CN103155698B - 感应加热装置及感应加热方法 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 130
- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 12
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 44
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/10—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications
- H05B6/105—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications using a susceptor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/36—Coil arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/06—Control, e.g. of temperature, of power
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/36—Coil arrangements
- H05B6/42—Cooling of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/36—Coil arrangements
- H05B6/44—Coil arrangements having more than one coil or coil segment
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Induction Heating (AREA)
Abstract
本发明提供感应加热装置，其在大直径化的晶片的加热中采用批量型的加热方式，且能够进行高精度的均等加热。感应加热装置(10)，其通过由螺线管型的感应加热线圈(18)产生的磁通来加热被感应加热构件，通过该被感应加热构件的发热来加热晶片(40)，其特征在于，使多个被感应加热构件(14(14a、14b、14c))散布配置成主面垂直于感应加热线圈(18)的轴心方向。在具有这种特征的感应加热装置(10)中，在由具备透磁性及热传递性的构件构成的一个支架(16)中容纳被感应加热构件(14)而构成基座(12)。
Description
技术领域
本发明涉及感应加热装置及感应加热方法，尤其涉及适合于进行被加热物的均等加热的情况的感应加热装置及感应加热方法。
背景技术
在半导体加热的领域投入了感应加热技术后，快速的晶片加热不断加速。近年来，成为加热对象的晶片的大直径化引人注目，在大的晶片中达到的成为现状。如专利文献1所示，这种的大直径晶片通常采用通过沿用于加热晶片的发热体即基座的面配置的感应加热线圈一枚一枚地进行加热的所谓的单片型的加热方式。
与之相对，为了实现热处理的效率化，如图11所示，理想是使用了螺线管线圈(solenoid coil)等侧面配置型的感应加热线圈2的采用所谓批量型(batch-type)的加热方式的感应加热装置1。但是，在经由侧面配置型的感应加热线圈2加热大型晶片时，通过表皮效果的影响，基座3外缘侧的发热量变多，中心部侧的发热量变少。因此，晶片4不能被均等加热，难以实用化。另外，图12是表示现有的感应加热装置1采用的基座(susceptor)的结构的图，通过例如石墨等单一构件构成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2006-278150号公报
发明内容
发明要解决的课题
如上所述，就单片型的加热方式和批量型的加热方式来说，两者都具有优点和缺点。因此，在进行热处理时，根据重视该热处理的质量、还是重视效率而进行加热装置的选择。但是，实质上难以将大型晶片用批量型的加热方式进行热处理。
在本实施方式中，为解决上述问题，其目的在于提供这样的感应加热装置及感应加热方法，在大直径化的晶片的加热中采用批量型的加热方式，且能够进行高精度的均等加热。
用于解决课题的方案
用于实现上述目的的本发明的感应加热装置，通过由螺线管线圈产生的磁通来加热被感应加热构件，通过该被感应加热构件的发热来加热被加热构件，其特征在于，使多个被感应加热构件散布配置成主面垂直于所述螺线管线圈的轴心方向上。
另外，在具有所述特征的感应加热装置中，优选在通过具备透磁性及热传递性的构件构成的一个支架中容纳所述被感应加热构件而构成发热体。
通过具有这种特征，在发热体的板面上构成使从感应加热线圈产生的磁通透过的通道。由此，即使在层叠配置了发热体的情况下，也能够使磁通到达发热体的中央部附近。
另外，在具有所述的特征的感应加热装置中，优选使所述被感应加热构件为圆形，使其以所述支架的中心为基点放射状地散布。
通过具有这种特征，能够使发热体的发热分布稳定。
另外，在具有所述的特征的感应加热装置中，优选越配置于所述支架的中心的被感应加热构件，其直径越大于配置于所述支架的外周侧的被感应加热构件的直径。
通过具有这种特征，可通过对感应加热线圈供给的电流的频率的高低，使发热体面内的发热比率变化。
另外，在具有所述的特征的感应加热装置中，优选越配置于所述支架的中心的被感应加热构件，其厚度越厚于配置于所述支架的外周侧的被感应加热构件的厚度。
通过具有这种特征，可以改变发热体面内的热容量。因此，通过提高难以发热的中心部的热容量，有利于均等加热。
另外，在具有所述的特征的感应加热装置中，也可以在所述圆形的被感应加热构件各自的中心部形成贯通孔，使各被感应加热构件的形状为环状。
通过具有这种特征，能够增加磁通的透过路径。
另外，在具有所述的特征的感应加热装置中，也可以在所述支架的中心配置圆形的被感应加热构件，在该圆形的被感应加热构件的周围配置多个扇形的被感应加热构件。
另外，在具有所述的特征的感应加热装置中，也可以使配置于所述发热体的中心侧的被感应加热构件为第1被感应加热构件，使配置于所述发热体的外周侧的被感应加热构件为第2被感应加热构件，所述第1被感应加热构件在向所述螺线管线圈输入的电流频率低于所述第2被感应加热构件的的电流频率的情况下，能够获得高于所述第2被感应加热构件的发热密度。
另外，为实现所述目的，本发明的感应加热装置，其通过由螺线管线圈产生的磁通来加热被感应加热构件，通过该被感应加热构件的辐射热来加热晶片，其特征在于，使配置的被感应加热构件配置成主面垂直于所述螺线管线圈的轴心方向，在该被感应加热构件上形成薄壁部和厚壁部，在由具备透磁性及热传递性的构件构成的支架中容纳所述被感应加热构件而构成发热体。
另外，在具有所述的特征的感应加热装置中，优选在所述围绕空间中平行地配置多个所述发热体。
另外，为实现所述目的的本发明的感应加热方法，其向螺线管线圈输入电流，加热配置于所述螺线管线圈的围绕区域的发热体从而进行被加热构件的加热，其特征在于，将可均等加热所述发热体的电流频率作为基准频率，在对所述螺线管线圈输入了频率低于所述基准频率的电流的情况下加热所述发热体的中央，在对所述螺线管线圈输入了频率高于所述基准频率的电流的情况下加热所述发热体的外周，并进行所述晶片的温度控制。
另外，在具有所述的特征的感应加热方法中，也可以在所述螺线管线圈的围绕区域平行地配置多个所述发热体，沿所述发热体的配置方向分割所述螺线管线圈，使对所分割的各螺线管线圈输入的电流的频率及相位一致，控制对所述各螺线管线圈输入的电流。
根据具有这种特征，可避免在邻接配置的感应加热线圈间产生的互感的影响，进行对感应加热线圈的供给电流的控制。
发明效果
根据具有所述的特征的感应加热装置及方法，即使在在大直径化的晶片的加热中采用了批量型的加热方式的情况下，也能够进行高精度的均等加热。
附图说明
图1是表示第1实施方式的感应加热装置的正面结构的框图。
图2是表示第1实施方式的感应加热装置采用的基座的结构的平面图。
图3是表示基座的第1应用形态的平面图。
图4是表示基座的第2应用形态的平面图。
图5是表示基座的第3应用形态的平面图。
图6是表示基座的第4应用形态的平面图。
图7是表示第4应用形态的基座的平面图。
图8是表示第2实施方式的感应加热装置的正面结构的框图。
图9是用于说明第2实施方式的感应加热装置的电源部分的结构的图。
图10是用于说明在第2实施方式的感应加热装置中，采用了串联谐振逆变器作为逆变器的情况的例的图。
图11是表示采用了现有的批量型的加热方式的感应加热装置的结构的正面图。
图12是表示现有的感应加热装置所采用的基座平面结构的图。
标号说明
10.........感应加热装置、12.........基座、14(14a，14b，14c).........被感应加热构件、16.........支架、18.........感应加热线圈、20.........电源部分
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的感应加热装置、以及感应加热方法的实施方式。
首先，参照图1、图2，对本发明的感应加热装置的第1实施方式，参照附图并详细地说明。这里，图1是表示本实施方式的感应加热装置的正面结构的框图。另外，图2是表示构成感应加热装置的基座的平面结构的图。
本实施方式的感应加热装置10至少具有作为发热体的基座12、感应加热线圈18及电源部分20。本实施方式的基座12为由被感应加热构件14(14a～14c)和支架16构成的圆形平板，载置被加热物即半导体晶片(以下仅称为晶片40)，通过热传递、及热传导作用，承担加热所载置的晶片40的作用。被感应加热构件14只要是具备耐热性、及导电性的电阻构件即可，例如为由石墨等构成的圆形平板。在本实施方式的情况下，通过被感应加热构件14相比基座12由小径的圆板构成，使其散布于支架16内，由此构成基座12。支架16只要是具备耐热性及透磁性的热传导率高的构件即可，例如由SiC等构成，通过涂敷散布配置的被感应加热构件14而成为支架16的主体。SiC的热传导率高，因此，即使在散布了被感应加热构件14的情况下，也不会发生起因于此的发热分布的偏向。另外，各被感应加热构件14被配置成主面相对于详细后述的感应加热线圈18的卷绕中心(轴心方向)正交。由此，磁通垂直地输入被感应加热构件14的主面，涡电流相对于被感应加热构件14的板面平行地被激励。因此，发热效率良好。
在本实施方式的情况下，如图2所示，使用直径不同的多个被感应加热构件14构成基座12。具体而言，在具有大、中、小的三种直径的被感应加热构件14中，在中心配置直径“大”的被感应加热构件14a，在其周围放射状地配置直径“中”的被感应加热构件14b。进而在配置了直径“中”的被感应加热构件14b的外周放射状地配置直径“小”的被感应加热构件14c。这里，在使基座12的直径为的情况下，例如可以使直径“大”的被感应加热构件14a的直径为使直径“中”的被感应加热构件14b的直径为使直径“小”的被感应加热构件14c的直径为等。
被感应加热构件14因电流浸透深度δ或对感应加热线圈18供给的电流值、及频率而发热量Q不同，一般而言，电流频率越低，直径大的被感应加热构件的发热效率(发热密度)越高，电流频率越高，直径小的被感应加热构件的发热效率越高。因此，如上述，通过将直径不同的被感应加热构件从中心朝向外缘配置多个，根据电流频率的设定，可选择基座面内的有效加热部位。另外，设为大、中、小的被感应加热构件的数，以使配置了各被感应加热构件的区域的发热分布均等来决定各自的数量、配置均衡即可。
另外，在本实施方式中，通过在层叠方向配置多个这样构成的基座12，采用批量型的加热方式。
感应加热线圈18在本实施方式的情况下，采用以围绕上述层叠配置的多个基座12卷绕的、所谓的螺线管型的线圈。在采用了这样配置的感应加热线圈18的情况下，如图1所示，通过对感应加热线圈18供给电力而产生的磁通沿着基座12的层叠方向。
由感应加热线圈18产生的磁通通过透过构成基座的导电性电阻构件(例如石墨)时的电阻而衰减。因此，在使用了现有的基座的情况下，层叠配置的基座的中心附近的电磁感应的加热不充分。
与之相对，在本实施方式中，使通过导电性电阻构件构成的被感应加热构件14散布在由透磁性构件构成的支架16内，因此，能够在基座12的内部区域形成磁通的透过路径。因此，散布于支架16内的被感应加热构件14各自的外缘部分的加热比率提高，作为结果，能够改善层叠配置的基座12整体的面内发热分布。
作为实施方式的感应加热线圈18的优选的形态，可以设为具备通过由具有耐热性的导电性构件构成的外轮廓、可插通冷却构件的内部空间的构件(例如空心铜管)。通过成为这种结构，通过由电磁感应在基座12中产生的热的辐射，能够防止感应加热线圈18本身被过加热。另外，优选在感应加热线圈18的外周包覆耐热性绝缘构件。通过这种结构，能够防止意想不到的接触造成的短路。
电源部分20至少具有可进行供给电流的控制的逆变器(inverter)和对该逆变器供给电力的电源(对于逆变器和电源之间的关系，在第2实施方式中说明：参照图9、图10)。作为逆变器，也可以采用除了谐振型的逆变器之外的非谐振型的逆变器。列举具体的实例时，作为谐振型的逆变器，可以列举串联谐振型逆变器。另外，作为非谐振型的逆变器，可以列举PWM(PulseWidth Modulation；脉宽调制)逆变器。
作为电源，可采用交流电源。具体而言，可以列举三相交流电源等。另外，采用了串联谐振型逆变器作为逆变器的情况下，优选在电源和逆变器间设置转换器及斩波器(chopper)。另外，转换器(converter)承担将从三相交流电源供给的交流电流整流为直流电流的功能。斩波器承担调整通过转换器整流的直流电流的电压的功能。通过成为这种结构，在串联谐振型逆变器中，只要承担进行以预先规定的谐振频率输出的电流的调整的功能即可。另一方面，在采用了PWM逆变器的情况下，在电源和逆变器之间，可以至少设置转换器。这里，与采用了串联谐振型逆变器的情况下同样，转换器承担进行从交流电流向直流电流的变换的功能。PWM逆变器承担将从转换器输出的直流电流变换为交流电流，并对感应加热线圈供给的功能。这里，PWM逆变器通过将输入的直流电流通过通/断(ON·OFF)控制而构成交流电流，同时通过与作为指令频率赋予的信号对应的正弦波状地输出由各脉冲宽度的占空比确定的等效电压，从而能够调整频率和电压。另外，本实施方式中使用的PWM逆变器也可以进行电流调整。
根据具有这种结构的感应加热装置10，即使在以批量型的加热方式加热大直径化的晶片40的情况下，也能够进行均等加热。
另外，在使用这种构成的感应加热装置10进行晶片40的加热的情况下，也可以预先调查可均等加热直径“大”、直径“中”、直径“小”的被感应加热构件14的电流频率，将通过该调查获得的电流的频率作为基准频率进行运转。只要具有这种基准频率，通过使对感应加热线圈18输入的电流的频率低于基准频率，就能够提高基座12的中央部侧的加热比率。另一方面，通过使对感应加热线圈18输入的电流的频率高于基准频率，能够提高基座12的外周部侧的加热比率，通过输入的电流频率的控制，可控制作为加热对象的晶片40的面内温度分布。
另外，在上述实施方式中，构成基座的被感应加热构件14的形态为圆板型。但是，如图3所示，也可以使被感应加热构件14d的结构为环状。通过使被感应加热构件14d的结构成为这样的形状来构成基座12a，由此增加来自感应加热线圈18的磁通的透过路径，能够进一步抑制被感应加热构件14d内的温度分布的偏向。
另外，在实施方式中，表示了被感应加热构件14的厚度全部相等。但是，被感应加热构件14的厚度也可以根据其类别变更。例如，从配置于中央部的大直径的被感应加热构件14a到配置于外缘侧的小径的被感应加热构件14c，也可以使其厚度逐渐变薄那样来构成。通过成为这种结构，能够得到磁通难以到达的中央部的发热量，能够有助于作为基座12整体的均热化。另外，理所当然，在单一的被感应加热构件14内，也可以以具有厚壁部和薄壁部那样来构成。在该情况下，可以使各被感应加热构件14的中心为厚壁，使外周侧为薄壁。
另外，在上述实施方式中，支架16的形态为圆板型。与之相对，基座12b的外形形状也可以是图4所示的矩形形状。在使基座12b为这种形态的情况下，有利于进行例如用于太阳能电池的晶片的矩形晶片的外延生长时的均等加热。
另外，在使基座12c的外观形状为矩形形状的情况下，如图5所示，也可以使配置于构成矩形的四角的被感应加热构件14e的平面形态为扇型。在感应加热中，磁通有在边缘部分集中的特性。因此，通过在矩形基座12c的四角上配置使边缘朝向矩形的顶点部分的扇形的被感应加热构件14e，能够抑制放热量多的顶点部分(四角)的发热降低。
另外，作为基座的其它的参考形态，可以列举图6、图7所示的结构。具体而言，在以基座12d同等大小构成的薄壁的被感应加热构件14f(例如石墨)和与形成为该薄壁的被感应加热构件14f的晶片40载置面相反侧的面上，配置上述的直径“大”、直径“中”、直径“小”的厚壁的被感应加热构件14a～14c。这里，被感应加热构件14f的厚度也可以减薄至不妨碍沿基座12d的层叠方向透过的磁通的流动的程度。即使在这种结构的情况下，也能够获得与上述实施方式记载的基座12同样的效果。
下面，参照图8、图9详细地说明本发明的感应加热装置的第2实施方式。这里，图8是表示本实施方式的感应加热装置的正面结构的框图，图9是用于说明电源部分的具体的结构的框图。
本实施方式的感应加热装置10a的基本结构与上述的第1实施方式的感应加热装置10是同样的。因此，对该功能相同的部位，在图面上附加同一标号而省略详细的说明。作为与第1实施方式的感应加热装置10间的不同点，存在比第1实施方式的感应加热装置10又增加了基座12的层叠数这一点、及与基座12的层叠数增加相一致，增加围绕该基座12的感应加热线圈18的数这一点。在图8、图9所示的例子中，与基座12的层叠方向相一致，近接配置三个感应加热线圈18a、18b、18c。换言之，本实施方式的感应加热线圈18a、18b、18c可以说是将一个感应加热线圈沿基座12的层叠方向分为三个的形态。
这里，在近接配置了多个感应加热线圈18a、18b、18c的情况下，通过相邻感应加热线圈18a、18b、18c间的互感的影响，有时难以控制从电源部分20供给的电流。于是，在本实施方式的感应加热装置10a中，在电源部分20具备相位控制部分28，并且，设为相对于各感应加热线圈18a、18b、18c分别单独地连接有逆变器26a、26b、26c的结构。另外，图9所示的形态表示采用了PWM逆变器作为逆变器26a、26b、26c时的例子。
相位控制部分28检出从逆变器26a、26b、26c向感应加热线圈18a、18b、18c输出的电流，使该电流的频率一致，同时检出该输出电流的相位，承担控制的功能，以使从各逆变器26a、26b、26c输出的电流的相位差保持零或预先确定的相位差。另外，电流相位的调整只要通过使输出电流的频率瞬时地变化来进行即可。
通过成为这种结构，即使在增加基座12的层叠数的情况下，也能够进行在层叠方向上分割的各感应加热线圈18a、18b、18c的加热区域单位的温度分布控制。
在上述实施方式中，对于逆变器26(26a、26b、26c)以PWM逆变器为主体进行了说明。与之相对，在使逆变器为串联谐振型的情况下，只要是图10所示的形态即可。即，对于各感应加热线圈18a、18b、18c连接逆变器26a1、26b1、26c1及斩波器27a、27b、27c。各斩波器27a、27b、27c进行连接，以使其对于连接到电源22的转换器24为并联。在各逆变器26a1、26b1、26c1中，成为并联地配置，以使谐振电容器32串联连接，并通过开关30等可选择性切换的结构，该谐振电容器使均等加热用的基准频率、外周部侧加热用的高频率、以及与中央部加热用的低频率分别对应的频率相匹配。通过成为这种结构，即使在将逆变器替换为PWM逆变器而成为串联谐振型逆变器26a1、26b1、26c1的情况下，也能够具备同样的效果。
Claims (21)
1.一种感应加热装置，通过由螺线管线圈产生的磁通来加热被感应加热构件，通过该被感应加热构件的发热来加热被加热构件，其特征在于，
所述感应加热装置包括：
外形为圆形的被感应加热构件，使多个所述被感应加热构件散布配置，使其主面垂直于所述螺线管线圈的轴心方向；以及
由具备透磁性及热传递性的构件构成的、容纳多个所述被感应加热构件而构成发热体的一个支架，
多个所述被感应加热构件以所述支架的中心为基点放射状地散布。
2.如权利要求1所述的感应加热装置，其特征在于，
越配置于所述支架的中心的被感应加热构件，其直径越大于配置于所述支架的外周侧的被感应加热构件的直径。
3.如权利要求1所述的感应加热装置，其特征在于，
越配置于所述支架的中心的被感应加热构件，其厚度越厚于配置于所述支架的外周侧的被感应加热构件的厚度。
4.如权利要求2所述的感应加热装置，其特征在于，
越配置于所述支架的中心的被感应加热构件，其厚度越厚于配置于所述支架的外周侧的被感应加热构件的厚度。
5.如权利要求1所述的感应加热装置，其特征在于，
在所述圆形的被感应加热构件各自的中心部形成贯通孔，使各被感应加热构件的形状为环状。
6.如权利要求2所述的感应加热装置，其特征在于，
在所述圆形的被感应加热构件各自的中心部形成贯通孔，使各被感应加热构件的形状为环状。
7.如权利要求3所述的感应加热装置，其特征在于，
在所述圆形的被感应加热构件各自的中心部形成贯通孔，使各被感应加热构件的形状为环状。
8.如权利要求4所述的感应加热装置，其特征在于，
在所述圆形的被感应加热构件各自的中心部形成贯通孔，使各被感应加热构件的形状为环状。
9.如权利要求1所述的感应加热装置，其特征在于，
在所述支架的中心配置圆形的被感应加热构件，在该圆形的被感应加热构件的周围配置多个扇形的被感应加热构件。
10.如权利要求1所述的感应加热装置，其特征在于，
使配置于所述发热体的中心侧的被感应加热构件为第1被感应加热构件，使配置于所述发热体的外周侧的被感应加热构件为第2被感应加热构件，
所述第1被感应加热构件在对所述螺线管线圈输入的电流频率低于所述第2被感应加热构件的电流频率的情况下，能够获得高于所述第2被感应加热构件的发热密度。
11.如权利要求2所述的感应加热装置，其特征在于，
使配置于所述发热体的中心侧的被感应加热构件为第1被感应加热构件，使配置于所述发热体的外周侧的被感应加热构件为第2被感应加热构件，
所述第1被感应加热构件在对所述螺线管线圈输入的电流频率低于所述第2被感应加热构件的电流频率的情况下，能够获得高于所述第2被感应加热构件的发热密度。
12.如权利要求3所述的感应加热装置，其特征在于，
使配置于所述发热体的中心侧的被感应加热构件为第1被感应加热构件，使配置于所述发热体的外周侧的被感应加热构件为第2被感应加热构件，
所述第1被感应加热构件在对所述螺线管线圈输入的电流频率低于所述第2被感应加热构件的电流频率的情况下，能够获得高于所述第2被感应加热构件的发热密度。
13.如权利要求4所述的感应加热装置，其特征在于，
使配置于所述发热体的中心侧的被感应加热构件为第1被感应加热构件，使配置于所述发热体的外周侧的被感应加热构件为第2被感应加热构件，
所述第1被感应加热构件在对所述螺线管线圈输入的电流频率低于所述第2被感应加热构件的电流频率的情况下，能够获得高于所述第2被感应加热构件的发热密度。
14.如权利要求5所述的感应加热装置，其特征在于，
使配置于所述发热体的中心侧的被感应加热构件为第1被感应加热构件，使配置于所述发热体的外周侧的被感应加热构件为第2被感应加热构件，
所述第1被感应加热构件在对所述螺线管线圈输入的电流频率低于所述第2被感应加热构件的电流频率的情况下，能够获得高于所述第2被感应加热构件的发热密度。
15.如权利要求6所述的感应加热装置，其特征在于，
使配置于所述发热体的中心侧的被感应加热构件为第1被感应加热构件，使配置于所述发热体的外周侧的被感应加热构件为第2被感应加热构件，
所述第1被感应加热构件在对所述螺线管线圈输入的电流频率低于所述第2被感应加热构件的电流频率的情况下，能够获得高于所述第2被感应加热构件的发热密度。
16.如权利要求7所述的感应加热装置，其特征在于，
使配置于所述发热体的中心侧的被感应加热构件为第1被感应加热构件，使配置于所述发热体的外周侧的被感应加热构件为第2被感应加热构件，
所述第1被感应加热构件在对所述螺线管线圈输入的电流频率低于所述第2被感应加热构件的电流频率时，能够获得高于所述第2被感应加热构件的发热密度。
17.如权利要求8所述的感应加热装置，其特征在于，
使配置于所述发热体的中心侧的被感应加热构件为第1被感应加热构件，使配置于所述发热体的外周侧的被感应加热构件为第2被感应加热构件，
所述第1被感应加热构件在对所述螺线管线圈输入的电流频率低于所述第2被感应加热构件的电流频率的情况下，能够获得高于所述第2被感应加热构件的发热密度。
18.如权利要求9所述的感应加热装置，其特征在于，
使配置于所述发热体的中心侧的被感应加热构件为第1被感应加热构件，使配置于所述发热体的外周侧的被感应加热构件为第2被感应加热构件，
所述第1被感应加热构件在对所述螺线管线圈输入的电流频率低于所述第2被感应加热构件的电流频率时，能够获得高于所述第2被感应加热构件的发热密度。
19.一种感应加热装置，其通过由螺线管线圈产生的磁通来加热被感应加热构件，通过该被感应加热构件的辐射热来加热晶片，其特征在于，
所述感应加热装置包括：
外形为圆形的被感应加热构件，使多个所述被感应加热构件散布配置，使其主面垂直于所述螺线管线圈的轴心方向；以及
由具备透磁性及热传递性的构件构成的、容纳多个所述被感应加热构件而构成发热体的一个支架，
多个所述被感应加热构件以所述支架的中心为基点放射状地散布，在该被感应加热构件上形成薄壁部和厚壁部。
20.一种感应加热方法，其向螺线管线圈输入电流，加热配置于所述螺线管线圈的围绕区域的发热体从而进行被加热构件的加热，其特征在于，
所述发热体构成为，使多个散布配置、使其主面垂直于所述螺线管线圈的轴心方向的外形为圆形的被感应加热构件，容纳在由具备透磁性及热传递性的构件构成的一个支架上，使得多个所述被感应加热构件以所述支架的中心为基点放射状地散布，并且位于所述支架的中心的所述被感应加热构件的直径大于位于所述支架的外周侧的所述被感应加热构件的直径，
将可均等加热所述发热体的电流频率作为基准频率，
在对所述螺线管线圈输入了频率低于所述基准频率的电流的情况下加热所述发热体的中央，在对所述螺线管线圈输入了频率高于所述基准频率的电流的情况下加热所述发热体的外周，
并进行晶片的温度控制。
21.如权利要求20所述的感应加热方法，其特征在于，
在所述螺线管线圈的围绕区域平行地配置多个所述发热体，
沿所述发热体的配置方向分割所述螺线管线圈，
使对所分割的各螺线管线圈输入的电流的频率及相位一致，
控制对所述各螺线管线圈输入的电流。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010288396A JP4980461B1 (ja) | 2010-12-24 | 2010-12-24 | 誘導加熱装置 |
| JP2010-288396 | 2010-12-24 | ||
| PCT/JP2011/069798 WO2012086268A1 (ja) | 2010-12-24 | 2011-08-31 | 誘導加熱装置および誘導加熱方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103155698A CN103155698A (zh) | 2013-06-12 |
| CN103155698B true CN103155698B (zh) | 2015-08-05 |
Family
ID=46313553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201180046429.9A Active CN103155698B (zh) | 2010-12-24 | 2011-08-31 | 感应加热装置及感应加热方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9287146B2 (zh) |
| JP (1) | JP4980461B1 (zh) |
| KR (1) | KR101297493B1 (zh) |
| CN (1) | CN103155698B (zh) |
| TW (1) | TWI448207B (zh) |
| WO (1) | WO2012086268A1 (zh) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8963058B2 (en) * | 2011-11-28 | 2015-02-24 | The Boeing Company | System and method of adjusting the equilibrium temperature of an inductively-heated susceptor |
| JP6013113B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 発熱体の製造方法 |
| GB201511361D0 (en) | 2015-06-29 | 2015-08-12 | Nicoventures Holdings Ltd | Electronic vapour provision system |
| GB201511358D0 (en) | 2015-06-29 | 2015-08-12 | Nicoventures Holdings Ltd | Electronic aerosol provision systems |
| GB201511349D0 (en) * | 2015-06-29 | 2015-08-12 | Nicoventures Holdings Ltd | Electronic aerosol provision systems |
| GB201511359D0 (en) | 2015-06-29 | 2015-08-12 | Nicoventures Holdings Ltd | Electronic vapour provision system |
| US10407769B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-09-10 | Goodrich Corporation | Method and apparatus for decreasing the radial temperature gradient in CVI/CVD furnaces |
| DE102016119328A1 (de) | 2016-10-11 | 2018-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Heizvorrichtung, Verfahren und System zur Herstellung von Halbleiterchips im Waferverbund |
| US20220298615A1 (en) * | 2019-07-12 | 2022-09-22 | Carnegie Mellon University | Methods of Modifying a Domain Structure of a Magnetic Ribbon, Manufacturing an Apparatus, and Magnetic Ribbon Having a Domain Structure |
| CN110315619B (zh) * | 2019-08-07 | 2021-03-23 | 中国林业科学研究院木材工业研究所 | 一种木制品弯曲构件成型方法及其装置 |
| ES2820098A1 (es) * | 2019-10-17 | 2021-04-19 | Gh Electrotermia S A | Sistema para calentamiento por induccion de piezas metalicas |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5132731B2 (zh) * | 1972-05-19 | 1976-09-14 | ||
| JPS6312127A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | Fujitsu Ltd | 高周波誘導加熱サセプタ |
| JPH0878347A (ja) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | エピタキシャル成長装置のサセプタ |
| DE19622402C1 (de) * | 1996-06-04 | 1997-10-16 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Behandeln wenigstens eines Substrats sowie Verwendung der Vorrichtung |
| US6245152B1 (en) * | 1996-07-05 | 2001-06-12 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Method and apparatus for producing epitaxial wafer |
| JP3652462B2 (ja) * | 1997-01-14 | 2005-05-25 | 本田技研工業株式会社 | 車両用リヤディファレンシャルのケーシング構造 |
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| EP1271620B1 (en) * | 2001-06-21 | 2013-05-29 | Hyoung June Kim | Method and apparatus for heat treatment of semiconductor films |
| US6717121B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-04-06 | Graphic Packaging International, Inc. | Patterned microwave susceptor element and microwave container incorporating same |
| US6797069B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-09-28 | Cree, Inc. | Gas driven planetary rotation apparatus and methods for forming silicon carbide layers |
| JP2004039708A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置 |
| JP4208749B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 像加熱装置 |
| JP4336283B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2009-09-30 | 三井造船株式会社 | 誘導加熱装置 |
| TWI281833B (en) * | 2004-10-28 | 2007-05-21 | Kyocera Corp | Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater |
| JP4313775B2 (ja) | 2005-03-29 | 2009-08-12 | 三井造船株式会社 | 誘導加熱方法および装置 |
| US20070125762A1 (en) * | 2005-12-01 | 2007-06-07 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone resistive heater |
| JP4844330B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2011-12-28 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 |
| US7598150B2 (en) * | 2006-11-20 | 2009-10-06 | Applied Materials, Inc. | Compensation techniques for substrate heating processes |
| JP5169097B2 (ja) * | 2007-09-14 | 2013-03-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
| JP5029382B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2012-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| JP5004842B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2012-08-22 | 三井造船株式会社 | 誘導加熱装置 |
| JP5213594B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP5350747B2 (ja) * | 2008-10-23 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
-
2010
- 2010-12-24 JP JP2010288396A patent/JP4980461B1/ja active Active
-
2011
- 2011-08-31 WO PCT/JP2011/069798 patent/WO2012086268A1/ja active Application Filing
- 2011-08-31 KR KR1020137007417A patent/KR101297493B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-31 CN CN201180046429.9A patent/CN103155698B/zh active Active
- 2011-08-31 US US13/994,547 patent/US9287146B2/en active Active
- 2011-10-31 TW TW100139580A patent/TWI448207B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103155698A (zh) | 2013-06-12 |
| US20130264335A1 (en) | 2013-10-10 |
| JP4980461B1 (ja) | 2012-07-18 |
| JP2012138204A (ja) | 2012-07-19 |
| TWI448207B (zh) | 2014-08-01 |
| TW201230880A (en) | 2012-07-16 |
| US9287146B2 (en) | 2016-03-15 |
| KR101297493B1 (ko) | 2013-08-20 |
| WO2012086268A1 (ja) | 2012-06-28 |
| KR20130038957A (ko) | 2013-04-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Tokyo, Japan Patentee after: Mitsui AIS Corp. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: MITSUI ENGINEERING & SHIPBUILDING Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
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|
| TR01 | Transfer of patent right |