CN103377966B - 基板交接装置和基板交接方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板交接装置、基板交接方法和存储介质,能够抑制基板交接装置的高度。基板交接装置,对于形成于间隔壁的开口部,使形成于基板搬送容器的前表面的基板取出口从该间隔壁的一面一侧与所述开口部相对,从所述间隔壁的另一面一侧取下所述基板搬送容器的盖体,进行基板的交接,该基板交接装置包括:门,其从所述间隔壁的另一面一侧对所述开口部进行开闭;进退部,其用于使所述门在封闭所述开口部的第一位置与从该位置向前方离开的第二位置之间进退;和转动机构,其使所述门在第二位置与偏离所述开口部的前方区域的第三位置之间,绕沿着该门的进退方向的转动轴转动。通过采用这样的结构,无需使门升降,能够抑制装置的高度。

Description

基板交接装置和基板交接方法
技术领域
本发明涉及在间隔壁的一侧的基板搬送区域与于间隔壁的另一侧被搬送的搬送容器之间进行基板的交接的基板交接装置、基板交接方法和存储了用于执行上述基板交接方法的程序的存储介质。
背景技术
在半导体器件的制造工艺中,使用例如对半导体晶片(以下记作晶片)进行抗蚀剂涂敷处理或上述显影处理的涂敷、显影装置。该涂敷、显影装置具备接收从外部搬送来的载体的载体区块,该载体区块中设置有用于将存放在载体中的晶片搬送到装置内的装载口(Load port)。为了防止微粒从外部进入装置内,装置内部的晶片的搬送区域与装置外部的载体的搬送区域由上述装载口的间隔壁划分开。该间隔壁上形成有晶片的搬送口,该搬送口通过遵循FIMS标准(Front-opening Interface Mechanical Standard,前开口接口机械标准)的门进行开闭。专利文献1中公开了这样的装载口。
图31、32是表示上述装载口的一例的纵截面侧视图,分别表示了晶片搬送口22关闭的状态和打开的状态。如这些图所示,为了对晶片搬送口22进行开闭,门91需要进行升降,所以装载口的高度比较大。因而,在为了将晶片W快速、大量地搬入到涂敷、显影装置中而设置了多个装载口的情况下,为了使上述载体区块不碰触到设置了该装置的洁净室的顶棚,而使装载口在横向方向上排列。其结果是,载体区块乃至涂敷、显影装置的覆盖区域(footprint,占地面积)可能会增大。
另外,图中92是门91的升降用驱动机构。93是分隔部件,将驱动机构92从晶片搬送区域17划分开。94是连接部件,将门91与驱动机构92连接。在上述分隔部件93设置有纵向上延伸得比较长的狭缝95,用于上述连接部件94进行移动。像这样,由于狭缝95的长度较长,所以难以防止从驱动机构92产生的微粒向晶片搬送区域17流出。
此外,图中6是用于确认载体C的晶片W的配置状态的映射单元(mapping unit),专利文献2中记载了其一例。关于映射单元6将会在实施方式中进行详细说明,所以此处只简单说明,该映射单元6具备传感器部65,用于检测将晶片W从载体C中搬出前载体C内的晶片W的配置状态。该传感器部65设置在升降自如且基端侧绕水平轴转动自如的支承臂64的前端,通过上述转动动作而在晶片搬送区域17与载体C内之间进退。
由于门91如上所述从晶片搬送口22下降,所以为了不与该门91产生干扰,支承臂64如图31所示在立起的状态下在晶片搬送口22的上方侧待机。然后,在晶片搬送口22敞开后,依次进行支承臂64的下降动作、传感器部65进入到载体C内的下方侧的动作、传感器部65在载体C内的上升动作,该上升动作中,通过传感器部65进行晶片W的光学检测。图32表示结束了该上升动作的状态的传感器部65。
不过,在像这样进行光学检测后,为了使该支承臂64返回图31的待机位置,为了防止对间隔壁18和载体C的干扰,需要使该支承臂64从图32所示的载体C内的上升位置暂时下降,之后进行转动动作而立起,并再次上升。像这样,当采用了门3相对于晶片搬送口22下降的结构时,映射单元6的配置受到限制,由此该单元6的动作也受到限制,其结果为,难以缩短确认上述配置状态所需要的时间。专利文献1、2中对上述因门进行升降而产生的各种问题并没有关注,不能解决该问题。
先行技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平10-125763号公报
专利文献2:日本特开2008-108966号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明鉴于上述问题点,其目的在于提供一种能够减小基板交接装置的高度的技术。用于解决课题的方法
本发明的基板交接装置,对于形成于间隔壁的开口部,使形成于基板搬送容器的前表面的基板取出口从该间隔壁的一面一侧与所述开口部相对,从所述间隔壁的另一面一侧取下所述基板搬送容器的盖体,进行基板的交接,所述基板交接装置的特征在于,包括:
门,其从所述间隔壁的另一面一侧对所述开口部进行开闭;
装卸机构,其设置在所述门上、用于对所述基板搬送容器装卸所述盖体;
进退部,其用于使所述门在封闭所述开口部的第一位置与从该位置向前方离开的第二位置之间进退;和
转动机构,其使所述门在第二位置与偏离所述开口部的前方区域的第三位置之间,绕沿着该门的进退方向的转动轴转动。
本发明的具体方式如下。
(a)所述转动机构包括转动部件,该转动部件的一端一侧固定于所述转动轴,另一端一侧固定于从所述门的中心部起在左右方向和上下方向上偏心(偏离)的位置。
(b)所述开口部、门、进退部和转动机构的组彼此在上下设置有多个。
(c)所述开口部、门、进退部和转动机构的组彼此在左右设置有多个。
(d)所述第三位置被设定于在左右方向上偏离第二位置的位置。
(f)所述第三位置被设定于在上下方向上偏离第二位置的位置。
(g)彼此相邻的所述开口部、门、进退部和转动机构的组中一个组的第三位置与另一个组的第三位置彼此前后重叠。
(h)在所述间隔壁的另一面侧设置有基板检测机构,包括用于检测位于其横向方向的基板的传感器部和使所述传感器部升降的升降部,所述基板交接装置包括控制部,对所述基板检测机构和所述转动机构输出控制信号而控制该基板检测机构和转动机构的动作,
所述控制部输出控制信号,以使所述传感器部的上升或下降动作与通过门的转动而打开所述开口部的动作并行进行。
发明效果
根据本发明,设置有进退部和转动机构,对于形成在间隔壁上的开口部处设置的门,上述进退部使上述门在封闭上述开口部的第一位置与自该位置向前方离开的第二位置间进退,上述转动机构使上述门在第二位置与偏离上述开口部的前方区域的第三位置之间绕沿着该门的进退方向的转动轴转动。通过采用这样的结构,无需使门升降,所以能够抑制为了使该门开闭所需要的装置的高度。
附图说明
图1是表示应用了本发明的涂敷、显影装置的俯视图。
图2是上述涂敷、显影装置的立体图。
图3是上述涂敷、显影装置的侧视图。
图4是上述涂敷、显影装置所包括的载体区块的正视图。
图5是上述载体区块中设置的装载口的门的正视图。
图6是上述装载口的纵截面侧视图。
图7是关闭了晶片搬送口的状态下门3的立体图。
图8表示打开晶片搬送口的途中的门的正视图。
图9是通过门而打开的晶片搬送口的正视图。
图10是打开了搬送口的状态下门的立体图。
图11是载体的横截面俯视图。
图12是用于表示利用上述门打开搬送口以及进行晶片的搬出的工序图。
图13是用于表示利用上述门打开搬送口以及进行晶片的搬出的工序图。
图14是用于表示利用上述门打开搬送口以及进行晶片的搬出的工序图。
图15是用于表示利用上述门打开搬送口以及进行晶片的搬出的工序图。
图16是用于表示利用上述门打开搬送口以及进行晶片的搬出的工序图。
图17是用于表示利用上述门打开搬送口以及进行晶片的搬出的工序图。
图18是用于表示利用上述门打开搬送口以及进行晶片的搬出的工序图。
图19是用于表示将载体搬入到横向排列的各装载口的工序图。
图20是用于表示将载体搬入到横向排列的各装载口的工序图。
图21是用于表示将载体搬入到横向排列的各装载口的工序图。
图22是用于表示将载体搬入到横向排列的各装载口的工序图。
图23是其它装载口的横截面俯视图。
图24是表示其它的门的结构的侧视图。
图25是上述门的后视图。
图26是表示上述门打开的状态的工序图。
图27是表示上述门打开的状态和映射单元的动作的工序图。
图28是表示上述门打开的状态和映射单元的动作的工序图。
图29是表示其它的载体区块的结构的概要正视图。
图30是其它的载体区块的概要正视图。
图31是表示现有的装载口的结构的纵截面侧视图。
图32是上述装载口的纵截面侧视图。
附图符号说明
W 晶片
A1 载体区块
C 载体
1 涂敷、显影装置
2A~2D 装载口
21 载置台
22 晶片搬送口
3 门
41 容器主体
42 盖体
5 门开闭用驱动机构
7 控制部
具体实施方式
对应用了本发明的基板交接装置的涂敷、显影装置1进行说明。图1、图2、图3分别表示上述涂敷、显影装置1和俯视图、概要立体图和概要侧视图。涂敷、显影装置1由载体区块A1、处理区块A2和接口区块A3直线状连接而构成。接口区块A3在处理区块A2的相反侧与曝光装置A4连接。涂敷、显影装置1的外侧构成为作为收纳晶片W的基板搬送容器的载体C的搬送区域11。
对各区块的作用进行简单说明,载体区块A1相当于本发明的基板交接装置,与图2所示的顶棚搬送机构12之间进行存放了晶片W的载体C的交接。然后,从接收到的载体C将晶片W搬入到涂敷、显影装置1中,并使在涂敷、显影装置1经过处理后的晶片W返回到载体C。另外,上述顶棚搬送机构12是经洁净室内的顶棚将载体C在设置于该洁净室的各装置间进行交接的装置。处理区块A2是用于对晶片W进行抗蚀剂涂敷处理、显影处理等各种液体处理、加热处理的区块。曝光装置A4对在处理区块A2中形成于晶片W的抗蚀剂膜进行曝光。接口区块A3具有在处理区块A2与曝光装置A4之间进行晶片W的交接的作用。
对载体区块A1的结构进行说明。为便于说明,令载体区块A1一侧为前侧,曝光装置A4一侧为后侧。载体区块A1包括壳体13,壳体13的内部被从载体搬送区域11划分出来。壳体13在方形的区块的前表面向着前方分上下三层突出形成为搁架状,下层的搁架、中层的搁架和上层的搁架分别构成载体载置架14、15、16。在壳体13内,载体载置架14~16的后方一侧的空间构成为晶片W的搬送区域17。
参照表示了载体区块A1的正面的图4进行说明。壳体13的前表面,构成为从载体C进行晶片W的搬入的装载口2。该装载口2包括:载置载体C的载置台21;晶片W的搬送口22;用于对该晶片搬送口22进行开闭的门3;和映射单元6。在该载体区块A1设置有4个装载口2,为方便起见,对各装载口2加以区分,标注2A~2D的标记。装载口2在从正面观看载体区块A1时在上下左右方向上彼此分离设置,设右下侧的装载口为2A,左下侧的装载口为2B,右上侧的装载口为2C,左上侧的装载口为2D。装载口2A、2B彼此设置于相同高度,装载口2C、2D彼此设置于相同高度。装载口2A、2C彼此设置于左右的相同位置,装载口2B、2D设置于左右的相同位置。
各装载口2的晶片搬送口22在构成壳体13的前方一侧的间隔壁18在前后方向上开口,装载口2A、2B的晶片搬送口22设置在载体载置架14、15之间,装载口2C、2D的晶片搬送口22设置在载体载置架15、16之间。各晶片搬送口22大致形成为平面视图下横向较长的四边形形状。在上述间隔壁18的前面一侧,在各晶片搬送口22的周围形成有环状的凹部19,当进行晶片W的交接时,载体C的前表面接近该凹部19的前表面。
在载体载置架14、15上,在各晶片搬送口22的跟前侧设置上述载置台21。这些载置台21构成为能够在后退位置与前进位置之间自由移动,上述后退位置(卸载位置)是用于在与后述的载体搬送机构33之间进行载体C的交接的位置,上述前进位置(装载位置)是载体C为了交接晶片W而接近上述凹部19的位置。图中23是设置于载置台21上的销,插入于形成在载体C的下方的凹部中,防止载体C在载置台21上发生位置偏移。
各装载口2的结构大致相同,以下以装载口2A为代表进行说明。图5、图6、图7分别是装载口2A的门3的正视图、纵截面侧视图和立体图。门3形成为能够封闭上述晶片搬送口22的大致四边形形状。在门3的正面,在左右设置有键(key)31,构成用于对载体C的盖体42进行装卸的装卸机构。键31形成为从门3向着正面一侧去,其前端在上下方向上延伸。键31绕前后方向的轴转动。
此处,参照图7对载体C的结构进行说明。载体C包括大致方形的容器主体41和方板状的盖体42。在容器主体41的上部设置有被握持部43,用于上述顶棚搬送机构12和后述的载体搬送机构33搬送载体C时握持。在容器主体41内部的左右设置有多层向内侧突出的突出部,通过将晶片W的周缘部插入该突出部之间的插槽44中,而将晶片W水平保持多层。容器主体41的前表面形成晶片W的取出口45,上述盖体42形成为将该取出口45封闭。
在盖体42的前表面形成有用于被上述键31插入的插入口46,当键31在插入到该插入口46中的状态下转动时,盖体42内部的转动机构47发生转动,由此爪部48在盖体42的上下侧部伸出缩回。通过使从上述上下侧部突出的爪部48插入到形成于取出口44的上下内边缘部的槽部49中,使得盖体42与容器主体41卡合。当爪部48缩回盖体42的侧部中而脱离槽部49时,盖体42与容器主体41的卡合被解除,盖体42被插入到插入口46中的键31保持。
接着返回装载口2A的说明。装载口2A在载体载置架14内的空间中具有门开闭用驱动机构5。该门开闭用驱动机构5包括:用于使门3相对于晶片搬送口22进退的进退机构51;和设置于该进退机构51、用于在门3已后退时使该门3转动的转动机构52。上述进退机构51包括引导轨道53、滑块54和汽缸55。引导轨道53在前后方向上延伸,滑块54被卡止于该引导轨道53。汽缸55在前后方向上伸缩驱动,由此使得与该汽缸55连接的滑块54构成为沿着引导轨道53进退。
上述转动机构52设置于上述滑块54,包括汽缸56、连接部件57和构成转动部件的门连接部58。滑块54上设置上述汽缸56,汽缸56在横向方向上伸缩驱动。连接部件57将汽缸56与门连接部58的一端连接,包括与汽缸56连接的轴59和与上述门连接部58连接的轴50,各轴59、50向着前后方向形成。门连接部58如图6所示形成为在侧视图下为L字形,其另一端在向后方一侧去后弯曲而向上方去,固定在门3的背面下端部。门连接部58在该门3上的固定位置,在左右方向上看来靠近载体区块A1的中央部。即,该固定位置是从门3的中心部起在左右方向和上下方向上偏心的位置。
通过汽缸56的伸缩动作,连接部件57以轴59作为转动轴而转动,其倾斜度发生变化。上述连接部件57的倾斜度的变化,被转换为门3的以轴50为转动轴的转动动作。图8、9表示了通过上述转动而使门3打开的状态,如这些图中所示,门3以其侧部向着下方倒向载体区块A1的内侧的方式转动,使晶片搬送口22敞开。图10表示已打开晶片搬送口22时门3的立体图。该图10和其它各图中所示的20是用于支承打开晶片搬送口22后的门3的支承部件。
接着对映射单元6进行说明。映射单元6设置于晶片搬送区域17,是用于在晶片搬送口22打开后、将晶片W从载体C搬入晶片搬送区域17前对载体C内晶片W的配置状态进行确认的单元。配置状态的确认具体指的是对载体C的各插槽44中晶片W的有无进行确认,和对存放的晶片W是水平还是倾斜进行确认。映射单元6包括升降机构61、转动机构62、支承轴63、支承臂64、64和传感器部65。
上述升降机构61以在晶片搬送口22的外侧上下延伸的方式设置。转动机构62构成为通过上述升降机构61自由升降,设置在比升降机构61更靠搬送口22一侧。支承轴63从转动机构62向着搬送口22一侧在水平方向上延伸,通过转动机构62而绕轴转动。2根支承臂64从支承轴63以与支承轴63的轴方向正交的方向延伸而出。支承臂64、64以保持有间隔且彼此平行地方式设置。上述传感器部65设置于支承臂64、64的前端。传感器部65包括彼此成对的发光部66和受光部67,在一个支承臂64设置发光部66、受光部67中的一个。
图11是载体C的横截面俯视图。在确认载体C中上述晶片的配置状态时,支承臂64、64处于水平状态,如该图11所示,使发光部66和受光部67进入载体C内。在发光部66与受光部67之间,以与存放于载体C中的晶片W在俯视下重叠的方式,形成图11中虚线箭头所示的光轴。
受光部67根据有无接收到来自发光部66的光,而对后述的控制部7发送检测信号。然后,在形成了上述光轴的状态下,传感器部65上升,控制部7基于上述检测信号能够检测各插槽44中有无晶片W。另外,在晶片W的一端和另一端进入了高度不同的插槽44中、晶片W保持倾斜的情况下,与保持水平的情况相比,晶片W的根据检测结果而得的厚度会变大,所以控制部7也能够检测出这种晶片W的倾斜的有无。除了进行晶片W的配置状态的检测的情况以外,为了不妨碍晶片W的搬送,支承臂64和传感器部65在图5所示的晶片搬送口22的下方外侧的待机位置待机。
对装载口2B~2D进行说明。装载口2B的门3向着载体区块A1的内侧转动。即,装载口2A、2B的门3以彼此靠近的方式转动,使晶片搬送口22敞开。关于装载口2C、2D,除了门开闭用驱动机构5设置在载体载置架15内的空间中以外,分别与装载口2A、2B为相同结构。该例中,装载口2A、2C被设定为用于将晶片W从载体C中搬入装置1内的晶片搬入用的装载口,而装载口2B、2D被设定为用于将已处理完毕的晶片W返回载体C的晶片搬出用的装载口。
另外,如图1、图2所示,载体区块A1在载体搬送区域11一侧包括载体搬送机构33。载体搬送机构33包括:基端一侧在水平方向上自由移动且能够自由升降的多关节的臂34;和设置于臂34的前端一侧、用于握持载体C的被握持部43的握持部35。利用该载体搬送机构33,在各装载口2的载置台21与设置于各载体载置架14~16上的后述各载置区域36~38之间交接载体C。
图4中,以点划线的框表示载体载置架14~16上除了载置台21以外的载体C的载置区域。载体载置架14具有两个载置区域36、36,这两个载置区域36分别设置于装载口2A、2B的各载置台21之间,和装载口2B的载置台21的左侧。此外,载体载置架15具有两个载置区域36、36,这两个载置区域36分别设置于装载口2C、2D的各载置台21之间,和装载口2D的载置台21的左侧。不过,虽然载置区域36如上所述设置在装载口2A~2D的左侧,但不限于这样的配置,例如也可以将载置区域36设置在各装载口2A~2D的右侧。
载体载置架16上设置有左右共四个载置区域,左侧的两个载置区域37被设定为载体C的向涂敷、显影装置1搬入用的载置区域,载体C被从上述顶棚搬送机构12交接到该载置区域37上。而右侧的两个载置区域38被设置为用于将载体C从涂敷、显影装置1搬出到其它装置的载置区域,上述顶棚搬送机构12接收载置于该载置区域38的载体C,向其它装置搬送。
当载体C已被从顶棚搬送机构12交接到载置区域37上时,在装载口2A、2C的载置台21载置有其它的载体C导致不能够搬送到该载置台21上时,上述载置区域37的载体C被搬送到载置区域36上临时载置。然后,当装载口2A、2C的载置台21空闲时,将上述临时载置的载体C从载置区域36搬送到该载置台21。此外,对于已从装载口2A、2C排出了晶片W的载体C,在装载口2B、2D的载置台21载置有其它的载体C导致不能够搬送到该载置台21上时,这些晶片W已排出的载体C被搬送到载置区域36上临时载置。当装载口2B、2D的载台21空闲时,上述载体C被从载置区域36搬送到该载置台21。
对载体C的搬送进行总结,即,通过顶棚搬送机构12而载置到载置区域37上的载体C,通过载体搬送机构33而按照装载口2A、2C的载置台21→装载口2B、2D的载置台21→载置区域38的顺序搬送,之后再通过顶棚搬送机构12被搬送到其它装置。该搬送路径中,当搬送目的地的装载口2被占用时,载体搬送机构33暂时将载体C搬送到载置区域36待机,然后再搬送到该装载口2。
对壳体13内的晶片搬送区域17进行说明。晶片搬送区域17在左右中央部设置有晶片W的交接部24。该交接部24由用于与处理区块A2之间进行晶片的交接的交接模块TRS、SCPL和使晶片暂时停留的缓冲模块SBU多层层叠而构成。图3中对于交接部24的TRS、SCPL,标记了与处理区块A2的后述单位区块的各层的高度对应的数字。即,将设置于下侧第一层的单位区块B1高度的TRS、SCPL标记TRS1、SCPL1,对其它单位区块高度的TRS、SCPL也同样地标记单位区块的层数。
如图1、图4所示,在交接部24的左右设置有晶片搬送机构25A、25B。晶片搬送机构25A在装载口2A、2C的载体C与交接部24的各模块之间进行晶片W的交接,晶片搬送机构25B在装载口2B、2D的载体C与交接部24的各模块之间进行晶片W的交接。
对晶片搬送机构25A进行说明,晶片搬送机构25A包括自由升降的升降台26、在升降台26上绕铅垂轴自由旋转的基座27、在基座27上分别独立地自由进退的叉状件28、29。叉状件28用于在载体C、交接模块TRS、缓冲模块之间交接晶片W,叉状件29用于在交接模块SCPL之间交接晶片W。晶片搬送机构25B,除了在装载口2B、2D的载体C与交接部24的各模块之间进行晶片W的交接外,与晶片搬送机构25A为相同结构。
涂敷、显影装置1中设置有例如由计算机构成的控制部7。控制部7包括由程序、存储器、CPU构成的数据处理部等,上述程序中编入了命令(各步骤),使得从控制部7对门开闭用驱动机构5等涂敷、显影装置1的各部分发送控制信号,以进行门3的开闭动作、晶片W的搬送和处理模块中的各处理工序。该程序存储在计算机存储介质例如软盘、光盘、硬盘、MO(光磁盘)存储卡等存储介质中,安装在控制部7上。
参照图1~图3对处理区块A2、接口区块A3和曝光装置A4分别进行说明。处理区块A2包括层叠为6层的单位区块D1~D6。各单位区块D1~D6包括从前方向着后方形成的晶片W的搬送区域71、从前方看设置于搬送区域71的左侧的加热模块72和设置于搬送区域71的右侧的液体处理模块73。加热模块72和液体处理模块73沿着搬送区域71各自设置有多个,加热模块72对晶片W进行加热处理,液晶处理模块对晶片W供给处理液。
搬送区域71中设置有晶片W的主搬送机构E。主搬送机构E在设置了该主搬送机构E的单位区块的各模块、交接部24和后述的交接部75中与该单位区域处于相同高度的交接模块之间,进行晶片W的交接。图3中单位区块D1~D6的各主搬送机构表示为E1~E6。单位区块D1和D2的液体处理模块73是对晶片W供给药液形成防反射膜的模块BCT和对晶片W进行抗蚀剂涂敷的模块COT,单位区块D3和D4的液体处理模块73是对晶片W供给药液进行保护膜的形成的模块TCT。单位区块D5和D6的液体处理模块73是对晶片W供给显影液进行显影的模块DEV。另外,单位区块D1、D2中在加热模块72的旁边设置有周缘曝光模块74。
对接口区块A3进行说明,该区块A3包括交接部75,交接部75包括交接模块SCPL、TRS和使多片晶片W停留的缓冲模块SBU。图3中与单位区块D3~D6对应高度的交接模块表示为TRS13~16。用于向曝光装置A4搬入搬出的交接模块表示为TRS11、12。交接部75的左右设置有在交接部75的各模块间搬送晶片W的接口臂76、77。此外,还设置有接口臂78,用于在曝光装置A4与交接部75的交接模块TRS间搬送晶片W。
对于交接部24中作为用于向处理区块A2搬入晶片的模块的交接模块TRS1、TRS2,对搬送到该交接模块的晶片W在各区块A2~A4间的搬送路径进行说明。搬送到交接模块TRS1中的晶片W被主搬送机构D1取入到单位区块B1中,按照交接模块SCPL1→防反射膜形成模块BCT→加热模块72→交接模块SCPL1→抗蚀剂涂敷模块COT→加热模块72→周缘曝光模块74→交接模块SCPL1的顺序搬送。由此,在晶片W的表面依次形成防反射膜、抗蚀剂膜,并且抗蚀剂膜的周缘被曝光。然后,利用晶片搬送机构25A、25B将该晶片W搬送到交接模块TRS3或TRS4。
交接模块TRS2的晶片W,除了被主搬送机构D2取入到单位区块B2中、代替交接模块SCPL1搬送到SCPL2、以及从该SCPL2搬送到交接模块TRS3、TRS4这几点以外,与搬送到交接模块TRS1的晶片W同样地被搬送。
搬送到交接模块TRS3中的晶片W被主搬送机构D3取入到单位区块B3中,按照交接模块SCPL3→保护膜形成模块TCT→加热模块72→交接部75的交接模块TRS13的顺序搬送。由此在抗蚀剂膜的上层形成防反射膜,晶片W被搬入到接口区块A3。交接模块TRS4的晶片W,除了被主搬送机构D4取入到单位区块B4中、代替交接模块SCPL3、TRS13搬送到SCPL4、TRS14这几点以外,与搬送到交接模块TRS3的晶片W同样地被搬送。
TRS13、14的晶片W,被按照接口臂76→缓冲模块BU→接口臂77→交接模块TRS11→接口臂78→曝光装置A4的顺序搬送,在接受了曝光处理后,按照接口臂78→交接模块TRS12→接口臂77→缓冲模块BU→接口臂78→交接模块TRS15或TRS16的顺序被搬送。
交接模块TRS15的晶片W,被主搬送机构D5取入到单位区块B5中,按照加热模块72→交接模块SCPL5→显影模块DEV→交接模块TRS5的顺序被搬送,接收曝光后的加热处理、显影处理。交接模块TRS6的晶片W,除了被主搬送机构D6取入到单位区块B6中、代替交接模块SCPL5、TRS5搬送到SCPL6、TRS6这几点以外,与搬送到交接模块TRS16的晶片W同样地被搬送。
接着,对载体区块A1的晶片搬送口22的敞开动作和相对于载体区域A1进行的晶片W的搬入搬出动作进行说明。此处说明先将载体C搬送到装载口2A排出晶片W,接着将其它的载体C搬送到装载口2B,退回已在装置1中接受过处理的晶片W的例子。图12~图18是装载口2A的纵截面侧视图,图19~图22是装载口2A、2B的横截面俯视图。适当参照以上各图及上述图6进行说明。当载体C载置在位于后退位置的载置台21上时(图6和图19),载置台21向着前进位置移动,门3的键31被插入到载体C的盖体42的插入口46中。载置台21继续移动,当上述容器主体41前方的周缘部接近搬送口22的开口边缘部的凹部19的前表面时(图12),键46转动,容器主体41与盖体42的卡合被解除,盖体42通过键46被保持在门3上。
通过门开闭用驱动机构5使门3后退,保持在门3上的盖体42越过间隔壁18移动至位于晶片搬送区域17中(图13),接着,门3以晶片搬送口22的开口方向为转动轴转动,使该晶片搬送口22敞开,门3被支承部件20支承(图14和图20)。此时,由于容器主体41的开口边缘部接近间隔壁18的凹部19,并且通过未图示的压力调整机构进行调整使得晶片搬送区域17的压力高于载体搬送区域11的压力,因而能够防止载体搬送区域11的气氛经间隔壁18与容器主体41开口边缘部的间隙而进入容器主体41内以及晶片搬送区域11中。
接着,映射单元6的支承臂64从待机位置上升至规定的位置后转动至水平(图15),支承臂64前端的传感器部65进入载体C内,位于比载体C内最下层的插槽44更靠下方的位置。图12~图18各图中为了避免图示的复杂,仅表示了支承在插槽44中的晶片W,对于构成插槽44的突起部则省略了图示。在构成传感器部65的发光部66照射光的同时,该传感器部65上升(图16),由控制部7对载体C内晶片W的配置状态进行确认。当传感器部65位于越过最上层的插槽44的高度,所有的晶片W的配置状态得到确认时,支承臂64下降并同时转动至铅垂方向,传感器部65移动至载体C外,恢复待机位置(图17)。
然后,晶片搬送机构25A的叉状件28从经上述配置状态的确认作业判定为存在保持水平的晶片W的插槽44中依次取出晶片W,通过缓冲模块SBU搬送到交接模块TRS1、2(图18)。之后,上述晶片W如上所述地被取入到处理区块A2中接受处理。
另外,当装载口2B的载置台21上载置有其它载体C时(图21),该载体C与载置在装载口2A的载置台21上的载体C同样地移动到前进位置,解除盖体42与容器主体41的卡合。然后,装载口2B的门3和保持于该门3的盖体42后退至位于装载口2A的门3和保持于该门3的盖体42的前方一侧,门3转动(图22)。即,各装载口2A、2B的门3以在前后重叠的方式打开。接着,利用晶片搬送机构25B从交接模块TRS5、6经缓冲模块SBU将处理完毕的晶片W搬入到装载口2B的载体C中。
当装载口2A中水平载置的所有晶片W搬出完成后,该装载口2A的门3通过与打开晶片搬送口22时相反的动作将晶片搬送口22封闭,使载体C的盖体42与容器主体41之间再次卡合,并解除门3对盖体42的保持。然后,载置了该载体C的载置台21后退,该载体C被载体搬送机构33如上所述地搬送到装载口2B、2D。
另一方面,在装载口2B,当结束了将晶片W回收到载体C的动作后,与装载口2A同样地,封闭晶片搬送口22、使盖体42与容器主体41卡合、解除门3对盖体42的保持、使载置台21后退,上述载体C被载体搬送机构33搬送到载置区域38。关于装载口2C、2D,与装载口2A、2B同样地,进行晶片搬送口22的开闭,和载体C与装置1之间的晶片W的交接。
该涂敷、显影装置1的载体区块A1,使搬送口22的门3在前进位置与后退位置之间进退,通过使移动到上述后退位置的门3绕水平轴转动而进行晶片搬送口22的开闭,其中,上述前进位置是门3进行载体C的容器主体41与盖体42之间的卡合的形成与解除、并且将间隔壁18封闭的位置,上述后退位置是使得所保持的盖体42后退到间隔壁18以后的位置。通过采用这样的结构,与使门3相对于晶片搬送口22升降的结构相比,能够抑制使门3开闭所需要的上下方向的空间。因此,能够抑制载体区块A1的纵向尺寸。因此,像该载体区块A1那样,能够将装载口2层叠,所以能够抑制在横向方向上排列的装载口2的数量,减小该载体区块A1的占地面积。
另外,如上所述,使转动机构52所包括的门连接部58相对于门3的固定位置设定于从门3的中心部起在左右方向和上下方向上偏心的位置。由此,能够抑制通过转动动作打开晶片搬送口22所需要的门3的移动区域的空间,能够防止载体区块A1的大型化。
另外,在如背景技术部分中说明的那样,对设置有用于使门3升降所必需的门开闭用驱动机构5的空间和晶片搬送区域17进行划分时,不需要在用于进行划分的部件上形成纵向较长的狭缝,所以提高了该门开闭用驱动机构5的密闭性,能够减少向晶片搬送区域17流出的微粒。
此外,本实施方式的映射单元6中,在搬送口22敞开后传感器部65从待机位置起上升的动作时间、通过支承臂64的转动使传感器部65进入载体C内的动作时间、传感器部65的上升时间、传感器部65的移动方向发生变化而导致的延迟时间、传感器部65下降至待机位置的时间,分别为0.8秒、0.8秒、5.1秒、0.5秒、3.2秒,时间共计10.4秒。通过支承臂64的转动而使传感器部65退出到载体C外的动作所需要的时间为0.8秒,但该退出动作能够与上述使传感器部65下降到待机位置的下降动作并行进行,所以无需在其它动作之外另外设定该转动所需要的时间。
而如背景技术部分所示,在采用使门3从晶片搬送口22下降的结构,且令映射单元6的待机位置为搬送口22的上侧的情况下,传感器部65从上述待机位置起下降的动作时间、通过支承臂64的转动使传感器部65进入载体C内的动作时间、传感器部65的上升时间、传感器部65的移动方向发生变化而导致的延迟时间、用于避免因支承臂64的转动而导致传感器部65接触间隔壁18的传感器部65的下降动作的时间、通过支承臂64的转动而使传感器部65移动到载体C外的移动动作时间、传感器部65上升至待机位置的时间,分别为3.2秒、0.8秒、5.1秒、0.5秒、0.7秒、0.8秒、1.3秒,时间共计12.4秒。
即,像本实施方式这样,采用使门3转动的动作并使映射单元6的待机位置设定于晶片搬送口22的下方的方式,与使门3下降并将映射单元6的待机位置设定于晶片搬送口22的上方的结构相比,不需要用于避免传感器部65接触间隔壁18的下降动作,能够使传感器部65向待机位置的移动与从载体C的搬出并行进行,所以能够快速进行配置状态的确认、开始晶片W的排出,所以较为有利。
此外,上述设置于左右的装载口的门3的进行转动的位置彼此在前后方向上错开,在打开时彼此重叠。因而,能够抑制载体区块A1的横向宽度的大小。不过,也可以如图23所示使左右的装载口2的位置离开以使得各门打开时门3不会重叠。该情况下能够抑制载体区块A1前后方向上的宽度。
上述例子中门连接部58与连接部件57连接,但也可以与滑块54连接。这样,使滑块54、汽缸55和引导轨道53与由电机等构成的转动机构连接而转动。即,上述实施方式中在进退机构51设置有转动机构52使转动机构52进退,但也可以在转动机构上设置进退机构,使进退机构与门3一起转动。
图24、25分别是其它的门3的侧视图、后视图。该门3的门开闭用驱动机构8包括例如由电机构成、与门3的门连接部58连接的转动机构81,和与转动机构81连接、使该转动机构81与门3在前后方向上移动的进退机构82。上述电机与编码器83连接,根据该电机的转动量,编码器83输出到控制部7的脉冲信号的脉冲数相应地发生变化。通过检测该脉冲数,控制部7能够检测出门3的倾斜度。另外,图中84是转动机构81使门3转动的转动轴。
对利用该门3打开晶片搬送口22的工序进行说明。与上述实施方式同样地,门3保持载体C的盖体42并如图26所示地后退以使得转动时盖体42不会与间隔壁18产生干扰。然后,当利用转动机构81使门3转动时,控制部7基于从编码器83输出的脉冲信号对映射单元6发送控制信号,如图27所示,以使得传感器部65不会与盖体42和门3发生干扰的方式,使该传感器部65上升。即,通过门3的转动使晶片搬送口22敞开的动作,与传感器部65的上升动作,彼此并行地进行。当传感器部65上升到规定的位置后,与上述实施方式同样地,支承臂64转动而使传感器部65进入载体C内,进行晶片W的配置状态的确认(图28)。
像这样,通过使上述敞开动作与传感器部65的上升动作同时并行地进行,能够缩短从晶片搬送口22敞开后至将晶片W从涂敷、显影装置1排出所需要的时间,所以能够提高吞吐量。另外,在上述门开闭用驱动机构5中,预先取得为了使门3转动而对汽缸56发送控制信号后经过的时间和各时间的门3的位置的数据,基于该数据设定从发送上述控制信号至传感器部65开始上升的时间。通过进行这样的设定,也能够使门3的转动与传感器部65的上升并行进行。
上述各实施方式中横向方向上排列的装载口的门3在各自打开时彼此重叠,但也可以设定为使得纵向方向上排列的装载口的门3在各自打开时彼此重叠。图29、图30示意性地表示各载体区块A1的前表面一侧。图29表示各装载口2A~2D的门3关闭的状态,图30表示装载口2B、2D的门3打开、装载口2A、2C的门关闭的状态。与横向方向上排列的门3重叠的情况相同地,装载口2B、2D的各门3在保持载体C的盖体42后,后退到彼此不发生干扰的位置,通过转动而彼此重叠。装载口2A、2C的门3也同样地在打开时彼此重叠。通过采用这样的结构,能够抑制载体区块A1的高度实现进一步的小型化。
上述例子中装载口2层叠了2层,但也可以层叠3层以上。另外,本发明也能够适用于进行晶片W以外的FPD(平板显示器)基板、光掩膜用的光罩(mask reticle)基板等其它基板的搬入搬出的装置。另外,对于装载口2A~2D,用户能够任意地设定是用于从载体C向装置搬入晶片的装载口,还是用于从装置向载体C搬出晶片的装载口。即,并不限定于使装载口2A、2C为上述晶片搬入用的装载口、使装载口2B、2C为晶片搬出用的装载口。另外,也可以利用与将晶片W搬入装置的装载口相同的装载口使晶片W返回载体C。

Claims (6)

1.一种基板交接装置,对于形成于间隔壁的开口部,使形成于基板搬送容器的前表面的基板取出口从该间隔壁的一面一侧与所述开口部相对,从所述间隔壁的另一面一侧取下所述基板搬送容器的盖体,进行基板的交接,所述基板交接装置的特征在于,包括:
门,其从所述间隔壁的另一面一侧对所述开口部进行开闭;
装卸机构,其设置在所述门上、用于对所述基板搬送容器装卸所述盖体;
进退部,其用于使所述门在封闭所述开口部的第一位置与从该位置向前方离开的第二位置之间进退;和
转动机构,其使所述门在第二位置与从所述开口部的前方区域偏离的第三位置之间,绕沿着该门的进退方向的转动轴转动,
所述转动机构包括:驱动杆移动的汽缸;连接所述杆和所述门的、与该杆的移动连动地使所述门转动的连接部件,
所述进退部使所述转动机构与所述门一起进退,
所述转动机构包括转动部件,该转动部件的一端一侧固定于所述转动轴,另一端一侧固定于从所述门的中心部起在左右方向和上下方向上偏心的位置,
所述开口部、门、进退部和转动机构的组彼此在上下设置有多个,并且在左右设置有多个,
彼此相邻的所述开口部、门、进退部和转动机构的组中一个组的第三位置与另一个组的第三位置彼此前后重叠。
2.如权利要求1所述的基板交接装置,其特征在于:
所述第三位置被设定于在左右方向上偏离第二位置的位置。
3.如权利要求1所述的基板交接装置,其特征在于:
所述第三位置被设定于在上下方向上偏离第二位置的位置。
4.如权利要求1所述的基板交接装置,其特征在于:
在所述间隔壁的另一面侧设置有基板检测机构,该基板检测机构包括用于检测位于横向方向的基板的传感器部和使所述传感器部升降的升降部,
所述基板交接装置包括控制部,该控制部对所述基板检测机构和所述转动机构输出控制信号来控制该基板检测机构和转动机构的动作,
所述控制部输出控制信号,以使所述传感器部的上升或下降动作与通过门的转动而打开所述开口部的动作并行进行。
5.一种基板交接方法,其特征在于:
使用权利要求1~4中任一项所述的基板交接装置进行基板的交接,
该基板交接方法包括:
对于形成于间隔壁的开口部,使形成于基板搬送容器的前表面的基板取出口从该间隔壁的一面一侧与所述开口部相对的工序;
利用设置在用于对所述开口部进行开闭的门上的装卸机构,对基板搬送容器装卸所述基板搬送容器的盖体,从所述间隔壁的另一面一侧取下所述盖体的工序;
利用进退部使所述门在封闭所述开口部的第一位置与从该位置向前方离开的第二位置之间进退,并利用转动机构使所述门在第二位置与偏离所述开口部的前方区域的第三位置之间,绕沿着该门的进退方向的转动轴转动,由此从所述间隔壁的另一面一侧对所述开口部进行开闭的工序;和
通过打开的开口部在所述间隔壁的另一面一侧与基板搬送容器之间进行基板的交接的工序,
其中,所述门的转动由转动机构进行,该转动机构包括:驱动杆移动的汽缸;连接所述杆和所述门的、与该杆的移动连动地使所述门转动的连接部件,
该基板交接方法还包括利用所述进退部使所述转动机构与所述门一起进退的工序。
6.如权利要求5所述的基板交接方法,其特征在于:
包括利用升降机构使设置在所述间隔壁的另一面一侧、用于检测位于横向的基板的传感器部升降的工序,
通过门的转动而打开所述开口部的工序与使所述传感器部上升或下降的工序并行进行。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6303556B2 (ja) * 2014-02-05 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構の位置検出方法、記憶媒体及び基板搬送機構の位置検出装置
JP6863114B2 (ja) * 2017-06-16 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP7185461B2 (ja) * 2018-09-21 2022-12-07 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および、基板処理装置の制御方法
JP7115947B2 (ja) * 2018-09-21 2022-08-09 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP7300817B2 (ja) * 2018-09-21 2023-06-30 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理装置の制御方法
JP7178223B2 (ja) * 2018-09-21 2022-11-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
CN111354667A (zh) * 2018-12-21 2020-06-30 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 一种晶圆盒搬运装置
JP7190900B2 (ja) * 2018-12-28 2022-12-16 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、キャリア搬送方法およびキャリアバッファ装置
JP6856692B2 (ja) * 2019-03-28 2021-04-07 平田機工株式会社 ロードポート
DE102019109767A1 (de) * 2019-04-12 2020-10-15 Onejoon Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur thermischen oder thermo-chemischen Behandlung von Material
TW202137380A (zh) * 2019-12-13 2021-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP7460461B2 (ja) 2020-06-22 2024-04-02 株式会社ディスコ 加工装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008108966A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Tokyo Electron Ltd 検出装置及び検出方法
TW200843018A (en) * 2006-12-22 2008-11-01 Asyst Technologies Loader and buffer for reduced lot size
JP2009065212A (ja) * 2008-12-19 2009-03-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板検出装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3283798B2 (ja) 1996-08-29 2002-05-20 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2000286319A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Canon Inc 基板搬送方法および半導体製造装置
JP2005079250A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20060045663A1 (en) * 2004-08-05 2006-03-02 Ravinder Aggarwal Load port with manual FOUP door opening mechanism
JP2006339618A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Dan-Takuma Technologies Inc 手動式foupオプナー
NL1036164A1 (nl) 2007-11-15 2009-05-18 Asml Netherlands Bv Substrate processing apparatus and device manufacturing method.
US11443962B2 (en) * 2009-06-17 2022-09-13 Brooks Automation Us, Llc Integrated handling system for semiconductor articles

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008108966A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Tokyo Electron Ltd 検出装置及び検出方法
TW200843018A (en) * 2006-12-22 2008-11-01 Asyst Technologies Loader and buffer for reduced lot size
JP2009065212A (ja) * 2008-12-19 2009-03-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板検出装置

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