CN103327890B - 倾斜磁场线圈装置以及磁共振成像装置 - Google Patents

Abstract

具有垂直于中心轴z方向的剖面形状为椭圆形且生成磁场强度向该长径方向、即x方向倾斜的倾斜磁场的长径倾斜磁场线圈、即x主线圈（9x）和垂直于中心轴z方向的剖面形状为椭圆形且生成磁场强度向该短径方向、即y方向倾斜的倾斜磁场的短径倾斜磁场线圈、即y主线圈（9y），短径倾斜磁场线圈（9y）的中心轴方向的长度Lmy比长径倾斜磁场线圈（9x）的中心轴方向的长度Lmx短。短径倾斜磁场线圈（9y）的磁能为长径倾斜磁场线圈（9x）的磁能以下。由短径倾斜磁场线圈（9y）产生的漏磁场的最大值为由长径倾斜磁场线圈（9x）产生的漏磁场的最大值以下。这样，能够尽量不加长屏蔽线圈（2b）的z方向长度地减少短径倾斜磁场线圈（9y）的漏磁场。

Description

倾斜磁场线圈装置以及磁共振成像装置

技术领域

本发明涉及倾斜磁场线圈装置，并且涉及具备该倾斜磁场线圈装置的磁共振成像装置。

背景技术

磁共振成像（MRI；MagneticResonanceImaging）装置中，在磁铁装置所生成的均匀的静磁场中（拍摄区域）插入被检体（通常人体）并照射RF脉冲，接收被检体所产生的磁共振信号，从而取得医疗诊断用等的断层图像。此时，对于倾斜磁场线圈装置而言，在放置有被检体的拍摄区域，分别在磁铁装置的双重圆筒形状的轴向（z轴方向）、与z轴方向垂直且与地板平行的横向（x轴方向）、与z轴方向及x轴方向垂直且与地板也垂直的纵向（y轴方向）上，脉冲状地生成线性变化的倾斜磁场。由此，能够对磁共振信号赋予被检体（拍摄区域）内的位置信息。另一方面，对于倾斜磁场线圈装置而言，在拍摄区域以外的区域，产生不需要的磁场（漏磁场），该漏磁场使周围的构造物产生涡流，从而涡流生成的磁场对断层图像有负面影响。因此，MRI装置中，为了抑制漏磁场的产生，施加产生倾斜磁场的主线圈，在与主线圈相反的方向上设有供电流流动的屏蔽线圈。

倾斜磁场线圈一般是以沿双重圆筒形状的磁铁装置的内筒壁的方式形成与z轴垂直的剖面的形状为圆形的圆筒形状，但为了减少被检体插入倾斜磁场线圈的内筒壁内时的压迫感，提出了使圆形的剖面的形状接近人形地横向长（例如，参照专利文献1等）的方案。专利文献1中，倾斜磁场线圈的主线圈以及屏蔽线圈的与z轴垂直的剖面的形状成为横向长的椭圆形。另外，专利文献1中，提出了具备剖面的形状为椭圆形的主线圈、和配置于该主线圈的外侧且其剖面形状为圆形的屏蔽线圈的倾斜磁场线圈的方案。

如上述那样，横向长的椭圆形中，椭圆形的长径朝向x方向，短径朝向y方向。以这样的横向长的椭圆形，来形成在x方向上产生倾斜磁场的x主线圈（长径倾斜磁场线圈）、和在y方向上产生倾斜磁场的y主线圈（短径倾斜磁场线圈）。该情况下，对于至拍摄区域的中心（z轴）为止的距离而言，相对于y主线圈的成对的一个y主线圈的中央的某（y轴上的）位置，x主线圈的成对的一个x主线圈的中央的某（x轴上的）位置较远，从而为了使x主线圈和y主线圈在拍摄区域生成相同大小的磁场，需要增大x主线圈的磁能。专利文献2中，为了解决该问题，将x主线圈配置于y主线圈的内侧（拍摄区域侧），将y屏蔽线圈（短径用屏蔽线圈）配置于x屏蔽线圈（长径用屏蔽线圈）的内侧（拍摄区域侧）。

另外，专利文献3中，为了将上述涡流抑制为最小限，提出了屏蔽线圈的z方向的长度比磁铁装置的z方向的长度长的倾斜磁场线圈装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-327478号公报

专利文献2：日本特开2007-296195号公报

专利文献3：日本特开2001-212107号公报

发明内容

发明所要解决的课题

为了减少被检体插入倾斜磁场线圈的内筒壁内时的压迫感，考虑如下情况，即，将离拍摄区域近的倾斜磁场线圈的主线圈设为与z轴垂直的剖面为横向长的椭圆形，将离磁铁装置近的倾斜磁场线圈的屏蔽线圈设为与磁铁装置的内周壁（一般为圆形）对照且与z轴垂直的剖面为圆形。该情况下，在主线圈的椭圆形的长轴（长径）方向上生成倾斜磁场的x主线圈（长径倾斜磁场线圈）具有隔着z轴（中心轴）而在x方向上对置的一对线圈，在短轴（短径）方向上生成倾斜磁场的y主线圈（短径倾斜磁场线圈）具有隔着z轴（中心轴）而在y方向上对置的一对线圈。与x主线圈的成对的各个线圈的中央相比，y主线圈的成对的各个线圈的中央离作为生成倾斜磁场的拍摄区域的中心的z轴较近，但离屏蔽线圈较远。若主线圈远离屏蔽线圈，则不能得到充足的磁屏蔽效果，从而相对于x主线圈，y主线圈所引起的漏磁场变大。为了抑制漏磁场，变长屏蔽线圈的z方向长度即可，但MRI装置整体的长度变长，从而为了减少被检体的压迫感，优选使屏蔽线圈的z方向长度为磁铁装置的长度左右。

因此，本发明的目的在于提供尽量不加长屏蔽线圈的z方向长度、而能够减少y主线圈所引起的漏磁场的倾斜磁场线圈装置，并且，提供具备该倾斜磁场线圈装置的MRI装置。

用于解决课题的方法

为了实现上述目的，本发明的倾斜磁场线圈装置的特征在于，具有：

长径倾斜磁场线圈（x主线圈），其垂直于中心轴方向的剖面形状为椭圆形，并在磁场空间（拍摄区域）生成磁场强度向上述椭圆形的长径方向倾斜的倾斜磁场；以及

短径倾斜磁场线圈（y主线圈），其垂直于上述中心轴方向的剖面形状为椭圆形，并在上述磁场空间生成磁场强度向上述椭圆形的短径方向倾斜的倾斜磁场，

上述短径倾斜磁场线圈（y主线圈）的上述中心轴方向的长度比上述长径倾斜磁场线圈（x主线圈）的上述中心轴方向的长度短。另外，本发明的特征在于，是具备该倾斜磁场线圈装置的MRI装置。

发明效果

根据本发明，能够提供如下倾斜磁场线圈，即、能够尽量不加长屏蔽线圈的z方向长度地减少y主线圈（短径倾斜磁场线圈）所引起的漏磁场，并且能够提供具备该倾斜磁场线圈的MRI装置。

附图说明

图1（a）是在xy平面剖开本发明的第一实施方式的倾斜磁场线圈装置的剖视图，图1（b）是在yz平面剖开的剖视图。

图2是本发明的第一实施方式的磁共振成像装置的立体图。

图3是在yz平面剖开本发明的第一实施方式的磁共振成像装置的剖视图。

图4是表示y主线圈（短径倾斜磁场线圈）和y屏蔽线圈（短径用屏蔽线圈）的位置关系的配置图，图4（a）是y屏蔽线圈的z方向的长度相对于y主线圈充分长的情况（第一实施方式的变形例一），图4（b）是y主线圈的z方向的长度相对于y屏蔽线圈充分短的情况（第一实施方式的变形例二），图4（c）是y主线圈与y屏蔽线圈的间隔相对于它们的长度之差充分窄的情况（第一实施方式的变形例三）。

图5（a）是在xy平面剖开比较例一的倾斜磁场线圈装置的剖视图，图5（b）是在yz平面剖开的剖视图。

图6是表示由比较例一的y主线圈和y屏蔽线圈在区域Cy1产生的磁通量密度的垂直于z轴的y成分、与由x主线圈和x屏蔽线圈在区域Cx1产生的磁通量密度的垂直于z轴的x成分的图表。

图7（a）是在xy平面剖开比较例二的倾斜磁场线圈装置的剖视图，图7（b）是在yz平面剖开的剖视图。

图8表示由比较例二的y主线圈（短径倾斜磁场线圈）和y屏蔽线圈（短径用屏蔽线圈）在区域Cy2产生的磁通量密度的垂直于z轴的y成分、与由x主线圈（长径倾斜磁场线圈）和x屏蔽线圈（长径用屏蔽线圈）在区域Cx2产生的磁通量密度的垂直于z轴的x成分的图表。

图9A是由第一实施方式的y主线圈（短径倾斜磁场线圈）和y屏蔽线圈（短径用屏蔽线圈）在区域Cy2产生的磁通量密度的垂直于z轴的y成分的最大值相对于y主线圈（短径倾斜磁场线圈）的z方向的长度的图表。

图9B是在第一实施方式的y主线圈（短径倾斜磁场线圈）和y屏蔽线圈（短径用屏蔽线圈）积蓄的磁能相对于y主线圈（短径倾斜磁场线圈）的z方向的长度的图表。

图10A（a）是在中心轴（z轴）的周向（θ方向）上展开y主线圈（短径倾斜磁场线圈）的线圈图形图，图10A（b）是在中心轴（z轴）的周向（θ方向）上展开x主线圈（长径倾斜磁场线圈）的线圈图形图。

图10B（a）是在中心轴（z轴）的周向（θ方向）上展开y屏蔽线圈（短径用屏蔽线圈）的线圈图形图，图10B（b）是在中心轴（z轴）的周向（θ方向）上展开x屏蔽线圈（长径用屏蔽线圈）的线圈图形图。

图11（a）是在xy平面剖开本发明的第二实施方式的倾斜磁场线圈装置的剖视图，图11（b）是在yz平面剖开的剖视图。

具体实施方式

接下来，适当地参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。此外，各图中，对共通的部分赋予相同的符号并省略重复的说明。

（第一实施方式）

图2是表示本发明的第一实施方式的磁共振成像（MRI）装置100的立体图。MRI装置100具有：磁铁装置1，其在以躺在床41的状态插入被检体40的拍摄区域7生成均匀的静磁场；倾斜磁场线圈装置2，为了向拍摄区域7赋予位置信息而脉冲状地产生在空间上磁场强度倾斜分布的倾斜磁场；RF线圈3，其向被检体40照射高频脉冲；接收线圈（图示省略），其接收来自被检体40的磁共振信号；以及计算机系统（图示省略），其处理接收的磁共振信号而显示上述断层图像。而且，根据MRI装置100，利用向放置于均匀的静磁场中（拍摄区域7）的被检体40照射高频脉冲时产生的核磁共振现象，能够得到表示被检体40的物理、化学性质的断层图像，该断层图像尤其作为医疗用而使用。磁铁装置1、倾斜磁场线圈装置2以及RF线圈3形成为筒状，筒状的中心轴相互大体一致，且朝向z轴方向。此外，y轴方向被设定为垂直方向上方。x轴方向被设定为水平方向，并且，被设定为在从z轴方向向y轴方向旋入螺纹件时螺纹的进入方向。磁铁装置1的外周由作为中空圆筒型容器的真空容器6构成。在作为中空圆筒型容器的真空容器6的内筒壁内侧（中空圆筒型容器的外部），配置有倾斜磁场线圈装置2和RF线圈3。

倾斜磁场线圈装置2具有配置于拍摄区域7侧的主线圈2a和配置于真空容器6侧的屏蔽线圈2b。主线圈2a使拍摄区域7产生倾斜磁场，也使中空圆筒型容器的真空容器6所放置的区域产生所谓的漏磁场。为了抑制针对该中空圆筒型容器的真空容器6所放置的区域的漏磁场，在屏蔽线圈2b流动与主线圈2a相反方向的电流。

主线圈2a具有：z主线圈（中心轴倾斜磁场线圈）9z，其产生磁场强度在z轴方向上线性变化的倾斜磁场；x主线圈（长径倾斜磁场线圈）9x，其产生磁场强度在x轴方向上线性变化的倾斜磁场；以及y主线圈（短径倾斜磁场线圈）9y，其产生磁场强度在y轴方向上线性变化的倾斜磁场。通过分别向z主线圈9z、x主线圈9x以及y主线圈9y依次施加脉冲状的电流，来产生分别向对应的方向倾斜的倾斜磁场，从而能够向磁共振信号赋予被检体40（拍摄区域7）内的位置信息。

屏蔽线圈2b具有：z屏蔽线圈（中心轴用屏蔽线圈）10z，其对z主线圈9z所产生的漏磁场进行抑制；x屏蔽线圈（长径用屏蔽线圈）10x，其对x主线圈9x所产生的漏磁场进行抑制；以及y屏蔽线圈（短径倾斜磁场线圈）10y，其对y主线圈9y所产生的漏磁场进行抑制。

图3是表示在包括y轴和z轴在内的平面（yz平面）剖开本发明的第一实施方式的MRI装置100的剖视图。MRI装置100是形成于拍摄区域7的静磁场8的朝向为水平方向（z轴方向）的水平磁场型MRI装置。另外，如上所述地以相互成为直角的方式设定x轴、y轴以及z轴，原点被设定为拍摄区域7的中心、即作为中空圆筒型容器的真空容器6的中心附近。在磁铁装置1上，以相对于z＝0面而左右（z＜0和z＞0的部分）成对的方式设有静磁场主线圈1a和抑制静磁场向周围的泄露的静磁场屏蔽线圈1b。这些线圈1a、1b分别形成为以z轴为共通的中心轴的圆环形状。静磁场屏蔽线圈1b的内径比静磁场主线圈1a的外径大。另外，这些线圈1a、1b多利用超传导线圈，该情况下，线圈1a、1b收纳在三层构造的容器内。首先，线圈1a、1b与制冷剂的液体氦（He）一起收容在氦容器4内。氦容器4内置于遮挡针对内部的热辐射的辐射屏蔽罩5。而且，作为中空圆筒型容器的真空容器6收容氦容器4以及辐射屏蔽罩5，并使内部保持为真空。即使真空容器6在普通的室温的室内配置，真空容器6内也成为真空，从而室内的热不会通过传导、对流而传递至氦容器4。另外，辐射屏蔽罩5抑制室内的热通过辐射而从真空容器6传递至氦容器4。因此，线圈1a、1b能够稳定地设定为液体氦的温度即极低温，并能够作为超传导电磁铁而发挥功能。氦容器4、辐射屏蔽罩5、真空容器6使用非磁性的部件以免产生不需要的磁场，并且，因为容易保持真空所以使用非磁性的金属。因此，在氦容器4、辐射屏蔽罩5、尤其配置于最外周的真空容器6容易产生上述涡流。

倾斜磁场线圈装置2具有筒状的形状，配置为内置RF线圈3和拍摄区域7。倾斜磁场线圈装置2的外筒壁以沿中空圆筒型容器即真空容器6的内筒壁对置的方式形成。

RF线圈3也具有筒状的形状，并配置为内置拍摄区域7。RF线圈3的外筒壁以沿倾斜磁场线圈装置2的内筒壁对置的方式形成。RF线圈3向拍摄区域7照射高频脉冲。接收线圈（图示省略）接收来自被检体40的磁共振信号，并向计算机系统（图示省略）发送。计算机系统若接受到来自接收线圈的磁共振信号，则处理该磁共振信号而做成被检体40的断层图像并显示。

图1（a）表示在包括x轴和y轴在内的平面（xy平面）剖开本发明的第一实施方式的倾斜磁场线圈装置2的剖视图。在（倾斜磁场）主线圈2a的外侧，配置有（倾斜磁场）屏蔽线圈2b。（倾斜磁场）主线圈2a的剖面形状呈椭圆形，（倾斜磁场）屏蔽线圈2b的剖面形状呈（正）圆形。在（倾斜磁场）主线圈2a中，x轴方向成为长轴（长径），y轴方向成为短轴（短径）。

主线圈2a具有：z主线圈（中心轴倾斜磁场线圈）9z，其在磁场区域7产生磁场强度在z轴方向上线性变化的倾斜磁场；x主线圈（长径倾斜磁场线圈）9x，其在磁场区域7产生磁场强度在x轴方向（长径方向）上线性变化的倾斜磁场；以及y主线圈（短径倾斜磁场线圈）9y，其在磁场区域7产生磁场强度在y轴方向（短径方向）上线性变化的倾斜磁场。而且，以使主线圈2a的x主线圈9x、y主线圈9y、z主线圈9z产生倾斜磁场的磁场区域7与MRI装置100的拍摄区域7（参照图2）重叠且一致的方式，倾斜磁场线圈装置2在MRI装置100上具备。主线圈2a的x主线圈（长径倾斜磁场线圈）9x、y主线圈（短径倾斜磁场线圈）9y以及z主线圈（中心轴倾斜磁场线圈）9z从拍摄区域7（z轴）侧依次地隔着未图示的绝缘层层叠。

屏蔽线圈2b具有z屏蔽线圈（中心轴用屏蔽线圈）10z、x屏蔽线圈（长径用屏蔽线圈）10x以及y屏蔽线圈（短径倾斜磁场线圈）10y。屏蔽线圈2b的z屏蔽线圈（中心轴用屏蔽线圈）10z、y屏蔽线圈（短径用屏蔽线圈）10y以及x屏蔽线圈（长径用屏蔽线圈）10x从拍摄区域7（z轴）侧依次隔着未图示的绝缘层层叠。

按照这些顺序层叠的理由如下述。x主线圈（长径倾斜磁场线圈）9x具有隔着z轴（中心轴）而在x方向上对置的一对线圈，y主线圈（短径倾斜磁场线圈）9y具有隔着z轴（中心轴）而在y方向上对置的一对线圈。x主线圈（长径倾斜磁场线圈）9x的成对的各个线圈的中央与y主线圈（短径倾斜磁场线圈）9y的成对的各个线圈的中央相比，离生成倾斜磁场的拍摄区域7的中心（z轴）的距离较远，从而为了生成相同的大小的磁场强度的倾斜磁场，x主线圈（长径倾斜磁场线圈）9x需要比y主线圈（短径倾斜磁场线圈）9y大的磁能。为了尽量缩小该磁能，使x主线圈9x比y主线圈9y接近拍摄区域7（z轴）侧。x屏蔽线圈10x尽量远离x主线圈9x，并在屏蔽线圈2b中配置于最外侧，以便减小与x主线圈9x的相互作用，从而难以减小x主线圈9x所生成的倾斜磁场。

另外，z主线圈（中心轴倾斜磁场线圈）9z由于线圈图形的不同，与x主线圈9x、y主线圈9y相比，能够以较小的磁能生成较大的磁场强度的倾斜磁场。因此，z主线圈9z配置于主线圈2a的最外侧。即使z屏蔽线圈10z接近z主线圈9z而相互作用变大，作为中心轴倾斜磁场线圈整体的磁能也不会比长径倾斜磁场线圈以及短径倾斜磁场线圈大，从而z屏蔽线圈10z在屏蔽线圈2b中配置于最内侧。这些配置的结果能够决定主线圈9x、9y、9z的从z轴侧开始的配置的顺序，并能够决定屏蔽线圈10x、10y、10z的从z轴侧开始的配置的顺序。

如上所述，根据使磁能均匀的观点，对主线圈9x、9y、9z和屏蔽线圈10x、10y、10z的从z轴侧开始的顺序（层叠顺序、距离）的配置进行了说明。接下来，根据减少向磁铁装置1侧泄露的漏磁场的观点，对主线圈9x、9y、9z、屏蔽线圈10x、10y、10z的配置、尤其漏磁场容易变大的y主线圈9y和y屏蔽线圈10y的配置进行说明。

对于y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔dxy、dyy而言，由于y主线圈9y的剖面形状为椭圆形，所以长径方向（x方向）的间隔dxy和短径方向（y方向）的间隔dyy不同。而且，长径方向（x方向）的间隔dxy比短径方向（y方向）的间隔dyy窄（dxy＜dyy）。此外，线圈的间隔作为如下间隔，即，假定对每个线圈配置线圈的曲面，每个线圈的曲面以及其延长面的相互间的距离（间隔）。

同样，对于x主线圈9x与x屏蔽线圈10x的间隔dxx、dyx而言，由于x主线圈9x的剖面形状为椭圆形，所以长径方向（x方向）的间隔dxx和短径方向（y方向）的间隔dyx不同。而且，长径方向（x方向）的间隔dxx比短径方向（y方向）的间隔dyx窄（dxx＜dyx）。

另外，由于以由x主线圈9x和x屏蔽线圈10x夹持y主线圈9y和y屏蔽线圈10y的方式配置，所以在长径方向（x方向）上，x主线圈9x与x屏蔽线圈10x的间隔dxx也比y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔dxy宽（dxy＜dxx），在短径方向（y方向）上，x主线圈9x与x屏蔽线圈10x的间隔dyx也比y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔dyy宽（dyy＜dyx）。

而且，由于y主线圈9y和x主线圈9x的剖面形状为椭圆形，所以短径方向（y方向）上的y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔dyy比长径方向（x方向）上的x主线圈9x与x屏蔽线圈10x的间隔dxx宽（dxx＜dyy）。

另外，y主线圈9y具有隔着z轴（中心轴）而在y方向上对置的一对线圈。y主线圈9y的成对的各个线圈的中央在短径方向（y轴上）配置。而且，通过生成越靠近该成对的线圈的中央（y轴）越强的磁场，来在内侧生成倾斜磁场，在外侧生成漏磁场。

同样，x主线圈9x具有隔着z轴（中心轴）而在x方向上对置的一对线圈。x主线圈9x的成对的各个线圈的中央在长径方向（x轴上）配置。而且，通过生成越靠近该成对线圈的中央（x轴）越强的磁场，来在内侧生成倾斜磁场，在外侧生成漏磁场。

屏蔽线圈10y、10x越靠近主线圈9y、9x，抑制漏磁场的效果越好。因此，乍一看，由于以利用x主线圈9x和x屏蔽线圈10x夹持y主线圈9y和y屏蔽线圈10y的方式配置，所以认为x主线圈9x与x屏蔽线圈10x的间隔（dxx、dyx）比y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔（dxy、dyy）宽的关系在任何情况下均成立，但不是这样，y轴上的y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔dyy比x轴上的x主线圈9x与x屏蔽线圈10x的间隔dxx宽（dxx＜dyy）。

综上所述，y主线圈9y从y轴周边生成主要的漏磁场，x主线圈9x从x轴周边生成主要的漏磁场，此时y轴上的y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔dyy比x轴上的x主线圈9x与x屏蔽线圈10x的间隔dxx宽，从而y屏蔽线圈10y对于主要的漏磁场的磁屏蔽效果不好，由此，在作为整体来看的情况下，y主线圈9y和y屏蔽线圈10y相比x主线圈9x和x屏蔽线圈10x，漏磁场容易变大。

图1（b）是表示以包括y轴和z轴在内的平面（yz平面）剖开本发明的第一实施方式的倾斜磁场线圈装置2的剖视图。为了消除y主线圈9y和y屏蔽线圈10y相比x主线圈9x和x屏蔽线圈10x而漏磁场容易变大的情况，y主线圈9y的中心轴方向（z方向）的长度（的一半）Lmy比x主线圈9x的中心轴方向（z方向）的长度（的一半）Lmx短（Lmy＜Lmx）。由此，能够有效地减少y主线圈9y所引起的漏磁场。此外，图1（b）中，z主线圈9z的中心轴方向（z方向）的长度（的一半）Lmz与x主线圈9x的中心轴方向（z方向）的长度（的一半）Lmx相等（Lmx＝Lmz），但并不局限于此，长度Lmz也可以与长度Lmx不同（Lmx≠Lmz）。另外，图1（b）中，y屏蔽线圈10y的中心轴方向（z方向）的长度（的一半）Lsy、x屏蔽线圈10x的中心轴方向（z方向）的长度（的一半）Lsx、以及z屏蔽线圈10z的中心轴方向（z方向）的长度（的一半）Lsz相互相等（Lsy＝Lsx＝Lsz），但并不局限于此，长度Lsz也可以与长度Lsx不同（Lsx≠Lsz），长度Lsz也可以与长度Lsy不同（Lsy≠Lsz）。另外，y屏蔽线圈10y的中心轴方向（z方向）的长度（的一半）Lsy、x屏蔽线圈10x的中心轴方向（z方向）的长度（的一半）Lsx、以及z屏蔽线圈10z的中心轴方向（z方向）的长度（的一半）Lsz不超过磁铁装置1（真空容器6）的中心轴方向的长度L0（图4（a）参照）（Lsy、Lsx、Lsz≤L0）。

（第一实施方式的变形例一）

图4（a）表示y主线圈（短径倾斜磁场线圈）9y、y屏蔽线圈（短径用屏蔽线圈）10y以及x屏蔽线圈（长径用屏蔽线圈）10x的yz平面的剖视图的第一象限。图4（a）中，作为第一实施方式的变形例一，表示y屏蔽线圈（短径用屏蔽线圈）10y的z方向的长度（的一半）Lsy比y主线圈（短径倾斜磁场线圈）9y的z方向的长度（的一半）Lmy长很多的情况（Lsy＞＞Lmy（基准））。理想的是，若无限变长y屏蔽线圈10y的长度Lsy，则能够使向真空容器6（磁铁装置1）侧泄露的漏磁场为零。但是，实际上，无法无限变长长度Lsy。如图4（a）所示，y屏蔽线圈10y的z方向的长度Lsy比y主线圈9y的z方向的长度Lmy长很多。此处，所谓长很多，指的是长度Lmy与Lsy的差量αa（＝Lsy-Lmy）、y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔βa满足关系式αa＞＞βa，即、满足关系式βa/αa＝ε（ε是十分小的值（例如0.2以下））。

而且，y屏蔽线圈10y的z方向的长度Lsy比x屏蔽线圈10x的z方向的长度Lsx长（Lsy＞Lsx）。MRI装置100的外形尺寸大体由磁铁装置1的外形尺寸决定，从而x屏蔽线圈10x和z屏蔽线圈10z被设定为不会从磁铁装置1突出的尺寸。具体而言，x屏蔽线圈10x的z方向的长度Lsx不超过磁铁装置1（真空容器6）的上述中心轴方向的长度（的一半）L0（Lsx≤L0）。根据这些内容，y屏蔽线圈10y的z方向的长度Lsy比磁铁装置1（真空容器6）的中心轴方向（z方向）的长度L0长（Lsy＞L0）。据此，由于仅y屏蔽线圈10y从磁铁装置1突出，所以能够减少由此产生的压迫感，并能够有效地减少y主线圈9y所引起的漏磁场。

（第一实施方式的变形例二）

图4（b）表示y主线圈（短径倾斜磁场线圈）9y和y屏蔽线圈（短径用屏蔽线圈）10y的yz平面的剖视图的第一象限。图4（b）中，作为第一实施方式的变形例二，表示y主线圈（短径倾斜磁场线圈）9y的z方向的长度（的一半）Lmy比y屏蔽线圈（短径用屏蔽线圈）10y的z方向的长度（的一半）Lsy短很多的情况（Lsy（基准）＞＞Lmy）。如图4（b）所示，y屏蔽线圈10y的z方向的长度Lsy与磁铁装置1（真空容器6）的z方向的长度L0相等（Lsy＝L0）。而且，y主线圈9y的z方向的长度Lmy比y屏蔽线圈10y的z方向的长度Lsy短很多。此处，所谓短很多，指的是长度Lmy与Lsy的差量αb（＝Lsy-Lmy）、y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔βb满足关系式αb＞＞βb，即，满足关系式βb/αb＝ε（ε是十分小的值（例如0.2以下））。据此，倾斜磁场线圈装置2不从磁铁装置1突出，从而不会增大压迫感，并能够有效地减少y主线圈9y所引起的漏磁场。

（第一实施方式的变形例三）

图4（c）表示y主线圈（短径倾斜磁场线圈）9y和y屏蔽线圈（短径用屏蔽线圈）10y的yz平面的剖视图的第一象限。图4（c）中，作为第一实施方式的变形例三，表示y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔βc比y主线圈9y的长度Lmy与y屏蔽线圈10y的长度Lsy的差量αc（＝Lsy-Lmy）小很多的情况（αc（基准）＞＞βc）。如图4（c）所示，y屏蔽线圈10y的z方向的长度Lsy与磁铁装置1（真空容器6）的z方向的长度L0相等（Lsy＝L0）。而且，y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔βc比长度Lmy与长度Lsy的差量αc（＝Lsy-Lmy）小很多。若缩小y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔βc，则能够容易地减少y主线圈9y所引起的漏磁场。为了缩小y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔βc，将图1所示的具有层叠构造的倾斜磁场主线圈2a的y主线圈9y的层叠顺序设为外侧（磁铁装置1侧），将具有层叠构造的倾斜磁场屏蔽线圈2b的y屏蔽线圈10y的层叠顺序设为内侧（中心轴（z轴）侧）即可。这样，也能够不增大压迫感，并能够有效地减少y主线圈9y所引起的漏磁场。

在图4（b）所示的y主线圈9y的长度Lmy比y屏蔽线圈10y的长度Lsy短很多（Lsy（基准）＞＞Lmy）的情况下，为了确保y主线圈9y的匝数而增大电流密度，并相应地变大磁能，从而若能够在适当的范围内决定y主线圈9y的长度Lmy，则不仅能够减少y主线圈9y所引起的漏磁场，也能够确保在拍摄区域7生成的倾斜磁场所需要的磁场强度。上述的考虑也能够应用于x主线圈9x和x屏蔽线圈10x。即，可以使x屏蔽线圈10x的z方向的长度Lsx（参照图1（b））与磁铁装置1（真空容器6）的z方向的长度L0相等（Lsx＝L0），而比x主线圈9x的z方向的长度Lmx（参照图1（b））短。如图1（a）所示，x主线圈9x由于长径而从远的位置在拍摄区域（磁场区域）7生成倾斜磁场，磁能原本比y主线圈9y大，从而缩短x主线圈9x的z方向的长度Lmx（参照图1（b））的余裕基本没有。但是，如上所述，长径方向（x方向）的x主线圈9x与x屏蔽线圈10x的间隔dxx比短径方向（y方向）的y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔dyy窄（dxx＜dyy），从而对于漏磁场而言，x主线圈9x和x屏蔽线圈10x比y主线圈9y和y屏蔽线圈10y小。因而，可以认为以使y主线圈9y和y屏蔽线圈10y所引起的漏磁场的大小相当于x主线圈9x和x屏蔽线圈10x所引起的漏磁场的方式使y主线圈9y的z方向的长度Lmy比x主线圈9x的z方向的长度Lmx短是适当的方法。此外，对于z主线圈9z和z屏蔽线圈10z的z方向的长度Lmz、Lsz，x主线圈9x和x屏蔽线圈10x的z方向的长度Lmx、Lsx可以相等也可以不同。

接下来，为了减少上述的漏磁场，使y主线圈9y的z方向的长度Lmy比x主线圈9x的z方向的长度Lmx短是有效的，这通过后述的数值计算确定。

图5（a）表示在xy平面剖开比较例一的倾斜磁场线圈装置2A的剖视图，图5（b）表示在yz平面剖开比较例一的倾斜磁场线圈装置2A的剖视图。如图5（a）所示，比较例一与第一实施方式的不同点在于，（倾斜磁场）主线圈2a的剖面形状为圆形。另外，屏蔽线圈2b的z屏蔽线圈10z、x屏蔽线圈10x以及y屏蔽线圈10y从拍摄区域（磁场空间）7侧按该顺序依次层叠。x主线圈9x和y主线圈9y的剖面形状均为圆形，从而若配置为相同直径则两者的磁能相等。但是，实际上，以相互不干涉的方式沿径向错开地配置x主线圈9x和y主线圈9y。由于x主线圈9x配置于y主线圈9y的内侧（中心轴侧），所以为了将y主线圈9y和y屏蔽线圈10y相对于x主线圈9x和x屏蔽线圈10x的磁能偏离抑制为最小限，将x屏蔽线圈10x和y屏蔽线圈10y的层叠顺序变更为第一实施方式，使x主线圈9x与x屏蔽线圈10x的间隔dxx、dyx、y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔dxy、dyy相等（dyx＝dxx＝dyy＝dxy）。此外，将容易生成磁场的z主线圈9z配置于主线圈2a的最外侧，将z屏蔽线圈10z配置于屏蔽线圈2b的最内侧。

另外，如图5（b）所示，x主线圈9x的z方向的长度Lmx、y主线圈9y的z方向的长度Lmy、z主线圈9z的z方向的长度Lmz相等（Lmx＝Lmy＝Lmz）。另外，x屏蔽线圈10x的z方向的长度Lsx、y屏蔽线圈10y的z方向的长度Lsy、z屏蔽线圈10z的z方向的长度Lsz相等（Lsx＝Lsy＝Lsz）。

图6表示通过数值计算求出的、由比较例一的y主线圈9y和y屏蔽线圈10y在区域Cy1产生的磁通量密度（漏磁场）的垂直于z轴的y成分、由比较例一的x主线圈9x和x屏蔽线圈10x在区域Cx1产生的磁通量密度（漏磁场）的垂直于z轴的x成分。此处，如图5（a）和图5（b）所示，区域Cy1是从屏蔽线圈2b沿短径方向远离、屏蔽线圈2b的z方向的端部的z坐标za～zb的范围的区域。尤其，z坐标zb与屏蔽线圈2b的端面的z坐标一致。区域Cx1是从屏蔽线圈2b沿长径方向远离、屏蔽线圈2b的z方向的端部的z坐标za～zb的范围的区域。区域Cy1和区域Cx1被认为是配置磁铁装置1（参照图2）的区域中各自的漏磁场最大的区域。

区域Cx1的（x主线圈9x和x屏蔽线圈10x所引起的）磁通量密度分布以实线描绘，区域Cy1的（y主线圈9y和y屏蔽线圈10y所引起的）磁通量密度分布以单点划线描绘。各自的磁通量密度分布相互一致，并且在z坐标zp中取得最大值。此外，区域Cy1的磁通量密度分布比区域Cx1的磁通量密度分布稍大，这是由于y主线圈9y比x主线圈9x靠近外侧，y屏蔽线圈10y比x屏蔽线圈10x靠外侧。

图7（a）表示在xy平面剖开比较例二的倾斜磁场线圈装置2B的剖视图，图7（b）表示在yz平面剖开比较例二的倾斜磁场线圈装置2B的剖视图。如图7（b）所示，比较例二与第一实施方式的不同点在于，y主线圈9y的z方向的长度Lmy与x主线圈9x的z方向的长度Lmx、z主线圈9z的z方向的长度Lmz相等。

图8表示通过数值计算求出的、由比较例二的y主线圈9y和y屏蔽线圈10y在区域Cy2产生的磁通量密度（漏磁场）的垂直于z轴的y成分、由比较例二的x主线圈9x和x屏蔽线圈10x在区域Cx2产生的磁通量密度（漏磁场）的垂直于z轴的x成分。此处，如图7（a）和图7（b）所示，区域Cy2是从屏蔽线圈2b沿短径方向远离、屏蔽线圈2b的z方向的端部的z坐标za～zb的范围的区域。尤其，z坐标zb与屏蔽线圈2b的端面的z坐标一致。区域Cx2是从屏蔽线圈2b沿长径方向远离、屏蔽线圈2b的z方向的端部的z坐标za～zb的范围的区域。区域Cy2和区域Cx2被认为是配置磁铁装置1（参照图2）的区域中各自的漏磁场最大的区域。

区域Cx2的（x主线圈9x和x屏蔽线圈10x所引起的）磁通量密度分布以实线描绘，区域Cy2的（y主线圈9y和y屏蔽线圈10y所引起的）磁通量密度分布以单点划线描绘。区域Cy2的磁通量密度分布（漏磁场）比区域Cx2的磁通量密度分布（漏磁场）大。对于各自的磁通量密度分布而言，均在z坐标zp中取得最大值Bpy、Bpx。区域Cy2的磁通量密度分布（漏磁场）的最大值Bpy比区域Cx2的磁通量密度分布（漏磁场）的最大值Bpx大。

由此，比较比较例一和比较例二时，若主线圈2a的剖面形状从圆形成为椭圆形，则y主线圈9y所引起的漏磁场比x主线圈9x所引起的漏磁场大，通过数值计算而确定。

比较例二中，若使y主线圈9y的z方向的长度Lmy比x主线圈9x的z方向的长度Lmx短，则成为第一实施方式。后述中，若缩短该y主线圈9y的z方向的长度Lmy，则y主线圈9y所引起的漏磁场降低，这通过数值计算而确定。

图9A表示由第一实施方式的y主线圈9y和y屏蔽线圈10y在区域Cy2产生的磁通量密度的垂直于z轴的y成分的最大值Bpy（漏磁场）相对于y主线圈9y的z方向的长度Lmy的图表。当图表的横轴的长度Lmy与x主线圈9x的z方向的长度Lmx相等时（Lmy＝Lmx），相当于比较例二的情况。可知长度Lmy相比长度Lmx越短，最大值Bpy（漏磁场）越小。

由x主线圈9x和x屏蔽线圈10x在区域Cx2产生的磁通量密度的垂直于z轴的x成分的最大值Bpx（漏磁场）不取决于长度Lmy而独立决定，并固定长度Lmx，从而在图9A中表示恒定值。因此，当使长度Lmy比长度Lmx短差量DL1（Lmy＝Lmx-DL1）时，能够使最大值Bpy（y主线圈9y所引起的漏磁场）与最大值Bpx（x主线圈9x所引起的漏磁场）相等（Bpy＝Bpx）。并且，若缩短长度Lmy（Lmy＜Lmx-DL1），则能够使最大值Bpy（y主线圈9y所引起的漏磁场）比最大值Bpx（x主线圈9x所引起的漏磁场）小（Bpy＜Bpx）。

由此，若长度Lmy比长度Lmx短的差量DL不是零而是正值（DL＞0），则能够缩小最大值Bpy（y主线圈9y所引起的漏磁场）从而有效。并且，若差量DL为差量DL1以上（DL≥DL1），则能够进一步缩小最大值Bpy（y主线圈9y所引起的漏磁场），从而能够使之为最大值Bpx（x主线圈9x所引起的漏磁场）以下（Bpy≤Bpx）。

此外，漏磁场所引起的断层图像的恶化被最大值Bpy（y主线圈9y所引起的漏磁场）和最大值Bpx（x主线圈9x所引起的漏磁场）中大的一方限制，从而若将最大值Bpy（y主线圈9y所引起的漏磁场）降至最大值Bpx（x主线圈9x所引起的漏磁场）则足够。因此，认为优选的是，差量DL等于差量DL1（DL＝DL1）即可。

图9B表示积蓄于第一实施方式的y主线圈9y和y屏蔽线圈10y的磁能Ey相对于y主线圈9y的z方向的长度Lmy的图表。当图表的横轴的长度Lmy与x主线圈9x的z方向的长度Lmx相等（Lmy＝Lmx）时，相当于比较例二的情况。可知长度Lmy相比长度Lmx越短，磁能Ey越大。

积蓄于x主线圈9x和x屏蔽线圈10x的磁能Ex不取决于长度Lmy而独立决定，并固定长度Lmx，从而在图9B中表示恒定值。因此，当使长度Lmy比长度Lmx短差量DL2（Lmy＝Lmx-DL2）时，能够使磁能Ey与磁能Ex相等（Ey＝Ex）。由此，若使长度Lmy比长度Lmx短的差量DL为差量DL2以下（DL≤DL2），则能够使磁能Ey为磁能Ex以下（Ey≤Ex）。

第一实施方式中，差量DL2大于等于差量DL1（DL1≤DL2）。因此，能够设定差量DL2以下（DL≤DL2）、且差量DL1以上的（DL≥DL1）差量DL（DL1≤DL≤DL2）。尤其能够将差量DL设定为差量DL1（DL＝DL1）。

与第一实施方式不同，考虑差量DL2比差量DL1小（DL2＜DL1）的情况。该情况下，无法设定差量DL2以下（DL≤DL2）、且差量DL1以上的（DL≥DL1）差量DL（（DL≤）DL2＜DL1（≤DL））。这样的情况下，能够将差量DL设定为差量DL2（DL＝DL2）。这样，也能够缩小y主线圈9y所引起的漏磁场。由此，考虑将差量DL设定为差量DL1和差量DL2中小的一方的值即可。

而且，可知y主线圈9y的长度Lmy和x主线圈9x的长度Lmx通过后述的方法决定即可。首先，以成为要求的漏磁场的值的方式决定长度Lmx。接下来，缩短长度Lmy（增大差量DL），将差量DL设定为磁能Ey等于磁能Ex的差量DL2。但是，在达到差量DL2前达到差量DL1的情况下，将差量DL设定为差量DL1。

如上所述，若y主线圈9y的z方向的长度Lmy比x主线圈9x的z方向的长度Lmx短，则各自的磁能Ey、Ex同等，并且各自的漏磁场也能够同等，从而能够得到最佳的配置。

图10A（a）表示在中心轴（z轴）的周向（θ方向）上展开y主线圈9y的线圈图形图。图10A（b）表示在中心轴（z轴）的周向（θ方向）上展开x主线圈9x的线圈图形图。根据这些图，可知y主线圈9y的z方向的长度Lmy比x主线圈9x的z方向的长度Lmx短差量DL。

图10B（a）表示在中心轴（z轴）的周向（θ方向）上展开y屏蔽线圈10y的线圈图形图。图10A（b）表示在中心轴（z轴）的周向（θ方向）上展开x屏蔽线圈10x的线圈图形图。x屏蔽线圈10x的线圈图形的匝数为13匝，y屏蔽线圈10y的线圈图形的匝数为10匝。可知y屏蔽线圈10y的线圈图形的匝数比x屏蔽线圈10x的线圈图形的匝数少。

（第二实施方式）

图11（a）表示在包括x轴和y轴在内的平面（xy平面）剖开本发明的第二实施方式的倾斜磁场线圈装置2的剖视图。图11（b）表示在包括y轴和z轴在内的平面（yz平面）剖开本发明的第二实施方式的倾斜磁场线圈装置2的剖视图。第二实施方式与第一实施方式的不同点在于，主线圈2a的层叠顺序不同。主线圈2a按照x主线圈9x、z主线圈9z、y主线圈9y的顺序从拍摄区域（磁场空间）7（z轴）侧开始层叠。即，y主线圈9y配置于主线圈2a的最外侧，在相对于y主线圈9y的拍摄区域（磁场空间）7（z轴）侧设置x主线圈9x和z主线圈9z。由此，与第一实施方式的变形例3相同，能够变窄y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔βc（参照图4（c））。由此，能够减少y主线圈9y所引起的漏磁场。因此，能够省略第一实施方式的y主线圈9y的z方向的长度Lmy的缩短，但也可以配合地实施。若配合地实施，则能够协同地减少y主线圈9y所引起的漏磁场。此外，第二实施方式中，磁能Ey变大，但即使如此，也优选磁能Ey比磁能Ex小（Ey＜Ex）。此外，若如第一实施方式的变形例三那样，变窄y主线圈9y与y屏蔽线圈10y的间隔βc（参照图4（c）），则也可以变更屏蔽线圈2b的层叠顺序。即，也可以在屏蔽线圈2b的最靠近拍摄区域（磁场空间）7（z轴）侧设置y屏蔽线圈10y。具体而言，也可以在相对于x屏蔽线圈10x和z屏蔽线圈10z的拍摄区域（磁场空间）7（z轴）侧设置y屏蔽线圈10y。

符号说明

1—磁铁装置，2—倾斜磁场线圈装置，2a—倾斜磁场主线圈，2b—倾斜磁场屏蔽线圈，6—真空容器，7—拍摄区域（磁场空间），9x—x主线圈（长径倾斜磁场线圈），9y—y主线圈（短径倾斜磁场线圈），9z—z主线圈（中心轴倾斜磁场线圈），10x—x屏蔽线圈（长径用屏蔽线圈），10y—y屏蔽线圈（短径用屏蔽线圈），10z—z屏蔽线圈（中心轴用屏蔽线圈），100—MRI装置（磁共振成像装置）。

Claims (9)

1.一种倾斜磁场线圈装置，具有：

长径倾斜磁场线圈，其垂直于中心轴方向的剖面形状为椭圆形，并在磁场空间生成磁场强度向所述椭圆形的长径方向倾斜的倾斜磁场；以及

短径倾斜磁场线圈，其垂直于所述中心轴方向的剖面形状为椭圆形，并在所述磁场空间生成磁场强度向所述椭圆形的短径方向倾斜的倾斜磁场，

该倾斜磁场线圈装置的特征在于，

所述短径倾斜磁场线圈的所述中心轴方向的长度比所述长径倾斜磁场线圈的所述中心轴方向的长度短。

2.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

所述短径倾斜磁场线圈的磁能为所述长径倾斜磁场线圈的磁能以下。

3.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

由所述短径倾斜磁场线圈在所述磁场空间以外的空间产生的漏磁场的最大值为由所述长径倾斜磁场线圈在所述磁场空间以外的空间产生的漏磁场的最大值以下。

4.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，具有：

长径用屏蔽线圈，其垂直于所述中心轴方向的剖面形状为圆形，并对由所述长径倾斜磁场线圈在所述磁场空间以外的空间产生的漏磁场进行抑制；以及

短径用屏蔽线圈，其垂直于所述中心轴方向的剖面形状为圆形，并对由所述短径倾斜磁场线圈在所述磁场空间以外的空间产生的漏磁场进行抑制，

所述长径用屏蔽线圈和所述短径用屏蔽线圈的所述中心轴方向的长度为在所述磁场空间重叠磁场强度均匀的静磁场的磁铁装置的所述中心轴方向的长度以下。

5.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，具有：

长径用屏蔽线圈，其垂直于所述中心轴方向的剖面形状为圆形，并对由所述长径倾斜磁场线圈在所述磁场空间以外的空间产生的漏磁场进行抑制；以及

短径用屏蔽线圈，其垂直于所述中心轴方向的剖面形状为圆形，并对由所述短径倾斜磁场线圈在所述磁场空间以外的空间产生的漏磁场进行抑制，

所述长径用屏蔽线圈和所述短径用屏蔽线圈的所述中心轴方向的长度相等。

6.一种倾斜磁场线圈装置，具有：

长径倾斜磁场线圈，其垂直于中心轴方向的剖面形状为椭圆形，并在磁场空间生成磁场强度向所述椭圆形的长径方向倾斜的倾斜磁场；

短径倾斜磁场线圈，其垂直于所述中心轴方向的剖面形状为椭圆形，并在所述磁场空间生成磁场强度向所述椭圆形的短径方向倾斜的倾斜磁场；

长径用屏蔽线圈，其垂直于所述中心轴方向的剖面形状为圆形，并对由所述长径倾斜磁场线圈在所述磁场空间以外的空间产生的漏磁场进行抑制；以及

短径用屏蔽线圈，其垂直于所述中心轴方向的剖面形状为圆形，并对由所述短径倾斜磁场线圈在所述磁场空间以外的空间产生的漏磁场进行抑制，

该倾斜磁场线圈装置的特征在于，

所述短径用屏蔽线圈的所述中心轴方向的长度比所述长径用屏蔽线圈的所述中心轴方向的长度长。

7.根据权利要求6所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

所述短径用屏蔽线圈的所述中心轴方向的长度超过在所述磁场空间重叠磁场强度均匀的静磁场的磁铁装置的所述中心轴方向的长度，

所述长径用屏蔽线圈的所述中心轴方向的长度为所述磁铁装置的所述中心轴方向的长度以下。

8.一种倾斜磁场线圈装置，具有：

长径倾斜磁场线圈，其垂直于中心轴方向的剖面形状为椭圆形，并在磁场空间生成磁场强度向所述椭圆形的长径方向倾斜的倾斜磁场；

短径倾斜磁场线圈，其垂直于所述中心轴方向的剖面形状为椭圆形，并在所述磁场空间生成磁场强度向所述椭圆形的短径方向倾斜的倾斜磁场；以及

中心轴倾斜磁场线圈，其垂直于所述中心轴方向的剖面形状为椭圆形，并在所述磁场空间生成磁场强度向所述中心轴方向倾斜的倾斜磁场，

该倾斜磁场线圈装置的特征在于，

在相对于所述短径倾斜磁场线圈的所述磁场空间的一侧，设置所述长径倾斜磁场线圈和所述中心轴倾斜磁场线圈。

9.一种磁共振成像装置，其特征在于，

具备权利要求1～8中任一项所述的倾斜磁场线圈装置，将所述磁场空间设为拍摄区域。