CN103270465A - 用于过程变化和电源调制的准确偏置跟踪 - Google Patents

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Abstract

一种电流镜包括偏置支路，偏置支路包括：在电压源与接地之间串联的第一晶体管和第二晶体管；在电压源与接地之间耦合的分压器；以及运算放大器，被配置为接收分压器的分压电压和在第一晶体管与第二晶体管之间的节点的电压，并且驱动第二晶体管的栅极以将节点拉向分压电压。该电流镜还包括耦合到偏置支路的功率放大器核心。功率放大器核心包括在电压源与接地之间串联配置的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管。耦合第一晶体管和第一驱动晶体管的栅极，并且耦合第二晶体管和第二驱动晶体管的栅极。

Description

用于过程变化和电源调制的准确偏置跟踪
有关申请的交叉引用
本申请要求对Leong等人的、标题为“Accurate Bias Tracking forProcess Variation and Supply Modulation”、于2010年12月23日提交的第61/426,740号美国临时申请的优先权，出于所有目的通过引用其整体将其并入于此。
技术领域
本发明的实施例主要地涉及电流镜电路，并且更具体而言，本发明的实施例涉及用于电流镜电路中的过程变化和电源调制的准确偏置跟踪。
背景技术
除非这里另有明示，在本节中描述的方式不是在本申请中的权利要求的现有技术并且未由于包含于本节而被承认为现有技术。
电流镜是被配置为通过控制电路的另一支路中的电流来复制电路的一个支路中的电流，使得无论电路上的负载是否改变都保持电路的输出电流恒定。复制的电流可以用于DC电源或者AC电源。电流镜在多种应用(比如功率放大)中有用。放大器可以被被配置为接收RF信号并且放大RF信号的功率。为了用放大的功率准确再现RF信号，可以通过电流镜偏置功率放大器，使得功率放大器的电流保持恒定。
图1是已知电流镜100的简化示意图。电流镜包括偏置支路105和功率放大器(PA)核心110。偏置支路105包括串联的晶体管M1和M3，并且PA核心包括串联的晶体管M2和M4。电流镜的晶体管是MOSFET。为了方便，晶体管M1、M2、M3和M4这里有时分别称为M1、M2、M3和M4而无前缀项“晶体管”。M1和M2源极连接到电源Vdd，其中M1经由受控电流源112连接到Vdd并且M2源极经由电感器115连接到Vdd。连接M1的源极和栅极以定义栅极-源极节点，该节点连接到M2的栅极以偏置M2。第一Vout1节点设置于电感器115与M2的源极之间。
M3和M4漏极连接到接地，其中M4漏极经由电感器120连接到接地。连接M3的漏极和栅极以定义栅极-漏极节点，该节点连接到M4的栅极以偏置M4。第二Vout2节点设置于电感器120与M4的漏极之间。M1和M3充当针对Vdd的分压器，其中在M1与M3之间的节点X应当是Vdd/2。类似地，M2和M4充当分压器，其中在节点Y的电压也应当是Vdd/2。节点Y是用于向PA核心中的AC输入的输入节点。
为了电流镜100的准确电流映射，在M1与M3之间的节点X的电压应当跟踪在M2与M4之间的节点Y的电压。然而节点X的电压可能不确定。在节点X的电压的不确定性使得节点Y多于或者少于Vdd/2，这影响电流镜并且由此影响PA核心的线性范围。
发明内容
本发明的实施例主要地涉及电流镜电路，并且更具体而言，本发明的实施例涉及用于电流镜电路中的过程变化和电源调制的准确偏置跟踪。
根据本发明的一个实施例，一种电流镜包括耦合到功率放大器核心的偏置支路。偏置支路包括在电压源与接地之间串联配置的第一和第二晶体管以及在电压源与接地之间耦合的分压器。偏置支路还包括被配置为接收分压器的分压电压和在第一晶体管与第二晶体管之间的节点的电压作为输入的运算放大器。运算放大器被被配置为如果在节点的电压升至在分压电压以上或者降至分压电压以下则驱动第二晶体管的栅极以将节点拉向分压电压。功率放大器核心包括在电压源与接地之间串联配置的第三晶体管和第四晶体管。耦合第一晶体管的栅极和第三晶体管的栅极。耦合第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极。
根据一个具体实施例，第一晶体管和第二晶体管与第三晶体管和第四晶体管互补。
根据另一具体实施例，分压电压是电压源的电压除以二。
根据另一具体实施例，分压器包括串联的第一电阻器、第二电阻器和第三电阻器，其中第一电阻器耦合到电压源，第三电阻器耦合到接地，并且第二电阻器耦合于第一电阻器与第三电阻器之间。第一晶体管的第一源极-漏极区域和第二源极-漏极区域分别耦合到电压源和第二晶体管的第一源极-漏极区域。第二晶体管的第二源极-漏极区域耦合到接地。偏置支路还包括第二运算放大器，第二运算放大器具有：第一输入，耦合到第一晶体管的第一源极-漏极区域；第二输入，在第一电阻器与第二电阻器之间耦合到分压器并且被配置为接收电压源的第二分压电压。第二运算放大器还包括：输出，被配置为如果在第二节点的第二电压升至第二分压电压以上或者降至第二分压电压以下则驱动第一晶体管的栅极以将第二节点拉向第二分压电压。
根据另一具体实施例，偏置支路还包括在第一晶体管的第一源极-漏极区域与栅极之间设置的耦合电容器。
根据另一具体实施例，电流镜还包括在第一晶体管的栅极与第三晶体管的栅极之间耦合的第一偏置电阻器以及在第二晶体管的栅极与第四晶体管的栅极之间耦合的第二偏置电阻器。
根据另一具体实施例，电流镜还包括：第一电容器和第二电容器，耦合到第一偏置电阻器的相对端；以及第三电容器和第四电容器，耦合到第二偏置电阻器的相对端。
根据另一具体实施例，第一电容器、第二电容器、第三电容器和第四电容器被被配置为从电流镜的输出节点解耦合电流镜的输入节点。
根据另一具体实施例，在第三晶体管与第四晶体管之间的节点是被配置为接收AC信号的输入节点。在第一电感器与第三晶体管之间的节点是第一输出节点。在第二电感器与第四晶体管之间的节点是第二输出节点。
根据另一具体实施例，偏置支路还包括在电压源与第一晶体管的第一源极-漏极区域之间耦合的受控电流源，并且功率核心被被配置为镜像从受控电流源向偏置支路提供的电流。
根据另一具体实施例，偏置支路还包括在受控电流源与第一晶体管的第一源极-漏极区域之间耦合的第五晶体管以及在接地与第二晶体管的第一源极-漏极区域之间耦合的第六晶体管。PA核心还包括在第一电感器与第三晶体管的第一源极-漏极区域之间耦合的第七晶体管以及在接地与第四晶体管的第一源极-漏极区域之间耦合的第八晶体管。第五晶体管和第七晶体管的栅极耦合到第一偏置电压源，并且第六晶体管和第八晶体管的栅极相互耦合并且耦合到第二偏置电压源。
根据另一具体实施例，第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管被被配置为从级联镜的输出解耦合级联镜的输入。
根据另一具体实施例，电流镜还包括在第五晶体管的栅极与第七晶体管的栅极之间耦合的第一电阻器以及在第二晶体管的栅极与第四晶体管的栅极之间耦合的第二电阻器。
根据另一具体实施例，电流镜还包括：第一电容器和第二电容器，耦合到第一电阻器的相对端；以及第三电容器和第四电容器，耦合到第二电阻器的相对端。
根据另一具体实施例，一种用于控制电流镜的节点电压的电路方法包括：比较参考电压与在第一晶体管与第二晶体管之间的节点的第一节点电压，第一晶体管和第二晶体管形成电流镜的偏置支路；并且生成代表参考电压与第一节点电压之差的电压信号。该电路方法还包括向第一晶体管的栅极施加电压信号以将第一节点电压驱动到确定电压。
根据一个具体实施例，确定电压是参考电压。
根据另一具体实施例，该方法还包括经由一组电阻器对电源电压分压以生成参考电压。
根据另一具体实施例，该方法还包括：比较第二参考电压与在第二晶体管与电压源之间的节点的第二节点电压；并且生成代表第二参考电压与第二节点电压之差的第二电压信号。该方法还包括向第二晶体管的栅极施加第二电压信号以将第二节点电压驱动到第二确定电压。
根据另一具体实施例，第二确定电压是第二参考电源。
根据另一具体实施例，该方法还包括经由该组电阻器对电源电压分压以生成第二参考电压，其中第一参考电压低于第二参考电压。
以下具体描述和附图提供对本发明的性质和优点的更具体理解。
附图说明
图1是已知电流镜的简化示意图；
图2是根据本发明的一个实施例的电流镜的简化示意图；
图3是根据本发明的一个备选实施例的电流镜的简化示意图；并且
图4是根据本发明的另一备选实施例的电流镜的简化示意图。
具体实施方式
这里描述用于电流镜的电路实施例和用于电流镜的电路操作方法，其中电流镜提供用于过程变化和电源调制的基本上准确偏置跟踪。经由准确偏置跟踪，改进电流镜的电流镜像并且因此提高电流镜的线性范围。由此，可以相对准确和可预测地功率放大根据本发明的实施例的电流镜接收的信号。
在下文描述中，出于说明的目的，阐述许多例子和具体细节以便提供对本发明的实施例的透彻理解。由权利要求所限定的具体实施例可以独自或者与下文描述的其它特征组合而包括这些例子中的特征中的一些或者所有特征，并且还可以包括这里描述的特征和概念的修改和等效物。
电流镜是如下电路，这些电路被被配置为通过控制电路的另一支路中的电流来复制电路的一个支路中的电流，使得无论电路上的负载是否改变都可以保持电路的输出电流恒定。图2是根据本发明的一个实施例的电流镜200的简化示意图。电流镜包括偏置支路205和功率放大器(PA)核心210。电流镜200可以被被配置为放大接收的信号215(比如射频(RF)信号)的功率并且输出功率放大的信号220。
根据一个实施例，偏置支路205包括串联连接的偏置晶体管M1和M3，并且PA核心包括串联连接的驱动晶体管M2和M4。M1、M2、M3和M4可以是MOSFET。M1和M2可以与M3和M4互补。具体而言，M1和M2可以是pMOS晶体管，并且M3和M4可以是nMOS晶体管。M1和M2可以经由M1和M2的源极连接到电源Vdd，其中M1的源极经由受控电流源225连接到Vdd并且M2的源极经由电感器230连接到Vdd。M1和M2的栅极耦合，其中M1被配置为偏置M2。栅极可以由偏置电阻器235耦合。本领域技术人员将理解，尽管在一个具体实施例中描述源极和漏极的配置，但是可以根据本发明的备选实施例可以另外布置各种晶体管的源极和漏极。另外，可以在备选实施例中使用其它晶体管技术。描述的备选实施例和描述的备选实施例的等效实施例将视为当前描述的发明的实施例。注意为了方便而描述晶体管的具体源极和漏极配置以提供对具体实施例的完全理解。
根据一个实施例，M3的源极耦合到M1的漏极，并且M4的源极耦合到M2的漏极。M3和M4的漏极可以连接到接地。M4的漏极可以经由电感器237耦合到接地。M3和M4的栅极可以耦合，其中M3被配置为偏置M4。可以经由偏置电阻器240耦合M3和M4的栅极。第一Vout1节点设置于电感器230与M2的源极之间，并且第二Vout2节点设置于电感器237与M4的漏极之间。
根据一个实施例，第一运算放大器(op-amp)245耦合到节点X，其中节点X在M1的漏极与M3的源极之间。运算放大器被被配置为控制节点X的电压，使得在节点X的电压不再不确定。提供在节点X的电压不再不确定提供在节点X的电压跟踪在节点Y的电压，该节点Y在M2的漏极与M4的源极之间。节点Y是电流镜200的输入并且可以被被配置为接收AC信号，使得PA核心可以放大接收的AC信号。
第一运算放大器245还被被配置为控制M3和M4的源极-栅极电压，使得源极-栅极电压跟踪。根据一个具体实施例，节点X耦合到第一运算放大器的负输入245a，并且第一运算放大器的输出245b耦合到M3和M4的栅极。节点W耦合到正输入245c，其中节点W设置在参考电压。在节点W的参考电压由从Vdd到接地串联设置的串联电阻器R1、R2和R3设置。电阻器R1可以直接耦合到Vdd并且电阻器R3可以直接耦合到接地而电阻器R2耦合于电阻器R1与R3之间。电阻器R1、R2和R3被被配置为分压器用于将节点W和节点T设置到预定参考电压。根据一个实施例，在节点W的参考电压由电阻器R1、R2和R3设置并且是用于第一运算放大器的参考电压。可以选择电阻器R1、R2和R3，使得在节点W的参考电压是Vdd/2。节点X将由第一运算放大器驱动到Vdd/2，该第一运算放大器被被配置为驱动M3的栅极更高或者更低，使得如果在节点X的电压漂移至在节点W的参考电压以上或者以下，则M3可以将节点X驱动到在节点W的参考电压(例如Vdd/2)。通过将节点X驱动到在节点W的参考电压，在节点X的电压将不再不确定，并且也将使M3和M4的源极-栅极电压跟踪。将节点X驱动到在节点W的已知参考电压造成也将节点Y设置成在节点W的参考电压(例如Vdd/2)，这扩展了PA核心的跨越过程变化和温度(PVT)参数的线性范围。
根据本发明的另一实施例，第二运算放大器250耦合到节点V、节点T以及M1和M2的栅极。第二运算放大器的正输入250a耦合到节点V，其中节点V设置于受控电流源225与M1的源极之间。第二运算放大器的负输入250b耦合到节点T，并且第二运算放大器的输出250c耦合到M1和M2的栅极。
节点T的电压由在Vdd与接地之间串联耦合的电阻器R1、R2和R3设置。R1、R2和R3操作为分压器以设置节点T的电压。在节点T的电压是用于第二运算放大器的参考电压。
节点V将由第二运算放大器驱动到在节点T的预定参考电压，该第二运算放大器被被配置为驱动M1的栅极更高或者更低，使得如果在节点V的电压漂移至在节点T的参考电压以上或者以下，M1可以将节点V驱动到预定参考电压。通过将节点V驱动到在节点T的参考电压，在节点V的电压将不再不确定，并且将使M1和M2的源极-栅极电压跟踪。也通过将驱动节点V驱动到在节点T的电压，在节点V的预定电压将基本上接近在节点S电压，其中节点S在电感器230与M2的源极之间。例如在节点V的预定电压可以在节点S的电压的近似百分之3内，其中在节点S的电压是Vdd。经由跨越PVT参数在饱和区域中的受控电流源225将在节点V的电压设置成基本上最大电压。在节点V的电压基本上接近于在节点S的电压时，将在PA核心中基本上准确镜像来自受控电流源225的电流。
在节点V和节点X的电压被设置于预定参考电压时，不仅控制节点电压而且跨越M1和M3的源极-漏极电压降是确定的。类似地，在设置在节点S和节点Y的电压以分别跟踪在节点V和节点X的电压时，跨越M2和M4的源极-漏极电压是确定的。控制在各种节点V、S、X和Y的电压以及跨越M1、M2、M3和M4的电压降提供明显改进电流镜的电流跟踪并且跨越PVT参数明显提高PA核心的线性范围。
根据一个实施例，电阻器R1、R2和R3的电阻是基本上固定值。注意如果Vdd上移或者下移，则在节点V和节点X的电压将跟踪Vdd的上升和下降。例如节点X的电压无论在源极的Vdd是否上移或者下移都将基本上保持于Vdd/2。
图3是根据本发明的一个备选实施例的电流镜300的简化示意图。上文关于电流镜200使用的相同编号方案用于标识电流镜300的基本上相似元件。电流镜300与电流镜200基本上相似、但是不同在于电流镜300包括跨越M1的源极和栅极设置的耦合电容器305。电流镜300还可以包括在偏置电阻器235的相对侧上设置的电容器310和315。电容器310的第一电容器节点耦合到偏置电阻器235的第一侧和M1的栅极。电容器310的第二电容器节点耦合到接地。电容器315的第一电容器节点耦合到偏置电阻器235的第二侧和M2的栅极。电容器315的第二电容器节点耦合到接地。M1的源极和栅极也可以由耦合电容器440耦合。
电流镜300还可以包括在偏置电阻器242的相对侧上设置的电容器320和325。电容器320的第一电容器节点耦合到偏置电阻器240的第一侧和M3的栅极。电容器320的第二电容器节点耦合到接地。电容器325的第一电容器节点耦合到偏置电阻器240的第二侧和M4的栅极。电容器325的第二电容器节点耦合到接地。电容器310、315、320和325被被配置为隔离在节点Y的输入接收的AC信号以免于耦合到偏置支路。
图4是根据本发明的另一备选实施例的电流镜400的简化示意图。电流镜400与电流镜200和电流镜300基本上相似，但是不同在于电流镜400包括在偏置支路与PA核心之间耦合的级联晶体管M1b和M2b。电流镜400也包括在偏置支路与PA核心之间耦合的级联晶体管M3b和M4b。M1b和M2b可以是pMOS晶体管，并且M3b和M4b可以是nMOS晶体管。M1b可以与M1串联设置并且可以让源极耦合到受控电流源225而漏极耦合到M1的源极。M2b可以与M2串联设置并且可以让源极耦合到电感器230而漏极耦合到M2的源极。可以经由偏置电阻器405耦合M1b和M2b的栅极。电容器410和415可以耦合到M1b和M2b的栅极，并且与如上文关于电流镜300描述的那样将电容器310和315耦合到M1、M2和偏置电阻器235基本上相似地耦合到偏置电阻器405。如上文关于电流镜100描述的那样，为了方便而描述各种晶体管的漏极和源极的具体配置。本领域技术人员将理解，可以例如基于使用的其它晶体管技术根据本发明的备选实施例备选地布置具体源极和漏极配置。
M3b可以与M3串联设置并且可以让漏极耦合到接地而源极耦合到M3的漏极。M4b可以与M4串联设置并且可以让漏极经由电感器235耦合到接地而源极耦合到M4的漏极。可以经由偏置电阻器420耦合M3b和M4b的栅极。电容器425和430可以耦合到M3b和M4b的栅极，并且与如上文关于电流镜300描述的那样将电容器320和325耦合到M3、M4和偏置电阻器240基本上相似地耦合到偏置电阻器420。电流镜400的第一输出Vout1在M2b的源极与电感器230之间，并且电流镜400的第二输出Vout2在M4b的漏极与电感器235之间。M1b的栅极可以耦合到被配置为向M1b的栅极提供第一偏置电压Vbias1的第一偏置电压源，并且M3b的栅极可以耦合到被配置为向M3b的栅极提供第二偏置电压Vbias2的第二偏置电压源。Vbias1和Vbias2提供晶体管M1b、M2b、M3b和M4b相对强地导通。
根据一个实施例，在描述的级联配置中布置的M1b和M2b被被配置为从第一输出Vout1隔离在输入(节点Y)接收的AC信号。在描述的级联配置中布置的M3b和M4b被被配置为从第二输出Vout2隔离在输入(节点Y)接收的AC信号。通过进一步控制在节点X和V的电压，M1b和M2b的级联对进一步强制M1和M2的源极电压跟踪，并且M3b和M4b的级联对进一步强制M3和M4的漏极电压跟踪。在偏置支路与PA核心之间的电压的改进的跟踪提供对从受控电流源到PA核心中的电流的进一步改进的跟踪和PA核心的跨越PVT参数的线性范围的进一步提高。
上文描述举例说明本发明的各种实施例以及如何可以实施本发明的方面的例子。上述例子和实施例不应视为仅有的实施例并且被呈现用于举例说明如所附权利要求定义的本发明的灵活性和优点。基于上述公开内容和所附权利要求，在未脱离由权利要求所限定的本发明的范围的情况下，可以运用其它布置、实施例、实现方式和等效物。

Claims (20)

1.一种电流镜，包括：
偏置支路，包括：
第一晶体管和第二晶体管，被串联配置在电压源与接地之间；以及
分压器，被耦合在所述电压源与所述接地之间；以及
运算放大器，被配置为接收所述分压器的分压电压和在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的节点的电压作为输入，并且驱动所述第二晶体管的栅极以将所述节点拉向所述分压电压；
功率放大器核心，被耦合到所述偏置支路，包括：
第三晶体管和第四晶体管，被串联配置在所述电压源与所述接地之间，其中：
所述第一晶体管的栅极和所述第三晶体管的栅极被耦合，并且
所述第二晶体管的所述栅极和所述第四晶体管的栅极被耦合。
2.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管与所述第三晶体管和所述第四晶体管互补。
3.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述分压电压是所述电压源的电压除以二。
4.根据权利要求1所述的电流镜，其中：
所述分压器包括串联的第一电阻器、第二电阻器和第三电阻器，其中所述第一电阻器耦合到所述电压源，所述第三电阻器耦合到接地，并且所述第二电阻器耦合于所述第一电阻器与所述第三电阻器之间，
所述第一晶体管的第一源极-漏极区域和第二源极-漏极区域分别耦合到所述电压源和所述第二晶体管的第一源极-漏极区域，
所述第二晶体管的第二源极-漏极区域耦合到接地，并且
所述支路还包括：
第二运算放大器，具有：第一输入，耦合到所述第一晶体管的所述第一源极-漏极区域；第二输入，在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间耦合到所述分压器并且被配置为接收所述电压源的第二分压电压；以及输出，被配置为驱动所述第一晶体管的栅极以将第二节点拉向所述第二分压电压。
5.根据权利要求5所述的电流镜，其中所述偏置支路还包括在所述第一晶体管的所述第一源极-漏极区域与所述栅极之间设置的耦合电容器。
6.根据权利要求5所述的电流镜，还包括：
第一电阻器，被耦合在所述第一晶体管的所述栅极与所述第三晶体管的所述栅极之间，以及
第二电阻器，被耦合在所述第二晶体管的所述栅极与所述第四晶体管的所述栅极之间。
7.根据权利要求7所述的电流镜，还包括：
第一电容器和第二电容器，耦合到所述第一电阻器的相对端；以及
第三电容器和第四电容器，耦合到所述第二电阻器的相对端。
8.根据权利要求8所述的电流镜，其中所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器被被配置为从所述电流镜的输出节点解耦合所述电流镜的输入节点。
9.根据权利要求1所述的电流镜，其中：
在所述第三晶体管与所述第四晶体管之间的节点是被配置为接收AC信号的输入节点，
在所述第一电感器与所述第三晶体管之间的节点是第一输出节点，并且
在所述第二电感器与所述第四晶体管之间的节点是第二输出节点。
10.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述偏置支路还包括在所述电压源与所述第一晶体管的第一源极-漏极区域之间耦合的受控电流源，并且所述功率核心被被配置为镜像从所述受控电流源向所述偏置支路提供的电流。
11.根据权利要求10所述的电流镜，其中：
所述偏置支路还包括：
第五晶体管，被耦合在所述受控电流源与所述第一晶体管的所述第一源极-漏极区域之间，以及
第六晶体管，被耦合在所述接地与所述第二晶体管的第一源极-漏极区域之间；并且
所述PA核心还包括：
第七晶体管，被耦合在所述第一电感器与所述第三晶体管的第一源极-漏极区域之间，以及
第八晶体管，被耦合在所述接地与所述第四晶体管的第一源极-漏极区域之间，并且其中：
所述第五晶体管和所述第七晶体管的栅极耦合到第一偏置电压源，并且
所述第六晶体管和所述第八晶体管的栅极相互耦合并且耦合到第二偏置电压源。
12.根据权利要求11所述的电流镜，其中所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管和所述第八晶体管被被配置为从所述级联镜的输出解耦合所述级联镜的输入。
13.根据权利要求11所述的电流镜，还包括：
第一电阻器，被耦合在所述第一级联晶体管的所述栅极与所述第七晶体管的所述栅极之间，以及
第二电阻器，被耦合在所述第二晶体管的所述栅极与所述第四晶体管的所述栅极之间。
14.根据权利要求13所述的电流镜，还包括：
第一电容器和第二电容器，耦合到所述第一电阻器的相对端；以及
第三电容器和第四电容器，耦合到所述第二电阻器的相对端。
15.一种用于控制电流镜的节点电压的电路方法，包括：
比较参考电压与在第一晶体管与第二晶体管之间的节点的第一节点电压，所述第一晶体管和第二晶体管形成电流镜的偏置支路；
生成代表所述参考电压与所述第一节点电压之差的电压信号；并且
向所述第一晶体管的栅极施加所述电压信号以将所述第一节点电压驱动到确定电压。
16.根据权利要求15所述的电路方法，其中所述确定电压是所述参考电压。
17.根据权利要求16所述的电路方法，还包括经由一组电阻器对电源电压分压以生成所述参考电压。
18.根据权利要求17所述的电路方法，还包括：
比较第二参考电压与在所述第二晶体管与电压源之间的节点的第二节点电压；
生成代表所述第二参考电压与所述第二节点电压之差的第二电压信号；并且
向所述第二晶体管的栅极施加所述第二电压信号以将所述第二节点电压驱动到第二确定电压。
19.根据权利要求18所述的电路方法，其中所述第二确定电压是所述第二参考电源。
20.根据权利要求16所述的电路方法，还包括经由所述一组电阻器对所述电源电压分压以生成所述第二参考电压，其中所述第一参考电压低于所述第二参考电压。
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