CN103377820A - 一种r-t-b-m系烧结磁体及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种R-T-B-M系烧结磁体，其特点是烧结磁体是由R-T-B-M系合金经熔炼、氢处理、制粉、成型、烧结和时效处理工序制成，其中氢处理、制粉、成型工序是在惰性气体或氮气的保护下进行的；所述的制粉工序不需要加入氧，不需要除去富含稀土元素的超细粉；所述的R是选自包括Sc和Y的稀土元素中的至少一种元素，T是选自Fe和Co中至少一种元素，B是硼，M是选自Ti、Ni、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素；所述的各元素重量百分含量分别为：29%≤R≤35%，62%≤T≤70%，0.1%≤M≤1.8%，0.9%≤B≤1.2%；所述烧结磁体的氧重量百分含量≤0.07%；减小氧等杂质元素对磁体性能的影响，同时可降低磁体烧结温度，从而使磁体的矫顽力有较大提高。

Description

一种R-T-B-M系烧结磁体及其制造方法
技术领域：
本发明涉及永磁材料技术领域，具体地讲是一种R-T-B-M系烧结磁体及其制造方法，采用该方法可以实现节省稀土元素特别是重稀土元素的使用量，减小稀土永磁材料对稀土元素特别是重稀土元素的依赖。
技术背景：
烧结钕铁硼永磁材料自1983年被佐川真人等人发现以来，其应用领域一直在不断的扩大，目前其应用领域从初期的医用核磁共振成像仪（MRI）、硬盘驱动器用音圈马达电机（VCM）、CD光头拾取器（Pick up）等医疗和信息产业领域逐渐过渡到新能源汽车电动机及发电机、风力发电机、空调冰箱压缩机、电梯电机等节能环保领域发展。
由于烧结钕铁硼永磁材料用量的不断增加，稀土资源的稀缺性就越显突出，减少稀土元素，特别是重稀土元素的使用量就显得非常重要。为了用更少的重稀土元素制得更高矫顽力的磁体，可以采用速凝薄带法制备合金，速凝薄带工艺与铸锭工艺相比，由于合金在较短的时间被冷却至固态，其主相R2T14B晶粒细小，均匀。由于富稀土相均匀分布于主相晶粒之间，因此富稀土相尺度也显著减小。在随后的气流磨制粉过程中，非常容易产生富稀土相的超细粉（粒度小于1微米的微粉），这些富含稀土的微粉非常容易氧化，进而影响最终磁体的性能。传统的解决方案，如：专利号ZL 01116103.5所述，为了实现易于生产，在合金用气流磨制粉的过程中添加了0.02~5 %体积的氧，通过加入一定量的氧，把一部分合金粉末中最不稳定的粒度比较偏细的富含稀土的粉末氧化掉，由于粉末中富含稀土的粉末变成了稀土氧化物，势必要对后续烧结工序的致密化产生不利影响，因此还需要继续通过旋风式分级机来除去被氧化的富含稀土微粉，来保证烧结过程的致密化。这种方法的主要缺点在于：
第一：采用这种工艺势必会在烧结磁体中引入大量的氧，通常情况下，磁体氧含量在2000ppm以上，最终这些氧都会以稀土的氧化物的形式存在于永磁体中，使得磁体中的富稀土相变为稀土的氧化物相，降低了磁体的矫顽力；
第二：采用这种工艺会导致旋风式分级机分离出一部分稀土氧化物粉末，这部分富含稀土的粉末最终进入不到磁体中，导致稀土元素的浪费。
发明内容：
本发明的目的是克服上述已有技术的不足，而提供一种R-T-B-M系烧结磁体。
本发明的另一目的是提供一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法。
本发明主要解决现有方法中磁体氧含量高导致性能劣化和稀土元素浪费的问题。
本发明的技术方案是：一种R-T-B-M系烧结磁体，其特殊之处在于所述的烧结磁体是由R-T-B-M系合金经熔炼、氢处理、制粉、成型、烧结和时效处理工序制成，其中氢处理、制粉、成型工序是在惰性气体或氮气的保护下进行的；所述的制粉工序不需要加入氧，不需要除去富含稀土元素的超细粉；所述的R是选自包括Sc和Y的稀土元素中的至少一种元素，T是选自Fe和Co中至少一种元素，B是硼，M是选自Ti、Ni、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素；所述的各元素重量百分含量分别为：29%≤R≤35 %，62 %≤T≤70 %，0.1%≤M≤1.8 %，0.9 %≤B≤1.2% ；所述烧结磁体的氧重量百分含量≤0.07%。
本发明的一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法，其特殊之处在于：它包括如下工艺步骤：将R-T-B-M系原材料熔炼成合金，在惰性气体或氮气的保护下进行氢处理、制粉和成型工序，然后进行后续的烧结及时效处理工序；所述的制粉工序不需要加入氧，不需要除去富含稀土元素的超细粉；所述的烧结工序在惰性气体或真空下进行，烧结温度为900~1040℃。
进一步的，所述的熔炼工序在真空或惰性气体保护下进行，采用铸锭工艺或速凝薄带工艺。
进一步的，所述的氢处理工序中合金吸氢的压力大于0.1MPa，脱氢温度400~600℃。
进一步的，所述的制粉工序采用气流磨制粉，制粉前后粉末的成份不变，粉末的粒度为X50≤8μm；气流磨制粉完成后，粉末在惰性气体或氮气的保护下混入润滑剂。
进一步的，所述的成型工序包括在惰性气体或氮气保护下进行包括模压和等静压两部分，模压成型过程中的充磁磁场为直流磁场，磁场强度为1.5-2.5T；模压成型完成后毛坯的密度为3.5~4.5g/cm3；成型完成后进行等静压，等静压的压力为100-300MPa，等静压成型完成后毛坯的密度为4.0~5.0g/cm3。
进一步的，所述的时效处理工序是在惰性气体或真空下进行，一级时效温度为800~900℃，二级时效温度为400~600℃。
本发明的所述的一种R-T-B-M系烧结磁体及其制造方法与现有的技术相比具有突出的实质性的特点和显著进步：1、从氢处理到模压成型的全部工序都在惰性气体或氮气的保护下完成，减小了氧等杂质元素对磁体性能的影响，磁体的矫顽力可以得到显著的提高；2、气流磨制粉过程中不去除富含稀土的超细粉，由于超细粉在烧结的过程中可以起到烧结助剂的作用，这可以起到降低磁体烧结温度的作用；同时，增加富稀土相还可以使磁体的矫顽力进一步提高。
具体实施方式：
为了更好地理解与实施，下面结合实施例详细说明本发明；所举实施例只用于解释本发明，并非用于限制本发明的保护范围。
实施例1、2，是针对减少氧含量所带来的效果进行说明，其制造方法如下：
熔炼：在氩气气氛中加热金属或合金原料，其中R元素的为：23.6 %重量的钕、5.9 %重量的镨、3 %重量的镝；T元素为64.95 %重量的铁和1 %重量的钴；B为1.15 %重量的硼；M为0.3 %重量的铝和0.1 %重量的铜；采用速凝薄带的方法将原材料合金熔炼成片状的实施例1和实施例2合金薄片；合金薄片的稀土总重量为31.9 %；
氢处理：合金薄片首先进行吸氢，然后抽真空脱氢，吸氢压力为0.2MPa，脱氢温度为500℃；氢处理完成后将实施例1和实施例2的氢处理粉分别装入氩气和氮气保护的密闭料罐中；
制粉：分别使用高压氩气和高压氮气将氢处理之后实施例1和实施例2的粉末磨至X50=5.0μm；在磨粉过程中不向气流磨中加入氧气，也不去除超细粉；气流磨制粉完成粉末需要混入常规的润滑剂，混润滑剂的工序也是分别在氩气和氮气的保护的混料机内完成；混合完成的细粉分别装入氩气和氮气保护的密闭料罐中；
成型：上述方法制作的实施例1和实施例2的细粉，首先实施例1的细粉在氩气保护下模压成型，实施例2的细粉在氮气保护下模压成型，在模压成型过程中采用直流磁场进行取向，取向磁场的强度为2.0T；模压成型完成后的毛坯的密度为3.6g/cm3，之后进行等静压成型，等静压成型的压力为200MPa，等静压成型后毛坯的密度为4.3g/cm3；
烧结：在真空条件下，首先将实施例1和实施例2的粉体成形体加热到400℃以上的温度环境内进行一定时间的保温，然后再加热至烧结温度进行烧结，烧结温度为1000℃；
时效处理：在烧结之后磁体还需在氩气环境下进行时效处理，一级处理温度为850℃，二级时效处理温度为450℃；时效处理完成的毛坯加工成直径为10mm，高度为10mm的实施例1和实施例2的测试试样。
对比例1、2、3，其制作方法如下：
熔炼：在氩气气氛中熔炼金属或合金原料，其中R元素为：23.6 %重量的钕、5.9 %重量的镨、3 %重量的镝；T元素为64.95 %重量的铁和1 %重量的钴；B为1.15 %重量的硼；M为0.3 %重量的铝和0.1 %重量的铜；采用速凝薄带的方法将原材料合金熔炼成片状的与实施例1相同的对比例1、2、3的合金薄片；合金薄片的稀土总量为31.9重量%；
氢处理：合金薄片首先进行吸氢，然后抽真空脱氢，吸氢压力为0.2Mpa，脱氢温度为500℃，氢处理完成后将氢处理粉分别装入氩气保护的密闭料罐中；
制粉：使用高压氩气将氢处理之后的粉末磨至X50=5.0μm；在磨粉过程中向气流磨中分别加入0.01体积%、0.02体积%和0.04体积%的氧气，不去除超细粉，分别制得对比例1、2、3的粉末；制粉完成后需要混入常规的润滑剂，混润滑剂的工序也是在氩气保护的混料机内完成；混合完成的细粉装入氩气保护的密闭料罐中；
成型：将上述方法制作的对比例1、2、3的粉末分别在氩气保护下模压成型，在模压成型过程中采用直流磁场进行取向，取向磁场的强度为2.0T；模压成型完成后的毛坯的密度为3.6g/cm3,之后进行等静压成型，等静压成型的压力为200MPa，等静压成型后对比例1、2、3的毛坯的密度为4.3g/cm3；
烧结：在真空条件下，首先将对比例1、2、3的粉体成形体加热到400℃以上的温度环境内进行一定时间的保温，然后在加热至烧结温度进行进行烧结，烧结温度为1000℃；
时效处理：在烧结之后的对比例1、2、3的磁体还需在氩气环境下进行时效处理，一级处理温度为850℃，二级时效处理温度为450℃；时效处理完成的毛坯加工成直径为10mm，高度为10mm对比例1、2、3三个测试试样。
实施例1、2与对比例1、2、3对比测量磁性能及成份结果如下表1：
表1：不同制粉气氛条件下对比结果：
Figure 732107DEST_PATH_IMAGE001
 
由表1可知，在气流磨磨加入一定量的氧气会使得烧结磁体的密度偏低，对比例1、2、3与实施例1相比密度分别偏低0.07g/cm3, 0.15g/cm3, 0.30g/cm3；与实施例2相比，密度分别偏低0.04g/cm3,  0.12g/cm3 , 0.27g/cm3。由于密度偏低导致磁体的剩磁也和磁能积也随之偏低，对比例1、2、3与实施例1、2相比，剩磁分别偏低0.1KGs，0.3KGs，0.5KGs。对比例1、2、3与实施例1相比，磁能积分别偏低0.8MGOe，1.7MGOe和3.4MGOe。对比例1、2、3与实施例2相比，磁能积分别偏低0.5MGOe，1.4MGOe和3.1MGOe。同时，由于对比例中不同含量的富稀土相被氧化，导致磁体的矫顽力也收到影响，对比例1、2、3与实施例1相比，矫顽力分别偏低0.6KOe，1.1KOe，2.3KOe。对比例1、2、3与实施例2相比，矫顽力分别偏低0.1KOe，0.6KOe，1.8KOe。
实施例3、4，是针对不去除超细粉所带来的效果进行说明，其制造方法如下：
熔炼：在真空的气氛中熔炼金属或合金原料，其中R元素为：22.4 %重量的钕、5.6 %重量的镨、2 %重量的铽；T元素为67.85 %重量的铁和1 %重量的钴；B为0.95 %重量的硼；M为0.1 %重量的铝和0.1 %重量的铜；采用速凝薄带的方法将原材料合金熔炼成片状的实施例3和实施例4合金薄片；合金薄片的稀土总重量为29.3 %；
氢处理：合金薄片首先进行吸氢，然后抽真空脱氢，吸氢压力为0.2Mpa，脱氢温度为500℃；氢处理完成后分别将实施例3、4的氢处理粉装入氩气和氮气保护的密闭料罐中；
制粉：分别使用高压氩气和高压氮气将氢处理之后实施例3、4的粉末磨至X50=5.0μm；在磨粉过程中不向气流磨中分别加入氧气，不去除超细粉；制粉完成后需要混入常规的润滑剂，混润滑剂的工序实施例3、4的粉末分别是在氩气和氮气保护的混料机内完成；混合完成的细粉装入分别装入氩气和氮气保护的密闭料罐中；
成型：将上述方法制作的实施例3、4的细粉分别在氩气和氮气保护下模压成型，在模压成型过程中采用直流磁场进行取向，取向磁场的强度为2.0T；模压成型完成后的毛坯的密度为4.0g/cm3,之后进行等静压成型，等静压成型的压力为200MPa，等静压成型后毛坯的密度为4.5g/cm3；
烧结：在真空条件下，首先将实施例3、4的粉体成形体加热到400℃以上的温度环境内进行一定时间的保温，然后在加热至烧结温度进行进行烧结，烧结温度为1030℃；
时效处理：在烧结之后磁体还需在氩气环境下进行时效处理，一级处理温度为850℃，二级时效处理温度为550℃；时效处理完成的毛坯加工成直径为10mm，高度为10mm的实施例3、4的测试试样。
对比例4、5，其制造方法如下：
熔炼：在真空气氛中熔炼金属或合金原料，其中R元素为：22.4重量%的钕、5.6重量%的镨、2重量%的铽；T元素为67.85重量%的铁和1重量%的钴；B为0.95重量%的硼；M为0.1重量%的铝和0.1重量%的铜；采用速凝薄带的方法将原材料合金熔炼成片状的与实施例3相同的对比例4、5的合金薄片；合金薄片的稀土总重量为29.3 %。
氢处理：合金薄片首先进行吸氢，然后抽真空脱氢，吸氢压力为0.2Mpa，脱氢温度为500℃；氢处理完成后将对比例4、5的氢处理粉分别装入氩气和氮气保护的密闭料罐中；
制粉：分别使用高压氩气和高压氮气将氢处理之后对比例4、5的粉末磨至X50=5.0μm；在磨粉过程中不向气流磨中加入氧气，采用旋风分级机对超细粉进行分离；制粉完成后需要混入一定量的润滑剂，混润滑剂的工序也是在分别在氩气和氮气保护的混料机内完成；混合完成的对比例4、5的细粉分别装入氩气和氮气保护的密闭料罐中；
成型：将上述方法制作的对比例4、5的细粉分别在氩气和氮气保护下模压成型，在模压成型过程中采用直流磁场进行取向，取向磁场的强度为2.0T；模压成型完成后的毛坯的密度为4.0g/cm3,之后进行等静压成型，等静压成型的压力为200MPa，等静压成型后毛坯的密度为4.5g/cm3；
烧结：在真空条件下，首先将对比例4、5的粉体成形体加热到400℃以上的温度环境内进行一定时间的保温，然后在加热至烧结温度进行进行烧结，烧结温度为1000℃；
时效处理：在烧结之后的对比例4、5的磁体还需在惰性气体环境下进行时效处理，一级处理温度为850℃，二级时效处理温度为550℃；时效处理完成的毛坯加工成直径为10mm，高度为10mm的对比例4、5的两个测试试样。
实施例3、4与对比例4、5对比测量磁性能及成份结果如下表2：
   表2：不同制粉条件下对比结果：
 
Figure 127316DEST_PATH_IMAGE002
由表2可知，无论是采用氩气还是氮气作为磨粉介质，在气流磨磨中去除超细粉会使使得磁体的矫顽力偏低，对比例4与实施例3相比矫顽力偏低1KOe。对比例5与实施例4相比，矫顽力也会偏低1KOe。这主要是由于除去的超细粉中含有大量的稀土元素，进而导致磁体中的富稀土相总量减少，进而影响到磁体的矫顽力。
实施例5，是针对降低烧结温度带来的效果进行说明，其制造方法如下：
熔炼：在氩气气氛中熔炼金属或合金原料，其中R元素为：20.8重量%的钕、5.2重量%的镨、3重量%的镝、2重量%的铽；T元素为65.8重量%的铁和1重量%的钴；B为1.05重量%的硼；M为1重量%的铝和0.15重量%的铜；采用速凝薄带的方法将原材料合金熔炼成片状的实施例5的合金薄片；合金薄片的稀土总重量为30.2 %；
氢处理：合金薄片首先进行吸氢，然后抽真空脱氢，吸氢压力为0.2Mpa，脱氢温度为500℃；氢处理完成后将氢处理粉装入氮气保护的密闭料罐中；
制粉：氢处理之后使用高压氮气将粉末磨至X50=5.0μm；在磨粉过程中不向气流磨中加氧气，也不对超细粉进行分离；制粉完成后需要混入常规的润滑剂，混润滑剂的工序也是在氮气保护的混料机内完成；混合完成的细粉装入氮气保护的密闭料罐中；
成型：在上述方法制作的细粉在氮气保护下模压成型，在模压成型过程中采用直流磁场进行取向，取向磁场的强度为2.0T；模压成型完成后的毛坯的密度为4.0g/cm3,之后进行等静压成型，等静压成型的压力为200MPa，等静压成型后毛坯的密度为4.5g/cm3；
烧结：在真空条件下，首先将粉体成形体加热到400℃以上的温度环境内进行一定时间的保温，然后在加热至烧结温度进行进行烧结，烧结温度为1010℃；
时效处理：在烧结之后磁体还需在惰性气体环境下进行时效处理，一级处理温度为850℃，二级时效处理温度为500℃；时效处理完成的毛坯加工成直径为10mm，高度为10mm的实施例5的测试试样。
对比例6、7，其制造方法如下：
熔炼：在氩气气氛中熔炼金属或合金原料，其中R元素为：20.8重量%的钕、5.2重量%的镨、3重量%的镝、2重量%的铽；T元素为65.8重量%的铁和1重量%的钴；B为1.05重量%的硼；M为1重量%的铝和0.15重量%的铜；采用速凝薄带的方法将原材料合金熔炼成片状的与实施例5相同的对比例6、7的合金薄片；合金薄片的稀土总量为30.2重量%；
氢处理：合金薄片首先进行吸氢，然后抽真空脱氢，吸氢压力为0.2Mpa，脱氢温度为500℃；氢处理完成后将氢处理粉分别装入氮气保护的密闭料罐中；
制粉：对比例6、7的合金氢处理之后使用高压氮气将粉末磨至X50=5.0μm；在磨粉过程中不向气流磨中加氧气，采用旋风分级机对超细粉进行分离；制粉完成后需要混入常规的润滑剂，混润滑剂的工序也是在氮气保护的混料机内完成；混合完成的细粉装入氮气保护的密闭料罐中；
烧结：在真空条件下，首先将对比例6、7的粉体成形体加热到400℃以上的温度环境内进行一定时间的保温，然后在加热至不同的烧结温度进行进行烧结，对比例6的烧结温度为1010℃，对比例7的烧结温度为1020℃；
时效处理：在烧结之后的对比例6、7的磁体还需在惰性气体环境下进行时效处理，一级处理温度为850℃，二级时效处理温度为500℃；时效处理完成的毛坯加工成直径为10mm，高度为10mm对比例6、7的两个测试试样。
实施例5与对比例6、7的对比测量磁性能及成份结果如下表3：
   表3：不同烧结温度条件下对比结果：
 
由表3可知，在气流磨中用氮气制粉并且去除超细粉会使磁体的密度偏低，在相同的烧结温度条件下，对比例6的密度比实施例5的测试试样的密度低0.13g/cm3。对比例7通过把烧结温度提高10℃使密度与剩磁达到实施例5的测试试样同等水平，但矫顽力仍然比实施例5的测试试样低0.9KOe。
实施例6~7，是针对不同成份磁体带来的效果进行说明，实施例6的制造方法如下：
熔炼：在氩气气氛中熔炼金属或合金原料，其中R元素为：23.2%重量的钕、5.8%重量的镨；T元素为69%重量的铁和1%重量的钴；B为0.9%重量的硼；M为0.1%重量的铜；采用速凝薄带的方法将原材料合金熔炼成片状的实施例6的合金薄片；合金薄片的稀土总重量为28.5 %；
氢处理：合金薄片首先进行吸氢，然后抽真空脱氢，吸氢压力为1Mpa，脱氢温度为600℃；氢处理完成后将氢处理粉装入氩气保护的密闭料罐中；
制粉：氢处理之后使用高压氩气将粉末磨至X50=8.0μm；在磨粉过程中不向气流磨中加氧气，也不对超细粉进行分离；制粉完成后需要混入常规的润滑剂，混润滑剂的工序也是在氩气保护的混料机内完成；混合完成的细粉装入氩气保护的密闭料罐中；
成型：在上述方法制作的细粉在氩气保护下模压成型，在模压成型过程中采用直流磁场进行取向，取向磁场的强度为1.5T；模压成型完成后的毛坯的密度为4.5g/cm3,之后进行等静压成型，等静压成型的压力为300MPa，等静压成型后毛坯的密度为5.0g/cm3；
烧结：在真空条件下，首先将粉体成形体加热到400℃以上的温度环境内进行一定时间的保温，然后在加热至烧结温度进行进行烧结，烧结温度为1040℃。
时效处理：在烧结之后磁体还需在惰性气体环境下进行时效处理，一级处理温度为900℃，二级时效处理温度为600℃；时效处理完成的毛坯加工成直径为10mm，高度为10mm的实施例6的测试试样。
实施例7的制造方法如下：
熔炼：在氩气气氛中熔炼金属或合金原料，其中R元素为：26.4重量%的钕、6.6重量%的镨、1重量%的镝、1重量%的铽；T元素为62重量%的铁；B为1.2重量%的硼；M为1.3重量%的铝、0.2重量%的铜、0.3重量%镓；采用速凝薄带的方法将原材料合金熔炼成片状的实施例7的合金薄片；合金薄片的稀土总重量为34.3 %；
氢处理：合金薄片首先进行吸氢，然后抽真空脱氢，吸氢压力为0.11Mpa，脱氢温度为400℃；氢处理完成后将氢处理粉装入氩气保护的密闭料罐中；
制粉：氢处理之后使用高压氩气将粉末磨至X50=2μm；在磨粉过程中不向气流磨中加氧气，也不对超细粉进行分离；制粉完成后需要混入常规的润滑剂，混润滑剂的工序也是在氩气保护的混料机内完成；混合完成的细粉装入氩气保护的密闭料罐中；
成型：在上述方法制作的细粉在氩气保护下模压成型，在模压成型过程中采用直流磁场进行取向，取向磁场的强度为2.5T；模压成型完成后的毛坯的密度为3.5g/cm3,之后进行等静压成型，等静压成型的压力为100MPa，等静压成型后毛坯的密度为4.0g/cm3；
烧结：在真空条件下，首先将粉体成形体加热到400℃以上的温度环境内进行一定时间的保温，然后在加热至烧结温度进行进行烧结，烧结温度为900℃。
时效处理：在烧结之后磁体还需在惰性气体环境下进行时效处理，一级处理温度为800℃，二级时效处理温度为400℃；时效处理完成的毛坯加工成直径为10mm，高度为10mm的实施例7的测试试样。
   表4：不同成份磁体的实施例效果：
Figure 327932DEST_PATH_IMAGE004

Claims (7)

1.一种R-T-B-M系烧结磁体，其特征在于所述的烧结磁体是由R-T-B-M系合金经熔炼、氢处理、制粉、成型、烧结和时效处理工序制成，其中氢处理、制粉、成型工序是在惰性气体或氮气的保护下进行的；所述的制粉工序不需要加入氧，不需要除去富含稀土元素的超细粉；所述的R是选自包括Sc和Y的稀土元素中的至少一种元素，T是选自Fe和Co中至少一种元素，B是硼，M是选自Ti、Ni、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素；所述的各元素重量百分含量分别为：29%≤R≤35 %，62 %≤T≤70 %，0.1%≤M≤1.8 %，0.9 %≤B≤1.2% ；所述烧结磁体的氧重量百分含量≤0.07%。
2.权利要求1所述的一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法，其特征在于：它包括如下工艺步骤：将R-T-B-M系原材料熔炼成合金，在惰性气体或氮气的保护下进行氢处理、制粉和成型工序，然后进行后续的烧结及时效处理工序；所述的制粉工序不需要加入氧，不需要除去富含稀土元素的超细粉；所述的烧结工序在惰性气体或真空下进行，烧结温度为900~1040℃。
3.根据权利要求2所述的一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法，其特征在于所述的熔炼工序在真空或惰性气体保护下进行，采用铸锭工艺或速凝薄带工艺。
4.根据权利要求2所述的一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法，其特征在于所述的氢处理工序中合金吸氢的压力大于0.1MPa，脱氢温度400~600℃。
5.根据权利要求2所述的一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法，其特征在于所述的制粉工序采用气流磨制粉，制粉前后粉末的成份不变，粉末的粒度为X50≤8μm；气流磨制粉完成后，粉末在惰性气体或氮气的保护下混入润滑剂。
6.根据权利要求2所述的一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法，其特征在于所述的成型工序包括在惰性气体或氮气保护下进行包括模压和等静压两部分，模压成型过程中的充磁磁场为直流磁场，磁场强度为1.5-2.5T；模压成型完成后毛坯的密度为3.5~4.5g/cm3；成型完成后进行等静压，等静压的压力为100-300MPa，等静压成型完成后毛坯的密度为4.0~5.0g/cm3。
7.根据权利要求2所述的一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法，其特征在于所述的时效处理工序是在惰性气体或真空下进行，一级时效温度为800~900℃，二级时效温度为400~600℃。
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