CN103409804B - 激光处理装置及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本文提供一种激光处理装置及其控制方法，该激光处理装置能够仅对衬底的待进行激光处理的部分选择性地进行激光处理，简化用于激光处理的衬底对准，并且在后续处理中不用在执行处理时使用单独的测量仪器就可使衬底对准。所述激光处理装置包括反应室，其内容纳衬底；标记单元，被提供给反应室以在衬底上形成基准点；感测单元，检测衬底的位置或基准点的位置；驱动单元，移动上面放置衬底的平台；以及控制器，响应于从感测单元发送的位置信号而将操作信号发送到标记单元或驱动单元。

Description

激光处理装置及其控制方法

技术领域

本发明涉及一种激光处理装置及其控制方法，尤其涉及一种激光处理装置及其控制方法，该激光处理装置能够仅对衬底的待进行激光处理的部分选择性地进行激光处理，简化用于激光处理的衬底对准，并且在后续处理中不用在执行该处理时使用单独的测量仪器就可使衬底对准。

背景技术

在制造半导体器件、平板显示器（FPD）器件、或太阳能电池器件等时，当在高温下沉积薄膜时，热化学反应可能造成反应炉污染，或者可能产生不想要的化合物。

因而，使用激光激发的等离子体化学气相沉积在低温下沉积薄膜。

同时，由于随着衬底规格的增大，很难确保薄膜沉积和退火时的均匀性，因此已经提出了包括激光退火处理的各种措施。

反应室设置有进气口/出气口，通过所述进气口/出气口而供应反应气体或从反应室排放反应气体，并且在反应室上端设置有石英玻璃窗口。激光装置放置于该石英玻璃窗口上方，并且从该激光装置发射的激光束经过该石英玻璃窗口并到达反应室中的衬底。

呈帘幕状照射的激光束垂直于衬底或相对于衬底稍微倾斜。

衬底沿相对于激光束的一个方向水平移动，从而使激光束照射至衬底的整个表面。

名称为“用于调节能量束的长度和强度的激光处理装置”的韩国专利申请号10-2010-0138509A（公开于2010年12月31日）公开了本发明的现有技术。

然而，由于通用激光处理装置将激光束照射至整个衬底以执行激光处理，激光束甚至会照射衬底的不需要进行处理的部分，从而很难减少激光处理的时间。

此外，由于通过通用激光处理装置成形（crystallize）的衬底在后续处理（post-process）中需要单独的测量仪器以使衬底相对于电池和面板进行对准（align），因此，用于使衬底对准的装置具有复杂的结构。

因此，需要一种克服现有技术中的这类问题的激光处理装置。

发明内容

本发明的目的在于提供一种激光处理装置及其控制方法，该激光处理装置能够仅对衬底的待进行激光处理的部分选择性地进行激光处理，简化用于激光处理的衬底对准操作，并且在后续处理中不用在执行处理时使用单独的测量仪器就可使衬底对准。

根据本发明的一个方案，一种激光处理装置包括：反应室，其内容纳衬底；标记单元，被提供给(be provided to)所述反应室以在所述衬底上形成基准点；感测单元，检测所述衬底的位置或所述基准点的位置；驱动单元，移动上面放置所述衬底的平台；以及控制器，响应于从所述感测单元发送的位置信号而将操作信号发送到所述标记单元或所述驱动单元。

所述标记单元包括：处理单元，放置在所述反应室内，且所述处理单元将激光束照射到所述衬底；以及移除单元，吸入在通过所述处理单元形成所述基准点时所产生的杂质，并将所吸入的杂质排放到所述反应室的外部。

所述感测单元包括：第一传感器，用于检测所述衬底的角部；第二传感器，用于检测所述基准点的位置，以及第三传感器，用于检测照射到所述反应室中的所述激光束的位置。

根据本发明的另一个方案，一种激光处理装置的控制方法，包括：（a）检测放置在反应室内的衬底的位置；（b）移动所述衬底，使得标记单元朝向所述衬底中的目标位置；（c）驱动所述标记单元以在所述衬底上形成基准点；（d）在开始处理之后，确定是否初始化执行激光处理；（e）计算并存储相对于基准点的被执行所述激光处理的处理位置；（f）将激光束从所述反应室的外部照射到所述反应室中，以对与存储在控制器中的所述处理位置相对应的衬底执行激光处理；以及（g）确定激光处理后的衬底的数量是否达到预设值。

如果在所述步骤（d）中确定在开始所述处理之后不初始化执行所述激光处理时，则所述方法进行所述步骤（f）。

如果在所述步骤（g）中确定所述激光处理后的衬底的数量没有达到所述预设值时，在所述激光处理后的衬底从所述反应室中被卸出且新衬底被供应至所述反应室中之后，则所述方法进行所述步骤（a）。

在根据本发明的激光处理装置及其控制方法中，由于激光束能够仅照射衬底的待进行激光处理的那部分，因此，缩短了用于照射激光束的操作时间，从而能够减少用于激光处理的时间和成本。

此外，在根据本发明的激光处理装置及其控制方法中，由于用于激光处理的衬底对准操作能够被简化，因此，通过便利化激光处理能够实现批量生产，从而能够进一步减少用于激光处理的时间和成本。

进一步地，在根据本发明的激光处理装置及其控制方法中，由于基于待进行处理的衬底的基准点来执行后续处理，因此，不使用单独测量仪器也能够使衬底对准，从而便利化用于后续处理的衬底对准操作。

附图说明

根据下面结合附图所做的具体描述，本发明的上述和其他目的、特征和其他优点将变得易于清楚理解，在附图中：

图1是根据本发明的一个实施例的激光处理装置的透视图；

图2是根据本发明的实施例的激光处理装置的反应室和标记单元的示意图；

图3是衬底的平面图，根据本发明的实施例的激光处理装置在该衬底上产生基准点；

图4是根据本发明的实施例的激光处理装置的标记单元的透视图；

图5是根据本发明的实施例的激光处理装置的移除单元的透视图；

图6是根据本发明的实施例的激光处理装置的阻挡（blocking）单元的透视图；

图7是根据本发明的实施例的激光处理装置在进行激光检验时（uponlaser inspection）的透视图；

图8是根据本发明的实施例的激光处理装置的阻挡单元在操作时的透视图；

图9是根据本发明的实施例的激光处理装置的平台的平面图；

图10是根据本发明的实施例的激光处理装置的框图；

图11是根据本发明的实施例的激光处理装置的控制方法的流程图；

图12是根据本发明的实施例的激光处理装置的氧气排放过程的流程图；以及

图13是根据本发明的实施例的激光处理装置的振动检测过程的流程图。

具体实施方式

下面将参照附图对本发明的示例性实施例进行描述。须了解，附图并不按照精确的比率绘制，而仅为方便描述和清楚起见，附图可在线条厚度和部件尺寸的方面进行放大。除非有其他明确申明，这里所用到的“一”、“一个”和“该”等单数形式的术语也可意图包含复数形式。而且，这里所用到的术语通过考虑本文公开的功能而加以限定，并且能够根据用户或操作者的习惯或意愿而改变。因此，对术语的定义应该根据这里给出的全文而定。

图1是根据本发明的一个实施例的激光处理装置的透视图；图2是根据本发明的实施例的激光处理装置的反应室和标记单元的示意图；以及图3是衬底的平面图，根据本发明的实施例的激光处理装置在该衬底上产生基准点。

图4是根据本发明的实施例的激光处理装置的标记单元的透视图，以及图5是根据本发明的实施例的激光处理装置的移除单元的透视图。

参照图1至图5，根据本发明的实施例的激光处理装置包括：反应室10，其包括上面放置衬底100的平台12；标记单元20，被提供给（be provided to）反应室10以在衬底100上形成基准点102；感测单元26，其检测衬底100的位置或基准点102的位置；驱动单元14，其移动上面放置衬底100的平台12；激光发生单元50，其照射激光束；光学单元70，其将激光发生单元50照射的激光束传送到反应室10中；阻挡单元51，其阻挡从激光发生单元50照射的激光束；真空单元30，被提供给平台12，以将氧气从位于衬底100与平台12之间的空间排放到反应室10外部；振动检测单元80，其检测反应室10、激光发生单元50、光学单元70或平台12的振动；以及控制器90，其响应于从感测单元26发送的位置信号而发送操作信号至标记单元20或驱动单元14，还在衬底100放置在平台12上时发送操作信号给真空单元30以使从平台12的中心部12a开始至其外围顺序执行氧气排放操作，以及根据从振动检测单元80发送的振动信号确定是否操作阻挡单元51。

当在反应室10内接纳了衬底100时，由感测单元26检测衬底100的位置，并且将位置信号发送到控制器90。然后，响应于从控制器90发送的操作信号而驱动该驱动单元14，且移动衬底100，使得衬底100中的目标位置朝向标记单元20。

当衬底100中的目标位置移动到朝向标记单元20时，通过标记单元20而在衬底100中的目标位置处形成基准点102。

在衬底100上形成基准点102后，通过计算从基于从感测单元26发送的位置信号而确定的基准点102到待要在其上执行激光处理的处理位置106的距离和方向来确定处理位置106。

操作驱动单元14以移动衬底100，使得衬底100的处理位置106朝向发射到反应室10中的激光束。

然后，来自激光发生单元50的激光束在其沿光学单元70被反射的同时被提供到反应室100中。这里，激光束通过放置在反应室10上侧的石英玻璃窗口而被提供到反应室10中。

此时，由于衬底100放置在反应室10中的平台12的上表面上，因此通过提供到反应室10中的激光束，在衬底100的处理位置106上执行激光处理。

标记单元20包括：处理单元22，被放置在反应室10内，并且该处理单元22将激光束照射至衬底100；以及移除单元24，其吸入（suction）在通过处理单元22形成基准点102时从衬底100产生的杂质（foreign matter），并将该杂质排放至反应室10外部。

由于处理单元22被放置在反应室10内，因此不单独执行在衬底100上形成基准点102的操作，且基准点102可在反应室10内接纳了衬底100之后并在执行激光处理之前形成。

在形成基准点102时，从处理单元22提供的激光束照射至衬底100，并且从衬底100产生的杂质被移除单元24吸入并排放到反应室10外部。

移除单元24包括：弧形（curved）部24a，具有围绕处理单元22的C形；以及真空孔24b，形成在弧形部24a中以吸入杂质。

弧形部24a在平面图中呈C形，其形成在形成移除单元24的区域（block）下端，被设置成围绕着处理单元22的被激光束照射的那部分。

多个真空孔24b被形成在弧形部24a的内壁上，并被连接至真空泵，由此从处理单元22发射的激光束经过弧形部24a并照射到衬底100，从而形成基准点102。

此时，从衬底100产生的杂质被真空孔24b吸入，并沿着移除单元24中限定的路径被排放至反应室10外部。

本领域技术人员能够很容易地实现从真空孔24b向反应室10和处理单元22外部延伸的路径，因而省略其具体图示和描述。

感测单元26包括：第一传感器26a，用于检测衬底100的角部；第二传感器26b，用以检测基准点102的位置，以及第三传感器26c，用以检测照射到反应室10中的激光束的位置。

当在反应室10内接纳了衬底100且该衬底100被放置在平台12的上表面上时，多个第一传感器26a检测衬底100的角部，并发送位置信号，由此控制器90确定衬底100的位置。

当衬底100偏离预设位置时，根据从控制器90发送的驱动信号来驱动该驱动单元14，从而移动衬底100。

因而，能够将衬底100放置在预设位置处，使得衬底100中的目标位置能够朝向标记单元20，并且激光束从处理单元22照射至目标位置以形成基准点102。

当基准点102完全被形成时，由第二传感器26b检测基准点102的位置，第二传感器26b依次将位置信号发送至控制器90。然后，控制器90基于基准点102来计算处理位置106。

由于第三传感器26c检测通过光学单元70照射到反应室10中的激光束的位置，因此激光束的位置被控制为使得激光束照射的位置朝向位于激光处理的初始平台中的衬底100的处理位置106。

图6是根据本发明的实施例的激光处理装置的阻挡单元的透视图，图7是根据本发明的实施例的激光处理装置在进行激光检验时的透视图，以及图8是根据本发明的实施例的激光处理装置的阻挡单元在操作时的透视图。

图9是根据本发明的实施例的激光处理装置的平台的平面图，以及图10是根据本发明的实施例的激光处理装置的框图。

参照图1和图6至图10，真空单元30包括：多个真空孔32，被提供给平台12；以及真空泵34，被连接到真空孔32以将氧气排放到反应室10外部。

在由感测单元26检测衬底100的位置且衬底100中的目标位置通过驱动单元14被设置成朝向标记单元20之后，操作真空泵34，使得存留在位于衬底100与平台12之间的空间中的氧气通过真空孔32吸入并被排放至反应室10外部。

因而，可防止氧气存留在衬底100与平台12之间，且在激光处理期间可防止在衬底100上产生杂质。

平台12包括：中心部12a，被设置为穿过平台12的中心以将平台12分成两个对称部分（section）；第一侧部12b，邻近中心部12a；第二侧部12c，邻近第一侧部12b的外侧；第三侧部12d，邻近第二侧部12c的外侧；以及多个交叉部12e，被设置为与第二侧部12c交叉。

当从位于衬底100与平台12之间的空间排放氧气时，为了防止氧气存留在衬底100的中心部12a，从衬底100的中心部12a朝向衬底100外围顺序执行排放氧气的操作。

因而，如上所述，平台12的上表面被分成中心部12a、第一侧部12b、第二侧部12c、第三侧部12d和交叉部12e，并放置从各部分向反应室10外部延伸的排气管（exhaust line）。

真空孔32包括：第一真空孔32a，形成在中心部12a中；第二真空孔32b，形成在第一侧部12b中；第三真空孔32c，形成在第二侧部12c中；第四真空孔32d，形成在第三侧部12d；以及第五真空孔32e，形成在交叉部12e中。

当衬底100被精确放置在平台12上从而使衬底100中的目标位置朝向标记单元20时，驱动第一真空泵34a（其连接至形成于平台12的中心部12a中的第一真空孔32a）以从衬底100的中心部12a排放氧气。

之后，顺序驱动第二真空泵34b、第三真空泵34c、第四真空泵34d和第五真空泵34e，因而依序从第一侧部12b、第二侧部12c、第三侧部12d和交叉部12e排放氧气，因此而防止氧气存留在衬底100与平台12之间。

交叉部12e是指与第二侧部12c交叉的部分，并且以均匀的间隔排列多个交叉部12e。

当大尺寸的衬底100被放置在平台12上时，即使依序将氧气从中心部12a排放至外部，在位于中心部12a与第三侧部12d之间的空间中仍可能存留氧气。

因而，在从中心部12a沿横侧方向依序排放氧气之后，当从与第二侧部12c交叉的交叉部12e排放氧气时，能够有效地防止氧气存留在大尺寸的衬底100与平台12之间。

阻挡单元51包括：壳体52，其放置在激光发生单元50的排出口处并包括入口52a和出口52b；第一阻挡部54，放置在入口52a与出口52b之间以反射激光束，从而防止激光束通过出口52b照射；以及功率计（power meter）58，用于测量被第一阻挡部54反射的激光束的强度。

当激光束从激光发生单元50照射放置在平台12上的衬底100时，激光束通过入口52a引入壳体52中，并通过出口52b朝向光学单元70照射。

在照射到光学单元70之中的激光束经过多个透镜之后，所述激光束朝向反应室10折射或反射，并照射至放置在平台12上的衬底100。

在本实施例中，由于激光束被阻挡单元51选择性地阻挡，因此在激光发生单元50的操作期间照射到反应室10中的激光束可被选择性地阻挡。

因而，激光处理可被执行为使得在衬底100上待执行激光处理的处理位置106之间连续排列有间隔。

当激光束被照射到带有放置在平台12上的衬底100的反应室10中时，利用激光束对衬底100执行激光处理，随着平台12通过驱动单元14向一侧移动，激光束在扫描衬底100的同时在宽的区域上执行激光处理。

在本实施例中，激光束通过阻挡单元51而选择性地照射到反应室10中。因而，当在平台12被驱动单元14移动的同时以均匀的时间间隔将激光束照射到反应室10中时，衬底100经受激光处理，从而以均匀的间隔排列多个处理位置106。

第一阻挡部54包括：第一反射板54a，被放置在入口52a与出口52b之间；第一旋转轴54b，用以支撑第一反射板54a并被可旋转地设置在壳体52中；以及第一电机54c，用以向第一旋转轴54b提供动力。

第一旋转轴54b被连接至第一反射板54a的一端。因而，当第一旋转轴54b通过第一电机54c旋转时，第一反射板54a在绕着旋转轴旋转的同时经过入口52a与出口52b之间的空间。

当第一反射板54a被设置在入口52a与出口52b之间时，通过入口52a引入壳体52中的激光束被第一反射板54a反射，并被引向功率计58，而不是沿着出口52b排放到壳体52外部。

因而，当激光束照射到反应室10中时，激光束以均匀的时间间隔照射，并执行激光处理以在衬底100上的处理位置106之间形成间隙104。

由于被第一反射板54反射的激光束照射到功率计58，因此能够测量从激光发生单元50照射的激光束的强度。

在本发明的本实施例中，阻挡单元51还包括：第二阻挡部56，其通过第一阻挡部54反射激光束；以及束流收集器（beam dump）59，其补偿（offset）通过第二阻挡部56反射的激光束。

由于第一反射板54a反射的激光束没有被引向功率计58而是通过第二阻挡部56的操作朝向束流收集器59反射，因此激光束通过束流收集器59而被补偿。

利用功率计58测量激光束的强度的操作被周期性地执行，或者当在特定条件下执行测试时予以执行。

因而，如在本发明的实施例中，当衬底100在间断的处理位置106处经受激光处理时，第一阻挡部54与第二阻挡部56同时被操作为使得通过入口52a发射到壳体52中的激光束被反射向束流收集器59，以通过第一阻挡部54和第二阻挡部56而被补偿。

第二阻挡部56包括：第二反射板56a，被放置在第一反射板54a与功率计58之间；第二旋转轴56b，用以支撑第二反射板56a并被可旋转地设置在壳体52中；以及第二电机56c，用于向第二旋转轴56b提供动力。

由于第二反射板56a被设置在第一反射板54a与功率计58之间，当给第二电机56c施加电力以旋转第二旋转轴56b时，被第一反射板54反射向功率计58的激光束因此被第二反射板56反射向束流收集器59。

第一电机54c是转速高于第二电机56c的大容量电机，从而使得随着第一反射板54a的转速的增加，衬底100上的处理位置106之间的间隙变小，且能够在紧急情况下立即阻挡激光束。

振动检测单元80包括：第一振动检测传感器82，被提供给反应室10；第二振动检测传感器84，被提供给激光发生单元50；第三振动检测传感器86，被提供给光学单元70；以及第四振动检测传感器88，被提供给平台12。

在执行激光处理时，由第一振动检测传感器82测量在反应室10中发生的振动，由第二振动检测传感器84测量在激光发生单元50中发生的振动，由第三振动检测传感器86测量在光学单元70中发生的振动，以及由第四振动检测传感器88测量在平台12中发生的振动。

当由第一至第三振动检测传感器82至86测量的振动幅度大于或等于预设值时，控制器90确定异常状态，并向第一电机54c发送驱动信号。然后，在第一旋转轴54b旋转的同时，第一反射板54a将激光束反射向功率计58。

其结果是，能够阻挡沿光学单元70照射到反应室10中的激光束，且能够停止激光处理。

当由第四振动检测传感器88测量的振动幅度大于或等于预设值时，控制器90确定异常状态，并向平台12发送控制信号，从而补偿平台12中发生的振动。

在本实施例中，平台12是空气平台12，其填充有支撑该平台12的气体。本领域技术人员能够很容易地实现这种空气平台12，因而省略其具体图示或描述。

在本发明的实施例中，光学单元70包括：主体74，被放置得邻近激光发生单元50的阻挡单元51；支撑件72，用于支撑主体74；通道76，从主体74延伸向反应室10的石英玻璃窗口；以及供应单元78，通过将光学透镜放置到通道76的一端而配置。

光学单元70的第三振动检测传感器86可被提供给主体74，可被提供给放置在通道76中的多个透镜，或者可被提供给放置在供应单元78中的光学透镜。

本领域技术人员能够很容易地改进这种配置，因而省略其他实施例的具体图示或描述。

附图标记22a表示排出孔22a，通过该排出孔22a激光束从处理单元22照射。

下面将描述根据本发明的实施例的激光处理装置的控制方法。

图11是根据本发明的实施例的激光处理装置的控制方法的流程图。图12是根据本发明的实施例的激光处理装置的氧气排放过程的流程图。图13是根据本发明的实施例的激光处理装置的振动检测过程的流程图。

参照图1至图13，根据本发明的实施例的激光处理装置的控制方法包括以下步骤：检测放置在反应室10内的衬底100的位置（S10）；移动衬底100，使得标记单元20朝向衬底100中的目标位置（S20）；驱动标记单元20以在衬底100上形成基准点102（S30）；从位于衬底100与平台12之间的空间移除氧气（S40）；在开始处理之后，确定是否初始化执行激光处理（S50）；计算并存储相对于基准点102的待要执行激光处理的处理位置106（S60）；将激光束从反应室10外部照射到反应室10中以对衬底100的与存储在控制器90中的处理位置106对应的那部分执行激光处理（S70）；以及确定激光处理后的衬底100的数量是否达到预设值（S80）。

当衬底100被提供到反应室10中并放置在平台12上时，第一传感器26a检测衬底100的角部，并且基于从第一传感器26发送的位置信号，通过控制器90对衬底100的位置与预设位置进行比较。

当衬底100的位置偏离预设位置时，利用从控制器90发送的驱动信号驱动该驱动单元14以将该衬底100重新布置在预设位置处。

这里所使用的术语“预设位置”是指衬底100中的目标位置被设置为朝向标记单元20的位置。

当在衬底100被设置在预设位置处之后从处理单元22照射激光束以在衬底100上形成基准点102时，基准点102可被形成在重复提供至反应室10的每一个衬底100的同一位置处。

在形成基准点102之后，第二传感器26b检测基准点102的位置并向控制器90发送位置信号，而第三传感器26c检测激光束照射位置并向控制器90发送位置信号。

基于从第二传感器26b和第三传感器26c发送的位置信号，控制器90计算相对于基准位置102的待要执行激光处理的处理位置106。

通过感测单元26的操作，即使在依次将多个衬底100提供到反应室10中时重复进行激光处理的情况下，也可在多个衬底100上的同一处理位置106处执行激光处理。

在确定于开始处理之后是否初始化执行激光处理的操作S50中，当确定于开始处理之后不初始化执行激光处理时，执行将激光束从反应室10外部照射到反应室10中以对衬底100的与存储于控制器90中的处理位置106对应的那部分执行激光处理的操作S70。

在对多个衬底100进行激光处理的大规模生产工艺中，按照在初始化执行激光处理时存储在控制器90中的处理位置106对每个衬底100的同一部分连续执行激光处理。

因而，由于对于再次执行激光处理省略了计算相对于基准点102的处理位置的操作S60，因此能够减少激光处理的时间。

在前述激光处理中，由于激光束通过被第一电机54c旋转的第一反射板54a而选择性地提供至反应室10，因此激光处理可被执行为使得能够在衬底100上以均匀的间隔连续地排列多个处理位置106。

因而，在于激光处理之后执行的处理中，处理位置106基于基准点102而得以确定，并且能够仅在激光处理后的处理位置106上执行后继处理。

如上所述，由于没有在不用作产品的衬底100上执行激光处理或后继处理，而是仅在处理位置106上执行这些处理，因而能够降低产品制造时间和成本。

当重复进行激光处理且激光处理后的衬底100的数量达到预设值时，结束激光处理。

在确定激光处理后的衬底100的数量是否达到预设值的操作（S80）中，当确定激光处理后的衬底100的数量没有达到预设值时，执行对反应室10中经受激光处理的衬底100的卸出并供应新的衬底100的操作（S90），而后执行检测衬底100的位置的操作（S10）。

移除存留在衬底100与平台12之间的氧气的操作（S40）包括：当衬底100放置在反应室10内的平台12上时，从平台12的中心部12a排放氧气（S41）；当氧气从中心部12a完全排放时，从邻近中心部12a的第一侧部12b排放氧气（S42）；当氧气从第一侧部12b完全排放时，从邻近第一侧部12b的外侧的第二侧部12c排放氧气（S44）；当氧气从第二侧部12c完全排放时，从邻近第二侧部12c的外侧的第三侧部12d排放氧气（S46）；以及当氧气从第三侧部12d完全排放时，从与第二侧部12c交叉的交叉部12e排放氧气（S48）。

在移动衬底100而使衬底100中的目标位置朝向标记单元20之后，氧气从衬底100的中心部12a初始排放，而后从第一侧部12b、第二侧部12c和第三侧部12d依序排放。

然后，由于氧气从与第二侧部12c交叉的交叉部12e再次得到排放，因此能够有效地防止氧气存留在衬底100与平台12之间。

具体而言，当将大尺寸的衬底100放置在平台12上时，氧气很可能会存留在衬底100的中心部12a与侧端之间。

在本实施例中，由于氧气从中心部12a向外部依序排放，并且之后从与第二侧部12c交叉的交叉部12e再次得到排放，因此能够更有效地防止氧气存留在大尺寸的衬底100与平台12之间。

在激光处理装置的控制方法中的执行激光处理的操作（S70）中，执行检测在反应室10、激光发生单元50、光学单元70和平台12中发生的振动的操作。

在激光处理装置的控制方法中，检测激光处理装置中的振动的过程包括：确定包括上面放置衬底100的平台12的反应室10的振动幅度是否小于预设值（S110）；当反应室10的振动幅度小于预设值时，确定激光发生单元50（用于生成待要照射到反应室10中的激光束）的振动幅度是否小于预设值（S120）；当激光发生单元50的振动幅度小于预设值时，确定光学单元70（用于将从激光发生单元50照射的激光束引入反应室10中）的振动幅度是否小于预设值（S130）；以及当光学单元70的振动幅度小于预设值时，确定平台12的振动幅度是否小于预设值（S140）。

当执行激光处理的操作S70时，由第一振动测量传感器82测量反应室10的振动，由第二振动检测传感器84测量激光发生单元50的振动，由第三振动检测传感器86测量光学单元70的振动，以及由第四振动检测传感器88测量平台12的振动。

在测量反应室10的振动的操作S110中，当确定反应室10的振动幅度大于或等于预设值时，执行通过阻挡单元51的操作来阻挡激光束的操作S150。

在测量激光发生单元50的振动的操作S120中，当确定激光发生单元50的振动幅度大于或等于预设值时，执行通过阻挡单元51的操作来阻挡激光束的操作S150。

在测量光学单元70的振动的操作S130中，当确定光学单元70的振动幅度大于或等于预设值时，执行通过阻挡单元51的操作来阻挡激光束的操作S150。

如上所述，当所测量的反应室10、激光发生单元50和光学单元70的任何一个的振动幅度大于或等于预设值时，控制器90向第一电机54c发送操作信号。

因而，由于第一电机54c驱动第一旋转轴54b和第一反射板54a旋转，因此通过入口52a引入壳体52的激光束能够被阻挡而不会通过出口52b供应到反应室10中。

在测量平台12的振动幅度的操作S140中，当确定平台12的振动幅度大于或等于预设值时，执行控制平台12补偿振动的操作S160。

在本发明的实施例中，由于平台12是通过气压支撑的空气平台12，当平台12的振动幅度大于或等于预设值时，气压被降低，使得传导到平台12的振动能够通过使用气压的支撑单元得到补偿。

因此，本发明可提供一种激光处理装置及其控制方法，该激光处理装置能够仅对衬底的需要进行激光处理的那部分选择性地执行激光处理，同时简化用于激光处理的衬底的对准（alignment）操作。

虽然已经提供了一些实施例来说明本发明，但应该理解这些实施例仅为示意性方式，能够构思不违背本发明的精神和范围的各种变型和应用。进而，虽然已经给出了激光处理装置即控制激光处理装置的方法的示例，但它们仅仅是示意性的，且本发明可应用于其他产品。因此，本发明的范围应该由所附权利要求及其等同来限定。

Claims (6)

1.一种激光处理装置，包括：

反应室，其内容纳衬底；

标记单元，被提供给所述反应室以在所述衬底上形成基准点；

感测单元，检测所述衬底的位置或所述基准点的位置；

驱动单元，移动上面放置所述衬底的平台；以及

控制器，响应于从所述感测单元发送的位置信号而将操作信号发送到所述标记单元或所述驱动单元，

其中，控制器在开始处理之后确定是否初始化执行激光处理，

控制器响应于执行初始化处理的确定结果而计算相对于基准点的处理位置，并响应于不执行初始化处理的确定结果而省略对相对于基准点的处理位置的计算。

2.根据权利要求1所述的激光处理装置，其中所述标记单元包括：处理单元，放置在所述反应室内，且将激光束照射到所述衬底；以及移除单元，吸入在通过所述处理单元形成所述基准点时所产生的杂质，并将所吸入的杂质排放到所述反应室的外部。

3.根据权利要求1所述的激光处理装置，其中所述感测单元包括：第一传感器，用于检测所述衬底的角部；第二传感器，用于检测所述基准点的位置，以及第三传感器，用于检测照射到所述反应室中的所述激光束的位置。

4.一种激光处理装置的控制方法，包括：

(a)检测放置在反应室内的衬底的位置；

(b)移动所述衬底，使得标记单元朝向所述衬底中的目标位置；

(c)驱动所述标记单元以在所述衬底上形成基准点；

(d)在开始处理之后，确定是否初始化执行激光处理；

(e)计算并存储相对于基准点的被执行所述激光处理的处理位置；

(f)将激光束从所述反应室的外部照射到所述反应室中以对与存储在控制器中的所述处理位置相对应的衬底执行激光处理；以及

(g)确定激光处理后的衬底的数量是否达到预设值。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，如果在所述步骤(d)中确定在开始所述处理之后不初始化执行所述激光处理时，则所述方法进行所述步骤(f)。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，如果在所述步骤(g)中确定所述激光处理后的衬底的数量没有达到所述预设值时，在所述激光处理后的衬底从所述反应室中被卸出且新衬底被供应至所述反应室中之后，所述方法进行所述步骤(a)。