CN103180980B - 使用反射膜用组合物的发光元件及其制造方法 - Google Patents
使用反射膜用组合物的发光元件及其制造方法 Download PDFInfo
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 121
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 112
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 55
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 38
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 37
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 37
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 24
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 23
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 22
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 20
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 19
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 17
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 15
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 14
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 14
- 230000011514 reflex Effects 0.000 claims description 14
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 claims description 14
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 13
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 13
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 12
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000344 soap Substances 0.000 claims description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 8
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 239000000413 hydrolysate Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims 1
- 208000007578 phototoxic dermatitis Diseases 0.000 claims 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 245
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 101
- 239000002585 base Substances 0.000 description 56
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 30
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 24
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 13
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 13
- -1 isocyanatopropyl Chemical group 0.000 description 13
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 13
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 9
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 8
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 7
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 230000008676 import Effects 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 3
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YJGJRYWNNHUESM-UHFFFAOYSA-J triacetyloxystannyl acetate Chemical compound [Sn+4].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O YJGJRYWNNHUESM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001448 ferrous ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000001866 hydroxypropyl methyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920003088 hydroxypropyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000010979 hydroxypropyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N hydroxypropyl methyl cellulose Chemical compound OC1C(O)C(OC)OC(CO)C1OC1C(O)C(O)C(OC2C(C(O)C(OC3C(C(O)C(O)C(CO)O3)O)C(CO)O2)O)C(CO)O1 UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 2
- HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L magnesium stearate Chemical compound [Mg+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical compound C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N (n-propan-2-yloxycarbonylanilino) acetate Chemical compound CC(C)OC(=O)N(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMEDJBFVJUFIDD-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(carboxymethyl)phenyl]acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC=C1CC(O)=O MMEDJBFVJUFIDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHEDBVUTTQXGSJ-UHFFFAOYSA-M 2-[bis(2-oxidoethyl)amino]ethanolate;titanium(4+);hydroxide Chemical compound [OH-].[Ti+4].[O-]CCN(CC[O-])CC[O-] IHEDBVUTTQXGSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FQHYQCXMFZHLAE-UHFFFAOYSA-N 25405-85-0 Chemical compound CC1(C)C2(OC(=O)C=3C=CC=CC=3)C1C1C=C(CO)CC(C(C(C)=C3)=O)(O)C3C1(O)C(C)C2OC(=O)C1=CC=CC=C1 FQHYQCXMFZHLAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000005979 Citrus limon Nutrition 0.000 description 1
- 244000131522 Citrus pyriformis Species 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241000360590 Erythrites Species 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001479 Hydroxyethyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- DTGKSKDOIYIVQL-MRTMQBJTSA-N Isoborneol Natural products C1C[C@@]2(C)[C@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-MRTMQBJTSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIVKKLRUDDHREQ-UHFFFAOYSA-N SC(CC[Si](OC)(OC)C)O Chemical class SC(CC[Si](OC)(OC)C)O CIVKKLRUDDHREQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APIDIPGVBRXKEJ-UHFFFAOYSA-N acetic acid titanium Chemical compound [Ti].CC(O)=O.CC(O)=O APIDIPGVBRXKEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGDDJXSLIWMIRI-UHFFFAOYSA-N acetic acid;molybdenum Chemical compound [Mo].CC(O)=O PGDDJXSLIWMIRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N acrylic acid methyl ester Natural products COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical group 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 description 1
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- CKDOCTFBFTVPSN-UHFFFAOYSA-N borneol Natural products C1CC2(C)C(C)CC1C2(C)C CKDOCTFBFTVPSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKFIUGUKJUULEM-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;zirconium Chemical compound [Zr].CCCCO SKFIUGUKJUULEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical class [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N butoxysilane Chemical compound CCCCO[SiH3] ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L calcium stearate Chemical compound [Ca+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000013539 calcium stearate Nutrition 0.000 description 1
- 239000008116 calcium stearate Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229920003086 cellulose ether Polymers 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- PFQLIVQUKOIJJD-UHFFFAOYSA-L cobalt(ii) formate Chemical compound [Co+2].[O-]C=O.[O-]C=O PFQLIVQUKOIJJD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011033 desalting Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K dicopper;2-oxidopropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]C(=O)CC([O-])(C([O-])=O)CC([O-])=O FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTGKSKDOIYIVQL-UHFFFAOYSA-N dl-isoborneol Natural products C1CC2(C)C(O)CC1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N erythritol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N 0.000 description 1
- 239000011790 ferrous sulphate Substances 0.000 description 1
- 235000003891 ferrous sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- HYFPVPNWNRFTMP-UHFFFAOYSA-N formic acid;manganese Chemical compound [Mn].OC=O HYFPVPNWNRFTMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 101150107144 hemC gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229940071676 hydroxypropylcellulose Drugs 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910000359 iron(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000360 iron(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 235000019359 magnesium stearate Nutrition 0.000 description 1
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 229940099596 manganese sulfate Drugs 0.000 description 1
- 239000011702 manganese sulphate Substances 0.000 description 1
- 235000007079 manganese sulphate Nutrition 0.000 description 1
- SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L manganese(II) sulfate Chemical compound [Mn+2].[O-]S([O-])(=O)=O SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 229940068984 polyvinyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229940071575 silver citrate Drugs 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxy-3-morpholin-4-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN1CCOCC1 WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- KSBAEPSJVUENNK-UHFFFAOYSA-L tin(ii) 2-ethylhexanoate Chemical compound [Sn+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O KSBAEPSJVUENNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- QUTYHQJYVDNJJA-UHFFFAOYSA-K trisilver;2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[Ag+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O QUTYHQJYVDNJJA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZPEJZWGMHAKWNL-UHFFFAOYSA-L zinc;oxalate Chemical compound [Zn+2].[O-]C(=O)C([O-])=O ZPEJZWGMHAKWNL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
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Abstract
本发明的发光元件依次具备发光层、反射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材,其中,导电性反射膜包含金属纳米粒子。
Description
技术领域
本发明涉及用于发光元件的反射膜用组合物、发光元件及发光元件的制造方法。更详细而言,涉及用于具备高效反射由发光层发出的光的导电性反射膜的发光元件的反射膜用组合物、发光元件及其制造方法。
背景技术
近年来,发光元件尤其是LED光源随着高亮度化等而利用到各种领域。尤其,由于能够实现白色LED光源,由此在照明器具或液晶显示器的背光源等的用途中所使用。
为了进一步提高LED光源的亮度等,对高效利用由发光层LED元件发出的光的方面进行研究。专利文献1中公开有如下LED光源:其具备基板、搭载于支承基板上的LED元件及包含荧光剂的封装剂,且在基板与LED元件之间具备对LED元件发出的光进行反射的镀Ag电极膜,在镀Ag电极膜上具有钛薄膜。
该LED光源通过在基板与LED元件之间设置导电性反射膜层,有效地反射来自发光体的光,增加发光强度。其中,Ag薄膜与钛薄膜通过电镀法或真空成膜法形成。
通常,电镀法可预想到繁杂的工序或废液的产生,真空成膜法由于维持、运行大型真空成膜装置,因此需要巨大成本。上述LED光源仅用镀Ag电极膜会发生热劣化或光劣化,因此需要钛薄膜,且需要并用电镀法与真空成膜法。
并且,专利文献2中公开有如下LED器件的制造方法:在基材上搭载LED元件且引线接合之后,形成SiO2涂膜。
然而,在该LED器件的制造方法中也使用镀银膜。并且,由于搭载LED元件之后形成SiO2涂膜,因此当涂布SiO2涂层溶液时,存在污染LED元件而合格率下降的忧虑。
专利文献1:日本特开2009-231568号公报
专利文献1:日本特开2009-224536号公报
发明内容
本发明的课题在于提供能够通过改善反射由发光元件射出的光且具有电极作用的导电性反射膜的薄膜形成法,抑制因导电性反射膜的热与环境引起的劣化,并且使制造工序简便,从而大幅改善运转成本的发光元件及其制造方法。
本发明涉及根据以下所示的技术方案解决了上述课题的发光元件及发光元件所具备的导电性反射膜用组合物。
本发明的第1方案为一种用于发光元件的导电性反射膜用组合物,其为用于依次具备发光层、反射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材的发光元件的导电性反射膜用组合物,其特征在于,导电性反射膜组合物包含金属纳米粒子。
本发明的第2方案为上述第1方案所涉及的用于发光元件的导电性反射膜用组合物,其中,进一步包含添加物。
本发明的第3方案为一种用于发光元件的导电性反射膜用外涂层组合物,其为用于依次具备发光层、反射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材的发光元件的导电性反射膜用外涂层用组合物,其中,外涂层用组合物包含透光性粘合剂。
本发明的第4方案为一种发光元件,其依次具备发光层、反射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材,其特征在于,导电性反射膜包含金属纳米粒子烧结体。
本发明的第5方案为上述第4方案所涉及的发光元件,其中,所述导电性反射膜的空穴和/或在所述导电性反射膜和所述基材的界面存在透光性粘合剂。
本发明的第6方案为上述第4或第5中任一方案所涉及的发光元件,其中,在发光层和导电性反射膜之间进一步具备包含透光性粘合剂的透明导电膜。
本发明的第7方案为上述第6方案所涉及的发光元件,其中,所述透明导电膜进一步包含透明导电性粒子。
本发明的第8方案为上述第6或第7方案所涉及的发光元件,其中,所述透明导电膜由两层构成,所述导电性反射膜侧的透明导电膜(透明导电膜层)的折射率高于所述发光层侧的透明导电膜(透明导电膜层)的折射率。
本发明的第9方案为上述第4~第8中任一方案所涉及的发光元件,其中,在所述导电性反射膜和所述基材之间进一步具备粘附层。
本发明的第10方案为上述第6~第9中任一方案所涉及的发光元件,其中,导电性反射膜和透明导电膜是通过湿式涂层法制造的。
本发明的第11方案为上述第4~第10中任一方案所涉及的发光元件,其中,所述导电性反射膜的厚度为0.05~1.0μm。
本发明的第12方案为上述第4~第11中任一方案所涉及的发光元件,其中,所述导电性反射膜进一步包含添加物。
本发明的第13方案为上述第12方案所涉及的发光元件,其中,所述添加物包含选自有机高分子、金属氧化物、金属氢氧化物、有机金属化合物及硅油中的至少一种。
本发明的第14方案为上述第13方案所涉及的发光元件,其中,所述有机高分子为选自聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物及水溶性纤维素中的至少一种。
本发明的第15方案为上述第13方案所涉及的发光元件,其中,所述金属氧化物为包含选自铝、硅、钛、锆、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟及锑中的至少一种的氧化物或复合氧化物。
本发明的第16方案为上述第13方案所涉及的发光元件,其中,所述金属氢氧化物为包含选自铝、硅、钛、锆、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟及锑中的至少一种的氢氧化物。
本发明的第17方案为上述第13方案所涉及的发光元件,其中,所述有机金属化合物为选自硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼及锡中的至少一种的金属皂、金属络合物、金属醇盐或金属醇盐的水解物。
另外,本发明涉及以下发光元件的制造方法。
本发明的第18方案为一种发光元件的制造方法,其特征在于,通过湿式涂层法在基材上涂布包含金属纳米粒子和添加物的导电性反射膜用组合物之后,通过烧成或固化来形成导电性反射膜,在导电性反射膜上搭载发光层。
本发明的第19方案为上述第18方案所涉及的发光元件的制造方法,其中,在形成所述导电性反射膜之后且搭载所述发光层之前,进一步通过湿式涂层法在所述导电性反射膜上涂布包含透光性粘合剂的外涂层组合物之后,通过烧成或固化而形成透明导电膜。
根据上述第1方案能够轻松获得即使为高输出功率的发光元件也可抑制因由发光层产生的热或环境引起的劣化的导电性反射膜,且能够轻松制造具备该导电性反射膜的长寿命发光元件。
根据上述第4方案能够提供一种即使为高输出功率发光元件也能够提高耐热性或耐腐蚀性,且抑制因由发光层产生的热或环境引起的导电性反射膜的劣化的长寿命发光元件。并且,该导电性反射膜能够以湿式涂层法制作,因此能够使制造工序简便且以低成本的方式制造,根据上述第5方案能够提供一种通过添加物来使耐热性或耐腐蚀性更高的发光元件。并且,根据上述第7方案,能够增加导电性反射膜引起的反射光。
根据上述第18方案,可以简便且以低成本的方式获得耐热性或耐腐蚀性高的发光元件。并且,由于搭载发光层之前形成导电性反射膜,因此不存在因导电性反射膜用组合物污染发光层的忧虑。
附图说明
图1是表示本发明的发光元件的一例的截面图。
图2是表示本发明的发光元件的优选一例的截面图。
图3是表示本发明的发光元件的更优选一例的截面图。
图4是表示本发明的发光元件的优选一例的截面图。
图5是形成有导电性反射膜等的基材的截面的扫描电子显微镜照片。
具体实施方式
以下,根据实施方式对本发明进行具体说明。另外,除了数值固有的情况之外,只要未特别表示,“%”为质量%。
[用于发光元件的导电性反射膜用组合物]
本发明的导电性反射膜用组合物为用于依次具备发光层、反射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材的发光元件的导电性反射膜用组合物(以下称为导电性反射膜用组合物),其特征在于,导电性反射膜组合物包含金属纳米粒子。导电性反射膜用组合物通过烧成或固化来形成导电性反射膜。关于依次具备发光层、反射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材的发光元件进行后述。
金属纳米粒子对烧成或固化的导电性反射膜用组合物,即对导电性反射膜赋予由发光层射出的光的反射性及导电性。作为金属纳米粒子,可举出选自银、金、铂、钯、钌、镍、铜、锡、铟、锌、铁、铬及锰中的一种或两种以上的混合组合或合金组合,从反射性、导电性观点来看,优选银、金。金属纳米粒子的平均粒径优选为10~50nm。在此,平均粒径利用QUANTACHROME AUTOSORB-1来测定比表面的BET法进行测定。从分散性、反射性观点来看,金属纳米粒子的形状优选为球状、板状。
从粘附性、反射性观点来看,优选导电性反射膜用组合物包含添加物。从反射性、粘附性观点来看,更优选作为添加物,包含选自有机高分子、金属氧化物、金属氢氧化物、有机金属化合物及硅油中的至少一种。
从反射性观点来看,作为用作添加物的有机高分子优选为选自聚乙烯吡咯烷 酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物及水溶性纤维素中的至少一种。作为聚乙烯吡咯烷酮的共聚物,可举出PVP-丙烯酸甲酯共聚物、PVP-苯乙烯共聚物、PVP-醋酸乙烯酯共聚物等。并且,作为水溶性纤维素,可举出羟丙基甲基纤维素、甲基纤维素、羟乙基甲基纤维素等纤维素醚。
作为用作添加物的金属氧化物,优选为包含选自铝、硅、钛、锆、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟及锑中的至少一种的氧化物或复合氧化物。具体而言复合氧化物可举出上述的ITO、ATO、IZO、AZO等。
作为用作添加物的金属氢氧化物,优选为包含选自铝、硅、钛、锆、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟及锑中的至少一种的氢氧化物。
作为用作添加物的有机金属化合物,优选为包含选自硅、钛、锆、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼及锡中的至少一种的金属皂、金属络合物、金属醇盐或金属醇盐的水解物。例如,金属皂可举出醋酸铬、甲酸锰、柠檬酸铁、甲酸钴、醋酸镍、柠檬酸银、醋酸铜、柠檬酸铜、醋酸锡、醋酸锌、草酸锌、醋酸钼等。并且,金属络合物可举出乙酰丙酮锌络合物、乙酰丙酮铬络合物、乙酰丙酮镍络合物等。并且,金属醇盐可举出异丙醇钛、硅酸甲酯、异氰酸丙基三甲氧基硅烷、氨基丙基三甲氧基硅烷等。
作为用作添加物的硅油,能够利用直链型硅油与改性硅油这两个。改性硅油进一步利用在聚硅氧烷的侧链局部导入有机基的硅油(侧链型)、在聚硅氧烷的两末端导入有机基的硅油(两末端型)、在聚硅氧烷的两末端中任一端导入有机基的硅油(单末端型)及在聚硅氧烷的侧链局部与两末端导入有机基的硅油(侧链两末端型)。改性硅油存在反应性硅油与非反应性硅油,这两种均能够作为本发明的添加物使用。另外,反应性硅油表示氨基改性硅油、环氧基改性硅油、羧基改性硅油、甲醇改性硅油、巯基改性硅油及异种官能基团改性硅油(环氧基、氨基、聚醚基),非反应性硅油表示聚醚改性硅油、甲基苯乙烯基改性硅油、烷基改性硅油、高级脂肪酸酯改性硅油、氟改性硅油及亲水特殊改性硅油。
并且,导电性反射膜用组合物包含分散介质,相对于整个分散介质100质量%,优选分散介质含有1质量%以上、优选2质量%以上的水、及2质量%以上、优选3质量%以上的与水相溶的溶剂,例如醇类。例如,分散介质仅包括水及醇类的情况下,含有2质量%的水时,含有98质量%的醇类,含有2质量%的醇类时,含有98质量%的水。另外,分散介质,即对金属纳米粒子表面进行化学修饰的保护分子含有羟基(-OH)或羰基(-C=O)中的任一方或两方。相对于整个分散介质100质量%,优选水的含量在1质量%以上的范围内。这是因为,若水的含量低于 1质量%,则很难以低温对通过湿式涂层法涂层导电性反射膜用组合物而获得的膜进行烧结。而且还导致烧成后的导电性反射膜的导电性与反射率下降。另外,若在对银纳米粒子等金属纳米粒子进行化学修饰的保护剂中含有羟基(-OH),则导电性反射膜用组合物的分散稳定性优异,且对涂膜的低温烧结也具有有效的作用。并且,若在对银纳米粒子等金属纳米粒子进行化学修饰的保护剂中含有羰基(-C=O),则与上述相同导电性反射膜用组合物的分散稳定性优异,且对涂膜的低温烧结也具有有效的作用。作为分散介质中使用的与水相溶的溶剂,优选醇类。其中,作为上述醇类尤其优选使用选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、甘油、异冰片己醇及赤藓醇中的一种或两种以上。
并且,按照使用的成分,优选添加低阻剂或水溶性纤维素衍生物。作为低阻剂,更优选为选自钴、铁、铟、镍、铅、锡、钛及锌的无机酸盐及有机酸盐中的一种或两种以上。例如可举出醋酸镍与氯化铁的混合物、环烷酸锌、辛酸锡与氯化锑的混合物、硝酸铟与醋酸铅的混合物及乙酰基醋酸钛与辛酸钴的混合物等。相对于导电性反射膜用组合物100质量份,低阻剂优选为0.2~15质量份。水溶性纤维素衍生物为非离子化表面活性剂,相比其他表面活性剂,即使添加少量,其分散金属纳米粒子的能力也极高,并且通过添加水溶性纤维素衍生物,提高所形成的导电性反射膜的反射率。作为水溶性纤维素衍生物,可举出羟丙基纤维素、羟丙基甲基纤维素等。相对于导电性反射膜用组合物100质量份,水溶性纤维素衍生物优选为0.2~5质量份。
导电性反射膜用组合物在不损害本发明目的的本发明的范围内,能够根据需要进一步配合抗氧化剂、整平剂、触变剂、填充剂、应力松弛剂及其他添加剂等。
从反射性、导电性观点来看,相对于除分散介质以外的导电性反射膜用组合物100质量份,金属纳米粒子优选为75质量份以上,更优选为80质量份以上。并且,从导电性反射膜的粘附性观点来看,优选为95质量份以下,更优选为80质量份以上。
相对于除分散介质以外的导电性反射膜用组合物100质量份,添加物的含有比例优选为0.1~25质量份,更优选为0.2~10质量份。若在0.1质量份以上,则与基材的粘接力良好,若在25质量份以下,则成膜时不易发生膜不均。
[用于发光元件的导电性反射膜用外涂层组合物]
本发明的用于发光元件的导电性反射膜用外涂层组合物(以下称为外涂层组合物)为用于依次具备发光层、发射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材的发光元件的导电性反射膜用外涂层用组合物,其中外涂层用组合物包含透光性粘 合剂。外涂层组合物(1)能够在湿式涂布于导电性反射膜上时,导电性反射膜上存在空穴的情况下,渗透到导电性反射膜,使导电性反射膜的空穴和/或在导电性反射膜与基材的界面含有透光性粘合剂,并且,(2)能够在发光层与导电性反射膜之间进一步形成包含透光性粘合剂的透明导电膜。另外,(2)的情况下,通过制作高折射率用外涂层组合物与低折射率用外涂层组合物这两种外涂层组合物,能够制造由两层构成的透明导电膜,其中,导电性反射膜侧的透明导电膜的折射率高于发光层侧的透明导电膜的折射率。关于依次具备发光层、反射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材的发光元件进行后述。
若透光性粘合剂包含通过加热而固化的聚合物型粘合剂和/或非聚合物型粘合剂,则涂布后的固化较容易,所以从粘附性观点来看优选。作为聚合物型粘合剂,可举出丙烯酸树脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸树脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚苯乙烯、聚甲醛、聚酰胺、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、纤维素及硅氧烷聚合物等。并且,优选聚合物型粘合剂包含选择铝、硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼及锡的金属皂、金属络合物、金属醇盐及金属醇盐的水解体中的至少一种。
作为非聚合物型粘合剂,可举出金属皂、金属络合物、金属醇盐、金属醇盐的水解物、烷氧基硅烷、卤代硅烷类、2-烷氧基乙醇、β-二酮及烷基醋酸酯等。并且,金属皂、金属络合物或金属醇盐中所含的金属优选为铝、硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟或锑,更优选为硅、钛的醇盐(例如,四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、丁氧基硅烷。作为卤代硅烷类,可举出三氯硅烷。这些聚合物型粘合剂、非聚合物型粘合剂通过加热而固化,由此能够形成具有高粘附性的透明导电膜。
固化金属醇盐时,优选含有用于开始水解反应的水分以及作为催化剂的盐酸、硝酸、磷酸(H3PO4)、硫酸等酸或氨水、氢氧化钠等碱,从加热固化之后催化剂易挥发、不易残存、卤素不残留、耐水性较弱的P等不残留、固化后的密封性等观点来看,更优选硝酸。
透明导电性粒子能够提高透明导电膜的导电性,并抑制因导电性反射膜的热和光引起的劣化,因此优选。从透光性、稳定性、耐候性观点来看,透明导电性粒子优选为氧化物微粒子。作为透明导电性的氧化物粒子,优选ITO(Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)、ATO(Antimony Tin Oxide:掺锑氧化锡)的氧化锡粉末或含有选自Al、Co、Fe、In、Sn及Ti中的至少一种金属的氧化锌粉末等。其中,更优选ITO、ATO、AZO(Aluminum Zinc Oxide:掺铝氧化锌)、IZO(Indium Zinc Oxide:掺铟氧化锌)、TZO(Tin Zinc Oxide:掺锡氧化锌)。并且,为了在分散 介质中确保稳定性,透明导电性粒子的平均粒径优选在10~100nm的范围内,其中,更优选在20~60nm的范围内。其中,平均粒径通过QUANTACHROME AUTOSORB-1来测定比表面的BET法或基于HORIBA制作所制LB-550的动态光散射法测定。未特殊记载时使用QUANTACHROME AUTOSORB-1来测定比表面的BET法测定。从分散性、导电性观点来看,透明导电性粒子的形状优选为球状或针状。
并且,优选透光性粘合剂按照使用的其他成分添加偶联剂。这是因为提高透明导电膜与导电性反射膜的粘附性、及透明导电膜与封装材料膜的粘附性,进一步还提高透明导电性粒子与透光性粘合剂的粘附性。作为偶联剂,可举出硅烷偶联剂、铝偶联剂及钛偶联剂等。
相对于除分散介质以外的透明导电膜100质量份,透光性粘合剂的含有比例优选为10~90质量份,更优选为30~80质量份。若在10质量份以上,则与导电性反射膜的粘接力良好,若在90质量份以下,则成膜时不易产生膜不均。并且,作为粘合剂使用金属醇盐、作为催化剂使用硝酸时,从粘合剂的固化速度、硝酸的残存量观点来看,相对于金属醇盐100质量份,硝酸优选为1~10质量份。
为了良好地成膜,优选外涂层组合物包含分散介质。关于使用的分散介质与导电性反射膜用组合物相同。
相对于除分散介质以外的外涂层组合物100质量份,透明导电性粒子优选为10~90质量份,更优选为20~70质量份。若为10质量份以上,则能够期待使来自透明导电膜的回光返回到导电性反射膜侧的效果,若为90质量份以下,则维持透明导电膜自身的强度、及与导电性反射膜或封装材料的粘接力。
使用偶联剂时,相对于除分散介质以外的外涂层组合物100质量份,优选为0.01~5质量份,更优选为0.1~2质量份。若在0.01质量份以上,则在提高导电性反射膜或封装材料的粘接力、或显著提高粒子分散性上见效,若多于5质量份,则易产生膜不均。
并且,外涂层组合物根据使用的成分,优选添加低阻剂或水溶性纤维素衍生物。关于低阻剂、水溶性纤维素衍生物也与导电性反射膜用组合物相同。
外涂层组合物在不损害本发明目的的本发明的范围内,能够根据需要进一步配合抗氧化剂、整平剂、触变剂、填充剂、应力缓和剂及其他添加剂等。
《高折射率用外涂层组合物》
高折射率用外涂层组合物能够使用上述外涂层组合物。但以下对更高折射率的外涂层组合物的制造方法进行说明。
优选高折射率用外涂层组合物包含上述透光性粘合剂、透明导电性粒子,进一步包含选自SiO2(折射率:1.54)、TiO2(折射率:2.7)、ZrO2(折射率:2)及金刚石(折射率:2.4)中的至少一种透明粒子。另外,关于透明导电性粒子的折射率,ITO、ATO及含有选自Al、Co、Fe、In、Sn及Ti中的至少种金属的氧化锌均约为2,透光性粘合剂的折射率约为1.3~1.6。
相对于除分散介质以外的高折射率用外涂层组合物100质量份,透明导电性粒子优选为10~90质量份,更优选为20~70质量份。若在10质量份以上,则能够期待使来自透明导电膜的回光返回到导电性反射膜侧的效果,若为90质量份以下,则维持透明导电膜自身的强度、及透明导电膜组合物与透明导电膜或封装材料膜的粘接力。
从调整折射率观点来看,相对于除分散介质以外的高折射率用外涂层组合物100质量份,透明粒子优选为10~50质量份。
相对于除分散介质以外的高折射率用外涂层组合物100质量份,透光性粘合剂的含有比例优选为10~90质量份,更优选为30~80质量份。若在10质量份以上,则与透明导电膜的粘接力良好,若在90质量份以下,则成膜时不易产生膜不均。
《低折射率用外涂层组合物》
优选低折射率用外涂层组合物包含上述透光性粘合剂、透明导电性粒子,进一步包含选自倍半硅氧烷粒子(折射率:1.15~1.45)及氟化镁粒子(折射率:1.18~1.38)中的至少一种低折射透明粒子。低折射透明粒子的平均粒径优选为1~50nm。
相对于导电性氧化物粒子与低折射透明粒子的合计100质量份,低折射率用外涂层组合物包含98~65质量份的导电性氧化物粒子,优选包含95~70质量份的导电性氧化物粒子。这是因为若超过上限值则粘附性下降,若低于下限值则导电性下降。
相对于导电性氧化物粒子与低折射透明粒子的合计100质量份,包含2~35质量份的低折射透明粒子,优选包含5~30质量份的低折射透明粒子。这是因为若在下限值以下,则无法充分降低固化后的透明导电膜的折射率,若在上限值以上,则导电性下降。
相对于除分散介质以外的低折射率用外涂层组合物100质量份,透光性粘合剂的含有比例优选为5~50质量份,更优选为10~30质量份。
[粘附层用组合物]
在基材上湿式涂布、烧成导电性反射膜用组合物来形成导电性反射膜之前, 对基材形成粘附层,由此能够形成与基材的粘附性优异,且电接合性优异的导电性反射膜。粘附层处理通过在基材上涂布如下粘附层用组合物来形成。粘附层用组合物优选包含选自金属氧化物、树脂类、金属醇盐、金属皂及偶联剂中的至少一种。作为金属氧化物,可举出Ag2O、CuO、PdO、ZnO、NiO、MoO2、Cr2O3、MnO2、Al2O3、ZrO、TiO2、In2O3、SiO2等。作为树脂类可举出丙烯酸树脂、醋酸乙烯酯树脂、环氧树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、纤维素、聚乙烯吡咯烷酮树脂、它们的改性树脂、以结构单元包含它们的共聚物等。作为金属醇盐,可举出四乙氧基硅烷、四丁氧基钛、异丙醇钛、丁醇锆等。作为金属皂,可举出硬脂酸钙、硬脂酸镁、硬脂酸锌、2-乙基己酸锡等。作为偶联剂,可举出3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、钛酸三乙醇胺等。
[发光元件]
本发明的一种发光元件,其依次具备发光层、反射由发光层发出的光的导电性反射膜及基材,其特征在于,导电性反射膜包含金属纳米粒子烧结体。
图1中示出发光元件的一例的截面图。发光元件1在基材(基板)20上依次具备导电性反射膜10、发光层30。通常,发光层30用接合线40配线之后由封装材料50封装。并且,为了高效利用由发光层射出的光,用反射框60覆盖发光层30周围。
图2中示出表示发光元件的优选一例的截面图。发光元件2在基材21上依次具备导电性反射膜11、透明导电膜71、发光层31。与图1所示的例子相同,发光层31用接合线41配线之后由封装材料51封装。并且,用反射框61覆盖发光层31周围。如此,若在导电性反射膜11与发光层31之间具备透明导电膜71,则能够提高发光元件2的耐热性或耐腐蚀性,所以优选。另外,若透明导电膜包含透光性粘合剂则能够通过湿式涂层法制造,因此更优选,但即使由真空成膜法等制造也能够提高发光元件2的耐热性或耐腐蚀性。图2中示出发光元件的一例的截面图。
图3中示出表示发光元件的更优选一例的截面图。发光元件3在基材22上依次具备导电性反射膜12、透明导电膜72、发光层32。发光层32用接合线42配线之后由封装材料52封装。并且,用反射框62覆盖发光层32周围。在导电性反射膜12与发光层31之间具备的透明导电膜72由两层构成,在导电性反射膜12侧具备高折射率透明导电膜721,在发光层侧具备低折射率透明导电膜722。通过将透明导电膜72设为两层结构的复合膜,能够增加导电性反射膜12引起的反射光。另外,通过从导电性反射膜12侧依高折射率透明导电膜、低折射率透明导电膜、 高折射率透明导电膜、低折射率透明导电膜的顺序使透明导电膜72成为多层化,由此能够进一步增加导电性反射膜12引起的反射光。即,也可层叠多个由高折射率透明导电膜与低折射率透明导电膜这两层构成的复合膜来形成透明导电膜71。此时,透明导电膜71具有高折射率透明导电膜与低折射率透明导电膜的交替层叠结构,离发光层最近的层为低折射率透明导电膜,离导电性反射膜最近的层为高折射率透明导电膜。
图4中示出表示发光元件的优选一例的截面图。图4中所示的发光元件4在导电性反射膜13与基材23之间具备粘附层83。发光元件4在基材23上依次具备粘附层83、导电性反射膜13、透明导电膜73、发光层33。发光层33用接合线43配线之后由封装材料53封装。并且,用反射框63覆盖发光层33周围。粘附层83能够提高导电性反射膜13与基材23之间的粘附性,且实现发光元件的高可靠性化。另外,图4所示的例子为具备透明导电膜73的例子,即使未形成透明导电膜73,只要具备粘附层83就优选。
以下,依次对导电性反射膜、透明导电膜、粘附层进行说明。
[导电性反射膜]
导电性反射膜包含金属纳米粒子,并且,从粘附性、反射性观点来看,优选导电性反射膜包含添加物。金属纳米粒子、添加物与上述相同。
从反射性、导电性观点来看,导电性反射膜的厚度优选为0.05~1.0μm,更优选为0.1~0.5μm。
在导电性反射膜的基材侧的表面存在的气孔若平均直径为100nm以下、平均深度为100nm以下且数量密度为30个/μm2,则在380~780nm的波长范围内,能够达到理论反射率80%以上的高扩散反射率,所以优选。通常,反射光谱表示在长波长侧反射率高,且在短波长侧较低的项目。若气孔的平均直径超过100nm,则反射率开始下降的拐点进一步向长波长侧移动,无法获得良好的反射率,因此优选平均直径为100nm以下。并且,若气孔的平均深度超过100nm,则反射光谱的斜率(倾斜度)变大,无法获得良好的反射率,因此优选气孔的平均深度为100nm以下。若气孔的数量密度超过30个/μm2,则长波长侧的反射率下降,无法获得良好的反射率,因此优选气孔的数量密度为30个/μm2以下。
并且,当导电性反射膜具有空穴时,若导电性反射膜的空穴和/或在导电性反射膜与基材的界面存在透光性粘合剂,则导电性反射膜的耐热性、耐腐蚀性进一步提高,且导电性反射膜与基材的粘附性提高,因此优选。另外,导电性反射膜的空穴和/或导电性反射膜与基材的界面的透光性粘合剂,能够通过在具有空穴的 导电性反射膜上湿式涂布且烧成外涂层组合物来形成。
图5中示出形成有导电性反射膜等的基材的截面的扫描电子显微镜照片。图5中,在基材120上形成有导电性反射膜110,且观察到导电性反射膜的空穴的透光性粘合剂111、及导电性反射膜与基材的界面的透光性粘合剂112。并且,在导电性反射膜110上形成有透明导电膜170。
[透明导电膜]
若透明导电膜形成于发光层与导电性反射膜之间,则能够抑制因导电性反射膜的热和光引起的劣化,所以优选。透明导电膜中的透光性粘合剂与上述相同,优选包含透明导电性粒子、偶联剂等。
透明导电膜在不损害本发明目的的本发明的范围内,能够根据需要进一步配合填充剂、应力缓和剂及其他添加剂等。
从粘附性观点来看,透明导电膜的厚度优选为0.01~0.5μm,更优选为0.02~0.1μm。这是因为,若透明导电膜的厚度低于0.01μm或超过0.5μm,则无法获得充分的粘附效果。
并且,透明导电膜由两层构成,若导电性反射膜侧的透明导电膜(高折射率透明导电膜)的折射率高于发光层侧的透明导电膜(低折射率透明导电膜)的折射率,则增加导电性反射膜引起的反射光的情况与上述相同。
[粘附层]
粘附层提高导电性反射膜与基材之间的粘附性。粘附层厚度优选为0.01~0.5μm。这是因为,若粘附层的厚度为0.01μm以上,则粘附力充分,若在0.5μm以下,则随时间的变化较少。
[发光元件的制造方法]
本发明的发光元件的制造方法的特征在于,通过湿式涂层法在基材上涂布包含金属纳米粒子与添加剂的导电性反射膜用组合物之后,通过烧成或固化来形成导电性反射膜,且在导电性反射膜上搭载发光层。
首先通过湿式涂层法在基材上涂布包含金属纳米粒子与添加剂的导电性反射膜用组合物。此时的涂布是优选以烧成后的厚度成为0.05~1.0μm的方式,更优选成为0.1~0.5μm的方式进行的。接着,就该涂膜而言,在温度120~350℃下,优选在150~250℃下,且以5~60分钟,优选以15~40分钟进行干燥。如此形成导电性反射膜。
基材只要能够搭载发光层,则无特别限定。例如可举出硅、陶瓷、高分子材料、Cu、Al等。
导电性反射膜用组合物能够根据常用方法并由油漆搅拌器、球磨机、混砂机、离心式磨机、三辊磨机等混合所希望的成分,并分散透光性粘合剂,根据情况分散透明导电性粒子等来制作。当然,也能够通过通常的搅拌操作来制造。另外,从易获得均质的导电性反射膜用组合物观点来看,优选混合除金属纳米粒子以外的成分之后,与包含预先以其他方法分散的金属纳米粒子的分散介质混合。
湿式涂层法优选为喷涂法、分涂法、旋涂法、刮涂法、狭缝涂布法、喷墨涂布法、网版印刷法、胶版印刷法或铸模涂布法中的任意一种,但不限定于这些,能够利用所有方法。
喷涂法为通过压缩空气使导电性反射膜用组合物成雾状来涂布于基材上或者对分散体本身进行加压而使其成雾状来涂布于基材上的方法,分涂法为例如通过将导电性反射膜用组合物注入至注射器中并按压该注射器的活塞来从注射器前端的微细喷嘴吐出分散体并涂布于基材上的方法。旋涂法为向旋转的基材上滴下导电性反射膜用组合物并通过其离心力向基材周边扩展该滴下的导电性反射膜用组合物的方法,刮涂法为在水平方向上可移动地设置与刮刀的前端隔开预定间隙的基材,向比该刮刀更靠近上游侧的基材上供给导电性反射膜用组合物,使基材朝向下游侧水平移动的方法。狭缝涂布法为使导电性反射膜用组合物从狭窄的狭缝流出来并涂布于基材上的方法,喷墨涂布法为将导电性反射膜用组合物填充于市售的喷墨打印机的墨盒中来在基材上进行喷墨印刷的方法。网版印刷法为利用纱作为图案指示材料并通过在其上作成的版图像将导电性反射膜用组合物转移至基材的方法。胶版印刷法为不使附在版上的导电性反射膜用组合物直接附着于基材,而是进行一次从版至胶片的复制,并从胶片重新转移到基材上,利用导电性反射膜用组合物的疏水性的印刷方法。铸模涂布法为通过歧管对供给至模具内的导电性反射膜用组合物进行分配并通过狭缝挤出至薄膜上,对行进的基材的表面进行涂层的方法。铸模涂布法有狭槽式涂布方式或滑动式涂布方式、帘式涂布方式。
最后,在大气中或氮气或氩气等惰性气体气氛中,对具有导电性反射涂膜的基材,以优选为130~250℃,更优选为180~220℃的温度保持烧成5~60分钟,优选15~40分钟。
优选将具有涂膜的基材的烧成温度设为130~250℃范围,这是因为,若低于130℃,则在导电性反射膜中发生固化不足的不良情况。并且,若超过250℃,则无法发挥所谓低温工艺的生产上的优点,即导致制造成本增加且生产率下降。并且是因为发光层为LED元件时耐热性较低且发光效率因烧成工序而下降。
优选将具有涂膜的基材的烧成时间设为5~60分钟的范围,这是因为,若烧 成时间低于下限值,则在导电性反射膜中发生粘合剂的烧成不充分的不良情况。若烧成时间超过上限值,则导致制造成本过于增加且生产率下降,并且,产生发光层发出的光的效率下降的不良情况。
对在所形成的导电性反射膜上搭载发光层的方法并无特别限定,发光层为LED元件时,可利用周知的晶片接合等方法。
通过以上,本发明的制造方法能够通过使用湿式涂层法,尽可能省去真空蒸镀法或溅射法等真空工艺,因此能够更廉价地制造导电性反射膜,且能够简便且以低成本的方式制造本发明的耐热性或耐腐蚀高的发光元件。
并且,若在形成导电性反射膜之后且搭载发光层之前,通过湿式涂层法在导电性反射膜上进一步涂布包含透光性粘合剂的透明导电膜用组合物之后,通过烧成或固化来形成透明导电膜,则能够进一步提高发光元件的耐热性或耐腐蚀性,所以优选。其中,透明导电膜由高折射率透明导电膜、低折射率透明导电膜这两层以上构成时,在导电性反射膜上依次涂布高折射率透明导电膜组合物、低折射率透明导电膜组合物即可。
关于透明导电膜用组合物的制作方法、湿式涂层法、烧成或固化方法,与导电性反射膜用组合物的情况大致相同,但透明导电膜用组合物的情况下,烧成后的厚度优选成为0.01~0.5μm,更优选成为0.02~0.08μm。
并且,形成粘附层时,在湿式涂布导电性反射膜组合物之前,在基材上涂布粘附层组合物。关于粘附层用组合物的制作方法、湿式涂层法、烧成或固化方法,与导电性反射膜用组合物的情况大致相同,但粘附层用组合物的情况下,烧成后的厚度优选成为0.01~0.5μm。
通过以上,通过使用湿式涂层法作为优选的制造方法,能够更廉价地制造透明导电膜,且能够简便且以低成本的方式制造耐热性或耐腐蚀性更高的发光元件。
[实施例]
以下,通过实施例对本发明进行详细说明,但本发明不限定于这些。
[实施例1]
首先制作导电性反射膜用组合物。以下示出制作步骤。
《导电性反射膜用组合物的制作》
将硝酸银溶解于去离子水中制备金属盐水溶液。并且将柠檬酸钠溶解于去离子水中制备浓度为26质量%的柠檬酸钠水溶液。在保持成35℃的氮气气流中,向该柠檬酸钠水溶液直接加入粒状的硫酸亚铁并使其溶解来制备以3:2摩尔比含有柠檬酸离子和亚铁离子的还原剂水溶液。
接着,将上述氮气气流保持成35℃的同时,向还原剂水溶液中放入磁力搅拌器的搅拌子,并以搅拌子的转速为100rpm来进行搅拌的同时,向该还原剂水溶液中滴下上述金属盐水溶液并进行混合。此时,调节各溶液的浓度,以使金属盐水溶液向还原剂水溶液的添加量成为还原剂水溶液量的1/10以下,即使滴下室温的金属盐水溶液,反应温度也可以保持成40℃。并且,设定还原剂水溶液与金属盐水溶液的混合比,以使相对于金属盐水溶液中的金属离子的总原子价数的还原剂水溶液的柠檬酸离子与亚铁离子的摩尔比均成为3倍摩尔。结束向还原剂水溶液滴下金属盐水溶液之后,通过进一步继续搅拌15分钟混合液,在混合液内部生成银纳米粒子,获得分散有银纳米粒子的银纳米粒子分散液。银纳米粒子分散液的pH为5.5,分散液中银纳米粒子的化学计量生成量为5g/升。
将获得的银纳米粒子分散液放置在室温下,由此使分散液中的银纳米粒子沉淀,并通过倾析法分离沉淀的银纳米粒子的凝聚物。向分离的银纳米粒子凝聚物加入去离子水并作为分散体,通过超滤进行脱盐处理之后,进一步用甲醇置换清洗,使金属(银)的含量成为50质量%。之后,利用离心分离机调整该离心分离机的离心力,并分离粒径超过100nm的比较大的银粒子,由此调整成以数平均计含有71%的一次粒径在10~50nm范围内的银纳米粒子。即,调整成以数平均计一次粒径在10~50nm范围内的银纳米粒子相对于全部银纳米粒子100%所占的比例成为71%,获得银纳米粒子分散液。获得的银纳米粒子被化学修饰有柠檬酸钠的保护剂。
接着,将获得的金属纳米粒子:10质量份添加混合于90质量份的包含水、乙醇及甲醇的混合溶液中而分散,来制作导电性反射膜组合物。另外,构成导电性反射膜用组合物的金属纳米粒子含有75质量%以上的金属纳米粒子。
关于导电性反射膜用组合物,通过旋涂法在玻璃基板上成膜导电性反射涂膜,在氮气气氛中,在200℃下烧成20分钟,由此获得厚度为200nm的导电性反射膜。其中,膜厚的测定通过基于Hitachi High-Technologies制扫描型电子显微镜(SEM、装置名称:S-4300、SU-8000)的截面观察进行测定。在其他实施例、比较例中也相同地测定膜厚。
[实施例2]
与实施例1相同地制作银纳米粒子分散液之后,将获得的金属纳米粒子10质量份添加混合于90质量份的包含水、乙醇及甲醇的混合溶液中而分散,在该分散液中以金属纳米粒子成为96质量份、PVP成为4质量份的比例的方式添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP、分子量为360,000)、醋酸锡来制作导电性反射膜用组合物。另 外,构成导电性反射膜用组合物的金属纳米粒子含有75质量%以上的金属纳米粒子。接着,与实施例1相同地获得厚度为100nm的导电性反射膜。
[实施例3]
首先制作外涂层用组合物。以下示出制作步骤。
《外涂层用组合物的制作》
首先,通过如下制造用作粘合剂的SiO2粘结剂:利用500cm3的玻璃制四口烧瓶,加入140g四乙氧基硅烷和140g乙醇,进行搅拌的同时,一次加入在120g纯水中溶解1.7g的60%硝酸的溶液之后,在50℃下反应3小时。
以ITO粉末(平均粒径:25nm)成为100质量份、SiO2粘结剂成为30质量份、IPA成为72.3质量份的方式的合计60g,装入100cm3的玻璃瓶中,利用100g直径为0.3mm的氧化锆珠(MICROHYCA,昭和壳牌石油公司制),由油漆搅拌器分散6小时,由此制作外涂层用组合物。
在除表3所示的组合之外与实施例2相同地制作的厚度为200nm的导电性反射膜上,通过旋涂法将外涂层用组合物成膜为透明导电涂膜,并通过在160℃下烧成30分钟而获得厚度为10nm的透明导电膜。
[实施例4]
作为外涂层用组合物使用SiO2粘结剂,与实施例3相同地获得厚度为100nm的透明导电膜。
[实施例5~23]
除了设成表1、表2中记载的组合、膜厚之外,与实施例2相同地制作导电性反射膜,与实施例3相同地制作透明导电膜。
[实施例24]
与上述银纳米粒子相同地制作铜纳米粒子分散液。银纳米粒子与铜粒子以质量比计成为92:4的比例的方式混合而获得金属纳米粒子分散液。
接着,将获得的金属纳米粒子10质量份添加混合于90质量份的包含水、乙醇及甲醇的混合溶液中而分散,在该分散液中以金属纳米粒子成为96质量份、PVP成为3质量份、醋酸锡成为1质量份的比例的方式添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP、分子量为360,000)、醋酸锡来制作导电性反射膜用组合物。另外,构成导电性反射膜用组合物的金属纳米粒子含有75质量%以上的金属纳米粒子(银纳米粒子+铜纳米粒子)。
关于实施例3的导电性反射膜用组合物,通过旋涂法在玻璃基板上成膜导电性反射涂膜,在氮气气氛中,在200℃下烧成20分钟,由此获得厚度为100nm的 导电性反射膜。
[实施例25~31]
除了设成表2中记载的组合、膜厚之外,与实施例24相同地制作导电性反射膜,与实施例3相同地制作透明导电膜。其中,作为Cu的原料使用硝酸亚铜、作为Fe使用硫酸铁、作为Au的原料使用氯金酸、作为Mn的原料使用硫酸锰、作为Sn的原料使用氯化锡、作为In的原料使用硝酸铟。
[比较例1]
通过真空成膜法的溅射法在玻璃基板上形成厚度为100nm的银薄膜。
[比较例2]
通过溅射法在玻璃基板上形成厚度为100nm的银薄膜,进一步通过溅射法形成厚度为30nm的钛薄膜。
[实施例32]
通过溅射法在实施例5的导电性反射膜上形成厚度为30nm的钛薄膜。
[实施例33]
通过旋涂法在玻璃基板上涂布粘附层组合物,在氮气气氛中,在120℃下烧成30分钟,由此形成厚度为50nm的粘附层。除了设成表2中记载的组合、膜厚之外,与实施例4相同地在密封层上形成厚度为100nm的导电性反射膜,且在导电性反射膜上涂布外涂层组合物来形成厚度为50nm的透明导电膜。其中,粘附层用组合物使用硅烷偶联剂(3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷)。
[实施例34]
除了将粘附层的膜厚设为300nm且不形成透明导电膜之外,与实施例33相同地形成反射膜。
[实施例35]
首先,在玻璃基板上形成粘附层,接着,通过旋涂法在粘附层上涂布含银纳米粒子的反射膜组合物,在氮气气氛中,在200℃下烧成20分钟,由此获得反射膜。进一步通过旋涂法涂布混合有60质量份的SiO2粘结剂与40质量份的平均粒径为10nm的倍半硅氧烷的低折射率用外涂层组合物,在氮气气氛中,在160℃下烧成20分钟,由此获得厚度为30nm、折射率为1.20的低折射率透明导电膜。同样,通过旋涂法涂布混合有70质量份的SiO2粘结剂与30质量份的平均粒径为20nm的TiO2的高折射率用外涂层组合物,在氮气气氛中,在160℃下烧成20分钟,由此形成厚度为30nm、折射率为1.45的高折射率透明导电膜。其中,通过如下制作含倍半硅氧烷的低折射率用外涂层组合物(表3中记载为倍半硅氧烷): 将5g的倍半硅氧烷球状粒子、10g的SiO2粘结剂、85g的乙醇装入100cm3的玻璃瓶中,利用100g直径为0.3mm的氧化锆珠(MICROHYCA,昭和壳牌石油公司制),由油漆搅拌器分散6小时。
[实施例36]
除了设成表3中所示的组合、膜厚之外,与实施例35相同地形成反射膜、低折射率透明导电膜。
[反射率的测定]
实施例1~36、比较例1~2的反射率的评价通过组合紫外可见分光光度计与积分球测定波长450nm的导电性反射膜的扩散反射率。并且,在200℃下进行1000小时的热处理试验,以硫化氢:10ppm、温度:25℃、相对湿度:75%RH进行504小时的作为耐腐蚀性试验的硫化试验,测定各试验后的反射率。表1、表2、表3中示出这些结果。
[粘附性评价]
关于粘附性评价,利用以胶带测试(JIS K-5600)为基准的方法,对测定反射率后的实施例2、33、34,对膜粘附胶带并剥下时,根据成膜的膜剥落或卷起状态的程度,以优、合格、不合格的3个等级进行评价。膜形成物未粘在胶带侧而只有粘结胶带脱落的情况设为优,粘结胶带脱落和成为基板的光电转换层2露出的状态同时存在的情况设为合格,因粘结胶带剥落而成为基板的光电转换层2的整个表面露出的情况设为不合格。实施例2为合格,实施例33、34为优。
[表1]
[表2]
[表3]
从表1可知,实施例1、2中,初期、热处理后的反射率高,硫化试验后的反射率也约为30%。相对于此,通过溅射法制作的比较例1中,初期的反射率高,但热处理后的劣化较大,且硫化试验后的反射率大幅降低为14%。并且,实施例3~ 31中可知能够制作如下发光元件:初期、热处理后、硫化试验后的反射率均非常高,耐热性及耐腐蚀性非常高,即使对于高输出功率的发光层引起的温度上升,其劣化也较少。相对于此,通过溅射法制作的比较例2中,硫化试验后的反射率下降为65%。通过溅射法在实施例5的膜上形成Ti薄膜的实施例32的导电性反射膜与相同的实施例5进行比较,结果为初期、热处理后、硫化试验后均劣化。并且,形成粘附层的实施例33、34中反射率也高。形成低折射率透明导电膜与高折射率透明导电膜的实施例35、36中,在初期获得高的反射率,在热处理后、硫化试验后反射率的下降也较小。
本发明的发光元件在基材与发光层之间具备包含金属纳米粒子的导电性反射膜,由此即使为高输出功率的发光元件,也能够提高耐热性或耐腐蚀性,且能够抑制因由发光层产生的热或环境引起的导电性反射膜的劣化。能够通过湿式涂层法制作该导电性反射膜,因此能够使制造工序简便且成本低。并且,发光层与导电性反射膜之间进一步具备包含透光性粘合剂的透明导电膜,由此能够进一步提高耐热性或耐光性,且进一步提高基材与发光层的粘附性,所以非常有用。
产业上的可利用性
若利用本发明的组合物形成发光元件的导电性反射膜,则即使发光元件的输出功率高,也能够抑制因由发光层产生的热或环境引起的导电性反射膜的劣化,且延长发光元件的寿命。并且,本发明中,能够以简便的工序且以低成本的方式制造耐热性或耐腐蚀性高的发光元件。
Claims (12)
1.一种发光元件,其依次具备发光层、透明导电膜、反射由所述发光层发出的光的导电性反射膜、粘附层及基材,其特征在于,所述导电性反射膜包含金属纳米粒子烧结体,所述粘附层的厚度为0.01~0.5μm,所述透明导电膜包含透光性粘合剂、透明导电性粒子及透明粒子,
所述透明粒子为选自SiO2、TiO2、ZrO2及金刚石中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述导电性反射膜的空穴存在所述透光性粘合剂。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件,其中,
所述透明导电膜由两层构成,所述导电性反射膜侧的透明导电膜的折射率高于所述发光层侧的透明导电膜的折射率。
4.根据权利要求1或2所述的发光元件,其中,
所述导电性反射膜和所述透明导电膜是通过湿式涂层法制造的。
5.根据权利要求1或2所述的发光元件,其中,
所述导电性反射膜的厚度为0.05~1.0μm。
6.根据权利要求1或2所述的发光元件,其中,
所述导电性反射膜进一步包含添加物。
7.根据权利要求6所述的发光元件,其中,
所述添加物包含选自有机高分子、金属氧化物、金属氢氧化物、有机金属化合物及硅油中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的发光元件,其中,
所述有机高分子为选自聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物及水溶性纤维素中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的发光元件,其中,
所述金属氧化物为包含选自铝、硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟及锑中的至少一种的氧化物或复合氧化物。
10.根据权利要求7所述的发光元件,其中,
所述金属氢氧化物为包含选自铝、硅、锆、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟及锑中的至少一种的氢氧化物。
11.根据权利要求7所述的发光元件,其中,
所述有机金属化合物为选自硅、钛、锆、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼及锡中的至少一种的金属皂、金属络合物、金属醇盐或金属醇盐的水解物。
12.一种发光元件的制造方法,其特征在于,
在基材上形成粘附层,通过湿式涂层法在所述粘附层上涂布包含金属纳米粒子和添加物的导电性反射膜用组合物之后,通过烧成或固化来形成导电性反射膜,通过湿式涂层法在所述导电性反射膜上涂布外涂层组合物之后,通过烧成或固化而形成透明导电膜,在所述透明导电膜上搭载发光层,所述粘附层的厚度为0.01~0.5μm,所述外涂层组合物包含透光性粘合剂、透明导电性粒子及透明粒子,
所述透明粒子为选自SiO2、TiO2、ZrO2及金刚石中的至少一种。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010254268 | 2010-11-12 | ||
JP2010-254268 | 2010-11-12 | ||
JP2011037805 | 2011-02-24 | ||
JP2011-037805 | 2011-02-24 | ||
PCT/JP2011/075952 WO2012063908A1 (ja) | 2010-11-12 | 2011-11-10 | 発光素子向け反射膜用組成物、発光素子、および発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103180980A CN103180980A (zh) | 2013-06-26 |
CN103180980B true CN103180980B (zh) | 2017-04-26 |
Family
ID=46051045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201180051844.3A Active CN103180980B (zh) | 2010-11-12 | 2011-11-10 | 使用反射膜用组合物的发光元件及其制造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9647185B2 (zh) |
JP (1) | JP5998481B2 (zh) |
KR (1) | KR101836551B1 (zh) |
CN (1) | CN103180980B (zh) |
TW (1) | TWI580075B (zh) |
WO (1) | WO2012063908A1 (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2011
- 2011-11-10 WO PCT/JP2011/075952 patent/WO2012063908A1/ja active Application Filing
- 2011-11-10 CN CN201180051844.3A patent/CN103180980B/zh active Active
- 2011-11-10 JP JP2011550333A patent/JP5998481B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-10 TW TW100141044A patent/TWI580075B/zh active
- 2011-11-10 KR KR1020137012037A patent/KR101836551B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-10 US US13/884,751 patent/US9647185B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5998481B2 (ja) | 2016-09-28 |
JPWO2012063908A1 (ja) | 2014-05-12 |
TW201234665A (en) | 2012-08-16 |
CN103180980A (zh) | 2013-06-26 |
KR101836551B1 (ko) | 2018-03-08 |
KR20130121844A (ko) | 2013-11-06 |
US20130234191A1 (en) | 2013-09-12 |
US9647185B2 (en) | 2017-05-09 |
WO2012063908A1 (ja) | 2012-05-18 |
TWI580075B (zh) | 2017-04-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |