CN103250199B - 有源矩阵基板以及显示装置 - Google Patents

Abstract

设置于有源矩阵基板（100）的辅助电容相对电极（22）具有：第1部分（22b），其与辅助电容总线（12）形成辅助电容；第2部分（22a），其位于第1部分（22b）和漏极电极（24）之间；以及第3部分（22c），其以隔着第1部分（22b）而与第2部分（22a）相对的方式从第1部分（22b）突出地设置。第3部分（22c）以与除了与漏极电极（24）电连接的像素电极（30）以外的像素电极不重叠的方式配置。

Description

有源矩阵基板以及显示装置

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板以及使用它的显示装置，特别是涉及具备设置有辅助电容的TFT基板的显示装置。

背景技术

作为薄型电视机、个人计算机的显示装置、视频摄像装置的显示装置等，将薄膜晶体管（TFT：Thin Film Transistor）用于开关元件的有源矩阵型液晶显示装置被广泛使用。除了以往的TN型（Twisted Nematic；扭曲向列型）液晶显示装置之外，还在开发利用作为垂直取向模式的VA（Vertical Alignment）模式、作为横电场模式的IPS（In－Plane－Switching；面内开关）模式的液晶显示装置等。

作为VA模式的液晶显示装置，已知在1个像素中形成有液晶的取向方向互不相同的多个畴的MVA（Multidomain Vertical Alignment；多畴垂直取向）模式的液晶显示装置、以形成于像素的中心部的电极上的铆钉等为中心使液晶的取向方向连续地不同的CPA（Continuous Pinwheel Alignment；连续焰火状取向）模式的液晶显示装置等。

在对像素电极施加预定信号电压后到对该像素电极施加新的信号电压为止的期间，不对TFT的栅极施加将TFT变为导通状态的扫描信号，TFT变为截止状态。在TFT为截止状态的非选择期间，像素电极的电位保持大致恒定，维持与该电位相应的显示。

已知历来将用于保持像素电极的电位的辅助电容（存储电容）与液晶电容并列设置。在专利文献1中示出在漏极电极的延伸部和辅助电容电极（辅助电容总线）之间形成辅助电容的方式。漏极电极的延伸部在比辅助电容电极的边缘（外缘）靠内侧的区域以与辅助电容电极重叠的方式设置。另外，在该显示装置中，辅助电容电极以与像素电极的端部重叠的方式延伸，与像素电极之间也形成有 辅助电容。

在专利文献2中公开了在下层的导电性配线的外缘内侧的区域隔着绝缘膜形成上层的导电部从而形成辅助电容的技术。形成在下层配线的边缘的内侧的理由是，若以与下层配线的边缘交叉的方式设置上层的导电部，则在该交叉部分发生电流的泄漏、导通的可能性提高。

在专利文献3中，作为不降低像素的开口率地设置辅助电容的技术，记载有在多个副像素电极的间隙部形成辅助电容配线和辅助电容电极。在该文献中也记载有将从漏极电极延伸的辅助电容电极设置于比设置在其下层的辅助电容配线的边缘靠内侧。

在专利文献4和专利文献5中也记载有TFT的漏极电极的延伸部分以与辅助电容总线（Cs总线）相对的方式设置的液晶显示装置。漏极电极的延伸部分作为Cs相对电极发挥功能，隔着绝缘膜与辅助电容配线之间形成辅助电容。

另外，在专利文献4和专利文献5所述的液晶显示装置中，从漏极电极延伸的部分越过下层的辅助电容配线而延伸。该延伸部分被用作控制电容电极，与悬浮状态的副像素电极进行电容耦合。隔着控制电容电极对悬浮状态的副像素电极施加与和漏极电极直接连接的其它副像素电极不同的电位。这样，作为像素分割方式的一种，已知对1个像素所包含的2个副像素电极各自施加不同的电压的方法。通过将取向状态不同的液晶区域形成在1个像素内，能够改善视野角特性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第7,417,691号说明书

专利文献2：特开平4－342234号公报

专利文献3：特开2006－154080号公报

专利文献4：特开2006－330633号公报

专利文献5：特开2006－201355号公报

发明内容

发明要解决的问题

TFT基板是通过在基板上反复进行沉积导电膜或绝缘膜、对它们进行图案化的工序而制作的。例如，TFT基板是按如下方式制作的。首先，在玻璃等的基板上，以预定图案设置由金属膜形成的栅极电极、栅极总线以及辅助电容总线。之后，隔着栅极绝缘膜在预定位置形成半导体层。进而，形成包含源极电极的源极总线和在半导体膜上以与源极电极相对的方式配置的漏极电极。

这时，在辅助电容总线上的区域，隔着栅极绝缘膜形成作为漏极电极的延伸部的辅助电容相对电极（Cs相对电极）。之后，隔着层间绝缘膜等设置像素电极。像素电极与漏极电极或Cs相对电极例如通过设置于层间绝缘膜的接触孔电连接。

在隔着栅极绝缘膜在辅助电容总线上形成Cs相对电极的工序中，有时会产生对位偏移。因此，有时得不到期望大小的辅助电容，保持电压、馈通电压（TFT的选择期间结束时的像素电极的电位的降低）产生变动。若馈通电压的变动的大小因像素不同而大不相同，则会引起显示品质的降低。例如，在图案化工序中，在对显示区域分多次进行曝光的情况下，有时在各自的曝光区域的对位偏移量不同。在这种情况下，在各自的曝光区域，馈通电压的变动量不同。特别是在1个像素的尺寸小的情况下，由于相对于整个辅助电容的对位的偏移而引起的辅助电容变动的比率变大，所以上述问题显著。

另外，若Cs总线和Cs相对电极（漏极电极延伸部）的对位出现偏移，则在与Cs总线相同的图案化工序中被图案化的栅极电极和在与Cs相对电极相同的图案化工序中被图案化的漏极电极之间形成的寄生电容Cgd的大小也会发生变动。从而，在TFT切换为截止状态时产生的馈通电压的大小也会产生偏差。

另外，在上述专利文献4和5中，漏极电极的延伸部分也存在于与副像素电极相对的部分，形成用于形成与副像素电极的耦合电容的控制电容电极。因此，在产生对位偏移、辅助电容的大小发生变 动的情况下，相对于与副像素电极之间形成的耦合电容的1个像素的总电容的比率发生变动，施加于配置有副像素电极的部分的液晶的电压发生变动。其结果是，可能不能进行期望的显示。

因此有如下课题：在TFT基板的制造过程中产生对位偏移的情况下也能够适当地得到辅助电容，从而防止显示品质的降低。若没有适当地设置辅助电容，则有时会发生块状或者带状的显示不均、闪烁。

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供在制造过程中产生对位偏移的情况下也能适当地得到辅助电容的有源矩阵基板以及通过使用它而改善了显示品质的显示装置。

用于解决问题的方案

本发明的实施方式的有源矩阵基板具备：基板；栅极总线，其设置于上述基板上；源极总线，其以与上述栅极总线交叉的方式设置于上述基板上；TFT，其设置于上述栅极总线和上述源极总线的交叉部附近，具有：栅极电极，其与上述栅极总线电连接；源极电极，其与上述源极总线电连接；以及漏极电极；像素电极，其与上述TFT的上述漏极电极电连接；辅助电容总线，其与上述栅极总线或上述源极总线平行地设置；以及辅助电容相对电极，其与上述漏极电极电连接、与上述辅助电容总线之间形成辅助电容，上述辅助电容相对电极具有：第1部分，其与上述辅助电容总线重叠，形成实质性的辅助电容；第2部分，其位于上述第1部分和上述漏极电极之间；以及第3部分，其以隔着上述第1部分而与上述第2部分相对的方式从上述第1部分突出地设置，以与上述辅助电容总线重叠、与除了与上述TFT的上述漏极电极电连接的上述像素电极以外的像素电极不重叠的方式设置，上述辅助电容总线的边缘处的上述第3部分的宽度与上述辅助电容总线的边缘处的上述第2部分的宽度相同。

本发明的实施方式的有源矩阵基板具备：基板；栅极总线，其设置于上述基板上；源极总线，其以与上述栅极总线交叉的方式设置于上述基板上；TFT，其设置于上述栅极总线和上述源极总线的 交叉部附近，具有：栅极电极，其与上述栅极总线电连接；源极电极，其与上述源极总线电连接；以及漏极电极；像素电极，其与上述TFT的上述漏极电极电连接；辅助电容总线，其与上述栅极总线或上述源极总线平行地设置；以及辅助电容相对电极，其与上述漏极电极电连接，与上述辅助电容总线之间形成辅助电容，上述辅助电容相对电极具有：第1部分，其与上述辅助电容总线重叠，形成实质性的辅助电容；第2部分，其位于上述第1部分和上述漏极电极之间；以及第3部分，其以隔着上述第1部分而与上述第2部分相对的方式从上述第1部分突出地设置，以与上述辅助电容总线重叠、与除了与上述TFT的上述漏极电极电连接的上述像素电极以外的像素电极不重叠的方式设置，上述辅助电容总线在形成上述第3部分的位置具有切缺部。

本发明的实施方式的有源矩阵基板具备：基板；栅极总线，其设置于上述基板上；源极总线，其以与上述栅极总线交叉的方式设置于上述基板上；TFT，其设置于上述栅极总线和上述源极总线的交叉部附近，具有：栅极电极，其与上述栅极总线电连接；源极电极，其与上述源极总线电连接；以及漏极电极；像素电极，其与上述TFT的上述漏极电极电连接；辅助电容总线，其与上述栅极总线或上述源极总线平行地设置；以及辅助电容相对电极，其与上述漏极电极电连接，与上述辅助电容总线之间形成辅助电容，上述辅助电容相对电极具有：第1部分，其与上述辅助电容总线重叠，形成实质性的辅助电容；第2部分，其位于上述第1部分和上述漏极电极之间；以及第3部分，其以隔着上述第1部分而与上述第2部分相对的方式从上述第1部分突出地设置，以与上述辅助电容总线重叠、与除了与上述TFT的上述漏极电极电连接的上述像素电极以外的像素电极不重叠的方式设置，规定了三角形排列的多个像素，与预定像素相关联的上述第3部分配置于与上述预定像素在斜方向上相邻的2个像素的像素电极间。

本发明的实施方式的有源矩阵基板具备：基板；栅极总线，其设置于上述基板上；源极总线，其以与上述栅极总线交叉的方式设置于上述基板上；TFT，其设置于上述栅极总线和上述源极总线的交叉部附近，具有：栅极电极，其与上述栅极总线电连接；源极电极，其与上述源极总线电连接；以及漏极电极；像素电极，其与上述TFT的上述漏极电极电连接；辅助电容总线，其与上述栅极总线或上述源极总线平行地设置；以及辅助电容相对电极，其与上述漏极电极电连接，与上述辅助电容总线之间形成辅助电容，上述辅助电容相对电极具有：第1部分，其与上述辅助电容总线重叠，形成实质性的辅助电容；第2部分，其位于上述第1部分和上述漏极电极之间；以及第3部分，其以隔着上述第1部分而与上述第2部分相对的方式从上述第1部分突出地设置，以与上述辅助电容总线重叠、与除了与上述TFT的上述漏极电极电连接的上述像素电极以外的像素电极不重叠的方式设置，规定了三角形排列的多个像素，与预定像素相关联的上述第3部分配置于与上述预定像素在斜方向上相邻的2个像素的像素电极间。

在某实施方式中，上述第3部分包含与上述辅助电容总线不重叠的部分。

在某实施方式中，上述辅助电容总线包含：总线部分，其与上述栅极总线平行地延伸；以及分岔部分，其设置于与上述总线部分交叉的方向，上述辅助电容相对电极的上述第2部分和上述辅助电 容总线的上述分岔部重叠。

在某实施方式中，上述辅助电容总线的边缘处的上述第3部分的宽度与上述辅助电容总线的边缘处的上述第2部分的宽度相同。

在某实施方式中，上述辅助电容总线的边缘处的上述第3部分的宽度比上述辅助电容总线的边缘处的上述第2部分的宽度大。

在某实施方式中，上述辅助电容总线在形成上述第3部分的位置具有切缺部。

在某实施方式中，规定了多个像素，在上述多个像素中的至少2个像素中，设置上述第3部分的像素内的位置不同。

在某实施方式中，规定了三角形排列的多个像素，与预定像素相关联的上述第3部分配置于与上述预定像素在斜方向上相邻的2个像素的像素电极间。

在某实施方式中，上述漏极电极相对于上述栅极电极延伸的方向与上述第3部分从上述辅助电容总线突出的方向相差180°。

在某实施方式中，在与上述漏极电极相对于上述栅极电极延伸的方向相差180°的方向上，以从上述辅助电容总线突出的方式形成有上述辅助电容相对电极的第4部分。

本发明的实施方式的显示装置具备：有源矩阵基板，其具备：基板；栅极总线，其设置于上述基板上；源极总线，其以与上述栅极总线交叉的方式设置于上述基板上；TFT，其设置于上述栅极总线和上述源极总线的交叉部附近，具有：栅极电极，其与上述栅极总线电连接；源极电极，其与上述源极总线电连接；以及漏极电极；像素电极，其与上述TFT的上述漏极电极电连接；辅助电容总线，其与上述栅极总线或上述源极总线平行地设置；以及辅助电容相对电极，其与上述漏极电极电连接，与上述辅助电容总线之间形成辅助电容，上述辅助电容相对电极具有：第1部分，其与上述辅助电容总线重叠，形成实质性的辅助电容；第2部分，其位于上述第1 部分和上述漏极电极之间；以及第3部分，其以隔着上述第1部分而与上述第2部分相对的方式从上述第1部分突出地设置，以与上述辅助电容总线重叠、与除了与上述TFT的上述漏极电极电连接的上述像素电极以外的像素电极不重叠的方式设置，上述辅助电容总线在形成上述第3部分的位置具有切缺部；相对基板，其以与上述有源矩阵基板相对的方式配置；以及显示介质层，其设置于上述有源矩阵基板和上述相对基板之间，上述显示介质层为液晶层，上述有源矩阵基板和上述相对基板中的至少一者具有黑矩阵，上述辅助电容相对电极的上述第3部分设置于与上述黑矩阵重叠的位置。

在某实施方式中，上述显示介质层为液晶层，上述有源矩阵基板和上述相对基板中的至少一者具有黑矩阵，上述辅助电容相对电极的上述第3部分设置于与上述黑矩阵重叠的位置。

在某实施方式中，上述显示介质层为垂直取向型液晶层，在上述有源矩阵基板和上述相对基板中的至少一者设置有用于形成多个液晶畴的取向限制结构。

在某实施方式中，上述辅助电容相对电极的上述第3部分设置于与上述取向限制结构重叠的位置。

发明效果

根据本发明的实施方式所涉及的有源矩阵基板，在制造过程中 产生对位偏移的情况下也能够得到适当的辅助电容。另外，使用该有源矩阵基板制作的显示装置的显示品质良好。

附图说明

图1是示出实施方式1的TFT基板的俯视图。

图2是示出图1的TFT附近的部分放大图。

图3是沿着图2所示的TFT基板的Y－Y’线的截面图。

图4是示出比较例的TFT基板的俯视图。

图5是沿着示出接触孔的图2的X－X’线的截面图，（a）和（b）分别示出不同的方式。

图6是示出实施方式1的TFT基板的变形例的俯视图，（a）和（b）分别示出不同的方式。

图7是示出实施方式2的TFT基板的俯视图。

图8是示出图7的TFT附近的部分放大图。

图9是示出实施方式2的TFT基板的变形例的俯视图。

图10是示出适合于实施方式2的TFT基板的4色像素的方式的俯视图。

图11是示出实施方式3的TFT基板的俯视图。

图12（a）是示出与1个像素对应的区域的附近的图11的部分放大图，（b）是沿着图11所示的TFT基板的Z－Z’线的截面图。

图13（a）是示出实施方式4的TFT基板的俯视图，（b）是示出变形例的俯视图。

图14（a）和（b）是示出实施方式4的TFT基板的另一方式的图，（b）是示出（a）的TFT附近的部分放大图。

图15是示出实施方式5的液晶显示装置的俯视图，（a）示出TFT基板和相对基板，（b）仅示出TFT基板。

图16是示出实施方式5的液晶显示装置的另一方式的俯视图，（a）示出TFT基板和相对基板，（b）仅示出TFT基板。

图17是示出实施方式6的液晶显示装置（像素2分割方式）的俯视图，（a）示出TFT基板和相对基板，（b）仅示出TFT基板。

图18是示出实施方式6的液晶显示装置（像素3分割方式）的俯视图，（a）示出TFT基板和相对基板，（b）仅示出TFT基板。

图19是示出实施方式6的液晶显示装置（像素2分割方式）的另一方式的俯视图，（a）示出TFT基板和相对基板，（b）仅示出TFT基板。

图20是示出实施方式6的液晶显示装置（像素3分割方式）的另一方式的俯视图，（a）示出TFT基板和相对基板，（b）仅示出TFT基板。

图21是示出实施方式7的液晶显示装置的俯视图，（a）示出TFT基板和相对基板，（b）仅示出TFT基板。

图22是示出实施方式7的液晶显示装置的另一方式的俯视图，（a）示出TFT基板和相对基板，（b）仅示出TFT基板。

图23是示出实施方式7的液晶显示装置的又一方式的俯视图，（a）示出TFT基板和相对基板，（b）仅示出TFT基板。

图24是示出实施方式8的TFT基板的俯视图。

图25是示出实施方式8的变形例的TFT基板的俯视图。

图26是沿着图25所示的TFT基板的A－A’线的截面图。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施方式的TFT基板以及显示装置的构成。但本发明不限于以下说明的实施方式。

＜实施方式1＞

图1示出用于TN方式的液晶显示装置等的实施方式1的TFT基板100。在TFT基板100上矩阵状地设置有像素，图1中仅示出其中的1个像素及其周边的区域。在本实施方式中，1个像素的尺寸为约270μm×约90μm，像素具有横长形状。另外，图2是图1的部分放大图，图3是沿着图2所示的Y－Y’线的截面图。

首先，参照图1～图3说明TFT基板100的构成。

TFT基板100在基板40上具有：在水平方向上延伸的多条栅极总线（扫描线）10和多条辅助电容总线（Cs总线）12；以及以与它 们交叉的方式在垂直方向上延伸的多条源极总线（信号线）20。Cs总线12配置于相邻的2根栅极总线10间。另外，与由相邻的2根源极总线20和相邻的2根Cs总线12包围的区域对应地设置有像素电极30。

在栅极总线10和源极总线20的交叉部附近设置有TFT（薄膜晶体管）5。TFT5具有：栅极电极10a，其与栅极总线10一体地形成；以及源极电极20a和漏极电极24，其隔着栅极绝缘膜42和半导体层44设置于该栅极电极10a上。源极电极20a与源极总线20一体地形成，具有U字型。漏极电极24以被U字型的源极电极20a夹着的方式与源极电极20a相对地设置。此外，此处说明的TFT的“源极”和“漏极”这两个词可置换，例如，在本发明书中称为“漏极电极”的部分一般来说能够称为“源极电极”。

TFT基板100具有从漏极电极24延伸的辅助电容相对电极22（以下，有时称为Cs相对电极）。Cs相对电极22与漏极电极24一体地形成。另外，Cs相对电极22经由接触孔26与像素电极30电连接，从而漏极电极24和像素电极30导通。

如图2所示，Cs相对电极22包含：电容部22b1、22b2（以下，有时统称为电容部22b），其与Cs总线12重叠而形成辅助电容；连接部22a，其位于漏极电极24和电容部22b之间；以及补偿部22c，其以与连接部22a之间夹着电容部22b的方式配置。补偿部22c以隔着电容部22b与连接部22a相对的方式设置。如图3所示，栅极绝缘膜42介于Cs相对电极22的电容部22b和Cs总线12之间，由它们形成辅助电容Ccs。

如在图1和图2中示出其边缘30E那样，在本实施方式中，像素电极30具有以不覆盖TFT5的方式形成有切缺30n的平面形状。另外，如图3所示，像素电极30配置于以覆盖TFT5、Cs相对电极22等的方式设置的层间绝缘膜46上。像素电极30例如由包括ITO（Indium Tin Oxide；铟锡氧化物）、IZO（Indium Zinc Oxide；铟锌氧化物）等的透明导电膜形成。另外，也可以在像素电极30上设置用于控制液晶分子的取向的取向膜48。

多条栅极总线10和多条源极总线20分别连接于在此未图示的扫描线驱动电路和信号线驱动电路，它们由控制电路控制。由扫描线驱动电路向栅极总线10供应切换TFT5的导通－截止的扫描信号（或栅极信号）。另外，由信号线驱动电路向多条信号线20供应显示信号（或源极信号）。基于提供给信号线20的显示信号决定对像素电极30的施加电压。

下面，参照图3说明TFT基板100的制作工序。 

首先，在包括玻璃等的透明基板40上设置栅极总线10和Cs总线12。它们例如能够通过在基板40上蒸镀Al膜、Cu膜、Mo膜、Ti膜、Cr膜等或者它们的合金膜、多层金属膜（Ti－Al－Ti膜、Mo－Al膜），使用光刻技术进行图案化而形成。

然后，利用CVD法（化学气相沉积法）等沉积SiNx膜或SiOx膜等，形成栅极绝缘膜42。栅极绝缘膜42的厚度例如为0.3～0.7μm。之后，至少在形成TFT5的区域将包括非晶硅（a－Si）等的半导体层44设置为岛状。另外，在与半导体层44上的源极电极和漏极电极对应的部分设置掺有磷的n⁺非晶硅膜。也可以在半导体层44上设置包括SiNx等的沟道保护膜（未图示）。

然后，形成源极总线20、源极电极20a、漏极电极24以及从漏极电极24延伸的Cs相对电极22。它们例如能够通过蒸镀Al膜、Cu膜、Mo膜、Ti膜、Cr膜等或者它们的合金膜、多层金属膜（Mo－Al－Mo膜、Ti－Al膜）等，使用光刻技术对其进行图案化而形成。

这样，在利用图案化形成漏极电极24、Cs相对电极22时，根据图案化的精度等，有时会产生对位的偏移。下面，说明在Cs总线12和Cs相对电极22之间产生对位偏移的情况下产生的问题。

图4示出与图1～图3所示的实施方式不同、Cs相对电极22不具有从形成实质性的辅助电容的电容部22b突出的补偿部22c的情况（比较例）。由图4可知，在Cs相对电极22’没有补偿部22c的情况下，例如，在Cs相对电极22’的对位向纸面上方向偏移的情况下，连接部22a的一部分会随着偏移的大小与Cs总线12进一步重叠。因此辅助电容增加。另外，在对位向纸面下方向偏移的情况下，辅助电容 减小。

这样，在未设置有补偿部22c的构成中，辅助电容随着对位的偏移发生变动。例如，在对源极电极、漏极电极等进行图案化的工序中，在对1个显示区域使用多个光掩模或1个光掩模以步进重复方式进行曝光的方式，或者使用多个光掩模或1个光掩模以多次进行扫描曝光的方式等进行分割曝光的情况下，有时在各自的曝光区域的对位偏移量不同。在这种情况下，辅助电容的大小不同的区域与曝光区域的形状对应地形成为块状或者带状。另外，在不进行分割曝光的情况下，有时也会产生旋转系的对位偏移，另外，在扫描曝光时，当基板载置台、光源等移动时有时会产生位置偏移。在这种情况下，会阶段地或者部分地形成辅助电容的大小不同的区域。这样，在液晶面板中，若在每个像素处与各自相关联的辅助电容的大小不同，则显示的品质会降低。

另一方面，像本实施方式这样，在设置有补偿部22c的情况下，当产生对位的偏移时也能抑制辅助电容的变动。这是因为，连接部22a和补偿部22c以隔着电容部22b相对的方式配置，并且典型来说，补偿部22c以越过Cs总线12直到与Cs总线12不重叠的区域为止的方式形成。

若更具体地说明，则当对位以在连接部22a处的重叠部分增加的方式向图的上方向偏移时，补偿部22c的重叠部分减小，从而抑制辅助电容的变动。相反，当以在连接部22a处的重叠部分减小的方式产生对位偏移时，补偿部22c的重叠部分增加，从而抑制辅助电容的变动。因此，无论是否发生对位偏移，都可稳定地得到预定的辅助电容。

在本实施方式中，Cs相对电极22的补偿部22c以越过Cs总线12的方式形成，但可以想到，若与Cs总线12的边缘交叉，则在该部分容易发生泄漏电流，所以不优选。因此，以往，Cs相对电极多形成于Cs总线的边缘的内侧（例如专利文献1）。另外，Cs总线的边缘部分的锥形形状对形成在其边缘部分的上层的栅极绝缘膜和Cs相对电极的表面形状有影响。特别是，在用反射率高的Al等形成Cs相对 电极的表面的情况下容易反射外部光线，所以，若Cs总线的边缘部分的锥形形状在显示区域内有偏差，则有时会被视觉识别为反射不均。对此，可以想到，出于抑制外部光线反射不均这一理由，也优选Cs相对电极尽可能形成于Cs总线的边缘的内侧。

但是，如以上说明那样，若以跨过Cs总线12的边缘的方式设置Cs相对电极的补偿部22c，则能够适当地抑制因对位偏移而产生的辅助电容的变动。因此，在本实施方式中，特意以与Cs总线12的边缘部交叉的方式设置补偿部22c。

这样，在将包含补偿部22c的辅助电容相对电极22作为漏极电极24的延伸部一体地形成后，隔着层间绝缘膜46等形成像素电极30。在本实施方式中，像素电极30和漏极电极24经由配置于Cs相对电极22的电容部22b的接触孔26电连接。

图5（a）和（b）示出接触孔26的截面结构，是沿着图2的X－X’线的截面图。如图所示，在基板40上设置有Cs总线12，隔着包括SiNx等的栅极绝缘膜42（例如厚度为0.3μm～0.7μm）设置有Cs相对电极22。该Cs相对电极22与TFT5的漏极电极24一体地形成，电位随着源极信号而变化。图5（a）中示出在Cs相对电极22和栅极绝缘膜42之间存在半导体层44的情况，图5（b）中示出不存在半导体层44的情况，是哪一个构成都可以。

Cs相对电极22经由设置于层间绝缘膜46的接触孔26与像素电极30电连接。此外，层间绝缘膜46也可以包括例如厚度为0.1～0.7μm的无机膜（SiNx、SiOx等）和在其上设置的厚度为1～4μm的有机膜（感光性丙烯酸系树脂等）2层。另外，如图5（b）所示，在不设置半导体层的构成中，在接触孔形成工序（蚀刻工序）时，栅极绝缘膜42的一部分也可以变薄。

再次参照图2，说明Cs相对电极22的更具体的构成。

在本实施方式中，用于补偿辅助电容的补偿部22c以与连接部22a（特别是向Cs总线12搭跨的部分）大致相同的宽度（约4μm）构成。这样的话，在产生对位偏移的情况下，在连接部22a的搭跨部处的与Cs总线12的重叠面积的增加量和在补偿部22c的重叠面积 的减小量相等，所以能够适当地补偿辅助电容。

另外，考虑到预想的对位偏移的大小，优选补偿部22c的突出部分的长度为约1μm以上。但由图可知，补偿部22c朝着相邻的像素的TFT延伸，所以，若其突出量过长，则有可能引起与TFT5的短路。从这一点来看，优选补偿部22c的长度设定为所需的最小限度。从Cs总线12突出的补偿部22c的长度设定为例如约2μm。不过，在实际产生对位偏移的情况下，可以改变在TFT基板100中补偿部22c的突出部分的长度。

在本实施方式中，像素电极30在TFT5的上方具有切缺部30n，从而难以产生像素电极30和补偿部22c的重叠。若它们重叠，则会在补偿部22c和像素电极30之间形成寄生电容，有可能对相邻的像素处的显示有不好的影响。随着该寄生电容增大，有的像素电极的电位对相邻的像素电极的电位的影响变大。

例如，考虑采用使对预定像素施加的电压的极性按每3条栅极总线反转的驱动方式的情况。若上述寄生电容大，则在由3条栅极总线中的外侧的2条栅极总线驱动的像素中，来自相邻的像素的极性不同的电压对施加到液晶层的电压有影响。其结果是，会发生如下不理想状况：与由正中间的栅极总线驱动的像素处的液晶层的施加电压之间产生差别。特别是，像本实施方式这样，在3原色（RGB）的彩色滤光片在纵方向上排列的方式中，若当控制为施加同一电压时在按每个像素保持的施加电压中也产生差别，则会发生如下不理想状况：灰度级看起来带有特定的颜色。在本实施方式中，补偿部22c上方的像素电极30被切缺，所以能抑制这样的不良。

另外，在上述那样产生对位偏移的情况下，例如，若在附图中向上方向偏移，则漏极电极24相对于TFT5的栅极电极10a向上方向偏移。这时，栅极电极－漏极电极间的寄生电容Cgd减小。这样，产生寄生电容Cgd的变动，每个像素的寄生电容Cgd发生偏差，则可能引起闪烁、显示不均等显示不良。下面，说明寄生电容Cgd的变动带来的影响。

Cgd相对于一个像素的总电容（液晶电容（Clc）＋Ccs＋Cgd ＋其它寄生电容）的大小，受TFT的选择期间结束时的像素电极的电位降低（馈通）的大小影响。该电位降低的大小被称为馈通电压。若馈通电压的大小按每个像素不同，则有时显示的品质会降低。

馈通电压△Vd能够用△Vd＝Cgd·（Vgh－Vgl）/（Clc＋Ccs＋Cgd＋α）这个式子来表示。在此，（Vgh－Vgl）为TFT导通时的扫描电压（Vgh）和TFT截止时的扫描电压（Vgl）的差（栅极电压振幅）。另外，α为其它寄生电容，例如包含源极总线－像素电极间的寄生电容等。由上述式子可知，为了将馈通电压△Vd设为恒定，优选当Cgd减小时辅助电容Ccs也减小。另外可知，优选当Cgd增加时辅助电容Ccs也增加。

在漏极电极24的向栅极电极10a的突出方向和Cs相对电极22的连接部22a的向Cs总线12的突出方向为相反方向的情况下，馈通电压的大小根据补偿部22c的有无而变化。在设置有补偿部22c的情况下，当向与栅极电极相反的一侧产生漏极电极的对位偏移时，Cgd减小而Ccs增加。因此馈通电压△Vd大为减小。另外，当向与此相反的一侧产生对位偏移时，Cgd增加而Ccs减小，因此馈通电压△Vd大为增加。

与此相对，在设置有补偿部22c的情况下，在以寄生电容Cgd减小或增加的方式产生了对位偏移时，也能抑制辅助电容Ccs的变动。因此，馈通电压的变动与未设置有补偿部22c的情况相比会降低。

为了更有效地抑制馈通电压的变动，如图6（a）所示，只要将补偿部22c设得比连接部（搭跨部）22a粗即可。通过将补偿部22c的宽度设得比连接部22a的向Cs总线12的搭跨部的宽度粗，能够更可靠地补偿由于Cgd变动而引起的馈通电压的变动。这是因为，当以Cgd减小的方式产生了对位偏移时，Ccs也同样地减小，并且，当以Cgd增加的方式产生了对位偏移时，Ccs也同样地增加。为了抑制馈通电压的变动，例如在图6（a）所示的例中，将连接部22a的宽度设定为约4μm，而将补偿部22c的宽度设定为约14μm。

另外，如图6（b）所示，可以在设置补偿部22c的区域切缺Cs 总线12的一部分，例如可以设置约9μm（横）×约7.5μm（纵）的切缺部12n。这样一来，以补偿部22c不靠近相邻的像素的TFT5的方式设置补偿部22c变得更容易。如上所述，考虑到对位偏移的大小，补偿部22c从Cs总线12仅突出数微米程度就足够了。因此，利用切缺部12n，可使补偿部22c和相邻像素的TFT5的距离变得较长，能够防止电流泄漏的发生、提高制造的成品率。

如以上说明的那样，在本实施方式的TFT基板100中，在产生对位偏移的情况下，也能够稳定地得到预定的辅助电容。若将这样构成的TFT基板100用于液晶显示装置，则能够进行良好的显示。

此外，可通过在TFT基板100和相对基板之间封入液晶层来制作液晶显示装置。这样的液晶显示装置的制作方法能够使用公知技术。例如在以TN模式、VA（Vertical Alignment：垂直取向）模式工作的液晶显示装置等中，在相对基板上设置有相对电极，使用像素电极和相对电极，对介于它们之间的液晶层按每个像素施加电压从而进行显示。

另外，典型来说，在相对基板上设置有彩色滤光片和BM（黑矩阵）。图2中示出相对基板上的存在BM的区域。一般来说，黑矩阵是在相对基板的液晶层侧的表面使用金属层或黑色树脂层来形成。

在本实施方式中，将辅助电容相对电极22的补偿部22c设置于与相对基板上的BM配置部分对应的位置。因此，由于补偿部22c而引起的外部光线的反射不均不被视觉识别。该BM是为了遮挡TFT5的外部光线等而原本就设有的，而不是以防止上述像素电极切缺部30n处的漏光、遮挡补偿部22c的光为目的而新追加的。因此，只是利用在以往的液晶显示装置中就设有的BM，而不会进一步降低像素的开口率。

＜实施方式2＞

图7和图8示出实施方式2的TFT基板200。本实施方式的TFT基板200与实施方式1的TFT基板100大不相同的地方在于像素（和像素电极）的形状为纵长这一点。另外，在实施方式2中，像素尺寸 为约50μm×约150μm，较小。此外，为了简单，对与实施方式1的TFT基板100的构成要素具有同样功能的构成要素标注相同的附图标记，省略说明。

如图7所示，在实施方式2中，Cs总线12的分岔部12b沿着源极总线20延伸，与作为漏极电极24的延伸部分形成的Cs相对电极22重叠，从而形成辅助电容Ccs。

补偿部22c不是在源极总线20的延设方向上与连接部22a排为一列，而是向离开源极总线20的方向偏移地配置。这样，使补偿部22c尽可能远离相邻的像素的TFT5，从而抑制与TFT5的干扰。

此外，使补偿部22c离开相邻的像素的TFT5，从而补偿部22c和像素电极30的距离缩小。不过，在本实施方式中是纵长的条状的像素构成，与实施方式1不同，不是在上下方向上相邻的像素对应于不同的颜色。而且，不是采用使施加到像素的电压的极性按每3条栅极总线反转的驱动方式，而是采用使上下相邻的像素的极性交替地反转的驱动方式。因此，即使补偿部22c和像素电极30之间的寄生电容稍微增大，也不会产生灰度级看起来带有特定的颜色的问题。

在本实施方式中也设置有补偿部22c，所以在产生对位偏移的情况下也能够抑制辅助电容的变动。如上所述，补偿部22c不需要与连接部22a排为一列，它们被定位为夹着电容部22b相对。通过这样的配置来实现对对位偏移的适当的电容补偿。

像素尺寸越小，辅助电容的补偿的重要性越增大。光刻工序中的图案形成的分辨率以及光掩模的最小线宽是有限度的，其最小线宽从设计值来说为大约3μm程度。因此，即使像素尺寸变小（即，即使辅助电容变小），连接部22a的搭跨部分的宽度也不能够成比例地变窄。另外，对位的偏移的大小也跟像素尺寸无关，而是相同的。因此，像素尺寸越小，相对的辅助电容相对于辅助电容的总电容的变化量越大。

另外，也可以将补偿部22c用于电容补偿以外的目的。例如，测定越过Cs总线12而突出的补偿部22c的长度，将该测定值和设定 值作比较，从而能够测定对位偏移的大小。为了降低该偏移而进行制造过程的调整，从而可降低对位偏移本身。

另外，如图9所示，按每个像素变更补偿部22c的位置，从而能够将补偿部22c用作示出特定像素的标记。在图9所示的方式中，在水平方向上相邻的3个像素分别对应于RGB（Red；红、Green；绿、Blue；蓝）各色。典型来说，这3个像素分别与设置于相对基板上的彩色滤光片的颜色相对应。

在这种情况下，与各自的颜色相关联地，在R的像素设置有补偿部22cR，在G的像素设置有补偿部22cG，在B的像素设置有补偿部22cB。这些补偿部22cR、22cG、22cB的像素内的配置按每个像素（颜色）而不同。这样一来，在与相对基板贴合前的阶段的TFT基板中，能够容易地确定是在哪个颜色产生不良。

此外，图9中示例了相邻的3个像素对应于RGB各色的情况，在相邻的4个像素与RGBY（Yellow；黄）、RGBW（White；白）等对应的情况下，也同样地能够以按每个像素改变补偿部的位置的方式来构成。另外，与各色对应的像素不是必须在水平方向上按顺序排列，也可以以预定图案来配置。另外，按每个像素的颜色改变补偿部的位置的配置不仅适用于本实施方式的TFT基板200，也可适用于其它实施方式的TFT基板。

图10中示出与4色像素对应的方式。在图示的有源矩阵基板210中，设置有与RGBW4色对应的约100μm×约100μm的正方形的像素。补偿部22c的在像素内的位置按每个像素的颜色而分别不同。此外，图10中的RGBW的配置是作为一例而示出的，能够任意设定。另外，如上所述，也可以使用Y来代替W，也可以是其它颜色。

＜实施方式3＞

图11示出实施方式3的TFT基板300。本实施方式的TFT基板300与实施方式1的TFT基板100的不同点在于：像素以三角形排列；以及用于以VA模式中的CPA模式工作的液晶显示装置。此外，为了简单，对与实施方式1的TFT基板100的构成要素具有同样功能的构成要素标注相同的附图标记，省略说明。

在TFT基板300中，源极总线20沿着附图的纵方向、矩形波状地具有多个弯曲部分地延伸，与三角形排列的像素对应。另外，Cs总线12包含延伸到像素区域的中央部为止的分岔部12b。在该分岔部12b和Cs相对电极22的电容部22b之间也形成有辅助电容。

另外，为了以CPA模式工作，在与TFT基板300相对配置的相对基板（未图示）上的相对电极（未图示）上设置有取向限制部50。图11中示出设置于相对基板的取向限制部50的位置。在本实施方式中，相对基板上的取向限制部50分别设置于与TFT基板300上的TFT5和接触孔26对应的位置。

该取向限制部50在垂直取向型液晶层中限制液晶分子的取向的方位，在施加电压时，液晶分子在预定区域内以取向限制部50为中心而辐射状地取向。取向限制部50例如可以是正多棱柱状或圆柱状的突起结构。该突起结构能够通过对例如树脂膜进行图案化而得到，设置为高度1.2μm程度。另外，该突起结构也可以利用为了使单元间隙均匀而设置于整个液晶面板的柱状的感光间隔物。而且，取向限制部50不是必须为突起结构，也可将取向限制部50设为形成于相对电极的圆形、多边形的开口部。

在本实施方式中，Cs相对电极22的补偿部22c也设置于夹着电容部22b而与和漏极电极24的连接部22a相反的一侧，所以当产生对位偏移时也能补偿辅助电容。优选该补偿部22c从Cs总线12突出1μm以上。不过，为了防止与其它配线等的短路，不优选突出部分过长，在本实施方式中设定为2μm。

另外，由图可知，在像TFT基板300那样，像素以三角形排列的情况下，优选补偿部22c配置于相邻的2个像素电极30间。相邻的像素电极间的距离在本实施方式中设定为7μm。通过适度分离像素电极彼此，能够降低像素电极间的电流泄漏、在像素电极间能够产生的寄生电容的大小。该距离设定为例如4～8μm程度。

而且，如图12（a）中放大示出的那样，补偿部22c朝着源极总线20延伸，使它们之间不发生泄漏电流也很重要。优选源极总线20和补偿部22c之间的距离为3μm以上。在本实施方式中，该距离设 定为9μm。补偿部22c的形状能够考虑到这样的种种设计上的条件而适当地选择。

另外，为了更可靠地补偿辅助电容Ccs，优选补偿部22c的宽度等于或者大于连接部22a的宽度，在本实施方式中，将双方的宽度设定为4μm。但补偿部22c的宽度也可以比它大，例如设定为5μm。

如使用图6（a）所述的那样，使补偿部22c较粗，从而当产生对位偏移时也能够抑制由于Cgd的变动而引起的闪烁的发生、显示不均等。在本实施方式中，TFT5的漏极电极24的相对于栅极电极10a的突出方向和Cs相对电极22的连接部22a的相对于Cs总线12的方向（搭跨方向）也是相反方向。例如在对位向纸面上方向偏移的情况下，栅极－漏极间的寄生电容Cgd减小。这时，若未设置有补偿部22c，则辅助电容Ccs增加。这样一来，寄生电容Cgd相对于与像素相关联的总电容的大小发生较大变动。与此相对，在设置有较粗的补偿部22c的情况下，寄生电容Cgd和辅助电容Ccs都减小。从而，能抑制寄生电容Cgd相对于总电容的大小的变动。不过，若补偿部22和像素电极30重叠，则会在补偿部22c和相邻的像素电极30之间形成较大的寄生电容，所以不优选。因此，优选补偿部22c的宽度不比像素电极间的间隙大。在本实施方式中像素电极间的距离为7μm，所以优选补偿部22c的宽度为7μm以下。

这样，通过在像素电极30的间隙部分设置补偿部22c，防止在补偿部22c和像素电极30之间形成寄生电容。在本实施方式中，不在像素电极30设置切缺部，防止对相邻的像素处的显示有不好的影响。

另外，优选该像素电极30的间隙部分由形成于相对电极上的BM来遮光。一般来说，多在与相邻的像素电极的间隙部分对应的位置设置BM。这是为了防止当在TFT基板和相对基板的贴合工序中产生位置偏移时也发生混色。在本实施方式中，采用以常黑进行显示的CPA模式，所以不会产生常白情况下那样的极端的漏光。但在像素端部容易产生液晶的取向紊乱，所以通过用BM遮光来提高对比度。另外，在离取向限制部50远的部分，液晶的响应差，因而 成为残像的原因。用BM隐藏该区域也成为应对残像的对策。

图12（b）中示出沿着图11所示的TFT基板300的Z－Z’线的截面。在TFT基板300中，在设置于层间绝缘膜46的接触孔26处，Cs相对电极22和像素电极30连接。由图12（b）可知，在本实施方式中，Cs相对电极22和像素电极30直接连接。此外，Cs相对电极22也可以通过将导电性材料作为多层结构来形成。例如，也可以是在Mo膜上设置有Al合金膜的结构。

＜实施方式4＞

图13（a）示出实施方式4的TFT基板400。另外，图13（b）示出其变形例的TFT基板405。

在TFT基板400中，与由相邻的2根源极总线20和相邻的2根栅极总线10包围的区域对应地配置有像素电极30。设置于栅极总线10间的Cs总线12以横穿像素电极30的方式延伸。此外，为了简单，对与实施方式1的TFT基板100的构成要素具有同样功能的构成要素标注相同的附图标记，省略说明。

Cs相对电极22的补偿部22c以从Cs总线12突出的方式形成。优选其突出的长度为1μm以上。但TFT基板400的补偿部22c存在于与像素电极30重叠的区域。因此，会成为像素的开口率降低、发生反射不均的原因。因此，不优选突出部过长，例如设定为2μm程度。

另外，若补偿部22c的宽度与连接部12a的向Cs总线12的搭跨部是相同的宽度，则能适当地抑制辅助电容的变动。在本实施方式中，它们设定为4μm。

在本实施方式中，像素电极30被2根栅极总线10夹着，Cs总线12以横穿像素电极30的方式形成。因此，施加到补偿部22c的电压不会对相邻的像素的电位有影响。

另外，如图13（b）所示，可以将补偿部22c设置于电容部22b的角部。该补偿部22c除了具有向附图上方向突出的部分，还具有向附图右方向突出的追加部分。在图13（a）和（b）所示的方式中，TFT5的漏极电极24相对于栅极电极10a延伸的方向（漏极－栅极方向）在附图中为左方向。在这种情况下，当漏极电极24、Cs相对电 极22例如向纸面右方向发生对位偏移时，Cgd减小。这时，如图13（b）所示，若在与漏极－栅极方向相反方向的右方向上形成有补偿部22c的追加部分，则Cgd和Ccs都减小。因而能够抑制Cgd相对于整体电容（Clc＋Ccs＋Cgd＋α）的大小的变动，即馈通电压的变动。此外，该追加部分不一定需要与补偿部22c一体地形成，也可以另外设置。

图14（a）和（b）示出像素以三角形排列的TFT基板410。在TFT基板410中，像素电极30也被夹在相邻的2根栅极总线10间。另外，Cs总线12具有延伸到像素的中央部分为止的分岔部12b。

Cs相对电极22的补偿部22c从分岔部12b突出约1.5μm。另外，其宽度d2设定为与向分岔部12b的搭跨部的宽度d1相等，在此约为7μm。此外，Cs相对电极22的连接部22a与Cs总线（分岔部12b）的边缘以约45°的角度交叉，但不是与图14（b）的d3所示的线宽（约5μm）相等地，而是与搭跨部（与分岔部12b的边缘的交叉部）的宽度d1相等地设定补偿部22c的宽度d2，从而能够更可靠地进行对对位偏移的电容补偿。

＜实施方式5＞

图15（a）和（b）示出以MVA模式工作的液晶显示装置500。图15（a）中示出设置于TFT基板和相对基板的构成要素，图15（b）中仅示出TFT基板侧。在TFT基板和相对基板之间封入有垂直取向型液晶层。液晶层包含具有负介电各向异性的向列型液晶。

此外，虽未图示，但典型来说，在相对基板上设置有相对电极（共用电极）、彩色滤光片、黑矩阵等。另外，在相对基板和TFT基板各自的液晶层侧设置有垂直取向型取向膜，以液晶分子的预倾角为大致垂直的方式限制液晶的取向。

在本实施方式中也由TFT基板上的Cs总线12（以及分岔部12b）和Cs相对电极22形成有辅助电容。与实施方式1～4所示的TFT基板同样地，从漏极电极24延伸的Cs相对电极22具有在连接部22a的相反侧以隔着其电容部22b的方式设置有补偿部22c的构成。利用补偿部22c，能补偿由于对位偏移而引起的辅助电容的变动。

另外，在TFT基板上的像素电极30上形成有带状狭缝30s，线状的肋52以与狭缝30s大致平行地延伸的方式设置于相对基板上。由TFT基板和相对基板夹持的液晶层的液晶分子被肋52和狭缝30s限制取向，典型来说，是在与肋52和狭缝30s延伸的方向垂直的方向上规定取向的方位。不过，液晶分子在肋52和狭缝30s各自的两侧向相互相差180°的方位取向。另外，狭缝30s和肋52在1个像素内具有向相互正交的2个方向延伸的部分。其结果是，在1个像素中形成施加电压时的取向方位不同的4个液晶区域（液晶畴）。从而能够得到良好的视野角特性。

这些肋52和狭缝30s被称为取向限制结构（畴限制结构）。在MVA型液晶显示装置中，取向限制结构通常使用形成于电极的狭缝（开口部）或者形成于电极的液晶层侧的介电体突起（肋）。

在本实施方式中，虽在像素电极30上设置有狭缝30s，但像素电极30没有被狭缝30s分割。也就是说，在1个像素区域内，经由TFT5对遍及像素整体的像素电极30施加相同电压。另外，像素电极30和Cs相对电极22保持为大致相同电位，所以在它们之间不形成电容。

Cs相对电极22的补偿部22c设置于与相对基板的肋52对应的位置。设置有肋52的区域透射率低，液晶分子的取向也与其它区域不同的情况较多，所以是难以用于显示的区域。若将补偿部22c配置于该区域，则与未设置有补偿部22c的情况相比，像素的开口率不会进一步降低。另外也能抑制反射不均的发生。

然后，参照图16（a）和（b）说明液晶显示装置500的变形例的液晶显示装置510。液晶显示装置510与液晶显示装置500的不同点在于Cs相对电极22的补偿部22c配置于像素电极30的狭缝30s这一点。

这样，补偿部22c能以与连接部22a之间夹着电容部22b的方式设置于任意的位置。但需要补偿部22c以抵消Cs相对电极22的向Cs总线12的搭跨部（连接部22a和电容部22b的边界部）的、因对位偏移而产生的重叠部分的增减的方式发挥功能。

为此，在本实施方式中只要满足如下条件，使补偿部22c从Cs总线12突出即可。将搭跨部处的Cs总线12的边缘的面内向外法线方向（向不存在Cs总线12的一侧的垂直于边缘的方向）设为A方向。另外，将补偿部22c从Cs总线12的其它边缘突出的情况下的该其它边缘的面内向外法线方向设为B方向。这时，在A方向和B方向所成的角度比90°大的情况下，补偿部22c能够补偿搭跨部的重叠面积的增减。在本说明书中，当满足这样的关系时，表达为“补偿部22c与连接部22a之间夹着电容部22b”或者“补偿部22c以与连接部22a相对的方式从电容部22b突出”等。

典型来说，补偿部22c从相对于搭跨部处的向外法线方向（例如附图下方向）具有相差180°的向外法线方向（例如附图上方向）的Cs总线边缘突出。即，在连接部22a和补偿部22c处的Cs总线边缘相互平行的情况下，Cs相对电极22的向漏极电极24侧的突出方向和补偿部22c的突出方向为相反方向。

＜实施方式6＞

图17（a）和（b）示出以MVA模式工作的另一方式的液晶显示装置600。在本实施方式的液晶显示装置600中进行了像素分割，在一个像素内存在副像素电极30a和副像素电极30b。但在本实施方式中，副像素电极30a和30b都各自经由接触孔26a和26b与TFT5的漏极电极24电连接。

在液晶显示装置600中也与图15所示的液晶显示装置500同样地设置有Cs相对电极22的补偿部22c，从而无论是否发生对位偏移，都可得到期望的辅助电容。

另外，Cs相对电极22的补偿部22c设置于与相对基板的肋52对应的位置。若将补偿部22c配置于该区域，则能防止由于补偿部22c而使像素的开口率进一步降低。另外也能抑制反射不均的发生。

图18（a）和（b）示出将像素分割为3个的情况的液晶显示装置605。在液晶显示装置605中，在一个像素内存在副像素电极30a、副像素电极30b以及副像素电极30c这3个副像素电极。副像素电极30a和副像素电极30b分开地配置在像素的上下。各个副像素电极 30a、30b、30c利用与各自对应设置的接触孔26a、26b、26c与TFT5的漏极电极24连接。除了像素被这样3分割以外，液晶显示装置605具有与上述液晶显示装置600同样的构成。

然后，图19（a）和（b）中示出变形例的液晶显示装置610。在液晶显示装置610中，在进行了像素分割的方式中，补偿部22c设置于副像素电极30a和副像素电极30b的间隙30t。图20（a）和图20（b）示出将该液晶显示装置610分割为3个副像素的方式的液晶显示装置615。

在如上说明的各个液晶显示装置中，在产生对位偏移的情况下也可补偿辅助电容的变动，并且，补偿部22c设置于不会降低显示装置的开口率或增大反射不均的那样的位置（对显示的贡献低的位置），所以能够进行良好的显示。

＜实施方式7＞

图21（a）和（b）示出实施方式7的液晶显示装置700。在液晶显示装置700中也进行了像素分割，在1个像素内设置有副像素电极30a和副像素电极30d。副像素电极30a经由接触孔26与TFT的漏极电极24连接。另一方面，副像素电极30d不与任何一条配线直接连接，为悬浮状态。

另外，与其它实施方式同样地设置有从漏极电极24延伸的Cs相对电极22，在Cs相对电极22与Cs总线12之间形成有辅助电容。而且，在液晶显示装置700中，Cs相对电极的连接部22a和补偿部22c分别连接有位于悬浮状态的副像素电极30d的下方的一对耦合电极28。一对耦合电极28以分别与在相对基板上作为取向限制结构而设置的肋52重叠的方式配置。此外，在本实施方式中，夹着Cs总线12分割耦合电极28，使Cs总线12和耦合电极28不重叠。这是为了防止耦合电极28与Cs总线12（特别是其边缘）交叉，更加降低发生Cs总线12和耦合电极28的短路不良、发生在交叉部分的反射不均的可能性。

补偿部22c限定在与悬浮状态的副像素电极30d不重叠的部分。在补偿部22c和耦合电极28一体地形成的情况下，也不与悬浮状态 的副像素电极30d重叠，并且仅将从Cs总线12突出的部分设为补偿部22c。这样，补偿部22c是与Cs总线12之间形成实质性的辅助电容、并且为了尽可能减小与悬浮状态的副像素电极30d等其它电极之间形成的电容而设置的部分。

该耦合电极28与副像素电极30d之间形成耦合电容。此外，在耦合电极28和副像素电极30d之间设置有图3所示的层间绝缘膜46。作为层间绝缘膜46，有为了减小耦合电极28的面积而仅使用以0.1～0.4μm程度的膜厚形成的SiNx等的无机膜的情况、为了减小副像素电极30d与源极总线20及栅极总线10的寄生电容而在无机膜上层叠地使用相对介电常数小（0.2～0.4程度）的有机膜的情况等。

在这样的构成中，与和TFT5直接连接的副像素电极30a不同的电位被施加到副像素电极30d。这样的构成例如记载于专利文献4。

另外，与图15所示的液晶显示装置500等同样地，在本实施方式的液晶显示装置700中，补偿部22c以与在相对基板上作为取向限制结构而设置的肋52重叠的方式配置。

然后，参照图22（a）和（b）说明变形例的液晶显示装置710。

在液晶显示装置710中，补偿部22c设置于直接连接于TFT的副像素电极30a和悬浮状态的副像素电极30d之间的间隙。与上述液晶显示装置700同样地，副像素电极30d与耦合电极28之间形成耦合电容。

在这些液晶显示装置中，补偿部22c与直接连接于TFT的副像素电极30a重叠。施加到补偿部22c和副像素电极30a的电压的大小相同，所以在它们之间不会形成辅助电容。

进而，参照图23（a）和（b）说明另一方式的液晶显示装置720。液晶显示装置720与上述液晶显示装置710的不同点在于设置有与补偿部22c连接的耦合电极29这一点。补偿部22c以从电容部22b突出的方式形成，因此能够将该补偿部22c用作与耦合电极29的连接部。

如上所述，补偿部22c是以与辅助电容总线12之间形成实质性的辅助电容的方式设置的部分，在图23（a）和（b）所示的方式中， 不包含与副像素电极30d重叠的部分（耦合电极29），是从电容部22b突出、位于副像素电极30a、30d之间的部分。

在以上说明的任一个液晶显示装置中，补偿部22c都设置于不会降低显示装置的开口率或增大反射不均的那样的位置，所以能够进行良好的显示。

＜实施方式8＞

在本实施方式中，说明适用于反射型显示装置的有源矩阵基板。另外，该有源矩阵基板不光用于反射型液晶显示装置，也适用于电子纸中采用的微胶囊型电泳方式等的反射型显示装置。

图24示出实施方式8的TFT基板800。在TFT基板800中，1个像素的尺寸为约100μm×约100μm的正方形。另外，与图10所示的方式同样地，TFT基板800具有与4色（R、G、B、W）像素对应的构成。

像素电极（反射电极）30r使用Al膜、Al－Mo层叠膜、Ni膜等反射膜来形成，具有反射外部光线的功能。也可以在该反射膜上层叠透明电极（ITO、IZO）。

也可以在作为像素电极（反射电极）下层的层间绝缘膜的表面形成有几μm～十几μm程度的尺寸的凹凸。该凹凸规定在其上形成的像素电极30r的表面的形状。通过在像素电极30r的表面形成细小凹凸，能够提高在像素电极30r处的光反射特性，均匀地分散反射光的强度，可进行更明亮的、品质提高了的显示。

另外，像素电极30r以覆盖栅极总线10和源极总线20的方式配置。从而能够抑制因总线配线材料而产生的反射不均。另外，能够防止因总线的电压变化而导致的影响，抑制液晶的取向异常。另外，作为反射电极的像素电极30r以覆盖TFT5a、5b的方式设置，所以不需要在TFT上配置用于遮挡外部光线的BM。因此能够增加有效反射面积。

在本实施方式中，对1个像素，连续设置有2个TFT5a、5b。这是为了在保持施加到像素的电压的期间中（TFT5a、5b的截止状态中）降低从TFT5a、5b泄漏的电流。但也可以像在其它实施方式中说明的那样，只有一个TFT。

在TFT基板800中，补偿部22c配置于与在右侧相邻的像素电极的间隙部。补偿部22c以隔着电容部22b而与从漏极电极24延伸的连接部22a相对的方式设置。与其它实施方式同样地，设置有补偿部22c，从而能够抑制由于对位偏移而引起的辅助电容的变动。另外，在TFT基板800中，漏极电极24相对于栅极电极10a突出的方向和补偿部22c从Cs总线12突出的方向也为相反方向。因此，能够补偿由于因对位偏移而引起的寄生电容Cgd的变动而产生的馈通电压的变动。

另外，补偿部22c的位置以与4色（R、G、B、W）像素各自的颜色对应的方式按每个像素的颜色变更。从而，能够与图10所示的方式同样地，将补偿部22c用作示出像素的颜色的标记。

以上，说明了将TFT基板800用于反射型液晶显示装置的情况，而对于微胶囊型电泳方式的电子纸也能够使用TFT基板800。下面，说明适用于被用作电子纸的微胶囊型电泳方式的显示装置的方式。

典型来说，电子纸具有在TFT基板和与它相对地配置的相对基板之间设置有微胶囊层的构成。微胶囊为数十～数百μm直径的透明树脂。在微胶囊的内部，例如带正电的白色粒子和带负电的黑色粒子混入在透明的绝缘性的分散介质中。微胶囊层是指配置有许多上述微胶囊的树脂层。对该微胶囊层的预定区域施加正或负的电压，使微胶囊内的白色粒子和黑色粒子发生电泳，从而能够进行显示。

通过将TFT基板800用作背面侧基板，在该背面侧基板和观察者侧基板（相对基板）之间夹持微胶囊层，能够作为显示装置（电子纸）使用。在观察者侧基板，与液晶显示装置同样地，透明的共用电极（ITO、IZO等）形成在大致整个显示区域。观察者侧基板能够使用树脂基材（塑料基板）来形成。这样的电子纸例如是在观察者侧基板利用涂层配设微胶囊层，将这些层叠结构体与TFT基板800贴合而制作。此外，在用于电子纸的情况下，不需要在设置于TFT基板800的层间绝缘膜的表面形成细小凹凸。

另外，也能够使用ITO、IZO将设置于TFT基板800的电极设为 透明的像素电极。在TFT基板800上设置透明像素电极的情况下，也可将该TFT基板800用作观察者侧基板。

与液晶显示装置同样地，也可以在相对基板（树脂基材/塑料基板）形成彩色滤光片层。从而彩色显示成为可能。在不形成彩色滤光片层的情况下为单色显示，与进行彩色显示的情况相比，光利用效率高。因此，能够得到明亮的、对比度比大的显示，适合于将本发明的显示装置用于专门进行文字显示的电子书籍等情况。

另外，TFT基板800也能够使用塑料基板来制作。若使用塑料TFT基板，则也可得到厚度为0.5mm程度的电子纸。这样制作的电子纸具有可挠性，所以被期待各种方式的使用。

然后，参照图25说明TFT基板800的变形例。在变形例的TFT基板810中，辅助电容总线12与栅极总线10交叉，在与源极总线20平行的方向上延伸。

在TFT基板810中，辅助电容总线12具有辅助电容形成部分12A和与栅极总线10的交叉部12B。交叉部12B电连接与相邻的像素各自相关联的2个辅助电容形成部分12A。辅助电容形成部分12A，与TFT基板800同样地，由与栅极总线10相同的层形成。与此相对，与栅极总线10的交叉部12B形成在与源极总线20相同的层（栅极绝缘膜上）。

图26示出辅助电容总线12中的、辅助电容形成部分12A和交叉部12B的连接的方式。如图所示，交叉部12B经由形成于栅极绝缘膜42的接触孔16电接触各个辅助电容形成部分12A，从而连接辅助电容形成部分12A。

在这样的构成中，源极总线20和辅助电容总线12不交叉，所以能防止施加于它们的信号电压的干扰。因此，能够降低源极总线20的负荷，能够降低消耗电力。

以上说明了本发明的有源矩阵基板以及使用它的显示装置的实施方式，本发明的有源矩阵基板可用于能期待补偿与像素电极相关联的辅助电容的种种显示装置中。例如能够适用于便携式设备等中使用的半透射型液晶显示装置。另外，也能够适用于将共用电极 形成在有源矩阵基板侧、而不是相对基板侧的横电场模式的液晶显示装置。另外，也能够适用于用于电子纸的水平型电泳式的显示装置等。

工业上的可利用性

使用了本发明的实施方式所涉及的有源矩阵基板的液晶显示装置作为液晶电视等种种液晶显示装置而被广泛使用。

另外，本发明的实施方式的有源矩阵基板不光用于液晶显示装置，还用于其它显示装置，例如微胶囊型电泳方式的电子纸等。

附图标记说明

5    TFT

10   栅极总线

10a  栅极电极

12   辅助电容总线

20   源极总线

20a  源极电极

22   辅助电容相对电极

22a  连接部

22b  电容部

22c  补偿部

24   漏极电极

26   接触孔

30   像素电极

30E  像素电极边缘

100  有源矩阵基板

Claims (11)

1.一种有源矩阵基板，

具备：

基板；

栅极总线，其设置于上述基板上；

源极总线，其以与上述栅极总线交叉的方式设置于上述基板上；

TFT，其设置于上述栅极总线和上述源极总线的交叉部附近，具有：栅极电极，其与上述栅极总线电连接；源极电极，其与上述源极总线电连接；以及漏极电极；

像素电极，其与上述TFT的上述漏极电极电连接；

辅助电容总线，其与上述栅极总线或上述源极总线平行地设置；以及

辅助电容相对电极，其与上述漏极电极电连接，与上述辅助电容总线之间形成辅助电容，

上述辅助电容相对电极具有：

第1部分，其与上述辅助电容总线重叠，形成实质性的辅助电容；

第2部分，其位于上述第1部分和上述漏极电极之间；以及

第3部分，其以隔着上述第1部分而与上述第2部分相对的方式从上述第1部分突出地设置，以与上述辅助电容总线重叠、与除了与上述TFT的上述漏极电极电连接的上述像素电极以外的像素电极不重叠的方式设置，

上述辅助电容总线在形成上述第3部分的位置具有切缺部。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

上述第3部分包含与上述辅助电容总线不重叠的部分。

3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

上述辅助电容总线包含：总线部分，其与上述栅极总线平行地延伸；以及分岔部分，其设置于与上述总线部分交叉的方向，

上述辅助电容相对电极的上述第2部分和上述辅助电容总线的上述分岔部分重叠。

4.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

上述辅助电容总线的边缘处的上述第3部分的宽度比上述辅助电容总线的边缘处的上述第2部分的宽度大。

5.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

规定了多个像素，

在上述多个像素中的至少2个像素中，设置上述第3部分的像素内的位置不同。

6.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

上述漏极电极相对于上述栅极电极延伸的方向与上述第3部分从上述辅助电容总线突出的方向相差180°。

7.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

在与上述漏极电极相对于上述栅极电极延伸的方向相差180°的方向上，以从上述辅助电容总线突出的方式形成有作为与上述第3部分不同的部分的上述辅助电容相对电极的第4部分。

8.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

上述辅助电容总线的边缘处的上述第3部分的宽度与上述辅助电容总线的边缘处的上述第2部分的宽度相同。

9.一种显示装置，

具备：

权利要求1所述的有源矩阵基板；

相对基板，其以与上述有源矩阵基板相对的方式配置；以及

显示介质层，其设置于上述有源矩阵基板和上述相对基板之间，

上述显示介质层为液晶层，

上述有源矩阵基板和上述相对基板中的至少一者具有黑矩阵，

上述辅助电容相对电极的上述第3部分设置于与上述黑矩阵重叠的位置。

10.根据权利要求9所述的显示装置，

上述显示介质层为垂直取向型液晶层，

在上述有源矩阵基板和上述相对基板中的至少一者设置有用于形成多个液晶畴的取向限制结构。

11.根据权利要求10所述的显示装置，

上述辅助电容相对电极的上述第3部分设置于与上述取向限制结构重叠的位置。