CN103396573A - 一种复合纳米薄膜的制备方法 - Google Patents
一种复合纳米薄膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103396573A CN103396573A CN2013103678591A CN201310367859A CN103396573A CN 103396573 A CN103396573 A CN 103396573A CN 2013103678591 A CN2013103678591 A CN 2013103678591A CN 201310367859 A CN201310367859 A CN 201310367859A CN 103396573 A CN103396573 A CN 103396573A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphene oxide
- film
- quantum dot
- oxide quantum
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种复合纳米薄膜的制备方法,属于电子薄膜材料领域,首先将氧化石墨烯量子点采用LB膜的方法组装于基片上,然后将导电聚合物采用旋涂的方式沉积于氧化石墨烯量子点上,从而形成一种导电聚合物紧密包裹氧化石墨烯量子点的复合纳米薄膜。本发明所提供的氧化石墨烯量子点/导电聚合物复合纳米薄膜制备技术克服了现有技术中所存在的缺陷,易于实现大面积成膜,并且制备方法合理简单、易于操作。
Description
技术领域
本发明涉及电子薄膜材料领域,具体涉及基于氧化石墨烯量子点和导电聚合物的复合纳米薄膜的制备方法。
背景技术
氧化石墨烯GO作为石墨烯制备的前驱物具有很好的溶液加工性。近年来,新构型的GO复合纳米材料的研究和开发已成为功能材料研究领域的热点。
氧化石墨烯量子点(Graphene oxide quantum dot, GOQD)是准零维的纳米材料,其内部电子在各方向上的运动都受到局限,所以量子局限效应特别显著,具有许多独特的性质。石墨烯量子点在生物、医学、材料、新型半导体器件等领域具有重要潜在应用。
羧基改性的GOQD在功能化GO的制备中占有重要地位,通过GO表面活泼羧基的酰胺化或酯化反应,可使各种有机小分子、高分子、生物大分子以及含有活泼基团的功能材料被共价键合到氧化石墨烯上,同时功能化基团的荷电性也为氧化石墨烯的层层组装提供了条件。
导电聚合物/GOQD插层复合纳米结构的性能主要体现在两者的协同效应,因此,GOQD能够纳米级有序分散于导电聚合物层间十分关键。我们注意到,目前方法所制备的导电聚合物/ GOQD复合材料中,GOQD大多处于一种无序的状态,对复合物中有关GOQD材料分布有序性及松散程度问题尚缺少足够的认识。另外,目前所制备的导电聚合物/GOQD插层结构中导电聚合物厚度可控性不高,难以形成超薄的导电聚合物层。因此,不仅要实现GOQD的纳米级有序分散,能否在GOQD层间形成超薄的导电聚合物也是制约这种层状复合结构性能的重要因素。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明的目的在于如何提供一种复合纳米薄膜的制备方法,该方法所制备的基于LB膜的 复合纳米结构克服了氧化石墨烯量子点GOQD分布无序,导电聚合物厚度可控性不高,难以形成超薄的导电聚合物的技术缺陷。
本发明的发明原理为: 首先将氧化石墨烯量子点采用LB膜的方法组装于基片上,然后将导电聚合物采用旋涂的方式沉积于氧化石墨烯量子点上,从而形成一种导电聚合物紧密包裹氧化石墨烯量子点的复合纳米薄膜,
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种复合纳米薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
①将氧化石墨烯量子点分散于有机溶剂中,形成氧化石墨烯量子点分散溶液;
②将氧化石墨烯量子点分散溶液滴加于LB膜槽中的超纯水溶液表面,氧化石墨烯量子点分散铺展于超纯水表面;
③控制LB膜设备滑障压缩氧化石墨烯量子点膜到成膜膜压,形成高密度有序排列氧化石墨烯量子点薄膜结构,并采用水平成膜的方式将氧化石墨烯薄膜转移至ITO基片表面;
④将3,4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸铁加入无水乙醇溶剂,获得导电聚合物聚3,4-乙烯二氧噻吩溶液;
⑤采用旋涂方法将步骤④获得的溶液沉积于氧化石墨烯量子点薄膜上,形成氧化石墨烯量子点/导电聚合物复合纳米薄膜。
按照本发明提供的复合纳米薄膜的制备方法,其更具体的步骤为:
①将羧基化氧化石墨烯量子点分散于N,N-二甲基乙酰胺中,羧基化氧化石墨烯量子点的浓度为5~7mg/ml,形成用于LB膜制备的氧化石墨烯量子点分散液;
②将3,4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸铁加入无水乙醇溶剂,形成用于旋涂的聚3,4-乙烯二氧噻吩溶液,其中3,4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸铁的质量比为1:4。
③采用微量进样器抽取400~600 μl 步骤①获得的溶液滴加于LB膜槽中的超纯水溶液表面,待N,N-二甲基乙酰胺挥发30 min后开始压膜;
④控制LB膜设备滑障以0.5-1 mm/min的速度压缩氧化石墨烯膜到膜压20-25 mN/m,采用水平成膜的方式将氧化石墨烯量子点膜转移至硅基片上,成膜速率为0.3-0.5 mm/min;
⑤将沉积了氧化石墨烯量子点膜的基片置于旋涂仪上,采用旋涂的方法将步骤②获得的溶液旋涂于氧化石墨烯量子点薄膜上,形成氧化石墨烯量子点/导电聚合物复合纳米薄膜。
按照本发明提供的复合纳米薄膜的制备方法,其特征在于,所述氧化石墨烯量子点为羧基化或氨基化的氧化石墨烯片,其片径小于100nm。
按照本发明提供的复合纳米薄膜的制备方法,其特征在于,所述有机溶机为N,N-二甲基乙酰胺。
按照本发明提供的复合纳米薄膜的制备方法,其特征在于,所述导电聚合物溶液为聚3,4-乙烯二氧噻吩、聚吡咯、聚苯胺等形成的化学原位溶液,溶液在成膜的过程中聚合物单体亦能发生聚合。
按照本发明提供的复合纳米薄膜的制备方法,其特征在于,通过制备不同层数的氧化石墨烯量子点膜,可以获得不同厚度的氧化石墨烯量子点/导电聚合物薄膜。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
一、本发明所提供的复合纳米薄膜的制备方法,基于氧化石墨烯量子点纳米结构,其可以通过LB沉积方法制备于基片上,可以通过调整石墨烯量子点片层之间的间隙来获得不同紧密排列的氧化石墨烯石墨烯量子点排布;再通过化学原位聚合沉积的方式使得导电聚合物紧密包裹氧化石墨烯量子点。
二、本发明提供的复合纳米薄膜具有导电性好、电化学活性高的优点。
附图说明
图1为本发明制备的复合纳米薄膜的结构示意图;
附图标记:1为基片、2为氧化石墨烯量子点膜、3为导电聚合物。
具体实施方式
下面将结合附图及具体实施方式对本发明作进一步的描述。
本发明的特点是通过LB膜方法首先获得紧密排列的氧化石墨烯量子点膜,然后通过化学原位溶液聚合方法在氧化石墨烯量子点上沉积导电聚合物,整个复合膜的结构可以通过氧化石墨烯量子点层数来控制。
依托成熟的LB膜成膜、化学原位聚合沉积方法,本发明制备的基于氧化石墨烯量子点的复合纳米薄膜可以制备于多种基片上包括柔性基底,并实现大面积薄膜结构。
采用本发明制备的一些柔性复合纳米薄膜结构举例如下:
①聚苯胺/氧化石墨烯量子点复合纳米结构;
②聚3,4-乙烯二氧噻吩/氧化石墨烯量子点复合纳米结构;
③聚吡咯/氧化石墨烯量子点复合纳米结构;
以下是本发明的具体实施例:
实施例1
制备方法如下:
①将羧基化氧化石墨烯量子点分散于N,N-二甲基乙酰胺中,氧化石墨烯量子点的浓度为5-7mg/ml,形成用于LB膜制备的氧化石墨烯量子点分散液;
②将3,4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸铁加入无水乙醇溶剂,获得用于旋涂的聚3,4-乙烯二氧噻吩溶液。3,4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸铁的质量比为1:4。
③采用微量进样器抽取400-600 μl ①获得的溶液滴加于LB膜槽中的超纯水溶液表面,待N,N-二甲基乙酰胺挥发30 min后开始压膜,此时在气/液界面已形成氧化石墨量子点烯膜;
④控制LB膜设备滑障以0.5-1 mm/min的速度压缩氧化石墨烯膜到膜压20-25 mN/m,采用水平成膜的方式将氧化石墨烯量子点膜转移至硅基片上,成膜速率为0.3-0.5 mm/min;
⑤将沉积了氧化石墨烯量子点膜的基片置于旋涂仪上,采用旋涂的方法将②获得的溶液旋涂于氧化石墨烯量子点薄膜上;
由①-⑤步骤获得了聚3,4-乙烯二氧噻吩包裹氧化石墨烯量子点的复合纳米薄膜结构。
实施例2
如图1,导电聚合物为聚吡咯。
复合纳米结构的制备流程与实施方式1相似。
从而获得了聚吡咯包裹氧化石墨烯量子点的复合纳米薄膜结构。
实施例3
如图1,导电聚合物为聚苯胺。
复合纳米结构的制备流程与实施方式1相似。
从而获得了聚苯胺包裹氧化石墨烯量子点的复合纳米薄膜结构。
实施例4
如图1,导电聚合物为聚噻吩。
复合纳米结构的制备流程与实施方式1相似。
从而获得了聚噻吩包裹氧化石墨烯量子点的复合纳米薄膜结构。
Claims (5)
1.一种复合纳米薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
①将氧化石墨烯量子点分散于有机溶剂中,形成氧化石墨烯量子点分散溶液;
②将氧化石墨烯量子点分散溶液滴加于LB膜槽中的超纯水溶液表面,氧化石墨烯量子点分散铺展于超纯水表面;
③控制LB膜设备滑障压缩氧化石墨烯量子点膜到成膜膜压,形成高密度有序排列氧化石墨烯量子点薄膜结构,并采用水平成膜的方式将氧化石墨烯薄膜转移至ITO基片表面;
④将3,4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸铁加入无水乙醇溶剂,获得导电聚合物聚3,4-乙烯二氧噻吩溶液;
⑤采用旋涂方法将步骤④获得的溶液沉积于氧化石墨烯量子点薄膜上,形成氧化石墨烯量子点/导电聚合物复合纳米薄膜。
2.根据权利要求1所述的复合纳米薄膜的制备方法,其特征在于,更具体的步骤为:
①将羧基化氧化石墨烯量子点分散于N,N-二甲基乙酰胺中,羧基化氧化石墨烯量子点的浓度为5~7mg/ml,形成用于LB膜制备的氧化石墨烯量子点分散液;
②将3,4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸铁加入无水乙醇溶剂,形成用于旋涂的聚3,4-乙烯二氧噻吩溶液,其中3,4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸铁的质量比为1:4。
③采用微量进样器抽取400~600 μl 步骤①获得的溶液滴加于LB膜槽中的超纯水溶液表面,待N,N-二甲基乙酰胺挥发30 min后开始压膜;
④控制LB膜设备滑障以0.5-1 mm/min的速度压缩氧化石墨烯膜到膜压20-25 mN/m,采用水平成膜的方式将氧化石墨烯量子点膜转移至硅基片上,成膜速率为0.3-0.5 mm/min;
⑤将沉积了氧化石墨烯量子点膜的基片置于旋涂仪上,采用旋涂的方法将步骤②获得的溶液旋涂于氧化石墨烯量子点薄膜上,形成氧化石墨烯量子点/导电聚合物复合纳米薄膜。
3.根据权利要求1所述的复合纳米薄膜的制备方法,其特征在于,所述氧化石墨烯量子点为羧基化或氨基化的氧化石墨烯片,其片径小于100nm。
4.根据权利要求1所述的复合纳米薄膜的制备方法,其特征在于,所述有机溶机为N,N-二甲基乙酰胺。
5.根据权利要求1所述的复合纳米薄膜的制备方法,其特征在于,通过制备不同层数的氧化石墨烯量子点膜,获得不同厚度的氧化石墨烯量子点/导电聚合物薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310367859.1A CN103396573B (zh) | 2013-08-22 | 2013-08-22 | 一种复合纳米薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310367859.1A CN103396573B (zh) | 2013-08-22 | 2013-08-22 | 一种复合纳米薄膜的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103396573A true CN103396573A (zh) | 2013-11-20 |
CN103396573B CN103396573B (zh) | 2015-07-22 |
Family
ID=49560323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310367859.1A Expired - Fee Related CN103396573B (zh) | 2013-08-22 | 2013-08-22 | 一种复合纳米薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103396573B (zh) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103680994A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-03-26 | 电子科技大学 | 一种高比容电极薄膜及其制造方法 |
CN103897183A (zh) * | 2014-04-02 | 2014-07-02 | 电子科技大学 | 二元碳材料-导电聚合物复合纳米气敏薄膜及其制备方法 |
CN104804205A (zh) * | 2015-04-23 | 2015-07-29 | 天津大学 | 具有各向异性的聚合物/碳管复合薄膜材料的制备方法 |
CN104934232A (zh) * | 2015-05-13 | 2015-09-23 | 东南大学 | 二氧化钛或氮化钛支撑的碳量子点修饰聚吡咯纳米阵列材料及其制备方法和应用 |
CN105858646A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-08-17 | 北京航空航天大学 | 一种透明薄膜的制备方法 |
CN106340573A (zh) * | 2016-08-15 | 2017-01-18 | Tcl集团股份有限公司 | 一种lb量子点薄膜、发光二极管及其制备方法 |
CN106637925A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-05-10 | 苏州佰锐生物科技有限公司 | 一种氧化石墨烯单分子涂层的抗紫外棉织物的制备方法 |
CN107059248A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-08-18 | 东华大学 | 一种氧化石墨烯单分子层修饰聚丙烯腈纳米纤维膜的制备方法 |
CN107408462A (zh) * | 2015-02-06 | 2017-11-28 | 泰勒斯公司 | 沉积氧化的碳基微颗粒和纳米颗粒的方法 |
CN107522195A (zh) * | 2017-09-27 | 2017-12-29 | 华东师范大学 | 一种石墨烯异质结的制备方法 |
TWI652849B (zh) | 2017-09-20 | 2019-03-01 | 國立成功大學 | 鋰電池 |
CN111686810A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-09-22 | 西北师范大学 | 一种层层自组装GQDs/3D-G/PANI复合薄膜的制备方法 |
CN112067680A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-12-11 | 吉林化工学院 | 氧化石墨烯/酶/聚苯胺lb修饰电极及制备方法和应用 |
CN113416546A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-09-21 | 福州大学 | 基于朗缪尔技术的大面积有序量子点薄膜的制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101423335A (zh) * | 2008-07-25 | 2009-05-06 | 电子科技大学 | 一种导电聚合物有序纳米薄膜的制备方法 |
KR101166528B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2012-07-19 | 주식회사 엘엠에스 | 도펀트 포함 그래핀 적층체 및 그 제조방법 |
CN102718408A (zh) * | 2012-06-21 | 2012-10-10 | 电子科技大学 | 一种制造气体敏感薄膜的方法 |
-
2013
- 2013-08-22 CN CN201310367859.1A patent/CN103396573B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101423335A (zh) * | 2008-07-25 | 2009-05-06 | 电子科技大学 | 一种导电聚合物有序纳米薄膜的制备方法 |
KR101166528B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2012-07-19 | 주식회사 엘엠에스 | 도펀트 포함 그래핀 적층체 및 그 제조방법 |
CN102718408A (zh) * | 2012-06-21 | 2012-10-10 | 电子科技大学 | 一种制造气体敏感薄膜的方法 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103680994A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-03-26 | 电子科技大学 | 一种高比容电极薄膜及其制造方法 |
CN103897183A (zh) * | 2014-04-02 | 2014-07-02 | 电子科技大学 | 二元碳材料-导电聚合物复合纳米气敏薄膜及其制备方法 |
CN103897183B (zh) * | 2014-04-02 | 2016-04-06 | 电子科技大学 | 二元碳材料-导电聚合物复合纳米气敏薄膜及其制备方法 |
CN107408462A (zh) * | 2015-02-06 | 2017-11-28 | 泰勒斯公司 | 沉积氧化的碳基微颗粒和纳米颗粒的方法 |
CN104804205A (zh) * | 2015-04-23 | 2015-07-29 | 天津大学 | 具有各向异性的聚合物/碳管复合薄膜材料的制备方法 |
CN107189403B (zh) * | 2015-04-23 | 2020-01-17 | 天津大学 | 碳管膜在制备各向异性聚合物中的应用 |
CN104804205B (zh) * | 2015-04-23 | 2017-12-05 | 天津大学 | 具有各向异性的聚合物/碳管复合薄膜材料的制备方法 |
CN107189403A (zh) * | 2015-04-23 | 2017-09-22 | 天津大学 | 碳管膜在制备各向异性聚合物中的应用 |
CN104934232A (zh) * | 2015-05-13 | 2015-09-23 | 东南大学 | 二氧化钛或氮化钛支撑的碳量子点修饰聚吡咯纳米阵列材料及其制备方法和应用 |
CN104934232B (zh) * | 2015-05-13 | 2018-02-02 | 东南大学 | 二氧化钛或氮化钛支撑的碳量子点修饰聚吡咯纳米阵列材料及其制备方法和应用 |
CN105858646A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-08-17 | 北京航空航天大学 | 一种透明薄膜的制备方法 |
CN106340573A (zh) * | 2016-08-15 | 2017-01-18 | Tcl集团股份有限公司 | 一种lb量子点薄膜、发光二极管及其制备方法 |
CN106637925A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-05-10 | 苏州佰锐生物科技有限公司 | 一种氧化石墨烯单分子涂层的抗紫外棉织物的制备方法 |
CN107059248A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-08-18 | 东华大学 | 一种氧化石墨烯单分子层修饰聚丙烯腈纳米纤维膜的制备方法 |
TWI652849B (zh) | 2017-09-20 | 2019-03-01 | 國立成功大學 | 鋰電池 |
US10461331B2 (en) | 2017-09-20 | 2019-10-29 | National Cheng Kung University | Lithium battery |
CN107522195A (zh) * | 2017-09-27 | 2017-12-29 | 华东师范大学 | 一种石墨烯异质结的制备方法 |
CN111686810A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-09-22 | 西北师范大学 | 一种层层自组装GQDs/3D-G/PANI复合薄膜的制备方法 |
CN112067680A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-12-11 | 吉林化工学院 | 氧化石墨烯/酶/聚苯胺lb修饰电极及制备方法和应用 |
CN112067680B (zh) * | 2020-09-17 | 2022-09-23 | 吉林化工学院 | 氧化石墨烯/酶/聚苯胺lb修饰电极及制备方法和应用 |
CN113416546A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-09-21 | 福州大学 | 基于朗缪尔技术的大面积有序量子点薄膜的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103396573B (zh) | 2015-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103396573B (zh) | 一种复合纳米薄膜的制备方法 | |
Li et al. | Recent progress in silver nanowire networks for flexible organic electronics | |
CN103450461B (zh) | 一种制造复合纳米薄膜的方法 | |
Yu et al. | Recent development of carbon nanotube transparent conductive films | |
Jiang et al. | Facile preparation of Cu/Ag core/shell electrospun nanofibers as highly stable and flexible transparent conductive electrodes for optoelectronic devices | |
Zhou et al. | Copper mesh templated by breath-figure polymer films as flexible transparent electrodes for organic photovoltaic devices | |
Chung et al. | Solution-processed flexible transparent conductors composed of silver nanowire networks embedded in indium tin oxide nanoparticle matrices | |
Cho et al. | Highly flexible and stretchable carbon nanotube network electrodes prepared by simple brush painting for cost-effective flexible organic solar cells | |
CN105152125B (zh) | 一种基于微沟道结构的微纳米材料有序自组装图形化方法 | |
Sato et al. | Conductivity of ruthenate nanosheets prepared via electrostatic self-assembly: characterization of isolated single nanosheet crystallite to mono-and multilayer electrodes | |
KR20140093213A (ko) | 캡슐화 장벽 스택 | |
JP2010532080A (ja) | パターン化された層を基板上に形成する方法 | |
CN103700430B (zh) | 一种有序分布的导电薄膜及其制造方法 | |
CN107946467A (zh) | 一种基于多重陷光结构的聚合物太阳能电池及其制备方法 | |
CN103450680A (zh) | 一种制造气体敏感复合薄膜的方法 | |
Kim et al. | Lift-off patterning of Ag nanowire/PEDOT: PSS composite films for transparent electrodes using a fluoropolymer structure | |
EP3078031A1 (en) | Manufacturing conductive thin films comprising graphene and metal nanowires | |
Zhao et al. | Highly reliable flexible transparent conductors prepared with Cu/Ni grid by vacuum-free solution process | |
Shin et al. | Cost-effective centrifuge coating method for silver nanowire-based transparent conducting electrode | |
He et al. | Continuous and patterned conducting polymer coatings on diverse substrates: rapid fabrication by oxidant-intermediated surface polymerization and application in flexible devices | |
Chen et al. | Annealing-free solution-processed silver nanowire-polymer composite transparent electrodes and flexible device applications | |
CN214012530U (zh) | 一种导电结构及电子设备 | |
CN103700673B (zh) | 一种显示装置、阵列基板及其制作方法 | |
CN103310905A (zh) | 制造纳米复合导电薄膜的方法及其纳米复合导电薄膜 | |
CN102602118A (zh) | 一种碳纳米管薄膜的转印方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150722 Termination date: 20210822 |