JP5455438B2 - マスクパターンデータ作成方法 - Google Patents
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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Description
転写される複数のメインパターンに対応して形成される、前記被転写体への転写対象では
ない補助パターンに対応する補助パターンデータを作成するマスクパターンデータ作成方
法であって、照明条件に基づいて決まる前記補助パターンデータの初期設定位置を表す初
期位置データと、前記被転写体上で結像しないサイズ条件を満足する前記補助パターンデ
ータの初期設定サイズを表す初期サイズデータとに基づいて、隣接する前記メインパター
ンに対してそれぞれ配置される補助パターンデータを、前記複数のメインパターン間のピ
ッチに応じて変更し、さらに前記補助パターンデータが所定の間隔以下で近接するか否か
又は互いに重なるか否かを判断する手順と、前記近接する補助パターンデータが、所定の
間隔以下で近接すると判断される場合は、前記近接する補助パターンデータの間隔を前記
所定の間隔よりも広げるように、前記近接する補助パターンデータの少なくとも一方のサ
イズを縮小し、この縮小でも所定の間隔以下と判断される場合には、前記近接する補助パ
ターンデータの少なくとも一方を前記メインパターンの中心に寄せるよう移動させ、前記
近接する補助パターンデータが、互いに重なると判断される場合は、前記近接する補助パ
ターンデータの少なくとも一方のサイズを縮小する手順と、を有することを特徴とするマ
スクパターンデータ作成方法が提供される。
例えば、メインパターンa12とメインパターンa13との間に、補助パターン配置領域B1と補助パターン配置領域B3とが互いに重ならずに確保可能であるならば、それらメインパターンa12、a13間に、補助パターン配置領域B1と補助パターン配置領域B3を設定してもよい。補助パターン配置領域B1と補助パターン配置領域B3とが重ならずに確保可能であるならば、それぞれの領域に配置される補助パターンb1と補助パターンb3も重なったり、接近しすぎることがない。
Claims (1)
- マスクに形成され前記マスクを使った露光により被転写体に転写される複数のメインパ
ターンに対応して形成される、前記被転写体への転写対象ではない補助パターンに対応す
る補助パターンデータを作成するマスクパターンデータ作成方法であって、
照明条件に基づいて決まる前記補助パターンデータの初期設定位置を表す初期位置デー
タと、前記被転写体上で結像しないサイズ条件を満足する前記補助パターンデータの初期
設定サイズを表す初期サイズデータとに基づいて、隣接する前記メインパターンに対して
それぞれ配置される補助パターンデータを、前記複数のメインパターン間のピッチに応じ
て変更し、さらに前記補助パターンデータが所定の間隔以下で近接するか否か又は互いに
重なるか否かを判断する手順と、
前記近接する補助パターンデータが、所定の間隔以下で近接すると判断される場合は、
前記近接する補助パターンデータの間隔を前記所定の間隔よりも広げるように、前記近接
する補助パターンデータの少なくとも一方のサイズを縮小し、この縮小でも所定の間隔以
下と判断される場合には、前記近接する補助パターンデータの少なくとも一方を前記メイ
ンパターンの中心に寄せるよう移動させ、前記近接する補助パターンデータが、互いに重
なると判断される場合は、前記近接する補助パターンデータの少なくとも一方のサイズを
縮小する手順と、
を有することを特徴とするマスクパターンデータ作成方法。
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