CN103390497B - 一种超薄电容膜及其制备方法 - Google Patents

一种超薄电容膜及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种超薄电容膜及其制备方法，属于薄膜材料技术领域。为了解决现有薄膜抗静电效果差和透明度低的技术问题，本发明提供一种超薄电容膜，从上到下依次为表面层一、芯层和表面层二，所述芯层主要由超有光切片和含醋酸镁的功能性聚酯母料组成；所述醋酸镁占芯层总质量的0.005%～0.03%；所述表面层一主要由超有光切片和含添加剂的功能性聚酯母料组成，所述添加剂占表面层一总质量的0.1%～2.0%；所述表面层二主要由超有光切片和含抗静电剂的功能性聚酯母料组成，且所述抗静电剂占表面层二总质量的0.5%～3.0%。具有抗静电效果好，透光率达到89%～90%，绝缘性和摩擦性能好，且工艺简单，易于操作。

Description

一种超薄电容膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种超薄电容膜及其制备方法，属于薄膜材料技术领域。
背景技术
聚酯薄膜除了具有优良的机械性能和化学性能外，还具有优良的电气性能和耐热性能，可用作电器的绝缘材料和电容器的介电质。聚酯薄膜电容器具有电容高、体积小和使用要靠性高等优点。但另一方面，电容器用薄膜需满足一定的电气特性要求，即具有高耐压性、高绝缘、低介质损耗角tanδ等电气特性的要求。为了达到高绝缘、低介质损耗角（tanδ）的要求，希望聚合物原料中金属成分越少越好。但是这一点和静电吸附的铸膜性相矛盾，静电吸附的作用就会降低，因而无法快速而稳定地成膜，即制膜性会变差，产生表面缺陷、厚度不良等缺点，自然不可能稳定、高速度的生产。
另一方面，在超薄电容膜的生产过程中，薄膜的表面性能变化对于各种可加工性有很大影响，如薄膜表面粗糙度一改变，收卷薄膜时，其层间间隙自然也会变，会给电容器的容量带来很大的影响。因此，对于超薄电容膜来说，表面性能非常重要。描述表面性能的参数有表面粗糙度、摩擦系数。摩擦系数是将膜和膜之间的滑动性加以定量化的参数，摩擦系数越大，表明摩擦越大。摩擦系数并非越低越好，如果太滑，在蒸镀加工、分切时易发生跑偏，而且在卷绕电容器元件时也易发生跑偏。同时，超薄电容膜表面不可有足以引起绝缘击穿的表面缺陷。而摩擦系数过大，则由于粘性过大，容易使薄膜粘住不利于收放卷等，还容易使薄膜破损。另外，薄膜在传输过程中，与辊筒表面摩擦产生静电，由于超薄电容膜一般收卷较长，静电在母卷上所产生的带电电荷的电位会越来越高，当这个电位的上升幅度还不够大的时候，不会发生问题，但是当带电电位高到足以击穿薄膜层间的空气电阻时，就会向邻近的薄膜表面放电，会在薄膜表面留下伤痕。
如中国专利申请（公开号：CN102744941A）公开了一种超薄抗静电型电容器用PET薄膜及其制备方法，所述超薄抗静电型电容器用PET薄膜为A、B、C三层结构，其中A层和C层为表面层，B层为芯层，各层的原料组份重量配比为：A层：功能性膜用母料聚酯切片：98%～100%；成核剂：0.5～2.0%；B层：普通膜用聚酯切片/功能性膜用母料聚酯切片混合料：95～98%；爽滑剂/成核剂/抗静电剂：2～5%；C层：功能性膜用母料聚酯切片：96.5～98.5；爽滑剂/抗静电剂：1.5～3.5%。该超薄抗静电型电容器用PET薄膜具有较好的抗静电效果和膜薄的优点，但是该薄膜由于厚度很薄，厚片吸附效果较差，易出现厚片表面质量不好及厚度不良现象，主要是通过调整模头唇口间隙来解决该问题，不易操作，生产过程中若需经常调整模唇的间隙，不利于实际生产过程；且其表面层主要由功能性母料作为主原料，透光性效果也较差。
发明内容
本发明针对以上现有技术中存在的问题，提供一种超薄电容膜及其制备方法，该超薄电容膜具有抗静电击穿效果好和透光性好的优点；该方法具有工艺过程简单和易于操作的优点。
本发明的目的之一是通过以下技术方案得以实现的，一种超薄电容膜，所述超薄电容膜从上到下依次为表面层一、芯层和表面层二，所述芯层主要由超有光切片和含醋酸镁的功能性聚酯母料组成，且所述功能性聚酯母料中醋酸镁粒子的质量含量为500ppm～10000ppm；所述醋酸镁占芯层总质量的0.005%～0.03%；
所述表面层一主要由超有光切片和含添加剂的功能性聚酯母料组成，且所述添加剂在功能性聚酯母料中的质量含量为2000～30000ppm，所述添加剂占表面层一总质量的0.1%～2.0%；
所述表面层二主要由超有光切片和含抗静电剂的功能性聚酯母料组成，且所述抗静电剂占表面层二总质量的0.5%～3.0%。
本发明的超薄电容膜，所述表面层一和表面层二并没有特殊的定义，仅是一种相对的描述，是为了能够清楚的表述。本发明通过在芯层中加入醋酸镁粒子，从而起到加强静电吸附作用，解决了薄膜在生产过程中因厚片吸附不好而使薄膜表面质量差及厚度不良等问题；但另一方面，醋酸镁中具有金属离子镁，如果加入的过多又会影响薄膜的绝缘性能，因而需要对醋酸镁的加入量作一定的控制，实现既能使薄膜之间具有较好的吸附效果，又能够保证产品的质量，绝缘性能佳。同时，本发明通过在薄膜的一个表面层中加入添加剂能够使电容膜表面具有一定的粗糙度，起到防止薄膜在收卷过程中粘住的作用，所述表面粗糙度Ra能够达到30nm～150nm；也为了使电容膜具有较好的摩擦系数。由于超薄电容膜一般收卷较长，静电在母卷上所产生的带电电荷的电位会越来越高，当这个电位的上升幅度还不够大时，不会发生问题，但是当带电电位高到足以击穿薄膜层间的空气电阻时，就会向邻近的薄膜表面放电，会在薄膜表面留下伤痕，本发明通过在表面层二中加入抗静电剂能够起到防止静电击穿的作用，具有较好的抗静电效果。本发明主要采用超有光切片作为薄膜的主要原料，因此，具有较好的透光性能。
在上述的超薄电容膜中，作为优选，所述醋酸镁占芯层总质量的0.008%～0.02%。
在上述的超薄电容膜中，作为优选，所述添加剂占表面层一总质量的0.5%～1.0%。
在上述的超薄电容膜中，作为优选，表面层一中所述添加剂选自二氧化硅、碳酸钙、滑石、碳酸钡、高岭土、氧化铝和交联聚苯乙烯中的一种或几种。作为进一步的优选，所述添加剂为二氧化硅、高岭土、氧化铝和交联聚苯乙烯的混合添加剂，且所述二氧化硅：高岭土：氧化铝：交联聚苯乙烯的质量比为1：0.2～0.3：0.05～0.1：0.05～0.08：0.5～0.6。采用该混合添加剂不仅能够使薄膜表面具有较好的粗糙度，且使电容膜具有较好的摩擦系数，使摩擦系数μs达到0.3～0.8，使摩擦系数μd达到0.3～1.2。
在上述的超薄电容膜中，作为优选，所述抗静电剂选自乙氧基月桂酷胺或甘油硬脂酸酯。具有较好的抗静电效果，又能够与超有光切片和功能性母料之间具有很好的相容性，起到协同的作用。作为进一步的优选，所述抗静电剂占表面层二总质量的0.8%～2.0%。
在上述的超薄电容膜中，作为优选，所述表面层一的膜厚为0.5～1.5μm,所述芯层的膜厚为1～9μm，所述表面层二的膜厚为0.5～1.5μm。作为进一步的优选，所述表面层一和表面层二的膜厚相同，且所述芯层的膜厚大于表面层一和表面层二的膜厚。能够更好的发挥薄膜的电气学特性。
在上述的超薄电容膜中，作为优选，所述功能性聚酯母料为功能性PET母料。
本发明的目的之二是通过以下技术方案得以实现的，一种超薄电容膜的制备方法，该方法包括以下步骤：
A、混料、熔融：按照上述芯层、表面层一和表面层二的各成分组成称取相应的原料，分别进行混合均匀后，然后分别送入相应的挤出系统进行熔融；
B、共挤：使经过熔融的芯层、表面层一和表面层二的熔体经三层共挤模头进行熔融共挤，使芯层的熔体从三层共挤模头的中间层挤出厚片，同时，使表面层一和表面层二的熔体分别从三层共挤模头的上、下层同时挤出厚片，再控制温度在20℃～35℃进行铸片；
C、纵向拉伸：将铸片在纵向拉伸机上进行纵向拉伸处理，纵向拉伸的温度为100℃～125℃，纵向拉伸比为3.5～5.5；
D、横向拉伸：经过纵向拉伸后，再进行横向拉伸处理，所述横向拉伸的温度为95℃～115℃，横向拉伸比为3.0～5.0；
E、定型：在215℃～240℃的条件下进行定型处理，经过冷却、收卷、切边，得到超薄电容膜。
本发明的超薄电容膜的制备方法，由于通过在芯层的原料中加入醋酸镁，从而薄膜具有较好的吸附效果，无需在生产过程中通过调整模头唇口间隙来解决因薄膜较薄而吸附效果差的问题，简化了生产工艺，更有利于操作和工业化生产。
在上述的超薄电容膜的制备方法中，作为优选，步骤B中所述熔融共挤的温度为270℃～295℃。作为进一步的优选，步骤B中所述的熔融共挤的温度为275℃～290℃。
在上述的超薄电容膜的制备方法中，作为优选，步骤C中所述纵向拉伸比为4.0～5.0；步骤D中所述横向拉伸比为3.5～4.5。
在上述的超薄电容膜的制备方法中，作为优选，步骤C中所述纵向拉伸的温度为110℃～120℃。
在上述的超薄电容膜的制备方法中，作为优选，步骤D中所述横向拉伸的温度为100℃～110℃。
在上述的超薄电容膜的制备方法中，作为优选，步骤E中所述定型的温度为220℃～235℃。
在上述的超薄电容膜的制备方法中，作为优选，步骤E中所述收卷的速度为180～240m/min。
综上所述，本发明与现有技术相比，具有以下优点：
1.本发明的超薄电容膜，通过在芯层中加入醋酸镁，能够使电容膜具有较好的吸附效果，使电容膜具有表面质量高、厚度均匀等优点，同时还具有较好的绝缘性能，绝缘电阻≥1500MΩ。
2.本发明的超薄电容膜，通过在一表面层中加入添加剂，并通过对添加剂的配比和用量进行改进和调整，使具有较好的表面粗糙度和摩擦系数，所述表面粗糙度Ra能够达到30nm～150nm；使摩擦系数μs达到0.3～0.8，使摩擦系数μd达到0.4～1.2。
3.本发明的超薄电容膜，通过在一表面层中加入抗静电剂，解决了因收卷过程中电位过高而击穿电容膜层间的空气电阻，影响电容膜质量的问题，具有较好的抗静电效果，表面电阻率能够达到≤1011Ω。
4.本发明的超薄电容膜，主要采用超有光切片作为原料，具有较好的透光性，使所得的超薄电容膜也具有较高的透光性，透光率89%～90%。
5.本发明的超薄电容膜的制备方法，具有工艺简单、易于操作的优点。
附图说明
图1是本发明的超薄电容膜的剖示图。
图中，1、表面层一；2、芯层；3、表面层二。
具体实施方式
下面通过具体实施例和附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明，但是本发明并不限于这些实施例。
结合图1所示，一种超薄电容膜，所述超薄电容膜从上到下依次为表面层一1、芯层2和表面层二3。作为优选，所述表面层一1的膜厚为0.5～1.5μm,所述芯层2的膜厚为1～9μm，所述表面层二3的膜厚为0.5～1.5μm。作为进一步的优选，所述表面层一1和表面层二3的膜厚相同，且所述芯层2的膜厚大于表面层一和表面层二的膜厚。更具体的说，所述芯层2主要由超有光切片和含醋酸镁的功能性聚酯母料组成，且所述功能性聚酯母料中醋酸镁粒子的质量含量为500ppm～10000ppm；所述醋酸镁占芯层2总质量的0.005%～0.03%；作为优选，所述醋酸镁占芯层总质量的0.008%～0.02%；
所述表面层一1主要由超有光切片和含添加剂的功能性母料组成，且所述添加剂在功能性聚酯母料中的质量含量为2000～30000ppm，所述添加剂占表面层一1总质量的0.1%～2.0%；作为优选，表面层一1中所述添加剂选自二氧化硅、碳酸钙、滑石、碳酸钡、高岭土、氧化铝和交联聚苯乙烯中的一种或几种。作为进一步的优选，所述添加剂为二氧化硅、高岭土、氧化铝和交联聚苯乙烯的混合添加剂，且所述二氧化硅：高岭土：氧化铝：交联聚苯乙烯的质量比为1：0.2～0.3：0.05～0.1：0.05～0.08：0.5～0.6。最优选，所述添加剂为二氧化硅、高岭土、氧化铝和交联聚苯乙烯的混合添加剂，且所述二氧化硅：高岭土：氧化铝：交联聚苯乙烯的质量比为1：0.22：0.06：0.06：0.5。
所述表面层二3主要由超有光切片和含抗静电剂的功能性聚酯母料组成，且所述抗静电剂占表面层二3总质量的0.5%～3.0%。所述抗静电剂优选乙氧基月桂酷胺和/或甘油硬脂酸酯。
以下实施例中所述的功能性聚酯母料为功能性PET（聚对苯二甲酸乙二酯）母料。
实施例1
本实施例中所述超薄电容膜从上到下依次为表面层一1、芯层2和表面层二3，所述芯层2主要由超有光切片和含醋酸镁的功能性PET母料组成，且所述功能性PET母料中醋酸镁粒子的质量含量为8000ppm；所述醋酸镁占芯层2总质量的0.03%；
所述表面层一1主要由超有光切片和含添加剂的功能性PET母料组成，且所述添加剂在功能性PET母料中的质量含量为20000ppm，所述添加剂占表面层一1总质量的0.6%；所述添加剂为交联聚苯乙烯和二氧化硅的混合添加剂，且两者的质量比为1：1；
所述表面层二3主要由超有光切片和含抗静电剂的功能性PET母料组成，且所述抗静电剂占表面层二3总质量的2.0%；所述抗静电剂为甘油硬脂酸酯。
上述的超薄电容膜的制备方法如下：
混料、熔融：按照上述芯层2、表面层一1和表面层二3的各成分组成称取相应的原料，分别进行混合均匀后，然后分别送入相应的挤出系统进行熔融；
共挤：使经过熔融的芯层2、表面层一1和表面层二3的熔体经三层共挤模头进行熔融共挤，所述熔融共挤的温度为280℃，使芯层的熔体从三层共挤模头的中间层挤出厚片，同时，使表面层一和表面层二的熔体分别从三层共挤模头的上、下层同时挤出厚片，再控制温度在25℃进行铸片；然后，将铸片在纵向拉伸机上进行纵向拉伸处理，所述纵向拉伸的温度为125℃，所述纵向拉伸比为5.0；经过纵向拉伸后，再进行横向拉伸处理，所述横向拉伸的温度为115℃，所述横向拉伸比为3.5；然后，再在230℃的条件下进行定型处理，再经过冷却、收卷，所述收卷的线速度为180m/min、切边，得到超薄电容膜。所述超薄电容膜表面层一和表面层二的膜厚均为0.5μm，所述芯层的膜厚为1.0μm。将得到的电容膜进行性能检测，生产过程中厚片吸附良好，生产稳定，得到的超薄电容膜表面质量较好，光滑，厚度均匀，且所述电容膜的表面粗糙度Ra达到30nm～80nm，所述电容膜的表面电阻率能够达到≤1011Ω，所述电容膜的摩擦系数μs达到0.4～0.7，使摩擦系数μd达到0.6～1.2。所述电容膜的透光率达到89%～90%，绝缘电阻为2000MΩ左右。
实施例2
本实施例中所述超薄电容膜从上到下依次为表面层一1、芯层2和表面层二3，所述芯层2主要由超有光切片和含醋酸镁的功能性PET母料组成，且所述功能性PET母料中醋酸镁粒子的质量含量为10000ppm；所述醋酸镁占芯层2总质量的0.018%；
所述表面层一1主要由超有光切片和含添加剂的功能性PET母料组成，且所述添加剂在功能性PET母料中的质量含量为30000ppm，所述添加剂占表面层一1总质量的2.0%；所述添加剂为二氧化硅、高岭土、氧化铝和交联聚苯乙烯的混合添加剂，且所述二氧化硅：高岭土：氧化铝：交联聚苯乙烯的质量比为1：0.2：0.1：0.05：0.6；
所述表面层二3主要由超有光切片和含抗静电剂的功能性PET母料组成，且所述抗静电剂占表面层二3总质量的3.0%；所述抗静电剂为乙氧基月桂酷胺。
上述的超薄电容膜的制备方法如下：
混料、熔融：按照上述芯层2、表面层一1和表面层二3的各成分组成称取相应的原料，分别进行混合均匀后，然后分别送入相应的挤出系统进行熔融；
共挤：使经过熔融的芯层2、表面层一1和表面层二3的熔体经三层共挤模头进行熔融共挤，所述熔融共挤的温度为270℃，使芯层的熔体从三层共挤模头的中间层挤出厚片，同时，使表面层一和表面层二的熔体分别从三层共挤模头的上、下层同时挤出厚片，再控制温度在20℃进行铸片；然后，将铸片在纵向拉伸机上进行纵向拉伸处理，所述纵向拉伸的温度120℃，所述纵向拉伸比为5.0；经过纵向拉伸后，再进行横向拉伸处理，所述横向拉伸的温度为110℃，所述横向拉伸比为3.5；然后，再在230℃的条件下进行定型处理，再经过冷却、收卷，所述收卷的线速度为200m/min、切边，得到超薄电容膜。所述超薄电容膜表面层一和表面层二的膜厚均为0.5μm，所述芯层的膜厚为3.0μm。将得到的电容膜进行性能检测，且得到的超薄电容膜没有出现皱纹现象，电容膜的表面质量较好，光滑，且所述电容膜的表面粗糙度Ra达到50nm～100nm，所述电容膜的表面电阻率能够达到≤1011Ω，所述电容膜的摩擦系数μs达到0.4～0.7，使摩擦系数μd达到0.5～1.0。所述电容膜的透光率达到89%～90%，绝缘电阻为2000MΩ左右。
实施例3
本实施例中所述超薄电容膜从上到下依次为表面层一1、芯层2和表面层二3，所述芯层2主要由超有光切片和含醋酸镁的功能性PET母料组成，且所述功能性PET母料中醋酸镁粒子的质量含量为8000ppm；所述醋酸镁占芯层2总质量的0.015%；
所述表面层一1主要由超有光切片和含添加剂的功能性PET母料组成，且所述添加剂在功能性PET母料中的质量含量为10000ppm，所述添加剂占表面层一1总质量的1.0%；所述添加剂为二氧化硅、高岭土、氧化铝和交联聚苯乙烯的混合添加剂，且所述二氧化硅：高岭土：氧化铝：交联聚苯乙烯的质量比为1：0.3：0.05：0.08：0.5；
所述表面层二3主要由超有光切片和含抗静电剂的功能性PET母料组成，且所述抗静电剂占表面层二3总质量的1.5%；所述抗静电剂为乙氧基月桂酷胺和甘油硬脂酸酯的混合物，且乙氧基月桂酷胺：甘油硬脂酸酯的质量比为1：0.2。
上述的超薄电容膜的制备方法如下：
混料、熔融：按照上述芯层2、表面层一1和表面层二3的各成分组成称取相应的原料，分别进行混合均匀后，然后分别送入相应的挤出系统进行熔融；
共挤：使经过熔融的芯层2、表面层一1和表面层二3的熔体经三层共挤模头进行熔融共挤，所述熔融共挤的温度为290℃，使芯层的熔体从三层共挤模头的中间层挤出厚片，同时，使表面层一和表面层二的熔体分别从三层共挤模头的上、下层同时挤出厚片，再控制温度在30℃进行铸片；然后，将铸片在纵向拉伸机上进行纵向拉伸处理，所述纵向拉伸的温度为115℃，所述纵向拉伸比为4.5；经过纵向拉伸后，再进行横向拉伸处理，所述横向拉伸的温度为115℃，所述横向拉伸比为4.0；然后，再在240℃的条件下进行定型处理，再经过冷却、收卷，所述收卷的线速度为220m/min、切边，得到超薄电容膜。所述超薄电容膜表面层一和表面层二的膜厚均为1.0μm，所述芯层的膜厚为4μm。将得到的电容膜进行性能检测，且得到的超薄电容膜没有出现皱纹现象，电容膜的表面质量较好，光滑，且所述电容膜的表面粗糙度Ra达到100nm～140nm，所述电容膜的表面电阻率能够达到≤1011Ω，所述电容膜的摩擦系数μs达到0.4～0.6，使摩擦系数μd达到0.4～0.8。所述电容膜的透光率达到89%～90%，绝缘电阻为4000MΩ左右。
实施例4
本实施例中所述超薄电容膜从上到下依次为表面层一1、芯层2和表面层二3，所述芯层2主要由超有光切片和含醋酸镁的功能性PET母料组成，且所述功能性PET母料中醋酸镁粒子的质量含量为500ppm；所述醋酸镁占芯层2总质量的0.01%；
所述表面层一1主要由超有光切片和含添加剂的功能性PET母料组成，且所述添加剂在功能性PET母料中的质量含量为3300ppm，所述添加剂占表面层一1总质量的0.1%；所述添加剂为二氧化硅、高岭土、氧化铝和交联聚苯乙烯的混合添加剂，且所述二氧化硅：高岭土：氧化铝：交联聚苯乙烯的质量比为1：0.25：0.08：0.06：0.55；
所述表面层二3主要由超有光切片和含抗静电剂的功能性PET母料组成，且所述抗静电剂占表面层二3总质量的1.0%；所述抗静电剂为乙氧基月桂酷胺和甘油硬脂酸酯的混合物，且乙氧基月桂酷胺：甘油硬脂酸酯的质量比为1：0.4。
上述的超薄电容膜的制备方法如下：
混料、熔融：按照上述芯层2、表面层一1和表面层二3的各成分组成称取相应的原料，分别进行混合均匀后，然后分别送入相应的挤出系统进行熔融；
共挤：使经过熔融的芯层2、表面层一1和表面层二3的熔体经三层共挤模头进行熔融共挤，所述熔融共挤的温度为295℃，使芯层的熔体从三层共挤模头的中间层挤出厚片，同时，使表面层一和表面层二的熔体分别从三层共挤模头的上、下层同时挤出厚片，再控制温度在35℃进行铸片；然后，将铸片在纵向拉伸机上进行纵向拉伸处理，所述纵向拉伸的温度为115℃，所述纵向拉伸比为4.5；经过纵向拉伸后，再进行横向拉伸处理，所述横向拉伸的温度为115℃，所述横向拉伸比为4.0；然后，再在210℃的条件下进行定型处理，再经过冷却、收卷，所述收卷的线速度为240m/min、切边，得到超薄电容膜。所述超薄电容膜表面层一和表面层二的膜厚均为1.0μm，所述芯层的膜厚为6μm。将得到的电容膜进行性能检测，电容膜的表面质量较好，光滑，没有出现皱纹现象，所述电容膜的表面粗糙度Ra达到110nm～150nm，所述电容膜的表面电阻率能够达到≤1011Ω，所述电容膜的摩擦系数μs达到0.4～0.6，使摩擦系数μd达到0.4～0.6。所述电容膜的透光率达到89%～90%，绝缘电阻为5000MΩ左右。
实施例5
本实施例中所述超薄电容膜从上到下依次为表面层一1、芯层2和表面层二3，所述芯层2主要由超有光切片和含醋酸镁的功能性PET母料组成，且所述功能性PET母料中醋酸镁粒子的质量含量为600ppm；所述醋酸镁占芯层2总质量的0.008%；
所述表面层一1主要由超有光切片和含添加剂的功能性PET母料组成，且所述添加剂在功能性PET母料中的质量含量为2000ppm，所述添加剂占表面层一1总质量的0.40%；所述添加剂为二氧化硅；
所述表面层二3主要由超有光切片和含抗静电剂的功能性PET母料组成，且所述抗静电剂占表面层二3总质量的0.8%；所述抗静电剂为乙氧基月桂酷胺。
上述的超薄电容膜的制备方法如下：
混料、熔融：按照上述芯层2、表面层一1和表面层二3的各成分组成称取相应的原料，分别进行混合均匀后，然后分别送入相应的挤出系统进行熔融；
共挤：使经过熔融的芯层2、表面层一1和表面层二3的熔体经三层共挤模头进行熔融共挤，所述熔融共挤的温度为280℃，使芯层的熔体从三层共挤模头的中间层挤出厚片，同时，使表面层一和表面层二的熔体分别从三层共挤模头的上、下层同时挤出厚片，再控制温度在35℃进行铸片；然后，将铸片在纵向拉伸机上进行纵向拉伸处理，所述纵向拉伸的温度为110℃，所述纵向拉伸比为4.0；经过纵向拉伸后，再进行横向拉伸处理，所述横向拉伸的温度为95℃，所述横向拉伸比为4.0；然后，再在225℃的条件下进行定型处理，再经过冷却、收卷，所述收卷的线速度为220m/min，切边，得到超薄电容膜。所述超薄电容膜表面层一和表面层二的膜厚均为1.5μm，所述芯层的膜厚为7.0μm。将得到的电容膜进行性能检测，电容膜的表面质量较好，光滑，没有出现皱纹现象，所述电容膜的表面粗糙度Ra达到110nm～150nm，所述电容膜的表面电阻率能够达到≤1011Ω，所述电容膜的摩擦系数μs达到0.3～0.5，使摩擦系数μd达到0.4～0.6。所述电容膜的透光率达到89%～90%，绝缘电阻为6000MΩ左右。
实施例6
本实施例中所述超薄电容膜从上到下依次为表面层一1、芯层2和表面层二3，所述芯层2主要由超有光切片和含醋酸镁的功能性PET母料组成，且所述功能性PET母料中醋酸镁粒子的质量含量为600ppm；所述醋酸镁占芯层2总质量的0.005%；
所述表面层一1主要由超有光切片和含添加剂的功能性PET母料组成，且所述添加剂在功能性PET母料中的质量含量为3000ppm，所述添加剂占表面层一1总质量的0.40%；所述添加剂为高岭土；
所述表面层二3主要由超有光切片和含抗静电剂的功能性PET母料组成，且所述抗静电剂占表面层二3总质量的0.5%；所述抗静电剂为乙氧基月桂酷胺和甘油硬脂酸酯的混合物，且乙氧基月桂酷胺：甘油硬脂酸酯的质量比为1：1。
上述的超薄电容膜的制备方法如下：
混料、熔融：按照上述芯层2、表面层一1和表面层二3的各成分组成称取相应的原料，分别进行混合均匀后，然后分别送入相应的挤出系统进行熔融；
共挤：使经过熔融的芯层2、表面层一1和表面层二3的熔体经三层共挤模头进行熔融共挤，所述熔融共挤的温度为275℃，使芯层的熔体从三层共挤模头的中间层挤出厚片，同时，使表面层一和表面层二的熔体分别从三层共挤模头的上、下层同时挤出厚片，再控制温度在25℃进行铸片；然后，将铸片在纵向拉伸机上进行纵向拉伸处理，所述纵向拉伸的温度为110℃，所述纵向拉伸比为4.0；经过纵向拉伸后，再进行横向拉伸处理，所述横向拉伸的温度为105℃，所述横向拉伸比为4.0；然后，再在225℃的条件下进行定型处理，再经过冷却、收卷，所述收卷的线速度为220m/min，切边，得到超薄电容膜。所述超薄电容膜表面层一和表面层二的膜厚均为1.5μm，所述芯层的膜厚为9μm。将得到的电容膜进行性能检测，电容膜的表面质量较好，光滑，没有出现皱纹现象，所述电容膜的表面粗糙度Ra达到110nm～150nm，所述电容膜的表面电阻率能够达到≤1011Ω，所述电容膜的摩擦系数μs达到0.5～0.8，使摩擦系数μd达到0.8～1.2。所述电容膜的透光率达到89%～90%，绝缘电阻为6000MΩ左右。
本发明中所描述的具体实施例仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
尽管对本发明已作出了详细的说明并引证了一些具体实施例，但是对本领域熟练技术人员来说，只要不离开本发明的精神和范围可作各种变化或修正是显然的。

Claims (9)

1.一种超薄电容膜，所述超薄电容膜从上到下依次为表面层一(1)、芯层(2)和表面层二(3)，其特征在于，所述芯层(2)主要由超有光切片和含醋酸镁的功能性聚酯母料组成，且所述功能性聚酯母料中醋酸镁粒子的质量含量为500ppm～10000ppm；所述醋酸镁占芯层(2)总质量的0.005％～0.03％；
所述表面层一(1)主要由超有光切片和含添加剂的功能性母料组成，且所述添加剂在功能性聚酯母料中的质量含量为2000～30000ppm，所述添加剂占表面层一(1)总质量的0.1％～2.0％；所述添加剂选自二氧化硅、碳酸钙、滑石、碳酸钡、高岭土、氧化铝和交联聚苯乙烯中的一种或几种；
所述表面层二(3)主要由超有光切片和含抗静电剂的功能性聚酯母料组成，且所述抗静电剂占表面层二(3)总质量的0.5％～3.0％。
2.根据权利要求1所述超薄电容膜，其特征在于，所述醋酸镁占芯层(2)总质量的0.008％～0.02％。
3.根据权利要求1所述超薄电容膜，其特征在于，所述添加剂为二氧化硅、高岭土、氧化铝和交联聚苯乙烯的混合添加剂，且所述二氧化硅：高岭土：氧化铝：交联聚苯乙烯的质量比为1：0.2～0.3：0.05～0.1：0.05～0.08：0.5～0.6。
4.根据权利要求1所述超薄电容膜，其特征在于，所述抗静电剂选自乙氧基月桂酷胺或甘油硬脂酸酯。
5.根据权利要求1所述超薄电容膜，其特征在于，所述表面层一(1)的膜厚为0.5～1.5μm,所述芯层(2)膜厚为1～9μm，所述表面层二(3)的膜厚为0.5～1.5μm。
6.根据权利要求1所述超薄电容膜，其特征在于，所述功能性聚酯母料为功能性PET母料。
7.一种如权利要求1-6任意一项所述超薄电容膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
A、混料、熔融：按照芯层(2)、表面层一(1)和表面层二(3)的各成分组成称取相应的原料，分别进行混合均匀后，然后分别送入相应的挤出系统进行熔融；
B、共挤：使经过熔融的芯层(2)、表面层一(1)和表面层二(3)的熔体经三层共挤模头进行熔融共挤，使芯层(2)熔体从三层共挤模头的中间层挤出厚片，同时，使表面层一和表面层二的熔体分别从三层共挤模头的上、下层同时挤出厚片，再控制温度在20℃～35℃进行铸片；
C、纵向拉伸：将铸片在纵向拉伸机上进行纵向拉伸处理，纵向拉伸的温度为100℃～125℃，纵向拉伸比为3.5～5.5；
D、横向拉伸：经过纵向拉伸后，再进行横向拉伸处理，所述横向拉伸的温度为95℃～115℃，横向拉伸比为3.0～5.0；
E、定型：在210℃～240℃的条件下进行定型处理，经过冷却、收卷、切边，得到超薄电容膜。
8.根据权利要求7所述超薄电容膜的制备方法，其特征在于，步骤B中所述熔融共挤的温度为270℃～295℃。
9.根据权利要求7所述超薄电容膜的制备方法，其特征在于，步骤C中所述纵向拉伸比为4.0～5.0；步骤D中所述横向拉伸比为3.5～4.5。
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