板和使用其的方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103928626A (zh) * 2014-04-17 2014-07-16 上海和辉光电有限公司 Oled发光装置及其制造方法
DE102015104138A1 (de) * 2015-03-19 2016-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
KR20170081571A (ko) * 2016-01-04 2017-07-12 주식회사 엘지화학 회로기판의 제조방법
JP6821060B2 (ja) * 2017-09-19 2021-01-27 エルジー・ケム・リミテッド 透明発光素子ディスプレイ用電極基板およびその製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164507A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Canon Inc デバイス製造システム
US20060094234A1 (en) * 2004-11-01 2006-05-04 Eiichi Soda Method for manufacturing electonic device
WO2007110671A2 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Plastic Logic Limited Techniques for device fabrication with self-aligned electrodes
EP1944775A1 (en) * 2003-09-02 2008-07-16 Plastic Logic Limited Production of electronic devices
CN201134009Y (zh) * 2007-11-14 2008-10-15 上海微电子装备有限公司 一种工件台平衡定位装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5828833A (ja) 1981-08-12 1983-02-19 Seiko Epson Corp 表面平担化方法
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
JPS60103677A (ja) 1983-11-11 1985-06-07 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
US4882245A (en) 1985-10-28 1989-11-21 International Business Machines Corporation Photoresist composition and printed circuit boards and packages made therewith
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5010027A (en) 1990-03-21 1991-04-23 General Electric Company Method for fabricating a self-aligned thin-film transistor utilizing planarization and back-side photoresist exposure
GB9317932D0 (en) 1993-08-26 1993-10-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
JPH07135322A (ja) * 1993-11-10 1995-05-23 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
US5597747A (en) 1995-12-15 1997-01-28 Industrial Technology Research Institute Method of making inverted thin film transistor using backsick exposure and negative photoresist
JP3799764B2 (ja) 1997-08-25 2006-07-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 感光性平版印刷版処理装置
JP3274986B2 (ja) 1997-08-29 2002-04-15 シャープ株式会社 ピット長調整装置および光ディスク原盤露光装置および光ディスクドライブ装置
GB9805476D0 (en) 1998-03-13 1998-05-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
JP2000009923A (ja) * 1998-06-17 2000-01-14 Ricoh Co Ltd 液晶表示用カラーフィルターおよび該カラーフィルターを用いた反射型カラー液晶表示装置
EP1182910A4 (en) * 1999-04-02 2006-10-18 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT SCREEN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP2001242803A (ja) 2000-02-29 2001-09-07 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP2001356352A (ja) * 2001-05-28 2001-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子およびその製造方法
US7148148B2 (en) * 2001-12-06 2006-12-12 Seiko Epson Corporation Mask forming and removing method, and semiconductor device, an electric circuit, a display module, a color filter and an emissive device manufactured by the same method
JP4236080B2 (ja) * 2002-06-13 2009-03-11 大日本印刷株式会社 カラーフィルタの製造方法
JP2005150151A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Seiko Epson Corp 半導体装置の絶縁膜形成方法及び半導体装置
US7015061B2 (en) 2004-08-03 2006-03-21 Honeywell International Inc. Low temperature curable materials for optical applications
GB2427509A (en) 2005-06-21 2006-12-27 Seiko Epson Corp Organic electronic device fabrication by micro-embossing
JP2007329446A (ja) 2006-05-12 2007-12-20 Seiko Epson Corp 金属配線形成方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、デバイス及び電気光学装置並びに電子機器
US7879390B2 (en) 2007-05-30 2011-02-01 Palo Alto Research Center Incorporated Surface energy control methods for color filter printing
JP5378420B2 (ja) 2008-02-25 2013-12-25 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 加工可能な無機及び有機ポリマー配合物、それらの製造方法及び使用
JP2011070903A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Brother Industries Ltd 色素増感型太陽電池用電極、その製造方法、および色素増感型太陽電池用電極を備える色素増感型太陽電池

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164507A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Canon Inc デバイス製造システム
EP1944775A1 (en) * 2003-09-02 2008-07-16 Plastic Logic Limited Production of electronic devices
US20060094234A1 (en) * 2004-11-01 2006-05-04 Eiichi Soda Method for manufacturing electonic device
WO2007110671A2 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Plastic Logic Limited Techniques for device fabrication with self-aligned electrodes
CN201134009Y (zh) * 2007-11-14 2008-10-15 上海微电子装备有限公司 一种工件台平衡定位装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113396468A (zh) * 2019-03-05 2021-09-14 佳能株式会社 透气性覆板和使用其的方法
CN113396468B (zh) * 2019-03-05 2024-03-26 佳能株式会社 透气性覆板和使用其的方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB201105364D0 (en) 2011-05-11
JP2014512075A (ja) 2014-05-19
US9054042B2 (en) 2015-06-09
WO2012131288A1 (en) 2012-10-04
EP2691813A1 (en) 2014-02-05
CN103443709B (zh) 2016-04-06
TW201244010A (en) 2012-11-01
KR20140022853A (ko) 2014-02-25
US20140084272A1 (en) 2014-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101628405B1 (ko) 전자 디바이스 및 이것의 제조 방법
CN103839964B (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
KR101186740B1 (ko) 뱅크형성 방법 및 이에 의해 형성된 뱅크를 함유하는 유기박막 트랜지스터
US9280007B2 (en) Method of manufacturing flexible display device
CN102960068B (zh) 有机电致发光显示面板及其制造方法
CN101030536B (zh) 电路图案、薄膜晶体管及电子设备的制造方法
CN102017158B (zh) 电子器件及使用溶液处理技术制造电子器件的方法
CN103443709B (zh) 表面平坦化
KR101972176B1 (ko) 불투명 도전성 영역의 자기-정렬 커버
JP2000505249A (ja) 導電性ポリマーのパターンおよび電極または電気接点としてのその応用
RU2477547C2 (ru) Сформированная в виде тонкой пленки подложка, органическое электролюминесцентное устройство отображения, подложка цветного фильтра и способ изготовления сформированной в виде тонкой пленки подложки
US9054315B2 (en) Method for manufacturing organic light-emitting device
US20100032662A1 (en) Organic Thin Film Transistors
CN101384963A (zh) 一种使薄膜形成图案的方法
WO2010038005A2 (en) Organic electroluminescent device
KR100714011B1 (ko) 평판표시장치 및 그 제조방법
WO2004026003A1 (ja) 有機ｅｌディスプレイ
KR20020086870A (ko) 용액 처리 디바이스
WO2013024734A1 (ja) トランジスタの製造方法及びトランジスタ
CN109564984B (zh) 具有岸结构的电子器件
KR101249097B1 (ko) 유기절연막 조성물, 유기절연막의 형성방법 및 이에 의해형성된 유기절연막을 함유하는 유기박막 트랜지스터
KR20130128157A (ko) 표시장치 및 이의 제조 방법
KR100658291B1 (ko) 평판표시장치 및 그 제조방법
JP2005276864A (ja) 成膜方法、膜、電子部品および電子機器
KR20100062536A (ko) 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160406

Termination date: 20200321