CN103275247B - 一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法 - Google Patents

一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于化学合成领域,具体涉及到区域选择性反应,即全TMS保护基保护的环糊精的伯位即6位TMS保护基的选择性脱除方法。本发明是一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法,以全TMS保护的环糊精为底物,以有机溶剂为溶剂,在催化剂作用下及一定温度下,搅拌到原料消失,伯位即6位的三甲基硅基可完全选择性去除,而其它位置上的三甲基硅基仍存在。本发明的乙酸、或甲酸或草酸是一种区域选择性高的三甲基硅基保护基的脱除剂,只脱除6位三甲基硅基保护基,其他位置不受影响;反应条件温和,后处理简单,而且其他保护基如TMS,乙酰基、甲基、乙基、苯基、苄基、烯丙基均不受影响。该方法具有区域选择性高、操作简单、条件温和、产率高、催化剂易得廉价等特点。<!--1-->

Description

一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法
技术领域
本发明属于化学合成领域,具体涉及到区域选择性反应,即全TMS保护基保护的环糊精的伯位即6位TMS保护基的选择性脱除方法。
背景技术
环糊精(Cyclodextrins,CDs)是由一定数量的D-(+)-吡喃葡萄糖通过α-1,4糖苷键首尾相连形成的环状低聚糖。习惯上用一个希腊字母表示其葡萄糖单元数目,其中最常见的是α-、β-、γ-环糊精,分别有6、7和8个葡萄糖单元。环糊精能够利用自身空腔与客体分子发生包结作用,改善客体分子的水溶性、稳定性和生物相容性等性质,在药物载体方面得到了广泛的研究和应用。一般地,对环糊精选择性化学修饰的方法可分为三类:(1)比较“冗长”的方法,需要进行一系列的官能团保护和脱保护步骤。(2)比较“聪明”的方法,就是用最短的时间,让反应物直接取代环糊精上的羟基。(3)比较“繁琐”的方法,把环糊精上的各羟基无区别地被取代,得到混合物。接着通过各种方法,分离出目标产物。
全三甲基硅基(TMS)保护的环糊精重要的有机合成前体。文献中20℃下N-三甲基硅烷咪唑的无水二氯甲烷溶液滴加到环糊精的的DMF溶液中中反应得到。TMS保护的环糊精主要有以下几方面用途:一是极大改善了环糊精在有机溶剂中的溶解性;二是将六位脱保护之后在6位羟基上可以进行一系列的修饰,从而得到许多环糊精衍生物,这在环糊精化学合成中具有重要的价值。
尚未有文献报道选择性脱除全TMS环糊精伯位TMS的方法。
发明内容
本发明正是针对现有技术的不足之处作出的改进,提出了一种新的脱除环糊精伯位三甲基硅基保护基的高效、低廉、温和的方法,以乙酸作为三甲基硅基的脱除试剂,克服现有技术的缺失和缺陷。
本发明的具体技术方案如下:
本发明是一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法,以全TMS保护的环糊精为底物,以有机溶剂为溶剂,在催化剂作用下及一定温度下,搅拌到原料消失,伯位即6位的三甲基硅基可完全选择性去除,而其它位置上的三甲基硅基仍存在。
作为进一步的改进,本发明所述的催化剂是乙酸或甲酸或草酸,可用于只脱除环糊精伯位的三甲基硅基保护基。
作为进一步的改进,本发明所述的底物环糊精包括α-环糊精、β-环糊精、γ-环糊精及其多糖。
作为进一步的改进,本发明所述的催化剂与全TMS保护的环糊精反应时,催化剂与环糊精底物的摩尔比为0.6~3.2:1。
作为进一步的改进,本发明所述的有机溶剂是石油醚或乙酸乙酯或二氯甲烷或氯仿或丙酮或甲醇或乙醇或DMF。
作为进一步的改进,本发明所述的有机溶剂是石油醚或乙酸乙酯或二氯甲烷或氯仿或丙酮或甲醇或乙醇或DMF。
作为进一步的改进,本发明所述的反应温度控制为0~40℃。
本发明的有益效果为:乙酸、或甲酸或草酸是一种区域选择性高的三甲基硅基保护基的脱除剂,只脱除6位三甲基硅基保护基,其他位置不受影响;反应条件温和,后处理简单,而且其他保护基如TMS,乙酰基、甲基、乙基、苯基、苄基、烯丙基均不受影响。该方法具有区域选择性高、操作简单、条件温和、产率高、催化剂易得廉价等特点。
具体实施方式
本发明提供了一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法,申请人经过研究发现,乙酸、或甲酸或草酸具有脱除三甲基硅基保护基的特性,但反应只需控制在室温下,就可高度选择地只与伯位三甲基硅基反应,有效地提高了制备环糊精单伯羟基化合物的效率,为环糊精化学和有机化学提供了一种简便的合成方法。本发明的具体发明内容为:乙酸、或甲酸或草酸用于全三甲基硅基保护基保护的环糊精衍生物的6位三甲基硅基保护基脱除的催化剂,其中乙酸、或甲酸或草酸与全三甲基硅基保护基保护的环糊精的摩尔比为0.6~3.2:1,以石油醚、乙酸乙酯、二氯甲烷、氯仿、丙酮、甲醇、乙醇或DMSO为溶剂,在0~40℃搅拌到原料全TMS环糊精在薄层层析观察下消失。
下面通过具体实施例对本发明的技术方案作进一步的说明:
实施例1
2,3-三甲基硅基-α-环糊精的合成
1g2,3,6-三三甲基硅基-α-环糊精溶于20ml丙酮,25ml甲醇,加入79μl草酸,10℃下搅拌反应,等反应完成后,用水、饱和食盐水依次洗涤,无水硫酸镁干燥,有机层过滤、减压旋干,柱层析得0.72g2,3-二三甲基硅基-α-环糊精,收率90%。
1HNMR(400MHz,CDCl3):δ(ppm)0.20-0.10(m,108H,Si(CH3)3);2.9-4.2(m,36H,H-2,3,4,5,6a,6b);5.09(d,6H,H-1).
13CNMR(100MHz,CDCl3):δ(ppm):8.00-0.00(Si(CH3)3);62.35(C-6);74.82(C-5);79.54(C-3);80.90(C-2);81.08(C-4);98.51(C-1).
MALDI-TOFm/z1861.92[M+Na]+
实施例2
2,3-三甲基硅基-β-环糊精的合成
1g2,3,6-三三甲基硅基-β-环糊精溶于20ml丙酮,25ml甲醇,加入65μl乙酸,10℃下搅拌反应,等反应完成后,用水、饱和食盐水依次洗涤,无水硫酸镁干燥,有机层过滤、减压旋干,柱层析得74g2,3-二三甲基硅基-β-环糊精,收率92%。
1HNMR(400MHz,CDCl3):δ(ppm)0.24-0.16(m,126H,Si(CH3)3);2.9-4.5(m,42H,H-2,3,4,5,6a,6b);5.12(d,6H,H-1).
13CNMR(100MHz,CDCl3):δ(ppm):9.00-0.00(Si(CH3)3);63.15(C-6);76.02(C-5);80.50(C-3);81.60(C-2);83.23(C-4);98.91(C-1).MALDI-TOFm/z2168.42[M+Na]+
实施例3
2,3-三甲基硅基-γ-环糊精的合成
1g2,3,6-三三甲基硅基-γ-环糊精溶于20ml丙酮,25ml甲醇,加入57μl甲酸,5℃下搅拌反应,等反应完成后,用水、饱和食盐水依次洗涤,无水硫酸镁干燥,有机层过滤、减压旋干,柱层析得72g2,3-二三甲基硅基-γ-环糊精,收率89%。
1HNMR(400MHz,CDCl3):δ(ppm)2.9-4.7(m,48H,H-2,3,4,5,6a,6b);5.14(d,6H,H-1);0.30-0.20(m,144H,Si(CH3)3).
13CNMR(100MHz,CDCl3):δ(ppm):10.00-0.00(Si(CH3)3);61.39(C-6);74.27(C-5);79.55(C-3);80.57(C-2);81.40(C-4);98.74(C-1).
MALDI-TOFm/z2474.92[M+Na]+
以上列举的仅是本发明的一个具体实施例,显然,本发明不限于以上实施例,还可以有许多变形,本领域的普通技术人员能从本发明公开的内容直接导出或联想到的所有变形,均应认为是本发明的保护范围。
项目资助:国家自然科学基金30870553;国家国际科技合作项目2010DFA34370。

Claims (4)

1.一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法,其特征在于,以全TMS保护的环糊精为底物,以有机溶剂为溶剂,在催化剂作用下及一定温度下,搅拌到原料消失,伯位即6位的三甲基硅基可完全选择性去除,而其它位置上的三甲基硅基仍存在,所述的催化剂是乙酸或甲酸或草酸,可用于只脱除环糊精伯位的三甲基硅基保护基,所述的一定温度是0~40℃。
2.根据权利要求1所述选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法,其特征在于,所述的底物环糊精包括α-环糊精、β-环糊精或γ-环糊精。
3.根据权利要求1或2所述选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法,其特征在于,所述的催化剂与全TMS保护的环糊精反应时,催化剂与环糊精底物的摩尔比为0.6~3.2:1。
4.根据权利要求1或2所述选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法,其特征在于,所述的有机溶剂是石油醚或乙酸乙酯或二氯甲烷或氯仿或丙酮或甲醇或乙醇或DMF。
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"Regioselective 6-detrimethylsilylation of per-O-TMS-protected carbohydrates in the presence of ammonium acetate";Yanli Cui等;《Tetrahedron Letters》;20130518;第54卷;第3831-3833页 *

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