CN103219370A - 一种具有p浮空层电流栓的rc-igbt - Google Patents

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陈伟中
刘永
任敏
张波
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一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT，属于半导体功率器件领域。本发明是在传统RC-IGBT的N集电区和P集电区之间引入介质埋层，并在介质埋层上方的N型缓冲层中引入一个p浮空层电流栓。本发明在基本不影响器件其他参数的情况下，可显著降低snapback的转折电压，提高反向恢复软度因子，以及电流分布均匀，没有局域过热现象，提高了RC-IGBT的可靠性能。

Description

一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT
技术领域
一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT（reverse-conducting insulated-gate bipolar transistor，反向导通绝缘栅双极型晶体管），属于半导体功率器件领域。 
背景技术
IGBT（Insulate Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）既有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点，又具有双极型功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点，所以被广泛应用于电磁炉、UPS不间断电源、汽车电子点火器、三相电动机变频器、电焊机开关电源等产品中作为功率开关管或功率输出管，市场前景非常广阔。IGBT产品是电力电子技术领域非常理想的开关器件，它集合了高频、高压、大电流三大技术优势，同时又能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。 
但是IGBT只是一个单向导通器件，在应用的时候需要一个反向并联的二极管来承受反向电压，这就增加了IGBT的制造成本，以及带来封装，焊接等难题。2002年E.Napoli等人提出了一种能够反向导通的IGBT称为RC-IGBT，这种RC-IGBT通过在集电极上引入N型集电极（N-Collector）的方法实现了IGBT和二极管的集成。传统的RC-IGBT如图1所示，集电极是由P型集电极（P-Collector）和N型集电极（N-Collector）组成。但是这种传统RC-IGBT在正向导通的时候会出现一个负阻效应（snapback），并且由于电流不均匀会造成温度局域过高从而存在可靠性方面的问题。后来M.Rahimo等人为了解决snapback现象又发明了BIGT（Bi-mode Insulated Gate Transistor，双模式绝缘栅双极型晶体管），如图2所示，该器件在传统RC-IGBT基础上，通过增大原胞面积且将它分为IGBT部分和RC-IGBT部分来解决snapback现象，但是由于大的元胞尺寸（采用600μm进行仿真显示，若要彻底消除snapback需要2500μm以上），会增加关断损耗，并且由于两个部分的空穴发射效率不一样，电流集中现象将更为突出，进一步造成了温度局域过高，会对器件可靠性造成严重影响。 
发明内容
本发明提出一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT，旨在不影响RC-IGBT其他性能参数的同时，能使器件电流以及温度分布均匀，且抑制snapback现象从而极大提高RC-IGBT的可靠性。 
本发明是在传统RC-IGBT的N-Collector和P-Collector之间引入介质埋层实现N-Collector 和P-Collector之间的电隔离，并在介质埋层上方的N型缓冲层（n-buffer）中引入一个p浮空层电流栓，器件在正向导通的时候，引入的P浮空层电流栓能够阻挡电子电流流向N型集电极（N-Collector），使得电子电流集中在P型集电极（P-Collector）上，这样P-Collector区不受N-Collector区的影响，从而把这个器件分割成了IGBT部分和DIODE（二极管）部分。这样在正向导通的时候IGBT能够独立工作，很好的抑制了Snapback现象。并且仿真表明不论在正向导通和反向导通的时候电流都很均匀，不存在温度局域过高的现象。另外在二极管反向恢复模式下，其工作机理跟H.P.Felsl等人发明的CIBT二极管相似，能够有很大的软度因子（S），避免反向恢复时发生的电压过冲，实现各种性能的良好折中。 
本发明的技术方案如下： 
一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT，其结构如图3所示，包括N-漂移区6，N-漂移区6的顶层中具有均匀分布的多个P型体区5，N-漂移区6的底部具有与N-漂移区6相接触的N缓冲层7；N缓冲层7底部具有与N缓冲层7相接触的、且横向方向上由N集电区8和P集电区9构成的复合集电区；每个P型体区5中至少具有一个N+有源区1，N+有源区1表面与金属发射极4相接触；相邻两个P型体区5之间的N-漂移区6的表面上方具有一个多晶硅栅电极2，多晶硅栅电极2与N-漂移区6的表面之间具有二氧化硅栅氧化层，多晶硅栅电极2与金属发射极4之间具有二氧化硅场氧化层（说明书附图中二氧化硅栅氧化层和二氧化硅场氧化层未作严格区分，采用了同一的附图标记3来表示二氧化硅材料）。所述N集电区8和P集电区9之间还具有一个介质埋层11，所述介质埋层11实现N集电区8和P集电区9的电隔离；所述介质埋层11上方的N型缓冲层7中还具有一个P浮空层10，所述P浮空层10将N型缓冲层7分割成N集电区8与N-漂移区6之间的N型缓冲层和P集电区9与N-漂移区6之间的N型缓冲层两部分。 
本发明提出的具有P浮空层电流栓的RC-IGBT器件是在传统RC-IGBT的基础上，增加P浮空层10和介质埋层11，阻止IGBT部分中的N-漂移区电子流向N集电区。需要进一步说明的是，其中介质埋层11材料是可变的，可以采用SiO2、Si3N4、HfO2、苯并环丁烯（BCB）等材料。另外，器件的多晶硅栅电极2可以是平面栅电极结构，也可以是沟槽栅电极结构（trench结构）（如图4所示）；器件的N-漂移区6还可具有纵向间隔分布的P型条，使得漂移区形成超结结构（super junction）（如图5所示）。 
本发明的基本原理如下： 
本发明提出的一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT，是在传统RC-IGBT的N-Collector 和P-Collector之间引入介质埋层实现N-Collector和P-Collector之间的电隔离，并在介质埋层上方的N型缓冲层（n-buffer）中引入一个p浮空层电流栓，器件正向导通时P浮空层电流栓10和介质埋层11阻止了其右方的电子流向N集电区，将器件分为了IGBT部分和DIODE部分，两部份独立工作不受影响，且元胞尺寸能够做到很小，保证了电流的均匀性，进而防止温度局域过高。从机理上讲正向导通IGBT工作模式下，由于电子在P浮空层右方及P-Collector的上方N缓冲层内积累，P-collector/N-buffer结更容易导通使P-collector向N-漂移区注入空穴，从而降低了snapback的转折电压；关断过程中，由于增加了P浮空层电流栓，引入了N_buffer/P-float/N_buffer晶体管，加快了对N-漂移区内存储电荷的抽取，减少了关断时间。另一方面在反向导通DIODE工作模式下，虽然与传统PIN二极管相比反向导通压降略微有所提高，但比传统RC-IGBT和BIGT都要优越。另一方面在反向恢复时由于此结构跟CIBT二极管机理相似，有较长的反向恢复时间，软度因子等性能上相比传统PIN二极管得到了显著提高。 
综上所述，本发明提出的一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT，在基本不影响器件其他参数的情况下，可显著降低snapback的转折电压，提高反向恢复软度因子，以及电流分布均匀，没有局域过热现象，提高了RC-IGBT的可靠性能。 
附图说明
图1是传统RC-IGBT结构示意图。 
图2是BIGT结构示意图。 
图3是本发明提出的一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT的结构示意图。 
图4是具有P浮空层电流栓的trench结构RC-IGBT。 
图5是具有P浮空层电流栓的超结RC-IGBT。 
图1至图5中：1是N+有源区，2是多晶硅栅电极，3是二氧化硅层，4是金属发射极，5是P型体区（p-body），6是N-漂移区（n-drift），7是N缓冲层（n-buffer），8是N集电区（n-collector），9是P集电区（p-collector），10是P浮空层（p-float），11是介质埋层，12是纵向分布的P型条。 
图6（a）是长度为600um的BIGT，长为300um和75um的传统RC-IGBT，长为75um、150um、300um的具有P浮空层的RC-IGBT的snapback的转折电压（ΔVSB）的比较图。图6（b）是不同的P浮空层高度（dp-plug）对ΔVSB的影响比较图。 
其中Con-RC-IGBT是传统逆导绝缘栅双极性晶体管，BIGT是双模式绝缘栅晶体管，Proposed是本发明提供的具有P浮空层的RC-IGBT，横坐标为正向导通压降（Forward voltage drop Von），纵坐标为集电极电流（Collector current）。 
图7是长为300um的传统RC-IGBT，长为600um的BIGT与长为75um的具有P浮空层的RC-IGBT在正向导通压降（Forward voltage drop Von）和关断时能耗（Turn-off Loss Eoff）的折中关系比较图。 
其中Conventional RC-IGBT是传统逆导绝缘栅双极性晶体管，BIGT是双模式绝缘栅晶体管，Proposed是本发明提供的具有P浮空层的逆导绝缘栅双极性晶体管。 
图8是正向压降均为2V的传统RC-IGBT，BIGT和具有P浮空层的RC-IGBT的关断特性比较示意图。 
其中Conventional RC-IGBT是传统逆导绝缘栅双极性晶体管，BIGT是双模式绝缘栅晶体管，Proposed是本发明提供的具有P浮空层的逆导绝缘栅双极性晶体管，横坐标为时间（Time），纵坐标为集电极电流（Collector current），图中“Switching Simulation”表示“开关转换模拟”，“IBGT Mode”表示“IBGT类型”。 
图9是长度分别为75um的具有P浮空层的RC-IGBT，300um的传统的RC-IGBT，600um BIGT在100A/cm2时的电流关断模式比较图。 
其中Conventional RC-IGBT是传统逆导绝缘栅双极性晶体管，BIGT是双模式绝缘栅晶体管，Proposed是本发明提供的具有P浮空层的逆导绝缘栅双极性晶体管。 
图10是具有P浮空层的RC-IGBT，传统的RC-IGBT，BIGT和传统PIN二极管的正向导通压降比较图。 
其中Conven RC-IGBT是传统逆导绝缘栅双极性晶体管，BIGT是双模式绝缘栅晶体管，Proposed是本发明提供的具有P浮空层的逆导绝缘栅双极性晶体管，Conven PIN是传统PIN二极管。 
图11是具有P浮空层的RC-IGBT，传统的RC-IGBT，BIGT和传统PIN二极管的反向恢复波形比较图。 
其中Conventional RC-IGBT是传统逆导绝缘栅双极性晶体管，BIGT是双模式绝缘栅晶体管，Proposed是本发明提供的具有P浮空层的逆导绝缘栅双极性晶体管，Conventional PIN是传统PIN二极管。 
具体实施方式
本发明所提出的一种具有P浮空层的RC-IGBT，其结构如图3所示，包括N+有源区1，多晶硅栅电极2，二氧化硅层3，有源发射极4，体P区5，N-漂移区6，P浮空层电流栓7，N缓冲层8，N集电区9，P集电区10，二氧化硅埋层11，N集电区和P集电区分别位于二氧化硅埋层11两侧，P浮空层7位于二氧化硅埋层11的上方，N缓冲层8位于N集电区9和P集电区10的上方且分布于P浮空层7的两侧，N-漂移区6位于N缓冲层8和P浮空层7的上方，体P区5位于有源发射极4的下方且与发射极4相连，N+有源区1位于体P区5内部且与N+有源区1相连，多晶硅栅电极2在有源发射极4一侧，且表面被SiO2栅氧化层3包围。其特征在于，本发明提出的新型RC-IGBT器件是在传统RC-IGBT的基础上，增加P浮空层电流栓7和二氧化硅埋层11，阻止IGBT部分中的N-漂移区电子流向N集电区。 
借助MEDICI仿真软件对所提供的如图1所示的传统RC-IGBT，如图2所示的BIGT，如图3所示的一种新型具有P浮空层的RC-IGBT进行了仿真比较，仿真模拟薄片工艺制造的1200V RC-IGBT，传统RC-IGBT和BIGT的仿真参数为N-漂移区厚度为120um，掺杂浓度为7×1013cm-3，载流子寿命为10us，环境温度为300K，传统RC-IGBT的长度为300um，其中N集电区和P集电区的长度比为1:4，BIGT长度为600um，具有P浮空层的RC-IGBT的长度为75um。本发明所提供的新型RC-IGBT与传统RC-IGBT和BIGT的区别在于新型RC-IGBT增加了P浮空层10和P浮空层下的介质埋层11，且该器件的长度更小。由于P浮空层在正向导通时会阻止电子流向N集电区，电子将积累在P浮空层右边的N缓冲层。 
图6（a）是长度为600um的BIGT，长为300um和75um的传统RC-IGBT，长为75um、150um、300um的具有P浮空层的RC-IGBT的snapback的转折电压（ΔVSB）的比较图，BIGT的ΔVSB=1.2V，传统RC-IGBT的ΔVSB=1.5V，对于具有P浮空层的RC-IGBT，当长度为75um时，ΔVSB=0.2V，比BIGT的ΔVSB减少了83.3%，比传统RC-IGBT更是减少高达86.7%；当长度为150um时，ΔVSB=0.1V，比BIGT的ΔVSB减少了91.7%，比传统RC-IGBT更是减少高达93.3%；当长度为300um时ΔVSB=0V，消除了负阻效应；图6（b）是不同的P浮空层高度（dp-plug）对ΔVSB的影响比较图，从图中我们可以看出，当dp-plug从1um到4um逐渐增大时，ΔVSB从3.5V逐渐减小为0.2V，故可以看出这种P浮空层电流栓对抑制snapback相当有效。 
仿真结果显示，本发明提出的具有P浮空层电流栓的RC-IGBT的电流密度分布和器件温度分布都比其它三种器件均匀。 
图7是长为300um的传统RC-IGBT，长为600um的BIGT与长为75um的具有P浮空层的RC-IGBT在正向导通压降和关断时能耗的折中关系比较图，从图中可以看出：当正向压降为2V时，传统RC-IGBT的关断能耗为86.2mj/cm2，BIGT的关断能耗为49.9mj/cm2，具有P浮空层的RC-IGBT的关断能耗为36.5mj/cm2,比传统RC-IGBT降低了57.7%，比BIGT降低了26.9%。 
图8是正向压降均为2V的传统RC-IGBT，BIGT和具有P浮空层的RC-IGBT的关断特性比较示意图，关断时间的定义为IGBT关断时，集电极电流从90%降到10%所需要的时间，经仿真验证，传统RC-IGBT的关断时间为2.4us，BIGT的关断时间为1.6us，本发明提出的新型RC-IGBT关断时间为1.1us，比传统RC-IGBT关断时间降低了54.2%，比BIGT降低了31.3%。 
图9是长度分别为75um的具有P浮空层的RC-IGBT、300um传统的RC-IGBT，、600um BIGT在电流密度均为100A/cm2时的电流关断模式比较，由图10可以看出，本发明提出的新型RC-IGBT的电流抽取模式为两种，一种是短路抽取，一种为NPN抽取，而对于传统的RC-IGBT和BIGT，虽然它们存在短路抽取路径，但是电流主要集中在P-Collector区域上，所以抽取速度会更慢。 
图10是具有P浮空层的RC-IGBT，传统的RC-IGBT，BIGT和传统PIN二极管的导通压降比较图，从图中我们可以得到，当电流密度为100A/um2时，四种器件的导通压降分别为1.04V，1.08V，1.26V，0.88V，具有P浮空层的RC-IGBT的正向压降比传统PIN二极管高出了18.2%，但相对于其它两个结构，反向导通压降更低。 
图11是具有P浮空层的RC-IGBT，传统的RC-IGBT，BIGT和传统PIN二极管的反向恢复波形比较图，由图11可以看出四种器件的软度因子分别为7，4.6，4.5，0.3，故这种具有P浮空层的RC-IGBT为软恢复，传统PIN为硬恢复。 
综上所述，本发明所提出的一种具有P浮空层的RC-IGBT，经仿真验证显著降低snapback的转折电压，且电流和温度不论在IGBT工作模式还是在DIODE工作模式下分布都很均匀，且软度因子很大。综上所述，这种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT大大提高了传统RC-IGBT的可靠性。 
一种具有P浮空层的RC-IGBT，以示意图3为例，其具体实现方法包括：选取N型<100>晶向区熔单晶衬垫，场氧化，刻蚀有源区，长栅氧，淀积Poly,P body的注入，N+有源区注入，淀积BSPSG，打孔并淀积发射极金属，发射极金属曝光与刻蚀，背面场终止层注入，背 面N+及P+集电极注入及退火，在N+与P+交界处刻蚀硅至场终止层内部，注入P浮空电流栓，淀积SiO2埋层。背面金属化，钝化等等。 
在实施的过程中，根据具体器件的设计要求，本发明提出的一种P浮空电流栓RC-IGBT，其表面MOS区和漂移区是可变得，可以用于如图3所示的平面结构，可以用于如图4所示的槽栅结构，也可以用于如图5所示的超结结构。在具体制作时，埋氧隔离层可用Si3N4、HfO2、苯并环丁烯（BCB）来代替埋层氧化层SiO2，制作器件时还可用碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅等半导体材料代替体硅。 

Claims (4)

1.一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT，包括N-漂移区（6），N-漂移区（6）的顶层中具有均匀分布的多个P型体区（5），N-漂移区（6）的底部具有与N-漂移区（6）相接触的N缓冲层（7）；N缓冲层（7）底部具有与N缓冲层（7）相接触的、且横向方向上由N集电区（8）和P集电区（9）构成的复合集电区；每个P型体区（5）中至少具有一个N+有源区（1），N+有源区（1）表面与金属发射极（4）相接触；相邻两个P型体区（5）之间的N-漂移区（6）的表面上方具有一个多晶硅栅电极（2），多晶硅栅电极（2）与N-漂移区（6）的表面之间具有二氧化硅栅氧化层，多晶硅栅电极（2）与金属发射极（4）之间具有二氧化硅场氧化层；
所述N集电区（8）和P集电区（9）之间还具有一个介质埋层（11），所述介质埋层（11）实现N集电区（8）和P集电区（9）的电隔离；所述介质埋层（11）上方的N型缓冲层（7）中还具有一个P浮空层（10），所述P浮空层（10）将N型缓冲层（7）分割成N集电区（8）与N-漂移区（6）之间的N型缓冲层和P集电区（9）与N-漂移区（6）之间的N型缓冲层两部分。
2.根据权利要求1所述的具有P浮空层电流栓的RC-IGBT，其特征在于，所述介质埋层11材料是SiO2、Si3N4、HfO2或苯并环丁烯。
3.根据权利要求1所述的具有P浮空层电流栓的RC-IGBT，其特征在于，所述多晶硅栅电极（2）是平面栅电极结构或沟槽栅电极结构。
4.根据权利要求1所述的具有P浮空层电流栓的RC-IGBT，其特征在于，所述N-漂移区（6）中还具有纵向间隔分布的P型条，使得漂移区形成超结结构。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104037208A (zh) * 2014-06-24 2014-09-10 江苏中科君芯科技有限公司 一种双模式绝缘栅晶体管
CN104779279A (zh) * 2015-04-10 2015-07-15 电子科技大学 一种能抑制负阻效应的rc-igbt
CN104979379A (zh) * 2014-04-03 2015-10-14 中国科学院微电子研究所 半导体器件的集电极结构及ti-igbt
CN106098763A (zh) * 2016-07-26 2016-11-09 电子科技大学 一种rc‑ligbt器件及其制备方法
CN106098762A (zh) * 2016-07-26 2016-11-09 电子科技大学 一种rc‑igbt器件及其制备方法
CN106098764A (zh) * 2016-07-26 2016-11-09 电子科技大学 一种双通道rc‑ligbt器件及其制备方法
CN106129110A (zh) * 2016-07-26 2016-11-16 电子科技大学 一种双通道rc‑igbt器件及其制备方法
CN107275396A (zh) * 2017-08-07 2017-10-20 珠海格力电器股份有限公司 一种沟槽栅igbt及其制作方法
CN108649068A (zh) * 2018-06-29 2018-10-12 中国科学院微电子研究所 Rc-igbt器件及其制备方法
CN109449202A (zh) * 2018-10-30 2019-03-08 广州工商学院 一种逆导双极型晶体管
CN110265299A (zh) * 2019-05-17 2019-09-20 厦门芯达茂微电子有限公司 一种反向导通场截止型超结igbt及其制作方法
CN110504307A (zh) * 2019-08-28 2019-11-26 重庆邮电大学 一种具有栅控集电极的sa-ligbt器件
CN111933687A (zh) * 2020-07-07 2020-11-13 电子科技大学 具有高安全工作区的横向功率器件
CN116153992A (zh) * 2023-04-21 2023-05-23 上海陆芯电子科技有限公司 一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
CN116314276A (zh) * 2023-05-12 2023-06-23 深圳市威兆半导体股份有限公司 半导体器件

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000025364A2 (de) * 1998-10-26 2000-05-04 Infineon Technologies Ag Bipolares hochvolt-leistungsbauelement

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000025364A2 (de) * 1998-10-26 2000-05-04 Infineon Technologies Ag Bipolares hochvolt-leistungsbauelement

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HUAPING JIANG: ""A Snapback Suppressed Reverse-Conducting IGBT With a Floating p-Region in Trench Collector"", 《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS》, vol. 33, no. 3, 31 March 2012 (2012-03-31), pages 417 - 419, XP011422781, DOI: 10.1109/LED.2011.2180357 *

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104979379A (zh) * 2014-04-03 2015-10-14 中国科学院微电子研究所 半导体器件的集电极结构及ti-igbt
CN104037208A (zh) * 2014-06-24 2014-09-10 江苏中科君芯科技有限公司 一种双模式绝缘栅晶体管
CN104037208B (zh) * 2014-06-24 2017-09-26 江苏中科君芯科技有限公司 一种双模式绝缘栅晶体管
CN104779279A (zh) * 2015-04-10 2015-07-15 电子科技大学 一种能抑制负阻效应的rc-igbt
CN104779279B (zh) * 2015-04-10 2017-08-25 电子科技大学 一种能抑制负阻效应的rc‑igbt
CN106098763B (zh) * 2016-07-26 2019-05-10 电子科技大学 一种rc-ligbt器件及其制备方法
CN106098763A (zh) * 2016-07-26 2016-11-09 电子科技大学 一种rc‑ligbt器件及其制备方法
CN106098762A (zh) * 2016-07-26 2016-11-09 电子科技大学 一种rc‑igbt器件及其制备方法
CN106129110A (zh) * 2016-07-26 2016-11-16 电子科技大学 一种双通道rc‑igbt器件及其制备方法
CN106098764A (zh) * 2016-07-26 2016-11-09 电子科技大学 一种双通道rc‑ligbt器件及其制备方法
CN106098764B (zh) * 2016-07-26 2019-05-14 电子科技大学 一种双通道rc-ligbt器件及其制备方法
CN106098762B (zh) * 2016-07-26 2019-05-14 电子科技大学 一种rc-igbt器件及其制备方法
CN106129110B (zh) * 2016-07-26 2019-05-10 电子科技大学 一种双通道rc-igbt器件及其制备方法
CN107275396A (zh) * 2017-08-07 2017-10-20 珠海格力电器股份有限公司 一种沟槽栅igbt及其制作方法
CN107275396B (zh) * 2017-08-07 2020-02-07 珠海零边界集成电路有限公司 一种沟槽栅igbt及其制作方法
WO2019029270A1 (zh) * 2017-08-07 2019-02-14 格力电器（武汉）有限公司 沟槽栅igbt及其制作方法
CN108649068A (zh) * 2018-06-29 2018-10-12 中国科学院微电子研究所 Rc-igbt器件及其制备方法
CN109449202A (zh) * 2018-10-30 2019-03-08 广州工商学院 一种逆导双极型晶体管
CN109449202B (zh) * 2018-10-30 2021-10-22 广州工商学院 一种逆导双极型晶体管
CN110265299A (zh) * 2019-05-17 2019-09-20 厦门芯达茂微电子有限公司 一种反向导通场截止型超结igbt及其制作方法
CN110504307A (zh) * 2019-08-28 2019-11-26 重庆邮电大学 一种具有栅控集电极的sa-ligbt器件
CN110504307B (zh) * 2019-08-28 2023-03-14 重庆邮电大学 一种具有栅控集电极的sa-ligbt器件
CN111933687A (zh) * 2020-07-07 2020-11-13 电子科技大学 具有高安全工作区的横向功率器件
CN116153992A (zh) * 2023-04-21 2023-05-23 上海陆芯电子科技有限公司 一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
CN116153992B (zh) * 2023-04-21 2023-06-23 上海陆芯电子科技有限公司 一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
CN116314276A (zh) * 2023-05-12 2023-06-23 深圳市威兆半导体股份有限公司 半导体器件
CN116314276B (zh) * 2023-05-12 2023-07-28 深圳市威兆半导体股份有限公司 半导体器件

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