CN103253654A - 一种电场剥离插层石墨制备石墨烯的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种电场剥离插层石墨制备石墨烯的方法,包括以下步骤:取氯化物插层石墨,加入去离子水,搅拌下配成浓度为5~10g/L的插层石墨悬浊液;将插层石墨悬浊液置于交变电场中,对插层石墨进行剥离,制得含有石墨烯的溶液;将含有石墨烯的溶液倒入过滤漏斗中,进行过滤,烘干滤物,制得石墨烯。本发明对插层石墨剥离完全,设备简单,操作简易可行,易于实现自动化及工业化生产。通过本发明制备方法制得的石墨烯层数少且均匀,与常见的氧化还原法制备的石墨烯相比具有缺陷少,晶体结构完整等优点。
Description
技术领域
本发明涉及新材料合成领域,特别是涉及一种电场剥离插层石墨制备石墨烯的方法。
背景技术
插层石墨在1841年被发现后就被广泛深入的研究其性能及应用,因其保持了石墨良好的性能又具备一些独特的性能,可用于导体、超导体、电池等领域。石墨烯是2004年英国曼彻斯特大学的安德烈·K·海姆(Andre K.Geim)等发现的一种二维碳原子晶体,并获得2010年物理诺贝尔奖,再次引发碳材料研究热潮。由于其独特的结构和光电性质使其成为碳材料、纳米技术、凝聚态物理和功能材料等领域的研究热点,吸引了诸多科技工作者。单层石墨烯拥有优良的导电、导热性能和低的热膨胀系数,并且其理论比表面积高达2630m2/g(APeigney,Ch Laurent,et al.Carbon,2001,39,507),可用于效应晶体管、电极材料、复合材料、液晶显示材料、传感器等。目前制备石墨烯的方法主要有石墨剥裂(Novoselov K S,Geim A K,et al.Science 2004,306,666)、化学氧化还原法[D ADikin,et al.Nature 2007,448,457;Sasha Stankovich,Dmitriy A Dikin,Richard DPiner,et al.Carbon 2007,45,1558]、超声剥离法(Guohua Chen,Wengui Weng,Dajun Wu,et al.Carbon.2004,42,753),化学气相沉积法(Alexander N,Obraztsov.Nature nanotechnology.2009,4,212)等。
发明内容
为解决上述问题,本发明旨在提供一种电场剥离插层石墨制备石墨烯的方法,该方法通过电场剥离插层石墨可制得层数少且均匀的石墨烯。
本发明提供的一种电场剥离插层石墨制备石墨烯的方法,包括以下步骤:
(1)取氯化物插层石墨,加入去离子水,搅拌下配成浓度为5~10g/L的插层石墨悬浊液;
(2)将插层石墨悬浊液置于交变电场中,对插层石墨进行剥离,交变电场的频率为10~100Hz,电场强度为100~1000V/m,剥离时间为10~30分钟,制得含有石墨烯的溶液;
(3)将含有石墨烯的溶液倒入过滤漏斗中,进行过滤,烘干滤物,制得石墨烯。
步骤(1)为通过氯化物插层石墨制得插层石墨悬浊液。所述的氯化物插层石墨可采用常见的熔盐法或电化学法制得。优选地,氯化物选自氯化铁、氯化镍、氯化铜、氯化钴、氯化钾、氯化铅和氯化锌中的一种或其任意组合。
步骤(2)为利用交变电场剥离插层石墨,制得含有石墨烯的溶液。插层石墨装在烧杯等容器中,将容器放到两极板间,随后启动交变电源产生交变电场。该过程中,99%以上的插层石墨均可剥离。优选地,交变电场的频率为50Hz。
步骤(3)中,还包括对滤液的检查步骤:用含Ag+的溶液检测滤液,如无氯离子,则将取下滤物;否则,再次过滤滤液。
步骤(3)中,优选地,烘干条件为:在60℃温度下烘干12~18小时。石墨烯的层数可由插层石墨的结构调节。本发明所制备的95%的石墨烯的层数为1~6层。
本发明提供的一种利用交变电场剥离插层石墨制备石墨烯的方法,对插层石墨剥离完全(99%以上的插层石墨均可剥离),设备简单,操作简易可行,易于实现自动化及工业化生产。通过本发明制备方法制得的石墨烯层数少且均匀,与常见的氧化还原法制备的石墨烯相比具有缺陷少,晶体结构完整等优点。
附图说明
图1为本发明实施例一所制得的石墨烯SEM图。
具体实施方式
以下所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
本发明提供了一种电场剥离插层石墨制备石墨烯的方法,包括以下步骤:
(1)取氯化物插层石墨,加入去离子水,搅拌下配成浓度为5~10g/L的插层石墨悬浊液;
(2)将插层石墨悬浊液置于交变电场中,对插层石墨进行剥离,交变电场的频率为10~100Hz,电场强度为100~1000V/m,剥离时间为10~30分钟,制得含有石墨烯的溶液;
(3)将含有石墨烯的溶液倒入过滤漏斗中,进行过滤,至用AgNO3检测滤液无氯离子后,将过滤漏斗内的滤物整体取下,烘干,制得石墨烯。
步骤(1)为通过氯化物插层石墨制得插层石墨悬浊液。所述的氯化物插层石墨可采用常见的熔盐法或电化学法制得。氯化物选自氯化铁、氯化镍、氯化铜、氯化钴、氯化钾、氯化铅和氯化锌中的一种或其任意组合。
步骤(2)为利用交变电场剥离插层石墨,制得含有石墨烯的溶液。插层石墨装在烧杯等容器中,将容器放到两极板间,随后启动交变电源产生交变电场。该过程中,99%以上的插层石墨均可剥离。交变电场的频率为50Hz。
步骤(3)中,还包括对滤液的检查步骤:用含Ag+的溶液检测滤液,如无氯离子,则将取下滤物;否则,再次过滤滤液;所述含Ag+的溶液优选AgNO3溶液。
步骤(3)中,优选烘干条件为:在60℃温度下烘干12~18小时。石墨烯的层数可由插层石墨的结构调节。本发明所制备的95%的石墨烯的层数为1~6层。
本发明提供的一种利用交变电场剥离插层石墨制备石墨烯的方法,对插层石墨剥离完全(99%以上的插层石墨均可剥离),设备简单,操作简易可行,易于实现自动化及工业化生产。通过本发明制备方法制得的石墨烯层数少且均匀,与常见的氧化还原法制备的石墨烯相比具有缺陷少,晶体结构完整等优点。
实施例一
一种电场剥离插层石墨制备石墨烯的方法,包括以下步骤:
(1)取5g氯化铁插层石墨加入到烧杯中,加入1L去离子水,搅拌下配成浓度为5g/L的插层石墨悬浊液;
(2)将装有插层石墨悬浊液的烧杯置于两极板间,启动交变电源产生交变电场,对插层石墨进行剥离,交变电场的频率为50Hz,电场强度为300V/m,剥离时间为15分钟,制得含有石墨烯的溶液;
(3)将含有石墨烯的溶液倒入过滤漏斗中,进行过滤,至用AgNO3检测滤液无氯离子后,将过滤漏斗内的滤物整体取下,在60℃温度下烘干12小时,制得石墨烯。
图1为本发明实施例一所制得的石墨烯SEM图。从图1中可以看出,制得的石墨烯层数少且均匀,晶体结构完整。
实施例二
一种电场剥离插层石墨制备石墨烯的方法,包括以下步骤:
(1)取10g氯化钾插层石墨加入到烧杯中,加入1L去离子水,搅拌下配成浓度为10g/L的插层石墨悬浊液;
(2)将装有插层石墨悬浊液的烧杯置于两极板间,启动交变电源产生交变电场,对插层石墨进行剥离,交变电场的频率为10Hz,电场强度为1000V/m,剥离时间为10分钟,制得含有石墨烯的溶液;
(3)将含有石墨烯的溶液倒入过滤漏斗中,进行过滤,至用AgNO3检测滤液无氯离子后,将过滤漏斗内的滤物整体取下,在60℃温度下烘干14小时,制得石墨烯。
实施例三
一种电场剥离插层石墨制备石墨烯的方法,包括以下步骤:
(1)取6g氯化镍插层石墨加入到烧杯中,加入1L去离子水,搅拌下配成浓度为6g/L的插层石墨悬浊液;
(2)将装有插层石墨悬浊液的烧杯置于两极板间,启动交变电源产生交变电场,对插层石墨进行剥离,交变电场的频率为100Hz,电场强度为500V/m,剥离时间为20分钟,制得含有石墨烯的溶液;
(3)将含有石墨烯的溶液倒入过滤漏斗中,进行过滤,至用AgNO3检测滤液无氯离子后,将过滤漏斗内的滤物整体取下,在60℃温度下烘干16小时,制得石墨烯。
实施例四
一种电场剥离插层石墨制备石墨烯的方法,包括以下步骤:
(1)取8g氯化物插层石墨加入到烧杯中,加入1L去离子水,搅拌下配成浓度为8g/L的插层石墨悬浊液;
(2)将装有插层石墨悬浊液的烧杯置于两极板间,启动交变电源产生交变电场,对插层石墨进行剥离,交变电场的频率为50Hz,电场强度为100V/m,剥离时间为30分钟,制得含有石墨烯的溶液;
(3)将含有石墨烯的溶液倒入过滤漏斗中,进行过滤,至用AgNO3检测滤液无氯离子后,将过滤漏斗内的滤物整体取下,在60℃温度下烘干18小时,制得石墨烯。
Claims (5)
1.一种电场剥离插层石墨制备石墨烯的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)取氯化物插层石墨,加入去离子水,搅拌下配成浓度为5~10g/L的插层石墨悬浊液;
(2)将所述插层石墨悬浊液置于交变电场中,对所述插层石墨进行剥离,所述交变电场的频率为10~100Hz,电场强度为100~1000V/m,剥离时间为10~30分钟,制得含有石墨烯的溶液;
(3)将所述含有石墨烯的溶液倒入过滤漏斗中,进行过滤,烘干滤物,制得石墨烯。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中,所述氯化物选自氯化铁、氯化镍、氯化铜、氯化钴、氯化钾、氯化铅和氯化锌中的一种或其任意组合。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述交变电场的频率为50Hz。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(3)中,还包括对滤液的检查步骤:用含Ag+的溶液检测滤液,如无氯离子,则将取下滤物;否则,再次过滤滤液。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(3)中,所述烘干条件为:在60℃温度下烘干12~18小时。
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