CN103365072B

CN103365072B - 用于生成掩模图案的方法

Info

Publication number: CN103365072B
Application number: CN201310113919.7A
Authority: CN
Inventors: 行田裕; 行田裕一
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2012-04-04
Filing date: 2013-04-03
Publication date: 2016-09-14
Anticipated expiration: 2033-04-03
Also published as: JP2013217969A; TWI539312B; KR101618405B1; KR20130112785A; US20130266893A1; US8986912B2; JP5677356B2; TW201342101A; CN103365072A

Abstract

公开了一种用于生成掩模图案的方法。一种用于经由计算机生成要用于曝光设备的掩模图案的方法，该曝光设备通过照射掩模来在衬底上对掩模图案的图像进行曝光，该方法包括：获得要被形成在衬底上的主图案的数据以及主图案要被转印到的层的下层的图案的数据，使用所述下层的图案的数据，设置相对于主图案的辅助图案的生成条件，使用该生成条件来确定辅助图案，以及生成包括主图案和所确定的辅助图案的掩模图案的数据。

Description

用于生成掩模图案的方法

技术领域

本发明涉及用于生成掩模图案的方法。

背景技术

随着近些年来半导体器件的小型化，使用曝光设备转印掩模的微掩模图案是困难的。因此，在掩模图案上执行光学邻近校正（OPC）或者提供辅助图案以改善掩模图案的分辨特性的技术是已知的。这里，分辨特性指的是有关分辨率的特性，诸如图像的对比度、归一化图像对数斜率（NILS）、焦点深度、处理窗口、曝光裕度。辅助图案也被称为辅助图形（assist feature，AF），亚分辨率辅助图形（SRAF），或散射条（SB）。以与主图案分开的方式来提供辅助图案，以改善要被转印到晶片上的主图案的分辨特性。

日本专利申请特开第2009-093138号、美国专利第7,979,812和8,099,684号讨论了针对辅助图案的确定方法。日本专利申请特开第2009-093138号讨论了用于使用近似空间像（aerial image）来确定辅助图案的位置的方法。日本专利申请特开第2009-093138号未讨论是否转印辅助图案本身。美国专利第7,979,812号公开了这样的方法：该方法用于当在OPC之后将辅助图案转印到晶片上时，在辅助图案要被转印到其上的区域周围再次执行OPC，并且确定辅助图案以使得不完全地转印辅助图案。美国专利第8,099,684号讨论了一种用于确定辅助图案的方法，其用于双重曝光中的第一次曝光以在第一次曝光中将辅助图案转印至晶片，但通过第二次曝光移除被转印的辅助图案。

在美国专利第7,979,812号中讨论的发明中，要被转印到晶片的主图案被转印，而辅助图案被限制以便不被完全转印，从而限制了通过辅助图案改善主图案的分辨特性的效果。根据本发明的发明人的检查，如果辅助图案的尺寸增大，则主图案的分辨特性在许多情况下都得到改善。然而，如果辅助图案的尺寸太大，则如在美国专利第8,099,684号中讨论的，辅助图案本身被转印到晶片上。

这里，假定通过曝光将图案转印到具有其中已经在下层上形成图案并且在其上涂覆了抗蚀剂的层叠结构的晶片上，并且使用转印的图案作为掩模（覆盖层）在下层上的图案上执行处理。在这种情况下，如果通过曝光转印辅助图案，则根据转印的辅助图案的形状或者位置来处理所述下层。如果借助辅助图案被处理的下层的部分与不应被处理的部分重合，则造成由于下层的图案的结构所导致的缺陷，并且可能是个问题。然而，如果借助辅助图案被处理的下层的部分与不应被处理的部分不重合，则在一些情况下可以不成问题。换句话说，取决于下层的图案的位置与辅助图案的转印位置之间的关系，即使辅助图案被转印，也可以不成问题。

在美国专利第8,099,684号中讨论的发明中，即使通过第一次曝光转印了辅助图案，通过执行双重曝光，辅助图案虽然被转印到晶片上但是不保留在晶片上，从而不认为下层的图案借助辅助图案而被处理。换句话说，不考虑下层的图案来确定辅助图案。

如上所述，在相关技术中，当确定辅助掩模图案时，尚未已知在考虑下层的图案的位置与辅助图案的转印位置之间的关系的同时生成辅助图案的方法。

发明内容

本发明致力于一种用于生成掩模图案的方法，其改善了主图案的分辨特性。

根据本发明的一方面，提供一种用于经由计算机生成要用于曝光设备的掩模图案的方法，该曝光设备通过照射掩模来在衬底上对掩模图案的图像进行曝光，该方法包括：获得要被形成在衬底上的主图案的数据以及主图案要被转印到的层的下层的图案的数据，使用所述下层的图案的数据设置相对于主图案的辅助图案的生成条件，使用所述生成条件来确定辅助图案，以及生成包括所述主图案和所确定的辅助图案的掩模图案的数据。

从以下参考附图的对示例性实施例的详细描述中，本发明的更多特征和方面将变得清楚。

附图说明

并入说明书中并且构成说明书的一部分的附图，图示了本发明的示例性实施例、特征和方面，并且与说明书一起用于解释发明的原理。

图1是示出衬底的层叠结构的示例的视图。

图2A是示出主图案的视图。图2B是示出下层的图案的视图。图2C是示出主图案和下层的图案的位置的视图。图2D是示出下层的处理后的图案的视图。

图3是示出根据本发明示例性实施例的图案生成方法的流程图。

图4A是示出用于说明图案分辨特性的掩模图案的视图，以及图4B是示出图案及其图像的视图。

图5是示出掩模图案的尺寸与线宽误差之间的关系的曲线图。

图6是示出步骤S108的详细流程图。

图7是示出主图案和辅助图案的初始布置的视图。

图8是示出通过根据本发明示例性实施例的图案生成方法而确定的掩模图案和转印图案的视图。

图9是示出通过根据相关技术的图案生成方法而确定的掩模图案和转印图案的视图。

图10A是示出当点图案被形成在线和间隔（L/S）图案的情况下的间隔上时主图案和下层的图案的位置的视图，以及图10B是示出下层的处理后的图案的视图。

具体实施方式

参考附图，将在下面详细地说明发明的各种示例性实施例、特征以及方面。

本发明的示例性实施例可以应用于制造各种器件，比如半导体芯片（如集成电路（IC）和大规模集成（LSI））、用于液晶面板的显示元件、用于磁头的检测元件、诸如电荷耦合器件（CCD）传感器之类的成像元件，或可以应用于生成用在微机械中的掩模（盘）图案的数据。

图1图示了示例性实施例中的要曝光的晶片（衬底）的层叠结构的示例。刻蚀层2、硬掩模层4、图案层6以及感光材料（抗蚀剂）8被层叠在未图示的晶片上。在图案层6中，已经被形成的图案62和抗反射膜（底部抗反射涂层（BARC））64被形成。

将说明图案形成处理。首先，在曝光工艺中，使用曝光设备照射掩模，并且掩模图案的潜像被形成在感光材料8上。在这里，假定掩模的材料的光透射率是100％，并且掩模上的图案部分的光透射率是低的（例如，0％）。由于掩模的背景是明亮的，所以这样的掩模可被称为明场掩模。然后，形成在感光材料8上的潜像被显影。如果感光材料8是正型的，则以等于或大于预定阈值的曝光量被曝光的部分通过显影被移除，使得掩模上的处于图案部分（暗部分）上的感光材料保留下来。例如，如果掩模上的图案（暗部分）是图案200，则孤立图案作为点保留下来，其被称为剩余图案（left-over pattern）（线图案）。相反，如果感光材料8是负型的，则不以等于或大于预定阈值的曝光量被曝光的部分通过显影被移除，使得掩模上的处于背景部分（亮部分）中的感光材料保留下来。例如，如果掩模上的图案（暗部分）是图案200，则孤立图案被去除以形成孔形状，其被称为冲孔图案（punching pattern）（间隔图案）。最近，开发了转换显影溶液的类型以与上面所述相反地执行显影的方法。这样的显影处理被称为负显影（上面所述的显影是正显影）。换句话说，通过在正型感光材料上执行负显影而最终得到的图案与通过在负型感光材料上执行正显影而最终获得的图案，实质上是相同的。

如上所述，通过显影，掩模图案被转印到感光材料8上。然后，基于如上面所述而形成的感光材料8的图案，处理作为下层的图案层6。例如，如果感光材料8是负型，则通过显影处理，图案62的部分从保留部分中被移除。

将参考图2A、2B、2C和2D描述具体示例。图2A是示出要被转印到感光材料（衬底）8的掩模的图案（主图案）200的平面图。图2B是示出形成在图案层6上的图案62的平面图。图案62是线和间隔（L/S图案），其中线部分220和间隔部分230被交替安置。图2C是示出图案62和转印到感光材料8的掩模的图案200的位置的平面图。如图2C中所图示，当掩模的图案200被转印到感光材料8时，掩模的图案200与图案62中的线部分220的一些部分相重叠。如果感光材料8是负型，或者，如果感光材料8是正型并且显影处理是负显影，则如上所述形成冲孔图案。换句话说，在图案层6的处理过程中，线部分220从重叠部分被移除，并且线部分220如图2D中所图示那样被分割。图2A中所图示的掩模的图案200具有切割线部分220的功能，从而在一些情况下，图案200可被称为切割图案。进一步，与该示例相似，不是使用在两个方向上延伸的二维图案（诸如L形图案或者U形图案），而是如在图2D中所示那样形成图案，从而该图案可被称为一维布置或者1D布局。在许多情况下，一维布局的器件制造方法被应用于可商业获得的半导体逻辑器件，以及还应用于静态随机存取存储器（SRAM）的栅极工艺或者金属工艺。如此，一维布局的器件制造方法能被本领域技术人员充分理解。

将说明掩模图案生成方法。图3是示出根据示例性实施例的掩模图案生成方法的流程图。通过诸如计算机之类的信息处理设备执行这样的生成方法以生成掩模图案的数据，所述掩模图案用于包括投影光学系统的曝光设备，该投影光学系统将包括主图案和辅助图案的掩模图案的图像投影到衬底上。

进一步，在示例性实施例中，投影光学系统的物表面上的尺寸等于投影光学系统的像表面上的图像的尺寸（也就是说，投影光学系统的放大倍率是一倍倍率）。然而，实际上，在许多情况下，投影光学系统的放大倍率是四倍倍率或者五倍倍率，从而掩模图案需要考虑投影光学系统的放大倍率而被设置。

在步骤S102中，获得主掩模图案的数据，所述主掩模图案需要被安置在曝光设备的投影光学系统的物表面上。主图案的数据是在掩模图案的设计处理中被设计的设计值。主图案是以被转印到晶片为目的的图案。这里，当将图2A中所示的图案设为一个单元（重复单元）时，主图案的设计值是在X方向上600nm以及在Y方向上550nm并且被周期性布置。图2A中所图示的图案包括图案PAT1至PAT6的六个孤立图案（图形）。图案PAT1至PAT6的相对位置将在表1中指示出。图案PAT1至PAT6中的每个图案的尺寸是在X方向上32nm以及在Y方向上50nm。掩模是二元（binary）掩模。

表1

然后，在步骤S104中，获得感光材料8下面的图案层6中的图案62的数据。图案62的数据可以是在掩模图案的设计处理中被设计的设计值，或者是实际测量的数据。这里，将图2B中图示的图案的数据设为图案62的设计值。借助于在X方向上延伸的线部分220和间隔部分230配置图案62。在Y方向上宽度为25nm的线部分220以50nm的间距相互平行被安置。如上所述，根据图2A中图示的图案来处理图2B中所图示的图案，以形成图2D中所图示的图案。

然后，在步骤S106中，设置用以改善步骤S102中输入的主图案的分辨特性的辅助图案的生成条件。使用感光材料8下面的图案层6中的图案62的数据，设置生成条件。在假设从感光材料8的层上的转印图案的部分中移除图案层6中的图案62的情况下，设置随后的生成条件。换句话说，在感光材料8的层上，将生成条件设置为使得辅助图案可被转印到图2B中图示的图案的间隔部分230上，但是辅助图案不允许被转印到除了主图案被转印到其上的部分之外的线部分220上。这是因为，即使辅助图案被转印到间隔部分230上，线部分220也不被切割，并且对线部分220的电特性也没有不利影响。

进一步，在以美国专利第7,979,812号为代表的相关技术中，没有考虑下层的图案的信息，并且，辅助图案不允许被转印到任何位置上。因此，限制了借助于辅助图案改善主图案的分辨特性的效果。将用具体示例描述分辨特性。图4A图示了掩模图案。在具有100%的光透射率的掩模100上，具有0%的光透射率的孤立图案110以100nm的间隔被周期性地安置在水平和垂直方向上。在示例中，孤立图案是需要被转印到晶片的主图案，但是没有设置改善孤立图案的分辨特性的辅助图案。每个孤立图案是正方形。进一步，即使在图4A中分别在垂直和水平方向上布置了五个孤立图案，但是在假设实际上孤立图案被无限布置的条件下来执行下面的计算。

对于图4A中的掩模图案，设置环形照明的曝光条件，以使得光源的波长是193nm，投影光学系统的发光侧的数值孔径（NA）是1.35，并且照明形状（照明光学系统的光瞳面上的光学强度的分布）具有0.98的外sigma（外直径）和0.784的内sigma（内直径）（当光瞳面的最大直径是1时）。图4B图示了在该曝光条件下形成在图像表面上的图像的仿真结果。总的来说，如果曝光量改变，则图像尺寸改变。因此，在仿真中，设置参考曝光量，以使得在参考焦点位置中，孤立图案的孔形图像的直径是50nm。用参考曝光量计算的图像的边界线（边缘）是曲线120。

进一步，执行其中考虑了在曝光过程中的曝光工艺变化（工艺误差）的仿真。在示例中，在假设在孤立图案的尺寸、曝光量和焦点位置方面发生误差的情况下，执行计算。具体地，假设孤立图案的尺寸减小了2nm，参考曝光量增大了5%，并且焦点位置从参考焦点位置偏移了20nm。曲线130是当三种曝光工艺变化同时发生时图像的边界线。另外，应用于孤立图案的尺寸、曝光量和焦点位置的所有误差值都是起作用以减小图像尺寸的因素。因此，即使同时考虑这些误差值时，在评估中也是没有问题的。

当由曲线130包围的图形的宽度（直径）是X nm时，通过与由曲线120包围的图形的50nm宽度（直径）的差来表达线宽误差Δ，也就是，值Δ=50-X nm。希望值Δ是小的，这是因为图案变得对曝光工艺的变化不敏感。当孤立图案的尺寸被用作变量M时，M和线宽误差Δ之间的关系在图5中图示出。如从图5可见的，当M大约为70nm时，线宽误差Δ具有最小值。换句话说，当具有大于50nm（其是目标尺寸）的尺寸的图案被用作掩模图案时，图案对曝光工艺的变化不敏感。

进一步，即使对于实际器件可以使用各种图案作为图案，像示例性实施例中描述的简单孤立图案一样，当掩模图案被形成得比目标尺寸大时图案对曝光工艺的改变变得不敏感这一事实也可被应用于许多图案。另外，类似地，在辅助图案中，如果辅助图案的尺寸与主图案一起增大，则在许多情况下，主图案的分辨特性得到改善。

然而，如果辅助图案的尺寸增大，则辅助图案本身更可能被转印到晶片。由于器件的结构，如果辅助图案被转印在可能引起缺陷的位置中，则这导致降低器件的制造良率。

因此，在示例性实施例中，使用关于感光材料的下层的图案的信息，如上面描述的那样，设置辅助图案的生成条件，并且允许辅助图案被转印在特定位置中。与相关技术相比，这改善了主图案的分辨特性。即使辅助图案被转印到间隔部分230，线部分220也不被切割，并且对线部分220的电特性也没有不利影响。因此，抑制了器件制造良率的降低。

然后，在步骤S108中，使用在步骤S106中设置的生成条件，生成掩模图案的数据。图6图示了步骤S108的详细流程。

首先，在步骤S110中，设置评估指标。一般来说，在最优化计算中，使用根据评价函数（merit function）的值的变化而改变待调节参数的值的算法。在一些情况下，评价函数被称为最优化代价或者度量。在示例性实施例中，曝光工艺变化时的最大线宽误差被设置为评价函数。作为曝光工艺设置表2中指示的18种条件。在每种条件中，曝光时的掩模误差（图案的尺寸误差）、焦点位置误差以及曝光量误差被设置为不同值。

表2

进一步，当辅助图案被转印到除了主图案被转印到的部分之外的线部分220上时，在评价函数中生成具有非常大的值的异常值等，这样使用评价函数来评估异常状态。在这种情况下，如果辅助图案被转印到除了主图案被转印到的部分之外的线部分220上，则可以设置为生成指示异常状态的信息，并且评价函数和异常状态信息可以被设置为评估指标。换句话说，基于在步骤S106中设置的生成条件来设置评估指标。

然后，在步骤S112中，计算辅助图案的初始布置。在示例性实施例中，使用在日本专利申请特开第2009-093138号中讨论的辅助图案确定方法来执行计算。图7示出了通过计算获得的主图案200和辅助图案320。区域300是图案的一个单元（重复单元）的范围。此处，辅助图案的初始布置的计算方法不限于此，并且可以使用各种计算方法。

然后，在步骤S114中，计算评估指标的值（评估值）。在示例性实施例中，在曝光波长是193nm、NA是1.35、照明形状是具有0.98的外sigma、0.882的内sigma和60度的孔径角的交叉极（cross pole）形状、并且偏振状态是切向偏振的曝光条件下，执行曝光仿真。在表2中指示的18种曝光工艺中，计算当照射主图案和辅助图案时被转印到晶片（图像表面）的图像的最大线宽误差。换句话说，在18种曝光工艺中，计算抗蚀剂上的图案PAT1至PAT6的尺寸，并且获得该尺寸和目标尺寸之间的误差的绝对值。绝对值的最大值是示例性实施例中的评价函数（评估指标）的值。如在步骤S102中描述的，所有图案PAT1至PAT6的目标尺寸是X方向上32nm以及Y方向上50nm。

然后，在步骤S116中，确定是要结束还是要继续计算。如果确定要结束计算（步骤S116中的“是”），则处理进行到步骤S120。如果确定要继续计算（步骤S116中的“否”），则处理进行到步骤S118。

在步骤S118中，调整主图案和辅助图案的尺寸和位置中的至少一个。在示例性实施例中，使用下降单纯形法（downhill simplex method）算法来调整图案的尺寸和位置，以改善评价函数的值。算法不限于此，可以使用任何其他算法来调整图案的尺寸和位置。进一步，在示例性实施例中，尺寸和位置二者被调整。然而，可以仅调整尺寸和位置中的一个。另外，可以调整辅助图案的布置（是否设置辅助图案）。此外，调整主图案的位置和尺寸。然而，可以不调整主图案。

在步骤S118中调整图案后，然后在步骤S114中，使用经调整的主图案和辅助图案，评估评价函数的值。然后，在步骤S116中，确定是否结束处理。如上所述，重复步骤S114、S116和S118直到确定要结束处理，以改善评价函数的值。在步骤S116中确定要结束处理的条件可包括：在调整次数（即，执行步骤S114的次数）超过预定次数的情况下处理结束的确定条件，或者在步骤S114中评价函数的值满足特定条件的情况下处理结束的确定条件。在示例性实施例中，确定结束处理的条件是当步骤S114中的调整次数达到300时处理结束的结束条件。

最后，在步骤S120中，使用步骤S114中的评估结果，确定掩模图案。具体地，各自具有在步骤S114中三百次计算出的评估值中的最小值的主图案和辅助图案被确定为最终掩模图案，并且掩模图案的数据被生成。然后，步骤S108结束。

图8图示了通过根据示例性实施例的流程图确定的掩模图案。掩模图案包括位置或尺寸经过调整的主图案200和辅助图案320二者。圆形曲线（曲线350和曲线370）是当掩模图案被安置在曝光设备的物表面并且被曝光时形成在晶片上的图像的边界线（边缘）。由于如在表2中指示的那样在18种条件下类似地计算图像，并且图像被显示为相互交叠，所以多个曲线被显示为相互交叠。曲线350是图案200（图案PAT3）的图像并且曲线370是辅助图案的图像。还图示了图2B中示出的L/S图案。需要确保的是，辅助图案320的图像被转印到L/S图案的间隔部分230上，像曲线370那样。如在辅助图案的生成条件中所确定的那样，即使辅助图案被转印到间隔部分，也决不影响器件的性能。考虑到这一点，允许转印辅助图案。

使用图8中所示的掩模图案时的作为评价函数的评估值的最大线宽误差是20.1nm。如上所述，一般来说，在许多情况下，当辅助图案的尺寸是大的时，主图案的图像的性能被改善。在示例性实施例中，允许辅助图案被转印到间隔部分，从而允许辅助图案的尺寸是大的并且主图案的图像性能被改善。如上所述，如果层的下层上的、主图案要被转印到的图案是线和间隔，则将间隔上方的辅助图案确定为具有比线上方的辅助图案尺寸更大的尺寸，使得辅助图案被转印到间隔部分。

接着，作为比较示例，图9示出了由相关技术中的图案生成方法确定的掩模图案。图9表明，位置和尺寸与图8中所图示的掩模图案的位置和尺寸不同。当确定图9中的掩模图案时，在不考虑下层的图案的情况下，应用辅助图案决不被转印的辅助图案生成条件，并且使用基于该生成条件的评估指标。使用图9中所图示的掩模图案时的作为评价函数的评估值的最大线宽误差是20.6nm。

从这些结果可见，当使用根据示例性实施例的图案生成方法时，最大线宽误差变得比相关技术的生成方法的最大线宽误差更小。这意味着根据示例性实施例的图案生成方法可以降低对曝光工艺（即曝光时的掩模误差、焦点位置误差和曝光量误差）变化的敏感度。因此，根据示例性实施例的图案生成方法可改善半导体器件的良率。

如上所述，在根据示例性实施例的图案生成方法中，考虑了安置在目标层下方的层的图案信息，从而规定了允许辅助图案被转印的位置和当辅助图案被转印时器件良率方面发生问题的位置。基于上面的规定来调整辅助图案的位置和尺寸，从而与相关技术的方法相比，主图案的分辨特性可以被改善。

此处，在示例性实施例中要曝光的晶片的层叠结构不限于图1中的示例。例如，可以在图案层6和硬掩模层4之间插入刻蚀停止层，或者可以在硬掩模层4和刻蚀层2之间包含其他层。每个层的材料不限于特定材料。例如，如果线形状图案62是通过自对准双重图案化方法（SADP方法）形成的，则在许多情况下，图案62的材料包括SiO₂。

使用被称为一维布置的器件制造方法描述了示例性实施例，然而，示例性实施例不限于此。例如，双重曝光技术（双重图案化技术）是近些年来一直被积极研究的技术的示例。该技术是其中在微图案组被曝光（转印）到晶片上时原始图案组被分成两个图案的技术。然后，在每个分开了的图案组上执行曝光处理，并且图案组被合并以在单一层上形成原始图案组。在这种情况下，例如，即使第二曝光工艺中的辅助图案的图像被转印到在第一曝光工艺中被转印的图案上，在一些情况下，器件上仍可以不发生问题。当第二曝光工艺中的图案组被认为是主图案，并且第一曝光工艺中的图案组被认为是背景图案时，根据示例性实施例的图案生成方法可以被直接应用。然而，根据示例性实施例的图案生成方法不仅可以被应用于双重图案化，而且还可以被应用于三重图案化和四重图案化。

进一步，在示例性实施例中，在步骤S112中，在不考虑下层上的图案62的情况下计算辅助图案的初始布置。然而，下层上的图案62可以被考虑。

在示例性实施例中，主图案和辅助图案二者是孔图案。然而，主图案和辅助图案可以不是孔图案。例如，主图案和辅助图案可以是线图案或者二维图案，其以L形图案、T形图案或者U形图案来表示。作为替代方案，主图案和辅助图案可以是通过组合上述图案而获得的图案组。进一步，在示例性实施例中，下层上的图案62是L/S图案。然而，图案62可以包括任何其他的图案。

进一步，在示例性实施例中，把图2A中的孔图案当做切割L/S图案的切割图案（冲孔图案）。然而，一维布置结构中的孔图案的作用不限于此。例如，如图10A中所图示的那样，孔图案200可以作为剩余图案被形成在从图2C中的位置在Y方向上移动半个间距的位置处（即，在间隔部分之上）。在这种情况下，最终完成情况如图10B中所图示，并且点（用于相互连接线部分的图案）保留在L/S图案的相邻线部分之间。因此，图10A中所示的孔图案组可被称为点图案（点图案组）。在许多情况下，图2A至2D中的形成方法被应用于SRAM的栅极工艺，以及，图10A和10B中的形成方法被应用于SRAM的金属工艺。

当形成图10A中的点图案时，生成辅助图案的条件是：辅助图案可以被转印到图2B中的线部分上，但是不允许被转印到除了主图案被转印到的部分之外的间隔部分。

还可以通过读出和执行记录在存储介质（例如非暂时性的计算机可读存储介质）上的计算机可执行指令以执行本发明的上述实施例中的一个或更多个的功能的系统或设备的计算机，以及通过由系统或设备的计算机例如通过读出和执行来自存储介质的计算机可执行指令以执行上述实施例中的一个或更多个的功能而执行的方法，来实现本发明的实施例。计算机可以包含中央处理单元（CPU）、微处理单元（MPU）或其他电路中的一个或更多个，并且可以包括独立的计算机或者独立的计算机处理器的网络。可以例如从网络或者存储介质将计算机可执行指令提供给计算机。存储介质可例如包括硬盘、随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、分布式计算系统的存储器、光盘（诸如紧凑盘（CD）、数字多功能盘（DVD）或蓝光盘（BD）TM）、闪速存储器器件、存储卡等中的一个或多个。

根据上面描述的示例性实施例，生成掩模图案的数据。将生成的掩模数据输入到掩模制造设备，诸如电子束绘制设备。基于输入数据在掩模底板上绘制掩模图案，从而制造其上绘制有掩模图案的掩模。

然后，被制造的掩模被安装在曝光设备上，以对其上涂覆了感光材料（抗蚀剂）的衬底曝光。在曝光设备中，照明光学系统使用来自光源的光束照射掩模（标线片）。投影光学系统将掩模图案的图像投影至晶片（衬底）上，以曝光衬底。然后，对经曝光的衬底进行显影。进一步，在衬底上执行其他已知的处理，从而制造半导体器件。处理包括氧化、成膜、气相沉积、掺杂、平坦化、刻蚀、抗蚀剂隔离、切割、键合和封装。

虽然参考示例性实施例描述了发明，但应理解的是，本发明不限于公开的示例性实施例。下面的权利要求的范围应被给予最宽范围的解释，以包含所有变形、等同结构和功能。

Claims

1.一种用于经由计算机生成要用于曝光设备的掩模图案的方法，该曝光设备通过照射掩模来在衬底上对掩模图案的图像进行曝光，该方法包括：

获得要被形成在衬底上的主图案的数据以及主图案要被转印到的层的下层的图案的数据；

使用所述下层的图案的数据，设置相对于主图案的辅助图案的生成条件；

使用所述生成条件来确定辅助图案；以及

生成包括所述主图案和所确定的辅助图案的掩模图案的数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述生成条件包括：指定在所述下层的图案上的区域中的、其上不允许转印所述辅助图案的部分的条件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在使用所述生成条件来确定辅助图案的步骤中，通过在改变辅助图案的同时在主图案和辅助图案被用作掩模图案时计算要被转印到衬底的图像，并且基于所述生成条件来评估图像，使用评估结果确定辅助图案。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在使用所述生成条件来确定辅助图案的步骤中，使用评估指标来评估图像，所述评估指标将如下情况评估为异常状态：在该情况中，所计算出的图像存在于其上不允许转印所述辅助图案的部分中。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括：通过在改变主图案的位置和尺寸中的至少一个的同时计算图像，使用评估结果确定主图案。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述主图案包括用于切割所述下层上的图案的切割图案。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述主图案包括用于使所述下层上的图案的线部分彼此连接的图案。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，当主图案要被转印到的层的下层上的图案包括线和间隔时，间隔上方的辅助图案的尺寸大于线上方的辅助图案的尺寸，以使得间隔上方的辅助图案被转印到间隔上。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助图案的生成条件是指定在主图案被转印到的层中的、其上允许转印所述辅助图案的部分的条件。

10.一种用于制造掩模的方法，该方法包括：

通过根据权利要求1至8中的任一项所述的方法来生成掩模图案的数据；以及

使用所生成的掩模图案的数据来制造掩模。

11.一种用于对衬底进行曝光的曝光方法，该方法包括：

通过根据权利要求10所述的方法来制造掩模，

通过来自所制造的掩模的光对衬底进行曝光。

12.一种用于制造器件的方法，该方法包括：

使用根据权利要求11所述的曝光方法对衬底进行曝光；以及

对曝光后的衬底进行显影。

13.一种用于生成要用于曝光设备的掩模图案的系统，该曝光设备通过照射掩模来在衬底上对掩模图案的图像进行曝光，该系统包括：

被配置为用于获得要被形成在衬底上的主图案的数据以及主图案要被转印到的层的下层的图案的数据的单元；

被配置为用于使用所述下层的图案的数据，设置相对于主图案的辅助图案的生成条件的单元；

被配置为用于使用所述生成条件来确定辅助图案的单元；以及

被配置为用于生成包括所述主图案和所确定的辅助图案的掩模图案的数据的单元。