JP2000021807A - 非晶質薄膜の加熱処理装置およびその方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 非晶質薄膜の加熱処理装置において、レーザ
ー光による加熱処理を行うことで生じるウインドウの汚
れを抑制し、大気圧以上の不活性ガス雰囲気中で加熱処
理を行う場合に比べて非晶質薄膜を大粒径の多結晶薄膜
に転換することを目的とする。 【解決手段】 処理室１内を真空排気し続けた状態で、
ウインドウ６の直下に設けたボックス16の内部のＮ₂ガ
ス導入経路13よりウインドウ６の内面に向けてＮ₂ガス
を吹き付ける。この際、ボックス16の内部から外部へ向
けてＮ₂ガスの流れ18が生じ、溶融化した非晶質薄膜８
より生じる蒸気12を捕らえて真空ポンプ19にて処理室１
外へ排気されるため、ウインドウ６の汚れを抑制でき、
真空中でのレーザー光による加熱処理が可能となり、大
粒径の多結晶薄膜が得られるとともに、ガラス基板９上
への異物の付着を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば液晶分野
において、基板上に形成した非晶質薄膜にレーザー光を
照射して加熱処理を行う加熱処理装置およびその方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、非晶質薄膜の加熱処理方法として
は、特開平９−８３１６号に記載されたものが知られて
いる。その加熱処理方法を図７に基づいて説明する。

【０００３】図７は、従来の加熱処理装置において、基
板上に形成した非晶質薄膜にレーザー光を照射して加熱
処理を行う処理室の構成を示す概略斜視図である。図示
するように、処理室１にはレーザー光７を、加熱対象の
非晶質薄膜８まで到達させるため、ウインドウ６が設け
られており、このウインドウ６を通して処理室１内にレ
ーザー光７が導かれる。このレーザー光７によって基板
ステージ10上に置かれたガラス基板９上の非晶質薄膜８
の加熱処理が行われ、多結晶薄膜に転換される。このと
き、基板ステージ10を図示するＸ方向およびＹ方向に移
動することにより、固定されたレーザー光７に対し、ガ
ラス基板９が相対的に移動し、結果的にガラス基板９上
の非晶質薄膜８の全面がレーザー光７によって照射され
る。

【０００４】また、処理室１には窒素（Ｎ₂）ガス導入
経路13が設けられており、この導入経路13よりＮ₂ガス
を導入しながら加熱処理が行われる。このとき、処理室
１内は大気圧以上の圧力にて保持され、余剰となったＮ
₂ガスはＮ₂ガス排出経路14より処理室１外に放出され
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一般に、レーザー光７
の照射により溶融した非晶質薄膜８が凝固し、多結晶薄
膜へと転換することにより生じる多結晶薄膜の結晶粒は
大粒径であるほど電気的特性に優れる。結晶粒は非晶質
薄膜がいったん溶融した後の凝固過程での冷却速度がゆ
るやかであるほど大きくなる。

【０００６】しかし、従来例の如く、レーザー光７によ
る加熱処理を大気圧以上のＮ₂ガスなどの不活性ガス雰
囲気中で行う場合、前記凝固過程において溶融化した非
晶質薄膜８の有す熱が処理室１内の不活性ガスによる熱
伝導によって奪われるため、真空中の場合に比べて冷却
速度が速くなるという課題を有していた。さらに、大気
圧以上の不活性ガス雰囲気にて生じる気流が処理室１内
に存在するゴミなどの異物を巻き上げるため、これがガ
ラス基板９上に付着しやすくなるという課題を有してい
た。

【０００７】上記課題を解決するために、レーザー光に
よる加熱処理を真空中で行おうとすると、基板ステージ
の移動範囲を確保するために大容積の処理室が必要とな
り、真空を保つために相当の剛性が要求されるととも
に、レーザー光の照射により溶融した非晶質薄膜から生
じる蒸気の進行を妨げる気体分子が存在しないため、ウ
インドウの内面へ蒸気が付着してウインドウが汚れ、レ
ーザー光の透過率低下を招くという新たな課題が生じ
る。

【０００８】本発明は、このような非晶質薄膜の加熱処
理装置およびその方法において、大気圧より低い圧力に
てレーザー光による加熱処理を行うことで生じるウイン
ドウの汚れを抑制することにより真空中でのレーザー光
による加熱処理を可能とし、大気圧以上の不活性ガス雰
囲気中で加熱処理を行う場合に比べて非晶質薄膜を大粒
径の多結晶薄膜に転換するとともに、処理室内に存在す
るゴミなどの異物の巻き上げによるガラス基板上への付
着を防止することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の非晶質薄膜の加
熱処理装置においては、処理室内に移載された基板上の
非晶質薄膜を、前記処理室のウインドウを通して導かれ
たレーザー光によって加熱処理を行う加熱処理装置であ
って、前記処理室内の前記ウインドウ直下に、前記レー
ザー光が通過できるスリット状の開口部を有するボック
スを設け、前記ボックス内に、不活性ガスを導入する不
活性ガス導入経路を設け、前記処理室内を真空排気して
該処理室を大気圧より低い圧力に保持する排気手段を設
けたことを特徴としたものである。

【００１０】この本発明によれば、大気圧より低い圧力
にてレーザー光による加熱処理を行うことで生じるウイ
ンドウの汚れを抑制することにより真空中でのレーザー
光による加熱処理を可能とし、大気圧以上の不活性ガス
雰囲気中で加熱処理を行う場合に比べて非晶質薄膜を大
粒径の多結晶薄膜に転換するとともに、処理室内に存在
するゴミなどの異物の巻き上げによるガラス基板上への
付着を防止した加熱処理装置が得られる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、処理室内に移載された基板上の非晶質薄膜を、前記
処理室のウインドウを通して導かれたレーザー光によっ
て加熱処理を行う加熱処理装置であって、前記処理室内
の前記ウインドウ直下に、前記レーザー光が通過できる
スリット状の開口部を有するボックスを設け、前記ボッ
クス内に、不活性ガスを導入する不活性ガス導入経路を
設け、前記処理室内を真空排気して該処理室を大気圧よ
り低い圧力に保持する排気手段を設けたことを特徴とし
たものであり、大気圧より低い圧力で加熱処理を行うこ
とで、大気圧以上の不活性ガス雰囲気中で加熱処理行う
場合に比べて非晶質薄膜は大粒径の多結晶薄膜に転換さ
れるとともに、処理室内に存在するゴミなどの異物の巻
き上げによる薄膜上への付着が防止され、さらにウイン
ドウ直下にボックスを設け、スリット状の開口部を設け
ることにより、ウインドウへの蒸気の進路を最小限と
し、かつボックス内に不活性ガスを導入することによ
り、レーザー光の照射により溶融した非晶質薄膜から生
じる蒸気のウインドウの内面への進行が抑制され、前記
蒸気は不活性ガスとともに処理室外へ排気されるという
作用を有する。

【００１２】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明であって、前記不活性ガス導入経路は、不活性ガ
スの吹き付けを、該導入経路に設けたノズルにより前記
ウインドウ内面に向けて行う構成としたことを特徴とし
たものであり、ウインドウ直下のボックス内で該ウイン
ドウに向けて不活性ガスを吹き付けることにより、該ボ
ックス内の圧力が処理室内の圧力よりも高くなり、前記
スリット状の開口部から該ボックス外に向けて不活性ガ
スの流れが生じ、この不活性ガスの流れによってウイン
ドウへ向かおうとする前記蒸気が捕らえられ、蒸気は該
処理室外へ排気されるという作用を有する。

【００１３】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明であって、前記不活性ガス導入経路は、不活性ガ
スの吹き付けを、該導入経路に設けたノズルにより前記
ボックスに設けたスリット状の開口部に向けて行う構成
としたことを特徴としたものであり、ボックスの内部か
らスリット状の開口部に向けて不活性ガスを吹き付ける
ことにより、該ボックスの内部から外部へ向けて不活性
ガスの流れが生じ、前記蒸気の該ボックス内への進入が
防止され、さらには前記不活性ガスの流れによって前記
蒸気が捕らえられ、蒸気は該処理室外へ排気されるとい
う作用を有する。

【００１４】請求項４に記載の発明は、処理室内に移載
された基板上の非晶質薄膜を、前記処理室のウインドウ
を通して導かれたレーザー光によって加熱処理を行う加
熱処理装置であって、前記処理室内の前記ウインドウの
下方に、前記レーザー光が通過できるスリット状の開口
部を有するボックスを設け、前記処理室内の前記ボック
スの外部に、不活性ガスを導入する不活性ガス導入経路
を設け、前記ボックス内を真空排気して該ボックス内部
を大気圧より低い圧力に保持する排気手段を設け、前記
不活性ガス導入経路は、不活性ガスの吹き付けを、該導
入経路に設けたノズルにより前記ボックスの外部から該
ボックスに向けて行う構成としたことを特徴としたもの
であり、ボックス外部から連続的に排気した状態の該ボ
ックスに向けて不活性ガスを吹き付けることにより、該
ボックス内の圧力が処理室内の圧力より低くなり、該ボ
ックスに向けて不活性ガスの流れが生じ、この不活性ガ
スの流れによって前記蒸気が捕らえられ、該処理室外へ
排気されるという作用を有する。

【００１５】請求項５に記載の発明は、処理室内におい
て、基板上に形成した非晶質薄膜をレーザー光によって
加熱処理を行う加熱処理方法であって、前記レーザー光
の照射工程中に、前記処理室内を真空排気し続けた状態
で、該処理室内に不活性ガスを吹き付けながら、該処理
室を大気圧より低い圧力に保持することを特徴としたも
のであり、大気圧より低い圧力で加熱処理を行うことに
より、大気圧以上の不活性ガス雰囲気中で加熱処理行う
場合に比べて非晶質薄膜は大粒径の多結晶薄膜に転換さ
れるとともに、処理室内に存在するゴミなどの異物の巻
き上げによる薄膜上への付着が防止され、また処理室内
に不活性ガスを吹き付けることにより、レーザー光の照
射により溶融した非晶質薄膜から生じる蒸気のウインド
ウの内面への進行が抑制され、さらに蒸気は不活性ガス
とともに該処理室外へ排気されるという作用を有する。

【００１６】請求項６に記載の発明は、請求項５記載の
非晶質薄膜の加熱処理方法であって、前記レーザー光を
該処理室内へ導入する際に通過するウインドウ直下に、
レーザー光が通過できるスリット状の開口部を有するボ
ックスを設け、前記レーザー光の照射工程中の不活性ガ
スの吹き付けを、前記ウインドウ直下のボックス内にて
該ウインドウ内面に向けて行うことを特徴としたもので
あり、ウインドウ直下のボックス内で該ウインドウに向
けて不活性ガスを吹き付けることにより、該ボックス内
の圧力が処理室内の圧力よりも高くなり、前記スリット
状の開口部から該ボックス外に向けて不活性ガスの流れ
が生じ、この不活性ガスの流れによってウインドウへ向
かおうとする前記蒸気が捕らえられ、蒸気は該処理室外
へ排気されるという作用を有する。

【００１７】請求項７に記載の発明は、請求項５記載の
非晶質薄膜の加熱処理方法であって、前記レーザー光を
該処理室内へ導入する際に通過するウインドウ直下に、
レーザー光が通過できるスリット状の開口部を有するボ
ックスを設け、前記レーザー光の照射工程中の不活性ガ
スの吹き付けを、前記ウインドウ直下のボックス内部か
ら該ボックスに設けたスリット状の開口部に向けて行う
ことを特徴としたものであり、ボックスの内部からスリ
ット状の開口部に向けて不活性ガスを吹き付けることに
より、該ボックスの内部から外部へ向けて不活性ガスの
流れが生じ、前記蒸気の該ボックス内への進入が防止さ
れ、さらには、前記不活性ガスの流れによって前記蒸気
が捕らえられ、蒸気は該処理室外へ排気されるという作
用を有する。

【００１８】請求項８に記載の発明は、処理室内におい
て、基板上に形成した非晶質薄膜をレーザー光によって
加熱処理を行う加熱処理方法であって、前記レーザー光
を前記処理室内へ導入する際に通過するウインドウの下
方に、レーザー光が通過できるスリット状の開口部を有
するボックスを設け、前記レーザー光の照射工程中に、
前記ボックス内部を連続的に排気した状態で、該ボック
スの外部から該ボックスに向けて不活性ガスを吹き付
け、前記ボックス内部を大気圧より低い圧力に保持する
ことを特徴としたものであり、ボックス外部から連続的
に排気した状態の該ボックスに向けて不活性ガスを吹き
付けることにより、該ボックス内の圧力が処理室内の圧
力より低くなり、該ボックスに向けて不活性ガスの流れ
が生じ、この不活性ガスの流れによって前記蒸気が捕ら
えられ、蒸気は該処理室外へ排気されるという作用を有
する。

【００１９】以下、本発明の実施の形態を図面に基づい
て説明する。なお、従来例の図７の構成と同一の構成に
は同一の符号を付して説明を省略する。図１は本発明の
実施の形態における加熱処理装置の全体構成を示す概略
図である。

【００２０】加熱処理装置は、図１に示すように、加熱
処理を行う処理室１と、加熱処理する非晶質薄膜８の付
いたガラス基板９の大気側との出入口となるロードロッ
ク室２と、室温よりも高い温度、たとえば１００℃から
４００℃程度の雰囲気中で非晶質薄膜８へのレーザー光
の照射を実施する場合に、予めガラス基板９の加熱を実
施する加熱室３と、処理室１へガラス基板９を搬送する
ための搬送アームを備えた移載室４から構成されてい
る。なお、これら処理室１、加熱室３、移載室４は真空
ポンプにて常に真空排気されており、ロードロック室２
は大気側との基板の授受のたびに真空排気およびＮ₂ パ
ージが繰り返される。図１において、５は各室間の真空
ゲートである。 （実施の形態１）図２は実施の形態１における加熱処理
装置の処理室の構成を示す概略斜視図、図３は図２の要
部斜視図である。

【００２１】移載室４と処理室１間の真空ゲート５を介
して移載室４より処理室１内の基板ステージ10上に、非
晶質薄膜８の付いた大きさが、たとえば３００ｍｍ×４
００ｍｍから６００ｍｍ×７２０ｍｍ程度あるいはそれ
以上のサイズであるガラス基板９が投入される。そし
て、ガラス基板９は、基板ステージ10が基板ステージ用
ガイド11に沿って移動することにより、Ｘ方向に移動さ
れる。

【００２２】また、材質がたとえば合成石英製のウイン
ドウ６の上方には、レーザー光７、たとえばエキシマレ
ーザー光を屈折させ、ウインドウ６へ導く光学系とミラ
ー15がＹ方向に移動可能に設けられており、この光学系
とミラー15によりウインドウ６を通してレーザー光７を
非晶質薄膜８、たとえば非晶質シリコン薄膜に照射し、
加熱処理することにより、非晶質薄膜８は多結晶シリコ
ン薄膜に転換される。このとき、レーザー光７は非晶質
薄膜８上で、たとえば１５０ｍｍ×０．３ｍｍから２０
０ｍｍ×０．５ｍｍ程度のサイズに成形し、エネルギー
密度を１００ｍＪ／ｃｍ² から４００ｍＪ／ｃｍ² 程度
とし、基板ステージ10を基板ステージ用ガイド11に沿っ
てＸ方向に、かつ光学系とミラー15をＹ方向に移動する
ことで非晶質薄膜８の全面への照射を可能としている。

【００２３】また処理室１内のウインドウ６直下に、レ
ーザー光７が通過できる最小のスリット状の開口部17を
有する、材質が、たとえばアルミニウム製のボックス16
が設けられ、図３に示すように、ウインドウ６の上部に
はシャッター21が設けられている。このシャッター21を
光学系とミラー15の移動にあわせて、モータやシリンダ
あるいはその他の駆動手段により移動させ、レーザー光
７が通過する部分のみを開口とするようにしている。

【００２４】またボックス16内に、マスフローコントロ
ーラーなどにより一定流量に制御されたＮ₂ ガス（不活
性ガスの一例）を導入するＮ₂ ガス導入経路13であるノ
ズルが設けられている。非晶質薄膜８にレーザー光７を
照射中は、このＮ₂ガス導入経路13を通してウインドウ
６直下のボックス16内に、Ｎ₂ ガスが吹き付けられる。

【００２５】さらに処理室１に、真空ポンプに連結され
たＮ₂ ガス排出導入経路14が設けられており、非晶質薄
膜８にレーザー光７を照射中は、このＮ₂ガス 排出経路
14を通して真空ポンプで真空排気をし続け、真空計20に
より、処理室１内の圧力が監視され、処理室１内が大気
圧よりも低い圧力にて一定圧となるように保持される。

【００２６】上記構成において、図４に示すように、Ｎ
₂ ガス導入経路13に設けたノズルよりウインドウ６の内
面に向けてＮ₂ ガスを吹き付けるように構成したときの
作用を説明する。

【００２７】図４に示すように、処理室１内を真空排気
し続けた状態でボックス16の内部においてウインドウ６
の内面に向けてＮ₂ ガスを吹き付けると、ボックス16の
内の圧力は処理室１内の圧力より高くなり、スリット状
の開口部17からボックス16の外部へ向けてＮ₂ ガスの流
れ18が生じる。このＮ₂ ガスの流れ18はレーザー光７の
照射により非晶質薄膜８が溶融することで生じる蒸気12
を捕らえ、蒸気12はＮ ₂ ガスとともに真空ポンプ19にて
処理室１外へ排気される。

【００２８】次に、上記構成において、図５に示すよう
に、Ｎ₂ ガス導入経路13よりスリット状の開口部17に向
けてＮ₂ ガスを吹き付けるように構成したときの作用を
説明する。

【００２９】図５に示すように、処理室１内を真空排気
し続けた状態でボックス16の内部においてスリット状の
開口部17に向けてＮ₂ ガスを吹き付けると、ボックス16
の内部から外部へ向けてＮ₂ ガスの流れ18が生じる。こ
のＮ₂ ガスの流れ18はレーザー光７の照射により非晶質
薄膜８が溶融することで生じる蒸気12のボックス16内へ
の進行を抑制し、さらに蒸気12はＮ₂ ガスの流れ18とと
もに、真空ポンプ１５にて処理室１外へ排気される。

【００３０】このように本実施の形態１によれば、Ｎ₂
ガス導入経路13に設けたノズルよりウインドウ６の内面
に向けて、またはスリット状の開口部１７に向けてＮ₂
ガスを吹き付けることにより、レーザー光７の照射によ
り溶融した非晶質薄膜８から生じる蒸気12のウインドウ
６への進行を抑制でき、さらにボックス16の下部にスリ
ット状の開口部17を設け、蒸気12のウインドウ６への進
路を最小限としたことにより、ウインドウ６の汚れを抑
制でき、大気圧より低い圧力でのレーザー光７による加
熱処理を行うことができる。また光学系とミラー15の移
動にあわせてシャッター21を移動させ、レーザー光７が
通過する部分のみを開口とすることにより、さらに蒸気
12のウインドウ６への進路を限定でき、ウインドウ６の
汚れを抑制できる。

【００３１】また大気圧より低い圧力で加熱処理を行う
ことにより、大気圧以上の不活性ガス雰囲気中で加熱処
理行う場合に比べて非晶質薄膜８を大粒径の多結晶薄膜
に転換できるとともに、処理室１内に存在するゴミなど
の異物の巻き上げによるガラス基板９上への付着を防止
できる。

【００３２】上記構成において、Ｎ₂ 流量を０．１リットル
／ｍｉｎから１０．０リットル／ｍｉｎとし、この流量で圧
力を１０Ｐａから１０００Ｐａ程度とすれば、ウインド
ウ６の汚れが抑制できるという効果が確認されている。
さらに、この範囲以外においても大気圧よりも低い圧力
であれば適切なＮ₂ ガス流量と真空ポンプ19の組み合わ
せを選ぶことによって前記効果が得られる。 （実施の形態２）図６は実施の形態２における加熱処理
装置の処理室の断面図である。

【００３３】実施の形態２では、上記実施の形態１にお
いて、ボックス16内に設けたＮ₂ ガス導入経路13を、処
理室１内であって、ボックス16の外部に設け、ボックス
16に向けてＮ₂ ガスを吹き付けるようにし、さらに処理
室１に設けたＮ₂ガス 排出経路14を、ボックス16に接続
している。またウインドウ６とボックス16間に、Ｎ₂ガ
スの流れを形成する隙間を設けている。

【００３４】この実施の形態２の作用を説明する。図６
に示すように、真空ポンプ19によりボックス16内部を真
空排気し続けた状態で、ボックス16の外部からボックス
16に向けてＮ₂ ガスを吹き付けると、ボックス16内の圧
力は処理室１内の圧力より低くなり、ボックス16へ向け
てＮ₂ ガスの流れ18が生じる。このＮ₂ ガスの流れ18は
レーザー光７の照射により非晶質薄膜８が溶融すること
で生じる蒸気12を捕らえ、ボックス16内へ進行し、さら
に蒸気12はＮ₂ ガスとともに真空ポンプ15により処理室
１外へ排気される。

【００３５】このように本実施の形態２によれば、レー
ザー光７の照射により溶融した非晶質薄膜８から生じる
蒸気12のウインドウ６への進行を抑制でき、よってウイ
ンドウ６の汚れを抑制でき、大気圧より低い圧力でのレ
ーザー光７による加熱処理を行うことができる。また大
気圧より低い圧力で加熱処理を行うことにより、大気圧
以上の不活性ガス雰囲気中で加熱処理行う場合に比べて
非晶質薄膜８を大粒径の多結晶薄膜に転換できるととも
に、処理室１内に存在するゴミなどの異物の巻き上げに
よるガラス基板９上への付着を防止できる。

【００３６】なお、上記実施の形態１，２において、ウ
インドウ６には合成石英を使用しているが、その他の光
学ガラスなども適用も可能であり、また非晶質薄膜８の
材料としてはシリコンのほか、他の半導体材料も適用可
能である。さらに、ボックス16の材質としてアルミニウ
ムを使用しているが、他の金属やセラミクスなどにも適
用可能である。また、前記不活性ガスにはＮ₂ ガスのほ
かにＨｅガス、Ａｒガスなども適用可能である。また、
圧力を一定に保持する方法としては真空計20からの情報
を圧力コントロラーに送り、圧力調整を行う方法も挙げ
られる。

【００３７】また、前述の不活性ガスの吹き付けに関し
ては、ガラス基板９が処理室１に投入され、真空ゲート
５が閉じた後、いったん処理室１を真空引きし、その後
不活性ガスを導入しても良く、加熱処理装置が稼動中は
常に不活性ガスを導入し続けていてもよい。

【００３８】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ボックス
内に不活性ガスを導入することにより、レーザー光の照
射により溶融した非晶質薄膜から生じる蒸気によるウイ
ンドウの汚れを抑制することができ、大気圧より低い圧
力での加熱処理が可能となり、また大気圧より低い圧力
で加熱処理を行うことにより、大気圧以上の不活性ガス
雰囲気中でレーザー光により加熱処理を行う場合に比べ
て非晶質薄膜を大粒径の多結晶薄膜に転換できるととも
に、処理室内に存在するゴミなどの異物の巻き上げによ
るガラス基板上への付着を防止できるという有利な効果
が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における加熱処理装置の全
体構成を示す概略図である。

【図２】本発明の実施の形態１における加熱処理装置の
処理室の斜視図である。

【図３】同加熱処理装置の処理室の要部斜視図である。

【図４】同加熱処理装置の処理室の断面図である。

【図５】同加熱処理装置の処理室の断面図である。

【図６】本発明の実施の形態２による加熱処理装置の処
理室の断面図である。

【図７】従来の加熱処理装置の処理室の斜視図である。

【符号の説明】

１ 処理室 ２ ロードロック室 ３ 加熱室 ４ 移載室 ５ 真空ゲート ６ ウインドウ ７ レーザー光 ８ 非晶質薄膜 ９ ガラス基板 １０ 基板ステージ １１ 基板ステージガイド １２ 溶融化した非晶質薄膜より生じる蒸気 １３ Ｎ₂ ガス導入経路 １４ Ｎ₂ ガス排出経路 １５ 光学系ミラー １６ ボックス １７ スリット状の開口部 １８ Ｎ₂ガスの流れ １９ 真空ポンプ ２０ 真空計 ２１ シャッター

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 昌樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F052 AA02 BA07 BA18 CA04 DA02

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理室内に移載された基板上の非晶質薄
   膜を、前記処理室のウインドウを通して導かれたレーザ
   ー光によって加熱処理を行う加熱処理装置であって、 前記処理室内の前記ウインドウ直下に、前記レーザー光
   が通過できるスリット状の開口部を有するボックスを設
   け、 前記ボックス内に、不活性ガスを導入する不活性ガス導
   入経路を設け、 前記処理室内を真空排気して該処理室を大気圧より低い
   圧力に保持する排気手段を設けたことを特徴とする非晶
   質薄膜の加熱処理装置。
2. 【請求項２】 前記不活性ガス導入経路は、不活性ガス
   の吹き付けを、前記導入経路に設けたノズルにより前記
   ウインドウ内面に向けて行う構成としたことを特徴とす
   る請求項１記載の非晶質薄膜の加熱処理装置。
3. 【請求項３】 前記不活性ガス導入経路は、不活性ガス
   の吹き付けを、前記導入経路に設けたノズルにより前記
   ボックスに設けたスリット状の開口部に向けて行う構成
   としたことを特徴とする請求項１記載の非晶質薄膜の加
   熱処理装置。
4. 【請求項４】 処理室内に移載された基板上の非晶質薄
   膜を、前記処理室のウインドウを通して導かれたレーザ
   ー光によって加熱処理を行う加熱処理装置であって、 前記処理室内の前記ウインドウの下方に、前記レーザー
   光が通過できるスリット状の開口部を有するボックスを
   設け、 前記処理室内の前記ボックスの外部に、不活性ガスを導
   入する不活性ガス導入経路を設け、 前記ボックス内を真空排気して該ボックス内部を大気圧
   より低い圧力に保持する排気手段を設け、 前記不活性ガス導入経路は、不活性ガスの吹き付けを、
   前記導入経路に設けたノズルにより前記ボックスの外部
   から該ボックスに向けて行う構成としたことを特徴とす
   る非晶質薄膜の加熱処理装置。
5. 【請求項５】 処理室内において、基板上に形成した非
   晶質薄膜をレーザー光によって加熱処理を行う加熱処理
   方法であって、 前記レーザー光の照射工程中に、前記処理室内を真空排
   気し続けた状態で、該処理室内に不活性ガスを吹き付け
   ながら、該処理室を大気圧より低い圧力に保持すること
   を特徴とする非晶質薄膜の加熱処理方法。
6. 【請求項６】 前記レーザー光を該処理室内へ導入する
   際に通過するウインドウ直下に、レーザー光が通過でき
   るスリット状の開口部を有するボックスを設け、 前記レーザー光の照射工程中の不活性ガスの吹き付け
   を、前記ウインドウ直下のボックス内にて該ウインドウ
   内面に向けて行うことを特徴とする請求項５記載の非晶
   質薄膜の加熱処理方法。
7. 【請求項７】 前記レーザー光を該処理室内へ導入する
   際に通過するウインドウ直下に、レーザー光が通過でき
   るスリット状の開口部を有するボックスを設け、 前記レーザー光の照射工程中の不活性ガスの吹き付け
   を、前記ウインドウ直下のボックス内部から該ボックス
   に設けたスリット状の開口部に向けて行うことを特徴と
   する請求項５記載の非晶質薄膜の加熱処理方法。
8. 【請求項８】 処理室内において、基板上に形成した非
   晶質薄膜をレーザー光によって加熱処理を行う加熱処理
   方法であって、 前記レーザー光を前記処理室内へ導入する際に通過する
   ウインドウの下方に、レーザー光が通過できるスリット
   状の開口部を有するボックスを設け、 前記レーザー光の照射工程中に、前記ボックス内部を連
   続的に排気した状態で、該ボックスの外部から該ボック
   スに向けて不活性ガスを吹き付け、前記ボックス内部を
   大気圧より低い圧力に保持することを特徴とする非晶質
   薄膜の加熱処理方法。