CN103174934A - 惰性气体注入设备及惰性气体注入方法 - Google Patents

惰性气体注入设备及惰性气体注入方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103174934A
CN103174934A CN2012105609159A CN201210560915A CN103174934A CN 103174934 A CN103174934 A CN 103174934A CN 2012105609159 A CN2012105609159 A CN 2012105609159A CN 201210560915 A CN201210560915 A CN 201210560915A CN 103174934 A CN103174934 A CN 103174934A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
flow
inert gas
injection device
target flow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012105609159A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103174934B (zh
Inventor
高原正裕
上田俊人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daifuku Co Ltd
Original Assignee
Daifuku Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daifuku Co Ltd filed Critical Daifuku Co Ltd
Publication of CN103174934A publication Critical patent/CN103174934A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103174934B publication Critical patent/CN103174934B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67389Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H01L21/67393Closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrierl
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65BMACHINES, APPARATUS OR DEVICES FOR, OR METHODS OF, PACKAGING ARTICLES OR MATERIALS; UNPACKING
    • B65B31/00Packaging articles or materials under special atmospheric or gaseous conditions; Adding propellants to aerosol containers
    • B65B31/04Evacuating, pressurising or gasifying filled containers or wrappers by means of nozzles through which air or other gas, e.g. an inert gas, is withdrawn or supplied
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769Storage means

Abstract

本发明提供一种惰性气体注入设备。惰性气体注入设备具备:注入装置(N),设在支承收存基板(W)的容器(50)的支承部上,在从容器(50)的排气口(50o)使容器(50)内的气体向外部排出的状态下,从容器(50)的供气口(50i)将惰性气体向容器(50)的内部注入;控制装置(H),控制注入装置(N)的动作。注入装置(N)可变更惰性气体的供给流量而构成;控制装置(H)构成为,在向支承在支承部上的容器(50)供给惰性气体时,控制注入装置(N)的动作,以使供给流量朝向目标流量逐渐增加。

Description

惰性气体注入设备及惰性气体注入方法
技术领域
本发明涉及惰性气体注入设备、以及利用这样的惰性气体注入设备的惰性气体注入方法,所述惰性气体注入设备具备:注入装置,设在支承收存基板的容器的支承部上,以使上述容器内的气体从上述容器的排气口向外部排出的状态从上述容器的供气口将惰性气体向上述容器的内部注入;控制装置,控制上述注入装置的动作。
背景技术
为了抑制在基板(例如半导体晶片)上附着微粒、此外抑制因氧或湿度而基板从适当状态恶化,为了向收存基板的容器注入惰性气体而使用上述那样的惰性气体注入设备。
即,随着从收存基板的容器的供气口注入惰性气体,容器内的气体被从排气口向外部排出,容器内成为被注入的惰性气体充满的状态。因此,能够抑制在基板上附着微粒、以及因氧或湿度而基板从适当状态恶化。
在特开2006-86308号公报(专利文献1)中,公开了这样的惰性气体注入设备的一例,在该惰性气体注入设备中,向作为容器的箱以目标流量(10升/分钟)注入作为惰性气体的氮气。
顺便说一下,在专利文献1中,在供气口中装备有容许氮气以比大气压稍大的压力向容器内流入的阀,在排气口中装备有容许容器内的气体以比大气压稍大的压力流出的阀。
并且,记载有在将氮气向容器内注入5分钟后、在将注入停止的状态下保管的技术。
即,在专利文献1中,记载有在与保管箱的箱搁板不同的部位设置为了注入氮气而支承箱的加气站、将由加气站注入氮气后的箱保管到箱搁板上的技术。
在特开平11-168135号公报(专利文献2)中,公开了惰性气体注入设备的另一例。在该惰性气体注入设备中,以向作为容器的箱将作为惰性气体的氮气供给设定供给时间的期间、然后在设定停止时间的期间中将氮气的供给停止、如果经过设定停止时间则再次将氮气供给设定供给时间的期间的形态,将氮气向箱间歇地供给(例如,参照专利文献2(段落[0101]~[0118]))。
顺便说一下,在专利文献2中,记载有向支承在保管装置的搁板上的箱注入氮气的技术。
并且,虽然没有关于将氮气向箱供给时的目标流量的说明,但记载有,当将氮气向箱供给时,如果将气体供给阀打开,则供给作为目标流量的一定流量的氮气。
另外,在专利文献2中,还记载有也可以代替将氮气间歇地供给而使将氮气向箱供给的状态持续。
在专利文献1及专利文献2的惰性气体注入设备中,在向容器注入惰性气体时,将目标流量的惰性气体一下子注入。即,向容器的惰性气体的供给量瞬间或分步地增加到目标流量。因此,在注入的开始时,有可能因为容器内的基板振动、存在于基板的背面上的溶剂掉落、掉落的溶剂附着到位于下方的别的基板的表面上,基板从适当状态恶化。此外,在注入的开始时,还有可能堆积在容器的底部的微粒浮起而附着到基板上。
另外,作为溶剂,例如有抗蚀处理的显影液等。
顺便说一下,容器内的基板的振动及微粒的浮起可以考虑主要是因为发生了容器内的气体的压力急剧较大增加后急剧下降的现象而产生的。
即,如果向容器注入目标流量的惰性气体,则容器内的气体从静止状态变化为流动状态。此时,由于容器内的气体不能从静止状态急剧地变化为流动状态,所以如果将目标流量的惰性气体一下子注入,则发生容器内的气体的压力急剧地较大增加后急剧地下降的现象。并且,当容器内的气体的压力急剧地较大增加后下降时,在容器内的气体的流动中暂时性地发生急速的流动或紊流。
并且,如果发生容器内的气体的压力急剧地较大增加后下降的现象,则有可能在容器中发生振动、基板发生振动。此外,如果在容器内的气体的流动中暂时性地发生急速的流动或紊流,则因容器内的气体的流动而有可能基板振动或有可能堆积在容器的底部的微粒浮起。
顺便说一下,如果为了在惰性气体的注入开始后以短时间使容器内成为被惰性气体充满的状态而将目标流量设定为充分大的流量,则基板的振动发生及微粒的浮上的发生变得显著。
发明内容
鉴于上述背景,本发明期望实现一种当向容器注入惰性气体时能够避免基板从适当状态恶化及微粒附着到基板上的惰性气体注入设备。
本发明的惰性气体注入设备,具备:注入装置,设在支承收存基板的容器的支承部上,以从上述容器的排气口使上述容器内的气体向外部排出的状态,从上述容器的供气口将惰性气体向上述容器的内部注入;控制装置,控制上述注入装置的动作;这里,上述注入装置可变更上述惰性气体的供给流量而构成;上述控制装置构成为,在向支承在上述支承部上的上述容器供给上述惰性气体时,控制上述注入装置的动作,以使上述供给流量朝向目标流量逐渐增加。
根据上述结构,在向支承在支承部上的容器供给惰性气体时,将由注入装置向容器供给的惰性气体的供给流量朝向目标流量逐渐增加,所以在向容器供给惰性气体时,能够抑制容器内的气体的压力急剧地较大地变化。
即,如果将由注入装置向容器供给的惰性气体的供给流量逐渐增加,则容器内的气体平顺地变化为与注入的惰性气体的供给流量对应的流动状态,所以能够抑制容器内的气体的压力急剧地较大地变化。
这样,在向容器注入惰性气体时,能够在抑制容器内的气体的压力急剧地较大地变化的同时、使容器内的气体的流动状态平顺地变化为与注入的惰性气体的供给流量对应的流动状态。因此,能够抑制容器振动而基板振动,并且能够抑制因容器内的气体的急速的流动或紊流而发生基板的振动或微粒的浮起。结果,能够避免基板从适当状态恶化、或堆积在容器的底部的微粒浮起而附着到基板上。
本发明的惰性气体注入设备的技术特征也能够在惰性气体注入方法中应用,本发明能够将这样的方法也作为权利要求的对象。在该惰性气体注入方法中,也能够得到有关上述惰性气体注入设备的作用效果。
即,本发明的惰性气体注入方法,是利用惰性气体注入设备的方法,所述惰性气体注入设备具备:注入装置,设在支承收存基板的容器的支承部上,以从上述容器的排气口使上述容器内的气体向外部排出的状态,从上述容器的供气口将惰性气体向上述容器的内部注入;控制装置,控制上述注入装置的动作;上述注入装置可匹配于从上述控制装置指令的流量指令来变更上述惰性气体的供给流量而构成;上述惰性气体注入方法包括由上述控制装置执行的以下的工序:在向支承在上述支承部上的上述容器供给上述惰性气体时、对上述注入装置指令朝向目标流量逐渐增加的流量指令的流量渐增工序。
以下,对本发明的优选的实施方式的例子进行说明。
在本发明的惰性气体注入设备的实施方式中,优选的是,上述控制装置构成为,在上述容器被支承在上述支承部上后将上述惰性气体最初供给时,使上述供给流量从零朝向上述目标流量逐渐增加。
根据上述结构,在为了在容器刚被支承在支承部上之后在短时间中使容器内成为被惰性气体充满的状态而将目标流量设定为充分大的流量的情况下,也能够避免基板从适当状态恶化、或堆积在容器的底部的微粒浮起而附着到基板上。
在本发明的惰性气体注入设备的实施方式中,优选的是,上述支承部是保管上述容器的保管搁板的收存部;作为上述目标流量,设定初始目标流量和比该初始目标流量少的稳态目标流量;上述控制装置构成为,当向支承在上述支承部上的上述容器供给上述惰性气体时,控制上述注入装置的动作,以在将上述供给流量调整为上述初始目标流量后将上述供给流量调整为上述稳态目标流量,并且在将上述供给流量向上述初始目标流量调整时,控制上述注入装置的动作,以使上述供给流量朝向上述初始目标流量逐渐增加。
根据上述结构,在向保管的容器供给惰性气体时,将供给流量调整为初始目标流量,然后,将供给流量调整为比初始目标流量少的稳态目标流量。因此,在将初始目标流量设定为较大的流量、以使得在惰性气体的注入开始后在短时间中容器内成为被惰性气体充满的状态的情况下,也通过将稳态目标流量设定为较小的流量、维持为容器内被该稳态目标流量的惰性气体充满的状态,能够抑制惰性气体的消耗量。
并且,在将供给流量向初始目标流量调整时,将供给流量朝向初始目标流量逐渐增加。因此,在向容器注入惰性气体时,能够在抑制容器内的气体的压力急剧地较大地变化的同时,使容器内的气体的流动状态平顺地变化为与注入的惰性气体的供给流量对应的流动状态。结果,能够避免基板从适当状态恶化或微粒附着到基板上。
在本发明的惰性气体注入设备的实施方式中,优选的是,上述控制装置构成为,在将上述供给流量从上述初始目标流量向上述稳态目标流量变更时,控制上述注入装置的动作,以使上述供给流量以比使上述供给流量朝向上述初始目标流量逐渐增加的情况下的上述供给流量的变化率高的变化率减少。
在将供给流量从初始目标流量向稳态目标流量变更时,即使使供给流量急剧地减少,在容器上发生振动而基板发生振动的可能性也较小。此外,在容器内的气体的流动中暂时发生急速的流动,通过容器内的气体的流动而基板振动的可能性、或堆积在容器的底部的微粒浮起的可能性也较小。鉴于这些方面,根据上述结构,在将供给流量从初始目标流量向稳态目标流量变更时,使供给流量以比使供给流量朝向初始目标流量逐渐增加的情况下的供给流量的变化率高的变化率减少。
由此,与在将供给流量从初始目标流量向稳态目标流量变更时使供给流量朝向稳态目标流量逐渐减少的情况相比,能够抑制惰性气体的消耗量,结果能够实现运行成本的降低。
在本发明的惰性气体注入设备的实施方式中,优选的是,上述控制装置构成为,在将上述供给流量从上述初始目标流量变更为上述稳态目标流量后,控制上述注入装置的动作,以重复如果经过设定供给时间则将上述惰性气体的供给停止设定休止时间的期间的动作,并且在上述设定休止时间的经过后将上述供给流量向上述稳态目标流量调整时,控制上述注入装置的动作,以使上述供给流量朝向上述稳态目标流量逐渐增加。
如果在将惰性气体以稳态目标流量持续设定供给时间供给到容器中的状态下停止惰性气体的供给,则虽然容器内的惰性气体从存在于容器上的间隙逐渐泄漏,但在某种程度的时间中维持惰性气体充满在容器中的状态,能够抑制基板从适当状态恶化。
鉴于这一点,根据上述结构,在将供给流量从初始目标流量变更为稳态目标流量后,以反复进行如果经过设定供给时间则将惰性气体的供给停止设定休止时间的期间的动作的形态,将惰性气体向容器供给。由此,能够进一步抑制惰性气体的消耗量。
并且,在设定休止时间后将供给流量向稳态目标流量调整时,将供给流量朝向稳态目标流量逐渐增加。因此,在向容器注入惰性气体时,能够在抑制容器内的气体的压力急剧地较大变化的同时、使容器内的气体的流动状态平顺地变化为与注入的惰性气体的供给流量对应的流动状态。结果,能够避免基板从适当状态恶化或微粒附着到基板上。
在本发明的惰性气体注入设备的实施方式中,优选的是,上述控制装置构成为,在使上述供给流量逐渐增加时,控制上述注入装置的动作,以使得每经过设定等待时间则使上述供给流量增加设定量。
根据上述结构,能够以简单的控制结构使供给流量逐渐增加。
即,在使供给流量逐渐增加时,可以考虑以随着时间经过使供给流量连续地增加的形态使供给流量逐渐增加。在此情况下,例如为了使注入装置动作,需要具备生成用来随着时间经过使供给流量连续地增加的指令值的函数产生器等,有控制装置的结构变复杂的可能性。
相对于此,在使供给流量逐渐增加时,以每经过设定等待时间使供给流量增加设定量的形态使供给流量逐渐增加,能够通过由微型计算机构成的控制装置的程序来对应,所以能够以简单的控制结构使供给流量逐渐增加。
在本发明的惰性气体注入设备的实施方式中,优选的是,设有将上述设定量变更设定的人为操作式的设定装置。
根据上述结构,例如对应于容器及基板,能够在避免基板从适当状态恶化及微粒附着到基板上的同时、将设定量尽量设定为较大的量等,将设定量设定为任意的量,所以能够更好地进行供给流量的渐增。
在本发明的惰性气体注入方法的实施方式中,优选的是,在上述流量渐增工序中,在上述容器被支承在上述支承部上后将上述惰性气体最初供给时,对上述注入装置指令从零朝向上述目标流量逐渐增加的流量指令。
在本发明的惰性气体注入方法的实施方式中,优选的是,上述支承部是保管上述容器的保管搁板的收存部;作为由上述控制装置执行的工序,还包括在向支承在上述支承部上的上述容器供给上述惰性气体时、在将上述供给流量调整为初始目标流量后将上述供给流量向比上述初始目标流量少的稳态目标流量调整的流量调整工序;在上述流量调整工序中,在将上述供给流量向上述初始目标流量调整时,将上述初始目标流量作为上述目标流量执行上述流量渐增工序。
在本发明的惰性气体注入方法的实施方式中,优选的是,在上述流量调整工序中,在将上述供给流量从上述初始目标流量向上述稳态目标流量变更时,对上述注入装置指令以比将上述供给流量向上述初始目标流量调整时的上述流量渐增工序中的流量指令的变化率高的变化率朝向上述稳态目标流量减少的流量指令。
在本发明的惰性气体注入方法的实施方式中,优选的是,在上述流量调整工序中,在将上述供给流量从上述初始目标流量变更为上述稳态目标流量后,执行反复进行如果经过设定供给时间则将上述惰性气体的供给停止设定休止时间的期间的动作的间歇供给工序;在上述间歇供给工序中,在上述设定休止时间的经过后将上述供给流量向上述稳态目标流量调整时,将上述稳态目标流量作为上述目标流量执行上述流量渐增工序。
在本发明的惰性气体注入方法的实施方式中,优选的是,在上述流量渐增工序中,对上述注入装置指令每经过设定等待时间则增加设定量的流量指令。
在本发明的惰性气体注入方法的实施方式中,优选的是,上述惰性气体注入设备具备将上述设定量变更设定的人为操作式的设定装置。
附图说明
图1是物品保管设备的纵剖主视图。
图2是该设备的切开侧视图。
图3是收存部的立体图。
图4是表示氮气的注入状态的说明图。
图5是表示氮气的清洗模式的说明图。
图6表示氮气的供给流量的控制形态的说明图。
图7是表示该形态的详细情况的说明图。
具体实施方式
基于附图说明将本发明应用到物品保管设备中的情况下的实施方式。
(整体结构)
物品保管设备如图1及图2所示,具备保管将基板以密闭状态收容的输送容器50(以下,简称作容器50)的保管搁板10、作为输送装置的堆装起重机20、以及作为容器50的入出库部的入出库输送机CV。
保管搁板10及堆装起重机20配设在外周部被壁体K覆盖的设置空间内,入出库输送机CV以将壁体K贯通的状态配设。
保管搁板10以在上下方向及左右方向上排列的状态具备多个作为支承容器50的支承部的收存部10S,构成为,在多个收存部10S中分别收存容器50,其详细情况后述。
并且,在本实施方式中,如图1所示,装备有沿着铺设在设置有物品保管设备的清洁室的顶棚部上的导轨G行进的吊车式的输送车D,构成为,通过该吊车式的输送车D将容器50相对于入出库输送机CV运入及运出。
(容器50的结构)
容器50是依据SEMI(Semiconductor Equipment and Materials Institute)规格的合成树脂制的气密容器,为了收存作为基板的半导体晶片W(参照图4)而使用,称作FOUP(Front Opening Unified Pod)。并且,虽然详细的说明省略,但在容器50的前面上,形成有由拆装自如的盖体开闭的基板出入用的开口,在容器50的上表面上,形成有由吊车式的输送车D把持的顶部凸缘52(参照图4)。在容器50的底面上,形成有定位销10b(参照图3)卡合的3个卡合槽(未图示)。
即,容器50如图4所示,具备:壳体51,在内部在上下方向上具备多个自由载置半导体晶片W的基板支承体53;未图示的盖体。容器50构成为,在壳体51上安装着盖体的状态下,内部空间被密闭为气密状态,并且构成为,在收存在收存部10S中的状态下通过定位销10b定位。
此外,如图4所示,在容器50的底部,如后述那样,为了注入作为惰性气体的氮气,设有供气口50i及排气口50o。虽然图示省略,但在供气口50i中设有注入侧开闭阀,在排气口50o中设有排出侧开闭阀。
注入侧开闭阀被弹簧等施力部件向闭方向施力,构成为,如果对供气口50i供给的氮气的吐出压力成为比大气压高设定值的设定开阀压力以上,则被该压力打开操作。
此外,排出侧开闭阀被弹簧等施力部件向闭方向施力,构成为,如果容器50内部的压力成为比大气压高设定值的设定开阀压力以上,则被该压力打开操作。
(堆装起重机20的结构)
堆装起重机20如图1所示,具备能够沿着设置在保管搁板10的前面侧的地板部上的行进轨道E行进移动的行进台车21、立设在该行进台车21上的桅杆22、和能够在被该桅杆22导引的状态下升降移动的升降台24。
另外,虽然没有图示,但构成为,设在桅杆22的上端上的上部框23卡合到上部导轨上而移动,所述上部导轨设在被壁体K覆盖外周部的设置空间的顶棚侧。
在升降台24上,装备有相对于收存部10S移载容器50的移载装置25。
移载装置25可向突出到收存部10S的内部的突出位置和退开到升降台24侧的退开位置进退地具备载置支承容器50的板状的载置支承体25A。具备移载装置25的堆装起重机20构成为,通过载置支承体25A的进退动作及升降台24的升降动作,进行将载置在载置支承体25A上的容器50向收存部10S卸下的卸下处理、以及将收存在收存部10S中的容器50取出的抄取处理。
另外,具备移载装置25的堆装起重机20相对于入出库输送机CV也进行卸下处理及抄取处理,进行相对于出库输送机CV的移载作业。
在堆装起重机20中,虽然没有图示,但装备有检测行进路径上的行进位置的行进位置检测装置及检测升降台24的升降位置的升降位置检测装置。构成为,控制堆装起重机20的运转的起重机控制器(未图示)基于行进位置检测装置及升降位置检测装置的检测信息控制起重机20的运转。
即,构成为,起重机控制器控制行进台车21的行进动作及升降台24的升降动作、以及移载装置25的载置支承体25A的进退动作,以进行将运入到入出库输送机CV中的容器50向收存部10S收存的入库作业、以及将收存在收存部10s中的容器50向入出库输送机CV取出的出库作业。
(收存部10S的结构)
如图3及图4所示,多个收存部10S分别具备载置支承容器50的板状的载置支承部10a(参照图1)。
该载置支承部10a的俯视形状形成为U字状,以形成移载装置25的载置支承体25A上下通过的空间,在其上表面上,以向上方突出的状态装备有上述定位销10b。
此外,在载置支承部10a上,设有检测是否载置有容器50(即,容器50是否收存在收存部10S中)的一对的存货传感器10z,构成为,将这些检测信息向管理后述的质量流量控制器40的运转的控制装置H(参照图4)输入。
在载置支承部10a上,设有将作为惰性气体的氮气向容器50的内部供给的吐出嘴10i、和使从容器50的内部排出的气体流通的排出用通气体10o。此外,在各收存部10S上,装备有控制氮气的供给的质量流量控制器40(参照图2)。
并且,在吐出嘴10i上,连接着使来自质量流量控制器40的氮气流动的供给配管Li,在排出用通气体10o上,连接着端部开口的排出管Lo。
构成为,如果将容器50载置支承在载置支承部10a上,则吐出嘴10i被以嵌合状态连接在容器50的供气口50i上、并且排出用通气体10o被以嵌合状态连接在容器50的排气口50o上。
并且构成为,在容器50载置支承在载置支承部10a上的状态下,通过从吐出嘴10i使比大气压高设定值以上的压力的氮气吐出,能够以从容器50的排气口50o将容器内的气体向外部排出的状态,从容器50的供气口50i将氮气注入到容器50的内部。
另外,如图3所示,在供给配管Li中装备有手动操作式的开闭阀Vi,构成为,在质量流量控制器40故障的紧急时等,能够切换为将氮气的供给停止的状态。
(质量流量控制器40的结构)
如图3及图4所示,质量流量控制器40具备流入侧端口40i和吐出侧端口40o。在吐出侧端口40o上连接着上述供给配管Li,在流入侧端口40i上连接着引导来自氮气瓶等氮气供给源(未图示)的氮气的流入配管Ls。
另外,在氮气供给源上,装备有将氮气的供给压力调整为比大气压高设定值以上的设定压力的调节器、及将氮气的供给断续的手动操作式的开闭阀等。
在质量流量控制器40中,装备有变更调节在从流入侧端口40i朝向吐出侧端口40o的内部流路中流动的氮气的流量(向容器50的供给流量)的流量调节阀、计测在内部流路中流动的氮气的流量(向容器50的供给流量)的流量传感器、以及控制流量调节阀的动作的内部控制部。
并且,构成为,内部控制部基于流量传感器的检测信息控制流量调节阀,以将向容器50的供给流量调整为从上述控制装置H指令的目标流量。即,内部控制部控制流量调节阀,以使向容器50的供给流量匹配于从控制装置H指令的流量指令。
在本实施方式中,质量流量控制器40将在内部流路中流动的氮气的流量(向容器50的供给流量)在零到50升/分钟之间调节。在本实施方式中使用的质量流量控制器40构成为,在全流量调节范围中以高速(例如1秒以内)调节为从控制装置H指令的目标流量(流量指令)。
顺便说一下,在本实施方式中,在从容器50的排气口50o将容器内的气体向外部排出的状态下从容器50的供气口50i将作为惰性气体的氮气向容器50的内部注入的注入装置N以质量流量控制器40及吐出嘴10i为主要部构成,上述控制装置H控制注入装置N的动作。并且,注入装置N构成为,能够匹配于从控制装置H指令的流量指令而变更作为惰性气体的氮气的供给流量。
(控制装置H的目标流量)
控制装置H如图4所示,经由可编程逻辑控制器P对分别对应于多个收存部10S而设置的质量流量控制器40指令目标流量(流量指令)。
另外,在控制装置H上,装备有用来输入各种信息的操作台HS。
作为控制装置H指令的目标流量,有在容器50收存在收存部10S中的状态下为了向容器50的内部注入氮气而对质量流量控制器40指令的保管用的目标流量、在即将将容器50收存到收存部10S中之前为了将吐出嘴10i清洁化而指令的嘴净化用的目标流量、以及在保管搁板10的设置时等为了将吐出嘴10i及供给配管Li等清洁化而指令的清洁用的目标流量。具体而言,控制装置H将流量指令对质量流量控制器40(注入装置N)指令,所述流量指令用来将向容器50的氮气的供给量调整为保管用的目标流量、嘴净化用的目标流量、或清洁用的目标流量。
即,控制装置H如图5所示,作为设定了目标流量和供给时间的多个清洗模式而存储有嘴清洗模式P1、清洁模式P2、及4个保管用清洗模式P3~P6。
并且,控制装置H构成为,如果在保管搁板10的设置时等由操作台HS指令了清洁开始指令,则根据清洁模式P2指令清洁用的目标流量(供给流量)。
此外,控制装置H构成为,如果容器50被运入到入出库输送机CV中,则根据嘴清洗模式P1指令嘴净化用的目标流量。
在本实施方式中,控制装置H构成为,通过从控制吊车式的输送车D的运转的台车控制器(未图示)通信收存指令,来判别容器50被运入到入出库输送机CV中的时点。
即,台车控制器构成为,当输送车D将容器50运入到入出库输送机CV中时,对控制装置H指令收存指令。
进而,控制装置H构成为,当两个存货传感器10z检测到容器50时,根据4个保管用清洗模式P3~P6中的由操作台HS选择的一个模式指令保管用的目标流量。
顺便说一下,嘴清洗模式P1及清洁模式P2的目标流量和供给时间预先设定为基准状态,但4个保管用清洗模式P3~P6的各自的目标流量和供给时间在设备的设置时由使用者设定。
即,使用者一边通过操作台HS变更设定4个保管用清洗模式P3~P6的各自的目标流量和供给时间,一边将4个保管用清洗模式P3~P6分别试验性地使用,设定关于4个保管用清洗模式P3~P6中的适合的模式的目标流量和供给时间,并且选择该适合的模式。
(清洗模式)
接着,基于图5,对嘴清洗模式P1、清洁模式P2及4个保管用清洗模式P3~P6分别加以说明。
嘴清洗模式P1被设定为下述模式:在从被指令上述收存指令的时点到设定为收存前供给时间的供给时间t1的期间中,以设定为嘴净化用的目标流量的目标流量L1供给氮气。
供给时间t1例如设定为5秒,目标流量L1例如设定为30升/分钟。
清洁模式P2被设定为下述模式:在从通过操作台HS指令清洁开始指令到设定为设置初始供给时间的供给时间t2的期间中,以设定为清洁用的目标流量的目标流量L2供给氮气。
供给时间t2例如设定为1800秒,目标流量L2例如设定为20升/分钟。
关于4个保管用清洗模式P3~P6,分别作为保管用的目标流量而设定初始目标流量、和比该初始目标流量小的稳态目标流量。
初始目标流量例如设定为50升/分钟,稳态目标流量例如设定为5升/分钟。如上述那样,初始目标流量及稳态目标流量由使用者变更设定。
并且,4个保管用清洗模式P3~P6分别在向容器50供给氮气时首先将目标流量设定为初始目标流量、然后将目标流量设定变更为稳态目标流量这一点是共通,但设定为相互不同的模式。即,4个保管用清洗模式P3~P6分别是控制装置H执行将氮气的供给流量调整为初始目标流量后将氮气的供给流量调整为比该初始目标流量小的稳态目标流量的流量调整工序时的清洗模式。
以下,将4个保管用清洗模式P3~P6记作第1保管用清洗模式P3、第2保管用清洗模式P4、第3保管用清洗模式P5、及第4保管用清洗模式P6,对各模式加以说明。
第1保管用清洗模式P3被设定为下述模式:在从将容器50收存到收存部10S中的动作完成的容器收存完成时点到设定供给时间t3的期间中,以作为初始目标流量的供给流量L31供给氮气,然后在一对存货传感器10z检测到容器50的存在的期间中以作为稳态目标流量的供给流量L32继续供给氮气。
另外,在本实施方式中,容器收存完成时点设定为在一对存货传感器10z检测到容器50的存在后经过了设定时间(例如2秒)的时点。
第2保管用清洗模式P4被设定为下述模式:在从容器收存完成时点到设定供给时间t41的期间中以作为初始目标流量的供给流量L41供给氮气,然后在一对存货传感器10z检测到容器50的存在的期间中以作为稳态目标流量的供给流量L42继续将氮气间歇地供给。
即,第2保管用清洗模式P4被设定为下述模式:在将目标流量从作为初始目标流量的供给流量L41变更为作为稳态目标流量的供给流量L42后,反复进行如果经过设定供给时间t43则将氮气的供给停止设定休止时间的期间的动作。即,在将目标流量从供给流量L41变更为供给流量L42后,执行间歇供给工序,所述间歇供给工序指反复进行如果经过设定供给时间t43则将氮气的供给停止设定休止时间的期间的动作的工序。
即,在将目标流量从作为初始目标流量的供给流量L41变更为作为稳态目标流量的供给流量L42后,在由一对存货传感器10z检测到容器50的期间中,反复执行在反复周期t42中的设定供给时间t43的期间中以供给流量L42供给氮气、在设定休止时间t42-t43的期间中停止氮气的供给的动作。
顺便说一下,在该第2保管用清洗模式P4中,反复周期t42也被使用者变更设定。
第3保管用清洗模式P5被设定为下述模式:以在从容器收存完成时点到设定供给时间t51的期间中以作为初始目标流量的供给流量L51供给氮气,接着在设定供给时间t52的期间中以作为稳态目标流量的供给流量L52供给氮气为基本模式,将该基本模式在一对存货传感器10z检测到容器50的存在的期间中反复进行。
第4保管用清洗模式P6被设定为下述模式:以在从容器收存完成时点到设定供给时间t61的期间中以作为初始目标流量的供给流量L61供给氮气,接着在设定供给时间t64-t61的期间中以作为稳态目标流量的供给流量L62间歇地供给氮气为基本模式,将该基本模式在一对存货传感器10z检测到容器50的存在的期间中继续进行。
即,在第4保管用清洗模式P6中,设定了第一反复周期t64以及第二反复周期t62,所述第一反复周期t64是反复以作为初始目标流量的供给流量L61供给氮气的动作的周期,所述第二反复周期t62是反复以作为稳态目标流量的供给流量L62间歇地供给氮气的动作的周期。
并且,在容器收存完成时点及第一反复周期t64的开始时点,在设定供给时间t61的期间中,以作为初始目标流量的供给流量L61供给氮气,在作为初始目标流量的供给流量L61下的氮气的供给结束后,交替地反复执行在设定供给时间t63的期间中以作为稳态目标流量的供给流量L62供给氮气、和在设定休止时间t62-t63的期间中停止氮气的供给的动作。
顺便说一下,在该第4保管用清洗模式P6中,第一反复周期t64及第二反复周期t62也由使用者变更设定。
在本实施方式中,控制装置H构成为,在包括刚在收存部10S中收存容器50之后将惰性气体最初供给时、在将向容器50的氮气的供给流量从零(供给停止状态)向初始目标流量变更时,对质量流量控制器40指令目标流量(流量指令),以使氮气的供给流量朝向初始目标流量逐渐增加。同样,控制装置H构成为,在将向容器50的氮气的供给流量从零(供给停止状态)向稳态目标流量变更时,对质量流量控制器40指令目标流量(流量指令),以使氮气的供给流量朝向稳态目标流量逐渐增加。这样,控制装置H在将氮气的供给流量从向容器50的氮气的供给流量为零的状态向初始目标流量或稳态目标流量调整时执行对注入装置N指令朝向目标流量逐渐增加的流量指令的流量渐增工序。
此外,控制装置H构成为,在将向容器50的氮气的供给流量从初始目标流量向稳态目标流量变更时,对质量流量控制器40指令目标流量(流量指令),以使氮气的供给流量以比使氮气的供给流量朝向初始目标流量逐渐增加的情况下的供给流量的每单位时间的变化量大的变化量减少。
同样,控制装置H构成为,在将向容器50的氮气的供给流量从稳态目标流量向零(供给停止状态)变更时,对质量流量控制器40指令目标流量(流量指令),以使氮气的供给流量以比使氮气的供给流量朝向初始目标流量逐渐增加的情况下的该供给流量的每单位时间的变化量大的变化量减小。这样,控制装置H在将氮气的供给流量从初始目标流量向稳态目标流量变更时或从稳态目标流量向零变更时,对质量流量控制器40指令以比将氮气的供给流量向初始目标流量调整时的流量渐增工序中的流量指令的变化率高的变化率朝向稳态目标流量或零减小的流量指令。
以下,基于图6及图7,举出第4保管用清洗模式P6作为代表例加以说明。
如图7所示,在本实施方式中,构成为,在将向容器50的氮气的供给流量从零(供给停止状态)向初始目标流量变更时,即在执行以初始目标流量为目标流量的流量渐增工序时,从控制装置H对质量流量控制器40指令每经过设定单位时间Tx(例如1秒)每次增加作为设定量的设定单位量Lx的目标流量(流量指令)。
顺便说一下,设定单位量Lx例如设定为3升/分钟。
同样,构成为,在将向容器50的氮气的供给流量从零(供给停止状态)向稳态目标流量变更时、即执行以稳态目标流量为目标流量的流量渐增工序时,从控制装置H对质量流量控制器40指令每经过设定单位时间Tx(例如1秒)每次增加设定单位量Lx的目标流量(流量指令)。
即,控制装置H构成为,在使向容器50的氮气的供给流量逐渐增加时,控制质量流量控制器40的动作,以便以每经过作为设定等待时间的设定单位时间Tx使供给流量增加设定单位量Lx的形态使氮气的供给流量逐渐增加。结果,如图6所示,使向容器50的氮气的供给流量逐渐增加。
顺便说一下,在使氮气的供给流量每次增加设定单位量Lx时,在最终的阶段中,有为比设定单位量Lx小的尾数量的情况,但在此情况下使该尾数量增加。
此外,构成为,当将向容器50的氮气的供给流量从初始目标流量向稳态目标流量变更时,从控制装置H对质量流量控制器40指令立即(即瞬间或分步地)向稳态目标流量变化的目标流量(流量指令)。
同样,构成为,当将向容器50的氮气的供给流量从稳态目标流量向零(供给停止状态)变更时,从控制装置H对质量流量控制器40指令立即(即瞬间或分步地)向零变化的目标流量(流量指令)。
即,控制装置H构成为,当使向容器50的氮气的供给流量减少时,控制质量流量控制器40的动作,以成为使该供给流量迅速减少的目标流量(流量指令)。结果,如图6所示,向容器50的氮气的供给流量迅速地减少。
另外,如第3保管用清洗模式P5那样,在将向容器50的氮气的供给流量从稳态目标流量向初始目标流量变更时,也与将氮气的供给流量从零(供给停止状态)向初始目标流量变更时同样,控制装置H构成为,控制质量流量控制器40的动作,以使向容器50的氮气的供给流量逐渐增加。
如以上那样,根据本实施方式,当将容器50向收存部10S收存时,由于将氮气向容器50的内部注入,所以能够将收存在容器内的半导体晶片W维持为适当状态。
并且,如图6所示,当将氮气向容器50的内部注入时,通过使向容器50的氮气的供给流量逐渐增加,能够抑制因半导体晶片W振动、存在于半导体晶片W的背面上的溶剂掉落、掉落的溶剂附着到位于下方的别的半导体晶片W的表面上而半导体晶片W从适当状态恶化。此外,能够抑制堆积在容器50的底部的微粒浮起、附着到半导体晶片W上。
另外,在本实施方式中,设定单位量Lx及设定单位时间Tx是一定值,但也可以使这些设定单位量Lx及设定单位时间Tx能够由使用者增减设定。
具体而言,例如也可以使用操作台HS作为将作为设定量的设定单位量Lx变更设定的人为操作式的设定装置,将设定单位量Lx变更设定,同样,也可以使用操作台HS作为将设定单位时间Tx变更设定的设定装置,将设定单位时间Tx变更设定。
进而,在本实施方式中,在使向容器50的氮气的供给流量逐渐增加的期间中,将设定单位量Lx设定为一定值,但也可以以使设定单位量Lx逐渐变大的形态、使设定单位量Lx逐渐变小的形态、或者使设定单位量Lx逐渐变大到中间点后逐渐变小的形态来设定设定单位量Lx。在这些情况下,也可以使该设定单位量Lx能够由使用者变更设定。
具体而言,例如也可以使用操作台HS作为将作为设定量的设定单位量Lx变更设定的人为操作式的设定装置,将设定单位量Lx变更设定。
(其他实施方式)
(1)在上述实施方式中,作为支承容器50的支承部而例示了保管搁板10的收存部10S,但作为支承部,例如对于装备在基板处理装置中的惰性气体注入用的支承部、或设在吊车式的输送车D的导轨G的横侧旁的保管用的支承部等各种支承部能够应用本发明。
(2)在上述实施方式中,例示了在使氮气的供给量从零(供给停止状态)向稳态目标流量增加时也使氮气的供给流量逐渐增加的情况,但在稳态目标流量为充分小的值的情况下等,当使氮气的供给量从零(供给停止状态)向稳态目标流量增加时,也可以不使氮气的供给流量逐渐增加,而一下子(即,瞬间或分步地)增加。
(3)在上述实施方式中,例示了在将向容器50的氮气的供给流量从初始目标流量向稳态目标流量变更时将氮气的供给流量一下子变更为稳态目标流量的情况,但也可以以逐渐减小的形态来实施。
同样,例示了在将向容器50的氮气的供给流量从稳态目标流量向零(供给停止状态)变更时将氮气的供给流量一下子变更为零(供给停止状态)的情况,但也可以以逐渐减少的形态来实施。
(4)在上述实施方式中,例示了作为惰性气体而使用氮气的情况,但作为惰性气体可以使用氩气等各种气体。顺便说一下,本发明中的惰性气体,需要是含氧量较低、绝对湿度较低的气体。
(5)在上述实施方式中,例示了在使向容器50的氮气的供给流量逐渐增加时、每经过作为设定等待时间的设定单位时间Tx使氮气的供给流量每次增加作为设定量的设定单位量Lx的情况,但也可以以使氮气的供给流量连续增加的形态来实施。
(6)在上述实施方式中,例示了以吐出嘴10i及具备内部控制部的质量流量控制器40为主要部而构成注入装置N的情况,但例如也可以以在氮气的供给路径中设置将向容器50的氮气的供给流量变更调节的流量调节阀及计测向容器50的氮气的供给流量的流量传感器、控制装置H基于流量传感器的检测信息控制流量调节阀的动作的形态来实施。
在此情况下,以吐出嘴10i及流量调节阀为主要部而构成注入装置N。
(7)在上述实施方式中,例示了4个保管用清洗模式P3~P6,但作为保管用清洗模式,例如也可以使用间歇地进行以初始目标流量供给惰性气体的模式等各种模式。
附图标记说明
10 保管搁板
10S 支承部
50 容器
50i 供气口
50o 排气口
H 控制装置
HS 设定装置
N 注入装置
Tx 设定等待时间
Lx 设定量
W 基板。

Claims (14)

1.一种惰性气体注入设备,具备:
注入装置,设在支承收存基板的容器的支承部上,以从上述容器的排气口使上述容器内的气体向外部排出的状态,从上述容器的供气口将惰性气体向上述容器的内部注入;
控制装置,控制上述注入装置的动作;
其特征在于,
上述注入装置可变更上述惰性气体的供给流量而构成;
上述控制装置构成为,在向支承在上述支承部上的上述容器供给上述惰性气体时,控制上述注入装置的动作,以使上述供给流量朝向目标流量逐渐增加。
2.如权利要求1所述的惰性气体注入设备,其特征在于,
上述控制装置构成为,在上述容器被支承在上述支承部上后将上述惰性气体最初供给时,使上述供给流量从零朝向上述目标流量逐渐增加。
3.如权利要求1所述的惰性气体注入设备,其特征在于,
上述支承部是保管上述容器的保管搁板的收存部;
作为上述目标流量,设定初始目标流量和比该初始目标流量少的稳态目标流量;
上述控制装置构成为,当向支承在上述支承部上的上述容器供给上述惰性气体时,控制上述注入装置的动作,以在将上述供给流量调整为上述初始目标流量后将上述供给流量调整为上述稳态目标流量,并且在将上述供给流量向上述初始目标流量调整时,控制上述注入装置的动作,以使上述供给流量朝向上述初始目标流量逐渐增加。
4.如权利要求3所述的惰性气体注入设备,其特征在于,
上述控制装置构成为,在将上述供给流量从上述初始目标流量向上述稳态目标流量变更时,控制上述注入装置的动作,以使上述供给流量以比使上述供给流量朝向上述初始目标流量逐渐增加的情况下的上述供给流量的变化率高的变化率减少。
5.如权利要求3所述的惰性气体注入设备,其特征在于,
上述控制装置构成为,在将上述供给流量从上述初始目标流量变更为上述稳态目标流量后,控制上述注入装置的动作,以重复如果经过设定供给时间则将上述惰性气体的供给停止设定休止时间的期间的动作,并且在上述设定休止时间的经过后将上述供给流量向上述稳态目标流量调整时,控制上述注入装置的动作,以使上述供给流量朝向上述稳态目标流量逐渐增加。
6.如权利要求1~5中任一项所述的惰性气体注入设备,其特征在于,
上述控制装置构成为,在使上述供给流量逐渐增加时,控制上述注入装置的动作,以使得每经过设定等待时间则使上述供给流量增加设定量。
7.如权利要求6所述的惰性气体注入设备,其特征在于,
还具备将上述设定量变更设定的人为操作式的设定装置。
8.一种惰性气体注入方法,是利用惰性气体注入设备的惰性气体注入方法,其特征在于,
上述惰性气体注入设备具备:
注入装置,设在支承收存基板的容器的支承部上,以从上述容器的排气口使上述容器内的气体向外部排出的状态,从上述容器的供气口将惰性气体向上述容器的内部注入;
控制装置,控制上述注入装置的动作;
上述注入装置可匹配于从上述控制装置指令的流量指令来变更上述惰性气体的供给流量而构成;
上述惰性气体注入方法包括由上述控制装置执行的以下的工序:在向支承在上述支承部上的上述容器供给上述惰性气体时、对上述注入装置指令朝向目标流量逐渐增加的流量指令的流量渐增工序。
9.如权利要求8所述的惰性气体注入方法,其特征在于,
在上述流量渐增工序中,在上述容器被支承在上述支承部上后将上述惰性气体最初供给时,对上述注入装置指令从零朝向上述目标流量逐渐增加的流量指令。
10.如权利要求8所述的惰性气体注入方法,其特征在于,
上述支承部是保管上述容器的保管搁板的收存部;
作为由上述控制装置执行的工序,还包括在向支承在上述支承部上的上述容器供给上述惰性气体时、在将上述供给流量调整为初始目标流量后将上述供给流量向比上述初始目标流量少的稳态目标流量调整的流量调整工序;
在上述流量调整工序中,在将上述供给流量向上述初始目标流量调整时,将上述初始目标流量作为上述目标流量执行上述流量渐增工序。
11.如权利要求10所述的惰性气体注入方法,其特征在于,
在上述流量调整工序中,在将上述供给流量从上述初始目标流量向上述稳态目标流量变更时,对上述注入装置指令以比将上述供给流量向上述初始目标流量调整时的上述流量渐增工序中的流量指令的变化率高的变化率朝向上述稳态目标流量减少的流量指令。
12.如权利要求10所述的惰性气体注入方法,其特征在于,
在上述流量调整工序中,在将上述供给流量从上述初始目标流量变更为上述稳态目标流量后,执行反复进行如果经过设定供给时间则将上述惰性气体的供给停止设定休止时间的期间的动作的间歇供给工序;
在上述间歇供给工序中,在上述设定休止时间的经过后将上述供给流量向上述稳态目标流量调整时,将上述稳态目标流量作为上述目标流量执行上述流量渐增工序。
13.如权利要求8~12中任一项所述的惰性气体注入方法,其特征在于,
在上述流量渐增工序中,对上述注入装置指令每经过设定等待时间则增加设定量的流量指令。
14.如权利要求13所述的惰性气体注入方法,其特征在于,
上述惰性气体注入设备具备将上述设定量变更设定的人为操作式的设定装置。
CN201210560915.9A 2011-12-22 2012-12-21 惰性气体注入设备及惰性气体注入方法 Active CN103174934B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011281857A JP5598728B2 (ja) 2011-12-22 2011-12-22 不活性ガス注入装置
JP2011-281857 2011-12-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103174934A true CN103174934A (zh) 2013-06-26
CN103174934B CN103174934B (zh) 2016-12-28

Family

ID=48634988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210560915.9A Active CN103174934B (zh) 2011-12-22 2012-12-21 惰性气体注入设备及惰性气体注入方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9524893B2 (zh)
JP (1) JP5598728B2 (zh)
KR (1) KR102009828B1 (zh)
CN (1) CN103174934B (zh)
TW (1) TWI556282B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105745153A (zh) * 2013-10-28 2016-07-06 株式会社大塚制药工场 不活泼气体填充用喷嘴、不活泼气体填充装置和装有输液用液体的容器的制造方法
CN106415812A (zh) * 2014-06-16 2017-02-15 村田机械株式会社 清洗装置、清洗系统、清洗方法以及清洗系统中的控制方法
CN107808844A (zh) * 2016-09-09 2018-03-16 株式会社大福 容器容纳设备
CN107851596A (zh) * 2015-08-04 2018-03-27 村田机械株式会社 净化装置、净化储料器以及净化气体的供给方法
CN107924861A (zh) * 2015-09-04 2018-04-17 昕芙旎雅有限公司 气体注入装置
CN107924856A (zh) * 2015-08-25 2018-04-17 村田机械株式会社 吹净装置、吹净储料器、以及吹净方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5884780B2 (ja) * 2013-06-26 2016-03-15 株式会社ダイフク 保管設備
KR101465644B1 (ko) * 2013-11-27 2014-11-28 크린팩토메이션 주식회사 웨이퍼 수용 용기를 지지하기 위한 선반 및 그에 사용되는 캡 조립체
KR101865091B1 (ko) * 2014-06-16 2018-06-07 무라다기카이가부시끼가이샤 퍼지 스토커 및 퍼지 방법
JP6554872B2 (ja) * 2015-03-31 2019-08-07 Tdk株式会社 ガスパージ装置、ロードポート装置、パージ対象容器の設置台およびガスパージ方法
JP6451453B2 (ja) * 2015-03-31 2019-01-16 Tdk株式会社 ガスパージ装置、ロードポート装置、パージ対象容器の設置台およびガスパージ方法
KR102061568B1 (ko) * 2015-08-10 2020-01-02 무라다기카이가부시끼가이샤 퍼지 장치, 퍼지 스토커, 및 클리닝 방법
JP6414525B2 (ja) * 2015-09-02 2018-10-31 株式会社ダイフク 保管設備
DE102016205597B4 (de) * 2016-04-05 2022-06-23 Fabmatics Gmbh Purge-Messsystem für FOUPs
US10840121B2 (en) 2016-10-31 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for unpacking semiconductor wafer container
JP6794898B2 (ja) * 2017-03-29 2020-12-02 株式会社ダイフク 収納棚
JP6813097B2 (ja) 2017-09-08 2021-01-13 村田機械株式会社 保管システムと保管システムでのパージ方法
US11699609B2 (en) * 2018-09-28 2023-07-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Automated nozzle cleaning system

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879458A (en) * 1996-09-13 1999-03-09 Semifab Incorporated Molecular contamination control system
US6123120A (en) * 1997-12-03 2000-09-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Clean storage equipment for substrates and method of storing substrates
JP2006086308A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
CN101435074A (zh) * 2002-04-05 2009-05-20 株式会社日立国际电气 基板处理装置
CN101609260A (zh) * 2008-06-16 2009-12-23 亿尚精密工业股份有限公司 移栽容器的遮蔽式入出气结构
CN101730933A (zh) * 2007-07-09 2010-06-09 近藤工业株式会社 向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置以及使用了该装置的晶片除静电装置
CN102189052A (zh) * 2010-03-05 2011-09-21 翔风技术有限公司 气体注入装置、注入方法以及气体排出装置、排出方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3372585B2 (ja) * 1993-04-13 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH0945597A (ja) * 1995-05-25 1997-02-14 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置及びロードロック室酸素濃度の制御方法及び自然酸化膜の生成方法
US6073576A (en) * 1997-11-25 2000-06-13 Cvc Products, Inc. Substrate edge seal and clamp for low-pressure processing equipment
TW517092B (en) * 1999-03-17 2003-01-11 Kobe Steel Ltd High-temperature and high-pressure treatment device
JP4308975B2 (ja) * 1999-05-27 2009-08-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体素子の形成方法
JP2003017553A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 基板収納容器、基板搬送システム及びガス置換方法
WO2003021642A2 (en) * 2001-08-31 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
EP1350997B1 (en) * 2002-04-05 2014-10-01 Ebara Corporation Method for operating a seal device
JP3902583B2 (ja) * 2003-09-25 2007-04-11 Tdk株式会社 可搬式密閉容器内部のパージシステムおよびパージ方法
EP2128890B1 (en) * 2004-02-05 2012-10-17 Entegris, Inc. Purging of a wafer conveyance container
US20080260498A1 (en) * 2004-04-07 2008-10-23 Tatsuhiko Nagata Atmosphere Purge-Port Connecting Device for Wafer Storage Container
JP2005340330A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板の保管容器および半導体基板の保管方法
KR100583730B1 (ko) * 2004-06-29 2006-05-26 삼성전자주식회사 기판 이송 시스템 및 상기 시스템의 프레임 내 압력을조절하는 방법
JP4414869B2 (ja) * 2004-11-30 2010-02-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
US7494107B2 (en) * 2005-03-30 2009-02-24 Supercritical Systems, Inc. Gate valve for plus-atmospheric pressure semiconductor process vessels
JP4670808B2 (ja) * 2006-12-22 2011-04-13 ムラテックオートメーション株式会社 コンテナの搬送システム及び測定用コンテナ
JP5028193B2 (ja) * 2007-09-05 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体製造装置における被処理体の搬送方法
US8662886B2 (en) * 2007-11-12 2014-03-04 Micrel, Inc. System for improved pressure control in horizontal diffusion furnace scavenger system for controlling oxide growth
JP4692584B2 (ja) * 2008-07-03 2011-06-01 村田機械株式会社 パージ装置
JP5716968B2 (ja) * 2012-01-04 2015-05-13 株式会社ダイフク 物品保管設備
JP5557061B2 (ja) * 2012-01-04 2014-07-23 株式会社ダイフク 物品保管設備

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879458A (en) * 1996-09-13 1999-03-09 Semifab Incorporated Molecular contamination control system
US6123120A (en) * 1997-12-03 2000-09-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Clean storage equipment for substrates and method of storing substrates
CN101435074A (zh) * 2002-04-05 2009-05-20 株式会社日立国际电气 基板处理装置
JP2006086308A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
CN101730933A (zh) * 2007-07-09 2010-06-09 近藤工业株式会社 向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置以及使用了该装置的晶片除静电装置
CN101609260A (zh) * 2008-06-16 2009-12-23 亿尚精密工业股份有限公司 移栽容器的遮蔽式入出气结构
CN102189052A (zh) * 2010-03-05 2011-09-21 翔风技术有限公司 气体注入装置、注入方法以及气体排出装置、排出方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105745153A (zh) * 2013-10-28 2016-07-06 株式会社大塚制药工场 不活泼气体填充用喷嘴、不活泼气体填充装置和装有输液用液体的容器的制造方法
CN105745153B (zh) * 2013-10-28 2017-10-24 株式会社大塚制药工场 不活泼气体填充用喷嘴、不活泼气体填充装置和装有输液用液体的容器的制造方法
CN106415812A (zh) * 2014-06-16 2017-02-15 村田机械株式会社 清洗装置、清洗系统、清洗方法以及清洗系统中的控制方法
CN106415812B (zh) * 2014-06-16 2019-01-11 村田机械株式会社 清洗装置、清洗系统、清洗方法以及清洗系统中的控制方法
CN107851596A (zh) * 2015-08-04 2018-03-27 村田机械株式会社 净化装置、净化储料器以及净化气体的供给方法
CN107924856A (zh) * 2015-08-25 2018-04-17 村田机械株式会社 吹净装置、吹净储料器、以及吹净方法
CN107924856B (zh) * 2015-08-25 2021-05-28 村田机械株式会社 吹净装置、吹净储料器、以及吹净方法
CN107924861A (zh) * 2015-09-04 2018-04-17 昕芙旎雅有限公司 气体注入装置
CN107924861B (zh) * 2015-09-04 2022-09-20 昕芙旎雅有限公司 气体注入装置
CN107808844A (zh) * 2016-09-09 2018-03-16 株式会社大福 容器容纳设备
CN107808844B (zh) * 2016-09-09 2023-06-06 株式会社大福 容器容纳设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20140000757A1 (en) 2014-01-02
US9524893B2 (en) 2016-12-20
KR20130079156A (ko) 2013-07-10
JP5598728B2 (ja) 2014-10-01
JP2013131712A (ja) 2013-07-04
KR102009828B1 (ko) 2019-08-12
TW201334026A (zh) 2013-08-16
TWI556282B (zh) 2016-11-01
CN103174934B (zh) 2016-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103174934A (zh) 惰性气体注入设备及惰性气体注入方法
CN103193052B (zh) 物品保管设备及物品保管方法
US9595461B2 (en) Storage facility and storage method
CN104249898B (zh) 物品保管设备的检查装置
JP5598734B2 (ja) 物品保管設備
TWI571590B (zh) 惰性氣體注入設備及惰性氣體注入方法
CN106415812B (zh) 清洗装置、清洗系统、清洗方法以及清洗系统中的控制方法
KR102179872B1 (ko) 물품 보관 설비
US20120199065A1 (en) Multi-Module System for Processing Thin Film Photovoltaic Devices
JP6414525B2 (ja) 保管設備
CN103193051A (zh) 物品保管设备以及物品保管方法
US20080003091A1 (en) Method and apparatus for transporting, queuing, and loading of large area substrates in multi-tool processing operations
US10340167B2 (en) Robot for transferring article
TWI588073B (zh) 在天花板上存儲和處理物品的裝置
CN109983568B (zh) 吹扫储料器
CN203553196U (zh) 一种太阳能离子注入机硅片缓存装置
JP2022126900A (ja) 搬送設備

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant