CN111929981B - 接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，包括：提供OPC图形，所述OPC图形上具有接触孔区域；在所述接触孔区域的空白区域添加亚分辨率辅助图形；步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差。本发明的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，通过移动亚分辨率辅助图形，以改变亚分辨率辅助图对接触孔区域的光线散射作用，进一步的调节接触孔区域的光强分布，强化边角轮廓和増加曝光焦深，使得接触孔的边缘误差得到改善，如此，改善了OPC图形中因接触孔边缘误差所导致的工艺热点。

Description

接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法。

背景技术

随着集成电路器件工艺节点不断缩小，光学临近效应(Optical ProximityEffect，简称OPE)也越发严重，传统的光学临近修正(Optical Proximity Correction，简称OPC)技术已经不能满足工艺要求。于是，光学临近修正技术又演化出亚分辨率辅助图形技术(Sub-Resolution Assist Feature，简称SRAF)，并被广泛应用于55nm技术节点以下的关键层次OPC出版过程中。

通常在一个正在设计的OPC图形中既有图形密集区域，也有图形稀疏区域，而图形稀疏区域的光刻工艺窗口比图形密集区域的光刻工艺窗口偏小，这就导致共同的工艺窗口偏小。亚分辨率辅助图形技术(Sub-Resolution Assist Feature，简称SRAF)的原理是在掩膜图形中图形稀疏区域内插入亚分辨率辅助图形，即散射条(Scattering Bar)，使得图形稀疏区域具有图形密集区域的特性，从而提高焦深和增加工艺窗口。由于添加的散射条必须小于光刻分辨率，所以曝光时，这些散射条只对光线起散射作用，本身并不会在硅片上成像。

关键层次OPC图形的光学临近修正处理中通过添加散射条以达到工艺要求。引入散射条后有助于设计出的更好成像的OPC图形，但是OPC图形中的依然会存在因接触孔边缘误差导致的工艺热点，因此，如此改善OPC图形中依然存在的接触孔工艺热点成为业界需要探索的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，能够改善OPC图形中因接触孔边缘误差所导致的工艺热点。

为了达到上述目的，本发明提供了一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，包括：

提供OPC图形及接触孔的边缘误差，所述OPC图形上包括接触孔图形及亚分辨率辅助图形；

步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善接触孔的边缘误差。

可选的，所述亚分辨率辅助图形位于相邻的两个接触孔图形之间，一个所述接触孔图形对应一个接触孔，步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差的步骤包括：

确定所述亚分辨率辅助图形的移动方向；

获取所述亚分辨率辅助图形与移动方向上的接触孔图形之间的距离，当所述亚分辨率辅助图形与移动方向上的接触孔图形之间的距离小于第一设定值，则将所述亚分辨率辅助图形移动至与所述移动方向上的接触孔间距为第一设定值的位置，并输出所述亚分辨率辅助图形；当所述亚分辨率辅助图形与所述移动方向上的接触孔之间的距离大于第一设定值，步进移动所述亚分辨率辅助图形，且每步进移动一次所述亚分辨率辅助图形，获取所述接触孔的边缘误差，直至所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形对应的接触孔的边缘误差达到第二设定值或者步进移动的次数达到设定值时，输出所述OPC图形。

可选的，所述第一设定值为20～30nm。

可选的，确定所述亚分辨率辅助图形的移动方向的步骤包括：

比较所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形对应的接触孔的边缘误差的大小，所述亚分辨率辅助图形沿边缘误差小的接触孔图形向边缘误差大的接触孔图形的方向移动。

可选的，所述第二设定值小于或等于0.5nm。

可选的，所述接触孔图形均为矩形。

可选的，确定所述亚分辨率辅助图形的移动方向的步骤包括：

获取所述接触孔图形的长宽比值；

比较所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形的长宽比值的大小，所述亚分辨率辅助图形沿长宽比值小的接触孔图形向长宽比值大的接触孔图形的方向移动。

可选的，第1次步进的步进距离SFD₁满足如下公式：

其中，Ra₀、Rb₀分别为所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形步进前的长宽比值，D_ab为所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形的之间的间距；

第i次步进的步进距离SFD_i满足如下公式：

其中，i为大于1的整数，Ra_(i-1)、Rb_(i-1)分别为经过(i-1)次步进后所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形的长宽比值。

可选的，所述亚分辨率辅助图形的形状为长方形。

可选的，所述亚分辨率辅助图形的透光率为0％～75％。

本发明提供的一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，包括：提供OPC图形，所述OPC图形上具有接触孔区域；在所述接触孔区域的空白区域添加亚分辨率辅助图形；步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差。本发明的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，通过移动亚分辨率辅助图形，以改变亚分辨率辅助图对接触孔区域的光线散射作用，进一步的调节接触孔区域的光强分布，强化边角轮廓和増加曝光焦深，使得接触孔的边缘误差得到改善，如此，改善了OPC图形中因接触孔边缘误差所导致的工艺热点。

附图说明

图1为本发明实施例中的OPC图形的示意图；

图2为本发明实施例中的接触孔边缘误差的示意图；

图3为本发明实施例中的一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法的流程图；

图4为本发明实施例中的亚分辨率辅助图形移动的示意图；

其中，附图标记如下：

100-第一接触孔图形；200-第二接触孔图形；300-亚分辨率辅助图形；400-第一接触孔；500-第二接触孔；600-目标图形；

a-第一距离；b-第二距离。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图1为本实施例中的OPC图形的示意图。如图1所示，OPC图形中的接触孔区域会存在图形密集区域和图形稀疏区域。图形稀疏区域对光线的散射作用弱于图形密集区域对光线的散射作用，导致图形稀疏区域的光刻工艺窗口比图形密集区域的光刻工艺窗口小，进一步导致了OPC图形的整体工艺窗口偏小。

光刻工艺窗口包括成像精确度、曝光度和焦深。光刻工艺窗口也称光刻工艺容限，指的是保证掩膜版上的OPC图形能够被正确复制到硅片上的曝光剂量和离焦量范围。

采用亚分辨率辅助图形技术时，会在OPC图形中的图形稀疏区域插入若干亚分辨率辅助图形300。曝光时，这些亚分辨率辅助图形300对光线起散射作用，以增强图形稀疏区域的散射作用。如此，可以在同一曝光剂量的条件下，改善图形稀疏区域的光强，从而提高了光刻工艺窗口。

亚分辨率辅助图形300的宽度及亚分辨率辅助图形与OPC图形的间距较为重要，需要根据具体情况进行优化，以期通过亚分辨率辅助图形影响OPC图形的位相频谱变化以实现对空间像的轮廓调节。通过改善OPC图形的位相频谱中各种频率成分的能量和位相分布，能够有效地调整空间像的光强分布，并起到改善线宽偏差，强化边角轮廓和増加曝光焦深的作用。

继续参照图1，接触孔图形包括第一接触孔图形100和第二接触孔图形200，所述第一接触孔图形100和所述第二接触孔图形200位于所述接触孔区域中的非密集图形区域。因此，在所述第一接触孔图形100和所述第二接触孔图形200之间放置亚分辨率辅助图形300，其过程是在设计软件中，通过软件的工具包在OPC图形中添加亚分辨率辅助图形300。第一接触孔图形100和第二接触孔图形200之间放置亚分辨率辅助图形300目的是为了提高OPC图形的密集度，以提高掩膜版的整体工艺窗口。

引入亚分辨率辅助图形技术后有助于设计出成像效果更好的OPC图形，但是OPC图形中的依然会存在接触孔工艺热点，例如接触孔边缘误差导致的接触孔工艺热点。

图2为本实施例中的接触孔边缘误差的示意图，如图2所示。根据光刻工艺模型，对OPC图形进行光学邻近仿真，获得仿真后的模拟曝光图形，即接触孔图形。如图3所示，接触孔图形与目标图形600的边缘不能重合，接触孔图形的边缘与目标图形600的边缘之间偏差即为接触孔边缘误差，也称EPE。接触孔图形与目标图形600之间的边缘误差较大，则说明接触孔图形与目标图形600仍有较大的差距，需要对OPC图形再进行光学邻近修正。

基于此，本发明提供一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法。能够进一步改善OPC图形中依然存在的接触孔工艺热点。

一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法包括：

提供一具有接触孔区域的OPC图形，所述接触孔区域包括接触孔图形及亚分辨率辅助图形300；

步进移动所述亚分辨率辅助图形300以改善接触孔的边缘误差。

本发明的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法中，通过移动所述亚分辨率辅助图形300以调整接触孔区域内的光强分布，进一步起到改善接触的边缘偏差，强化接触孔边缘轮廓和増加曝光焦深的作用，使得分布在亚分辨率辅助图形300两侧的接触孔的边缘误差得到改善。

所述亚分辨率辅助图形300位于相邻的两个接触孔图形之间，一个所述接触孔图形对应一个接触孔，步进移动所述亚分辨率辅助图形300以改善所述接触孔的边缘误差的步骤包括：

确定所述亚分辨率辅助图形300的移动方向；

获取所述亚分辨率辅助图形300与移动方向上的接触孔图形之间的距离，当所述亚分辨率辅助图形300与移动方向上的接触孔图形之间的距离小于第一设定值，则将所述亚分辨率辅助图形300移动至与所述移动方向上的接触孔间距为第一设定值的位置，并输出所述亚分辨率辅助图形300；当所述亚分辨率辅助图形300与所述移动方向上的接触孔之间的距离大于第一设定值，步进移动所述亚分辨率辅助图形300，且每步进移动一次所述亚分辨率辅助图形300，获取所述接触孔的边缘误差，直至所述亚分辨率辅助图形300两侧的接触孔图形对应的接触孔的边缘误差达到第二设定值或者步进移动的次数达到设定值时，输出所述OPC图形。

应知道，当接触孔的边缘误差达到第二设定值后，便可以满足工艺需求，无需再进行光学邻近修正。进一步的，所述第二设定值小于或等于0.5nm。

下面结合附图对接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法作进一步的说明。

图3为本实施例中的一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法的流程图。如图1～3所示，一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，对OPC图形进行光学邻近修正迭代以改善所述接触孔工艺热点，所述光学邻近修正迭代包括：

步骤S1：对所述OPC图形进行光学邻近仿真后得到模拟曝光图形，得到与所述第一接触孔图形100对应的第一接触孔400和所述第二接触孔图形200对应的第二接触孔500，计算出所述第一接触孔400和所述第二接触孔500的边缘误差；执行步骤S2，

步骤S2：当所述第一接触孔400和所述第二接触孔500的边缘误差均达到第二设定值，则输出所述OPC图形；当所述第一接触孔400和所述第二接触孔500的边缘误差未达到第二设定值，执行步骤S3；

步骤S3：确定所述亚分辨率辅助图形300的移动方向；执行步骤S4，

步骤S4：当所述亚分辨率辅助图形300与移动方向上的接触孔图形之间的距离小于第一设定值，则将所述亚分辨率辅助图形300移动至与所述移动方向上的接触孔间距为第一设定值的位置，并输出所述亚分辨率辅助图形300；当所述亚分辨率辅助图形300与所述移动方向上的接触孔之间的距离大于第一设定值，步进移动所述亚分辨率辅助图形300，且每步进移动一次所述亚分辨率辅助图形300，获取所述接触孔的边缘误差，直至所述亚分辨率辅助图形300两侧的接触孔图形对应的接触孔的边缘误差达到第二设定值或者步进移动的次数达到设定值时，输出所述OPC图形。

在步骤S1中，所述接触孔图形均为矩形，也即，所述第一接触孔图形100和所述第二接触孔图形200均为矩形。应知道，在OPC图形中呈矩形、正多边形或者近似矩形的不规则多边形的图形，其曝光后会在硅片上呈近似圆形的形状。优选的，第一接触孔图形100和第二接触孔图形200均为矩形。要知道，本发明中的第一接触孔图形100和第二接触孔图形200并不只限制于这些形状。

可选的，所述亚分辨率辅助图形300为散射条。散射条可视为条状的亚分辨率辅助图形300。进一步的，所述亚分辨率辅助图形300为长方形。矩形状的亚分辨率辅助图形300具有较小的占用空间及较大的散光面。不过，本发明的亚分辨率辅助图形300并不只限制矩形。其它的形状当然也可以应用，只要它可以通过现有的和或今后的掩膜版制作方法生产出来并可保证技术效果即可。

作为一种优选的实施方式，第一接触孔图形100和第二接触孔图形200之间设置有一个散射条，或多个互相平行的散射条组。应知道，散射条的宽度及散射条与OPC图形的间距会直接影响焦深及光刻工艺窗口。因此，散射条的宽度不宜超过限制。当单个散射条被设置于第一接触孔图形100和第二接触孔图形200之间时，仍然不能够有效地调整空间像的光强分布，并起到改善焦深及光刻工艺窗口，那么，在第一接触孔图形100和第二接触孔图形200之间设置多个互相平行的散射条是一更优的选择。

应该注意，第一接触孔图形100和第二接触孔图形200之间放置散射条的方法还有许多种，最好是本领域技术人员依据实际制造掩膜版的工艺要求和设计工具决定放置散射条的方式。

OPC图形中的第一接触孔图形100和第二接触孔图形200为模拟曝光图形中的第一接触孔400和第二接触孔500在OPC图形上的投影。OPC图形经过光学邻近仿真后得到模拟曝光图形。在光学邻近仿真之前，通过在设计软件中确定光学成像系统的照明设置。应知道，本实施例中光学成像系统的照明设置可应用基本上任何现有技术中照明设置，包括高度相干同轴的和强离轴照明(例如，类星体、C类星体、双偶极和单偶极照明)，或者常用的照明类型。本实例中使用的照明是典型的类星体照明，它的曝光波长是λ＝193nm。确定光学成像系统的照明设置的目的是为了建立一个基于特定光刻条件的曝光模型，确保OPC图形在光学邻近修正迭代中的光学邻近仿真结果的准确性和一致性。

光学邻近修正技术中，一次修正已经不能达到目的，因此需要多次迭代修正，而且光学邻近修正迭代中间需要不断地进行光学邻近仿真、验证和掩膜图形修改。光学邻近修正迭代，设置光学邻近修正迭代参数，例如光学邻近修正迭代的次数和掩膜图形修改的修正量。都是通过设计软件自动进行光学邻近修正迭代计算，最终输出OPC图形。

请参考图1和图2，在光学邻近修正迭代中，通过计算所述第一接触孔图形100和所述第二接触孔图形200的长宽比可以推算出所述第一接触孔400和所述第二接触孔500的边缘误差。作为举例说明，第一接触孔400是第一接触孔图形100经过光学邻近仿真后得到，因此，第一接触孔400在X轴向的直径和第一接触孔400在Y轴向的直径与第一接触孔图形100中的长度和第一接触孔图形100中的宽度呈正相关的关系。因此，可以依据OPC图形中的第一接触孔图形100和第二接触孔图形200推算出第一接触孔400和第二接触孔500的边缘误差。

在步骤2中,若所述第一接触孔400和所述第二接触孔500的边缘误差达到第二设定值，则输出OPC图形。因知道，当第一接触孔400和第二接触孔500的边缘误差达到第二设定值时，说明第一接触孔图形100和第二接触孔图形200的工艺窗口已经达到要求。此时，第一接触孔400和第二接触孔500的边缘误差不是因为第一接触孔图形100和第二接触孔图形200的工艺窗口所引起的，因此没有必要继续光学邻近修正迭代以调整亚分辨率辅助图形300。此时，结束光学邻近修正迭代并输出OPC图形。

在步骤33中，确定所述亚分辨率辅助图形300的移动方向的步骤包括：

比较所述亚分辨率辅助图形300两侧的接触孔图形对应的接触孔的边缘误差的大小，所述亚分辨率辅助图形300沿边缘误差小的接触孔图形向边缘误差大的接触孔图形的方向移动。

应知道，发明人发现将第一接触孔图形100与第二接触孔图形200长宽比值进行比较，若第一接触孔图形100的长宽比值大于第二接触孔图形200的长宽比值，则可以推算出第一接触孔400的边缘误差大于第二接触孔500的边缘误差。若第一接触孔图形100的长宽比值小于第二接触孔图形200的长宽比值，则可以推测算出第一接触孔400的边缘误差小于第二接触孔500的边缘误差。

可选的，确定所述亚分辨率辅助图形300的移动方向的步骤包括：

获取所述接触孔图形的长宽比值；

比较所述亚分辨率辅助图形300两侧的接触孔图形的长宽比值的大小，所述亚分辨率辅助图形300沿长宽比值小的接触孔图形向长宽比值大的接触孔图形的方向移动。

在步骤4中，亚分辨率辅助图形300与所述第一接触孔图形100或所述第二接触孔图形200的间离应当大于或等于第一距离a。亚分辨率辅助图形300与掩膜版上的图形间距过小，会导致亚分辨率辅助图形300在硅片上形成图形，这是我们不希望的。因此，设定了亚分辨率辅助图形300添加规则，并要求亚分辨率辅助图形300与第一接触孔图形100或第二接触孔图形200之间的距离要大于或等于一个最小距离，即第一距离a。

进一步的，通常第一距离a是通过设计软件进行设置的，即第一距离a就是第一设定值，可选的，所述第一设定值为20～30nm。

另外，晶圆中产品的接触孔用来填充金属并和上下两个金属层形成接触，形成电流通路。因此，所述接触孔之间的距离要满足设计规则中的最小尺寸规则的限制。进行光学邻近修正后的第一接触孔400和第二接触孔500其反映在OPC图形上的第一接触孔图形100和第二接触孔图形200同样要满足最小尺寸规则的要求。

可选的，通过移动亚分辨率辅助图形300来调整所述亚分辨率辅助图形300的在OPC图形中的位置，以使亚分辨率辅助图形300与第一接触孔图形100或第二接触孔图形200的间离等于第一距离a，也即，将亚分辨率辅助图形300移动至与其移动方向上的接触孔间距为第一设定值的位置。

若亚分辨率辅助图形300与边缘误差值大的接触孔的间距小于第一距离a，则将OPC图形中的亚分辨率辅助图形300在下次光学邻近修正迭代中移动至与所述边缘误差值大的接触孔的间离为第一设定值的位置，并输出OPC图形。

在光学邻近修正迭代中，亚分辨率辅助图形300通过向所述第一接触孔图形100或所述第二接触孔图形200的方向移动所述亚分辨率辅助图形300以调整所述第一接触孔400和所述第二接触孔500的边缘误差。所述亚分辨率辅助图形300向边缘误差值大的接触孔的方向移动。也即，亚分辨率辅助图形300沿长宽比值小的接触孔图形向长宽比值大的接触孔图形的方向移动。

所述亚分辨率辅助图形300在光学邻近修正中，第1次步进的步进距离SFD₁满足如下公式：

其中，Ra₀、Rb₀分别为所述亚分辨率辅助图形300两侧的接触孔图形步进前的长宽比值，D_ab为所述亚分辨率辅助图形300两侧的接触孔图形的之间的间距；

第i次步进的步进距离SFD_i满足如下公式：

其中，i为大于1的整数，Ra_(i-1)、Rb_(i-1)分别为经过(i-1)次步进后所述亚分辨率辅助图形300两侧的接触孔图形的长宽比值。

在光学邻近修正迭代中，所述亚分辨率辅助图形300向长宽比值大的接触孔移动后，则进入下一轮的光学邻近修正迭代。亚分辨率辅助图形300移动也是通过设计软件实现。

需要指出的是，本发明涉及的接触孔工艺热点的光学邻近修正方法不仅仅局限于接触孔层，对于通孔层也同样适用。

下面结合附图对亚分辨率辅助图形300的移动作进一步的说明。

图4为本实施例中的亚分辨率辅助图形300移动的示意图，如图4所示，接触孔层的OPC图形的非密集图形区域中包括第一接触孔400、第二接触孔500和亚分辨率辅助图形300。第一接触孔400和第二接触孔500的间距D_ab为第二距离b。其中第一接触孔400和第二接触孔500存在较严重的边缘误差偏大的工艺热点问题。

在光学邻近修正迭代中，我们设定光学邻近修正的总迭代次数为i次。

首先进入第一轮光学邻近修正迭代，通过计算得出第一接触孔400的边缘误差Ra₀的值为1.43，第二接触孔500的边缘误差Rb₀的值为1.24。

亚分辨率辅助图形300与第一接触孔400的间距仍然大于第一距离a，也即，亚分辨率辅助图形300与第一接触孔图形100的间距大于第一距离a。因此，判定OPC图形符合所述亚分辨率辅助图形300的添加规则，需要确定亚分辨率辅助图形300的移动方向和位移量。

由于Ra₀的值大于Rb₀，所以可以确定亚分辨率辅助图形300应当向第一接触孔400(即边缘误差大的接触孔)移动。

亚分辨率辅助图形300的移动距离需要通过公式

计算得出。其中，第一接触孔400和第二接触孔500的间距Dab的值为204nm(即第二距离b为204nm)，Ra₀值为1.43，Rb₀值为1.24。经过计算得出亚分辨率辅助图形300的需要移动的距离SFD₁的值为14.5nm。在OPC图形中调整亚分辨率辅助图形300后进入下一轮光学邻近修正迭代。

进入第二轮光学邻近修正迭代后，由于亚分辨率辅助图形300向第一接触孔400方向移动14.5nm，经过重新计算后得到第一接触孔400的长宽比值Ra₁的值为1.65，经过重新计算后得到第二接触孔500的长宽比值Rb₁的值为1.46。由此可以推断出第一接触孔400与第二接触孔500的边缘误差不一致。

亚分辨率辅助图形300与第一接触孔400的间距仍然大于第一距离a，判定OPC图形符合所述亚分辨率辅助图形300的添加规则。接下来需要继续确定亚分辨率辅助图形300的移动方向和位移量，并在OPC图形中调整亚分辨率辅助图形300后进入下一轮光学邻近修正迭代。

第一接触孔400的长宽比值Ra₁大于第二接触孔500的长宽比值Rb₁。我们可以确定亚分辨率辅助图形300继续向第一接触孔400的方向移动。

第二距离b为204nm(即Dab的值为204nm)，Ra₁的值为1.65，Rb₁的值为1.46。我们通过公式

计算出本次光学邻近修正迭代中亚分辨率辅助图形300需要移动的距离SFD₂的值为12.4nm。在OPC图形中调整亚分辨率辅助图形300后进入第三次光学邻近修正迭代。

如此迭代循环，若在第n次光学邻近修正迭代后，若第一接触孔400的边缘误差和第二接触孔500的边缘误差达到第二设定值，即小于等于0.5，则输出掩膜版的图形(即完成没有工艺热点的OPC图形)。结束光学邻近修正迭代循环。

若在第n次光学邻近修正迭代后，亚分辨率辅助图形300与第一接触孔400的间距小于第一距离a，亚分辨率辅助图形300在移动至与边缘误差值大的接触孔(第一接触孔400)间距离为第一距离a的位置，之后输出OPC图形。结束光学邻近修正迭代循环。

在第i次光学邻近修正迭代后，则输出OPC图形，结束光学邻近修正迭代循环。

在本实施例的一次光学邻近修正迭代循环中，在第一次光学邻近修正迭代和第二次光学邻近修正迭代后按照步进移动规则向第一接触孔400方向移动亚分辨率辅助图形300，在光学邻近修正迭代运算全部结束后，即执行i次光学邻近修正迭代后，第一接触孔400的边缘误差为0.3，第二接触孔500的边缘误差为0.2。比较传统的光学邻近修正处理结果，第一接触孔400的边缘误差偏大的热点问题明显消除，第二接触孔500的边缘误差也得到进一步改善，且在同样的工艺条件波动范围下，采用本发明的光学邻近修正方法得到的通孔最小直径较传统光学邻近修正方法会有所增加，第一接触孔400最小直径增加约4％，第二接触孔500最小直径增加约2％。

本发明的光学邻近修正方法中的光学邻近仿真、添加亚分辨率辅助图形300通常在一个集成电路实体设计软件中执行，例如Calibre软件。Calibre软件为实体验证套装工具，包括Calibre DRC与Calibre LVS在内，可确保集成电路实体设计遵守代工制造规格要求，元件功能也符合原设计规格。Calibre软件中的光学邻近修正工具，可以用于新增或建立光刻工艺模型，通过光学邻近仿真进行实体验证，且可以进行光学邻近修正迭代。

综上所述，本发明的一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，对OPC图形进行光学邻近修正迭代，所述OPC图形包括第一接触孔图形和第二接触孔图形，亚分辨率辅助图形放置于所述第一接触孔图形和所述第二接触孔图形之间，所述光学邻近修正迭代包括：对所述OPC图形经过光学邻近仿真后得到模拟曝光图形，得到与所述第一接触孔图形对应的第一接触孔和所述第二接触孔图形对应的第二接触孔，计算出所述第一接触孔和所述第二接触孔的边缘误差，并判断所述第一接触孔和所述第二接触孔的边缘误差是否一致；若所述第一接触孔和所述第二接触孔的边缘误差一致，则输出OPC图形；若所述第一接触孔和所述第二接触孔的边缘误差不一致，则判断所述OPC图形是否符合所述亚分辨率辅助图形的添加规则；若所述亚分辨率辅助图形符合所述亚分辨率辅助图形的添加规则，则调整所述亚分辨率辅助图形以使得所述OPC图形符合所述亚分辨率辅助图形添加规则，并输出所述OPC图形；若所述亚分辨率辅助图形符合所述亚分辨率辅助图形的添加规则，则确定所述亚分辨率辅助图形的移动方向和位移量，并在所述OPC图形中调整所述亚分辨率辅助图形后进入下一轮光学邻近修正迭代。本发明的方法既在不违反亚分辨率辅助图形的宽度不宜超过限制和亚分辨率辅助图形到OPC图形的最小间距(即亚分辨率辅助图形添加规则)的前提下，在光学邻近修正迭代的过程中按照一定的规则对亚分辨率辅助图形进行限制性移动，以达到改善接触孔工艺热点的目的。

上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

提供一具有接触孔区域的OPC图形，所述接触孔区域包括接触孔图形及亚分辨率辅助图形；

步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善接触孔的边缘误差；

其中，所述亚分辨率辅助图形位于相邻的两个接触孔图形之间，一个所述接触孔图形对应一个接触孔，步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差的步骤包括：

确定所述亚分辨率辅助图形的移动方向；

获取所述亚分辨率辅助图形与移动方向上的接触孔图形之间的距离，当所述亚分辨率辅助图形与移动方向上的接触孔图形之间的距离小于第一设定值，则将所述亚分辨率辅助图形移动至与所述移动方向上的接触孔间距为第一设定值的位置，并输出所述亚分辨率辅助图形；当所述亚分辨率辅助图形与所述移动方向上的接触孔之间的距离大于第一设定值，步进移动所述亚分辨率辅助图形，且每步进移动一次所述亚分辨率辅助图形，获取所述接触孔的边缘误差，直至所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形对应的接触孔的边缘误差达到第二设定值或者步进移动的次数达到设定值时，输出所述OPC图形。

2.如权利要求1所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一设定值为20～30nm。

3.如权利要求1所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，确定所述亚分辨率辅助图形的移动方向的步骤包括：

比较所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形对应的接触孔的边缘误差的大小，所述亚分辨率辅助图形沿边缘误差小的接触孔图形向边缘误差大的接触孔图形的方向移动。

4.如权利要求1所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二设定值小于或等于0.5nm。

5.如权利要求1所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，所述接触孔图形均为矩形。

6.如权利要求1所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，确定所述亚分辨率辅助图形的移动方向的步骤包括：

获取所述接触孔图形的长宽比值；

比较所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形的长宽比值的大小，所述亚分辨率辅助图形沿长宽比值小的接触孔图形向长宽比值大的接触孔图形的方向移动。

7.如权利要求6所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，第1次步进的步进距离SFD₁满足如下公式：

其中，Ra₀、Rb₀分别为所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形步进前的长宽比值，D_ab为所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形的之间的间距；

第i次步进的步进距离SFD_i满足如下公式：

其中，i为大于1的整数，Ra_(i-1)、Rb_(i-1)分别为经过(i-1)次步进后所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形的长宽比值。

8.如权利要求4所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，所述亚分辨率辅助图形的形状为长方形。

9.如权利要求1所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，所述亚分辨率辅助图形的透光率为0％～75％。

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