CN104779279B - 一种能抑制负阻效应的rc‑igbt - Google Patents
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Abstract
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种能抑制负阻效应的RC‑IGBT。本发明的主要方法是：通过对在P型集电区和N型集电区的电极接触之间产生一个适当阻值的金属电阻，在器件正向导通时，电流IF流过此金属电阻R并在金属电阻上产生电压降IFR，使P型集电区/N型缓冲层之间产生电压差，如果IFR大于PN结正向导通压降，PN结将正向导通，进入IGBT工作模式，从而有效抑制负阻效应。本发明的有益效果为，不过多增加工艺复杂性的条件下，具有优良的抑制snapback现象的能力，同时，不会对RC‑IGBT的其它性能参数造成影响。
Description
技术领域
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种能抑制负阻效应的RC-IGBT(Reverse-conducting Insulate Gate Bipolar Transistor，逆导型绝缘栅双极型晶体管)。
背景技术
IGBT既有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点，又具有双极型功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点，所以被广泛应用于电磁炉、UPS不间断电源、汽车电子点火器、三相电动机变频器、电焊机开关电源等产品中作为功率开关管或功率输出管，市场前景非常广阔。IGBT产品是电力电子领域非常理想的开关器件，它集合了高频、高压、大电流三大技术优势，同时又能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。
但是IGBT只是一个单向导通器件，在应用的时候需要一个反并联的二极管来承受反向电压，这就增加了IGBT的制造成本，以及带来封装、焊接等难题。2002年E.Napoli等人提出了一种能够反向导通的IGBT称为RC-IGBT，这种RC-IGBT通过在集电区上引入N-集电区的方法实现了IGBT和二极管的集成。传统的RC-IGBT集电区是由P-Collector和N-Collector组成，但是这种传统RC-IGBT在正向导通的时候会出现一个负阻(snapback)效应。为了解决此问题，具有P浮空层的RC-IGBT被提出，如图3所示，此结构通过在RC-IGBT背面挖槽填充SiO2介质层3，并在SiO2介质层3上方通过离子注入形成P型浮空层12，通过P型浮空层12对电子产生的势垒以阻碍电子运动，从而增大P型集电区9上面N型缓冲层7的电阻，可以抑制snapback现象，但是这种结构比较复杂，需要采用挖槽填充、离子注入等多种工艺，因此存在结构复杂、生产工艺要求高的问题，实际生产比较困难。
发明内容
本发明的目的，就是针对上述传统RC-IGBT存在结构复杂的问题，提出一种能抑制负阻效应的RC-IGBT。
本发明的技术方案：一种能抑制负阻效应的RC-IGBT，如图2所示，其结构包括器件有源区和器件终端区；
所述器件有源区包括P型集电区9、N-漂移区6和位于P型集电区9和N-漂移区6之间的N型缓冲层7，所述N-漂移区6上层具有多个均匀分布的P型体区5，所述P型体区5中具有与阴极电极4相连的N+源区1，所述阴极电极4位于N-漂移区6上表面；所述器件有源区还包括器件栅极结构，所述栅极结构由二氧化硅层3和位于二氧化硅层3中的多晶硅栅电极2构成，其中二氧化硅层3位于阴极电极4之间；
所述器件终端区包括N型集电区8、N-漂移区6和位于N型集电区8和N-漂移区6之间的N型缓冲层7，所述N-漂移区6上层具有多个均匀分布的P型保护环18；
所述器件终端区环绕器件有源区；
其特征在于，所述P型集电区9下表面设置有第一金属层10；所述第一金属层10依次通过金属电阻15和第二金属层14接N型集电区8的下表面；所述第二金属层14和金属电阻15下表面设置有第一绝缘层17；所述金属电阻15与N型集电区8和P型集电区9之间设置有第二绝缘层16；所述第二绝缘层16的一侧连接第一金属层10，其另一侧连接第二金属层14。
本发明总的技术方案，通过对在P型集电区9和N型集电区8的电极接触之间产生一个适当阻值的金属电阻15，在器件正向导通时(阳极加高压)，电流IF流过此金属电阻R并在金属电阻上产生电压降IFR，使P型集电区/N型缓冲层之间产生电压差，如果IFR大于PN结正向导通压降(约0.7V)，PN结将正向导通，进入IGBT工作模式，从而有效抑制负阻效应。
进一步的，所述器件栅极结构为平面栅结构，其中二氧化硅层3位于部分P型体区5和N-漂移区6上表面。
进一步的，所述器件栅极结构为沟槽栅结构，其中多晶硅栅电极2向下穿过P型体区5并延伸入N-漂移区6中。
进一步的，所述N-漂移区6为具有超结结构的漂移区。
本发明的有益效果为，结构简单，具有优良的抑制snapback现象的能力，同时，不会对RC-IGBT的其它性能参数造成影响。
附图说明
图1是传统的具有P浮空层的RC-IGBT的结构示意图；
图2是本发明的RC-IGBT器件结构示意图；
图3是沿图2中AA'的器件剖面示意图；
图4是本发明的RC-IGBT器件背面俯视图；
图5是本发明的RC-IGBT器件背面图形形状示意图；
图6是本发明的RC-IGBT器件背面图形另一种形状示意图；
图7是RC-IGBT新结构和传统RC-IGBT的snapback现象对比图；
图8是本发明的RC-IGBT器件中金属电阻15对snapback效应的影响示意图；
图9是本发明的RC-IGBT器件制作工艺中在背面N+及P+集电极注入及退火之后，在背面淀积一层二氧化硅层后的结构示意图；
图10是本发明的RC-IGBT器件制作工艺中通过光刻和刻蚀露出N+及P+集电极的接触区，再在背面淀积金属，通过光刻和刻蚀，在N+集电极和P+集电极接触之间形成金属电阻15后的结构示意图；
图11是本发明的RC-IGBT器件制作工艺中在背面淀积一层二氧化硅层，通过光刻和刻蚀露出P+集电区接触，形成器件的阳极接触后的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细的描述
本发明提出的一种消除snapback现象的RC-IGBT新结构，是在传统RC-IGBT基础上，通过对阳极金属电极的刻蚀加工，在P型集电区和N型集电区的电极接触之间产生一个适当阻值的金属电阻。在器件正向导通时(阳极加高压)，电流流过此金属电阻并在金属电阻上产生电压降，使P型集电区/N型缓冲层结之间产生电压差，从而使PN结正向导通，防止了器件内部的MOS部分先于IGBT部分导通而出现snapback现象。值得注意的是：利用这种方法，在不用增大元胞面积的条件下可以很好的抑制snapback现象，另外，相比以上提到的利用P浮空层的方法抑制snapback现象所需要的器件背部挖槽、填充、离子注入等工艺，该方法只需在传统的RC-IGBT的基础上刻蚀阳极金属，以产生一个适当阻值的连接阳极和N型集电区的金属电阻，金属电阻位于SA-LIGBT背部P型集电区和N集电区之间，可以在背面的中间位置形成较大面积的金属接触区，如图4、图5、图6所示，降低了工艺复杂度。
如图2所示，本发明的RC-IGBT，其结构包括器件有源区和器件终端区；
所述器件有源区包括P型集电区9、N-漂移区6和位于P型集电区9和N-漂移区6之间的N型缓冲层7，所述N-漂移区6上层具有多个均匀分布的P型体区5，所述P型体区5中具有与阴极电极4相连的N+源区1，所述阴极电极4位于N-漂移区6上表面；所述器件有源区还包括器件栅极结构，所述栅极结构由二氧化硅层3和位于二氧化硅层3中的多晶硅栅电极2构成，其中二氧化硅层3位于阴极电极4之间；
所述器件终端区包括N型集电区8、N-漂移区6和位于N型集电区8和N-漂移区6之间的N型缓冲层7，所述N-漂移区6上层具有多个均匀分布的P型保护环18；
所述器件终端区环绕器件有源区；
所述P型集电区9下表面设置有第一金属层10；所述第一金属层10依次通过金属电阻15和第二金属层14接N型集电区8的下表面；所述第二金属层14和金属电阻15下表面设置有第一绝缘层17；所述金属电阻15与N型集电区8和P型集电区9之间设置有第二绝缘层16；所述第二绝缘层16的一侧连接第一金属层10，其另一侧连接第二金属层14。
本发明的工作原理为：
RC-IGBT产生snapback现象的原因是：由于在背面引入了N+集电极区，额外引入了一条单极电流通路，当IGBT的栅极加上大于阈值的正偏压，在集电极电压很小时，电子电流会经由N+集电极区，通过N-漂移区再通过导电沟道到达发射极电极，在这条电流路径上由于N-漂移区掺杂浓度很低且厚度较厚，导通电阻较大，因而导通电流很小，这时RC-IGBT的工作可称为MOSFET工作模式。随着集电极电压增大，使得P+集电极和N-漂移区形成的PN结正偏时，P+集电区开始向N-漂移区注入空穴，器件从MOSFET模式转入IGBT工作模式，该模式下由于有电导调制效应，导通电阻迅速下降，因而出现了负阻(snapback)现象。
本发明提出的RC-IGBT新结构，其消除snapback的原理是抑制其MOSFET工作模式，加快进入IGBT工作模式的过程。在传统RC-IGBT基础上，通过对阳极金属电极的刻蚀加工，在P型集电区和N型集电区的电极接触之间产生一个适当阻值的金属电阻15，并且金属电阻的阻值可以通过调节金属电阻的面积和长度来控制。在器件正向导通时(阳极加高压)，电流IF流过此金属电阻R并在金属电阻上产生电压降IFR，使P型集电区/N型缓冲层之间产生电压差，如果IFR大于PN结正向导通压降(约0.7V)，PN结将正向导通，进入IGBT工作模式。由此可见，金属电阻的阻值越大，对snapback现象的抑制效果越好；但是，金属电阻过大，会导致器件在逆向导通(二极管模式)时功耗增加，因此金属电阻的阻值需经过恰当设计。
利用本发明提出的新思路，在不用增大元胞面积的条件下可以很好的抑制snapback现象，另外，相比以上提到的利用P浮空层的方法抑制snapback现象所需要的器件背部挖槽、填充、离子注入等工艺，该方法只需在传统的RC-IGBT的基础上刻蚀阳极金属，以产生一个适当阻值的连接阳极和N型集电区的金属电阻，大大降低了工艺复杂度。
需要进一步说明的是，所述金属电阻15的形状可变、阻值可调，N型集电区和P型集电区的形状也可变，如图5、图6所示。另外，本发明提出的新思路还可用于槽栅trench结构的RC-IGBT和超结super junction RC-IGBT等多种RC-IGBT中。
为了验证本发明的有益效果，利用MEDICI软件对图1所示的传统结构的RC-IGBT和图2所示的本发明提出的RC-IGBT新结构进行了仿真比较，仿真主要参数为：器件长度为60μm，漂移区掺杂为2×1014cm-3，N型缓冲层掺杂为2×1016cm-3，Lp：Ln(P集电区长度：N集电区长度)＝4:1，载流子寿命为10us，环境温度为300K。传统结构和本发明提出的RC-IGBT均具有以上仿真参数，另外，对本发明提出的RC-IGBT，其金属电阻15设置为75Ω。仿真结果如图7所示，从图中可以看出传统结构的RC-IGBT由于器件长度较小(只有60μm)，snapback现象非常明显，这会阻止RC-IGBT的完全导通，对RC-IGBT的可靠性也有影响。而本发明提出的RC-IGBT(金属电阻为75Ω)，snapback现象基本完全消除了。通过此对比可以发现，本发明提出的消除snapback现象的RC-IGBT具有非常优越的性能。同时，由于只需对RC-IGBT的背面金属进行刻蚀便可形成，没有改变器件的其它结构，所以，不会对RC-IGBT的耐压和阈值电压等参数造成影响。
为了验证金属电阻15的阻值设定对snapback现象的影响，仿真了器件在不同阻值下的开启过程。如图8所示，当金属电阻15的阻值逐渐增大时，电子电流流过此金属电阻产生的压降也随着增大，P型集电区/N型缓冲层结更容易导通，RC-IGBT将更容易从单极性电子导电进入双极性导电模式，从而抑制snapback现象。当电阻增大到75Ω时，snapback现象已基本消除，同时考虑到不增加RC-IGBT反向工作时的功耗，可选择金属电阻75Ω作为最佳阻值。
本发明的RC-IGBT的制作工艺为：正面结构的制备与常规IGBT相同，选取N型<100>晶向区熔单晶衬垫，场氧化，刻蚀有源区，生长栅氧，淀积Poly，P-body的注入，N+有源区注入，淀积BPSG，打孔并淀积发射极金属，发射极金属曝光与刻蚀。
正面结构制备完成后，进行背面N型缓冲层的注入，背面N+及P+集电极注入及退火，然后再背面淀积一层二氧化硅层，如图9所示。通过光刻和刻蚀露出N+及P+集电极的接触区，再在背面淀积金属，实现金属与N+及P+集电极的良好接触。通过光刻和刻蚀，在N+集电极和P+集电极接触之间形成金属电阻，如图10所示。最后再淀积一层二氧化硅层，通过光刻和刻蚀露出P+集电区接触，作为器件的阳极接触，如图11所示。
在实施的过程中，根据具体器件的设计要求，本发明提出的一种消除snapback现象的RC-IGBT，其表面MOS区和漂移区是可变的，可以用于平面栅结构和槽栅结构，也可以用超结结构。在具体制作时，背面金属电阻可以是锯齿状电阻，也可以是方波形电阻。
Claims (5)
1.一种能抑制负阻效应的RC-IGBT，其结构包括器件有源区和器件终端区；
所述器件有源区包括P型集电区(9)、N-漂移区(6)和位于P型集电区(9)和N-漂移区(6)之间的N型缓冲层(7)，所述N-漂移区(6)上层具有多个均匀分布的P型体区(5)，所述P型体区(5)中具有与阴极电极(4)相连的N+源区(1)，所述阴极电极(4)位于N-漂移区(6)上表面；所述器件有源区还包括器件栅极结构，所述栅极结构由二氧化硅层(3)和位于二氧化硅层(3)中的多晶硅栅电极(2)构成，其中二氧化硅层(3)位于阴极电极(4)之间；
所述器件终端区包括N型集电区(8)、N-漂移区(6)和位于N型集电区(8)和N-漂移区(6)之间的N型缓冲层(7)，所述N-漂移区(6)上层具有多个均匀分布的P型保护环(18)；
所述器件终端区环绕器件有源区；
其特征在于，所述P型集电区(9)下表面设置有第一金属层(10)；所述第一金属层(10)依次通过金属电阻(15)和第二金属层(14)接N型集电区(8)的下表面；所述第二金属层(14)和金属电阻(15)下表面设置有第一绝缘层(17)；所述金属电阻(15)与N型集电区(8)和P型集电区(9)之间设置有第二绝缘层(16)；所述第二绝缘层(16)的一侧连接第一金属层(10)，其另一侧连接第二金属层(14)。
2.根据权利要求1所述的一种能抑制负阻效应的RC-IGBT，其特征在于，所述器件栅极结构为平面栅结构，其中二氧化硅层(3)位于部分P型体区(5)和N-漂移区(6)上表面。
3.根据权利要求1所述的一种能抑制负阻效应的RC-IGBT，其特征在于，所述器件栅极结构为沟槽栅结构，其中多晶硅栅电极(2)向下穿过P型体区(5)并延伸入N-漂移区(6)中。
4.根据权利要求1所述的一种能抑制负阻效应的RC-IGBT，其特征在于，所述N-漂移区(6)为具有超结结构的漂移区。
5.根据权利要求1所述的一种能抑制负阻效应的RC-IGBT，其特征在于，所述金属电阻(15)的阻值为75Ω。
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Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105514148A (zh) * | 2015-10-22 | 2016-04-20 | 温州墨熵微电子有限公司 | 绝缘栅双极型晶体管 |
| CN106847891B (zh) * | 2017-02-23 | 2019-09-03 | 重庆邮电大学 | 一种通过mosfet控制结终端集成体二极管的rc-igbt器件 |
| CN107768429B (zh) * | 2017-10-27 | 2020-11-13 | 电子科技大学 | 一种具有混合导电模式的超结igbt器件 |
| CN109449202B (zh) * | 2018-10-30 | 2021-10-22 | 广州工商学院 | 一种逆导双极型晶体管 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103022089A (zh) * | 2012-06-19 | 2013-04-03 | 电子科技大学 | 一种无snapback效应的逆导型绝缘栅双极晶体管 |
| CN103219370A (zh) * | 2013-03-11 | 2013-07-24 | 电子科技大学 | 一种具有p浮空层电流栓的rc-igbt |
| CN103383958A (zh) * | 2013-07-17 | 2013-11-06 | 电子科技大学 | 一种rc-igbt器件及其制作方法 |
| CN103489908A (zh) * | 2013-09-16 | 2014-01-01 | 电子科技大学 | 一种能消除负阻效应的rc-igbt |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4109009B2 (ja) * | 2002-04-09 | 2008-06-25 | 株式会社東芝 | 半導体素子及びその製造方法 |
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- 2015-04-10 CN CN201510170843.0A patent/CN104779279B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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| CN103022089A (zh) * | 2012-06-19 | 2013-04-03 | 电子科技大学 | 一种无snapback效应的逆导型绝缘栅双极晶体管 |
| CN103219370A (zh) * | 2013-03-11 | 2013-07-24 | 电子科技大学 | 一种具有p浮空层电流栓的rc-igbt |
| CN103383958A (zh) * | 2013-07-17 | 2013-11-06 | 电子科技大学 | 一种rc-igbt器件及其制作方法 |
| CN103489908A (zh) * | 2013-09-16 | 2014-01-01 | 电子科技大学 | 一种能消除负阻效应的rc-igbt |
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