TWI580075B - 適用發光元件之反射膜用組成物、發光元件及發光元件之製造方法 - Google Patents

適用發光元件之反射膜用組成物、發光元件及發光元件之製造方法 Download PDF

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Description

適用發光元件之反射膜用組成物、發光元件及發光元件之製造方法
本發明是有關適用發光元件之反射膜用組成物、發光元件及發光元件之製造方法。更詳細是有關具備有效率良好的反射來自發光層之發光的導電性反射膜的適用發光元件之反射膜用組成物、發光元件、及其製造方法。
近年發光元件中也隨著LED光源高亮度化等，被利用在各種領域。尤其是可實現白色LED光源，藉此使用在照明器具和液晶顯示器之背光等的用途。
為了更加提高LED光源的亮度等，因此檢討效率良好的利用來自發光層之LED元件的發光。專利文獻1是揭示，具備：基板、搭載在支撐基板上的LED元件、和含有螢光劑的密封劑；在基板和LED元件之間，具備反射LED元件之發光的鍍Ag電極膜；在鍍Ag電極膜上具有鈦薄膜之LED光源。
該LED光源，是在基板和LED元件之間，設置導電性反射膜層，藉此有效率地反射來自發光體的光，使其增加發光強度。在此，Ag薄膜和鈦薄膜，是利用電鍍法和真空成膜法形成。
一般預測電鍍法會有煩雜的製程和廢液的產生，真空成膜法為了維持、運轉大型的真空成膜裝置需要高額的成本。上記LED光源，由於只利用鍍Ag電極膜，會產生熱劣化和光勳化，因此需要鈦薄膜，且需要併用電鍍法和真空成膜法。
又，專利文獻2是揭示，在基材上搭載LED元件，打線結合後，形成二氧化矽塗佈膜的LED顯示器的製造方法。
但在該LED顯示器之製造法中，也使用鍍銀膜。又，搭載LED元件後，為了形成二氧化矽塗佈膜，在塗佈二氧化矽塗佈溶液時，會有LED元件被污染、良品率下降之虞。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開第2009-231568號公報
[專利文獻1]日本特開第2009-224536號公報
本發明是提供改善反射從發光元件放出的光，且具有電極作用的導電性反射膜之薄膜形成法，抑制因導電性反射膜的熱和環境引起的劣化，簡便地進行製造製程，可施行運轉成本的大幅改善之發光元件、及其製造方法為課題。
本發明是有關藉由以下所示的構成來解決上記課題的發光元件、及具備發光元件的導電性反射膜用組成物。
本發明之第一形態，是將發光層、反射來自發光層之發光的導電性反射膜、和基材，以此順序裝備的適用發光元件之導電性反射膜用組成物，導電性反射膜組成物，是以含有金屬奈米粒子為特徵的適用發光元件之導電性反射膜用組成物。
本發明之第二形態，是有關上記第一形態的適用發光元件之導電性反射膜用組成物，一種更含有添加物的適用發光元件之導電性反射膜用組成物。
本發明之第三形態，是將發光層、反射來自發光層之發光的導電性反射膜、和基材，以此順序裝備的適用發光元件之導電性反射膜用覆蓋用組成物，覆蓋用組成物，是含有透光性黏著劑的適用發光元件之導電性反射膜用覆蓋組成物。
本發明之第四形態，是將發光層、反射來自發光層之發光的導電性反射膜、和基材，以此順序裝備的適用發光元件，導電性反射膜，是以含有金屬奈米粒子燒結體為特徵之發光元件。
本發明之第五形態，是有關上記第四形態的發光元件，一種在與前記導電性反射膜之空孔及/或前記導電性反射膜和前記基材的界面，存在有透光性黏著劑之發光元件。
本發明之第六形態，是有關上記第四或第五之任一形態的發光元件，一種在與發光層和導電性反射膜之間，更具備含有透光性黏著劑的透明導電膜之發光元件。
本發明之第七形態，是有關上記第六形態的發光元件，一種前記透明導電膜，是更含有透明導電性粒子的發光元件。
本發明之第八形態，是有關上記第六或第七形態的發光元件，一種前記透明導電膜是由兩層形成，且前記導電性反射膜側的透明導電膜(透明導電膜層)之折射率，是比前記發光層側的透明導電膜(透明導電膜層)之折射率更高的發光元件。
本發明之第九形態，是有關上記第四至第八之任一形態的發光元件，一種在與前記導電性反射膜和前記基材之間，更具備密著層之發光元件。
本發明之第十形態，是有關上記第六至第九之任一形態的發光元件，一種導電性反射膜及透明導電膜，是以濕式塗佈法製造之發光元件。
本發明之第十一形態，是有關上記第四至第十之任一形態的發光元件，一種前記導電性反射膜的厚度，為0.05～1.0μm之發光元件。
本發明之第十二形態，是有關上記第四至第十一之任一形態的發光元件，前記導電膜性反射膜，是更含有添加物之發光元件。
本發明之第十三形態，是有關上記第十二形態的發光元件，一種前記添加物，是包含由有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物、以及矽氧樹脂油所形成的群中選出的至少一種之發光元件。
本發明之第十四形態，是有關上記第十三形態的發光元件，一種前記有機高分子，是由聚乙烯吡咯啶酮、聚乙烯吡咯啶酮的共聚物、以及可溶性纖維素所形成的群中選出的至少一種之發光元件。
本發明之第十五形態，是有關上記第十三形態的發光元件，一種前記金屬氧化物，是包含由鋁、矽、鈦、鋯、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦、以及銻所形成的群中選出的至少一種之氧化物或複合氧化物之發光元件。
本發明之第十六形態，是有關上記第十三形態的發光元件，一種前記金屬氫氧化物，是包含由鋁、矽、鈦、鋯、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦、以及銻所形成的群中選出的至少一種之氫氧化物之發光元件。
本發明之第十七形態，是有關上記第十三形態的發光元件，一種前記有機金屬化合物，是矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、以及錫所形成的群中選出的至少一種之鹼金屬皂、金屬錯合物、金屬醇化物或金屬醇化物的水解物之發光元件。
又，本發明是有關以下之發光元件之製造方法。
本發明之第十八形態，是在基材上，將包含金屬奈米粒子和添加物的導電性反射膜用組成物，利用濕式塗佈法予以塗佈後，加以燒成或硬化，藉此形成導電性反射膜，在導電性反射膜上搭載發光層為特徵的發光元件之製造方法。
本發明之第十九形態，是有關上記第十八形態的發光元件之製造方法，形成前記導電性反射膜後，在搭載前記發光層之前，進一步在前記導電性反射膜上，將含有透光性黏著劑的覆蓋組成物，利用濕式塗佈法予以塗佈後，加以燒成或硬化，藉此形成透明導電膜的發光元件之製造方法。
藉由上記第一形態，高輸出的發光元件，也能夠很容易地得到抑制因從發光層發出的熱和環境引起的劣化的導電性反射膜，還能夠很容易地製造具備該導電性反射膜的高壽命之發光元件。
藉由上記第四形態，高輸出的發光元件，也能夠提高耐熱性和耐蝕性，還可提供抑制因從發光層發出的熱和環境引起的導電性反射膜的劣化之高壽命的發光元件。又，因該導電性反射膜可利用濕式塗佈法製作，故可簡便施行製造製程，以低成本製造，藉由上記第五形態，即可藉由添加物提供耐熱性和耐蝕性更高的發光元件。又，藉由上記第七形態，即可使得因導電性反射膜引起的反射光增加。
藉由上記第十八形態，即可以簡便、低成本得到提高耐熱性和耐蝕性的發光元件。又，由於在發光層之搭載前形成導電性反射膜，因此沒有因導電性反射膜用組成物引起發光層被污染之虞。
以下，根據實施形態具體的說明本發明。再者，%不僅未特別表示，而除了數值固定的情形外，其餘為質量%。
[適用發光元件之導電性反射膜用組成物]
本發明之導電性反射膜用組成物，是在將發光層、反射來自發光層之發光的導電性反射膜、和基材，以此順序裝備的適用發光元件之導電性反射膜用組成物(以下稱導電性反射膜用組成物)中，導電性反射膜組成物，是以含有金屬奈米粒子為特徵。導電性反射膜用組成物，是藉由燒成或硬化，形成導電性反射膜。針對將發光層、反射來自發光層之發光的導電性反射膜、和基材，以此順序配備之發光元件，做後述。
金屬奈米粒子，是使得燒成或硬化的導電性反射膜用組成物，亦即導電性反射膜，獲得從發光層放出之光的反射性和導電性。金屬奈米粒子，列舉有由：銀、金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻、以及錳等形成的群中選出的一種或兩種以上的混合組成或合金組成，銀、金由反射性、導電性的觀點來看很理想。金屬奈米粒子的平均粒徑，為10～50nm為佳。在此，平均粒徑是利用藉由QUANTACHROME AUTOSORB-1之比表面測定的BET法來測定。金屬奈米粒子的形狀，為球狀、板狀的話，由分散性、反射性的觀點來看很理想。
導電性反射膜用組成物，從密著性、反射性的觀點來看，含有添加物很理想。添加物，包含由：有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物、以及矽油等形成的群中選出的至少一種，從反射性、密著性的觀點來看更理想。
添加物使用的有機高分子，包含由：聚乙烯吡咯啶酮、聚乙烯吡咯啶酮的共聚物、以及可溶性纖維素形成的群中選出的至少一種，從反射性的觀點來看很理想。聚乙烯吡咯啶酮的共聚物，列舉有：PVP-縮水甘油酯共聚物、PVP-聚苯乙烯共聚物、PVP-醋酸乙烯酯共聚物等。又可溶性纖維素，列舉有：羥丙基甲基纖維素、甲基纖維素、羥乙基甲基纖維素等的纖維素醚。
添加物使用的金屬氧化物，是包含由鋁、矽、鈦、鋯、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦、以及銻所形成的群中選出的至少一種之氧化物或複合氧化物最佳。複合氧化物，具體舉列有：上述的ITO、ATO、IZO、AZO等。
添加物使用的金屬氫氧化物，是包含由鋁、矽、鈦、鋯、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦、以及銻所形成的群中選出的至少一種之氫氧化物最佳。
添加物使用的有機金屬化合物，是包含由矽、鈦、鋯、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦、以及銻所形成的群中選出的至少一種之鹼金屬皂、金屬錯合物、金屬醇化物或金屬醇化物的水解物最佳。例如：鹼金屬皂，列舉有：醋酸鉻、甲酸錳、檸檬酸鐵、甲酸鈷、醋酸鎳、檸檬酸銀、醋酸銅、檸檬酸銅、醋酸錫、醋酸鋅、草酸鋅、醋酸鉬等。又，金屬錯合物列舉有：乙醯丙酮鋅錯合物、乙醯丙酮鉻錯合物、乙醯丙酮鎳錯合物等。又，金屬醇化物列舉有：異丙氧化鈦、矽酸甲酯、異變性丙基三甲氧基矽烷、氨基丙基三甲氧基矽烷等。
添加物使用的矽油，可使用：直矽油和改性矽油之兩種。改性矽油，更可使用：在聚矽氧烷之側鏈的一部分導入有機基者(側鏈型)、在聚矽氧烷之兩末端導入有機基者(兩末端型)、在聚矽氧烷之兩末端中的任一方導入有機基者(單末端型)、以及在聚矽氧烷之側鏈的一部分和兩末端導入有機基者(側鏈兩末端型)。在改性矽油具有反應性矽油和非反應性矽油，但其兩者之種類也可作為本發明之添加物使用。再者，反應性矽油是表示：氨基改性、環氧改性、羧基改性、甲醇改性、巰基改性、以及異種官能機改性(環氧基、氨基、聚醚基)，且非應性矽油是表示：聚醚改性、甲基苯乙烯基改性、烷基改性、高級脂肪酸酯改性、氟改性、以及親水性特殊改性。
又，導電性反射膜用組成物含有分散媒，分散媒是含有：相對於全部的分散媒100質量%，為1質量%以上理想為2質量%以上的水、和與2質量%以上理想為3質量%以上的水相溶的溶劑(例如：乙醇類)最佳。例如：分散媒僅是由：水及乙醇類形成的情形下，水含有2質量%時，乙醇類含有98質量%，乙醇類含有2質量%時，水含有98質量%。更在分散媒，亦即金屬奈米粒子表面進行化學修飾的保護分子，含有：羥基(-OH)或羰基(-C=O)之任一種或兩種。水之含有量，相對於全部的分散媒100質量%為1質量%以上之範圍最佳。此乃由於水之含有量未滿2質量%，將導電性反射膜用組成物利用濕式塗佈法予以塗佈而得到的膜，難以利用低溫燒結。更因燒成後的導電性反射膜之導電性與反射率會下降。再者，若羥基(-OH)是含在銀奈米粒子等之金屬奈米粒子予以化學修飾的保護劑的話，具有導電性反射膜用組成物的分散安定性優，且對塗膜的低溫燒結亦為有效的作用。再者，若羰基(-C=O)是含在銀奈米粒子等之金屬奈米粒子予以化學修飾的保護劑的話，與上記同樣地，具有導電性反射膜用組成物的分散安定性優，且對塗膜的低溫燒結亦為有效的作用。與應用於分散媒之水相溶的溶劑，以乙醇類為佳。之中，上記乙醇類特別佳的是由甲醇、乙醇(ethanol)、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、甘油、異冰片基己醇、以及四丁醇所形成的群中選出的一種或兩種以上特別佳。
又，配合使用的成份，可添加低抗阻劑和水溶性纖維素衍生物為佳。低阻抗劑，是由鈷、鐵、銦、鎳、鉛、錫、鈦、以及鋅的礦酸鹽及有機酸鹽所形成的群中選出的一種或兩種以上更佳。例如：列舉有：醋酸鎳和氯化鐵的混合物、環烷酸鋅、辛基酸錫和氯化銻的混合物、硝酸銦和醋酸鉛的混合物、乙醯基醋酸鈦和辛基酸鈷的混合物等。低阻抗劑，相對於導電性反射膜用組成物：100質量部，以0.2～15質量部為佳。水溶性纖維素衍生物是非離子化界面活性劑，與其他的界面活性劑相比，即使少量的添加，也會令金屬奈米粒子分散的能力變得極高，而且藉由水溶性纖維素衍生物的添加，所形成的導電性反射膜的反射率也會提升。水溶性纖維素衍生物，列舉有：羥丙基纖維素、羥丙基甲基纖維素等。水溶性纖維素衍生物，相對於透明導電膜用組成物：100質量部，以0.2～5質量部為佳。
導電性反射膜用組成物，在不損及本發明之目的的範圍，進而配合需要，可配合防氧化劑、均勻劑、觸變劑、填充劑、應力釋放劑(Stress Releas)、其他之添加劑等。
金屬奈米粒子，除了分散媒，相對於導電性反射膜用組成物：100質量部，若為75質量部以上，由反射性、導電性的觀點來看很理想，若為80質量部以上更佳。又，若為95質量部以下，由導電性反射膜的密著性之觀點來看很理想，若為80質量部以上更佳。
添加物的含有比例，相對於除了分散媒的導電性反射膜用組成物：100質量部，若為0.1～25質量部為佳，若為0.2～10質量部更佳。若為0.1質量部以上，基材和接著力良好，若為25質量部以下，即成膜時難以產生膜不均。
[適用發光元件之導電性反射膜用覆蓋組成物]
本發明之適用發光元件之導電性反射膜用覆蓋組成物(以下稱覆蓋組成物)，是一種在將發光層、反射來自發光層之發光的導電性反射膜、和基材，以此順序裝備的適用發光元件之導電性反射膜用覆蓋用組成物中，覆蓋用組成物，是含有透光性黏著劑。覆蓋組成物，是當在(1)導電性反射膜上被濕式塗佈時，在導電性反射膜具有空孔的情形下，會滲透到導電性反射膜，可使得導電性反射膜的空孔及/或導電性反射膜和基材的界面，含有透光性黏著劑，而且在(2)發光層和導電性反射膜之間，更可形成含有透光性黏著劑的透明導電膜。進而在(2)的情形下，將覆蓋組成物，製作成高折射率用覆蓋組成物和低折射率用覆蓋組成物之兩種，藉此在由兩層形成的透明導電膜中，導電性反射膜側之透明導電膜的折射率，就可製造成比發光層側之透明導電膜的折射率更高的透明導電膜。針對將發光層、反射來自發光層之發光的導電性反射膜、和基材，以此順序配備之發光元件，做後述。
透光性黏著劑，若是含有因加熱予以硬化的聚合物型黏著劑及/或無聚合物型黏著劑，塗佈後的硬化很容易，由密著性的觀點來看很理想。聚合物型黏著劑，列舉有：丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、烷基樹脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚苯乙烯、聚縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯、纖維素、以及矽氧烷聚合物等。又，聚合物型黏著劑，是包含由鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、以及錫的鹼金屬皂、金屬錯合物、金屬醇化物及金屬醇化物的水解物所形成的群中選出的至少一種為佳。
無聚合物型黏著劑，列舉有：鹼金屬皂、金屬錯合物、金屬醇化物及金屬醇化物的水解物、烷氧矽烷、鹵代矽烷類、2-烷氧基乙醇(alkoxy ethanol)、雙二酮基、以及乙酸烷基酯等。又，包含在鹼金屬皂、金屬錯合物、或金屬醇化物的金屬，是以鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦或銻為佳，矽、鈦的醇化物(例如：四乙基矽氧烷、四甲氧基矽烷、氧基矽烷)更佳。鹵代矽烷類，列舉有：三氯矽烷。該些聚合物型黏著劑、無聚合物型黏著劑，是利用加熱產生硬化，可形成進行具有高密著性的透明導電膜。
使金屬醇化物硬化時，與為了令其開始產生加水分解反應的水份，一同含有作為解媒的鹽酸、硝酸、磷酸(H3PO4)、硫酸等之酸、或氨水、氫氧化鈉等的鹼為佳，加熱硬化後，觸媒易揮發，難以殘存，鹵素不會殘留，耐水性弱的P等不會殘存，由硬化後的密著性等之觀點來看，硝酸更佳。
透明導電性粒子，因會提昇透明導電膜的導電性，且得以抑制因導電性反射膜的熱和光之劣化，故很理想。透明導電性粒子，從透光性、安定性、耐候性的觀點來看，以氧化物微粒子為佳。透明導電性的氧化物粒子，是含有由ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)、ATO(Antimony Tin Oxide：氧化銻錫)的氧化錫粉末和Al、Co、Fe、In、Sn、以及Ti所形成的群中選出的至少一種之金屬的氧化鋅粉末等為佳，當中ITO、ATO、AZO(Aluminum Zinc Oxide：氧化鋁鋅)、IZO(Indium Zinc Oxide：銦鋅氧化物)、TZO(Tin Zinc Oxide：氧化鋅鈦)更佳。又，透明導電性粒子的平均粒徑，為了在分散媒中保持安定性，在10～100nm之範圍內為佳，當中，若在20～60nm之範圍內更佳。在此，平均粒徑是利用藉由QUANTACHROME AUTOSORB-1之比表面測定的BET法或藉由堀場製作所製LB-550的動態光散射法來測定。未特性記載的情形，是利用藉由QUANTACHROME AUTOSORB-1之比表面測定的BET法來測定。透明導電性粒子的形狀，為球狀、針狀的話，由分散性、導電性的觀點來看很理想。
又，透光性黏著劑，配合使用的其他成份添加耦合劑為佳。由於提昇透明導電膜和透明導電膜的密著性、以及透明導電膜和密封材料膜的密著性，故透明導電性粒子和透光性黏著劑的密著性也進一步提昇。耦合劑列舉有：矽烷耦合劑、鋁耦合劑以及鈦耦合劑等。
透光性黏著劑的含有比例，除了分散媒，相對於透明導電膜：100質量部，若為10～90質量部為佳，若為30～80質量部更佳。若為10質量部以上，導電性反射膜和接著力良好，若為90質量部以下，即成膜時難以產生膜不均。又，黏著劑，金屬矽氧化物作為觸媒使用硝酸的情形下，相對於金屬矽氧化物：100質量部，若硝酸為1～10質量部的話，由黏著劑的硬化速度、硝酸的殘存量之觀點來看很理想。
覆蓋組成物，為了使成膜良好，因此含有分散媒為佳。有關所使用的分散媒，是與導電性反射用組成物相同。
透明導電性粒子，除了分散媒，相對於覆蓋組成物：100質量部，若為10～90質量部為佳，若為20～70質量部更佳。若為10質量部以上，即可期待來自透明導電膜的返回光得以朝導電性反射膜側返回的效果，若為90質量部以下，會維持透明導電膜本身的強度、以及與透明導電膜或密封材的接著力。
使用耦合劑的情形下，除了分散媒，相對於覆蓋組成物：100質量部，若為0.01～5質量部佳，若為0.1～2質量部更佳。若為0.01質量部以上，即可觀察到與導電性反射膜或密封材的接著力，或明顯的粒子分散性之提昇效果，若比5質量部稍多，易產生膜不均。
又，覆蓋組成物，配合使用的成份，可添加低抗阻劑和水溶性纖維素衍生物為佳。有關低抗阻劑、水溶性纖維素衍生物，亦與導電性反射用組成物相同。
覆蓋組成物，在不損及本發明之目的的範圍，進而配合需要，可配合防氧化劑、均勻劑、觸變劑、填充劑、應力釋放劑(Stress Releas)、其他之添加劑等。
《高折射率用覆蓋組成物》
於高折射率用覆蓋組成物，雖可使用上述的覆蓋組成物，但以下說明更高折射率的覆蓋組成物之製造方法。
高折射率用覆蓋組成物，包含上記的透光性黏著劑、透明導電性粒子，更包含由：SiO2(折射率：1.54)、TiO2(折射率：2.7)、ZrO2(折射率：2)以及鑽石(折射率：2.4)所形成的群中選出的至少一種透明粒子為佳。再者，透明導電性粒子的折射率，是含有：ITO、ATO、以及由Al、Co、Fe、In、Sn、以及Ti所形成的群中選出的至少一種金屬的氧化鋅均約為2，透光性黏著劑的折射率約為1.3～1.6。
透明導電性粒子，除了分散媒，相對於高折射率用覆蓋組成物：100質量部，若為10～90質量部則佳，若為20～70質量部更佳。若為10質量部以上，即可期待來自透明導電膜的返回光得以朝透明導電膜側返回的效果，若為90質量部以下，會維持透明導電膜本身的強度、以及透明導電膜組成物與透明導電膜或密封材料膜的接著力。
透明粒子，由折射率調整的觀點來看，除了分散媒，相對於透明導電膜用組成物：100質量部，若為10～50質量部為佳。
透光性黏著劑的含有比例，除了分散媒，相對於透明導電膜用組成物：100質量部，若為10～90質量部佳，若為30～80質量部更佳。若為10質量部以上，透明導電膜和接著力良好，若為90質量部以下，即成膜時難以產生膜不均。
《低折射率用覆蓋組成物》
低折射率用覆蓋組成物，包含上記的透光性黏著劑、透明導電性粒子，更包含由：倍半矽氧烷粒子(折射率：1.15～1.45)、以及氟化鎂粒子(折射率：1.18～1.38)所形成的群中選出的至少一種低折射透明粒子為佳。低折射透明粒子的平均粒徑，為1～50nm為佳。
低折射率用覆蓋組成物，相對於導電性氧化物粒子和低折射透明粒子的合計100質量部，導電性氧化物粒子含98～65質量部，理想是含95～70質量部。因為若超過上限值密著性會下降，不滿下限值導電性會下降。
導電性氧化物粒子和低折射透明粒子的合計100質量部，低折射透明粒子含2～35質量部，理想是含5～30質量部。因為在下限值以下，硬化後的透明導電膜之折射率不夠低，在上限值以上，導電性會下降。
透光性黏著劑的含有比例，除了分散媒，相對於低折射率用覆蓋組成物：100質量部，若為5～50質量部佳，若為10～30質量部更佳。
[密著層用組成物]
導電性反射膜用組成物，在基材上進行濕式塗佈，予以燒成而形成導電性反射膜之前，對基材形成密著層，就能形成與基材之密著性優，且電性接合性優的導電性反射膜。密著層處理，是藉由將如下的密著層用組成物塗佈在基材上所形成。密着層用組成物，含有由：金屬氧化物、樹脂類、金屬醇化物、鹼金屬皂、以及耦合劑所形成的群中選出的至少一種為佳。金屬氧化物，列舉有：Ag2O、CuO、PdO、ZnO、NiO、MoO2、Cr2O3、MnO2、Al2O3、ZrO、TiO2、In2O3、SiO2等。樹脂類，列舉有：丙烯酸、乙酸乙烯酯、環氧、聚酯、聚氨酯、纖維素、聚乙烯吡咯啶酮、該些的改性樹脂、以該些為構造單位而含有的共聚物等。又，金屬醇化物列舉有：四乙基矽氧烷、四丁氧基鈦、異丙基鈦、丁醇鋯等。鹼金屬皂，列舉有：硬脂酸鈣、硬脂酸鎂、硬脂酸鋅、辛酸亞錫等。耦合劑，列舉有：甲基胇丙基二甲氧基矽烷、鈦酸二異丙酯等。
[發光元件]
本發明之發光元件，是將發光層、反射來自發光層之發光的導電性反射膜、和基材，以此順序裝備的發光元件，導電性反射膜，是以包含金屬奈米粒子燒結體為特徵。
於第1圖表示發光元件之一例的剖面圖。發光元件1，是在基材(基板)20上，依序裝配導電性反射膜10、發光層30。通常發光層30是利用打線接合部40配線之後，利用密封材50密封。又，為了效率良好的利用從發光層發射的光，利用反射框60覆蓋發光層30的周圍。
於第2圖表示發光元件之最佳一例的剖面圖。發光元件2，是在基材21上，依序裝配導電性反射膜11、透明導電膜71、發光層31。發光層31，是與第1圖所示之例相同，利用打線接合部41配線之後，利用密封材51密封。又，利用反射框61覆蓋發光層31的周圍。如此一來，在導電性反射膜11和發光層31之間，若具備透明導電膜71，就能提高發光元件2的耐熱性和耐蝕性，很理想。再者，透明導電膜，若含有透光性黏著劑就能利用濕式塗佈法製造，故更理想，但真空成膜法等製造也能提昇發光元件2的耐熱性和耐蝕性。於第2圖表示發光元件之一例的剖面圖。
於第3圖表示發光元件之更佳一例的剖面圖。發光元件3，是在基材22上，依序裝配導電性反射膜12、透明導電膜72、發光層32。發光層32，是利用打線接合部42配線之後，利用密封材52密封。又，利用反射框62覆蓋發光層32的周圍。裝配在導電性反射膜12和發光層31之間的透明導電膜72是由兩層形成，在導電性反射膜12側裝配高折射率透明導電膜721，在發光層側裝配低折射率透明導電膜722。透明導電膜72為兩層構造的複合膜，藉此可增加利用導電性反射膜12的反射光。再者，將透明導電膜72，從導電性反射膜12側，依高折射率透明導電膜、低折射率透明導電膜、高折射率透明導電膜、低折射率透明導電膜、‧‧‧之順序予以多層化，藉此就能進一步增加利用導電性反射膜12的反射光。亦即，將由高折射率透明導電膜和低折射率透明導電膜之兩層所形成的複合膜予以複數積層，形成透明導電膜71亦可。此情形下，透明導電膜71是具有高折射率透明導電膜和低折射率透明導電膜的交互積層構造，最靠近發光層之層是低折射率透明導電膜，最靠近導電性反射膜之層是高折射率透明導電膜。
於第4圖表示發光元件之最佳一例的剖面圖。第4圖所示的發光元件4，是在導電性反射膜13和基材23之間，裝配密著層83。發光元件4，是在基材23上，依序裝配密著層83、導電性反射膜13、透明導電膜73、發光層33。發光層33，是利用打線接合部43配線之後，利用密封材53密封。又，利用反射框63覆蓋發光層33的周圍。密著層83，可提昇導電性反射膜13和基材23之間的密著性，達到發光元件的高可靠性化。再者，第4圖所示之例，是具備透明導電膜73之例，但未形成透明導電膜73的情形下，若具備密著層83，也很理想。
以下，按導電性反射膜、透明導電膜、密著層的順序說明。
[導電性反射膜]
導電性反射膜，是含金屬奈米粒子，而導電性反射膜，從密著性、反射性的觀點來看，理想是含有添加物。金屬奈米粒子、添加物，是如上述。
導電性反射膜的厚度，由反射性、導電性的觀點來看很理想，若為0.05～1.0μm佳，若為0.1～0.5μm更佳。
存在於導電性反射膜的基材側之面的氣孔，平均直徑為100nm以下，平均深度為100nm以下，若數密度為30個/μm2，在波長：380～780nm的範圍，理論上可達到反射率之80%以上高的擴散反射率。一般反射振幅，是表示在長波長側反射率高，在短波長側低的項目。若氣孔的平均直徑超過100nm，反射率最先下降的曲折點，會往更長波長側移行，得不到良好的反射率，因此若平均直徑為100nm以下很理想。又，若氣孔的平均深度超過100nm，反射振幅的斜率(傾斜)變大，得不到良好的反射率，因此若氣孔的平均深度為100nm以下很理想。若氣孔的數密度超過30個/μm2，長波長側的反射率會下降，得不到良好的反射率，因此若氣孔的數密度為30個/μm2以下很理想。
又，在導電性反射膜具有空孔的情形下，在導電性反射膜的空孔或/或導電性反射膜和基材的界面，若存在透光性黏著劑，導電性反射膜的耐熱性、耐蝕性更為提昇，導電性反射膜和基材的密著性會提昇，因此很理想。再者，導電性反射膜的空孔及/或導電性反射膜和基材的界面之透光性黏著劑，是在具有空孔的導電性反射膜上，將覆蓋組成物施行濕式塗佈，予以燒成，藉此形成。
於第5圖表示形成有導電性反射膜等的基材之斷面的掃描電子顯微鏡照片。在第5圖中，先在基板120上形成有導電性反射膜110，觀察導電性反射膜之空孔的透光性黏著劑111、導電性反射膜和基材之界面的透光性黏著劑112。又，在導電性反射膜110上，形成有透明導電膜170。
[透明導電膜]
透明導電膜，若形成在發光層和導電性反射膜之間，就能抑制因導電性反射膜之熱和光的劣化，很理想。透明導電膜中的透光性黏著劑，如上所述，理想是含有透明導電性粒子、耦合劑等。
透明導電膜，在不損及本發明之目的的範圍，進而配合需要，可配合填充劑、應力釋放劑(Stress Releas)、其他之添加劑等。
透明導電膜的厚度，若為0.01～0.5μm，由密著性的觀點來看很理想，若為0.02～0.1μm更佳。因為透明導電膜的厚度若不滿0.01μm，或超過0.5μm，密著效果不夠充分。
又，透明導電膜是由兩層形成，導電性反射膜側的透明導電膜(高折射率透明導電膜)的折射率，若比發光層側的透明導電膜(低折射率透明導電膜)的折射率高，使導電性反射膜之反射光增加的情形，如上所述。
[密著層]
密著層，是提昇導電性反射膜和基材之間的密著性。密著層的厚度，若為0.01～0.5μm佳。乃因密著層的厚度若為0.01μm以上，密著力十足，若為0.5μm以下，隨時間的變化少。
[發光元件之製造方法]
本發明之發光元件之製造方法，是在基材上，將包含金屬奈米粒子和添加物的導電性反射膜用組成物，利用濕式塗佈法予以塗佈後，加以燒成或硬化，藉此形成導電性反射膜，在導電性反射膜上搭載發光層為特徵。
首先，在基材上，將含有金屬奈米粒子和添加劑的導電性反射膜用組成物，利用濕式塗佈法予以塗佈。在此例的塗佈，是形成燒成後的厚度，理想為0.05～1.0μm，更佳為0.1～0.5μm。接著，該塗膜，以溫度120～350℃，理想150～250℃，進行5～60分鐘，理想15～40分鐘乾燥。依此形成導電性反射膜。
基材只要是能搭載發光層，就未特別限定，但例如列舉有：矽、陶瓷、高分子材料、銅(Cu)、鋁(Al)等。
導電性反射膜用組成物，是將所要的成份，利用常法，利用塗料搖擺器、球磨機、砂磨機、中心研磨機(Centrimill)、三支滾筒等加以混合，透光性黏著劑，依情形分散透明導電性粒子等，予以製作。當然也可利用一般的攪拌操作而製造。再者，除了金屬奈米粒子，混合成份之後，與含有另外事先分散的金屬奈米粒子的分散媒加以混合，由易於得到均質的導電性反射膜用組成物的觀點來看很理想。
濕式塗佈法，是噴塗法、分配塗佈法、旋轉塗佈法、刮刀塗布、狹縫塗佈法、噴墨塗佈法、網版印刷法、膠版印刷法，或壓鑄模塗佈法之任一種方法為佳，但並不限於此，可利用所有的方法。
噴塗法，是將導電性反射膜用組成物利用壓縮空氣形成霧狀，塗佈在基材，或將分散體本身加壓形成霧狀塗佈在基材的方法，分配塗佈法，是例如：將導電性反射膜用組成物加入注射器，按押該注射器的活塞，從注射器前端的微細嘴部吐出分散體，塗佈在基材的方法。噴塗法，是將導電性反射膜用組成物滴下到旋轉的基材上，將該滴下的導電性反射膜用組成物，利用該離心力擴大到基材周緣的方法，刮刀塗佈法，是將與刮刀的前端隔著既定的間隙的基材，設置成可朝水平方向移動，自該刮刀對著上流側的基材上供給導電性反射膜用組成物，使基材向著下流側而水平移動的方法。狹縫塗佈法，是將導電性反射膜用組成物自狹小的縫隙流出而塗佈在基材上的方法，噴墨塗佈法，是在市售的噴墨印表機的墨匣填充導電性反射膜用組成物，噴墨印刷在基材上的方法。網版印刷法，是使用以紗作為圖案指示材，通過在其上所製成的版畫像，使導電性反射膜用組成物轉移到基材的方法。膠版印刷法，是不讓附著在版的導電性反射膜用組成物，直接附著在基材，由版再次轉印到膠片，由膠片改而移轉到基材，利用導電性反射膜用組成物之撥水性的印刷方法。壓鑄模塗佈法，是該供給到模內的導電性反射膜用組成物，利用歧管分配，自狹縫押出到薄膜上，塗佈移行的基材表面之方法。壓鑄模塗佈法，具有：狹縫式塗佈方式或斜板式塗佈方式、簾幕式塗佈方式。
最後，將具有導電性反射塗膜的基材，在大氣中或氮和氬等之惰性氣體環境中，理想是以130～250℃，更理想是以180～220℃的溫度，保持5～60分鐘，理想是15～40分鐘加以燒成。再者，在黏著劑以加水分解等產生反應的情形下，能夠使其以更低溫硬化。
具有塗膜之基材的燒成溫度為130～250℃之範圍佳的原因，是在不滿130℃中，導電性反射膜會產生硬化不足的不當。而且，若超過250℃，並不會產生低溫製程之生產上的優點，亦即，製造成本增大，產生性下降。而且，發光層為LED元件的情形下，因為熱比較弱，發光效率會因燒成製程而下降。
具有塗膜之基材的燒成時間以5～60分鐘之範圍佳的原因，是在燒成時間不滿下限值，在導電性反射膜會產生黏著性燒成不足的不當。若燒成時間超過上限值，製造成本會增大至必要以上，生產生下降，而且會產生發光層之發光效率下降的不當。
在已形成的導電性反射膜上，搭載發光層的方法，並未特別限定，在發光層為LED的情形下，公知的晶粒接著等之方法亦可。
根據以上，本發明的製造方法，是使用濕式塗佈法，藉此儘可能排除真空蒸鍍法和濺鍍法等的真空製程，就能更便宜的製造導電性反射膜，且能簡便且低成本的製造本發明之耐熱性和耐蝕性高的發光元件。
又，形成導電性反射膜後，在搭載發光層之前，若進一步在導電性反射膜上，將含有透光性黏著劑的透明導電膜用組成物，利用濕式塗佈法予以塗佈後，加以燒成或硬化，藉此形成透明導電膜，就能更加提高發光元件的耐熱性和耐蝕性，很理想。在此，在將透明導電膜，以高折射率透明導電膜、低折射率透明導電膜之兩層以上構成的情形下，在導電性反射膜上，只要依高折射率透明導電膜組成物、低折射率透明導電膜組成物的順序塗佈即可。
有關透明導電膜用組成物的製作方法、濕式塗佈法、燒成或硬化方法，是與導電性反射膜用組成物的情形大致相同，但在透明導電膜用組成物的情形下，燒成後的厚度，理想是形成0.01～0.5μm，更理想是0.02～0.08μm。
又，形成密著層的情形，是在濕式塗佈導電性反射膜組成物之前，在基材上塗佈密著層組成物。有關密著層用組成物的製作方法、濕式塗佈法、燒成或硬化方法，是與導電性反射膜用組成物的情形大致相同，但在密著層用組成物的情形下，燒成後的厚度，理想是形成0.01～0.5μm。
根據以上，理想的製造方法，是使用濕式塗佈法，藉此就能更便宜的製造透明導電膜，且能簡便且低成本的製造耐熱性和耐蝕性更高的發光元件。
[實施例]
以下，根據實施例，詳細說明本發明，但本發明並不限於該些。
[實施例1]
首先，製作導電性反射膜用組成物。以下表示製作順序。
《導電性反射膜用組成物之製作》
將硝酸銀溶解於去離子水，調製金屬鹽水溶液。又，將檸檬酸鈉溶解於去離子水，調製濃度為26質量%的檸檬酸鈉水溶液。在該檸檬酸鈉水溶液，在保持35℃的氮氣氣流中，直接加入粒狀的硫酸亞鐵使其溶解，來調製檸檬酸離子和亞鐵離子為3：2之莫耳比而含有的還原劑水溶液。
接著，上記氮氣氣流一面保持在35℃、一面在還原劑水溶液中放入磁攪拌器的攪拌棒，攪拌棒的旋轉速度：100rpm進行攪拌，在該還原劑水溶液，滴下上記金屬鹽水溶液，加以混合。此例，對還原劑水溶液的金屬鹽水溶液的添加量，是以還原劑水溶液之量的1/10以下，來調整各溶液的濃度，滴下室溫的金屬鹽水溶液，反應溫度仍然保持40℃。又，還原劑水溶液和金屬鹽水溶液的混合比，是相對於金屬鹽水溶液中的金屬離子之總原子價數，還原劑水溶液的檸檬酸離子和亞鐵離子的莫耳比，均為3倍莫耳。結束對還原劑水溶液滴下金屬鹽水溶液之後，進而持續15分鐘混合液的攪拌，藉此使混合液內部產生銀奈米粒子，得到銀奈米粒子已分散的銀奈米粒子分散液。銀奈米粒子分散液的pH為5.5，分散液中的銀奈米粒子之化學計量的生成量為5g/L。
將所得的銀奈米粒子分散液，以室溫放置，藉此使分散液中的銀奈米粒子沈降，已沈降的銀奈米粒子的凝集物，利用傾析法分離。在已分離的銀奈米粒子凝集物，加入去離子水成為分散體，利用超過濾進行脫鹽處理之後，進而利用甲醇進行更換清洗，金屬(銀)的含有量為50質量%。然後，利用離心分離機，調整該離心分離機的離心力，來分離粒徑超過100nm之比較大的銀粒子，藉此調整成以一次粒徑10～50nm之範圍內的銀奈米粒子為數量平均而含有71%。亦即，調整成相對於數量平均的所有銀奈米粒子100%的一次粒徑10～50nm之範圍內的銀奈米粒子之所佔的比例為71%，得到銀奈米粒子分散液。所得到的銀奈米粒子，是檸檬酸鈉的保護劑已被化學修飾。
接著，將所得到的金屬奈米粒子：10質量部，添加混合含有水、乙醇及甲醇的混合溶液90質量部藉此使其分散，製作導電性反射膜組成物。再者，構成導電性反射膜用組成物的金屬奈米粒子，是含有75質量%以上的金屬奈米粒子。
有關導電性反射膜用組成物，在玻璃基板，利用旋轉塗佈，成膜導電性反射塗膜，在氮環境氣中，以200℃燒成20分鐘，藉此得到厚度：200nm的導電性反射膜。此例，膜厚的測定是藉由利用日立High-Technologies製掃描型電子顯微鏡(SEM、裝置名稱：S-4300、SU-8000)的斷面觀察來測定。其它實施例、比較例，亦同樣地測定膜厚。
[實施例2]
與實施例1同樣地，製作銀奈米粒子分散液後，將所得到的金屬奈米粒子：10質量部，添加混合含有水、乙醇及甲醇的混合溶液90質量部藉此使其分散，在該分散液，將聚乙烯氫吡咯酮(PVP、分子量：360,000)、醋酸錫添加成金屬奈米粒子：96質量部、PVP：4質量部的比例，製作導電性反射膜組成物。再者，構成導電性反射膜用組成物的金屬奈米粒子，是含有75質量%以上的金屬奈米粒子。接著，與實施例1同樣的，得到厚度：100nm的導電性反射膜。
[實施例3]
首先，製作覆蓋用組成物。以下表示製作順序。
《覆蓋用組成物之製作》
首先，作為黏著劑用的SiO2結合劑，是使用500cm3之玻璃製的四頸燒瓶，加入140g的四乙基矽氧烷和140g的乙醇(ethyl alcohol)，邊攪拌、邊溶解於120g的純水，再度加入1.7g的60%硝酸，然後以50℃使用反應3小時，藉此製造。
以ITO粉末(平均粒徑：25nm)：100質量部、SiO2結合劑：30質量部、IPA：72.3質量部的方式，合計60g，加入到100cm3的玻璃瓶中，使用直徑：0.3mm的氧化鋯球(Micro-Hike、昭和Shell石油製)：100g，以塗料搖擺器分散6小時，藉此製作覆蓋用組成物。
除表3所示的組成以外，在與實施例2同樣所製作成之厚度：200nm的導電性反射膜上，將覆蓋用組成物利用旋轉塗佈，成膜透明導電塗膜，以160℃燒成30分鐘，藉此得到厚度：10nm的透明導電膜。
[實施例4]
以SiO2結合劑作為覆蓋用組成物使用，與實施例3同樣的，得到厚度：100nm的透明導電膜。
[實施例5～23]
除記載於表1、表2的組成、膜厚以外，將導電性反射膜與實施例2同樣的進行製作，透明導電膜則與實施例3同樣的進行製作。
[實施例24]
與上記銀奈米粒子同樣的，製作銀奈米粒子分散液。銀奈米粒子和銅粒子，是以質量比，混合為92：4，得到金屬奈米粒子分散液。
接著，將所得到的金屬奈米粒子：10質量部，添加混合含有水、乙醇及甲醇的混合溶液90質量部藉此使其分散，在該分散液，將聚乙烯氫吡咯酮(PVP、分子量：360,000)、醋酸錫添加成金屬奈米粒子：96質量部、PVP：3質量部、醋酸錫：1質量部的比例，製作導電性反射膜用組成物。再者，構成導電性反射膜用組物的金屬奈米粒子，是含有75質量%以上的金屬奈米粒子(銀奈米粒子+銅奈米粒子)。
有關實施例3的導電性反射膜用組成物，在玻璃基板，利用旋轉塗佈，成膜導電性反射塗膜，在氮環境氣中，以200℃燒成20分鐘，藉此得到厚度：100nm的導電性反射膜。
[實施例25～31]
除記載於表2的組成、膜厚以外，將導電性反射膜與實施例24同樣的進行製作，透明導電膜則與實施例3同樣的進行製作。在此，Cu的原料使用醋酸亞銅，Fe使用硫酸鐵，作為Au的原料使用氯金酸鹽，Mn的原料使用硫酸錳，Sn的原料使用氯化錫，In的原料使用硝酸銦。
[比較例1]
在玻璃基板，利用真空成膜法的濺鍍法，形成厚度：100nm的銀薄膜。
[比較例2]
在玻璃基板，利用濺鍍法，形成厚度：100nm的銀薄膜，進而利用濺鍍法，形成厚度：30nm的鈦薄膜。
[實施例32]
在實施例5的導電性反射膜上，利用濺鍍法，形成厚度：30nm的鈦薄膜。
[實施例33]
在玻璃基板上利用旋轉塗佈法來塗佈密著層組成物，在氮環境氣中，以120℃燒成30分鐘，形成厚度50nm的密著層。除記載於表2的組成、膜厚以外，與實施例4同樣的，在密著層上形成厚度100nm的導電性反射膜，在導電性反射膜上塗佈覆蓋組成物，形成厚度50nm的透明導電膜。在此，密著層用組成物，是使用矽烷耦合劑(甲基胇丙基二甲氧基矽烷)。
[實施例34]
密著層的膜厚為300nm，且未形成透明導電膜以外，與實施例33同樣的，形成反射膜。
[實施例35]
首先，在玻璃基板上，形成密著層，接著，在密著層上，利用旋轉塗佈法來塗佈含有銀奈米粒子的反射膜組成物，在氮環境氣中，以200℃燒成20分鐘，藉此得到反射膜。進而，將混合SiO2結合劑：60質量部和平均粒徑：10nm的倍半矽氧烷：40質量部的低折射率用覆蓋組成物利用旋轉塗佈法加以塗佈，在氮環境氣中，以160℃燒成20分鐘，藉此得到厚度：30nm、折射率1.20的低折射率透明導電膜。同樣的，將混合SiO2結合劑：70質量部和平均粒徑：20nm的TiO2：30質量部的高折射率用覆蓋組成物利用旋轉塗佈法加以塗佈，在氮環境氣中，以160℃燒成20分鐘，藉此得到厚度：30nm、折射率1.45的高折射率透明導電膜。在此，含有倍半矽氧烷的低折射率用覆蓋組成物(於表3記載倍半矽氧烷)，是以倍半矽氧烷球狀粒子：5g、SiO2結合劑：10g、乙醇(ethanol)：85g，加入到100cm3的玻璃瓶中，使用直徑：0.3mm的氧化鋯球(Micro-Hike、昭和Shell石油製)：100g，以塗料搖擺器分散6小時，藉此進行製作。
[實施例36]
除表3所示的組成、膜厚以外，與實施例35同樣的，形成反射膜、低折射率透明導電膜。
[反射率之測定]
實施例1～36、比較例1～2的反射率之評估，是藉由紫外線可見光分光光度計和積分球的組合，來測定波長450nm之導電性反射膜的擴散反射率。又，熱處理試驗為200℃、1000小時，耐蝕性試驗的硫化試驗為硫化氫：10ppm、溫度：25℃、相對濕度：75%RH、進行504小時，測定各個試驗後的反射率。於表1、表2、表3，標示該些的結果。
[密著性評估]
有關密著性評估，是以黏貼帶試驗(JIS K-5600)為基準的方法，針對反射率測定後的實施例2、33、34，使黏貼帶對膜密貼且剝離之際，藉由已成膜的膜為剝落或捲曲的狀態程度，以優、可、不可之三階段來評估。黏貼帶側未黏貼上膜形成物，僅黏貼帶剝落的情形為優，混雜著黏貼帶剝落和基材之光電轉換層2為露出之狀態的情形為可，因黏貼帶的剝離，基材的光電轉換層2表面之全面露出的情形為不可。實施例2為可，實施例33、34為優。
由表1即可明白，在實施例1、2中，初期、熱處理後的反射率高，硫化試驗後之反射率亦約為30%。對此，旋轉法所製作的比較例1，雖初期的反射率高，但熱處理後之劣化變大，硫化試驗後的反射率大為降低14%。又，實施例3～31，可了解到能夠製作出初期、熱處理後、硫化試驗後的反射率都非常高，耐熱性及耐蝕性非常高，對於因高輸出之發光層的溫度上昇，其劣化亦不多的發光元件。對此，以濺鍍法製作的比較例2，是硫化試驗後的反射率降低65%。在實施例5的膜上利用濺鍍法形成Ti薄膜的實施例32，是導電性反射膜為相同，且與實施例5比較，初期、熱處理後、硫化試驗後全為劣化的結果。又，形成密著層的實施例33、34，反射率也很高。形成低折射率透明導電膜和高折射率透明導電膜的實施例35、36，是在初期得到高的反射率，在熱處理後、硫化試驗後，反射率之下降也很小。
本發明之發光元件，是在基材和發光層之間，具備含有金屬奈米粒子的導電性反射膜，藉此高輸出的發光元件，也能夠提高耐熱性和耐蝕性，還可提供抑制因從發光層發出的熱和環境引起的導電性反射膜的劣化。該導電性反射膜，因能夠利用濕式塗佈法製作，故製程可簡單且低成本進行。又，在發光層和導電性反射膜之間，更具備：含有透光性黏著劑的透明導電膜，藉此更為提高耐熱性和耐光性，更能提高基材和發光層的密著性，非常有用。
[產業上的可利用性]
若使用本發明之組成物來形成發光元件的導電性反射膜，在發光元件之輸出高的情形下，也能抑制從發光層發出的熱和環境引起的導電性反射膜之劣化，還能增長發光元件的壽命。又，在本發明中，能以簡便的製程、低成本來製作耐熱性和耐蝕性高的發光元件。
1、2、3、4．．．發光元件
10、11、12、13、110．．．導電性反射膜
20、21、23、120．．．基材(基板)
30、31、32、33．．．發光層
40、41、42、43．．．打線接合部
50、51、52、53．．．密封材
60、61、62、63．．．反射框
71、72、73、170．．．透明導電膜
721．．．高折射率透明導電膜
722．．．低折射率透明導電膜
111、112．．．透光性黏著劑
第1圖是表示本發明之發光元件之一例的剖視圖。
第2圖是表示本發明之發光元件之最佳一例的剖視圖。
第3圖是表示本發明之發光元件之更佳一例的剖視圖。
第4圖是表示本發明之發光元件之最佳一例的剖視圖。
第5圖是表示形成有導電性反射膜等的基材之斷面的掃描電子顯微鏡照片。
2．．．發光元件
11．．．導電性反射膜
21．．．基材
31．．．發光層
41．．．打線接合部
51．．．密封材
61．．．反射框
71．．．透明導電膜

Claims (2)

  1. 一種發光元件之製造方法，其特徵為：在基材上，將包含金屬奈米粒子和添加物的導電性反射膜用組成物，利用濕式塗佈法予以塗佈後，在溫度150~350℃乾燥前述導電性反射膜用組成物，經由燒成或硬化乾燥之前述導電性反射膜用組成物，藉此形成導電性反射膜，在導電性反射膜上搭載發光層，於前述導電性反射膜與前述基材之間，形成密著層，前述密著層之厚度為0.01~0.5μm。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載的發光元件之製造方法，其中，形成前記導電性反射膜後，在搭載前記發光層之前，進一步在前記導電性反射膜上，將含有透光性黏著劑的覆蓋組成物，利用濕式塗佈法予以塗佈後，加以燒成或硬化，藉此形成透明導電膜。
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