CN103365093B - 光硬化性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件 - Google Patents

光硬化性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件 Download PDF

Info

Publication number
CN103365093B
CN103365093B CN201310105262.XA CN201310105262A CN103365093B CN 103365093 B CN103365093 B CN 103365093B CN 201310105262 A CN201310105262 A CN 201310105262A CN 103365093 B CN103365093 B CN 103365093B
Authority
CN
China
Prior art keywords
formula
photo
polysiloxane
epoxy radicals
alkyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310105262.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103365093A (zh
Inventor
吴明儒
施俊安
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chi Mei Corp
Original Assignee
Chi Mei Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chi Mei Corp filed Critical Chi Mei Corp
Publication of CN103365093A publication Critical patent/CN103365093A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103365093B publication Critical patent/CN103365093B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

本发明涉及光硬化性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件。本发明提供一种光硬化性聚硅氧烷组成物,其包含聚硅氧烷高分子(A)、醌二叠氮磺酸酯(B)、式(II)所示的芴系化合物(C)及溶剂(D)。该聚硅氧烷高分子(A)是由硅烷单体组分经缩合反应而得的聚合物,且该硅烷单体组分包括式(I)所示的硅烷单体:(Ra)tSi(ORb)4-t式(I)该式(II)所示的芴系化合物(C):在式(I)及(II)中,该Ra、Rb、t及R1~R10如说明书与权利要求中所定义。该光硬化性聚硅氧烷组成物具有高感度,且由其所形成的保护膜具有较佳的耐化学性及硬度。

Description

光硬化性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件
技术领域
本发明涉及一种光硬化性聚硅氧烷组成物,特别是涉及一种包含聚硅氧烷高分子及芴系化合物的光硬化性聚硅氧烷组成物、由此光硬化性聚硅氧烷组成物所形成的保护膜,及具有此保护膜的元件。
背景技术
近年来,在半导体工业、液晶显示器或有机电激发光显示器用集成电路的领域中,随着尺寸的日益缩小化,对于光刻制程中所需的图案微细化要求更甚。为了达到微细化的图案,一般是通过具有高解析及高感度的正型感光性材料经曝光及显影后而形成,且以聚硅氧烷高分子为成分的正型感光性材料渐成为业界使用的主流。
日本特开2008-107529号揭示一种形成硬化膜用的感光性树脂组成物。该组成物包含聚硅氧烷高分子、醌二叠氮磺酸酯及溶剂,且该聚硅氧烷高分子是由含环氧丙烷基或丁二酸酐基的硅烷单体经加水分解且部分缩合所获得。虽然上述专利中的感光性树脂组成物于光刻制程中的感度可被业界所接受,但由其所形成的硬化膜不具有耐化学性且硬度也不佳。
由上述可知,目前仍有需要发展出一种具有高感度的光硬化性聚硅氧烷组成物,且由该组成物所形成的保护膜可具有耐化学性及硬度,以满足业界的需求。
发明内容
本发明的第一目的为提供一种具有高感度的光硬化性聚硅 氧烷组成物。
本发明光硬化性聚硅氧烷组成物,其包含:
聚硅氧烷高分子(A),其是由硅烷单体组分经缩合反应而得的聚合物,且该硅烷单体组分包括式(I)所示的硅烷单体:
(Ra)tSi(ORb)4-t  式(I)
在式(I)中,t表示1至3的整数,且当t表示2或3时,多个Ra各自为相同或不同;
至少一个Ra表示经酸酐基取代的C1~C10烷基、经环氧基取代的C1~C10烷基,或经环氧基取代的烷氧基,且其余Ra表示氢、C1~C10的烷基、C2~C10的烯基,或C6~C15的芳香基;
Rb表示氢、C1~C6的烷基、C1~C6的酰基,或C6~C15的芳香基,且当4-t表示2或3时,多个Rb各自为相同或不同;
醌二叠氮磺酸酯(B);
式(II)所示的芴系化合物(C):
在式(II)中,R1~R10为相同或不同,且R1~R10中至少一个包含反应基团,且该反应基团表示含环氧基的有机基团、含羧基的有机基团、含酸酐基的有机基团,或含氨基的有机基团;及
溶剂(D);
且当式(I)中的Ra表示经环氧基取代的C1~C10烷基,或经环氧基取代的烷氧基时,该式(II)中的反应基团不可为含环氧基的 有机基团。
本发明的光硬化性聚硅氧烷组成物,在式(I)中,至少一个Ra表示经酸酐基取代的C1~C10烷基;在式(II)中,所述反应基团表示含环氧基的有机基团。
本发明的光硬化性聚硅氧烷组成物,在式(I)中,至少一个Ra表示经环氧基取代的C1~C10烷基,或经环氧基取代的烷氧基;在式(II)中,所述反应基团表示含羧基的有机基团,或含氨基的有机基团。
本发明的光硬化性聚硅氧烷组成物,基于所述聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,所述式(II)所示的芴系化合物(C)的使用量范围为5重量份~120重量份。
本发明的光硬化性聚硅氧烷组成物,基于所述聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,所述醌二叠氮磺酸酯(B)的使用量范围为1重量份~50重量份。
本发明的光硬化性聚硅氧烷组成物,基于所述聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,所述溶剂(D)的使用量范围为50重量份~1,200重量份。
本发明的光硬化性聚硅氧烷组成物,还包含热酸发生剂(E)。
本发明的光硬化性聚硅氧烷组成物,基于所述聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,所述热酸发生剂(E)的使用量范围为0.5重量份~20重量份。
本发明的第二目的为提供一种具有较佳耐化学性及硬度的保护膜。
本发明保护膜,是将如上所述的光硬化性聚硅氧烷组成物涂布于基材上,再经预先加热、曝光、显影及后加热处理后所形成。
本发明的第三目的为提供一种具有保护膜的元件。
本发明具有保护膜的元件,包含基材以及形成于该基材上的如上所述的保护膜。
本发明的有益效果在于:通过该聚硅氧烷高分子(A)与式(II)所示的芴系化合物(C)上的基团设计,使其相互反应,形成致密结构,以提升由其所形成的保护膜的耐化学性,同时,该聚硅氧烷高分子(A)因具有酸酐基或(和)环氧基,在后续光刻制程中,可使该光硬化性聚硅氧烷组成物具有高感度的特性。
具体实施方式
本发明光硬化性聚硅氧烷组成物,包含聚硅氧烷高分子(A)、醌二叠氮磺酸酯(B)、式(II)所示的芴系化合物(C)及溶剂(D)。
以下将逐一对聚硅氧烷高分子(A)、醌二叠氮磺酸酯(B)、式(II)所示的芴系化合物(C)及溶剂(D)进行详细说明:
[聚硅氧烷高分子(A)]
该聚硅氧烷高分子(A),是由硅烷单体组分经缩合反应而得的聚合物,且该硅烷单体组分包括式(I)所示的硅烷单体:
(Ra)tSi(ORb)4-t  式(I)
在式(I)中,t表示1至3的整数,且当t表示2或3时,多个Ra各自为相同或不同;
至少一个Ra表示经酸酐基取代的C1~C10烷基、经环氧基取代的C1~C10烷基,或经环氧基取代的烷氧基,且其余Ra表示氢、C1~C10的烷基、C2~C10的烯基,或C6~C15的芳香基;
Rb表示氢、C1~C6的烷基、C1~C6的酰基,或C6~C15的芳香基,且当4-t表示2或3时,多个Rb各自为相同或不同。
该经酸酐基取代的C1~C10烷基例如但不限于乙基丁二酸 酐、丙基丁二酸酐、丙基戊二酸酐等。
该经环氧基取代的C1~C10烷基例如但不限于环氧丙烷基戊基、(3,4-环氧环己基)乙基等。
该经环氧基取代的烷氧基例如但不限于环氧丙氧基丙基、2-环氧丙烷基丁氧基丙基、2-环氧丙烷基丁氧基戊基等。
在该Rb的定义中,烷基包含但不限于甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基等。酰基包含但不限于乙酰基。芳香基包含但不限于苯基。
该式(I)所示的硅烷单体可单独或混合使用,且该式(I)所示的硅烷单体包含但不限于3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(3-glycidoxypropyltrimethoxysilane,简称TMS-GAA)、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷(3-glycidoxypropyltriethoxysilane)、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷[2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane]、3-乙基-3-[[3-(三苯氧基硅基)丙氧基]甲基]环氧丙烷{3-ethyl-3-[[3-(triphenoxysilyl)propoxy)methyl]oxetane}、由东亚合成所制造的市售品:3-乙基-3-[[3-(三甲氧基硅基)丙氧基]甲基]环氧丙烷{3-ethyl-3-[[3-(trimethoxysilyl)propoxy)methyl]oxetane}(商品名TMSOX-D)、3-乙基-3-[[3-(三乙氧基硅基)丙氧基]甲基]环氧丙烷{3-ethyl-3-[[3-(triethoxysilyl)propoxy)methyl]oxetane}(商品名TESOX-D)、2-(三甲氧基硅基)乙基丁二酸酐(2-(trimethoxysilyl)ethyl succinic anhydride)、3-(三苯氧基硅基)丙基丁二酸酐(3-triphenoxysilyl)propyl succinic anhydride)、由信越化学所制造的市售品:3-(三甲氧基硅基)丙基丁二酸酐[3-trimethoxysilyl propyl succinic anhydride](商品名X-12-967)、由WACKER公司所制造的市售品:3-(三乙氧基硅基)丙基丁二酸酐[3-(triethoxysilyl)propyl succinic anhydride](商品名GF-20)、 3-(三甲氧基硅基)丙基戊二酸酐[3-(trimethoxysilyl)propyl glutaric anhydride,简称TMSG]、3-(三乙氧基硅基)丙基戊二酸酐、[3-(triethoxysilyl)propyl glutaric anhydride]、3-(三苯氧基硅基)丙基戊二酸酐[3-(triphenoxysilyl)propyl glutaric anhydride]、二异丙氧基-二(2-环氧丙烷基丙基丁氧基丙基)硅烷[diisopropoxy-di(2-oxetanylpropylbutoxypropyl)silane,简称DIDOS]、二(3-环氧丙烷基戊基)二甲氧基硅烷[di(3-oxetanylpentyl)dimethoxy silane]、(二正丁氧基硅基)二(丙基丁二酸酐)[(di-n-butoxysilyl)di(propyl succinic anhydride)]、(二甲氧基硅基)二(乙基丁二酸酐)[(dimethoxysilyl)di(ethyl succinic anhydride)]、3-环氧丙氧基丙基二甲基甲氧基硅烷(3-glycidoxypropyldimethylmethoxysilane)、3-环氧丙氧基丙基二甲基乙氧基硅烷(3-glycidoxypropyldimethylethoxysilane)、二(2-环氧丙烷基丁氧基戊基)-2-环氧丙烷基戊基乙氧基硅烷[di(2-oxetanylbutoxypentyl)-2-oxetanylpentylethoxy silane]、三(2-环氧丙烷基戊基)甲氧基硅烷[tri(2-oxetanylpentyl)methoxy silane]、(苯氧基硅基)三(丙基丁二酸酐)[(phenoxysilyl)tri(propyl succinic anhydride)]、(甲基甲氧基硅基)二(乙基丁二酸酐)[(methylmethoxysilyl)di(ethyl succinic anhydride)]等。
较佳地,该硅烷单体组分还包括式(I-1)所示的硅烷单体。
该式(I-1)所示的硅烷单体:
(Rc)uSi(ORd)4-u  式(I-1)
在式(I-1)中,u表示0至3的整数,且当u表示2或3时,多个Rc各自为相同或不同;Rc表示氢、C1~C10的烷基、C2~C10的烯基,或C6~C15的芳香基;Rd表示氢、C1~C6的烷基、C1~C6的酰基,或C6~C15的芳香基,且当4-u表示2、3或4时,多个Rd各自为相同或不同。
在该Rc的定义中,烷基例如但不限于甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、正己基、正癸基、三氟甲基、3,3,3-三氟丙基、3-氨丙基、3-巯丙基、3-异氰酸丙基。烯基例如但不限于乙烯基、3-丙烯酰氧基丙基、3-甲基丙烯酰氧基丙基等。芳香基例如但不限于苯基、甲苯基(tolyl)、对-羟基苯基、1-(对-羟基苯基)乙基、2-(对-羟基苯基)乙基、4-羟基-5-(对-羟基苯基羰氧基)戊基[4-hydroxy-5-(p-hydroxyphenylcarbonyloxy)pentyl]、萘基(naphthyl)等。
在该Rd的定义中,烷基例如但不限于甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基等。酰基例如但不限于乙酰基。芳香基例如但不限于苯基。
该式(I-1)所示的硅烷单体可单独或混合使用,且该式(I-1)所示的硅烷单体包含但不限于四甲氧基硅烷(tetramethoxysilane)、四乙氧基硅烷(tetraethoxysilane)、四乙酰氧基硅烷(tetraacetoxysilane)、四苯氧基硅烷(tetraphenoxy silane)、甲基三甲氧基硅烷(methyltrimethoxysilane,简称MTMS)、甲基三乙氧基硅烷(methyltriethoxysilane)、甲基三异丙氧基硅烷(methyltriisopropoxysilane)、甲基三正丁氧基硅烷(methyltri-n-butoxysilane)、乙基三甲氧基硅烷(ethyltrimethoxy silane)、乙基三乙氧基硅烷(ethyltriethoxysilane)、乙基三异丙氧基硅烷(ethyltriisopropoxysilane)、乙基三正丁氧基硅烷(ethyltri-n-butoxysilane)、正丙基三甲氧基硅烷(n-propyl trimethoxysilane)、正丙基三乙氧基硅烷(n-propyl triethoxysilane)、正丁基三甲氧基硅烷(n-butyltrimethoxy silane)、正丁基三乙氧基硅烷(n-butyltriethoxysilane)、正己基三甲氧基硅烷(n-hexyltrimethoxysilane)、正己基三乙氧基硅烷(n-hexyltriethoxysilane)、癸基三甲氧基硅烷(decyltrimethoxy  silane)、乙烯基三甲氧基硅烷(vinyltrimethoxysilane)、乙烯基三乙氧基硅烷(vinyltriethoxysilane)、苯基三甲氧基硅烷(phenyltrimethoxysilane,简称PTMS)、苯基三乙氧基硅烷(phenyltriethoxysilane,简称PTES)、对-羟基苯基三甲氧基硅烷(p-hydroxyphenyltrimethoxysilane)、1-(对-羟基苯基)乙基三甲氧基硅烷[1-(p-hydroxyphenyl)ethyltrimethoxysilane]、2-(对-羟基苯基)乙基三甲氧基硅烷[2-(p-hydroxyphenyl)ethyltrimethoxysilane]、4-羟基-5-(对-羟基苯基羰氧基)戊基三甲氧基硅烷[4-hydroxy-5-(p-hydroxyphenylcarbonyloxy)pentyltrimethoxysilane]、三氟甲基三甲氧基硅烷(trifluoromethyltrimethoxysilane)、三氟甲基三乙氧基硅烷(trifluoromethyltriethoxysilane)、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷(3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane)、3-氨丙基三甲氧基硅烷(3-aminopropyltrimethoxysilane)、3-氨丙基三乙氧基硅烷(3-aminopropyltriethoxysilane)、二甲基二甲氧基硅烷(dimethyldimethoxysilane,简称DMDMS)、二甲基二乙氧基硅烷(dimethyldiethoxysilane)、二甲基二乙酰氧基硅烷(dimethyldiacetyloxysilane)、二正丁基二甲氧基硅烷[di-n-butyldimethoxysilane]、二苯基二甲氧基硅烷(diphenyldimethoxysilane)、三甲基甲氧基硅烷(trimethylmethoxysilane)、三正丁基乙氧基硅烷(tri-n-butylethoxysilane)、3-巯丙基三甲氧基硅烷(3-mercaptopropyltrimethoxysilane)、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(3-acryloyloxypropyltrimethoxysilane)、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(3-methylacryloyloxypropyl trimethoxysilane)、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷(3-methylacryloyloxypropyltriethoxysilane)等。
较佳地,该硅烷单体组分还包括式(I-2)所示的聚硅氧烷。
该式(I-2)所示的聚硅氧烷:
在式(I-2)中,Rg、Rh、Ri及Rj为相同或不同,且分别表示氢原子、C1~C10烷基、C2~C6烯基,或C6~C15芳香基,该烷基、烯基及芳香基中任一者可选择地含有取代基,当s为2~1000的整数时,每个Rg为相同或不同,且每个Rh为相同或不同。烷基例如但不限于甲基、乙基、正丙基等。烯基例如但不限于乙烯基、丙烯酰氧基丙基、甲基丙烯酰氧基丙基等。芳香基例如但不限于苯基、甲苯基、萘基等。
Rl及Rk分别表示氢原子、C1~C6烷基、C1~C6酰基或C6~C15芳香基,该烷基、酰基及芳香基中任一者可选择地含有取代基。烷基例如但不限于甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基等。酰基例如但不限于乙酰基。芳香基例如但不限于苯基。
进一步地在式(I-2)中,s为1至1000的整数。较佳地,s为3至300的整数。更佳地,s为5至200的整数。
该式(I-2)所示的聚硅氧烷可单独或混合使用,且该式(I-2)所示的聚硅氧烷包含但不限于1,1,3,3-四甲基-1,3-二甲氧基二硅氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙氧基二硅氧烷、1,1,3,3-四乙基-1,3-二乙氧基二硅氧烷、Gelest公司制硅烷醇末端聚硅氧烷的市售品[商品名如DM-S12(分子量400~700)、DMS-S15(分子量1500~2000)、DMS-S21(分子量4200)、DMS-S27(分子量18000)、DMS-S31(分子量26000)、DMS-S32(分子量36000)、DMS-S33(分子量43500)、DMS-S35(分子量49000)、DMS-S38(分子量58000)、DMS-S42(分子量77000)、PDS-9931(分子量1000~1400)等]等。
较佳地,该硅烷单体组分还包括二氧化硅(silicon dioxide)粒子。该二氧化硅粒子的平均粒径并无特别的限制,其平均粒径范围为2nm~250nm。较佳地,其平均粒径范围为5nm~200nm。更佳地,其平均粒径范围为10nm~100nm。
该二氧化硅粒子可单独或混合使用,且该二氧化硅粒子包含但不限于由触媒化成公司所制造的市售品[商品名如OSCAR1132(粒径12nm;分散剂为甲醇)、OSCAR1332(粒径12nm;分散剂为正丙醇)、OSCAR105(粒径60nm;分散剂为γ-丁内酯)、OSCAR106(粒径120nm;分散剂为二丙酮醇)等]、由扶桑化学公司所制造的市售品[商品名如Quartron PL-1-IPA(粒径13nm;分散剂为异丙酮)、Quartron PL-1-TOL(粒径13nm;分散剂为甲苯)、Quartron PL-2L-PGME(粒径18nm;分散剂为丙二醇单甲醚)、Quartron PL-2L-MEK(粒径18nm;分散剂为甲乙酮)等]、由日产化学公司所制造的市售品[商品名如IPA-ST(粒径12nm;分散剂为异丙醇)、EG-ST(粒径12nm;分散剂为乙二醇)、IPA-ST-L(粒径45nm;分散剂为异丙醇)、IPA-ST-ZL(粒径100nm;分散剂为异丙醇)等]。
该缩合反应可使用一般的方法。例如,在硅烷单体组分中添加溶剂、水,或选择性地可进一步添加催化剂,接着于50℃~150℃下加热搅拌0.5小时~120小时。搅拌时,进一步地可通过蒸馏除去副产物(醇类、水等)。
上述溶剂并没有特别限制,可与本发明光硬化性聚硅氧烷组成物中所使用的溶剂(D)为相同或不同。较佳地,基于该硅烷单体组分的总量为100克,该溶剂的使用量范围为15克~1200克。更佳地,该溶剂的使用量范围为20克~1100克。又更佳地,该溶剂的使用量范围为30克~1000克。
基于该硅烷单体组分中所含的可水解基团为1摩尔,该用于 水解的水的使用量范围为0.5摩尔~2摩尔。
该催化剂没有特别的限制,较佳地,该催化剂选自于酸催化剂或碱催化剂。该酸催化剂包含但不限于盐酸、硝酸、硫酸、氟酸、草酸、磷酸、醋酸、三氟醋酸、蚁酸、多元羧酸或其酐、离子交换树脂等。该碱催化剂包含但不限于二乙胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、三己胺、三庚胺、三辛胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氢氧化钠、氢氧化钾、含有氨基的烷氧基硅烷、离子交换树脂等。
较佳地,基于该硅烷单体组分的总量为100克,该催化剂的使用量范围为0.005克~15克。更佳地,该催化剂的使用量范围为0.01克~12克。又更佳地,该催化剂的使用量范围为0.05克~10克。
基于稳定性的观点,经缩合反应后所制得的聚硅氧烷高分子(A)以不含副产物(如醇类或水)、催化剂为佳,因此所制得的聚硅氧烷高分子(A)可选择性地进行纯化。纯化方法并无特别限制,较佳地,可以疏水性溶剂稀释聚硅氧烷高分子(A),接着以蒸发器浓缩经水洗涤数回的有机层,以除去醇类或水。另外,可使用离子交换树脂除去催化剂。
该聚硅氧烷高分子(A)若不含酸酐基或(和)环氧基,则无法与式(II)所示的芴系化合物(C)进行交联反应,便无法形成致密结构,以抵抗溶剂对聚硅氧烷高分子(A)造成的膨润,造成耐化学性下降;此外,本发明该聚硅氧烷高分子(A)因含酸酐基或(和)环氧基,在曝光制程时可减少曝光能量或曝光时间,继而提升本发明光硬化性聚硅氧烷组成物的感度,有效地产生酸性基团,而利于后续显影制程。
[醌二叠氮磺酸酯(B)]
该光硬化性聚硅氧烷组成物中的醌二叠氮磺酸酯(B)没有 特别的限制,可选用一般所使用的。该醌二叠氮磺酸酯(B)是可为完全酯化或部分酯化的酯化物。较佳地,该醌二叠氮磺酸酯(B)是由邻萘醌二叠氮磺酸或其盐类与羟基化合物反应所制得。更佳地,该醌二叠氮磺酸酯(B)是由邻萘醌二叠氮磺酸或其盐类与多元羟基化合物反应所制得。
该邻萘醌二叠氮磺酸包含但不限于邻萘醌二叠氮-4-磺酸、邻萘醌二叠氮-5-磺酸、邻萘醌二叠氮-6-磺酸等。该邻萘醌二叠氮磺酸的盐类例如但不限于邻萘醌二叠氮磺酸卤盐。
该羟基化合物可单独或混合使用,且该羟基化合物包含但不限于:
(1)羟基二苯甲酮类化合物,例如但不限于2,3,4-三羟基二苯甲酮、2,4,4'-三羟基二苯甲酮、2,4,6-三羟基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羟基二苯甲酮、2,4,2',4'-四羟基二苯甲酮、2,4,6,3',4'-五羟基二苯甲酮、2,3,4,2',4'-五羟基二苯甲酮、2,3,4,2',5'-五羟基二苯甲酮、2,4,5,3',5'-五羟基二苯甲酮、2,3,4,3',4',5'-六羟基二苯甲酮等。
(2)羟基芳基类化合物,例如但不限于由式(a)所示的羟基芳基类化合物:
在式(a)中,Rm~Ro表示氢原子或C1~C6的烷基;Rp~Ru表示氢原子、卤素原子、C1~C6的烷基、C1~C6的烷氧基(alkoxy)、C1~C6的链烯基(alkenyl),或环烷基(cycloalkyl);Rv 及Rw表示氢原子、卤素原子及C1~C6的烷基;x、y及z表示1至3的整数;k表示0或1。上式(a)所示的羟基芳基类化合物例如但不限于三(4-羟基苯基)甲烷、双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)-4-羟基苯基甲烷、双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)-3-羟基苯基甲烷、双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)-2-羟基苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-4-羟基苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-3-羟基苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-2-羟基苯基甲烷、双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)-3,4-二羟基苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-3,4-二羟基苯基甲烷、双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)-2,4-二羟基苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-2,4-二羟基苯基甲烷、双(4-羟基苯基)-3-甲氧基-4-羟基苯基甲烷、双(3-环己基-4-羟基苯基)-3-羟基苯基甲烷、双(3-环己基-4-羟基苯基)-2-羟基苯基甲烷、双(3-环己基-4-羟基苯基)-4-羟基苯基甲烷、双(3-环己基-4-羟基-6-甲基苯基)-2-羟基苯基甲烷、双(3-环己基-4-羟基-6-甲基苯基)-3-羟基苯基甲烷、双(3-环己基-4-羟基-6-甲基苯基)-4-羟基苯基甲烷、双(3-环己基-4-羟基-6-甲基苯基)-3,4-二羟基苯基甲烷、双(3-环己基-6-羟基苯基)-3-羟基苯基甲烷、双(3-环己基-6-羟基苯基)-4-羟基苯基甲烷、双(3-环己基-6-羟基苯基)-2-羟基苯基甲烷、双(3-环己基-6-羟基-4-甲基苯基)-2-羟基苯基甲烷、双(3-环己基-6-羟基-4-甲基苯基)-4-羟基苯基甲烷、双(3-环己基-6-羟基-4-甲基苯基)-3,4-二羟基苯基甲烷、1-[1-(4-羟基苯基)异丙基]-4-[1,1-双(4-羟基苯基)乙基]苯、1-[1-(3-甲基-4-羟基苯基)异丙基]-4-[1,1-双(3-甲基-4-羟基苯基)乙基]苯等。
(3)(羟基苯基)烃类化合物,例如但不限于由式(b)所示的(羟基苯基)烃类化合物: 
式(b)中,Rx及Ry表示氢原子或C1~C6的烷基;x'及y'表示1至3的整数。该式(b)所示的(羟基苯基)烃类化合物例如但不限于2-(2,3,4-三羟基苯基)-2-(2',3',4'-三羟基苯基)丙烷、2-(2,4-二羟基苯基)-2-(2',4'-二羟基苯基)丙烷、2-(4-羟基苯基)-2-(4'-羟基苯基)丙烷、双(2,3,4-三羟基苯基)甲烷、双(2,4-二羟基苯基)甲烷等。
(4)其他芳香族羟基类化合物,例如但不限于苯酚、对-甲氧基苯酚、二甲基苯酚、对苯二酚、双酚A、萘酚、邻苯二酚、1,2,3-苯三酚甲醚、1,2,3-苯三酚-1,3-二甲基醚、3,4,5-三羟基苯甲酸、部分酯化或部分醚化的3,4,5-三羟基苯甲酸等。
较佳地,该羟基化合物选自1-[1-(4-羟基苯基)异丙基]-4-[1,1-双(4-羟基苯基)乙基]苯、2,3,4-三羟基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羟基二苯甲酮,或它们的组合。
该邻萘醌二叠氮磺酸或其盐类,与羟基化合物的反应通常在二氧杂环己烷(dioxane)、氮-吡咯烷酮(N-pyrrolidone)、乙酰胺(acetamide)等有机溶剂中进行,同时在三乙醇胺、碱金属碳酸盐或碱金属碳酸氢盐等碱性缩合剂存在下进行较有利。
较佳地,该醌二叠氮磺酸酯(B)的酯化度在50%以上,也就是说以该羟基化合物中的羟基总量为100mol%计,该羟基化合物中有50mol%以上的羟基与邻萘醌二叠氮磺酸或其盐类进行酯化反应。更佳地,该醌二叠氮磺酸酯(B)的酯化度在60%以上。
基于该聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,该醌二叠氮磺酸酯(B)的使用量范围为1重量份~50重量份。较佳地,该醌二叠氮磺酸酯(B)的使用量范围是2重量份~40重量份。更佳 地,该醌二叠氮磺酸酯(B)的使用量范围是3重量份~30重量份。
[式(II)所示的芴系化合物(C)]
式(II)所示的芴系化合物(C):
在式(II)中,R1~R10为相同或不同,且R1~R10中至少一个包含反应基团,且该反应基团表示含环氧基的有机基团、含羧基的有机基团、含酸酐基的有机基团,或含氨基的有机基团。
较佳地,在式(I)中,至少一个Ra表示经酸酐基取代的C1~C10烷基;在式(II)中,该反应基团表示含环氧基的有机基团。上述的官能团组合搭配,能形成致密结构,以抵抗溶剂对聚硅氧烷高分子(A)造成的膨润,令耐化学性提升。
较佳地,在式(I)中,至少一个Ra表示经环氧基取代的C1~C10烷基,或经环氧基取代的烷氧基;在式(II)中,该反应基团表示含羧基的有机基团,或含氨基的有机基团。上述的官能团组合搭配,能形成致密结构,以抵抗溶剂对聚硅氧烷高分子(A)造成的膨润,令耐化学性提升。
在式(II)中,该R1~R10中,除了至少一反应基团外,其余基团表示氢、羟基、烷基、芳香基、烷氧基,或上述基团的组合。
该式(II)所示的芴系化合物(C)可单独或混合使用,且该式(II)所示的芴系化合物(C)包含但不限于9,9-双[(4-环氧丙氧基)苯基]芴、9,9-双[(4-(2-环氧丙氧基乙氧基)苯基)]芴 [9,9-bis[4-(2-glycidoxyethoxy)phenyl]fluorene]、9,9-双{4-[2-(3,4-环氧基环己基)乙氧基]苯基}芴、9,9-双(3-叔丁基-4-环氧丙氧基-5-甲基苯基)芴[9,9-bis(3-t-butyl-4-glycidoxy-5-methylphenyl)fluorene]、9,9-双(3-苯基-4-环氧丙氧基苯基)芴[9,9-bis(3-phenyl-4-glycidoxyphenyl)fluorene]、9,9-双(4-环氧丙氧基-3-甲基苯基)芴[9,9-bis(4-glycidoxy-3-methylphenyl)fluorene]、9,9-双(3,4-二环氧丙氧基苯基)芴[9,9-bis(3,4-diglycidoxy phenyl)fluorene]、9,9-双[4-[2-(3-环氧丙烷)]丁氧基]联苯芴[9,9-bis[4-[2-(3-oxetanyl)]butoxy]biphenyl fluorene]等含环氧基的芴系化合物;9,9-双(3,4-二羧基苯基)芴二酐[9,9-bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride]、9,9-双[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基芴二酐[9,9-bis[4-(3,4-dicarboxy phenoxy)phenyl]fluorene dianhydride]等含羧基或酸酐基的芴系化合物;9,9-双(4-氨基苯基)芴[9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene]、9,9-双(3-氨基-4-羟基苯基)芴[9,9-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)fluorene]、9,9-双(氨基甲苯)芴[9,9-bis(aminomethylphenyl)fluorene]、9,9-双(4-氨基-3-氟苯基)芴[9,9-bis(4-amino-3-fluorophenyl)fluorene]等含氨基的芴系化合物。
基于该聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,该式(II)所示的芴系化合物(C)的使用量范围为5重量份~120重量份。较佳地,该式(II)所示的芴系化合物(C)的使用量范围为10重量份~100重量份。更佳地,该式(II)所示的芴系化合物(C)的使用量范围为20重量份~80重量份。
若无添加式(II)所示的芴系化合物(C),无法与含酸酐基或环氧基的聚硅氧烷高分子(A)进行交联反应,便无法形成致密结构,以抵抗溶剂对聚硅氧烷高分子(A)造成的膨润,使得耐化学性不足。
当Ra及R1~R10同时为环氧基时,式(II)所示的芴系化合物(C)较不易与聚硅氧烷高分子(A)进行交联反应,便无法形成致密结构,以抵抗溶剂对聚硅氧烷高分子(A)造成的膨润,使得耐化学性不足,且未反应的式(II)所示的芴系化合物(C)与保护膜中的成分相容性不佳,导致无法均匀分散于保护膜中,继而使得该保护膜的硬度不佳。
[溶剂(D)]
该光硬化性聚硅氧烷组成物中的溶剂(D)种类并没有特别限制。该溶剂(D)可单独或混合使用,且该溶剂(D)包含但不限于含醇式羟基(alcoholic hydroxyl)的化合物或含羰基的环状化合物等。
该含醇式羟基的化合物可单独或混合使用,且该含醇式羟基的化合物包含但不限于丙酮醇(acetol)、3-羟基-3-甲基-2-丁酮、4-羟基-3-甲基-2-丁酮、5-羟基-2-戊酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮(二丙酮醇,diacetone alcohol,简称DAA)、乳酸乙酯、乳酸丁酯、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚(propylene glycol monoethyl ether,简称PGEE)、丙二醇甲醚醋酸酯(propylene glycol monomethylether acetate,简称PGMEA)、丙二醇单正丙醚、丙二醇单正丁醚、丙二醇单叔丁醚、3-甲氧基-1-丁醇、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇或它们的组合。较佳地,该含醇式羟基的化合物选自二丙酮醇、乳酸乙酯、丙二醇单乙醚、丙二醇甲醚醋酸酯,或它们的组合。
该含羰基的环状化合物可单独或混合使用,且该含羰基的环状化合物包含但不限于γ-丁内酯、γ-戊内酯、δ-戊内酯、碳酸丙烯酯、氮-甲基吡咯烷酮、环己酮或环庚酮等。较佳地,该含羰基的环状化合物选自γ-丁内酯、氮-甲基吡咯烷酮、环己酮,或它们的组合。
当该含醇式羟基的化合物与含羰基的环状化合物混合使用时,其重量比率没有特别限制。较佳地,该含醇式羟基的化合物与该含羰基的环状化合物的重量比为99/1至50/50。更佳地,该含醇式羟基的化合物与该含羰基的环状化合物的重量比为95/5至60/40。值得一提的是,当该溶剂(D)中该含醇式羟基的化合物与含羰基的环状化合物的重量比为99/1至50/50时,该聚硅氧烷高分子(A)中未反应的硅烷醇基不易产生缩合反应而降低贮藏稳定性,且其与该邻萘醌二叠氮磺酸酯(B)的相容性佳,在涂布成膜时不易有白化的现象,可维持该保护膜的透明性。
在不损及本发明的效果范围内,亦可以含有其他溶剂。该其他溶剂包含但不限于(1)酯类:醋酸乙酯、醋酸正丙酯、醋酸异丙酯、醋酸正丁酯、醋酸异丁酯、丙二醇甲醚醋酸酯、3-甲氧基-1-醋酸丁酯、3-甲基-3-甲氧基-1-醋酸丁酯等;(2)酮类:甲基异丁酮、二异丙酮、二异丁酮等;(3)醚类:二乙醚、二异丙醚、二正丁醚、二苯醚等。
较佳地,基于该聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,该溶剂(D)的使用量范围为50重量份~1,200重量份。较佳地,该溶剂(D)的使用量范围为80重量份~1000重量份。更佳地,该溶剂(D)的使用量范围为100重量份~800重量份。
[热酸发生剂(E)]
较佳地,该光硬化性聚硅氧烷组成物还包含热酸发生剂(E)。
该热酸发生剂(E)可单独或混合使用,且该热酸发生剂(E)包含但不限于4-羟基苯基二甲基锍(4-hydroxyphenyl dimethylsulfonium)、苄基-4-羟基苯基甲基锍、2-甲基苄基-4-羟基苯基甲基锍、2-甲基苄基-4-乙酰基苯基甲基锍、2-甲基苄基-4-苯甲酰氧基苯基甲基锍及所述的甲烷磺酸盐 (methanesulfonates)、三氟甲烷磺酸盐、樟脑磺酸盐、对-甲苯磺酸盐等、由三新化学工业所制造的市售品[商品名如:SI-60、SI-80、SI-100、SI-110、SI-145、SI-150、SI-60L、SI-80L、SI-100L、SI-110L、SI-145L、SI-150L、SI-160L、SI-180L],或它们的组合。较佳地,该热酸发生剂(E)选自4-羟基苯基二甲基锍、苄基-4-羟基苯基甲基锍、2-甲基苄基-4-羟基苯基甲基锍、2-甲基苄基-4-乙酰基苯基甲基锍、2-甲基苄基-4-苯甲酰氧基苯基甲基锍及所述的甲烷磺酸盐、三氟甲烷磺酸盐、樟脑磺酸盐、对-甲苯磺酸盐,或它们的组合。
基于该聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,该热酸发生剂(E)的使用量范围为0.5重量份~20重量份。较佳地,该热酸发生剂(E)的使用量范围为1重量份~15重量份。更佳地,该热酸发生剂(E)的使用量范围为1重量份~10重量份。
该热酸发生剂(E)可促进式(II)所示的芴系化合物(C)与含酸酐基或环氧基的聚硅氧烷高分子(A)进行交联反应,形成能抵抗溶剂造成的膨润的聚硅氧烷高分子(A),藉以提升耐化学性。
[添加剂(F)]
该光硬化性聚硅氧烷组成物选择性地可进一步添加添加剂(F),其包含但不限于增感剂、粘着助剂、表面活性剂、溶解促进剂、消泡剂,或它们的组合。
该增感剂的种类并无特别的限制,较佳地,该增感剂是使用含有酚式羟基(phenolic hydroxyl)的化合物,例如但不限于(1)三苯酚型化合物:如三(4-羟基苯基)甲烷、双(4-羟基-3-甲基苯基)-2-羟基苯基甲烷[bis(4-hydroxy-3-methylphenyl)-2-hydroxyphenylmethane]、双(4-羟基-2,3,5-三甲基苯基)-2-羟基苯基甲烷、双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)-4-羟基苯基甲烷、双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)-3-羟基苯基甲烷、双(4-羟基-3,5-甲基苯 基)-2-羟基苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-4-羟基苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-3-羟基苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-2-羟基苯基甲烷、双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)-3,4-二羟基苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-3,4-二羟基苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-2,4-二羟基苯基甲烷、双(4-羟基苯基)-3-甲氧基-4-羟基苯基甲烷、双(5-环己基-4-羟基-2-甲基苯基)-4-羟基苯基甲烷、双(5-环己基-4-羟基-2-甲基苯基)-3-羟基苯基甲烷、双(5-环己基-4-羟基-2-甲基苯基)-2-羟基苯基甲烷、双(5-环己基-4-羟基-2-甲基苯基)-3,4-二羟基苯基甲烷等;(2)双苯酚型化合物:如双(2,3,4-三羟基苯基)甲烷、双(2,4-二羟基苯基)甲烷、2,3,4-三羟基苯基-4'-羟基苯基甲烷、2-(2,3,4-三羟基苯基)-2-(2',3',4'-三羟基苯基)丙烷、2-(2,4-二羟基苯基)-2-(2',4'-二羟基苯基)丙烷、2-(4-羟基苯基)-2-(4'-羟基苯基)丙烷、2-(3-氟基-4-羟基苯基)-2-(3'-氟基-4'-羟基苯基)丙烷、2-(2,4-二羟基苯基)-2-(4'-羟基苯基)丙烷、2-(2,3,4-三羟基苯基)-2-(4'-羟基苯基)丙烷、2-(2,3,4-三羟基苯基)-2-(4'-羟基-3',5'-二甲基苯基)丙烷等;(3)多核分枝型化合物:如1-[1-(4-羟基苯基)异丙基]-4-[1,1-双(4-羟基苯基)乙基]苯、1-[1-(3-甲基-4-羟基苯基)异丙基]-4-[1,1-双(3-甲基-4-羟基苯基)乙基]苯等;(4)缩合型苯酚化合物:如1,1-双(4-羟基苯基)环己烷等;(5)多羟基二苯甲酮类:如2,3,4-三羟基二苯甲酮、2,4,4'-三羟基二苯甲酮、2,4,6-三羟基二苯甲酮、2,3,4-三羟基-2'-甲基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羟基二苯甲酮、2,4,2',4'-四羟基二苯甲酮、2,4,6,3',4'-五羟基二苯甲酮、2,3,4,2',4'-五羟基二苯甲酮、2,3,4,2',5'-五羟基二苯甲酮、2,4,6,3',4',5'-六羟基二苯甲酮、2,3,4,3',4',5'-六羟基二苯甲酮等,或(6)上述各种类的一组合。
基于聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,该增感剂的 使用量范围为5重量份~50重量份。较佳地,该增感剂的使用量范围为8重量份~40重量份。更佳地,该增感剂的使用量范围为10重量份~35重量份。
该粘着助剂包含但不限于三聚氰胺(melamine)化合物及硅烷系化合物等,其作用在于增加光硬化性聚硅氧烷组成物与含半导体材料的基材之间的粘着性。该三聚氰胺的市售品例如但不限于三井化学所制造的商品名为Cymel-300及Cymel-303等,三和化学所制造的商品名为MW-30MH、MW-30、MS-11、MS-001、MX-750及MX-706等。该硅烷系化合物例如但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、氮-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、氮-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基二甲基甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-氯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、由信越化学公司所制造的市售品(商品名如KBM403)等。
当使用三聚氰胺化合物做为粘着助剂时,基于聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,该三聚氰胺化合物的使用量范围为0重量份~20重量份。较佳地,该三聚氰胺化合物的使用量范围为0.5重量份~18重量份。更佳地,该三聚氰胺化合物的使用量范围为1.0重量份~15重量份。
当使用硅烷系化合物作为粘着助剂时,基于聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,该硅烷系化合物的使用量范围为0重量份~2重量份。较佳地,该硅烷系化合物的使用量是0.05重量份~1重量份。更佳地,该硅烷系化合物的使用量范围为0.1 重量份~0.8重量份。
该表面活性剂包含但不限于阴离子系、阳离子系、非离子系、两性、聚硅氧烷系、氟系或它们的组合。该表面活性剂的具体例如:(1)聚环氧乙烷烷基醚类:聚环氧乙烷十二烷基醚等;(2)聚环氧乙烷烷基苯基醚类:聚环氧乙烷辛基苯基醚、聚环氧乙烷壬基苯基醚等;(3)聚乙二醇二酯类:聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙二醇二硬酸酯等;(4)山梨糖醇酐脂肪酸酯类;(5)经脂肪酸改性的聚酯类;及(6)经叔胺改性的聚氨基甲酸酯类等。市售商品如KP(信越化学工业制)、SF-8427(Toray Dow Corning Silicon制)、Polyflow(共荣社油脂化学工业制)、F-Top(Tochem Product Co.,Ltd.制)、Megaface(DIC制)、Fluorade(住友3M制)、Surflon(旭硝子制)、SINOPOL E8008(中日合成化学制)、F-475(DIC制),或它们的组合。
基于聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,该表面活性剂的使用量范围为0.5重量份~50重量份。较佳地,该表面活性剂的使用量范围为1重量份~40重量份。更佳地,该表面活性剂的使用量范围为3~30重量份。
该消泡剂的具体例如:Surfynol MD-20、Surfynol MD-30、EnviroGem AD01、EnviroGem AE01、EnviroGem AE02、Surfynol DF110D、Surfynol104E、Surfynol420、Surfynol DF37、Surfynol DF58、Surfynol DF66、Surfynol DF70、Surfynol DF210(Air products制)等。
基于聚硅氧烷高分子(A)的总量100重量份,该消泡剂的使用量范围为1重量份~10重量份。较佳地,该消泡剂的使用量范围为2重量份~9重量份。更佳地,该消泡剂的使用量范围为3重量份~8重量份。
该溶解促进剂包含但不限于氮-羟基二羧基酰亚胺化合物 (N-hydroxydicarboxylic imide)或含酚式羟基的化合物。该溶解促进剂的具体例如邻萘醌二叠氮磺酸酯(B)中所使用的含酚式羟基的化合物。
基于聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,该溶解促进剂的使用量范围为1重量份~20重量份。较佳地,该溶解促进剂的使用量范围为2重量份~15重量份。更佳地,该溶解促进剂的使用量范围为3重量份~10重量份。
该光硬化性聚硅氧烷组成物的制法是将聚硅氧烷高分子(A)、醌二叠氮磺酸酯(B)、式(II)所示的芴系化合物(C)及溶剂(D)放置于搅拌器中搅拌,使其均匀混合成溶液状态,必要时可添加热酸发生剂(E)或添加剂(F)。
本发明保护膜是将如上所述的光硬化性聚硅氧烷组成物涂布于基材上,再经预先加热、曝光、显影及后加热处理后所形成。
本发明保护膜可以通过旋转涂布、流延涂布或辊式涂布等涂布方法,将该光硬化性聚硅氧烷组成物涂布在基材上,再经预先加热(prebake)方式将溶剂去除而形成预先加热涂膜。预先加热的条件,依各成分的种类、配合比率而不同,通常为温度在70℃~110℃之间,进行1分钟~15分钟。预先加热后,将该涂膜于掩膜下进行曝光,曝光所使用的光线,以g线、h线、i线等的紫外线为佳,而紫外线照射装置可为(超)高压水银灯及金属卤素灯。然后于23±2℃的温度下浸渍于显影液中,历时15秒~5分钟,以去除不要的部分而形成特定的图案。该显影液的具体例如氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾、碳酸氢钾、硅酸钠、甲基硅酸钠[sodium methylsilicate]、氨水、乙胺、二乙胺、二甲基乙醇胺、氢氧化四甲铵、氢氧化四乙铵、胆碱、吡咯、哌啶及1,8-二氮杂二环-[5,4,0]-7-十一烯等的碱性 化合物。
该显影液的作用在于将光硬化性聚硅氧烷组成物经由曝光后所定义的特定图案显现出来。显影液的浓度太高会使得特定图案损毁或造成特定图案的解析度变差;浓度太低会造成显影不良导致特定图案无法成型或者曝光部分的组成物残留,所以浓度的多少会影响后续该光硬化性聚硅氧烷组成物经曝光后的特定图案的形成。较佳地,该显影液的浓度范围为0.001重量%~10重量%。更佳地,该显影液的浓度范围为0.005重量%~5重量%。又更佳地,该显影液的浓度范围为0.01重量%~1重量%。
本发明的具体例是使用2.38重量%的氢氧化四甲铵的显影液。2.38重量%的显影液是目前普遍被业界所使用的,而低于2.38%的显影液为视应用端的需求来搭配使用。本发明光硬化性聚硅氧烷组成物不仅可搭配目前业界所使用的显影液,且即使在后续应用需使用浓度更低的显影液下,本发明光硬化性聚硅氧烷组成物也能形成良好的微细化图案。
使用上述碱性化合物所构成的显影液时,通常于显影后以水洗净,再以压缩空气或压缩氮气风干。接着,使用热板或烘箱等加热装置进行后加热(postbake)处理。后加热温度通常为100℃~250℃。使用热板的加热时间为1分钟~60分钟,使用烘箱的加热时间为5分钟~90分钟。经过以上的处理步骤后即可形成保护膜。
该基材可选自于应用在液晶显示器中的无碱玻璃、钠钙玻璃、强化玻璃(Pyrex玻璃)、石英玻璃或表面上已附着透明导电膜的玻璃等的基材及用于固体摄影元件等的光电变换元件基板(如:硅基板)等。
该具有保护膜的元件包含基材以及形成于该基材上的如上 所述的保护膜。
该具有保护膜的元件包含但不限于显示元件、半导体元件或光波导路等。
本发明将就以下实施例来作进一步说明,但应了解的是,所述实施例仅为例示说明用,而不应被解释为本发明实施的限制。
<实施例>
[聚硅氧烷高分子(A)的制备]
<制备例A-1>
在容积500毫升的三颈烧瓶中,加入0.30摩尔的甲基三甲氧基硅烷(以下简称MTMS)、0.65摩尔的苯基三甲氧基硅烷(以下简称PTMS)、0.05摩尔的“GF-20”及200克的丙二醇单乙醚(以下简称PGEE),并于室温下一边搅拌一边于30分钟内添加草酸水溶液(0.40克草酸/75克H2O)。接着,将烧瓶浸渍于30℃的油浴中并搅拌30分钟,然后于30分钟内将油浴升温至120℃,待溶液的内温达到105℃时,持续加热搅拌进行缩聚6小时,再利用蒸馏方式将溶剂移除,可得聚硅氧烷高分子(A-1)。
<制备例A-2>
在容积500毫升的三颈烧瓶中,加入0.40摩尔的二甲基二甲氧基硅烷(以下简称DMDMS)、0.40摩尔的PTMS、0.10摩尔的苯基三乙氧基硅烷(以下简称PTES)、0.05摩尔的“GF-20”、0.05摩尔的3-(三甲氧基硅基)丙基戊二酸酐(以下简称TMSG)、100克的PGEE,及100克的二丙酮醇(以下简称DAA),并于室温下一边搅拌一边于30分钟内添加草酸水溶液(0.40克草酸/75克H2O)。接着,将烧瓶浸渍于30℃的油浴中并搅拌30分钟,然后于30分钟内将油浴升温至120℃,待溶液的内温达到110℃时,持续加热搅拌进行缩聚5小时,再利用蒸馏方式将溶剂移除,可得聚硅 氧烷高分子(A-2)。
<制备例A-3>
在容积500毫升的三颈烧瓶中,加入0.60摩尔的DMDMS、0.30摩尔的PTMS、0.10摩尔的3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(以下简称TMS-GAA)及200克的PGEE,并于室温下一边搅拌一边于30分钟内添加草酸水溶液(0.35克草酸/75克H2O)。接着,将烧瓶浸渍于30℃的油浴中并搅拌30分钟,然后于30分钟内将油浴升温至120℃,待溶液的内温达到105℃时,持续加热搅拌进行缩聚6小时,可得聚硅氧烷高分子(A-3)。
<制备例A-4>
在容积500毫升的三颈烧瓶中,加入0.65摩尔的MTMS、0.25摩尔的PTES、0.09摩尔3-乙基-3-[[3-(三甲氧基硅基)丙氧基]甲基]环氧丙烷(以下简称TMSOX-D)、0.01摩尔的「DMS-S27」及200克的PGEE,并于室温下一边搅拌一边于30分钟内添加草酸水溶液(0.45克草酸/75克H2O)。接着,将烧瓶浸渍于30℃的油浴中并搅拌30分钟,然后于30分钟内将油浴升温至120℃,待溶液的内温达到110℃时,持续加热搅拌进行缩聚6小时,再利用蒸馏方式将溶剂移除,可得聚硅氧烷高分子(A-4)。
<制备例A-5>
在容积500毫升的三颈烧瓶中,加入0.75摩尔的MTMS、0.25摩尔的PTMS及200克的PGEE,并于室温下一边搅拌一边于30分钟内添加草酸水溶液(0.45克草酸/75克H2O)。接着,将烧瓶浸渍于30℃的油浴中并搅拌30分钟,然后于30分钟内将油浴升温至120℃,待溶液的内温达到105℃时,持续加热搅拌进行缩聚6小时,再利用蒸馏方式将溶剂移除,可得聚硅氧烷高分子(A-5)。
<制备例A-6>
在容积500毫升的三颈烧瓶中,加入0.40摩尔的MTMS、0.30摩尔的DMDMS、0.20摩尔的PTMS、0.10摩尔的PTES、及200克的PGEE,并于室温下一边搅拌一边于30分钟内添加草酸水溶液(0.45克草酸/75克H2O)。接着,将烧瓶浸渍于30℃的油浴中并搅拌30分钟,然后于30分钟内将油浴升温至120℃,待溶液的内温达到110℃时,持续加热搅拌进行缩聚6小时,再利用蒸馏方式将溶剂移除,可得聚硅氧烷高分子(A-6)。
以上制备例A-1~A-6所使用的硅烷单体组分、溶剂及催化剂的种类、用量及反应条件整理于下表1中。
[光硬化性聚硅氧烷组成物的制备]
<实施例1>
将100重量份的制备例A-1的聚硅氧烷高分子、2重量份的1-[1-(4-羟基苯基)异丙基]-4-[1,1-双(4-羟基苯基)乙基]苯与邻萘醌二叠氮-5-磺酸所形成的邻萘醌二叠氮磺酸酯(商品名DPAP200,DKC制,平均酯化度为67%),及5重量份的9,9-双[(4-环氧丙氧基)苯基]芴,并加入50重量份的丙二醇甲醚醋酸酯中,以摇动式搅拌器搅拌均匀后,即可制得实施例1的光硬化性聚硅氧烷组成物。以下记的各检测项目进行评价,所得结果如表2所示。
<实施例2~12及比较例1~9>
实施例2~12及比较例1~9是以与实施例1相同的步骤来制备该光硬化性聚硅氧烷组成物,不同的地方在于:改变原料的种类及其使用量,该原料的种类及其使用量如表2及表3所示。所述光硬化性聚硅氧烷组成物以下记各检测项目进行评价,所得结果如表2及表3所示。
【检测项目】 
1.感度测量: 
将实施例1~12及比较例1~9的光硬化性聚硅氧烷组成物以旋转涂布的方式,分别涂布在100×100×0.7mm3大小的素玻璃基板上,得到厚度约2μm的预涂膜,接着以110℃预先加热2分钟后,在曝光机(科毅制,型号AG250-4N-D-A-S-H)与预涂膜之间置入适用的掩膜,且以30μm的间隔以紫外光照射,接着,浸渍于23℃且2.38重量%的氢氧化四甲铵的显影液中1分钟,除去曝光的部分,并以纯水洗净。接着,评估为每个曝光区(0.5cm×0.5cm)的涂膜可完全被显影液除去时,所需的曝光能量(mJ)。所需曝光能量越低,每个曝光区的涂膜可完全被显影液除去,即表示感度佳。
○:曝光能量≤60mJ;
△:60mJ<曝光能量≤100mJ;
×:100mJ<曝光能量。 
2.耐化学性: 
将实施例1~12及比较例1~9的光硬化性聚硅氧烷组成物以旋转涂布的方式,分别涂布在100×100×0.7mm3大小的素玻璃基板上,得到厚度约2μm的预涂膜,接续以110℃预先加热2分钟后,在曝光机与涂膜之间置入适用的掩膜,且以100mJ/cm2能量的紫外光分别照射所述预涂膜,接着浸渍于2.38重量%的氢氧化四甲铵的显影液中60秒,除去曝光的部分。以清水清洗后,再以曝光机直接照射显影后的涂膜,其能量为200mJ/cm2。接着以不同时间进行后加热,后加热温度为230℃,将后加热完的保护膜浸泡于60℃的TOK106溶剂中6分钟,依如下公式计算膜厚变化率:
膜厚变化率=
[(浸泡后膜厚-浸泡前膜厚)/浸泡前膜厚]×100%
较佳的膜厚的变化率范围为-3%~3%之间为佳。
◎:-3%≤膜厚的变化率≤3%;
○:-5%≤膜厚的变化率<-3%或3%<膜厚的变化率≤5%;
×:膜厚的变化率>5%或膜厚的变化率<-5%。
3.硬度:
将实施例1~12及比较例1~9的光硬化性聚硅氧烷组成物以旋转涂布的方式,分别涂布在100×100×0.7mm3大小的素玻璃基板上,得到厚度约2μm的预涂膜,接续以110℃预先加热2分钟后,在曝光机与涂膜之间置入适用的掩膜,且以100mJ/cm2能量的紫外光分别照射所述预涂膜,接着浸渍于2.38重量%的氢氧化四甲铵的显影液中60秒,除去曝光的部分。以清水清洗后,再以曝光机直接照射显影后的涂膜,其能量为200mJ/cm2。接着以不同时间进行后加热,后加热温度为230℃,可获得素玻璃上的保护膜。将保护膜以铅笔硬度计(Mitsubishi/P-247)分析:使用500克的砝码重进行测量,且以移动速率为0.5mm/s。
◎:5H以上;
○:4H;
△:3H;
×:2H以下。
由上述实施例1~12的测试结果可知,该光硬化性聚硅氧烷组成物中使用具有酸酐基及环氧基的聚硅氧烷高分子(A),在后续光刻制程中,可使该光硬化性聚硅氧烷组成物可具有高感度的特性,同时,通过该聚硅氧烷高分子(A)与式(II)所示的芴系化合物(C)上的基团设计,提升了由光硬化性聚硅氧烷组成物所形成的保护膜的耐化学性。
进一步地,如实施例1~5中该光硬化性聚硅氧烷组成物中使用具有酸酐基的聚硅氧烷高分子(A)搭配具有环氧基的式(II)所示的芴系化合物(C),或实施例8~12中该光硬化性聚硅氧烷组成物中使用具有环氧基的聚硅氧烷高分子(A)搭配具有氨基或酸酐基的式(II)所示的芴系化合物(C),均可使由光硬化性聚硅氧烷组成物所形成的保护膜具有更佳的耐化学性。
相较于比较例3、6~9,该光硬化性聚硅氧烷组成物中未使用该式(II)所示的芴系化合物(C),则由该光硬化性聚硅氧烷组成物所形成的保护膜不具有耐化学性,且硬度也不佳。
相较于比较例1及2,该光硬化性聚硅氧烷组成物中未使用具有酸酐基及环氧基的聚硅氧烷高分子(A),则该光硬化性聚硅氧烷组成物感度不佳,同时,由该光硬化性聚硅氧烷组成物所形成的保护膜不具有耐化学性,且硬度也不佳。
相较于比较例4及5,该光硬化性聚硅氧烷组成物中使用具有环氧丙烷基的聚硅氧烷高分子(A),且搭配具有环氧基的式(II)所示的芴系化合物(C),则由该光硬化性聚硅氧烷组成物所形成的保护膜不具有耐化学性,且硬度也不佳。
综上所述,本发明通过该聚硅氧烷高分子(A)与式(II)所示的芴系化合物(C)上的基团设计,使其相互反应,形成致密结构,以提升由其所形成的保护膜的耐化学性,同时,该聚硅氧烷高分子(A)因具有酸酐基及环氧基,在后续光刻制程中,可使该光 硬化性聚硅氧烷组成物可具有高感度的特性,所以确实能达成本发明的目的。

Claims (10)

1.一种光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于包含:
聚硅氧烷高分子(A),是由硅烷单体组分经缩合反应而得的聚合物,且所述硅烷单体组分包括式(I)所示的硅烷单体:
(Ra)tSi(ORb)4-t   式(I)
于式(I)中,t表示1至3的整数,且当t表示2或3时,多个Ra各自为相同或不同;
至少一个Ra表示经酸酐基取代的C1~C10烷基、经环氧基取代的C1~C10烷基,或经环氧基取代的烷氧基,且其余Ra表示氢、C1~C10的烷基,或C6~C15的芳香基;
Rb表示氢、C1~C6的烷基,或C6~C15的芳香基,且当4-t表示2或3时,多个Rb各自为相同或不同;
醌二叠氮磺酸酯(B);
式(II)所示的芴系化合物(C):
在式(II)中,R1~R10为相同或不同,且R1~R10中至少一个包含反应基团,且所述反应基团表示含环氧基的有机基团、含羧基的有机基团、含酸酐基的有机基团,或含氨基的有机基团;及
溶剂(D);
且当式(I)中的Ra表示经环氧基取代的C1~C10烷基,或经环氧基取代的烷氧基时,所述式(II)中的反应基团不可为含环氧基的有机基团。
2.根据权利要求1所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,在式(I)中,至少一个Ra表示经酸酐基取代的C1~C10烷基;在式(II)中,所述反应基团表示含环氧基的有机基团。
3.根据权利要求1所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,在式(I)中,至少一个Ra表示经环氧基取代的C1~C10烷基,或经环氧基取代的烷氧基;在式(II)中,所述反应基团表示含羧基的有机基团,或含氨基的有机基团。
4.根据权利要求1所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,基于所述聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,所述式(II)所示的芴系化合物(C)的使用量范围为5重量份~120重量份。
5.根据权利要求1所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,基于所述聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,所述醌二叠氮磺酸酯(B)的使用量范围为1重量份~50重量份。
6.根据权利要求1所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,基于所述聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,所述溶剂(D)的使用量范围为50重量份~1,200重量份。
7.根据权利要求1所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,还包含热酸发生剂(E)。
8.根据权利要求7所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,基于所述聚硅氧烷高分子(A)的总量为100重量份,所述热酸发生剂(E)的使用量范围为0.5重量份~20重量份。
9.一种保护膜,其特征在于,是将根据权利要求1至8中任一项所述的光硬化性聚硅氧烷组成物涂布于基材上,再经预先加热、曝光、显影及后加热处理后所形成。
10.一种具有保护膜的元件,其特征在于包含:基材以及形成于所述基材上的根据权利要求9所述的保护膜。
CN201310105262.XA 2012-03-29 2013-03-28 光硬化性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件 Active CN103365093B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101111120 2012-03-29
TW101111120A TWI477914B (zh) 2012-03-29 2012-03-29 光硬化性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103365093A CN103365093A (zh) 2013-10-23
CN103365093B true CN103365093B (zh) 2015-08-05

Family

ID=49235416

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310105262.XA Active CN103365093B (zh) 2012-03-29 2013-03-28 光硬化性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130260108A1 (zh)
CN (1) CN103365093B (zh)
TW (1) TWI477914B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101784958A (zh) * 2007-08-24 2010-07-21 东丽株式会社 感光性组合物、由该组合物形成的固化膜、以及具有固化膜的元件
CN102087473A (zh) * 2009-12-04 2011-06-08 Jsr株式会社 放射线敏感性树脂组合物、层间绝缘膜及其制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW583503B (en) * 2000-12-01 2004-04-11 Kansai Paint Co Ltd Method of forming conductive pattern
JP2004087931A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Nippon Paint Co Ltd 誘電体層の形成方法
JP4853228B2 (ja) * 2006-10-25 2012-01-11 東レ株式会社 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子、並びにパターン形成方法
TWI398489B (zh) * 2010-08-31 2013-06-11 Chi Mei Corp 光硬化性聚矽氧烷組成物及其所形成之基材保護膜

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101784958A (zh) * 2007-08-24 2010-07-21 东丽株式会社 感光性组合物、由该组合物形成的固化膜、以及具有固化膜的元件
CN102087473A (zh) * 2009-12-04 2011-06-08 Jsr株式会社 放射线敏感性树脂组合物、层间绝缘膜及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20130260108A1 (en) 2013-10-03
TWI477914B (zh) 2015-03-21
CN103365093A (zh) 2013-10-23
TW201339762A (zh) 2013-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104345567B (zh) 感光性聚硅氧烷组合物及其应用
CN102540727B (zh) 光硬化性聚硅氧烷组成物及其所形成的基材保护膜
JP4853228B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子、並びにパターン形成方法
CN104423168B (zh) 正型感光性树脂组成物及其图案形成方法
CN103376661B (zh) 光硬化性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件
CN103885294B (zh) 感光性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件
CN105093832B (zh) 感光性组合物、保护膜以及具有保护膜的元件
CN104375381A (zh) 感光性聚硅氧烷组合物及其形成的薄膜与包含薄膜的装置
CN103424990B (zh) 感光性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件
CN103135355B (zh) 光硬化性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件
CN104122753A (zh) 感光性聚硅氧烷组合物、保护膜及具有保护膜的元件
CN104423170B (zh) 感光性聚硅氧烷组合物、保护膜及具有保护膜的组件
JP2007226214A (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
TWI540396B (zh) 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件
CN104950580A (zh) 感光性聚硅氧烷组合物及其应用
JP5169027B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
TWI721145B (zh) 正型感光性聚矽氧烷組成物
CN109062007A (zh) 正型感光性聚硅氧烷组成物及其应用
CN103365093B (zh) 光硬化性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件
CN106918989B (zh) 感光性聚硅氧烷组成物、保护膜以及具有保护膜的组件
JP4670665B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
CN106154750B (zh) 感光性聚硅氧烷组合物、保护膜及具有保护膜的元件
TW201635034A (zh) 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜之元件
CN107179652A (zh) 正型感光性聚硅氧烷组成物及其应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant